JPH09320810A - 正特性サーミスタとその製造方法 - Google Patents
正特性サーミスタとその製造方法Info
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- JPH09320810A JPH09320810A JP8139875A JP13987596A JPH09320810A JP H09320810 A JPH09320810 A JP H09320810A JP 8139875 A JP8139875 A JP 8139875A JP 13987596 A JP13987596 A JP 13987596A JP H09320810 A JPH09320810 A JP H09320810A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 発熱装置の出力を上げるため、発熱装置の全
熱抵抗の減少に寄与する正特性サーミスタを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子材料から成形され
た成形体と、前記正特性サーミスタ素子材料組成から半
導体化元素のみを除去した組成である素子材料から成形
された成形体を積層してこれを一体焼成する。正特性サ
ーミスタ素子材料から成形された成形体が焼結すること
により形成された正特性サーミスタ層１１の面上に一対
の対向電極１３，１４を形成することにより、発熱装置
の全熱抵抗の減少に寄与する正特性サーミスタを得るこ
とができる。
熱抵抗の減少に寄与する正特性サーミスタを提供するこ
とを目的とする。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子材料から成形され
た成形体と、前記正特性サーミスタ素子材料組成から半
導体化元素のみを除去した組成である素子材料から成形
された成形体を積層してこれを一体焼成する。正特性サ
ーミスタ素子材料から成形された成形体が焼結すること
により形成された正特性サーミスタ層１１の面上に一対
の対向電極１３，１４を形成することにより、発熱装置
の全熱抵抗の減少に寄与する正特性サーミスタを得るこ
とができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は発熱装置の熱源とし
て用いられる正特性サーミスタとその製造方法に関する
ものである。
て用いられる正特性サーミスタとその製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、正特性サーミスタを熱源として用
いる発熱装置の構造としては、実開昭５５−１０５９０
４号に記載されたものが知られている。その構成を図４
に示しており、これは板状に焼成した正特性サーミスタ
４１の一方の面に一対の櫛形電極４２，４３を形成し、
他方の面を絶縁板４４を介して、熱伝導の良好な金属な
どにより形成された放熱板４５に密着させる構成になっ
ている。
いる発熱装置の構造としては、実開昭５５−１０５９０
４号に記載されたものが知られている。その構成を図４
に示しており、これは板状に焼成した正特性サーミスタ
４１の一方の面に一対の櫛形電極４２，４３を形成し、
他方の面を絶縁板４４を介して、熱伝導の良好な金属な
どにより形成された放熱板４５に密着させる構成になっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この構成によると、正
特性サーミスタで発生した熱が絶縁板を介して伝導し放
熱板から放熱するため、熱伝導経路における全熱抵抗が
大きく、このためヒータとして使用するとき、出力は３
００Ｗ程度が限度であった。
特性サーミスタで発生した熱が絶縁板を介して伝導し放
熱板から放熱するため、熱伝導経路における全熱抵抗が
大きく、このためヒータとして使用するとき、出力は３
００Ｗ程度が限度であった。
【０００４】すなわち、図４の発熱装置の場合、その熱
伝導経路における全熱抵抗Ｒの要因は、正特性サーミス
タ４１の厚さ方向の熱抵抗Ｒ1、正特性サーミスタ４１
と絶縁板４４との接触面での熱抵抗Ｒ2、絶縁板４４の
厚さ方向の熱抵抗Ｒ3、絶縁板４４と放熱板４５との接
触面での熱抵抗Ｒ4、および放熱板４５の厚さ方向の熱
抵抗Ｒ5である。
伝導経路における全熱抵抗Ｒの要因は、正特性サーミス
タ４１の厚さ方向の熱抵抗Ｒ1、正特性サーミスタ４１
と絶縁板４４との接触面での熱抵抗Ｒ2、絶縁板４４の
厚さ方向の熱抵抗Ｒ3、絶縁板４４と放熱板４５との接
触面での熱抵抗Ｒ4、および放熱板４５の厚さ方向の熱
抵抗Ｒ5である。
【０００５】しかし、熱抵抗Ｒ5は熱伝導率がきわめて
良好なため実質的に無視できるので、全熱抵抗Ｒは（Ｒ
1＋Ｒ2＋Ｒ3＋Ｒ4）で表すことができる。
良好なため実質的に無視できるので、全熱抵抗Ｒは（Ｒ
1＋Ｒ2＋Ｒ3＋Ｒ4）で表すことができる。
【０００６】さて、この種の発熱装置の出力Ｐは、正特
性サーミスタのキュリー点温度をＴ P、全熱抵抗をＲ、
放熱板の温度をＴ1とすると、（数１）で与えられる。
性サーミスタのキュリー点温度をＴ P、全熱抵抗をＲ、
放熱板の温度をＴ1とすると、（数１）で与えられる。
【０００７】
【数１】
【０００８】この式からわかるように放熱板の温度を一
定にすると、出力はキュリー点温度に比例し、熱抵抗に
反比例する。ところで、正特性サーミスタのキュリー点
