JPH09330943A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number
JPH09330943A
JPH09330943A JP8152177A JP15217796A JPH09330943A JP H09330943 A JPH09330943 A JP H09330943A JP 8152177 A JP8152177 A JP 8152177A JP 15217796 A JP15217796 A JP 15217796A JP H09330943 A JPH09330943 A JP H09330943A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring pattern
wire
semiconductor device
semiconductor element
bonding pad
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8152177A
Other languages
English (en)
Inventor
Mitsutoshi Azuma
光敏 東
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP8152177A priority Critical patent/JPH09330943A/ja
Publication of JPH09330943A publication Critical patent/JPH09330943A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/0711—Apparatus therefor
    • H10W72/07141—Means for applying energy, e.g. ovens or lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07521—Aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071—Connecting or disconnecting
    • H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07531—Techniques
    • H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/50—Bond wires
    • H10W72/531—Shapes of wire connectors
    • H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
    • H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 樹脂フィルムの一面側に配線パターンを形成
した配線パターンフィルムを用いた半導体装置におい
て、ワイヤボンディング性を向上する。 【解決手段】 樹脂フィルム１０の一面側に配線パター
ン１４を形成した配線パターンフィルム１６の配線パタ
ーン形成面側に半導体素子２２を搭載し、半導体素子の
接続パッド２４と配線パターン１４のボンディングパッ
ド１７とを、ワイヤ２６を介して電気的に接続して成る
半導体装置を製造する際に、該樹脂フィルム１０の他面
側に開口され、且つワイヤ２６を接続したボンディング
パッド１７の表面に対応する裏面が底面に露出する穴部
３２に、ヒートブロック３４に形成した凸部３８を挿入
してボンディングパッド１７を加熱しつつ、一端を半導
体素子２２の接続パッド２４に接合したワイヤの中途部
をボンディングパッド１７に熱圧着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置及びその
製造方法に関し、更に詳細には絶縁フィルムの一面側に
配線パターンが形成された配線パターンフィルムの配線
パターン形成面側に半導体素子が搭載され、且つ前記半
導体素子の接続パッドと配線パターンのボンディングパ
ッドとが、ワイヤを介して電気的に接続されて成る半導
体装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の小型化、軽量化の要請に応
えるべく、絶縁フィルムの一面側に接着剤層を介して又
は直接に配線パターンが形成された配線パターンフィル
ムが用いられた半導体装置が使用されつつある。かかる
半導体装置の一例を図４に示す。図４に示す半導体装置
には、絶縁フィルム１００の一面側に接着剤層１０２を
介して配線パターン１０４が形成された配線パターンフ
ィルム１０６が用いられている。この配線パターンフィ
ルム１０６の配線パターン１０４は、そのボンディング
パッド１０７を除きソルダーレジスト等の保護層１０８
によって覆われ、更に保護層１０８の上面には、銀ペー
スト層１１０を介して半導体素子１１２が搭載されてい
る。
【０００３】この様に、配線パターンフィルム１０６の
配線パターン形成面側に搭載された半導体素子１１２の
接続パッド１１４と配線パターン１０４のボンディング
パッド１０７との電気的接続を、ワイヤ１１６を介して
行うことが多い。ワイヤ１１６を用いて電気的接続を行
う理由は、従来のリードフレームを用いる半導体装置の
製造に用いたボンディング装置を使用でき、接続パッド
の位置が若干異なる半導体素子を用いる場合にも対応で
きる等の自由度が大きいからである。更に、配線パター
