JPH09320939A - 位置検出方法及び装置 - Google Patents

位置検出方法及び装置

Info

Publication number
JPH09320939A
JPH09320939A JP8134948A JP13494896A JPH09320939A JP H09320939 A JPH09320939 A JP H09320939A JP 8134948 A JP8134948 A JP 8134948A JP 13494896 A JP13494896 A JP 13494896A JP H09320939 A JPH09320939 A JP H09320939A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
alignment mark
stage
transparent substrate
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8134948A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhiko Hori
和彦 堀
Susumu Mori
晋 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8134948A priority Critical patent/JPH09320939A/ja
Publication of JPH09320939A publication Critical patent/JPH09320939A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】ガラス基板上に形成されたアライメントマーク
に可視光を照射し、アライメントマークで反射された反
射光を検出装置により検出して位置情報を得る位置検出
方法及び装置において、ガラス基板上のアライメントマ
ークの上に更に膜が形成された場合においても、検出容
易で良好な反射光が得られ、それによって、正確な位置
検出を行うことができる位置検出方法及び装置を提供す
る。 【解決手段】ガラス基板上に形成されたアライメントマ
ークに光を照射し、アライメントマークに到達した後に
ガラス基板を通った光を検出し、検出された光に基づい
てそのガラス基板の位置を得ることとした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、位置合わせを必要
とする装置の位置検出方法及び装置に関し、特に、ガラ
ス基板上に金属等の不透明な物質による層が形成された
後に、このガラス基板を位置合わせして、露光を行う露
光装置や、欠陥検査を行う欠陥検査装置、あるいは観察
を行う顕微鏡等における位置検出方法及び装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】欠陥検査装置により液晶基板の欠陥検査
を行うときに、あるいは、観察顕微鏡により液晶基板の
観察を行うときに、欠陥検査や観察の対象となる液晶基
板の位置決めが必要となることがある。また、露光装置
においては、ガラス基板上に金属等の不透明な層を形成
した後の露光プロセスにおいて、それ以前の層とその上
に転写すべきレチクルのパターンとの重ね合わせを行う
ときに、ガラス基板の位置決めを行う必要がある。そし
て、従来の液晶表示素子作成のための露光装置における
位置決めは、図1に示すような方法及び装置で行われて
いた。
【0003】図1において、露光装置1は、投影光学系
PLと、マスクとしてのレチクルRと、光源を含む照明
光学系ILとからなる。位置決めの対象となるガラス基
板2は、図示しない真空吸着手段を介してステージ3上
に載置されている。ステージ3は、モータ4により図面
の左右方向に移動することができる。また、ステージ3
は、図示しないモータにより図面に垂直方向にも移動す
ることができる。ガラス基板2の上には、図示しない電
子回路と同時に形成されるアライメントマーク5が設け
られている。アライメントマーク5は、クロムなどの金
属でできている。アラインメントセンサー6としては、
レーザ光をガラス基板上のアライメントマーク5に照射
し、レーザ光とアライメントマークとを相対移動させ
て、マークからの回折・散乱された光を利用してアライ
メントマークの位置を計測するシステム(以下、Laser
Step Alignment 「LSA」という。)である。このよ
うなLSAアライメントシステムは、特開昭60−13
0742号に詳しく開示されている。光源7から発した
光は、集光レンズ8及び送光スリット9を通り、アライ
メントマーク5に到達する。光源7は、可視光(波長3
80〜780nm)、例えば、He−Neレーザ(波長
633nm)を用いている。アライメントマーク5で反
射した反射光は、リレーレンズ10を通り、偏光プリズ
ム11によって偏光されて、検出器12に入射する。検
出器12は、アライメントマーク5の位置を計測する。
アライメントマーク5の位置情報は、制御系13へ送ら
れる。制御系13は、位置情報からズレ量を算出し、こ
のズレ量に基づいて、光波干渉計やリニアエンコーダな
どの位置読み取り器14を使用して、モータ4によりス
テージ3を移動して、ガラス基板2の位置決めを行う。