温度は２８０〜３００℃が上限であるが、被加熱物がな
い状態での発熱時の安全性を考慮すると、実際的には２
２０〜２４０℃が最大である。したがって、キュリー点
温度が２２０℃で、縦３５mm、横２５mm、厚さ１mmの正
特性サーミスタ４１を、厚さ０．５mmのアルミナを絶縁
板として介し放熱板に密着させた発熱装置において、出
力Ｐは放熱板４５が１００℃の時に３０５Ｗである。し
たがって、従来の発熱装置の出力は高々３００Ｗ程度と
低すぎるという問題を有していた。
定にすると、出力はキュリー点温度に比例し、熱抵抗に
反比例する。ところで、正特性サーミスタのキュリー点
温度は２８０〜３００℃が上限であるが、被加熱物がな
い状態での発熱時の安全性を考慮すると、実際的には２
２０〜２４０℃が最大である。したがって、キュリー点
温度が２２０℃で、縦３５mm、横２５mm、厚さ１mmの正
特性サーミスタ４１を、厚さ０．５mmのアルミナを絶縁
板として介し放熱板に密着させた発熱装置において、出
力Ｐは放熱板４５が１００℃の時に３０５Ｗである。し
たがって、従来の発熱装置の出力は高々３００Ｗ程度と
低すぎるという問題を有していた。
【０００９】本発明はこのような問題点を解決するもの
で、発熱装置の出力を上げるために発熱装置の全熱抵抗
の減少に寄与する正特性サーミスタを提供することを目
的とする。
で、発熱装置の出力を上げるために発熱装置の全熱抵抗
の減少に寄与する正特性サーミスタを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明による正特性サーミスタは、上面は絶縁体層
から成り、下面は正特性サーミスタ層から成る層状構造
を有するものである。
に、本発明による正特性サーミスタは、上面は絶縁体層
から成り、下面は正特性サーミスタ層から成る層状構造
を有するものである。
【００１１】これにより正特性サーミスタを直接放熱板
に密着させることができ、全熱抵抗が減少するので発熱
装置の出力を上げることができる。
に密着させることができ、全熱抵抗が減少するので発熱
装置の出力を上げることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、少なくとも上面に絶縁体層、下面に正特性サーミス
タ層を有する積層体と、この正特性サーミスタ層の表面
に設けた少なくとも一対の電極とを有する正特性サーミ
スタであり、絶縁体層である面に放熱板を直接密着させ
ることができるので、発熱装置の熱抵抗を下げることが
できる。
は、少なくとも上面に絶縁体層、下面に正特性サーミス
タ層を有する積層体と、この正特性サーミスタ層の表面
に設けた少なくとも一対の電極とを有する正特性サーミ
スタであり、絶縁体層である面に放熱板を直接密着させ
ることができるので、発熱装置の熱抵抗を下げることが
できる。
【００１３】請求項２に記載の発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とし、少なくとも副成分として半導体化元素
を含む正特性サーミスタ材料を板状に成形して正特性サ
ーミスタ成形体を得る工程と、前記正特性サーミスタ組
成から前記半導体化元素非含有のセラミック材料を成形
して成形体を得る工程と、この成形体と前記正特性サー
ミスタ成形体とを相対向する面となるように積層して積
層体を得る工程と、この積層体を焼成して焼結体を得る
工程と、この焼結体の前記正特性サーミスタ成形体側の
面に少なくとも一対の電極を形成する工程とを備えた正
特性サーミスタの製造方法であり、一方の面が絶縁体層
で、他方の面が正特性サーミスタ層からなる層状構造の
正特性サーミスタを得ることができる。
ムを主成分とし、少なくとも副成分として半導体化元素
を含む正特性サーミスタ材料を板状に成形して正特性サ
ーミスタ成形体を得る工程と、前記正特性サーミスタ組
成から前記半導体化元素非含有のセラミック材料を成形
して成形体を得る工程と、この成形体と前記正特性サー
ミスタ成形体とを相対向する面となるように積層して積
層体を得る工程と、この積層体を焼成して焼結体を得る
工程と、この焼結体の前記正特性サーミスタ成形体側の
面に少なくとも一対の電極を形成する工程とを備えた正
特性サーミスタの製造方法であり、一方の面が絶縁体層
で、他方の面が正特性サーミスタ層からなる層状構造の
正特性サーミスタを得ることができる。
【００１４】請求項３に記載の発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とするセラミック材料を成形して成形体を得
る工程と、次にこの成形体の一方の面に半導体化元素を
塗布し、焼成して焼結体を得る工程と、次いでこの焼結
体の半導体化元素を塗布した面に少なくとも一対の電極
を形成する工程とを備えた正特性サーミスタの製造方法
であり、一方の面が絶縁体層で、他方の面が正特性サー
ミスタ層からなる層状構造の正特性サーミスタを得るこ
とができる。
ムを主成分とするセラミック材料を成形して成形体を得
る工程と、次にこの成形体の一方の面に半導体化元素を
塗布し、焼成して焼結体を得る工程と、次いでこの焼結
体の半導体化元素を塗布した面に少なくとも一対の電極
を形成する工程とを備えた正特性サーミスタの製造方法
であり、一方の面が絶縁体層で、他方の面が正特性サー
ミスタ層からなる層状構造の正特性サーミスタを得るこ
とができる。
