JPH09320996A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH09320996A JPH09320996A JP9035078A JP3507897A JPH09320996A JP H09320996 A JPH09320996 A JP H09320996A JP 9035078 A JP9035078 A JP 9035078A JP 3507897 A JP3507897 A JP 3507897A JP H09320996 A JPH09320996 A JP H09320996A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
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- H10D62/10—Shapes, relative sizes or dispositions of the regions of the semiconductor bodies; Shapes of the semiconductor bodies
- H10D62/117—Shapes of semiconductor bodies
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- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/072—Connecting or disconnecting of bump connectors
- H10W72/07251—Connecting or disconnecting of bump connectors characterised by changes in properties of the bump connectors during connecting
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ダイシングの際に欠け等の発生を抑制すること
ができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ダイシング前のシリコンウェハ１８におけ
るダイシング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状のテ
ーパ溝２４を形成する。テーパ溝２４は異方性エッチン
グを用いて薄肉部２５と同時に形成する。シリコンウェ
ハ１８にダイシング用粘着シート２６を貼り付けて、テ
ーパ溝２４の斜状面にダイシングブレード２７の側面が
くる位置にて、シリコンウェハ１８をダイシングカット
して各チップに裁断する。その結果、シリコン基板の一
部に、歪みゲージが配置された薄肉部を有する半導体加
速度センサが製造される。
ができる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】ダイシング前のシリコンウェハ１８におけ
るダイシング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状のテ
ーパ溝２４を形成する。テーパ溝２４は異方性エッチン
グを用いて薄肉部２５と同時に形成する。シリコンウェ
ハ１８にダイシング用粘着シート２６を貼り付けて、テ
ーパ溝２４の斜状面にダイシングブレード２７の側面が
くる位置にて、シリコンウェハ１８をダイシングカット
して各チップに裁断する。その結果、シリコン基板の一
部に、歪みゲージが配置された薄肉部を有する半導体加
速度センサが製造される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造方法に係り、例えば、加速度や圧力等の力学量を検出
するための半導体力学量センサの製造に好適なものであ
る。
造方法に係り、例えば、加速度や圧力等の力学量を検出
するための半導体力学量センサの製造に好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体加速度センサは、図２９，３０に
示すように、四角板状のシリコン基板６１に、上下に貫
通する貫通溝６２が形成され、その貫通溝６２の外側に
四角環状の枠部（厚肉部）６３が形成されている。又、
貫通溝６２の内側には、四角形状の重り部（厚肉部）６
４が形成され、薄肉の梁部６５，６６，６７，６８によ
り枠部６３と重り部６４とが連結されている。梁部６５
〜６８には歪みゲージ６９，７０，７１，７２が形成さ
れ、この歪みゲージ６９〜７２により加速度の大きさを
検出することができる。シリコン基板（シリコンチッ
プ）６１はダイシング後においてセラミック基板７３の
上に接着剤７４により接着される。より詳しくは枠部６
３の下面とセラミック基板７３の上面とが接着剤７４を
介して接着される。
示すように、四角板状のシリコン基板６１に、上下に貫
通する貫通溝６２が形成され、その貫通溝６２の外側に
四角環状の枠部（厚肉部）６３が形成されている。又、
貫通溝６２の内側には、四角形状の重り部（厚肉部）６
４が形成され、薄肉の梁部６５，６６，６７，６８によ
り枠部６３と重り部６４とが連結されている。梁部６５
〜６８には歪みゲージ６９，７０，７１，７２が形成さ
れ、この歪みゲージ６９〜７２により加速度の大きさを
検出することができる。シリコン基板（シリコンチッ
プ）６１はダイシング後においてセラミック基板７３の
上に接着剤７４により接着される。より詳しくは枠部６
３の下面とセラミック基板７３の上面とが接着剤７４を
介して接着される。
【０００３】そして、センサ製造の際には、図３１に示
すように、ウェハ状態で各センサ形成領域において歪み
ゲージを有する薄肉部７５を形成し、シリコンウェハ７
６をダイシング用粘着シート７７に貼り付けて、ダイシ
ングブレード８０により図３２に示すように、ダイシン
グラインＬd に沿ってシリコンウェハ７６をダイシング
カットして各チップに裁断する。
すように、ウェハ状態で各センサ形成領域において歪み
ゲージを有する薄肉部７５を形成し、シリコンウェハ７
６をダイシング用粘着シート７７に貼り付けて、ダイシ
ングブレード８０により図３２に示すように、ダイシン
グラインＬd に沿ってシリコンウェハ７６をダイシング
カットして各チップに裁断する。
【０００４】一方、半導体圧力センサは、図３３，３４
に示すように、四角板状のシリコン基板９０に凹部９１
が形成され、凹部９１の底部に薄肉のダイヤフラム９２
が形成されている。ダイヤフラム９２には歪みゲージ９
３，９４，９５，９６が形成され、この歪みゲージ９３
〜９６によりダイヤフラム９２に加わる圧力の大きさを
検出することができる。さらに、シリコン基板９０はガ
ラス台座９７の上に接合されている。又、この台座９７
の裏面には金属蒸着膜９８が形成され、金属ステム９９
の上に半田１００にて接合される。
に示すように、四角板状のシリコン基板９０に凹部９１
が形成され、凹部９１の底部に薄肉のダイヤフラム９２
が形成されている。ダイヤフラム９２には歪みゲージ９
３，９４，９５，９６が形成され、この歪みゲージ９３
〜９６によりダイヤフラム９２に加わる圧力の大きさを
検出することができる。さらに、シリコン基板９０はガ
ラス台座９７の上に接合されている。又、この台座９７
の裏面には金属蒸着膜９８が形成され、金属ステム９９
の上に半田１００にて接合される。
【０００５】そして、センサ製造の際には、図３５に示
すように、シリコンウェハ１０１において各センサ形成
領域にダイヤフラム９２を形成し、シリコンウェハ１０
１と台座形成用ガラス板１０２とを接合し、ガラス板１
０２の裏面に金属蒸着膜１０３を介してダイシング用粘
着シート１０４を貼り付けて、ダイシングブレード１０
５によりダイシングラインに沿ってシリコンウェハ１０
１およびガラス板１０２をダイシングカットして各チッ
プに裁断する。
すように、シリコンウェハ１０１において各センサ形成
領域にダイヤフラム９２を形成し、シリコンウェハ１０
１と台座形成用ガラス板１０２とを接合し、ガラス板１
０２の裏面に金属蒸着膜１０３を介してダイシング用粘
着シート１０４を貼り付けて、ダイシングブレード１０
５によりダイシングラインに沿ってシリコンウェハ１０
１およびガラス板１０２をダイシングカットして各チッ
プに裁断する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述の半導
体加速度センサにおいては、図３１に示すように、シリ
コンウェハ７６ではダイシング裏面端部にクラック７８
や欠け（チッピング）７９が発生してしまう。よって、
図３６に示すように、センサチップ８１の外周面（ダイ
シング部）においてクラック７８や欠け７９が発生して
しまう。特に、図３０に示すように、半導体加速度セン
サは、近年の微細化により枠部６３の下面の幅ＷF が狭
くなってきており、クラックや欠けにより枠部６３が折
れたりチップ組み付け時に接着不良が発生する等の不具
合が発生し易くなる。
体加速度センサにおいては、図３１に示すように、シリ
コンウェハ７６ではダイシング裏面端部にクラック７８
や欠け（チッピング）７９が発生してしまう。よって、
図３６に示すように、センサチップ８１の外周面（ダイ
シング部）においてクラック７８や欠け７９が発生して
しまう。特に、図３０に示すように、半導体加速度セン
サは、近年の微細化により枠部６３の下面の幅ＷF が狭
くなってきており、クラックや欠けにより枠部６３が折
れたりチップ組み付け時に接着不良が発生する等の不具
合が発生し易くなる。
【０００７】又、前述の半導体圧力センサにおいては、
図３５に示すように、台座形成用ガラス板１０２のよう
な厚い物をダイシングするブレードはシリコンウェハの
ように薄い物をダイシングするブレードに比べて大きな
欠けが発生しやすい。よって、図３５に示すようにガラ
ス板１０２の裏面には欠け１０６が発生するばかりか、
