JPH0933582A - 導電率センサ - Google Patents
導電率センサInfo
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- JPH0933582A JPH0933582A JP20275995A JP20275995A JPH0933582A JP H0933582 A JPH0933582 A JP H0933582A JP 20275995 A JP20275995 A JP 20275995A JP 20275995 A JP20275995 A JP 20275995A JP H0933582 A JPH0933582 A JP H0933582A
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- ring
- electrodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極部のセル定数を従来よりも１桁小さくす
ることが可能で、超純水や精製水などの導電率がそもそ
も低い液体であっても、その導電率を高精度に検出する
ことができ、また流体の滞留部を発生させたり流速変化
を生じさせることがない導電率センサを提供する。 【解決手段】 リング状第１電極１の軸線方向の両側
に、一対のリング状絶縁体２ａ・２ｂを重合し、更にそ
の外側に一対のリング状第２電極３ａ・３ｂを重合し
て、これらの内周面を面一に連続させ、これらの内側に
円筒形の流体通路５を形成する。
ることが可能で、超純水や精製水などの導電率がそもそ
も低い液体であっても、その導電率を高精度に検出する
ことができ、また流体の滞留部を発生させたり流速変化
を生じさせることがない導電率センサを提供する。 【解決手段】 リング状第１電極１の軸線方向の両側
に、一対のリング状絶縁体２ａ・２ｂを重合し、更にそ
の外側に一対のリング状第２電極３ａ・３ｂを重合し
て、これらの内周面を面一に連続させ、これらの内側に
円筒形の流体通路５を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、流体の導電率を測
定する導電率センサ、特にその電極部の改良に関する。
定する導電率センサ、特にその電極部の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、流体の導電率を配管途中等で測定
できる導電率センサの電極部として、図５に示すような
構造が知られている。この従来技術は、第１電極である
棒状の内極５０を、第２電極である円筒形の外極５１内
に絶縁体５２を介して同心円状に配置し、内極５０の外
周面と外極５１の内周面との間に、流体通路となる間隙
５３を形成したもので、外極５１の導入孔５４から間隙
５３内に流体を導入して内極５０と外極５１とに同時に
接触させ、内極５０と外極５１との間の電気抵抗から流
体の導電率を測定する。
できる導電率センサの電極部として、図５に示すような
構造が知られている。この従来技術は、第１電極である
棒状の内極５０を、第２電極である円筒形の外極５１内
に絶縁体５２を介して同心円状に配置し、内極５０の外
周面と外極５１の内周面との間に、流体通路となる間隙
５３を形成したもので、外極５１の導入孔５４から間隙
５３内に流体を導入して内極５０と外極５１とに同時に
接触させ、内極５０と外極５１との間の電気抵抗から流
体の導電率を測定する。
【０００３】また、電極部を配管の内面外側に装着する
タイプの導電率センサとして、本出願人は図６に示す構
造のものを提供している。この導電率センサは、配管の
一部となるボディ６０の検出孔６１の外面に、ケーブル
コネクタでもある絶縁体ホルダ６２に保持された第１電
極６３を臨ませるとともに、この第１電極６３の回りで
絶縁体ホルダ６２の外周に第２電極６４を配置し、この
第２電極６４をボンネット６５で押さえてカバーしたも
のである。なお、６６は温度センサである。
タイプの導電率センサとして、本出願人は図６に示す構
造のものを提供している。この導電率センサは、配管の
一部となるボディ６０の検出孔６１の外面に、ケーブル
コネクタでもある絶縁体ホルダ６２に保持された第１電