ン１０４は、配線パターンフィルム１０６の他面側に形
成された外部接続端子としてのはんだボール１１８に接
続され、且つ配線パターンフィルム１０６の配線パター
ン形成面側に搭載された半導体素子１１２及びワイヤ１
１６等は、封止樹脂層１２０によって封止されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】かかる図４に示す半導
体装置によれば、従来のリードフレーム等を用いた半導
体装置よりも小型化、軽量化することができる。しかし
ながら、図４に示す半導体装置では、半導体素子１１２
の接続パッド１１４と配線パターン１０４のボンディン
グパッド１０７とをワイヤでボンディングする際に、一
端が半導体素子１１２の接続パッド１１４に接合された
ワイヤの中途部を配線パターン１０４のボンディングパ
ッド１０７に圧着した後、圧着箇所の近傍でワイヤを切
断すべく、ワイヤを引っ張ると圧着箇所が剥離されるこ
とがあり、ワイヤボンディング性が従来のリードフレー
ムを用いた半導体装置よりも劣ることが判明した。そこ
で、本発明の課題は、絶縁フィルムの一面側に配線パタ
ーンが形成された配線パターンフィルムを用いた半導体
装置において、ワイヤボンディング性が向上された半導
体装置及びその製造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、前記課題を
解決すべく、先ず、リードフレームを使用した半導体装
置に用いられるボンディング装置の動きを観察したとこ
ろ、図５（ａ）に示す様に、ダイパッド２００上に搭載
された半導体素子２０２の接続パッド２０４に一端が圧
着されたワイヤ２０６は、ヒートブロック（図示せず）
によって加熱されたインナーリード２０８方向に移動す
るキャピラリー２１０の中心部を貫通する貫通孔に挿通
されており、キャピラリー２１０の移動に伴ってインナ
ーリード２１０方向に引き延ばされる。次いで、図５
（ｂ）に示す様に、キャピラリー２１０のエッジで加熱
されたインナーリード２０８上にワイヤ２０６の中途部
を熱圧着する。その後、図５（ｃ）に示す様に、キャピ
ラリー２１０の上部に設けられているワイヤクランパ
（図示せず）によってワイヤ２０６を引っ張り、半導体
素子２０２の接続パッド２０４とインナーリード２０８
とを、接続するワイヤ２０６ａと残余のワイヤ２０６ｂ
とを、残余のワイヤ２０６ｂ側の圧着箇所の近傍で切断
して分離する。
【０００６】かかるボンディング工程において、ワイヤ
２０６の中途部がインナーリード２０８への圧着が不完
全である場合、一端が半導体素子１１２の接続パッド１
１４に接合されたワイヤの中途部を配線パターン１０４
のボンディングパッド１０７に圧着した後、圧着箇所の
近傍で残余のワイヤ２０６ｂを切断すべく、残余のワイ
ヤ２０６を引っ張る際に、ワイヤ２０６の圧着箇所が剥
離し易い。このため、本発明者は、配線パターンフィル
ム１０６を使用した場合においても、ワイヤの中途部と
配線パターン１０４のボンディングパッド１０７との熱
圧着を充分とすべく、ボンディング温度及び／又はワイ
ヤの中途部を圧着する圧着圧力を昇温及び／又は昇圧し
てみたが、依然としてワイヤの中途部が剥離する現象が
発生した。これらの知見を基にして本発明者は、前記課
題を解決するには、配線パターンフィルムを構成する配
線パターンのボンディングパッドを直接加熱することが
有効であると考え検討を重ねた結果、本発明に到達し
た。
【０００７】すなわち、本発明は、絶縁フィルムの一面
側に配線パターンが形成された配線パターンフィルムの
配線パターン形成面側に半導体素子が搭載され、且つ前
記半導体素子の接続パッドと配線パターンのボンディン
グパッドとが、ワイヤを介して電気的に接続されて成る
半導体装置において、該絶縁フィルムの他面側に開口す
る穴部が、前記絶縁フィルムを貫通して形成されている
と共に、前記ワイヤが接続されたボンディングパッドの
表面に対応する裏面が穴部底面に露出していることを特
徴とする半導体装置にある。
【０００８】また、本発明は、絶縁フィルムの一面側に
配線パターンを形成した配線パターンフィルムの配線パ
ターン形成面側に半導体素子を搭載し、前記半導体素子
の接続パッドと配線パターンのボンディングパッドと
を、ワイヤを介して電気的に接続して成る半導体装置を
製造する際に、該絶縁フィルムを貫通して絶縁フィルム
の他面側に開口され、且つ前記ワイヤを接続したボンデ
ィングパッドの表面に対応する裏面が底面に露出してい
る穴部に、ヒートブロックに形成した凸部を挿入してボ
ンディングパッドを加熱しつつ、一端を半導体素子の接
続パッドに接合したワイヤの中途部を前記ボンディング
パッドに熱圧着した後、前記半導体素子の接続パッドと
配線パターンのボンディングパッドとを接続するワイヤ
と残余のワイヤとを、残余のワイヤ側を引っ張って圧着
箇所の近傍で切断することを特徴とする半導体装置の製
造方法でもある。かかる本発明において、穴部を、複数
のボンディングパッドの各表面に対応する裏面が底面に
露出する溝状穴部とすることによって、穴部の形成を容
易とすることができる。また、半導体素子の搭載部を封
止する封止樹脂を、穴部に充填することにより、ボンデ
ィングパッドも封止できる。
【０００９】従来の配線パターンフィルムを用いて半導
体装置を製造する際に、配線パターンフィルムの配線パ
ターン形成面側に搭載した半導体素子と、配線パターン
フィルムを構成する配線パターンのボンディングパッド
とをワイヤでボンディングするとき、ボンディングパッ
ドの加熱は、絶縁フィルムを介して間接的になされてお