欠け１０６の発生に伴い金属蒸着膜１０３の剥離も発生
し図３４の台座９７を金属ステム９９に半田付けする際
の接合状態を悪化させるという問題が生じている。
図３５に示すように、台座形成用ガラス板１０２のよう
な厚い物をダイシングするブレードはシリコンウェハの
ように薄い物をダイシングするブレードに比べて大きな
欠けが発生しやすい。よって、図３５に示すようにガラ
ス板１０２の裏面には欠け１０６が発生するばかりか、
欠け１０６の発生に伴い金属蒸着膜１０３の剥離も発生
し図３４の台座９７を金属ステム９９に半田付けする際
の接合状態を悪化させるという問題が生じている。
【０００８】そこで、この発明の目的は、ダイシングの
際に欠け等の発生を抑制することができる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
際に欠け等の発生を抑制することができる半導体装置の
製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシング用
粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングラ
イン上に形成する。そして、半導体ウェハにダイシング
用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面にダイシン
グブレードの側面がくる位置にて、前記半導体ウェハを
ダイシングカットして各チップに裁断する。
は、ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシング用
粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングラ
イン上に形成する。そして、半導体ウェハにダイシング
用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面にダイシン
グブレードの側面がくる位置にて、前記半導体ウェハを
ダイシングカットして各チップに裁断する。
【００１０】このとき、溝の斜状面にダイシングブレー
ドの側面がくるので、ダイシング端部にクラックや欠け
が発生しにくくなる。請求項２に記載の発明は、歪みゲ
ージが配置された薄肉部を有する半導体センサを製造す
るに際し、ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシ
ング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシ
ングライン上に形成する。そして、半導体ウェハにダイ
シング用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面にダ
イシングブレードの側面がくる位置にて、前記半導体ウ
ェハをダイシングカットして各チップに裁断する。
ドの側面がくるので、ダイシング端部にクラックや欠け
が発生しにくくなる。請求項２に記載の発明は、歪みゲ
ージが配置された薄肉部を有する半導体センサを製造す
るに際し、ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシ
ング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシ
ングライン上に形成する。そして、半導体ウェハにダイ
シング用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面にダ
イシングブレードの側面がくる位置にて、前記半導体ウ
ェハをダイシングカットして各チップに裁断する。
【００１１】このとき、溝の斜状面にダイシングブレー
ドの側面がくるので、ダイシング端部にクラックや欠け
が発生しにくくなる。請求項３に記載の発明によれば、
異方性エッチングを用いて、側壁が斜状の溝と薄肉部と
を同時に形成すると、薄肉部の形成のためのエッチング
とは別に斜状の溝の形成のための専用のエッチング工程
を設ける場合に比べ、斜状溝形成のための専用のエッチ
ング工程を不要にでき、製造が容易となる。
ドの側面がくるので、ダイシング端部にクラックや欠け
が発生しにくくなる。請求項３に記載の発明によれば、
異方性エッチングを用いて、側壁が斜状の溝と薄肉部と
を同時に形成すると、薄肉部の形成のためのエッチング
とは別に斜状の溝の形成のための専用のエッチング工程
を設ける場合に比べ、斜状溝形成のための専用のエッチ
ング工程を不要にでき、製造が容易となる。
【００１２】請求項４に記載の発明によれば、半導体基
板の一部に厚肉の枠部を有するとともに、当該枠部はダ
イシング後に接着剤を介して基台上に配置される。この
とき、センサ等の微細化により枠部が狭くなっても、前
述したようにクラックや欠けが発生しにくく、チップ組
付け時のハンドリングの際に枠部が折れたりチップ組付
け時に接着不良が発生するといったことを回避できる。
板の一部に厚肉の枠部を有するとともに、当該枠部はダ
イシング後に接着剤を介して基台上に配置される。この
とき、センサ等の微細化により枠部が狭くなっても、前
述したようにクラックや欠けが発生しにくく、チップ組
付け時のハンドリングの際に枠部が折れたりチップ組付
け時に接着不良が発生するといったことを回避できる。
【００１３】請求項５に記載のように、加速度センサに
具体化すればより好ましいものとなる。請求項６に記載
の発明によれば、チップサイズの縮小化により枠部の幅
を１ｍｍ以下にしてもクラックや欠けが発生しにくい。
具体化すればより好ましいものとなる。請求項６に記載
の発明によれば、チップサイズの縮小化により枠部の幅
を１ｍｍ以下にしてもクラックや欠けが発生しにくい。
【００１４】請求項７に記載の発明は、台座の上に半導
体基板が接合された半導体装置を製造するに際し、ダイ
シング前の台座形成用板材におけるダイシング用粘着シ
ートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングライン上
に形成する。そして、半導体ウェハと前記台座形成用板
材とが接合された状態において、前記台座形成用板材に
ダイシング用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面
にダイシングブレードの側面がくる位置にて、前記半導
体ウェハ及び台座形成用板材をダイシングカットして各
チップに裁断する。
体基板が接合された半導体装置を製造するに際し、ダイ
シング前の台座形成用板材におけるダイシング用粘着シ
ートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングライン上
に形成する。そして、半導体ウェハと前記台座形成用板
材とが接合された状態において、前記台座形成用板材に
ダイシング用粘着シートを貼り付けて、前記溝の斜状面
にダイシングブレードの側面がくる位置にて、前記半導
体ウェハ及び台座形成用板材をダイシングカットして各
チップに裁断する。
【００１５】このとき、溝の斜状面にダイシングブレー
ドの側面がくるので、ダイシング端部に欠け等が発生し
にくくなる。請求項８に記載の発明によれば、請求項７
に記載の発明におけるダイシングは、台座形成用板材に
おけるダイシング用粘着シートの貼付面に金属膜が形成
された状態で行われる。このとき、前述したように欠け
が発生しにくく、この欠けの発生に伴う金属膜の剥離を
防止することができる。
ドの側面がくるので、ダイシング端部に欠け等が発生し
にくくなる。請求項８に記載の発明によれば、請求項７
に記載の発明におけるダイシングは、台座形成用板材に
おけるダイシング用粘着シートの貼付面に金属膜が形成
された状態で行われる。このとき、前述したように欠け
が発生しにくく、この欠けの発生に伴う金属膜の剥離を
防止することができる。
【００１６】このダイシング後に金属ステムの上に半田
により前記金属膜を介して台座が接合される。このと
き、接合部に金属膜が残っており接合強度の向上が図ら
れる。
により前記金属膜を介して台座が接合される。このと
き、接合部に金属膜が残っており接合強度の向上が図ら
れる。
【００１７】
（第１の実施の形態）以下、この発明の第１の実施の形
態を図面に従って説明する。
態を図面に従って説明する。
【００１８】本実施の形態においては半導体加速度セン
サに具体化している。図１には、半導体加速度センサの
平面図を示す。図２には、図１のII−II断面図を示し、
図３には、図１のIII −III 断面図を示す。
サに具体化している。図１には、半導体加速度センサの
平面図を示す。図２には、図１のII−II断面図を示し、
図３には、図１のIII −III 断面図を示す。
【００１９】四角板状の単結晶シリコン基板（シリコン
チップ）１は、ｐ型シリコン基板２と、その上面に形成
されたｎ型エピタキシャル層３とからなる。半導体基板
としてのシリコン基板１には、上下に貫通する貫通溝４
が形成され、その貫通溝４の外側に四角環状の枠部（厚
肉部）５が形成されている。又、貫通溝４の内側には、
四角形状の重り部（厚肉部）６が形成されている。重り
部６は長方形をなし、薄肉の梁部（薄肉部）７，８，
９，１０により枠部５と重り部６とが連結されている。
このように、シリコン基板１の一部に厚肉の枠部５が形
成されている。
チップ）１は、ｐ型シリコン基板２と、その上面に形成
されたｎ型エピタキシャル層３とからなる。半導体基板
としてのシリコン基板１には、上下に貫通する貫通溝４
が形成され、その貫通溝４の外側に四角環状の枠部（厚
肉部）５が形成されている。又、貫通溝４の内側には、
四角形状の重り部（厚肉部）６が形成されている。重り
部６は長方形をなし、薄肉の梁部（薄肉部）７，８，
９，１０により枠部５と重り部６とが連結されている。
このように、シリコン基板１の一部に厚肉の枠部５が形
成されている。
【００２０】梁部７，８，９，１０はｎ型エピタキシャ
ル層３からなり、梁部７，８，９，１０の表層部には歪