【００１５】請求項４に記載の発明は、チタン酸バリウ
ムを主成分とするセラミック材料を成形して成形体を得
る工程と、次にこの成形体を焼成して焼結体を得、この
焼結体の一方の面に半導体化元素を塗布し、焼成する工
程と、次いでこの焼結体の半導体化元素を塗布した面に
少なくとも一対の電極を形成する工程とを備えた正特性
サーミスタの製造方法であり、一方の面が絶縁体層で、
他方の面が正特性サーミスタ層からなる層状構造の正特
性サーミスタを得ることができる。
ムを主成分とするセラミック材料を成形して成形体を得
る工程と、次にこの成形体を焼成して焼結体を得、この
焼結体の一方の面に半導体化元素を塗布し、焼成する工
程と、次いでこの焼結体の半導体化元素を塗布した面に
少なくとも一対の電極を形成する工程とを備えた正特性
サーミスタの製造方法であり、一方の面が絶縁体層で、
他方の面が正特性サーミスタ層からなる層状構造の正特
性サーミスタを得ることができる。
【００１６】以下、本発明の一実施の形態について、図
面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１に本実施の形態における正特性サ
ーミスタの断面図を示す。図１において、１１は正特性
サーミスタ層、１２は絶縁体層、１３，１４は電極であ
る。
面を参照しながら説明する。 （実施の形態１）図１に本実施の形態における正特性サ
ーミスタの断面図を示す。図１において、１１は正特性
サーミスタ層、１２は絶縁体層、１３，１４は電極であ
る。
【００１７】本実施の形態では正特性サーミスタとして
は（化１）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化１）における組成比はモル数表記であ
る。
は（化１）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化１）における組成比はモル数表記であ
る。
【００１８】
【化１】
【００１９】この組成のキュリー温度は２００℃であ
る。まず、（化１）の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐ
ｂＯ，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3
をそれぞれ２組分秤量する。ただし、そのうちの１組に
は半導体化元素であるＹの酸化物のＹ2Ｏ3を配合しな
い。これらをそれぞれＺｒＯ2の玉石、純水と共にボー
ルミルに入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１
１００℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉
石、純水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥し
た。乾燥粉にポリビニルアルコールからなるバインダー
を添加、造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ１．１mmの
角板に成形した。Ｙ2Ｏ3を含有する成形体と含有しない
成形体をプレス機により積層して縦３９mm、横２８mm、
高さ２．２mmの角板成形体を得、これを１３００℃、１
時間で焼成し、縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体
を得た。得られた焼結体の半導体化した面上つまり、Ｙ
2Ｏ3を含有する焼結体側にＡｌペーストを櫛形電極パタ
ーンに印刷し、大気中８００℃で焼き付け試料を作製し
た。得られた試料の抵抗温度特性を測定した。抵抗温度
特性の説明図を図３に示す。常温抵抗値Ｒ25：２７５
Ω、最大抵抗値Ｒmax：１２．５ＭΩなるＰＴＣ特性を
有することが観察された。また、電極形成面とその反対
側の面の間の電気抵抗を測定したところ導通はなく絶縁
体層が形成されていることが確認された。
る。まず、（化１）の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐ
ｂＯ，Ｙ2Ｏ3，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3
をそれぞれ２組分秤量する。ただし、そのうちの１組に
は半導体化元素であるＹの酸化物のＹ2Ｏ3を配合しな
い。これらをそれぞれＺｒＯ2の玉石、純水と共にボー
ルミルに入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１
１００℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉
石、純水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥し
た。乾燥粉にポリビニルアルコールからなるバインダー
を添加、造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ１．１mmの
角板に成形した。Ｙ2Ｏ3を含有する成形体と含有しない
成形体をプレス機により積層して縦３９mm、横２８mm、
高さ２．２mmの角板成形体を得、これを１３００℃、１
時間で焼成し、縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体