【0004】このように、従来の装置においては、ガラ
ス基板の上面すなわちアライメントマークが配置された
面の側からレーザ光を照射し、それと同じ側に反射する
反射光を検出してガラス基板の位置を計測し位置決めを
行っていた。すなわち、アライメントマークの位置の検
出は、落射照明にて行われていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】前記したように、一般
に液晶表示素子作製の露光プロセスにおいては、例えば
図2のように、まず、ガラス基板2の上に微細な電子回
路をアライメントマーク5と同時に形成する。第1層目
の電子回路とアライメントマークは、金属などの不透明
な物質で形成されている。更に、この第1層目の上に第
2層目以降の層のための半導体膜15及びレジスト16
を形成するのが一般的である。従って、第2層目以降の
露光や欠陥検査等において、ガラス基板を位置決めする
ために、従来の落射照明によって第1層目の金属で形成
されたアライメントマークを検出することは困難であ
り、そのために位置決め精度が著しく低下するという問
題点があった。この問題点を解決するために、アライメ
ントマークの打ち換えを行って新しいアライメントマー
クで位置決めを行うという方法も採られるが、この方法
は煩雑であるという問題点があった。
【0006】液晶表示素子作成の露光プロセスにおいて
は、更に、以下のような問題点もある。液晶表示素子の
カラーフィルターは、赤色(R)フィルター、緑色
(G)フィルター及び青色(B)フィルターから成る。
これらのカラーフィルターは、ガラス基板上の金属膜又
は透明導電膜(ITO膜)等により形成された電子回路
パターンの上に、上記各色のカラーレジストを塗布し、
露光プロセスを経て作製されることがある。この場合に
は、電子回路パターンと同時に形成されるアライメント
マークも上記金属膜又は透明導電膜でできている。カラ
ーレジストは、可視光に対する透過率が通常のレジスト
よりも著しく低く、特に、青色のカラーレジストは、可
視光に対する透過率が1%程度である。例えば、この青
色のカラーレジストをアライメントマークの上に塗布し
た場合に、ガラス基板の上面すなわちアライメントマー
クが配置された面の側から可視光を照射し、それと同じ
側に反射する反射光を検出する従来の方法では、反射光
の光強度は、照射光の光強度の0.01×0.01倍、
すなわち、0.01%程度になってしまい、反射光の検
出が困難であるという問題点がある。
【0007】本発明は、このような従来の問題点に鑑み
てなされたもので、ガラス基板上に形成されたアライメ
ントマークに可視光を照射し、アライメントマークで反
射された反射光を検出装置により検出して位置情報を得
る位置検出方法において、ガラス基板上のアライメント
マークの上に更に膜が形成された場合においても、検出
容易で良好な検出光(反射光、透過光、回折光、散乱光
など)が得られ、それによって、正確な位置検出を行う
ことができる位置検出方法を提供することを目的とす
る。
【0008】更に、本発明は、ガラス基板上の第1層目
に形成されたアライメントマークの上に金属膜のような
不透明な膜が形成された場合においても、検出容易な反
射光が得られ、正確な位置検出を行うことができる位置
検出方法及び位置検出装置を提供することを目的とす
る。
【0009】更に、また、本発明は、ガラス基板上の第
1層目に形成されたアライメントマークの上に可視光に
対する透過率が通常のレジストよりも著しく低いカラー
レジストが塗布された場合においても、検出容易な反射
光又は透過光が得られ、正確な位置検出を行うことがで
きる位置検出方法及び位置検出装置を提供することを目
的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記の問題点を解決する
ために、本発明は、被検物上に形成されたパターンに光
を照射し、パターンに到達した後に被検物を通った光を
検出し、検出された光に基づいて、その被検物の位置を
得るものである。
【0011】本発明は、被検物上に形成されたパターン
に光を照射し、パターンに到達した後に被検物を通った
光を検出するようにしたので、パターンで回折・散乱さ
れた光を被検物を通して容易に検出することができ、正
確な位置検出を行うことができる。また、上記のように
構成したことから、従来の方法において、パターンで回
折・散乱された光を、被検物を通してではなくパターン
の上に形成された金属層やカラーレジスト層を通して検
出するために、これらの金属層やカラーレジスト層によ
って光が吸収されて検出が困難となる問題点を解消する
ことができる。
【0012】
【発明の実施の形態】本発明は、被検物の位置を検出す
る位置検出方法であって、被検物上に形成されたパター
ンに光を照射する照射工程と、パターンに到達した後に
被検物を通る光を検出する工程と、検出された光に基づ
いて、被検物の位置を求める工程とを有する。
【0013】照射工程は、光を、被検物を通してパター
ンに照射してもよい。すなわち、パターンが形成された
被検物の裏側から照射してもよい。
【0014】また、本発明は、被検物の位置を検出する
位置検出装置であって、被検物上に形成されたパターン
に光を照射する照射光学系と、パターンに到達した後に