みゲージ１１，１２，１３，１４が形成されている。歪
みゲージ１１，１２，１３，１４はｐ型不純物拡散層
（ピエゾ抵抗層）よりなり、梁部７，８，９，１０に加
わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。このよう
に本センサは、シリコン基板１の一部に、加速度検出用
歪みゲージ１１〜１４が配置された梁部７〜１０を有す
る。
ル層３からなり、梁部７，８，９，１０の表層部には歪
みゲージ１１，１２，１３，１４が形成されている。歪
みゲージ１１，１２，１３，１４はｐ型不純物拡散層
（ピエゾ抵抗層）よりなり、梁部７，８，９，１０に加
わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。このよう
に本センサは、シリコン基板１の一部に、加速度検出用
歪みゲージ１１〜１４が配置された梁部７〜１０を有す
る。
【００２１】シリコン基板（シリコンチップ）１は、基
台としてのセラミック基板１５の上面において接着剤１
６により固定された状態で配置される。より詳しくは、
枠部５の下面およびセラミック基板１５の上面が接着面
となっている。又、接着剤１６の厚さが所定値となるよ
うに調整され、重り部６とセラミック基板１５との間に
一定間隔の空隙が形成されている。
台としてのセラミック基板１５の上面において接着剤１
６により固定された状態で配置される。より詳しくは、
枠部５の下面およびセラミック基板１５の上面が接着面
となっている。又、接着剤１６の厚さが所定値となるよ
うに調整され、重り部６とセラミック基板１５との間に
一定間隔の空隙が形成されている。
【００２２】ここで、シリコン基板１とセラミック基板
１５との間においてセラミック基板１５からの応力がシ
リコン基板１内の歪みゲージの検出精度に悪影響を与え
ないようにするために柔らかい接着剤１６を用いてい
る。柔らかい接着剤として、例えば、シリコーン系のヤ
ング率が約１ＭＰａのものを用いる。
１５との間においてセラミック基板１５からの応力がシ
リコン基板１内の歪みゲージの検出精度に悪影響を与え
ないようにするために柔らかい接着剤１６を用いてい
る。柔らかい接着剤として、例えば、シリコーン系のヤ
ング率が約１ＭＰａのものを用いる。
【００２３】又、セラミック基板１５は上面を開口した
箱状をなし、この開口面がセラミック製蓋材１７にて封
鎖されている。そして、図２において、シリコン基板１
の表面に垂直な方向（Ｘにて示す）に加速度が加わる
と、この方向に重り部６が変位し、梁部７，８，９，１
０に歪みが生じる。この歪み量に応じて歪みゲージ１
１，１２，１３，１４の抵抗値が変化して図２中、Ｘ方
向の加速度が検出される。
箱状をなし、この開口面がセラミック製蓋材１７にて封
鎖されている。そして、図２において、シリコン基板１
の表面に垂直な方向（Ｘにて示す）に加速度が加わる
と、この方向に重り部６が変位し、梁部７，８，９，１
０に歪みが生じる。この歪み量に応じて歪みゲージ１
１，１２，１３，１４の抵抗値が変化して図２中、Ｘ方
向の加速度が検出される。
【００２４】図４には、半導体加速度センサの電気的構
成を示す。図４において、歪みゲージ１１，１２，１
３，１４がフルブリッジ接続されている。歪みゲージ１
１と歪みゲージ１２との間の接続点ａには電源電圧Ｖcc
が印加され、歪みゲージ１３と歪みゲージ１４との間の
接続点ｂはアースされている。歪みゲージ１１と歪みゲ
ージ１３との間の接続点ｃ、及び歪みゲージ１２と歪み
ゲージ１４との間の接続点ｄは出力端子となっている。
このｃ点とｄ点との電位差が加速度の大きさに応じた電
気信号として出力される。
成を示す。図４において、歪みゲージ１１，１２，１
３，１４がフルブリッジ接続されている。歪みゲージ１
１と歪みゲージ１２との間の接続点ａには電源電圧Ｖcc
が印加され、歪みゲージ１３と歪みゲージ１４との間の
接続点ｂはアースされている。歪みゲージ１１と歪みゲ
ージ１３との間の接続点ｃ、及び歪みゲージ１２と歪み
ゲージ１４との間の接続点ｄは出力端子となっている。
このｃ点とｄ点との電位差が加速度の大きさに応じた電
気信号として出力される。
【００２５】次に、このように構成した半導体加速度セ
ンサの製造工程を、図５〜図８を用いて説明する。ま
ず、図５に示すように、面方位が（１００）のシリコン
ウェハ１８を用意する。半導体ウェハとしてのシリコン
ウェハ１８は、ｐ型シリコンウェハ１９の上にｎ型エピ
タキシャル層２０を形成したものである。
ンサの製造工程を、図５〜図８を用いて説明する。ま
ず、図５に示すように、面方位が（１００）のシリコン
ウェハ１８を用意する。半導体ウェハとしてのシリコン
ウェハ１８は、ｐ型シリコンウェハ１９の上にｎ型エピ
タキシャル層２０を形成したものである。
【００２６】そして、ｎ型エピタキシャル層２０の表層
部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのｐ+ 拡散
層（図１の歪みゲージ１１〜１４に相当する）を形成す
るとともにアルミ配線を行う。ここで、図５でのシリコ
ンウェハ１８の下面（裏面）が、図８に示すように、ダ
イシング前のダイシング用粘着シート２６の貼付面とな
る。
部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのｐ+ 拡散
層（図１の歪みゲージ１１〜１４に相当する）を形成す
るとともにアルミ配線を行う。ここで、図５でのシリコ
ンウェハ１８の下面（裏面）が、図８に示すように、ダ
イシング前のダイシング用粘着シート２６の貼付面とな
る。
【００２７】その後、シリコンウェハ１８の裏面にエッ
チング用マスク材としてＳｉＮ膜２１をデポし、レジス
ト２２を塗布し、露光・現像し、さらに、ＳｉＮ膜２１
をドライエッチング等によりパターニングする。
チング用マスク材としてＳｉＮ膜２１をデポし、レジス
ト２２を塗布し、露光・現像し、さらに、ＳｉＮ膜２１
をドライエッチング等によりパターニングする。
【００２８】引き続き、図６に示すように、レジスト２
２を除去し、ＳｉＮ膜２１をマスク材としてＫＯＨ水溶
液を用いた電気化学エッチングによりｐ型シリコンウェ
ハ１９の異方性エッチングを行い、薄肉部形成用凹部２
３とテーパ溝２４とを同時に形成する。ここで、ｐ型シ
リコンウェハ１９とｎ型エピタキシャル層２０との界面
（ＰＮ接合部）にてエッチングがストップし、薄肉部形
成用凹部２３により、ｎ型エピタキシャル層２０よりな
る薄肉部２５が形成される。又、テーパ溝２４はダイシ
ングライン上に形成される。このテーパ溝２４において
は、エッチングレートの低いシリコン（１１１）面が露
出し、側壁２４ａが斜状（テーパ状）となる。詳しく
は、テーパ角θはこのウェハの場合、５４．７°とな
る。
２を除去し、ＳｉＮ膜２１をマスク材としてＫＯＨ水溶
液を用いた電気化学エッチングによりｐ型シリコンウェ
ハ１９の異方性エッチングを行い、薄肉部形成用凹部２
３とテーパ溝２４とを同時に形成する。ここで、ｐ型シ
リコンウェハ１９とｎ型エピタキシャル層２０との界面
（ＰＮ接合部）にてエッチングがストップし、薄肉部形
成用凹部２３により、ｎ型エピタキシャル層２０よりな
る薄肉部２５が形成される。又、テーパ溝２４はダイシ
ングライン上に形成される。このテーパ溝２４において
は、エッチングレートの低いシリコン（１１１）面が露
出し、側壁２４ａが斜状（テーパ状）となる。詳しく
は、テーパ角θはこのウェハの場合、５４．７°とな
る。
【００２９】このように、面方位（１００）のシリコン
を用いているので、異方性エッチングにより薄肉部形成
用凹部２３とテーパ溝２４とを同時に形成できる。この
後、ＳｉＮ膜２１を除去する。さらに、図７に示すよう
に、シリコンウェハ１８のｎ型エピタキシャル層２０側
からエッチングして貫通溝４を形成する。その結果、梁
部７〜１０が形成される。
を用いているので、異方性エッチングにより薄肉部形成
用凹部２３とテーパ溝２４とを同時に形成できる。この
後、ＳｉＮ膜２１を除去する。さらに、図７に示すよう
に、シリコンウェハ１８のｎ型エピタキシャル層２０側
からエッチングして貫通溝４を形成する。その結果、梁
部７〜１０が形成される。
【００３０】このようにして、ダイシング前のシリコン
ウェハ１８におけるダイシング用粘着シートの貼付面
に、側壁が斜状のテーパ溝２４がダイシングライン（Ｌ
d ）上に形成される。ここで、図６に示すように、テー
パ溝２４は、その幅がダイシングブレードの幅よりも広
いものである。
ウェハ１８におけるダイシング用粘着シートの貼付面
に、側壁が斜状のテーパ溝２４がダイシングライン（Ｌ
d ）上に形成される。ここで、図６に示すように、テー
パ溝２４は、その幅がダイシングブレードの幅よりも広
いものである。
【００３１】さらに、図８に示すように、チップ分離の
ためのダイシングを行う。即ち、シリコンウェハ１８を
ダイシング用粘着シート２６に貼り付けた後、ダイシン
グブレード２７にてダイシングライン上をカッティング
する。カッティングはテーパ溝２４の側壁（斜状面）２
４ａにダイシングブレード２７の側面がくる位置にて行
う。このとき、斜状面をダイシングブレード２７が通る
のでダイシング端部にクラックや欠けは発生しにくい。
同ダイシングカットにより各チップに裁断される。
ためのダイシングを行う。即ち、シリコンウェハ１８を
ダイシング用粘着シート２６に貼り付けた後、ダイシン
グブレード２７にてダイシングライン上をカッティング
する。カッティングはテーパ溝２４の側壁（斜状面）２
４ａにダイシングブレード２７の側面がくる位置にて行
う。このとき、斜状面をダイシングブレード２７が通る
のでダイシング端部にクラックや欠けは発生しにくい。
同ダイシングカットにより各チップに裁断される。
【００３２】この際、ダイシングブレード２７のウェハ
１８への切り込み量が図９のように浅すぎるとダイシン
グ面端部に欠けが発生しやすくなる。又、図１０に示す
ように、ダイシング用粘着シート２６に切り込む程深く