り、ボンディングパッドの加熱が不充分となり易い。ま
た、最近は、超音波を併用してボンディングパッドを加
熱する場合もあるが、超音波のエネルギーは絶縁フィル
ムに吸収され易く、この場合もボンディングパッドの加
熱が不充分となり易い。特に、絶縁フィルムの一面側に
接着剤層を介して配線パターンを形成した配線パターン
フィルムを用いた場合には、超音波のエネルギーの吸収
程度は接着剤層が絶縁フィルムよりも大きく、且つ接着
剤層を３００℃に近いボンディング温度に加熱すると、
エポキシ系の耐熱性接着剤を用いた接着剤層であって
も、接着剤層が軟化することがある。この様に、接着剤
層が軟化すると、ボンディングパッドの加熱不足と相俟
って、ワイヤの中途部分をボンディングパッドに熱圧着
しても、ワイヤの中途部分の熱圧着が更に不充分となり
易い。この点、本発明においては、ヒートブロックに形
成した凸部によってボンディングパッドを直接加熱でき
るため、絶縁フィルム等を実質的に加熱することなくボ
ンディングパッドを充分に加熱できる結果、ワイヤの中
途部分をボンディングパッドに充分に熱圧着することが
でき、ワイヤを引っ張って圧着箇所の近傍を切断する際
に、ワイヤの中途部が剥離することなく所定箇所からワ
イヤを切断できる。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明を図面によって更に詳細に
説明する。図１は、本発明に係る半導体装置の一例を示
す部分断面図である。図１に示す半導体装置には、ポリ
イミド等の樹脂から成る絶縁フィルム１０の一面側に接
着剤層１２を介して銅から成る配線パターン１４が形成
された配線パターンフィルム１６が用いられている。こ
の配線パターンフィルム１６の配線パターン１４は、そ
のボンディングパッド１７を除きソルダーレジスト等の
保護層１８によって覆われ、更に保護層１８の上面に
は、銀ペースト層２０を介して半導体素子２２が搭載さ
れている。かかる配線パターンフィルム１６の配線パタ
ーン形成面側に搭載された半導体素子２２の接続パッド
２４と配線パターン１４のボンディングパッド１７と
は、金線等のワイヤ２６によって電気的に接続されてい
る。更に、配線パターン１４は、絶縁フィルム１０の他
面側に形成された外部接続端子としてのはんだボール２
８に接続され、且つ配線パターンフィルム１６上に搭載
された半導体素子２２及びワイヤ２６等の半導体素子２
２の搭載部は、封止樹脂層３０によって封止されてい
る。
【００１１】図１に示す半導体装置において、表面側に
ワイヤ２６の一端が接続されたボンディングパッド１７
の表面に対応する裏面は穴部３２の底面に露出してい
る。この穴部３２は、絶縁フィルム１０の他面側に開口
され、絶縁フィルム１０及び接着剤層１２を貫通して形
成されている。かかる穴部３２は、絶縁フィルム１０の
他面側に開口状態であってもよく、封止樹脂層３０を形
成する封止樹脂によって充填されていてもよい。尚、穴
部３２が絶縁フィルム１０の他面側に開口状態としてお
く場合には、穴部底面に露出するボンディングパッド１
７の裏面には、ニッケルめっき等のめっきを施しておく
ことが好ましい。
【００１２】この様に、ボンディングパッド１７の裏面
に穴部３２が形成された配線パターンフィルム１６を用
いた図１に示す半導体装置の製造工程において、ワイヤ
ボンディングする際に、図２に示す様に、半導体素子２
２が搭載され且つ配線パターン１４がソルダーレジスト
等から成る保護層１８によって保護された配線パターン
フィルム１６を、ボンディング装置を構成するヒートブ
ロック３４とクランパー３６との間に挟む。この際に、
ヒートブロック３４に形成された凸部３８を、絶縁フィ
ルム１０の他面側に開口する穴部３２内に挿入し、ボン
ディングパッド１７を直接加熱することができる。この
ため、絶縁フィルム１０及び接着剤層１２を実質的に加
熱することなくボンディングパッド１７を充分に加熱で
きる。その結果、ボンディング装置によって図５に示す
ボンディング操作を問題なく行うことができる。
【００１３】つまり、半導体素子２２の接続パッド２４
に一端が圧着されたワイヤは、ヒートブロック３４の凸
部３８によって直接加熱された配線パターン１４のボン
ディングパッド１７方向に移動するキャピラリー２１０
（図５）の移動に伴ってボンディングパッド１７方向に
引き延ばされる。次いで、キャピラリー２１０のエッジ
で加熱されたボンディングパッド１７上にワイヤの中途
部を熱圧着する。この際に、ヒートブロック３４に形成
された凸部３８によってボンディングパッド１７が充分
に加熱されているため、ワイヤの中途部を充分に熱圧着
することができる。従って、キャピラリー２１０の上部
に設けられているワイヤクランパによってワイヤを引っ
張り、半導体素子２２の接続パッド２４とボンディング
パッド１７とを、接続するワイヤ２６と残余のワイヤと
を、残余のワイヤ側の圧着箇所の近傍で切断して分離す
る際に、圧着箇所が剥離することなく確実に所定箇所を
切断することができる。
【００１４】かかる穴部３２の形成は、絶縁フィルム１
０の他面側にマスクを被着してエッチング加工を施す
か、或いは絶縁フィルム１０の他面側の所定箇所にレー
ザ加工を施すことによって容易に形成できる。また、図
３に示す様に、複数のボンディングパッド１７の裏面が
底面に露出する溝状穴部３３を、絶縁フィルム１０の他
面側に形成してもよい。かかる溝状穴部３３を形成する
場合には、ボンディングパッド１７の各々の裏面側に穴
部３２を形成する場合に比較して、溝状穴部３３を形成
する位置の位置決め等を容易に行うことができる。この
ため、ヒートブロック３４に形成される凸部３８の形状
