JPS624331A - ワイヤボンデイング方法 - Google Patents
ワイヤボンデイング方法Info
- Publication number
- JPS624331A JPS624331A JP60143662A JP14366285A JPS624331A JP S624331 A JPS624331 A JP S624331A JP 60143662 A JP60143662 A JP 60143662A JP 14366285 A JP14366285 A JP 14366285A JP S624331 A JPS624331 A JP S624331A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bonding
- pad
- wire
- solder
- semiconductor chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/328—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by welding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01515—Forming coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/01—Manufacture or treatment
- H10W72/015—Manufacture or treatment of bond wires
- H10W72/01551—Changing the shapes of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07531—Techniques
- H10W72/07532—Compression bonding, e.g. thermocompression bonding
- H10W72/07533—Ultrasonic bonding, e.g. thermosonic bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/075—Connecting or disconnecting of bond wires
- H10W72/07541—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
- H10W72/07551—Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/551—Materials of bond wires
- H10W72/552—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver
- H10W72/5522—Materials of bond wires comprising metals or metalloids, e.g. silver comprising gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/581—Auxiliary members, e.g. flow barriers
- H10W72/583—Reinforcing structures
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/59—Bond pads specially adapted therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
- H10W72/874—On different surfaces
- H10W72/884—Die-attach connectors and bond wires
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は導体パッドとボンディングワイヤの接合強度を
向上させたワイヤボンディング方法に関する。
向上させたワイヤボンディング方法に関する。
[発明の技術的背景]
近年、電子機器の小型、軽量化を図るため混成集積回路
が多用されつつある。この混成集積回路においてICを
実装する方法としては、プラスチックパッケージを用い
た実装方法と、回路基板上に半導体チップをボンディン
グワイヤを用いて実装するワイヤボンディング方法とが
ある。
が多用されつつある。この混成集積回路においてICを
実装する方法としては、プラスチックパッケージを用い
た実装方法と、回路基板上に半導体チップをボンディン
グワイヤを用いて実装するワイヤボンディング方法とが
ある。
このうちワイヤボンディング方法は従来から以下に示す
ような手順で行なわれている。
ような手順で行なわれている。
すなわち第4図に示すように、絶縁基板1上に金、銀−
パラジウム(A!II /Pd ) 、銅等からなる導
体回路および導体パッド2をそれぞれ形成してなる回路
基板3上のダイボンドパッド4上に、導電性接着剤等を
用いて半導体チップ5を接着した後、この半導体チップ
5上のボンディングパッド6とこれと対応する導体パッ
ド2とをボンディングワイヤ7を用いこれに熱あるいは
超音波を加えて相間の同相拡散を生起することにより、
電気的に接続することが行なわれている。
パラジウム(A!II /Pd ) 、銅等からなる導