すると、ダイシング用粘着シート２６の切削クズの発生
やダイシング用粘着シート２６との磨耗によるブレード
寿命の減少等の不具合が生じる。よって、図８に示すよ
うに、テーパ溝２４を完全に切断し、かつダイシング用
粘着シート２６へ切り込まない程度の切り込み量が望ま
しい。
１８への切り込み量が図９のように浅すぎるとダイシン
グ面端部に欠けが発生しやすくなる。又、図１０に示す
ように、ダイシング用粘着シート２６に切り込む程深く
すると、ダイシング用粘着シート２６の切削クズの発生
やダイシング用粘着シート２６との磨耗によるブレード
寿命の減少等の不具合が生じる。よって、図８に示すよ
うに、テーパ溝２４を完全に切断し、かつダイシング用
粘着シート２６へ切り込まない程度の切り込み量が望ま
しい。
【００３３】又、ダイシング裏面に設けたテーパ溝２４
は、ダイシングを行う際にダイシング裏面端部にクラッ
クや欠けを発生しにくくするとともに、切削水や切削ク
ズの排出溝の役割も果たす。このようにダイシング時の
切削水や切削クズの排水を円滑にすることができる。
又、テーパ溝２４の斜状面（２４ａ）にダイシングブレ
ード２７の側面がくる位置にて、シリコンウェハ１８を
ダイシングカットするので、テーパ溝２４が無い場合に
比べダイシングブレード２７の側面にかかるブレードの
接触抵抗を減らすことができ、これによってもクラック
や欠けの発生が抑制できる。このようなクラックや欠け
の抑制により、ウェハの歩留りが向上しチップコストを
低減することができる。
は、ダイシングを行う際にダイシング裏面端部にクラッ
クや欠けを発生しにくくするとともに、切削水や切削ク
ズの排出溝の役割も果たす。このようにダイシング時の
切削水や切削クズの排水を円滑にすることができる。
又、テーパ溝２４の斜状面（２４ａ）にダイシングブレ
ード２７の側面がくる位置にて、シリコンウェハ１８を
ダイシングカットするので、テーパ溝２４が無い場合に
比べダイシングブレード２７の側面にかかるブレードの
接触抵抗を減らすことができ、これによってもクラック
や欠けの発生が抑制できる。このようなクラックや欠け
の抑制により、ウェハの歩留りが向上しチップコストを
低減することができる。
【００３４】図１１には、テーパ溝２４の有無によるク
ラック発生率の実験結果を示す。このとき用いたサンプ
ルは、テストチップ（テストピース）として直線状に延
びる棒状チップを用いるとともに、製品チップとして四
角枠部を有するものを用いた。図１１において、縦軸に
クラック発生率をとり、横軸にテストチップの幅および
製品チップの四角枠部の幅をとっている。又、テストチ
ップの長さおよび製品チップの四角枠部の長さは、４ｍ
ｍとしている。同図において、白抜き三角にてテストチ
ップ（テーパ溝無し）を用いた場合を示し、白抜き丸に
て製品チップを用い、かつ、テーパ溝が無い場合を示
し、黒抜き丸にて製品チップを用い、かつ、テーパ溝が
有る場合を示す。この図１１から、テーパ溝が無い場合
にはクラックの発生率が高いが、テーパ溝が有る場合に
はクラックが発生しないことが分かる。又、テーパ溝が
無いテストチップを用いた場合（白抜き三角の場合）、
テストチップの幅（製品チップの四角枠部の幅に相当す
るもの）が１ｍｍ以下のときには、幅が狭くなるほどク
ラックの発生率が高くなる。
ラック発生率の実験結果を示す。このとき用いたサンプ
ルは、テストチップ（テストピース）として直線状に延
びる棒状チップを用いるとともに、製品チップとして四
角枠部を有するものを用いた。図１１において、縦軸に
クラック発生率をとり、横軸にテストチップの幅および
製品チップの四角枠部の幅をとっている。又、テストチ
ップの長さおよび製品チップの四角枠部の長さは、４ｍ
ｍとしている。同図において、白抜き三角にてテストチ
ップ（テーパ溝無し）を用いた場合を示し、白抜き丸に
て製品チップを用い、かつ、テーパ溝が無い場合を示
し、黒抜き丸にて製品チップを用い、かつ、テーパ溝が
有る場合を示す。この図１１から、テーパ溝が無い場合
にはクラックの発生率が高いが、テーパ溝が有る場合に
はクラックが発生しないことが分かる。又、テーパ溝が
無いテストチップを用いた場合（白抜き三角の場合）、
テストチップの幅（製品チップの四角枠部の幅に相当す
るもの）が１ｍｍ以下のときには、幅が狭くなるほどク
ラックの発生率が高くなる。
【００３５】図１２には、テーパ溝２４の有無によるク
ラック発生率の実験結果を示す。図１２において、縦軸
にクラック発生率をとり、横軸にテストチップの長さお
よび製品チップの四角枠部の長さをとっている。又、テ
ストチップの幅および製品チップの四角枠部の幅は、
０．４ｍｍとしている。同図において、白抜き三角、白
抜き丸、および黒抜き丸についての意味は図１１の場合
と同じである。この図１２から、テーパ溝が無い場合に
はクラックの発生率が高いが、テーパ溝が有る場合には
クラックが発生しないことが分かる。又、テストチップ
（テーパ溝無し）を用いた場合（白抜き三角の場合）、
テストチップの長さが長いほど、クラックの発生率が高
くなることが分かる。このように、図１１，１２から、
従来のもの（テーパ溝が無いテストチップを用いた場合
（白抜き三角の場合））においては、クラックはダイシ
ング形状（チップ）が細長い程、発生率が高くなること
が分かる。
ラック発生率の実験結果を示す。図１２において、縦軸
にクラック発生率をとり、横軸にテストチップの長さお
よび製品チップの四角枠部の長さをとっている。又、テ
ストチップの幅および製品チップの四角枠部の幅は、
０．４ｍｍとしている。同図において、白抜き三角、白
抜き丸、および黒抜き丸についての意味は図１１の場合
と同じである。この図１２から、テーパ溝が無い場合に
はクラックの発生率が高いが、テーパ溝が有る場合には
クラックが発生しないことが分かる。又、テストチップ
（テーパ溝無し）を用いた場合（白抜き三角の場合）、
テストチップの長さが長いほど、クラックの発生率が高
くなることが分かる。このように、図１１，１２から、
従来のもの（テーパ溝が無いテストチップを用いた場合
（白抜き三角の場合））においては、クラックはダイシ
ング形状（チップ）が細長い程、発生率が高くなること
が分かる。
【００３６】尚、クラックの発生率は他にもダイシング
条件やダイシング用粘着シートの種類等によっても影響
を受けるが、テーパ溝を設けることによりクラックの発
生率を確実に低減することができる。
条件やダイシング用粘着シートの種類等によっても影響
を受けるが、テーパ溝を設けることによりクラックの発
生率を確実に低減することができる。
【００３７】このようにして、テーパ溝２４の斜状面
（２４ａ）にダイシングブレード２７の側面がくる位置
にて、シリコンウェハ１８をダイシングカットした後に
おいては、図２，３に示すように、シリコン基板（セン
サチップ）１の外周面（ダイシング部）にテーパ溝２４
の側壁２４ａ（テーパ部）が残る。
（２４ａ）にダイシングブレード２７の側面がくる位置
にて、シリコンウェハ１８をダイシングカットした後に
おいては、図２，３に示すように、シリコン基板（セン
サチップ）１の外周面（ダイシング部）にテーパ溝２４
の側壁２４ａ（テーパ部）が残る。
【００３８】引き続き、図２，３に示すように、四角板
状のシリコン基板（シリコンチップ）１をセラミック基
板１５の上に接着剤１６を介して接着する。このよう
に、本実施の形態は、下記の（イ）〜（ニ）の特徴を有
する。 （イ）ダイシング前のシリコンウェハ１８におけるダイ
シング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状のテーパ溝
２４をダイシングライン上に形成し、シリコンウェハ１
８にダイシング用粘着シート２６を貼り付けて、テーパ
溝２４の斜状面にダイシングブレード２７の側面がくる
位置にて、シリコンウェハ１８をダイシングカットして
各チップに裁断する。このとき、テーパ溝２４の斜状面
にダイシングブレード２７の側面がくるので、ダイシン
グ端部にクラックや欠けが発生しにくくなる。 （ロ）異方性エッチングを用いて、側壁が斜状のテーパ
溝２４と薄肉部２５とを同時に形成すると、薄肉部２５
の形成のためのエッチングとは別にテーパ溝２４の形成
のための専用のエッチング工程を設ける場合に比べ、テ
ーパ溝２４の形成のための専用のエッチング工程を不要
にでき、製造が容易となる。 （ハ）シリコンウェハ１８の一部に厚肉の枠部５を有す
るとともに、枠部５はダイシング後に接着剤１６を介し
てセラミック基板（基台）１５上に配置されるので、セ
ンサの微細化により枠部５が狭くなってもクラックや欠
けが発生しにくく、チップ組付け時のハンドリングの際
に枠部が折れたりチップ組付け時に接着不良が発生する
といったことを回避できる。 （ニ）図１１に示すように、チップサイズの縮小化によ
り枠部５の幅を１ｍｍ以下にしてもクラックや欠けが発
生しにくい。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
状のシリコン基板（シリコンチップ）１をセラミック基
板１５の上に接着剤１６を介して接着する。このよう
に、本実施の形態は、下記の（イ）〜（ニ）の特徴を有
する。 （イ）ダイシング前のシリコンウェハ１８におけるダイ
シング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状のテーパ溝
２４をダイシングライン上に形成し、シリコンウェハ１
８にダイシング用粘着シート２６を貼り付けて、テーパ
溝２４の斜状面にダイシングブレード２７の側面がくる
位置にて、シリコンウェハ１８をダイシングカットして
各チップに裁断する。このとき、テーパ溝２４の斜状面
にダイシングブレード２７の側面がくるので、ダイシン
グ端部にクラックや欠けが発生しにくくなる。 （ロ）異方性エッチングを用いて、側壁が斜状のテーパ
溝２４と薄肉部２５とを同時に形成すると、薄肉部２５
の形成のためのエッチングとは別にテーパ溝２４の形成