極６３を臨ませるとともに、この第１電極６３の回りで
絶縁体ホルダ６２の外周に第２電極６４を配置し、この
第２電極６４をボンネット６５で押さえてカバーしたも
のである。なお、６６は温度センサである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これら図５及
び図６に示した従来技術によると、半導体製造用超純水
や医薬品製造用精製水などの導電率がそもそも低い液体
については、満足できるオーダー（最小桁）までの導電
率を正確に検出することができなく、また医薬品製造プ
ラントのプロセス液のような清浄性が高く緻密な導電率
管理を要求される液体については、その要求に応えるよ
うな高精度の導電率検出ができない。
び図６に示した従来技術によると、半導体製造用超純水
や医薬品製造用精製水などの導電率がそもそも低い液体
については、満足できるオーダー（最小桁）までの導電
率を正確に検出することができなく、また医薬品製造プ
ラントのプロセス液のような清浄性が高く緻密な導電率
管理を要求される液体については、その要求に応えるよ
うな高精度の導電率検出ができない。
【０００５】その理由について説明すると、導電率を高
精度に計測するには、電極部のセル定数を小さくするこ
とが必要である。セル定数Ｃは一般に次式で求められ
る。 Ｃ＝Ｌ／Ｓ ただし、Ｌは電極間距離、Ｓは電極面積である。この式
から、セル定数Ｃを小さくするには、電極間距離Ｌを小
さくするか、電極面積Ｓを大きくする必要がある。
精度に計測するには、電極部のセル定数を小さくするこ
とが必要である。セル定数Ｃは一般に次式で求められ
る。 Ｃ＝Ｌ／Ｓ ただし、Ｌは電極間距離、Ｓは電極面積である。この式
から、セル定数Ｃを小さくするには、電極間距離Ｌを小
さくするか、電極面積Ｓを大きくする必要がある。
【０００６】ところが、図５に示した従来技術及び図６
に示した従来技術のいずれの場合も、第１電極と第２電
極の間の距離を小さくすることは現実的に困難であるた
め、電極面積を大きくすることでセル定数を小さくする
のが一般的であるが、セル定数を小さくできたとしても
せいぜい０．０１程度までで、それ未満にすることは困
難であった。また、両従来技術とも配管中に設置するの
になんらかのアダプタを必要とし、これにより流体の滞
留部が形成され、洗浄に多大な時間を要していた。更
に、電極部表面及び絶縁部表面に接触する流体は、その
本流による流速を減速されてから接触することになるた
め、流速変化により電極部表面及びその周囲に汚れが累
積し、検出精度の経時劣化が大きかった。
に示した従来技術のいずれの場合も、第１電極と第２電
極の間の距離を小さくすることは現実的に困難であるた
め、電極面積を大きくすることでセル定数を小さくする
のが一般的であるが、セル定数を小さくできたとしても
せいぜい０．０１程度までで、それ未満にすることは困
難であった。また、両従来技術とも配管中に設置するの
になんらかのアダプタを必要とし、これにより流体の滞
留部が形成され、洗浄に多大な時間を要していた。更
に、電極部表面及び絶縁部表面に接触する流体は、その
本流による流速を減速されてから接触することになるた
め、流速変化により電極部表面及びその周囲に汚れが累
積し、検出精度の経時劣化が大きかった。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑み、電極部のセル定数を従来よりも１桁小さい０．０
０１程度まで小さくすることが可能で、超純水や精製水
などの導電率がそもそも低い液体であっても、その導電
率を高精度に検出することができ、また流体の滞留部を
発生させたり流速変化を生じさせることがない導電率セ
ンサを提供することを目的とする。
鑑み、電極部のセル定数を従来よりも１桁小さい０．０
０１程度まで小さくすることが可能で、超純水や精製水
などの導電率がそもそも低い液体であっても、その導電
率を高精度に検出することができ、また流体の滞留部を
発生させたり流速変化を生じさせることがない導電率セ
ンサを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るため、本発明の第１の形態の導電率センサは、第１電