を得た。得られた焼結体の半導体化した面上つまり、Ｙ
2Ｏ3を含有する焼結体側にＡｌペーストを櫛形電極パタ
ーンに印刷し、大気中８００℃で焼き付け試料を作製し
た。得られた試料の抵抗温度特性を測定した。抵抗温度
特性の説明図を図３に示す。常温抵抗値Ｒ25：２７５
Ω、最大抵抗値Ｒmax：１２．５ＭΩなるＰＴＣ特性を
有することが観察された。また、電極形成面とその反対
側の面の間の電気抵抗を測定したところ導通はなく絶縁
体層が形成されていることが確認された。
【００２０】この試料に直接放熱板を取り付けることに
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは正特性サーミ
スタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特性サーミスタと放
熱板との接触面での熱抵抗の和に等しくなり、Ｒを減少
することができる。よってこの発熱装置の出力Ｐは放熱
板が１００℃の時５２３Ｗとなり、出力を上げることが
できる。
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは正特性サーミ
スタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特性サーミスタと放
熱板との接触面での熱抵抗の和に等しくなり、Ｒを減少
することができる。よってこの発熱装置の出力Ｐは放熱
板が１００℃の時５２３Ｗとなり、出力を上げることが
できる。
【００２１】（実施の形態２）図２に本実施の形態によ
る正特性サーミスタの断面図を示す。図２において、２
１は半導体化元素の拡散により形成された正特性サーミ
スタ領域、２２は絶縁体領域、２３，２４は電極であ
る。
る正特性サーミスタの断面図を示す。図２において、２
１は半導体化元素の拡散により形成された正特性サーミ
スタ領域、２２は絶縁体領域、２３，２４は電極であ
る。
【００２２】本実施の形態では正特性サーミスタとして
（化２）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化２）における組成比はモル数表記であ
る。
（化２）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化２）における組成比はモル数表記であ
る。
【００２３】
【化２】
【００２４】この組成のキュリー温度は２００℃であ
る。まず、（化２）の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐ
ｂＯ，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞ
れ秤量し、これをＺｒＯ2の玉石、純水と共にボールミ
ルに入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１１０
０℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉石、
純水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥した。乾
燥粉にポリビニルアルコールからなるバインダーを添
加、造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ２．２mmの角板
状に成形した。この成形体の一方の面にＹ 2Ｏ3を含有す
るペーストを塗布し、これを１３００℃、１時間で焼成
し、縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体を得、Ｙ2
Ｏ3のペーストを塗布し、半導体化した面上にＡｌペー
ストを櫛形電極パターンに印刷し、大気中８００℃で焼
き付け試料を作製した。得られた試料の抵抗温度特性を
測定した。抵抗温度特性の説明図を図３に示す。常温抵
抗値Ｒ25：２８３Ω、最大抵抗値Ｒmax：１３．５ＭΩ
なるＰＴＣ特性を有することが観察された。また、電極
形成面とその反対側の面の間の電気抵抗を測定したとこ
ろ導通はなく絶縁体層が形成されていることが確認され
た。
る。まず、（化２）の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐ
ｂＯ，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞ
れ秤量し、これをＺｒＯ2の玉石、純水と共にボールミ
ルに入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１１０
０℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉石、
純水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥した。乾
燥粉にポリビニルアルコールからなるバインダーを添
加、造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ２．２mmの角板
状に成形した。この成形体の一方の面にＹ 2Ｏ3を含有す
るペーストを塗布し、これを１３００℃、１時間で焼成
し、縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体を得、Ｙ2