体回路および導体パッド2をそれぞれ形成してなる回路
基板3上のダイボンドパッド4上に、導電性接着剤等を
用いて半導体チップ5を接着した後、この半導体チップ
5上のボンディングパッド6とこれと対応する導体パッ
ド2とをボンディングワイヤ7を用いこれに熱あるいは
超音波を加えて相間の同相拡散を生起することにより、
電気的に接続することが行なわれている。
そして、第5r!11に示すように、回路基板3上に半
導体チップ5と共にコンデンサや抵抗のような能動電子
部品8を実装して混成集積回路を製作する。図中符号9
は電子部品7の固定半田、10は封止樹脂である。この
混成集積回路の製造方法は第6図のフローチャートに示
ずように回路基板上の所定の部分に半田ペーストを印刷
塗布し、能動電子部品をマウントしてこれをリフロー半
田付けにより接合した後、ダイボンドパッド上に導電性
接着剤を塗って半導体チップをダイボンドし、次いで前
記ボンディングワイヤを接続してワイヤボンディングを
行なってから最後に半導体チップの外側を封止樹脂で封
止する。
導体チップ5と共にコンデンサや抵抗のような能動電子
部品8を実装して混成集積回路を製作する。図中符号9
は電子部品7の固定半田、10は封止樹脂である。この
混成集積回路の製造方法は第6図のフローチャートに示
ずように回路基板上の所定の部分に半田ペーストを印刷
塗布し、能動電子部品をマウントしてこれをリフロー半
田付けにより接合した後、ダイボンドパッド上に導電性
接着剤を塗って半導体チップをダイボンドし、次いで前
記ボンディングワイヤを接続してワイヤボンディングを
行なってから最後に半導体チップの外側を封止樹脂で封
止する。
[背景技術の問題点]
しかしながら従来のワイヤボンディング方法においては
、通常ボンディングワイヤ7として金線が用いられるた
め導体バッド2を金で構成した場合にボンディングの信
頼性は高いがコストが高くなるという欠点があった。
、通常ボンディングワイヤ7として金線が用いられるた
め導体バッド2を金で構成した場合にボンディングの信
頼性は高いがコストが高くなるという欠点があった。
また、導体バッド2をAa /Pdあるいは銅等の低価
格の材料で構成した場合には、熱あるいは超音波による
二相間の固相拡散が充分に生起せず、ボンディングワイ
ヤ7の接合強度が低いという問題があった。
格の材料で構成した場合には、熱あるいは超音波による
二相間の固相拡散が充分に生起せず、ボンディングワイ
ヤ7の接合強度が低いという問題があった。
〔発明の目的]
本発明はこのような問題を解決するためになされたもの
で、材料コストが安くしかもボンディングワイヤの電気
的に接続の信頼性が高いワイヤボンディング方法を提供
することを目的とする。
で、材料コストが安くしかもボンディングワイヤの電気
的に接続の信頼性が高いワイヤボンディング方法を提供
することを目的とする。
[発明のII要]
すなわち本発明のワイヤボンディング方法は、回路基板
上の所定の位置に半導体チップをダイボンドし、この半
導体チップ上のボンディングパッドと前記回路基板上の
対応する導体バッドとをボンディングワイヤにより電気
的に接続する方法において、前記導体バッドのボンディ
ングワイヤ接合部を除く表面に半田を塗布した模、半田
付は可能なボンディングワイヤの端部を、前記ボンディ
ングパッドおよび導体バッドの接合部上にそれぞれ熱あ
るいは超音波をかけて接合し、しかる後前記半田を加熱
溶融させることにより、導体バッドとボンディングワイ
ヤの接合強度を向上させたものである。
上の所定の位置に半導体チップをダイボンドし、この半
導体チップ上のボンディングパッドと前記回路基板上の
対応する導体バッドとをボンディングワイヤにより電気
的に接続する方法において、前記導体バッドのボンディ
ングワイヤ接合部を除く表面に半田を塗布した模、半田
付は可能なボンディングワイヤの端部を、前記ボンディ
ングパッドおよび導体バッドの接合部上にそれぞれ熱あ
るいは超音波をかけて接合し、しかる後前記半田を加熱
溶融させることにより、導体バッドとボンディングワイ
ヤの接合強度を向上させたものである。
[発明の実施例]
以下本発明を第1vAに示す一実施例について説明する
。、第1図において第4図と共通する部分には同一符号
を付して説明を省略する。
。、第1図において第4図と共通する部分には同一符号
を付して説明を省略する。
まず第1図(alに示すように、絶縁基板1上に形成さ
れた金、AQ /Pd 、または銅等からなる導体バッ
ド2上のボンディングワイヤ接合部を除く部分に半田8
ペーストを塗布しておき、ダイボンドバット4上に半導
体チップ5をダイボンドした後、この半導体チップ5上
のボンディングパッド6と対応する導体バッド2とに、
それぞれ金等の半田付は可能な金属からなるボンディン
グワイヤ7の端部を当接させ、これに熱あるいは超音波
をかけて圧着する。
れた金、AQ /Pd 、または銅等からなる導体バッ
ド2上のボンディングワイヤ接合部を除く部分に半田8
ペーストを塗布しておき、ダイボンドバット4上に半導
体チップ5をダイボンドした後、この半導体チップ5上
のボンディングパッド6と対応する導体バッド2とに、
それぞれ金等の半田付は可能な金属からなるボンディン
グワイヤ7の端部を当接させ、これに熱あるいは超音波
をかけて圧着する。
次いで第1図(b)に示すように、導体バッド2上の半
田8を加熱して溶融させこの半田8で導体バッド2とボ
ンディングワイヤ7との接合部を覆わせる。
田8を加熱して溶融させこの半田8で導体バッド2とボ