被検物を通る光を検出する検出器と、検出された光に基
づいて、被検物の位置を求める計算機とから成る位置検
出装置である。
【0015】照射光学系は、光を、被検物を通してパタ
ーンに照射するように配置されているとよい。すなわ
ち、パターンが形成された被検物の裏側から照射するよ
うに配置されているとよい。
【0016】被検物は、透明基板であるとよい。透明基
板は、ガラス基板であるとよい。また、パターンは、位
置合わせ用のアライメントマークであるとよい。
【0017】更に、また、本発明は、ステージの位置決
めをする位置決め方法であって、ステージ上に透明基板
を配置する工程と、透明基板上にアライメントマークを
形成する工程と、アライメントマークに光を照射する照
射工程と、アライメントマークに到達した後に透明基板
を通る光を検出する工程と、検出された光に基づいて、
透明基板の位置情報を求める工程と、位置情報に基づい
てステージを移動してステージの位置決めを行う工程と
から成る位置決め方法である。
【0018】照射工程は、光を、被検物を通してパター
ンに照射してもよい。すなわち、パターンが形成された
被検物の裏側から照射してもよい。
【0019】アライメントマークの上に光の反射率の高
い物質又は光の透過率の低い物質を塗布する工程を含ん
でいてもよい。
【0020】更に、また、本発明は、ステージの位置決
めをする位置決め装置であって、ステージ上に配置され
た透明基板上に形成されたアライメントマークに光を照
射する照射光学系と、アライメントマークに到達した後
に透明基板を通る光を検出する検出器と、検出された光
に基づいて透明基板の位置ズレ量を求める計算機と、位
置ズレ量に基づいてステージの位置決めを行うためにス
テージを移動する駆動装置とから成る位置決め装置であ
る。
【0021】ステージはアライメントマークに対応する
位置に開口部を有しており、照射光学系は透明基板上の
アライメントマークが形成されている側と反対の側に配
置されており、かつ、ステージの開口部を介してアライ
メントマークに光を照射するように構成されており、検
出器は透明基板上のアライメントマークが形成されてい
る側と反対の側に配置されており、かつ、アライメント
マークで反射された照射光学系からの光を透明基板及び
ステージの開口部を介して検出するように構成されてい
るとよい。
【0022】ステージはアライメントマークに対応する
位置に開口部を有しており、照射光学系は透明基板上の
アライメントマークが形成されている側に配置されてお
り、検出器は透明基板上のアライメントマークが形成さ
れている側と反対の側に配置されており、かつ、アライ
メントマークで回折・散乱された照射光学系からの光を
透明基板及びステージの開口部を介して検出するように
構成されていてもよい。
【0023】アライメントマークの上に光の反射率の高
い物質又は光の透過率の低い物質が塗布されていてもよ
い。
【0024】位置決め装置は、露光装置に設けられてい
るとよい。
【0025】上記のように構成された本発明によれば、
被検物の上面に形成されたパターンの上に、更にある膜
が形成されても、被検物の裏面側から光を照射して、被
検物を通してパターンに到達しパターンで反射された後
再び被検物を通る光を検出し、検出された光を光電変換
することにより、その被検物の位置を検出することがで
きる。また、本発明によれば、被検物のパターンの上に
光の透過率の低い膜が形成されている場合に、被検物の
上面から光を照射したときであっても、パターンで反射
して再度透過率の低い膜を通る光ではなく被検物を透過
する透過光を検出することができるので、パターンで回
折・散乱された光を透過率の低い膜を通さずに検出して
正確な位置検出を行うことができる。
【0026】本発明によれば、1枚の基板に少なくとも
2回以上の露光を行う液晶基板露光プロセスにおいて、
露光装置で互いに位置合わせのためのアライメントマー
クを持つ原板とガラス基板の位置合わせの際、あるい
は、既にアライメントマークを含めて作成されたガラス
基板の検査及び観察を行うための装置においてガラス基
板の位置合わせを行う際、ガラス基板のアライメントマ
ークを含まない面、すなわち裏面側に光源と、その光源
から照射された光のガラス基板からの反射光を検出でき
る受光素子とを配置しているので、正確な位置検出がで
きる。
【0027】本発明においては、被検物が液晶基板であ
るとするとその基板とはガラスである。ガラスは通常、
可視光に対して透過率は高い。また、液晶基板において
金属層を形成する際のその材質はクロムやアルミニウム
で、それらの金属はレーザ光に対して反射率が高い。ま
た、露光時使用するレジストは透過率が高く反射率が低
いという特性を持っている。そこで、例えば通常のガラ
ス基板上に金属膜のパターンを形成し、その面上の何層
目かに更に金属膜を形成し、その上に更にレジストを塗
布したような場合に、位置検出する際の光源からの照射
方法として基板の裏面から照射し、その反射光を検出す
ることにより、基板の表面からの落射や透過による方法
では、ガラス基板上の上記パターン位置検出が困難又は
不可能という不都合は解消する。
【0028】
【実施例】図3は、本発明による第1実施例を示す図で
ある。図3において、露光装置21は、投影光学系PL