も、穴部３２又は凹溝３３の形状に合うように形成す
る。
【００１５】図２に示す様に、半導体素子２２の接続パ
ッド２４と配線パターン１４のボンディングパッド１７
とをワイヤ２６でボンディングした後、半導体素子２２
及びワイヤ２６等の半導体素子２２の搭載部を封止樹脂
によって封止し、封止樹脂層３０を形成する。かかる封
止樹脂層３０を形成する際に、隣接するボンディングパ
ッド１７との間の隙間から穴部３２内に封止樹脂が進入
し、穴部３２が封止樹脂で充填されていてもよい。かか
る封止樹脂の進入は、図３に示す様に、穴部３２として
溝状穴部３３を形成した場合、発生し易い。尚、搭載部
を封止樹脂によって封止し、封止樹脂層３０を形成した
後、封止樹脂とは別の樹脂を穴部３２又は溝状穴部３３
に充填してもよい。
【００１６】以上、述べてきた図２においては、穴部３
２にヒートブロック３４に形成された凸部３８を挿入す
るが、凸部３８としてはヒートブロック３４に立設され
たピンとしてもよい。また、図１〜図２においては、配
線パターンフィルム１６として、絶縁フィルム１０の一
面側に接着剤層１２を介して配線パターン１４が形成さ
れたものを使用しているが、絶縁フィルム１０の一面側
に直接配線パターン１４を形成したものであってもよ
い。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、配線パターンフィルム
を用いた半導体装置において、ワイヤボンディングを確
実に行うことができ、半導体装置の信頼性を向上できる
と共に、低コストで半導体装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一例を示す半導体装置の部分断面図で
ある。
【図２】図１に示す半導体装置の製造工程において、ボ
ンディング工程を説明するための説明図である。
【図３】配線パターンフィルムに形成する穴部の他の例
を説明する説明図である。
【図４】従来の半導体装置を説明する部分断面図であ
る。
【図５】ワイヤボンディング工程を説明する説明図であ
る。
【符号の説明】
１０ 絶縁フィルム １２ 接着剤層 １４ 配線パターン １６ 配線パターンフィルム １７ ボンディングパッド １８ 保護層 ２２ 半導体素子 ２６ ワイヤ ３２ 穴部 ３４ ヒートブロック ３８ 凸部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁フィルムの一面側に配線パターンが
    形成された配線パターンフィルムの配線パターン形成面
    側に半導体素子が搭載され、且つ前記半導体素子の接続
    パッドと配線パターンのボンディングパッドとが、ワイ
    ヤを介して電気的に接続されて成る半導体装置におい
    て、 該絶縁フィルムの他面側に開口する穴部が、前記絶縁フ
    ィルムを貫通して形成されていると共に、前記ワイヤが
    接続されたボンディングパッドの表面に対応する裏面が
    穴部底面に露出していることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 穴部が、複数のボンディングパッドの各
    表面に対応する裏面が底面に露出する溝状穴部である請
    求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 半導体素子の搭載部が封止樹脂によって
    封止され、且つ前記封止樹脂が穴部に充填されている請
    求項１又は請求項２記載の半導体装置。
  4. 【請求項４】 絶縁フィルムの一面側に配線パターンを
    形成した配線パターンフィルムの配線パターン形成面側
    に半導体素子を搭載し、前記半導体素子の接続パッドと
    配線パターンのボンディングパッドとを、ワイヤを介し
    て電気的に接続して成る半導体装置を製造する際に、 該絶縁フィルムを貫通して絶縁フィルムの他面側に開口
    され、且つ前記ワイヤを接続したボンディングパッドの
    表面に対応する裏面が底面に露出している穴部に、ヒー
    トブロックに形成された凸部を挿入してボンディングパ
    ッドを加熱しつつ、一端を半導体素子の接続パッドに接
    合したワイヤの中途部を前記ボンディングパッドに熱圧
    着した後、 前記半導体素子の接続パッドと配線パターンのボンディ
    ングパッドとを接続するワイヤと残余のワイヤとを、残
    余のワイヤ側を引っ張って圧着箇所の近傍で切断するこ
    とを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 穴部を、複数のボンディングパッドの各
    表面に対応する裏面が底面に露出する溝状穴部とする請
    求項４記載の半導体装置の製造方法。
  6. 【請求項６】 半導体素子の搭載部を封止する封止樹脂
    を、穴部に充填する請求項４又は請求項５記載の半導体
    装置の製造方法。
JP8152177A 1996-06-13 1996-06-13 半導体装置及びその製造方法 Pending JPH09330943A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8152177A JPH09330943A (ja) 1996-06-13 1996-06-13 半導体装置及びその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8152177A JPH09330943A (ja) 1996-06-13 1996-06-13 半導体装置及びその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09330943A true JPH09330943A (ja) 1997-12-22