ンディングワイヤ7との接合部を覆わせる。
このように本発明方法によれば、導体バッド2とボンデ
ィングワイヤ7との接合部が半田8で覆われ、この半田
8で接合が補強されるので、導体バッド2の構成材料と
してA!II /Pdや銅を用いた場合でも電気的接続
の信頼性が高い。また第2図に示すように本願発明方法
でワイヤボンディングを行なった場合と、従来からの熱
あるいは超音波のみを用いたボンディング方法を採った
場合の両者の接合強度は強度分布の比較からも明らかな
ように本発明方法が優れている。
ィングワイヤ7との接合部が半田8で覆われ、この半田
8で接合が補強されるので、導体バッド2の構成材料と
してA!II /Pdや銅を用いた場合でも電気的接続
の信頼性が高い。また第2図に示すように本願発明方法
でワイヤボンディングを行なった場合と、従来からの熱
あるいは超音波のみを用いたボンディング方法を採った
場合の両者の接合強度は強度分布の比較からも明らかな
ように本発明方法が優れている。
また、一般的に熱によりボンディングワイヤ7を圧着さ
せる場合には予め回路基板3を予備加熱することが必要
だが、本発明方法においてはこの加熱温度を150℃以
下の半田8が溶融しない温度に設定し、この加熱に半導
体チップ5以外の能動電子部品の半田付けの際の予備加
熱を兼ねさせることにより、工程の短縮化を図ることが
できる。
せる場合には予め回路基板3を予備加熱することが必要
だが、本発明方法においてはこの加熱温度を150℃以
下の半田8が溶融しない温度に設定し、この加熱に半導
体チップ5以外の能動電子部品の半田付けの際の予備加
熱を兼ねさせることにより、工程の短縮化を図ることが
できる。
実施例の方法により、半導体チップ5を実装すると同時
に回路基板3上に能動電子部品を実装して混成集積回路
を製作するプロセスを第3図に示す。
に回路基板3上に能動電子部品を実装して混成集積回路
を製作するプロセスを第3図に示す。
[発明の効果]
以上の説明から明らかなように、本発明のワイヤボンデ
ィング方法によれば、基板側のボンディングワイヤ接合
部を半田で覆うことにより、接合強度を向上させること
ができる。また、混成集積回路の製作においては、余分
の工程を付は加えることなく最も短縮された工程でコン
デンサや抵抗のような能動電子部品を実装することがで
きる。
ィング方法によれば、基板側のボンディングワイヤ接合
部を半田で覆うことにより、接合強度を向上させること
ができる。また、混成集積回路の製作においては、余分
の工程を付は加えることなく最も短縮された工程でコン
デンサや抵抗のような能動電子部品を実装することがで
きる。
第1図は本発明のワイヤボンディング方法の一実施例を
示す断面図、第2図は本発明のワイヤボンディング方法
と従来からのワイヤボンディング方法によりそれぞれ得
られた接合部の引張強度分布を比較して示すグラフ、第
3図は本発明のワイヤボンディング方法を用いて混成集
積回路の製作を行なう場合のプロセスを示すフローチャ
ート、第4図は従来のワイヤボンディング方法を示す断
面図、第5図は従来のワイヤボンディング方法の断面図
、第6図は従来の混成集積回路製作のプロセスを示すフ
ローチャートである。 1・・・・・・・・・・・・絶縁基板 2・・・・・・・・・・・・導体パッド4・・・・・・
・・・・・・ダイボンドパッド5・・・・・・・・・・
・・半導体チップ7・・・・・・・・・・・・ボンディ
ングワイヤ8・・・・・・・・・・・・半田 出 願 人 株式会社 東芝
示す断面図、第2図は本発明のワイヤボンディング方法
と従来からのワイヤボンディング方法によりそれぞれ得
られた接合部の引張強度分布を比較して示すグラフ、第
3図は本発明のワイヤボンディング方法を用いて混成集
積回路の製作を行なう場合のプロセスを示すフローチャ
ート、第4図は従来のワイヤボンディング方法を示す断
面図、第5図は従来のワイヤボンディング方法の断面図
、第6図は従来の混成集積回路製作のプロセスを示すフ
ローチャートである。 1・・・・・・・・・・・・絶縁基板 2・・・・・・・・・・・・導体パッド4・・・・・・
・・・・・・ダイボンドパッド5・・・・・・・・・・
・・半導体チップ7・・・・・・・・・・・・ボンディ
ングワイヤ8・・・・・・・・・・・・半田 出 願 人 株式会社 東芝
Claims (1)
- (1)回路基板上の所定の位置に半導体チップをダイボ
ンドし、この半導体チップ上のボンディングパッドと前
記回路基板上の対応する導体パッドとをボンディングワ
イヤにより電気的に接続する方法において、前記導体パ
ッドのボンディングワイヤ接合部を除く表面に半田を塗
布した後、半田付け可能なボンディングワイヤの端部を
、前記ボンディングパッドおよび導体パッドの接合部上
にそれぞれ熱あるいは超音波をかけて接合し、しかる後
前記半田を加熱溶融させて導体パッドとボンディングワ
イヤを接合して両者の接合強度を向上させたことを特徴
とするワイヤボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143662A JPS624331A (ja) | 1985-06-30 | 1985-06-30 | ワイヤボンデイング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60143662A JPS624331A (ja) | 1985-06-30 | 1985-06-30 | ワイヤボンデイング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS624331A true JPS624331A (ja) | 1987-01-10 |