極、第２電極及び絶縁体のいずれもリング状として、第
１電極、絶縁体、第２電極の順にそれらの内周面が面一
に連続するように軸線方向に並べて重合し、これらの内
側に円筒形の流体通路を形成したものである。リング状
第１電極の軸線方向の両側に、一対のリング状絶縁体を
重合し、更にその外側に一対のリング状第２電極を重合
して、これらの内周面を面一に連続させてもよい。この
場合、一対のリング状第２電極に配管接続用のフランジ
部を設けることができる。なお、本発明で「リング状」
とは比較的短い円筒形も含む概念とする。
るため、本発明の第１の形態の導電率センサは、第１電
極、第２電極及び絶縁体のいずれもリング状として、第
１電極、絶縁体、第２電極の順にそれらの内周面が面一
に連続するように軸線方向に並べて重合し、これらの内
側に円筒形の流体通路を形成したものである。リング状
第１電極の軸線方向の両側に、一対のリング状絶縁体を
重合し、更にその外側に一対のリング状第２電極を重合
して、これらの内周面を面一に連続させてもよい。この
場合、一対のリング状第２電極に配管接続用のフランジ
部を設けることができる。なお、本発明で「リング状」
とは比較的短い円筒形も含む概念とする。
【０００９】また、本発明の第２の形態の導電率センサ
は、第１電極をリング状導電体で構成し、その軸線方向
のリング状端面に絶縁体として絶縁性薄膜、第２電極と
して導電性薄膜を積層形成することによって上記の目的
を達成する。絶縁性薄膜及び導電性薄膜はリング状導電
体の両側の端面にそれぞれ形成することができる。
は、第１電極をリング状導電体で構成し、その軸線方向
のリング状端面に絶縁体として絶縁性薄膜、第２電極と
して導電性薄膜を積層形成することによって上記の目的
を達成する。絶縁性薄膜及び導電性薄膜はリング状導電
体の両側の端面にそれぞれ形成することができる。
【００１０】第１の形態の場合、いずれもリング状の第
１電極、第２電極及び絶縁体の内周面を面一にして連続
させているため、電極面積を極力大きくしてセル定数を
小さくできるとともに、流体の滞留や流速変化を生じさ
せない円筒形の流体通路を形成できる。
１電極、第２電極及び絶縁体の内周面を面一にして連続
させているため、電極面積を極力大きくしてセル定数を
小さくできるとともに、流体の滞留や流速変化を生じさ
せない円筒形の流体通路を形成できる。
【００１１】第２の形態の場合、リング状導電体である
第１電極のリング状端面に、絶縁性薄膜及び第２電極と
なる導電性薄膜を積層形成しているため、第１電極によ
って必要な電極面積を確保できるとともに、第１電極と
第２電極（導電性薄膜）との間の距離は絶縁性薄膜の厚
さによって決まるため、セル定数を小さくでき、また第
１の態様と同様に、流体の滞留や流速変化を生じさせな
い円筒形の流体通路を形成できる。
第１電極のリング状端面に、絶縁性薄膜及び第２電極と
なる導電性薄膜を積層形成しているため、第１電極によ
って必要な電極面積を確保できるとともに、第１電極と
第２電極（導電性薄膜）との間の距離は絶縁性薄膜の厚
さによって決まるため、セル定数を小さくでき、また第
１の態様と同様に、流体の滞留や流速変化を生じさせな
い円筒形の流体通路を形成できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施例を図面に基
づいて詳述する。図１は本発明の第１実施例の電極部の
構造を示す。この電極部は、リング状導電体である第１
電極１を真ん中にして、その軸線方向の両側に一対のリ
ング状絶縁体２ａ・２ｂを配置し、更にその両側にリン
グ状導電体である一対の第２電極３ａ・３ｂを配置し、
これらの一部分を後述のように順次嵌合して構成されて
いる。第１電極１、絶縁体２ａ・２ｂ及び第２電極３ａ
・３ｂの内径は等しく、これらの内周面を面一に連続さ
せ、一端開口４ａから他端開口４ｂまで同じ内径で内周
面が連続する円筒形の流体通路５を形成している。
づいて詳述する。図１は本発明の第１実施例の電極部の
構造を示す。この電極部は、リング状導電体である第１
電極１を真ん中にして、その軸線方向の両側に一対のリ
ング状絶縁体２ａ・２ｂを配置し、更にその両側にリン
グ状導電体である一対の第２電極３ａ・３ｂを配置し、