と、マスクとしてのレチクルRと、光源を含む照明光学
系ILとからなる。位置決めの対象となる液晶基板は、
ガラス基板22からなる。ガラス基板22は、図示しな
い真空吸着手段を介してステージ23上に載置されてい
る。ステージ23は、モータ24により図面の左右方向
に移動することができる。また、ステージ23は、図示
しないモータにより図面に垂直方向にも移動することが
できる。ガラス基板22の上には、第1層目に金属膜で
アライメントマーク25が形成されている。アライメン
トマーク25は、図示しない電子回路と同時に形成され
る。この第1層目のアライメントマーク25の上に、第
2回目の露光プロセスのための半導体膜26及びレジス
ト27が蒸着、塗布されて第2層目を構成している。
【0029】このような液晶基板を、図1に示した従来
の位置検出装置により、液晶基板の上面の側から光を落
射照明して反射光を検出しようとすると、レジスト27
及び半導体膜26を介して反射光を検出しなければなら
ないので、アライメントマーク25のコントラストは低
下し、位置検出が難しくなる。更に、第3層目を塗布し
た場合には、第2層目における位置検出以上に位置検出
が困難となる。
【0030】そこで、本発明の第1実施例は、前記した
液晶基板の裏面の側から光(ビーム)を照射するもので
ある。第1実施例のアラインメントセンサー28として
は、LSAを用いている。光源29から発した光は、集
光レンズ30及び送光スリット31を通り、ステージ2
3に設けられた開口部23aを通って、ガラス基板22
に入射し、アライメントマーク25に到達する。ここ
で、ステージ23に設けられた開口部23aは、少なく
ともアライメントマーク25に対応する位置の部分だけ
が筒抜けになっていればよい。光源29は、可視光(波
長380〜780nm)、例えば、He−Neレーザ
(波長633nm)を用いている。アライメントマーク
25で反射した反射光は、再びガラス基板22を通って
リレーレンズ32を通り、偏光プリズム33によって偏
光されて、検出器34に入射する。検出器34は、アラ
イメントマーク25の位置を計測し、位置情報を発生す
る。アライメントマーク25の位置情報は、制御系35
へ送られる。制御系35は、位置情報からズレ量を算出
し、このズレ量に基づいて、光波干渉計やリニアエンコ
ーダなどの位置読み取り器36を使用して、モータ24
によりステージ23を移動して、ガラス基板22の位置
決めを行う。
【0031】ここで重要なのは、アライメントマーク2
5の上に塗布されるものが、半導体膜26ではなく、例
えば、カラーフィルター用のカラーレジストであって
も、この第1実施例に示した方法により、同様に位置検
出ができるということである。
【0032】図4は、本発明による第2実施例を示す図
である。図4において、図3に示した第1実施例と同様
の構成要素には同じ符号を付して説明を省略する。第2
実施例は、光源を液晶基板の上面の側に配置し、検出器
を液晶基板の下面の側に配置して、透過光を検出するも
のである。第2実施例においては、第1層目のアライメ
ントマーク25の上に、カラーレジスト41が塗布され
ているものとする。光源42は、ガラス基板22の上
面、すなわち、アライメントマーク25が設けられてい
る面の側に配置されている。光源42から発した光は、
集光レンズ43及び送光スリット44を通り、カラーレ
ジスト41に入射する。光は、カラーレジスト41を通
って、アライメントマーク25に到達する。カラーレジ
スト41は、光の透過率が低く、例えば、青色のカラー
レジストにおいては、透過率は、1%程度である。従っ
て、アライメントマーク25からの反射光は、入射光の
0.01%程度であるため、従来技術のように反射光を
検出しようとすると、検出精度が落ちる。これに対し
て、第2実施例は、アライメントマーク25で回折・散
乱された光をガラス基板22を介して検出しようとする
ものである。すなわち、アライメントマーク25で回折
・散乱された光は、ガラス基板22を通り、ステージ2
3に設けられた開口部23aを通って、ガラス基板の下
面側に設けられたリレーレンズ45へ至る。リレーレン
ズ45を通った光は、偏光プリズム46によって偏光さ
れて、検出器47に入射する。検出器47は、アライメ
ントマーク25の位置を計測して位置情報を発生する。
アライメントマーク25の位置情報は、制御系35へ送
られる。制御系35は、第1実施例と同様にして、ガラ
ス基板22の位置決めを行う。
【0033】図5は、本発明による第3実施例を示す図
である。図5において、図3に示した第1実施例と同様
の構成要素には同じ符号を付して説明を省略する。第3
実施例は、ガラス基板の上面の側から光を照射して、上
面の側への反射光を検出する機能と、ガラス基板の下面
の側から光を照射して、下面の側への反射光を検出する
機能との、両方の機能を合わせ持ち、被検物に応じてこ
れらの方法を切り換えられるようにしたものである。
【0034】図5において、金属膜によって形成された
第1層目のアライメントマーク25を使って第2層目の
露光のための位置合わせを行う際は、ガラス基板22の
上面の側に配置された光源51を使用する。光源51か
ら発した光は、集光レンズ52及び送光スリット53を
通り、アライメントマーク25に到達する。アライメン