Family
ID=15344011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60143662A Pending JPS624331A (ja) | 1985-06-30 | 1985-06-30 | ワイヤボンデイング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS624331A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277825A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Infineon Technologies Ag | チップモジュールおよびその製造方法 |
| US20110303341A1 (en) * | 2008-12-09 | 2011-12-15 | Thorsten Meiss | Method for the miniaturizable contacting of insulated wires |
| JP2024500580A (ja) * | 2020-12-28 | 2024-01-09 | チップモア テクノロジー コーポレーション リミテッド | チップパッケージング構造およびチップパッケージング方法 |
-
1985
- 1985-06-30 JP JP60143662A patent/JPS624331A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008277825A (ja) * | 2007-04-26 | 2008-11-13 | Infineon Technologies Ag | チップモジュールおよびその製造方法 |
| US20110303341A1 (en) * | 2008-12-09 | 2011-12-15 | Thorsten Meiss | Method for the miniaturizable contacting of insulated wires |
| US8418911B2 (en) * | 2008-12-09 | 2013-04-16 | Roland Werthschutzky | Method for the miniaturizable contacting of insulated wires |
| JP2024500580A (ja) * | 2020-12-28 | 2024-01-09 | チップモア テクノロジー コーポレーション リミテッド | チップパッケージング構造およびチップパッケージング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3409957B2 (ja) | 半導体ユニット及びその形成方法 | |
| JP2840316B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH0426797B2 (ja) | ||
| JPH10270497A (ja) | 半導体素子固定方法 | |
| JPS624331A (ja) | ワイヤボンデイング方法 | |
| JPH0551179B2 (ja) | ||
| JP2699726B2 (ja) | 半導体装置の実装方法 | |
| JPS6245138A (ja) | 電子部品装置の製法 | |
| JPS61251047A (ja) | 半導体デバイスパッケージ及びその製造方法 | |
| JPH04212277A (ja) | プリント配線板への端子の接続法 | |
| JPH0817870A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63284831A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH01226161A (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
| JP3006957B2 (ja) | 半導体装置の実装体 | |
| JPH01226162A (ja) | 半導体チップの接続方法 | |
| JP3078781B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
| JPH06334059A (ja) | 半導体搭載用基板及びその製造方法 | |
| JPH07201894A (ja) | 電子部品搭載装置の製造方法 | |
| JPS5927537A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0536760A (ja) | 電子回路装置 | |
| JPH1022342A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04356935A (ja) | 半導体装置のバンプ電極形成方法 | |
| JPS58103198A (ja) | 電子部品の取付け方法 | |
| JP2678111B2 (ja) | 半導体装置の取り外し方法 | |
| JPS5848441A (ja) | 電子回路装置 |