のための専用のエッチング工程を設ける場合に比べ、テ
ーパ溝２４の形成のための専用のエッチング工程を不要
にでき、製造が容易となる。 （ハ）シリコンウェハ１８の一部に厚肉の枠部５を有す
るとともに、枠部５はダイシング後に接着剤１６を介し
てセラミック基板（基台）１５上に配置されるので、セ
ンサの微細化により枠部５が狭くなってもクラックや欠
けが発生しにくく、チップ組付け時のハンドリングの際
に枠部が折れたりチップ組付け時に接着不良が発生する
といったことを回避できる。 （ニ）図１１に示すように、チップサイズの縮小化によ
り枠部５の幅を１ｍｍ以下にしてもクラックや欠けが発
生しにくい。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。
【００３９】本実施の形態における半導体加速度センサ
の製造工程を、図１３〜図１６を用いて説明する。ま
ず、図１３に示すように、ｐ型シリコンウェハ１９の上
にｎ型エピタキシャル層２０を形成した（１００）シリ
コンウェハ１８を用意し、ｎ型エピタキシャル層２０の
表層部における所定領域にｐ+ 拡散層（図１の歪みゲー
ジ１１〜１４相当品）を形成するとともにアルミ配線を
行う。
の製造工程を、図１３〜図１６を用いて説明する。ま
ず、図１３に示すように、ｐ型シリコンウェハ１９の上
にｎ型エピタキシャル層２０を形成した（１００）シリ
コンウェハ１８を用意し、ｎ型エピタキシャル層２０の
表層部における所定領域にｐ+ 拡散層（図１の歪みゲー
ジ１１〜１４相当品）を形成するとともにアルミ配線を
行う。
【００４０】そして、シリコンウェハ１８の裏面にエッ
チング用マスク材としてＳｉＮ膜２１をデポし、所定の
形状にパターニングする。さらに、ＫＯＨ水溶液を用い
た電気化学エッチングによりｐ型シリコンウェハ１９の
異方性エッチングを行い、薄肉部形成用凹部２３を形成
する。この薄肉部形成用凹部２３により、ｎ型エピタキ
シャル層２０よりなる薄肉部２５が形成される。
チング用マスク材としてＳｉＮ膜２１をデポし、所定の
形状にパターニングする。さらに、ＫＯＨ水溶液を用い
た電気化学エッチングによりｐ型シリコンウェハ１９の
異方性エッチングを行い、薄肉部形成用凹部２３を形成
する。この薄肉部形成用凹部２３により、ｎ型エピタキ
シャル層２０よりなる薄肉部２５が形成される。
【００４１】この後、ＳｉＮ膜２１を除去し、図１４に
示すように、ｎ型エピタキシャル層２０の表面側を固定
部材（粘着シート）２８に貼り付けてシリコンウェハ１
８を固定する。この状態で、先端が楔状のブレード２９
を用いてダイシングライン上にテーパ溝３０を形成す
る。テーパ溝３０は、側壁３０ａが斜状（テーパ状）と
なる。又、先端が楔状のブレード２９としては、例え
ば、面取り用Ｖ字型ブレードを用いる。
示すように、ｎ型エピタキシャル層２０の表面側を固定
部材（粘着シート）２８に貼り付けてシリコンウェハ１
８を固定する。この状態で、先端が楔状のブレード２９
を用いてダイシングライン上にテーパ溝３０を形成す
る。テーパ溝３０は、側壁３０ａが斜状（テーパ状）と
なる。又、先端が楔状のブレード２９としては、例え
ば、面取り用Ｖ字型ブレードを用いる。
【００４２】引き続き、図１５に示すように、固定部材
（粘着シート）２８からシリコンウェハ１８を取り外
し、ｎ型エピタキシャル層２０側からエッチングして貫
通溝を形成する。よって、図１〜３の梁部７〜１０が形
成される。
（粘着シート）２８からシリコンウェハ１８を取り外
し、ｎ型エピタキシャル層２０側からエッチングして貫
通溝を形成する。よって、図１〜３の梁部７〜１０が形
成される。
【００４３】このようにして、ダイシング前のシリコン
ウェハ１８におけるダイシング用粘着シートの貼付面
に、側壁が斜状のテーパ溝３０を形成する。さらに、図
１６に示すように、チップ分離のためのダイシングを行
う。即ち、シリコンウェハ１８をダイシング用粘着シー
ト３１に貼り付けた後、ダイシングブレード２７にてダ
イシングライン上をカッティングする。
ウェハ１８におけるダイシング用粘着シートの貼付面
に、側壁が斜状のテーパ溝３０を形成する。さらに、図
１６に示すように、チップ分離のためのダイシングを行
う。即ち、シリコンウェハ１８をダイシング用粘着シー
ト３１に貼り付けた後、ダイシングブレード２７にてダ
イシングライン上をカッティングする。
【００４４】このとき、テーパ溝３０の斜状面（３０
ａ）にダイシングブレード２７の側面がくるので、ダイ
シング端部にクラックや欠けが発生しにくくなる。本実
施の形態における応用例としては、以下のように実施し
てもよい。
ａ）にダイシングブレード２７の側面がくるので、ダイ
シング端部にクラックや欠けが発生しにくくなる。本実
施の形態における応用例としては、以下のように実施し
てもよい。
【００４５】図１７に示すように、ｐ型シリコンウェハ
１９の上にｎ型エピタキシャル層２０を形成した（１０
０）シリコンウェハ１８を用意し、ｎ型エピタキシャル
層２０の表層部における所定領域にｐ+ 拡散層（図１の
歪みゲージ１１〜１４相当品）を形成するとともにアル
ミ配線を行う。
１９の上にｎ型エピタキシャル層２０を形成した（１０
０）シリコンウェハ１８を用意し、ｎ型エピタキシャル
層２０の表層部における所定領域にｐ+ 拡散層（図１の
歪みゲージ１１〜１４相当品）を形成するとともにアル
ミ配線を行う。
【００４６】そして、ｎ型エピタキシャル層２０の表面
側を固定部材（粘着シート）２８に貼り付けてシリコン
ウェハ１８を固定する。この状態で、先端が楔状のブレ
ード２９を用いてダイシングライン上にテーパ溝３０を
形成する。テーパ溝３０は、側壁３０ａが斜状（テーパ
状）となる。
側を固定部材（粘着シート）２８に貼り付けてシリコン
ウェハ１８を固定する。この状態で、先端が楔状のブレ
ード２９を用いてダイシングライン上にテーパ溝３０を
形成する。テーパ溝３０は、側壁３０ａが斜状（テーパ
状）となる。
【００４７】引き続き、固定部材（粘着シート）２８か
らシリコンウェハ１８を取り外し、図１８に示すよう
に、シリコンウェハ１８の裏面にエッチング用マスク材
としてＳｉＮ膜２１をデポし、所定の形状にパターニン
グする。さらに、ＫＯＨ水溶液を用いた電気化学エッチ
ングによりｐ型シリコンウェハ１９の異方性エッチング
を行い、薄肉部形成用凹部２３を形成する。この薄肉部
形成用凹部２３により、ｎ型エピタキシャル層２０より
なる薄肉部２５が形成される。
らシリコンウェハ１８を取り外し、図１８に示すよう
に、シリコンウェハ１８の裏面にエッチング用マスク材
としてＳｉＮ膜２１をデポし、所定の形状にパターニン
グする。さらに、ＫＯＨ水溶液を用いた電気化学エッチ
ングによりｐ型シリコンウェハ１９の異方性エッチング
を行い、薄肉部形成用凹部２３を形成する。この薄肉部
形成用凹部２３により、ｎ型エピタキシャル層２０より
なる薄肉部２５が形成される。
【００４８】この後、ＳｉＮ膜２１を除去し、以後は、
前述した図１５，１６に示すように、シリコンウェハ１
８のｎ型エピタキシャル層２０側からエッチングして貫
通溝を形成して図１〜３の梁部７〜１０を形成するとと
もに、シリコンウェハ１８をダイシング用粘着シート３
１に貼り付けてダイシングブレード２７にてダイシング
ライン上をカッティングする。
前述した図１５，１６に示すように、シリコンウェハ１
８のｎ型エピタキシャル層２０側からエッチングして貫
通溝を形成して図１〜３の梁部７〜１０を形成するとと
もに、シリコンウェハ１８をダイシング用粘着シート３
１に貼り付けてダイシングブレード２７にてダイシング
ライン上をカッティングする。
【００４９】これまで説明してきた第１および第２の実
施の形態の他にも、次のように実施してもよい。図８に
示すテーパ溝２４は側壁が直線となった斜状の溝であっ
たが、この溝２４の代わりに、図１９に示すように、断
面半円状の溝３２を用いてもよい。この溝３２は、シリ
コンウェハ１８の等方性エッチングにより適宜形成した
ものである。
施の形態の他にも、次のように実施してもよい。図８に
示すテーパ溝２４は側壁が直線となった斜状の溝であっ
たが、この溝２４の代わりに、図１９に示すように、断
面半円状の溝３２を用いてもよい。この溝３２は、シリ
コンウェハ１８の等方性エッチングにより適宜形成した
ものである。
【００５０】又、図８に示すテーパ溝２４においてはダ
イシングブレード２７の左面および右面に対応する１つ
の溝としたが、図２０に示すように、ダイシングブレー
ド２７の左面に対応する溝３３とダイシングブレード２
７の右面に対応する溝３４とを設けてもよい。
イシングブレード２７の左面および右面に対応する１つ
の溝としたが、図２０に示すように、ダイシングブレー
ド２７の左面に対応する溝３３とダイシングブレード２
７の右面に対応する溝３４とを設けてもよい。
【００５１】さらに、半導体基板の一部に歪みゲージが
配置された薄肉部を有する半導体センサとして半導体加
速度センサを例示したが、半導体圧力に適用してもよ
い。 （第３の実施の形態）次に、この発明の第３の実施の形
態を図面に従って説明する。
配置された薄肉部を有する半導体センサとして半導体加
速度センサを例示したが、半導体圧力に適用してもよ
い。 （第３の実施の形態）次に、この発明の第３の実施の形
態を図面に従って説明する。
【００５２】本実施の形態においては半導体圧力センサ
に具体化している。図２１には、半導体圧力センサの断
面での斜視図を示す。又、図２２にはセンサの平面図
を、図２３には図２２のXXIII −XXIII 断面図を示す。
に具体化している。図２１には、半導体圧力センサの断
面での斜視図を示す。又、図２２にはセンサの平面図
を、図２３には図２２のXXIII −XXIII 断面図を示す。
【００５３】四角板状の単結晶シリコン基板（シリコン
チップ）４０は、図２３に示すように、ｐ型シリコン基
板４０ａと、その上面に形成されたｎ型エピタキシャル
層４０ｂとからなる。半導体基板としてのシリコン基板
４０には凹部４１が形成され、その凹部４１の底部に薄