Ｏ3のペーストを塗布し、半導体化した面上にＡｌペー
ストを櫛形電極パターンに印刷し、大気中８００℃で焼
き付け試料を作製した。得られた試料の抵抗温度特性を
測定した。抵抗温度特性の説明図を図３に示す。常温抵
抗値Ｒ25：２８３Ω、最大抵抗値Ｒmax：１３．５ＭΩ
なるＰＴＣ特性を有することが観察された。また、電極
形成面とその反対側の面の間の電気抵抗を測定したとこ
ろ導通はなく絶縁体層が形成されていることが確認され
た。
【００２５】この試料に直接放熱板を取り付けることに
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは絶縁板がない
ので正特性サーミスタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特
性サーミスタと放熱板との接触面での熱抵抗の和に等し
くなり、Ｒを減少することができる。よってこの発熱装
置の出力Ｐは放熱板が１００℃の時５０８Ｗとなり、出
力を上げることができる。
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは絶縁板がない
ので正特性サーミスタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特
性サーミスタと放熱板との接触面での熱抵抗の和に等し
くなり、Ｒを減少することができる。よってこの発熱装
置の出力Ｐは放熱板が１００℃の時５０８Ｗとなり、出
力を上げることができる。
【００２６】（実施の形態３）本実施の形態における製
造方法による正特性サーミスタの断面図は（実施の形態
２）で説明した図２と同じであるので、その説明は省略
する。
造方法による正特性サーミスタの断面図は（実施の形態
２）で説明した図２と同じであるので、その説明は省略
する。
【００２７】本実施の形態では正特性サーミスタとして
は（化３）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化３）における組成比はモル数表記であ
る。
は（化３）で表されるチタン酸バリウム系の組成を用い
た。なお、（化３）における組成比はモル数表記であ
る。
【００２８】
【化３】
【００２９】この組成のキュリー温度は２００℃であ
る。まず、上記の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐｂ
Ｏ，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ
秤量し、これをＺｒＯ2の玉石、純水と共にボールミル
に入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１１００
℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉石、純
水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥した。乾燥
粉にポリビニルアルコールからなるバインダーを添加、
造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ２．２mmの角板状に
成形した。この成形体を１３００℃、１時間で焼成し、
縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体を得、この一方
の面にＹ2Ｏ3を含有するペーストを塗布し、１１００
℃、１時間で再焼成した。ペーストを塗布し半導体化さ
せた面上にＡｌペーストを櫛形電極パターンに印刷し、
大気中８００℃で焼き付け試料を作製した。得られた試
料の抵抗温度特性を測定した。抵抗温度特性の説明図を
図３に示す。常温抵抗値Ｒ25：２９５Ω、最大抵抗値Ｒ
max：１４．８ＭΩなるＰＴＣ特性を有することが観察
された。また、電極形成面とその反対側の面の間の電気
抵抗を測定したところ導通はなく絶縁体層が形成されて
いることが確認された。
る。まず、上記の組成となるようにＢａＣＯ3，Ｐｂ
Ｏ，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，Ａｌ2Ｏ3をそれぞれ
秤量し、これをＺｒＯ2の玉石、純水と共にボールミル
に入れ湿式混合し、乾燥する。乾燥粉を大気中１１００
℃にて仮焼し、得られた仮焼粉末をＺｒＯ2の玉石、純
水と共にボールミルに入れ湿式粉砕し、乾燥した。乾燥
粉にポリビニルアルコールからなるバインダーを添加、
造粒し、縦３９mm、横２８mm、高さ２．２mmの角板状に
成形した。この成形体を１３００℃、１時間で焼成し、
縦３５mm、横２５mm、高さ２mmの焼結体を得、この一方
の面にＹ2Ｏ3を含有するペーストを塗布し、１１００
℃、１時間で再焼成した。ペーストを塗布し半導体化さ
せた面上にＡｌペーストを櫛形電極パターンに印刷し、
大気中８００℃で焼き付け試料を作製した。得られた試
料の抵抗温度特性を測定した。抵抗温度特性の説明図を
図３に示す。常温抵抗値Ｒ25：２９５Ω、最大抵抗値Ｒ
max：１４．８ＭΩなるＰＴＣ特性を有することが観察
された。また、電極形成面とその反対側の面の間の電気
抵抗を測定したところ導通はなく絶縁体層が形成されて
いることが確認された。
【００３０】この試料に直接放熱板を取り付けることに
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは絶縁板がない