Family

ID=15534740

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8152177A Pending JPH09330943A (ja) 1996-06-13 1996-06-13 半導体装置及びその製造方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09330943A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017400A1 (de) * 2002-07-24 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit einem halbleiterchip und dessen träger sowie verfahren zur bond-drahtverbindung
JP2006128455A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004017400A1 (de) * 2002-07-24 2004-02-26 Siemens Aktiengesellschaft Anordnung mit einem halbleiterchip und dessen träger sowie verfahren zur bond-drahtverbindung
US7053489B2 (en) 2002-07-24 2006-05-30 Siemens Aktiengesellschaft Arrangement with a semiconductor chip and support therefore and method for a bonded wire connection
JP2006128455A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5536973A (en) Semiconductor device including a semiconductor element mounted on a substrate using bump-shaped connecting electrodes
US3672047A (en) Method for bonding a conductive wire to a metal electrode
US5672912A (en) Resin-sealed type semiconductor device and method for manufacturing the same
WO1998018161A1 (fr) Dispositif a semi-conducteur, procede de fabrication, substrat de circuit et bande porteuse de film
JP2001015541A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP3252745B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP5553766B2 (ja) 半導体装置とその製造方法
JP2003078071A (ja) 半導体装置の製造方法
JPH09330943A (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP2000243875A (ja) 半導体装置
JP3456576B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP4354109B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US6404059B1 (en) Semiconductor device having a mounting structure and fabrication method thereof
JPH05267385A (ja) ワイヤーボンディング装置
JP2798040B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH1084064A (ja) 半導体装置およびその製造方法
JP2986661B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3420745B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2748759B2 (ja) フィルムキャリアテープの製造方法
JPS624331A (ja) ワイヤボンデイング方法
JP2010153676A (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2002124531A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびに半導体装置の実装構造
JPH08316272A (ja) 半導体装置、その製造方法、及び半導体装置用フレキシブル基板
JP2000068316A (ja) 集積回路装置
JPH11274364A (ja) 半導体装置およびその製造方法