肉のダイヤフラム４２が形成されている。ダイヤフラム
４２の表層部には歪みゲージ４３，４４，４５，４６が
形成されている。歪みゲージ４３〜４６はｐ型不純物拡
散層（ピエゾ抵抗層）よりなり、ダイヤフラム４２に加
わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。このよう
に本センサは、シリコン基板４０の一部に、圧力検出用
歪みゲージ４３〜４６が配置されたダイヤフラム４２を
有する。
チップ）４０は、図２３に示すように、ｐ型シリコン基
板４０ａと、その上面に形成されたｎ型エピタキシャル
層４０ｂとからなる。半導体基板としてのシリコン基板
４０には凹部４１が形成され、その凹部４１の底部に薄
肉のダイヤフラム４２が形成されている。ダイヤフラム
４２の表層部には歪みゲージ４３，４４，４５，４６が
形成されている。歪みゲージ４３〜４６はｐ型不純物拡
散層（ピエゾ抵抗層）よりなり、ダイヤフラム４２に加
わる歪みの大きさに応じて抵抗値が変化する。このよう
に本センサは、シリコン基板４０の一部に、圧力検出用
歪みゲージ４３〜４６が配置されたダイヤフラム４２を
有する。
【００５４】シリコン基板（シリコンチップ）４０は、
ガラス台座４７の上面に接合されている。さらに、ガラ
ス台座４７の下面にはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属蒸着膜
４８が形成され、金属ステム５０の上面に半田４９およ
び金属蒸着膜４８を介してガラス台座４７が接合されて
いる。つまり、金属蒸着膜４８により半田ぬれ性の向上
が図られ強固なる接合が行われている。図２１に示すよ
うに、金属ステム５０の下面には圧力導入用パイプ５１
が固着され、圧力導入用パイプ５１は金属ステム５０に
形成した貫通孔５２とガラス台座４７に形成した貫通孔
５３を通して凹部４１内に連通している。よって、ダイ
ヤフラム４２の上面に加わる圧力と圧力導入用パイプ５
１によるダイヤフラム４２の下面に加わる圧力とにより
ダイヤフラム４２に応力が加わり、この応力にて歪みが
生じる。この歪み量に応じて歪みゲージ４３〜４６の抵
抗値が変化して圧力が検出される。より具体的には、図
４のように、４つの歪みゲージ４３〜４６をフルブリッ
ジ接続して、ｃ点とｄ点との電位差が圧力の大きさに応
じた電気信号として出力される。
ガラス台座４７の上面に接合されている。さらに、ガラ
ス台座４７の下面にはＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属蒸着膜
４８が形成され、金属ステム５０の上面に半田４９およ
び金属蒸着膜４８を介してガラス台座４７が接合されて
いる。つまり、金属蒸着膜４８により半田ぬれ性の向上
が図られ強固なる接合が行われている。図２１に示すよ
うに、金属ステム５０の下面には圧力導入用パイプ５１
が固着され、圧力導入用パイプ５１は金属ステム５０に
形成した貫通孔５２とガラス台座４７に形成した貫通孔
５３を通して凹部４１内に連通している。よって、ダイ
ヤフラム４２の上面に加わる圧力と圧力導入用パイプ５
１によるダイヤフラム４２の下面に加わる圧力とにより
ダイヤフラム４２に応力が加わり、この応力にて歪みが
生じる。この歪み量に応じて歪みゲージ４３〜４６の抵
抗値が変化して圧力が検出される。より具体的には、図
４のように、４つの歪みゲージ４３〜４６をフルブリッ
ジ接続して、ｃ点とｄ点との電位差が圧力の大きさに応
じた電気信号として出力される。
【００５５】次に、このように構成した半導体圧力セン
サの製造工程を、図２４〜図２８を用いて説明する。ま
ず、図２４に示すように、面方位が（１００）のシリコ
ンウェハ５４を用意する。半導体ウェハとしてのシリコ
ンウェハ５４は、ｐ型シリコンウェハ５４ａの上にｎ型
エピタキシャル層５４ｂを形成したものである。
サの製造工程を、図２４〜図２８を用いて説明する。ま
ず、図２４に示すように、面方位が（１００）のシリコ
ンウェハ５４を用意する。半導体ウェハとしてのシリコ
ンウェハ５４は、ｐ型シリコンウェハ５４ａの上にｎ型
エピタキシャル層５４ｂを形成したものである。
【００５６】そして、ｎ型エピタキシャル層５４ｂの表
層部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのｐ+ 拡
散層（図２２の歪みゲージ４３〜４６に相当する）を形
成するとともにアルミ配線を行う。
層部における所定領域にピエゾ抵抗領域としてのｐ+ 拡
散層（図２２の歪みゲージ４３〜４６に相当する）を形
成するとともにアルミ配線を行う。
【００５７】その後、シリコンウェハ５４の裏面に、パ
ターニングしたエッチング用マスク材を配置し、ＫＯＨ
水溶液を用いた電気化学エッチングによりｐ型シリコン
ウェハ５４ａの異方性エッチングを行い、図２５に示す
ように、凹部４１を形成する。つまり、ｐ型シリコンウ
ェハ５４ａとｎ型エピタキシャル層５４ｂとの界面（Ｐ
Ｎ接合部）にてエッチングがストップし、凹部４１によ
り、ｎ型エピタキシャル層５４ｂよりなるダイヤフラム
４２が形成される。
ターニングしたエッチング用マスク材を配置し、ＫＯＨ
水溶液を用いた電気化学エッチングによりｐ型シリコン
ウェハ５４ａの異方性エッチングを行い、図２５に示す
ように、凹部４１を形成する。つまり、ｐ型シリコンウ
ェハ５４ａとｎ型エピタキシャル層５４ｂとの界面（Ｐ
Ｎ接合部）にてエッチングがストップし、凹部４１によ
り、ｎ型エピタキシャル層５４ｂよりなるダイヤフラム
４２が形成される。
【００５８】この後、図２６に示すように、貫通孔５３
を有する台座形成用ガラス板５５を用意し、その台座形
成用ガラス板５５の下面（裏面）におけるダイシングラ
イン上にテーパ溝５６を形成する。このテーパ溝５６は
その側壁５６ａが直線的に延びる斜状（テーパ状）とな
っている。このテーパ溝５６の形成は、図１４にて示し
たような面取り用Ｖ字型ブレード（２９）を用いて台座
形成用ガラス板５５の裏面をダイシングすることにより
行う。
を有する台座形成用ガラス板５５を用意し、その台座形
成用ガラス板５５の下面（裏面）におけるダイシングラ
イン上にテーパ溝５６を形成する。このテーパ溝５６は
その側壁５６ａが直線的に延びる斜状（テーパ状）とな
っている。このテーパ溝５６の形成は、図１４にて示し
たような面取り用Ｖ字型ブレード（２９）を用いて台座
形成用ガラス板５５の裏面をダイシングすることにより
行う。
【００５９】尚、台座としてガラス台座の他にもシリコ
ン台座を用いてもよく、シリコン台座を用いた場合にお
いては台座形成用板材としてのシリコンウェハに対しＫ
ＯＨ等のアルカリ水溶液を用いたシリコンの異方性エッ
チングによりテーパ溝を形成する。
ン台座を用いてもよく、シリコン台座を用いた場合にお
いては台座形成用板材としてのシリコンウェハに対しＫ
ＯＨ等のアルカリ水溶液を用いたシリコンの異方性エッ
チングによりテーパ溝を形成する。
【００６０】引き続き、台座形成用ガラス板５５の下面
（裏面）にＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属膜５７を蒸着す
る。そして、この台座形成用ガラス板５５の上面にシリ
コンウェハ５４を陽極接合にて接合する。
（裏面）にＴｉ／Ｎｉ／Ａｕ等の金属膜５７を蒸着す
る。そして、この台座形成用ガラス板５５の上面にシリ
コンウェハ５４を陽極接合にて接合する。
【００６１】ここで、図２６での台座形成用ガラス板５
５の下面（裏面）が、図２８に示すように、ダイシング
前のダイシング用粘着シート５８の貼付面となる。尚、
テーパ溝５６および金属蒸着膜５７の形成は、台座形成
用ガラス板５５とシリコンウェハ５４とを陽極接合する
前に行ったが、陽極接合した後にテーパ溝５６および金
属蒸着膜５７を形成してもよい。
５の下面（裏面）が、図２８に示すように、ダイシング
前のダイシング用粘着シート５８の貼付面となる。尚、
テーパ溝５６および金属蒸着膜５７の形成は、台座形成
用ガラス板５５とシリコンウェハ５４とを陽極接合する
前に行ったが、陽極接合した後にテーパ溝５６および金
属蒸着膜５７を形成してもよい。
【００６２】このようにして、ダイシング前の台座形成
用ガラス板５５におけるダイシング用粘着シートの貼付
面に、側壁が斜状のテーパ溝５６がダイシングライン
（図２７のＬd ）上に形成される。ここで、図２８に示
すように、テーパ溝５６は、その幅がダイシングブレー
ド５９の幅よりも広いものである。より詳しくは、ダイ
シングにより削られる幅よりも溝幅を広くしてダイシン
グ後に側壁（斜状部）５６ａを残すようにする。
用ガラス板５５におけるダイシング用粘着シートの貼付
面に、側壁が斜状のテーパ溝５６がダイシングライン
（図２７のＬd ）上に形成される。ここで、図２８に示
すように、テーパ溝５６は、その幅がダイシングブレー
ド５９の幅よりも広いものである。より詳しくは、ダイ
シングにより削られる幅よりも溝幅を広くしてダイシン
グ後に側壁（斜状部）５６ａを残すようにする。
【００６３】さらに、図２８に示すように、チップ分離
のためのダイシングを行う。即ち、台座形成用ガラス板
５５の下面にダイシング用粘着シート５８に貼り付けた
後、ダイシングブレード５９にてダイシングライン上を
カッティングする。カッティングはテーパ溝５６の側壁
（斜状面）５６ａにダイシングブレード５９の側面がく
る位置にて行う。同ダイシングカットにより各チップに
裁断され、図２３に示すように、ガラス台座４７の上面
にシリコン基板４０を接合したチップを得る。
のためのダイシングを行う。即ち、台座形成用ガラス板
５５の下面にダイシング用粘着シート５８に貼り付けた
後、ダイシングブレード５９にてダイシングライン上を
カッティングする。カッティングはテーパ溝５６の側壁
（斜状面）５６ａにダイシングブレード５９の側面がく
る位置にて行う。同ダイシングカットにより各チップに
裁断され、図２３に示すように、ガラス台座４７の上面