トマーク25で反射した反射光は、リレーレンズ54を
通り、偏光プリズム55によって偏光されて、検出器5
6に入射する。検出器56は、アライメントマーク25
の位置を計測して位置情報を発生する。アライメントマ
ーク25の位置情報は、制御系35へ送られる。制御系
35は、第1実施例と同様にして、ガラス基板22の位
置決めを行う。
【0035】次に、第3層目の露光のための位置合わせ
の際に、もし上記第2層目と同様な方法が困難な場合
は、切換スイッチ57により、光源51をガラス基板2
2の下面の側に配置された光源29に切り換えることに
より、第1実施例と同様にして、ガラス基板22の下面
の側から、光をアライメントマーク25へ照射する。ア
ライメントマーク25からの反射光をリレーレンズ3
2、偏光プリズム33を経由して、検出器34によって
検出することができる。
【0036】第4層目以降についても前記と同様な方法
で行うことができる。このように位置合わせのための反
射光検出を行ってから、正確な位置決めを光波干渉計や
リニアエンコーダ等の位置読み取り器36を使って行
う。
【0037】前記した第3実施例においては、ガラス基
板の上面の側に配置された光源51により、アライメン
トマーク25を照射して、ガラス基板22を透過した透
過光を偏光プリズム33を介して検出器34で検出する
機構とすることもできる。この場合にも、切換スイッチ
57により、機構を切り換えることができるようにする
とよい。
【0038】以上の実施例では、アライメントマーク2
5に照射する光は可視光を前提に説明しているが、本発
明は、可視光のみ成らず、例えば、透明導電膜(ITO
膜)に対する反射率が高い赤外線などの他の波長の光を
使用した場合においても、同様に適用できる。
【0039】
【発明の効果】本発明は、以上説明したような形態で実
施され、以下に記載されるような効果を奏する。
【0040】本発明によれば、ガラス基板の位置合わせ
のためのアライメントマークを常に高いコントラストに
て検出できるため、精度の高い位置合わせを行うことが
可能である。また、常に精度の高い位置合わせを行える
アライメントマークが存在することから、第3層以降の
層において位置合わせのためのアライメントマークを打
ち換える必要がなくなり、その分、原板の設計の簡略化
ができ、また処理時間において短縮できるという効果も
ある。
【0041】更に、本発明は、液晶基板のみ成らずカラ
ーフィルターのように可視光の透過率が低い感光材を塗
布したガラス基板における露光プロセスや検査プロセス
においても適用できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の技術における位置合わせ装置の概念図で
ある。
【図2】位置合わせされる被検物としてのガラス基板上
にアライメントマークが形成され、その上に第2層目の
成膜及びレジストの塗布が行われたときの断面図であ
る。
【図3】本発明による第1実施例を示す図である。
【図4】本発明による第2実施例を示す図である。
【図5】本発明による第3実施例を示す図である。
【符号の説明】
29、42、51 光源 30、43、52 集光レンズ 31、44、53 送光スリット 32、45、54 リレーレンズ 33、46、55 偏光プリズム 34、47、56 検出器(光電変換素子) 22 ガラス基板 23 ステージ 36 位置読み取り器 25 アライメントマーク 26 半導体膜 27 レジスト 41 カラーレジスト

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被検物の位置を検出する位置検出方法で
    あって、 前記被検物上に形成されたパターンに光を照射する照射
    工程と、 前記パターンに到達した後に前記被検物を通る光を検出
    する工程と、 検出された光に基づいて、前記被検物の位置を求める工
    程とから成る位置検出方法。
  2. 【請求項2】 前記照射工程は、光を、前記被検物を通
    して前記パターンに照射することを特徴とする請求項1
    に記載の方法。
  3. 【請求項3】 前記被検物は、透明基板であることを特
    徴とする請求項1又は2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 前記パターンは、アライメントマークで
    あることを特徴とする請求項1乃至3に記載の方法。
  5. 【請求項5】 被検物の位置を検出する位置検出装置で
    あって、 前記被検物上に形成されたパターンに光を照射する照射
    光学系と、 前記パターンに到達した後に前記被検物を通る光を検出
    する検出器と、 検出された光に基づいて、前記被検物の位置を求める計
    算機とから成る位置検出装置。
  6. 【請求項6】 前記照射光学系は、光を、前記被検物を
    通して前記パターンに照射することを特徴とする請求項
    5に記載の装置。
  7. 【請求項7】 前記被検物は、透明基板であることを特
    徴とする請求項5又は6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 前記パターンは、アライメントマークで
    あることを特徴とする請求項5乃至7に記載の装置。