これらの一部分を後述のように順次嵌合して構成されて
いる。第１電極１、絶縁体２ａ・２ｂ及び第２電極３ａ
・３ｂの内径は等しく、これらの内周面を面一に連続さ
せ、一端開口４ａから他端開口４ｂまで同じ内径で内周
面が連続する円筒形の流体通路５を形成している。
【００１３】第１電極１は単なるリングであるが、一対
の絶縁体２ａ・２ｂは、それぞれの一端部６ａ・６ｂが
段差状に大径となって内側段部７ａ・７ｂ及び外側段部
８ａ・８ｂを形成している。一対の第２電極３ａ・３ｂ
は、外周面の一端に接合用フランジ部９ａ・９ｂを有す
るとともに、他端に継手となる配管接続用フランジ部１
０ａ・１０ｂを有し、また内周面の一端部に凹部１１ａ
・１１ｂを有する。接続用フランジ部１０ａ・１０ｂは
接合用フランジ部９ａ・９ｂよりも外径が大きい。
の絶縁体２ａ・２ｂは、それぞれの一端部６ａ・６ｂが
段差状に大径となって内側段部７ａ・７ｂ及び外側段部
８ａ・８ｂを形成している。一対の第２電極３ａ・３ｂ
は、外周面の一端に接合用フランジ部９ａ・９ｂを有す
るとともに、他端に継手となる配管接続用フランジ部１
０ａ・１０ｂを有し、また内周面の一端部に凹部１１ａ
・１１ｂを有する。接続用フランジ部１０ａ・１０ｂは
接合用フランジ部９ａ・９ｂよりも外径が大きい。
【００１４】第１電極１、一対の絶縁体２ａ・２ｂ及び
一対の第２電極３ａ・３ｂの接合は次のようにして行わ
れている。一対の絶縁体２ａ・２ｂの一端部６ａ・６ｂ
を共通のカバーリング１２内に嵌合し、第１電極１の両
端部を一対の絶縁体２ａ・２ｂの内側段部７ａ・７ｂに
それぞれ嵌合させるとともに、一対の絶縁体２ａ・２ｂ
を一対の第２電極３ａ・３ｂの凹部１１ａ・１１ｂにそ
れぞれ嵌合させる。そして、接合用フランジ部９ａ・９
ｂの側面からその孔１３ａ・１３ｂを通じてカバーリン
グ１２の複数のネジ孔１４にボルト１５ａ・１５ｂをそ
れぞれ螺合し、一対の第２電極３ａ・３ｂの接合用フラ
ンジ部９ａ・９ｂで一対の絶縁体２ａ・２ｂの一端部６
ａ・６ｂ及びカバーリング１２を緊締挟持する。これに
より、第１電極１は一対の絶縁体２ａ・２ｂ間に固定さ
れ、また絶縁体２ａ・２ｂは一対の第２電極３ｂ・３ｂ
間に固定される。
一対の第２電極３ａ・３ｂの接合は次のようにして行わ
れている。一対の絶縁体２ａ・２ｂの一端部６ａ・６ｂ
を共通のカバーリング１２内に嵌合し、第１電極１の両
端部を一対の絶縁体２ａ・２ｂの内側段部７ａ・７ｂに
それぞれ嵌合させるとともに、一対の絶縁体２ａ・２ｂ
を一対の第２電極３ａ・３ｂの凹部１１ａ・１１ｂにそ
れぞれ嵌合させる。そして、接合用フランジ部９ａ・９
ｂの側面からその孔１３ａ・１３ｂを通じてカバーリン
グ１２の複数のネジ孔１４にボルト１５ａ・１５ｂをそ
れぞれ螺合し、一対の第２電極３ａ・３ｂの接合用フラ
ンジ部９ａ・９ｂで一対の絶縁体２ａ・２ｂの一端部６
ａ・６ｂ及びカバーリング１２を緊締挟持する。これに
より、第１電極１は一対の絶縁体２ａ・２ｂ間に固定さ
れ、また絶縁体２ａ・２ｂは一対の第２電極３ｂ・３ｂ
間に固定される。
【００１５】このように構成された電極部は、両端の接
続用フランジ部１０ａ・１０ｂを継手として配管に接続
して使用される。流体通路５を流れる流体の導電率を第
１電極１と第２電極３ａ・３ｂとの間の電気抵抗によっ
て検出するため、第１電極１及び第２電極３ａ・３ｂに
は、カバーリング１２の外側に取付けられたコネクタ１
６によって図示しないケーブルが接続される。なお、一
対の第２電極３ａ・３ｂ同士は、電気的外乱を防止する
ため外部で電気的に短絡される。
続用フランジ部１０ａ・１０ｂを継手として配管に接続
して使用される。流体通路５を流れる流体の導電率を第
１電極１と第２電極３ａ・３ｂとの間の電気抵抗によっ
て検出するため、第１電極１及び第２電極３ａ・３ｂに
は、カバーリング１２の外側に取付けられたコネクタ１
６によって図示しないケーブルが接続される。なお、一
対の第２電極３ａ・３ｂ同士は、電気的外乱を防止する
ため外部で電気的に短絡される。
【００１６】図２は本発明の第２実施例の電極部の構造
を示す。図１に示した第１実施例が大径型とするなら
ば、第２実施例は小径型としたもので、第１電極２１と