にシリコン基板４０を接合したチップを得る。
【００６４】このダイシングを行う際に、ダイシング裏
面（台座形成用ガラス板５５の裏面）に設けた溝５６の
側壁（斜状面）５６ａをダイシングブレード５９が通る
のでダイシング裏面端部に欠けは発生しにくくなる。
又、テーパ溝５６が無い場合に比べダイシングブレード
５９の側面にかかるブレードの接触抵抗を減らすことが
でき、これによっても欠けの発生が抑制できる。又、欠
けが発生しにくいので、金属蒸着膜５７の剥離も発生し
にくい。
面（台座形成用ガラス板５５の裏面）に設けた溝５６の
側壁（斜状面）５６ａをダイシングブレード５９が通る
のでダイシング裏面端部に欠けは発生しにくくなる。
又、テーパ溝５６が無い場合に比べダイシングブレード
５９の側面にかかるブレードの接触抵抗を減らすことが
でき、これによっても欠けの発生が抑制できる。又、欠
けが発生しにくいので、金属蒸着膜５７の剥離も発生し
にくい。
【００６５】このようにダイシングカットした後におい
ては、図２３に示すように、ガラス台座４７の外周面
（ダイシング部）にテーパ溝５６の側壁５６ａ（テーパ
部）が残る。
ては、図２３に示すように、ガラス台座４７の外周面
（ダイシング部）にテーパ溝５６の側壁５６ａ（テーパ
部）が残る。
【００６６】引き続き、図２３に示すように、金属ステ
ム５０の上にチップ（４０，４７）を半田付けする。こ
のとき、台座形成用ガラス板５５にテーパ溝５６を設け
てダイシングを行っており台座形成用ガラス板５５の裏
面から金属蒸着膜５７の剥離が発生しにくく台座裏面に
金属蒸着膜４８が残り台座裏面を半田付けする際に従来
構造に比べ台座裏面外周部での半田４９との接合強度が
向上する。
ム５０の上にチップ（４０，４７）を半田付けする。こ
のとき、台座形成用ガラス板５５にテーパ溝５６を設け
てダイシングを行っており台座形成用ガラス板５５の裏
面から金属蒸着膜５７の剥離が発生しにくく台座裏面に
金属蒸着膜４８が残り台座裏面を半田付けする際に従来
構造に比べ台座裏面外周部での半田４９との接合強度が
向上する。
【００６７】又、チップ化したガラス台座４７において
裏面（下面）の外周部にはテーパ溝５６の側壁（斜状
面）５６ａが残っており、この斜状面５６ａにも金属蒸
着膜５７が形成されている。よって、この箇所も半田４
９による接合箇所となり、より強固なる接合を得ること
ができる。即ち、図３４に示す従来構造においてはガラ
ス台座９７の下面が半田１００による接合箇所となって
いたが、図２３に示す本実施形態のセンサにおいてはガ
ラス台座４７の下面のみならずガラス台座４７の側面で
の下端部も半田４９による接合箇所となり、強度向上が
図られる。
裏面（下面）の外周部にはテーパ溝５６の側壁（斜状
面）５６ａが残っており、この斜状面５６ａにも金属蒸
着膜５７が形成されている。よって、この箇所も半田４
９による接合箇所となり、より強固なる接合を得ること
ができる。即ち、図３４に示す従来構造においてはガラ
ス台座９７の下面が半田１００による接合箇所となって
いたが、図２３に示す本実施形態のセンサにおいてはガ
ラス台座４７の下面のみならずガラス台座４７の側面で
の下端部も半田４９による接合箇所となり、強度向上が
図られる。
【００６８】このようにして図２１〜図２３に示す半導
体圧力センサが製造される。このように本実施の形態
は、下記の特徴を有する。 （イ）ガラス台座４７の上にシリコン基板４０が接合さ
れた半導体圧力センサを製造するに際し、ダイシング前
の台座形成用ガラス板（台座形成用板材）５５における
ダイシング用粘着シート５８の貼付面に、側壁が斜状の
テーパ溝５６をダイシングライン上に形成し、シリコン
ウェハ５４と台座形成用ガラス板５５とが接合された状
態において、台座形成用ガラス板５５にダイシング用粘
着シート５８を貼り付けて、テーパ溝５６の斜状面にダ
イシングブレード５９の側面がくる位置にて、シリコン
ウェハ５４及び台座形成用ガラス板５５をダイシングカ
ットして各チップに裁断するようにした。よって、ダイ
シング時に、溝５６の斜状面５６ａにダイシングブレー
ド５９の側面がくるので、ダイシング端部に欠けが発生
しにくくなる。 （ロ）ダイシングは、台座形成用ガラス板５５における
ダイシング用粘着シート５８の貼付面に金属蒸着膜５７
が形成された状態で行われる。このとき、欠けの発生に
伴う金属蒸着膜５７の剥離を防止することができる。
体圧力センサが製造される。このように本実施の形態
は、下記の特徴を有する。 （イ）ガラス台座４７の上にシリコン基板４０が接合さ
れた半導体圧力センサを製造するに際し、ダイシング前
の台座形成用ガラス板（台座形成用板材）５５における
ダイシング用粘着シート５８の貼付面に、側壁が斜状の
テーパ溝５６をダイシングライン上に形成し、シリコン
ウェハ５４と台座形成用ガラス板５５とが接合された状
態において、台座形成用ガラス板５５にダイシング用粘
着シート５８を貼り付けて、テーパ溝５６の斜状面にダ
イシングブレード５９の側面がくる位置にて、シリコン
ウェハ５４及び台座形成用ガラス板５５をダイシングカ
ットして各チップに裁断するようにした。よって、ダイ
シング時に、溝５６の斜状面５６ａにダイシングブレー
ド５９の側面がくるので、ダイシング端部に欠けが発生
しにくくなる。 （ロ）ダイシングは、台座形成用ガラス板５５における
ダイシング用粘着シート５８の貼付面に金属蒸着膜５７
が形成された状態で行われる。このとき、欠けの発生に
伴う金属蒸着膜５７の剥離を防止することができる。
【００６９】このダイシング後に金属ステム５０の上に
半田４９により金属蒸着膜５７（４８）を介してガラス
台座４７が接合される。このとき、接合部に金属蒸着膜
５７（４８）が残っており接合強度の向上が図られる。
つまり、ダイシング後において台座形成用ガラス板５５
からダイシング用粘着シート５８を取り除き、金属ステ
ム５０の上に金属蒸着膜５７を介して半田付けを行うと
きに、接合部に金属蒸着膜５７が残っており接合強度の
向上が図られる。
半田４９により金属蒸着膜５７（４８）を介してガラス
台座４７が接合される。このとき、接合部に金属蒸着膜
５７（４８）が残っており接合強度の向上が図られる。
つまり、ダイシング後において台座形成用ガラス板５５
からダイシング用粘着シート５８を取り除き、金属ステ
ム５０の上に金属蒸着膜５７を介して半田付けを行うと
きに、接合部に金属蒸着膜５７が残っており接合強度の
向上が図られる。
【００７０】さらに、チップ化したガラス台座４７にお
いて裏面（下面）の外周部でのテーパ溝５６の側壁（斜
状面）５６ａにも金属蒸着膜５７が形成され、この箇所
も半田４９による接合箇所となり、従来構造に比べ台座
裏面外周部と半田との接合状態が向上する。
いて裏面（下面）の外周部でのテーパ溝５６の側壁（斜
状面）５６ａにも金属蒸着膜５７が形成され、この箇所
も半田４９による接合箇所となり、従来構造に比べ台座
裏面外周部と半田との接合状態が向上する。
【００７１】これまで説明してきた第３の実施の形態の
他にも、次のように実施してもよい。図２６のテーパ溝
５６と金属蒸着膜５７の形成順序は、金属蒸着膜５７を
台座形成用ガラス板５５の裏面に形成し、その後に、テ
ーパ溝５６を形成してもよい。
他にも、次のように実施してもよい。図２６のテーパ溝
５６と金属蒸着膜５７の形成順序は、金属蒸着膜５７を
台座形成用ガラス板５５の裏面に形成し、その後に、テ
ーパ溝５６を形成してもよい。
【００７２】図２６に示すテーパ溝５６は側壁が直線と
なった斜状の溝であったが、この溝５６の代わりに、図
１９に示すように、断面半円状の溝３２を用いてもよ
い。又、図２６に示すテーパ溝５６においてはダイシン
グブレード５９の左面および右面に対応する１つの溝と
したが、図２０に示すように、ダイシングブレード２７
の左面に対応する溝３３とダイシングブレード２７の右
面に対応する溝３４とを設けてもよい。
なった斜状の溝であったが、この溝５６の代わりに、図
１９に示すように、断面半円状の溝３２を用いてもよ
い。又、図２６に示すテーパ溝５６においてはダイシン
グブレード５９の左面および右面に対応する１つの溝と
したが、図２０に示すように、ダイシングブレード２７
の左面に対応する溝３３とダイシングブレード２７の右
面に対応する溝３４とを設けてもよい。
【００７３】又、図２１に示すように圧力導入孔（５
２，５３）を有するセンサ裏面受圧型の圧力センサを例
にとったが、図３４に示すような圧力導入孔のない表面
受圧型の圧力センサに適用してもよい。
２，５３）を有するセンサ裏面受圧型の圧力センサを例
にとったが、図３４に示すような圧力導入孔のない表面
受圧型の圧力センサに適用してもよい。
【００７４】さらに、台座の上に半導体基板が接合され
た半導体装置として半導体圧力センサを例示したが、半
導体加速度センサに適用してもよい。これまで述べてき
た第１〜第３の実施の形態以外にも下記のように実施し
てもよい。
た半導体装置として半導体圧力センサを例示したが、半
導体加速度センサに適用してもよい。これまで述べてき
た第１〜第３の実施の形態以外にも下記のように実施し
てもよい。
【００７５】これまで説明した第１〜第３の実施の形態
においては、半導体加速度センサや半導体圧力センサに
用いたが、他にも、半導体ヨーレイトセンサ等の他の力
学量センサに用いてもよい。さらに、センサチップ以外
のチップを形成する際にも適用できる。
においては、半導体加速度センサや半導体圧力センサに
用いたが、他にも、半導体ヨーレイトセンサ等の他の力
学量センサに用いてもよい。さらに、センサチップ以外
のチップを形成する際にも適用できる。
【図１】 第１の実施の形態における半導体加速度セン
サの平面図。
サの平面図。
【図２】 図１のII−II断面図。
【図３】 図１のIII −III 断面図。
【図４】 半導体加速度センサの電気的構成を示す図。
【図５】 製造工程を説明するための断面図。
【図６】 製造工程を説明するための断面図。
【図７】 製造工程を説明するための斜視図。