ので正特性サーミスタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特
性サーミスタと放熱板との接触面での熱抵抗の和に等し
くなり、Ｒを減少することができる。よってこの発熱装
置の出力Ｐは請求項４の製造方法による試料を用いた場
合は放熱板が１００℃の時４９７Ｗとなり、出力を上げ
ることができる。
より発熱装置を作製すると、全熱抵抗Ｒは絶縁板がない
ので正特性サーミスタの厚さ方向の熱抵抗Ｒ1と、正特
性サーミスタと放熱板との接触面での熱抵抗の和に等し
くなり、Ｒを減少することができる。よってこの発熱装
置の出力Ｐは請求項４の製造方法による試料を用いた場
合は放熱板が１００℃の時４９７Ｗとなり、出力を上げ
ることができる。
【００３１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明による正特
性サーミスタを用いることにより、正特性サーミスタを
直接放熱板に密着させることができ、全熱抵抗が減少す
るので発熱装置の出力を上げることができる。
性サーミスタを用いることにより、正特性サーミスタを
直接放熱板に密着させることができ、全熱抵抗が減少す
るので発熱装置の出力を上げることができる。
【図１】本発明の一実施の形態における正特性サーミス
タの断面図
タの断面図
【図２】本発明の他の実施の形態における正特性サーミ
スタの断面図
スタの断面図
【図３】本発明の一実施の形態における正特性サーミス
タの抵抗温度特性の曲線図
タの抵抗温度特性の曲線図
【図４】従来の正特性サーミスタの断面図
１１ 正特性サーミスタ層 １２ 絶縁体層 １３ 電極 １４ 電極
Claims (4)
- 【請求項１】 少なくとも上面に絶縁体層、下面に正特
性サーミスタ層を有する積層体と、この正特性サーミス
タ層の表面に設けた少なくとも一対の電極とを有する正
特性サーミスタ。 - 【請求項２】 チタン酸バリウムを主成分とし、少なく
とも副成分として半導体化元素を含む正特性サーミスタ
材料を板状に成形して正特性サーミスタ成形体を得る工
程と、前記正特性サーミスタ組成から前記半導体化元素
非含有のセラミック材料を成形して成形体を得る工程
と、この成形体と前記正特性サーミスタ成形体とを相対
向する面となるように積層して積層体を得る工程と、こ
の積層体を焼成して焼結体を得る工程と、この焼結体の
前記正特性サーミスタ成形体側の面に少なくとも一対の
電極を形成する工程とを備えた正特性サーミスタの製造
方法。 - 【請求項３】 チタン酸バリウムを主成分とするセラミ
ック材料を成形して成形体を得る工程と、次にこの成形
体の一方の面に半導体化元素を塗布し、焼成して焼結体
を得る工程と、次いでこの焼結体の半導体化元素を塗布
した面に少なくとも一対の電極を形成する工程とを備え
た正特性サーミスタの製造方法。 - 【請求項４】 チタン酸バリウムを主成分とするセラミ
ック材料を成形して成形体を得る工程と、次にこの成形
体を焼成して焼結体を得、この焼結体の一方の面に半導
体化元素を塗布し、焼成する工程と、次いでこの焼結体
の半導体化元素を塗布した面に少なくとも一対の電極を
形成する工程とを備えた正特性サーミスタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139875A JPH09320810A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 正特性サーミスタとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8139875A JPH09320810A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 正特性サーミスタとその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320810A true JPH09320810A (ja) | 1997-12-12 |
Family
ID=15255608
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8139875A Pending JPH09320810A (ja) | 1996-06-03 | 1996-06-03 | 正特性サーミスタとその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09320810A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113363032A (zh) * | 2020-03-05 | 2021-09-07 | 高尔科技股份有限公司 | 高速导热传感器 |
-
1996
- 1996-06-03 JP JP8139875A patent/JPH09320810A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN113363032A (zh) * | 2020-03-05 | 2021-09-07 | 高尔科技股份有限公司 | 高速导热传感器 |
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