  9. 【請求項9】 ステージの位置決めをする位置決め方法
    であって、 前記ステージ上に透明基板を配置する工程と、 前記透明基板上にアライメントマークを形成する工程
    と、 前記アライメントマークに光を照射する照射工程と、 前記アライメントマークに到達した後に前記透明基板を
    通る光を検出する工程と、 検出された光に基づいて、前記透明基板の位置情報を求
    める工程と、 前記位置情報に基づいて、前記ステージを移動して前記
    ステージの位置決めを行う工程とから成る位置決め方
    法。
  10. 【請求項10】 前記照射工程は、光を、前記透明基板
    を通して前記アライメントマークに照射することを特徴
    とする請求項9に記載の方法。
  11. 【請求項11】 前記アライメントマークの上に光の反
    射率の高い物質を塗布する工程を更に含むことを特徴と
    する請求項9又は10に記載の方法。
  12. 【請求項12】 前記アライメントマークの上に光の透
    過率の低い物質を塗布する工程を更に含むことを特徴と
    する請求項9又は10に記載の方法。
  13. 【請求項13】 ステージの位置決めをする位置決め装
    置であって、 前記ステージ上に配置された透明基板上に形成されたア
    ライメントマークに光を照射する照射光学系と、 前記アライメントマークに到達した後に前記透明基板を
    通る光を検出する検出器と、 検出された光に基づいて、前記透明基板の位置ズレ量を
    求める計算機と、 前記位置ズレ量に基づいて、前記ステージの位置決めを
    行うために前記ステージを移動する駆動装置とから成る
    位置決め装置。
  14. 【請求項14】 前記ステージは、前記アライメントマ
    ークに対応する位置に開口部を有しており、 前記照射光学系は、前記透明基板上の前記アライメント
    マークが形成されている側と反対の側に配置されてお
    り、かつ、前記ステージの前記開口部を介して前記アラ
    イメントマークに光を照射するように構成されており、 前記検出器は、前記透明基板上の前記アライメントマー
    クが形成されている側と反対の側に配置されており、か
    つ、前記アライメントマークで反射された前記照射光学
    系からの光を前記透明基板及び前記ステージの前記開口
    部を介して検出するように構成されていることを特徴と
    する請求項13に記載の装置。
  15. 【請求項15】 前記ステージは、前記アライメントマ
    ークに対応する位置に開口部を有しており、 前記照射光学系は、前記透明基板上の前記アライメント
    マークが形成されている側に配置されており、 前記検出器は、前記透明基板上の前記アライメントマー
    クが形成されている側と反対の側に配置されており、か
    つ、前記アライメントマークで回折・散乱された前記照
    射光学系からの光を前記透明基板及び前記ステージの前
    記開口部を介して検出するように構成されていることを
    特徴とする請求項13に記載の装置。
  16. 【請求項16】 前記アライメントマークの上に光の反
    射率の高い物質が塗布されていることを特徴とする請求
    項13又は14に記載の装置。
  17. 【請求項17】 前記アライメントマークの上に光の透
    過率の低い物質が塗布されていることを特徴とする請求
    項13又は15に記載の装置。
  18. 【請求項18】 請求項13乃至17に記載の位置決め
    装置を有する露光装置。
JP8134948A 1996-05-29 1996-05-29 位置検出方法及び装置 Withdrawn JPH09320939A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8134948A JPH09320939A (ja) 1996-05-29 1996-05-29 位置検出方法及び装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8134948A JPH09320939A (ja) 1996-05-29 1996-05-29 位置検出方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09320939A true JPH09320939A (ja) 1997-12-12

Family

ID=15140312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8134948A Withdrawn JPH09320939A (ja) 1996-05-29 1996-05-29 位置検出方法及び装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09320939A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005106590A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Integrated Solutions Co., Ltd. 露光装置