【図８】 製造工程を説明するための断面図。
【図９】 製造工程を説明するための断面図。
【図１０】 製造工程を説明するための断面図。
【図１１】 クラックの発生率に関する実験結果を示す
図。
図。
【図１２】 クラックの発生率に関する実験結果を示す
図。
図。
【図１３】 第２の実施の形態における半導体加速度セ
ンサの製造工程を説明するための断面図。
ンサの製造工程を説明するための断面図。
【図１４】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１５】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１６】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１７】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１８】 半導体加速度センサの製造工程を説明する
ための断面図。
ための断面図。
【図１９】 別例の半導体加速度センサの製造工程を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２０】 別例の半導体加速度センサの製造工程を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図２１】 第３の実施の形態における半導体圧力セン
サの断面での斜視図。
サの断面での斜視図。
【図２２】 第３の実施の形態における半導体圧力セン
サの平面図。
サの平面図。
【図２３】 図２２のXXIII −XXIII 断面図。
【図２４】 第３の実施の形態における半導体圧力セン
サの製造工程を説明するための断面図。
サの製造工程を説明するための断面図。
【図２５】 半導体圧力センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図２６】 半導体圧力センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図２７】 半導体圧力センサの製造工程を説明するた
めの平面図。
めの平面図。
【図２８】 半導体圧力センサの製造工程を説明するた
めの断面図。
めの断面図。
【図２９】 従来の半導体加速度センサの平面図。
【図３０】 図２９のXXX −XXX 断面図。
【図３１】 従来の半導体加速度センサの製造工程を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図３２】 従来の半導体加速度センサの製造工程を説
明するための平面図。
明するための平面図。
【図３３】 従来の半導体圧力センサの平面図。
【図３４】 図３３のXXXIV −XXXIV 断面図。
【図３５】 従来の半導体加速度センサの製造工程を説
明するための断面図。
明するための断面図。
【図３６】 従来の半導体加速度センサの斜視図。
１…半導体基板としてのシリコン基板、５…枠部、７…
薄肉部としての梁部、８…薄肉部としての梁部、９…薄
肉部としての梁部、１０…薄肉部としての梁部、１１…
歪みゲージ、１２…歪みゲージ、１３…歪みゲージ、１
４…歪みゲージ、１５…基台としてのセラミック基板、
１６…接着剤、１８…半導体ウェハとしてのシリコンウ
ェハ、２４…テーパ溝、２４ａ…側壁、２５…薄肉部、
２６…ダイシング用粘着シート、２７…ダイシングブレ
ード、４０…半導体基板としてのシリコン基板、４２…
薄肉部としてのダイヤフラム、４３…歪みゲージ、４４
…歪みゲージ、４５…歪みゲージ、４６…歪みゲージ、
４７…ガラス台座、４８…金属蒸着膜、４９…半田、５
０…金属ステム、５４…半導体ウェハとしてのシリコン
ウェハ、５５…台座形成用板材としての台座形成用ガラ
ス板、５６…テーパ溝、５８…ダイシング用粘着シー
ト、５９…ダイシングブレード。
薄肉部としての梁部、８…薄肉部としての梁部、９…薄
肉部としての梁部、１０…薄肉部としての梁部、１１…
歪みゲージ、１２…歪みゲージ、１３…歪みゲージ、１
４…歪みゲージ、１５…基台としてのセラミック基板、
１６…接着剤、１８…半導体ウェハとしてのシリコンウ
ェハ、２４…テーパ溝、２４ａ…側壁、２５…薄肉部、
２６…ダイシング用粘着シート、２７…ダイシングブレ
ード、４０…半導体基板としてのシリコン基板、４２…
薄肉部としてのダイヤフラム、４３…歪みゲージ、４４
…歪みゲージ、４５…歪みゲージ、４６…歪みゲージ、
４７…ガラス台座、４８…金属蒸着膜、４９…半田、５
０…金属ステム、５４…半導体ウェハとしてのシリコン
ウェハ、５５…台座形成用板材としての台座形成用ガラ
ス板、５６…テーパ溝、５８…ダイシング用粘着シー
ト、５９…ダイシングブレード。
フロントページの続き (72)発明者 石王 誠一郎 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内
Claims (8)
- 【請求項１】 ダイシング前の半導体ウェハにおけるダ
イシング用粘着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダ
イシングライン上に形成する工程と、 前記半導体ウェハにダイシング用粘着シートを貼り付け
て、前記溝の斜状面にダイシングブレードの側面がくる
位置にて、前記半導体ウェハをダイシングカットして各
チップに裁断する工程と、を備えたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 半導体基板の一部に、歪みゲージが配置
された薄肉部を有する半導体センサを製造する方法であ
って、 ダイシング前の半導体ウェハにおけるダイシング用粘着
シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングライン
上に形成する工程と、 前記半導体ウェハにダイシング用粘着シートを貼り付け
て、前記溝の斜状面にダイシングブレードの側面がくる
位置にて、前記半導体ウェハをダイシングカットして各
チップに裁断する工程と、を備えたことを特徴とする半
導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 異方性エッチングを用いて、側壁が斜状
の溝と薄肉部とを同時に形成する請求項２に記載の半導
体装置の製造方法。 - 【請求項４】 半導体基板の一部に厚肉の枠部を有する
とともに、当該枠部はダイシング後に接着剤を介して基
台上に配置されるものである請求項１または２に記載の
半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 半導体センサは半導体加速度センサであ
る請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 枠部の幅は１ｍｍ以下である請求項４に
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 台座の上に半導体基板が接合された半導
体装置の製造方法であって、 ダイシング前の台座形成用板材におけるダイシング用粘
着シートの貼付面に、側壁が斜状の溝をダイシングライ
ン上に形成する工程と、 半導体ウェハと前記台座形成用板材とが接合された状態
において、前記台座形成用板材にダイシング用粘着シー
トを貼り付けて、前記溝の斜状面にダイシングブレード
の側面がくる位置にて、前記半導体ウェハ及び台座形成
用板材をダイシングカットして各チップに裁断する工程
と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 ダイシングは、台座形成用板材における
ダイシング用粘着シートの貼付面に金属膜が形成された
状態で行われるものであり、ダイシング後に金属ステム
の上に半田により前記金属膜を介して台座が接合される
請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9035078A JPH09320996A (ja) | 1996-03-29 | 1997-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
| US08/825,456 US5998234A (en) | 1996-03-29 | 1997-03-28 | Method of producing semiconductor device by dicing |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7631696 | 1996-03-29 | ||
| JP8-76316 | 1996-03-29 | ||
| JP9035078A JPH09320996A (ja) | 1996-03-29 | 1997-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09320996A true JPH09320996A (ja) | 1997-12-12 |
| JPH09320996A5 JPH09320996A5 (ja) | 2004-07-15 |
Family
ID=26373992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9035078A Pending JPH09320996A (ja) | 1996-03-29 | 1997-02-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5998234A (ja) |
| JP (1) | JPH09320996A (ja) |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050405 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051018 |