一対の絶縁体２２ａ・２２ｂと一対の第２電極２３ａ・
２３ｂの配置関係及びこれらをいずれもリング状とした
ことは第１実施例と基本的に同じであるが、次の点が相
違する。
を示す。図１に示した第１実施例が大径型とするなら
ば、第２実施例は小径型としたもので、第１電極２１と
一対の絶縁体２２ａ・２２ｂと一対の第２電極２３ａ・
２３ｂの配置関係及びこれらをいずれもリング状とした
ことは第１実施例と基本的に同じであるが、次の点が相
違する。
【００１７】第１電極２１は、その内周面の両端部に凹
部２４ａ・２４ｂを設け、また一対の絶縁体２２ａ・２
２ｂは、その外周面の中央にフランジ部２５ａ・２５ｂ
をそれぞれ設け、一対の第２電極２３ａ・２３ｂは、外
周面に接合用フランジ部２６ａ・２６ｂを設けていると
ともに、円筒部２７ａ・２７ｂを一体に突出してその先
端に継手となる接続用フランジ部２８ａ・２８ｂを設け
ている。カバーリング２９は、その外周面の両端部に雄
ネジ３０ａ・３０ｂを設け、これら雄ネジ３０ａ・３０
ｂの間の部分の内径及び外径を大きくしている。その大
きくした外面中央には、第１実施例と同様のコネクタ３
２が取付けられている。
部２４ａ・２４ｂを設け、また一対の絶縁体２２ａ・２
２ｂは、その外周面の中央にフランジ部２５ａ・２５ｂ
をそれぞれ設け、一対の第２電極２３ａ・２３ｂは、外
周面に接合用フランジ部２６ａ・２６ｂを設けていると
ともに、円筒部２７ａ・２７ｂを一体に突出してその先
端に継手となる接続用フランジ部２８ａ・２８ｂを設け
ている。カバーリング２９は、その外周面の両端部に雄
ネジ３０ａ・３０ｂを設け、これら雄ネジ３０ａ・３０
ｂの間の部分の内径及び外径を大きくしている。その大
きくした外面中央には、第１実施例と同様のコネクタ３
２が取付けられている。
【００１８】第２実施例では、第１実施例のボルト１５
ａ・１５ｂに代えて一対の袋ナット３１ａ・３１ｂを使
用し、この袋ナット３１ａ・３１ｂをカバーリング２９
の雄ネジ３０ａ・３０ｂに螺合させて緊締する。これに
より、カバーリング２９の端面と袋ナット３１ａ・３１
ｂとで一対の第２電極２３ａ・２３ｂの接合用フランジ
部２６ａ・２６ｂが挟持されるとともに、第１電極２１
の端面と一対の第２電極２３ａ・２３ｂの端面とで一対
の絶縁体２２ａ・２２ｂのフランジ部２５ａ・２５ｂが
挟持され、第１電極２１は一対の絶縁体２２ａ・２２ｂ
間に固定され、また絶縁体２２ａ・２２ｂは一対の第２
電極２３ｂ・２３ｂ間に固定される。
ａ・１５ｂに代えて一対の袋ナット３１ａ・３１ｂを使
用し、この袋ナット３１ａ・３１ｂをカバーリング２９
の雄ネジ３０ａ・３０ｂに螺合させて緊締する。これに
より、カバーリング２９の端面と袋ナット３１ａ・３１
ｂとで一対の第２電極２３ａ・２３ｂの接合用フランジ
部２６ａ・２６ｂが挟持されるとともに、第１電極２１
の端面と一対の第２電極２３ａ・２３ｂの端面とで一対
の絶縁体２２ａ・２２ｂのフランジ部２５ａ・２５ｂが
挟持され、第１電極２１は一対の絶縁体２２ａ・２２ｂ
間に固定され、また絶縁体２２ａ・２２ｂは一対の第２
電極２３ｂ・２３ｂ間に固定される。
【００１９】図３は本発明の第３実施例の電極部の概要
構造を示し、リング状導電体である第１電極４１を真ん
中にして、その軸線方向の両端面に絶縁性薄膜４２ａ・
４２ｂ及び第２電極となる導電性薄膜４３ａ・４３ｂを
積層形成し、更にその軸線方向の両側にガスケット４４
ａ・４４ｂを介して接続用フランジ４５ａ・４５ｂを重
合し、これらの内周面によって面一に連続する流体通路
４６を形成したものである。
構造を示し、リング状導電体である第１電極４１を真ん
中にして、その軸線方向の両端面に絶縁性薄膜４２ａ・
４２ｂ及び第２電極となる導電性薄膜４３ａ・４３ｂを
積層形成し、更にその軸線方向の両側にガスケット４４
ａ・４４ｂを介して接続用フランジ４５ａ・４５ｂを重
合し、これらの内周面によって面一に連続する流体通路
４６を形成したものである。
【００２０】図３の第３実施例の場合のセル定数Ｃの理
論値は、図４に示すように電極の内径断面積をＳ、電極
間距離をＬとすると、 Ｃ＝２Ｌ／Ｓ となる。今、図３において絶縁性薄膜４２ａ・４２ｂの
それぞれの厚さを４μ、第１電極４１の内径を１０ｍｍ