JP2006350152A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Dainippon Kaken:Kk パターン照明装置および基板の位置決め装置
JP2007041448A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 V Technology Co Ltd 露光装置
EP2216276A3 (de) * 2004-06-03 2011-06-29 Oerlikon Solar IP AG, Trübbach Vorrichtung zur Bearbeitung und zur Positionierung eines Werkstücks sowie Verfahren zum Gebrauch einer solchen Vorrichtung
JP2011248207A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法
CN103869630A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 北大方正集团有限公司 一种预对位调试方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005106590A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Integrated Solutions Co., Ltd. 露光装置
EP2216276A3 (de) * 2004-06-03 2011-06-29 Oerlikon Solar IP AG, Trübbach Vorrichtung zur Bearbeitung und zur Positionierung eines Werkstücks sowie Verfahren zum Gebrauch einer solchen Vorrichtung
US8785812B2 (en) 2004-06-03 2014-07-22 Tel Solar Ag Table for receiving a workpiece and method for processing a workpiece on such table
JP2006350152A (ja) * 2005-06-20 2006-12-28 Dainippon Kaken:Kk パターン照明装置および基板の位置決め装置
JP2007041448A (ja) * 2005-08-05 2007-02-15 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2011248207A (ja) * 2010-05-28 2011-12-08 Hitachi High-Technologies Corp プロキシミティ露光装置、プロキシミティ露光装置のアライメント方法、及びパネル基板の製造方法
CN103869630A (zh) * 2012-12-14 2014-06-18 北大方正集团有限公司 一种预对位调试方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5235400A (en) Method of and apparatus for detecting defect on photomask
JP2897276B2 (ja) 位置合わせ方法及び露光装置
KR100505088B1 (ko) 간극설정기구를구비한프록시미티노광장치
JP4132095B2 (ja) 走査型露光装置
KR960035165A (ko) 얼라인먼트 방법 및 장치
JP3125360B2 (ja) 位置検出装置及び投影露光装置
JPH07270119A (ja) 集積回路リソグラフィー用の蛍光使用の直接レチクル対ウエハ・アライメントの方法及び装置
JPH09320939A (ja) 位置検出方法及び装置
JPH1097053A (ja) パターン欠陥検査装置
JP3139020B2 (ja) フォトマスク検査装置およびフォトマスク検査方法
JP2000299276A (ja) 露光装置
JP2003107670A (ja) 欠陥検査装置
JP4487042B2 (ja) 光学装置、検査装置及び検査方法
JP4596801B2 (ja) マスク欠陥検査装置
JPH04181251A (ja) フォトマスク検査装置
JP2805827B2 (ja) アライメント方法
JP3291769B2 (ja) 位置検出装置、露光装置及び露光方法
JP2002122412A (ja) 位置検出装置、露光装置およびマイクロデバイスの製造方法
JP2884767B2 (ja) 観察装置
JPH1027746A (ja) 位置合わせ方法及び露光装置
JPS60168112A (ja) 投影装置の焦点合せ装置
JPH04318550A (ja) 欠陥検査装置
JPH11295608A (ja) 観察装置、被検マーク検出装置及び露光装置
JP2780302B2 (ja) 露光装置
JPH1022218A (ja) 基板のアライメント方法

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030805