とすると、セル定数Ｃは次のようになる。 Ｃ＝２×４×１０-4÷（π×１2 ÷４）＝０．００１０
２ｃｍ-1 なお、実験による実測値は０．０００９１ｃｍ-1であっ
た。
論値は、図４に示すように電極の内径断面積をＳ、電極
間距離をＬとすると、 Ｃ＝２Ｌ／Ｓ となる。今、図３において絶縁性薄膜４２ａ・４２ｂの
それぞれの厚さを４μ、第１電極４１の内径を１０ｍｍ
とすると、セル定数Ｃは次のようになる。 Ｃ＝２×４×１０-4÷（π×１2 ÷４）＝０．００１０
２ｃｍ-1 なお、実験による実測値は０．０００９１ｃｍ-1であっ
た。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように請求項１及び２に係
る発明によれば、いずれもリング状の第１電極、第２電
極及び絶縁体の内周面を面一にして連続させているた
め、電極面積を極力大きくしてセル定数を小さくでき、
また請求項４及び５に係る発明によれば、リング状導電
体である第１電極のリング状端面に、絶縁性薄膜及び第
２電極となる導電性薄膜を積層形成しているため、第１
電極によって必要な電極面積を確保できるとともに、第
１電極と第２電極（導電性薄膜）との間の距離は絶縁性
薄膜の厚さによって決まるため、セル定数を小さくでき
る。従って、電極部のセル定数を従来よりも１桁小さい
０．００１程度まで小さくすることが可能となり、超純
水や精製水などの導電率がそもそも低い液体であって
も、その導電率を高精度に検出することができる。ま
た、流体の滞留部を発生させたり流速変化を生じさせる
ことがないので、汚れが電極に付着することによる検出
精度の劣化も防止できる。
る発明によれば、いずれもリング状の第１電極、第２電
極及び絶縁体の内周面を面一にして連続させているた
め、電極面積を極力大きくしてセル定数を小さくでき、
また請求項４及び５に係る発明によれば、リング状導電
体である第１電極のリング状端面に、絶縁性薄膜及び第
２電極となる導電性薄膜を積層形成しているため、第１
電極によって必要な電極面積を確保できるとともに、第
１電極と第２電極（導電性薄膜）との間の距離は絶縁性
薄膜の厚さによって決まるため、セル定数を小さくでき
る。従って、電極部のセル定数を従来よりも１桁小さい
０．００１程度まで小さくすることが可能となり、超純
水や精製水などの導電率がそもそも低い液体であって
も、その導電率を高精度に検出することができる。ま
た、流体の滞留部を発生させたり流速変化を生じさせる
ことがないので、汚れが電極に付着することによる検出
精度の劣化も防止できる。
【００２２】請求項３に係る発明のように、一対のリン
グ状第２電極に配管接続用のフランジ部を設けると、配
管接続が容易になるとともに、部品点数を削減できる。
グ状第２電極に配管接続用のフランジ部を設けると、配
管接続が容易になるとともに、部品点数を削減できる。
【図１】本発明の第１実施例の断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の半断面した斜視図であ
る。
る。
【図３】本発明の第３実施例の概要断面図である。
【図４】第３実施例のセル定数を導き出すための説明図
である。
である。
【図５】従来例の概要断面図である。
【図６】別の従来例の断面図である。
１ 第１電極 ２ａ・２ｂ 絶縁体 ３ａ・３ｂ 第２電極 １０ａ・１０ｂ 接続用フランジ部 ２１ 第１電極 ２２ａ・２２ｂ 絶縁体 ２３ａ・２３ｂ 第２電極 ２８ａ・２８ｂ 接続用フランジ部 ４１ 第１電極 ４２ａ・４２ｂ 絶縁性薄膜 ４３ａ・４３ｂ 導電性薄膜
Claims (5)
- 【請求項１】第１電極と第２電極との間に絶縁体を介在
させ、これら両電極に接触して流れる流体の導電率を、
両電極間の電気抵抗によって測定する導電率センサにお
いて、前記第１電極、第２電極及び絶縁体のいずれもリ
ング状として、第１電極、絶縁体、第２電極の順にそれ
らの内周面が面一に連続するように軸線方向に並べて重
合し、これらの内側に円筒形の流体通路を形成したこと
を特徴とする導電率センサ。 - 【請求項２】リング状第１電極の軸線方向の両側に、一
対のリング状絶縁体を重合し、更にその外側に一対のリ
ング状第２電極を重合して、これらの内周面を面一に連
続させたことを特徴とする請求項１に記載の導電率セン
サ。 - 【請求項３】一対のリング状第２電極に配管接続用のフ
ランジ部を設けたことを特徴とする請求項１に記載の導
電率センサ。 - 【請求項４】第１電極と第２電極との間に絶縁体を介在
させ、これら両電極に接触して流れる流体の導電率を、
両電極間の電気抵抗によって測定する導電率センサにお
いて、前記第１電極をリング状導電体で構成し、その軸
線方向のリング状端面に前記絶縁体として絶縁性薄膜、
前記第２電極として導電性薄膜を積層形成したことを特
徴とする導電率センサ。 - 【請求項５】絶縁性薄膜及び導電性薄膜をリング状導電
体の両側の端面にそれぞれ形成したことを特徴とする請
求項４に記載の導電率センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20275995A JPH0933582A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 導電率センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20275995A JPH0933582A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 導電率センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0933582A true JPH0933582A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16462706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20275995A Pending JPH0933582A (ja) | 1995-07-18 | 1995-07-18 | 導電率センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0933582A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208710A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Saginomiya Seisakusho Inc | 電気伝導度センサ |
| JP2012519286A (ja) * | 2009-03-04 | 2012-08-23 | ユニバーサル ナノセンサー テクノロジーズ インコーポレーテッド | コンダクタンス検出システム及び方法 |
-
1995
- 1995-07-18 JP JP20275995A patent/JPH0933582A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001208710A (ja) * | 2000-01-26 | 2001-08-03 | Saginomiya Seisakusho Inc | 電気伝導度センサ |
| JP2012519286A (ja) * | 2009-03-04 | 2012-08-23 | ユニバーサル ナノセンサー テクノロジーズ インコーポレーテッド | コンダクタンス検出システム及び方法 |
| US8736287B2 (en) | 2009-03-04 | 2014-05-27 | Universal Nanosensor Technologies Inc. | Conductance detection system and method |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040226 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040414 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20040818 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |