JPH0936112A

JPH0936112A - Ａｌ配線の形成方法

Info

Publication number: JPH0936112A
Application number: JP18742395A
Authority: JP
Inventors: Hirotaka Mori; 浩高森
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 1995-07-24
Filing date: 1995-07-24
Publication date: 1997-02-07

Abstract

(57)【要約】【目的】貫通孔の埋め込みを良好にすることができか
つＡｌ配線層の表面に生じる凹凸の大きさを従来より小
さくできるＡｌ配線の形成方法を提供する。【構成】まず、下地11上の絶縁膜13に、貫通孔13a が
形成済みの試料を用意する。次に、貫通孔13a を含む絶
縁膜13上に、Ｔｉ膜15を形成する。次に、試料の下側か
ら、200 ℃程度に加熱したＡｒガスを吹きつけながら、
貫通孔13a を含む、Ｔｉ膜15が設けられた絶縁膜13上
に、目的とする膜厚に対して20％〜40％程度の膜厚とな
るまでＡｌを堆積し、低温Ａｌ膜17a を形成する。次
に、低温Ａｌ膜17a 上に、400 ℃程度に加熱したＡｒガ
スを試料の下側から吹きつけながら、目的とする膜厚の
20％〜40％程度の膜厚になるまで、Ａｌ膜を堆積してい
き、中温Ａｌ膜17b を形成する。次に、中温Ａｌ膜17b
上に、500 ℃程度に加熱したＡｒガスを試料の下側から
吹きつけながら、目的とする膜厚に達するまで、30〜50
秒間でＡｌを堆積し、高温Ａｌ膜17c を形成する。そし
て、低温Ａｌ膜17a 、中温Ａｌ膜17b 、高温Ａｌ膜17c
を合わせた膜をＡｌ配線17とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、多層配線構造を有し
た半導体素子の製造等に用いるＡｌ配線の形成方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子では、多層配線が多用され
る。そのため、半導体素子の製造に当たっては、上層配
線を形成する予定の下地上に該下地との接続に用いられ
る貫通孔を有した絶縁膜を形成し、次にこの貫通孔内お
よびこの絶縁膜の所定部分上にＡｌ配線を形成するとい
う工程が多々実施される。その場合の一方法として以下
に説明する方法がある。貫通孔を有した絶縁膜までの形
成が済んだ試料上に高融点金属の薄膜を形成する。次に
試料の温度を２００℃程度に保持しながらスパッタ法に
より目的とする膜厚（Ａｌ配線の最終的な膜厚）の３０
〜４０％の膜厚までＡｌ膜を形成する。次に、試料の温
度を５００℃程度に保持しながらスパッタ法により累積
膜厚が目的とする膜厚になるまでＡｌ膜を形成し、Ａｌ
配線を得る。ここで、高融点金属膜はＡｌの絶縁膜に対
するぬれ性を確保するため使用される。また、試料温度
を当初２００℃程度と低温にしているのは、試料温度が
高いと試料に付着しようとするＡｌが粒状にはじかれて
しまって貫通孔内のＡｌの被覆性が悪化するので、これ
を防止するためである。また、試料温度を途中から５０
０℃程度と高温にしているのは、こうするとＡｌが成膜
中流動して貫通孔内を埋めるようになるので、貫通孔内
でも十分な膜厚をもつＡｌ配線が形成できるからであっ
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タ法を用いかつ成膜中の温度条件を２段階に変えてＡｌ
膜（Ａｌを主とする材料の膜の場合も含む）を形成する
従来のＡｌ配線の形成方法では、以下に説明するような
問題点があった。すなわち、低温の温度条件によりＡｌ
膜の形成が済んだ試料（中間体）においては、確かに貫
通孔内でのＡｌ膜の被覆性は確保されるのであるが、貫
通孔の入口付近に形成されたＡｌ膜部分の膜厚の方が貫
通孔の底部に形成されたＡｌ膜部分の膜厚よりも厚くな
るため、貫通孔の入口付近の孔径が底部に比べ狭められ
てしまう。すなわち、貫通孔の入口付近にＡｌ膜がひさ
し状に形成されてしまう。したがって、その後に高温の
温度条件でなされる第２段階のＡｌ膜の形成工程では、
貫通孔の入口付近にひさし状のＡｌ膜部分を貫通孔内に
流動させ得る点を考慮して成膜を行う必要があることか
ら、高温に保持される時間がどうしても長くなってしま
う。高温の温度条件での成膜時間が長くなると、Ａｌの
グレイン成長が過度に進行してしまうので、形成された
Ａｌ配線は表面凹凸が大きなものとなってしまう。形成
されたＡｌ配線が表面凹凸の大きなものであると、例え
ば、後にリソグラフィ工程において、マスク合わせ用の
位置決めマークの識別が困難になる等の不具合が生じ
る。貫通孔内を所望通りに埋め込みでき、かつ、表面の
平坦性が良好なＡｌ配線を形成できる方法が望まれる。

【０００４】

【課題を解決するための手段】そこで、この発明によれ
ば、下地との接続に用いられる貫通孔を有した絶縁膜の
貫通孔内および絶縁膜上に、ＡｌまたはＡｌを主とする
材料からなる配線（以下、これらを総括してＡｌ配線と
称することがある。）を形成するにあたり、以下の第１
〜第３の各方法を主張する。

【０００５】１．第１のＡｌ配線の形成方法貫通孔内での材料の被覆性が確保される低温の温度条
件でかつ目的とする膜厚より薄い膜厚に、Ａｌまたは上
述した材料の膜を形成する。ここでいう低温の温度条件
における温度範囲は、貫通孔の部分で、段切れを起こさ
ずに被覆性が確保される程度に膜形成が行えるような温
度条件とする。この条件は、形成する膜が直接触れる下
層膜（例えば絶縁膜や、Ａｌのぬれ性を良好にするため
に絶縁膜上に設けた例えば高融点金属の膜）の材料にも
左右されるが、例えばＴｉ（チタン）膜で覆われた貫通
孔内および絶縁膜上にＡｌ膜を形成する場合は、２００
℃程度とできる。

【０００６】低温の温度条件による膜形成後に、この
形成した膜上に、低温の温度条件よりは高い温度条件で
あって、上述の材料の粒子の流動が生じ得る程度の中温
の温度条件でかつ累積膜厚が目的とする膜厚に達しない
膜厚に上述の材料の膜を形成する。ここでいう中温は、
膜形成後の貫通孔の上部の開口部分が広がる程度に、配
線材料の粒子の流動が生じ得るくらいの温度にすれば良
い。また、Ａｌのグレイン成長が生じないように、Ａｌ
の融点よりも十分に低い温度である必要がある。このた
め、中温の温度条件は、４００〜４５０℃程度の温度範
囲に設定すれば良い。また、ここでいう累積膜厚は、低
温で形成した膜と中温で形成した膜とを合わせた膜厚で
ある。

【０００７】中温の温度条件による膜形成後に、この
膜上に、中温の温度条件よりは高い温度条件であってＡ
ｌ配線材料の融点よりは低い高温の温度条件でかつ累積
膜厚が目的とする膜厚に達するまで配線材料の膜を形成
して配線を得る。ここでいう高温の温度条件は、Ａｌを
液状に近い状態になるようにして貫通孔の埋め込みを可
能にする温度である。よって、中温より高い温度が必要
であるが、融点に達してしまうとＡｌのグレイン成長が
進行するため、融点よりは低い温度にする。このため、
５００℃程度とするのが良い。

【０００８】２．第２のＡｌ配線の形成方法第１の方法と同様に、低温の温度条件でかつ目的とす
る膜厚より薄い膜厚に配線材料の膜を形成する。

【０００９】低温の温度条件により膜を形成した試料
に対し、上述の中温の温度条件で加熱処理をする。この
場合、スパッタリング法による膜を形成するのではな
く、低温で形成した膜の配線材料の粒子を流動させて貫
通孔の上部の開口部分を被覆する膜が流動して開口部分
が大きく広がるようにする。このため、このときの温度
設定は、上述した第１方法における中温の温度設定条件
よりも多少温度を高めにしなければいけない場合も考慮
に入れ、好適な温度は４００〜４８０℃程度であると考
えられる。

【００１０】加熱処理の済んだ試料の、形成した配線
材料の膜上に、高温の温度条件で、累積膜厚が目的とす
る膜厚（Ａｌ配線として最終的に得たい膜厚）に達する
まで配線材料の膜を形成する。このときの温度条件は上
記第１の方法と同様とできる。

【００１１】３．第３のＡｌ配線の形成方法第１および第２の方法と同様に低温の温度条件でかつ
目的とする膜厚より薄い膜厚に配線材料の膜を形成す
る。

【００１２】低温の温度条件による膜形成後に形成し
た膜上に、中温の温度条件でかつ累積膜厚が目的とする
膜厚に達するまで配線材料の膜を形成する。このときの
温度条件の範囲は第１の方法と同様に４００〜４５０℃
程度とするのがよい。

【００１３】中温の温度条件により膜を形成した試料
に対し、高温の温度条件で加熱処理をして配線を得る。

【００１４】なお、上述の第１〜第３の各方法におい
て、各温度条件で膜形成および加熱処理を行うにあた
り、加熱の手段は種々のものとすることができる。例え
ば加熱したＡｒ（アルゴン）ガスを試料に当てて試料を
加熱するガス加熱法、あるいはランプにより試料を加熱
する方法は温度制御が容易であり、好適な例である。

【００１５】ここで、下地とは、Ａｌの配線を形成した
い種々のものとできる。例えば半導体基板や下層配線の
形成が済んだ半導体基板は下地の典型例として挙げられ
る。また、Ａｌを主とする材料とは、ＣｕやＳｉ等を数
％含んだＡｌ合金等、例えばＡｌ−Ｓｉ_0.01、Ａｌ−Ｓ
ｉ_0.01−Ｃｕ_0.005 等が挙げられる。

【００１６】

【作用】上述したこの発明の第１および第２のＡｌ配線
の形成方法によれば、下地との接続に用いられる貫通孔
を有した絶縁膜の貫通孔内および絶縁膜上に、Ａｌ配線
を、スパッタ法により形成するＡｌ配線の形成方法にお
いて、まず、貫通孔内での配線材料の被覆性が確保され
る低温の温度条件で目的の膜厚よりも薄い膜厚に、この
配線材料の膜を形成している。低温の温度条件で膜を形
成すると、貫通孔の底部や側面を覆う膜の膜厚は薄い
が、それに対して上部の開口部付近を覆う膜厚は厚く、
開口部が狭くなっている。このため、この後に、それぞ
れ次のような処理をする。第１の方法では低温で形成し
た膜上に、低温の温度条件よりは高い温度条件であっ
て、上述の材料の粒子の流動が生じ得る程度の中温の温
度条件で、累積膜厚が目的とする膜厚に達しない膜厚に
配線材料の膜を形成する。そして、第２の方法では、低
温で配線材料の膜を形成した後の試料に前述の中温で加
熱処理をして、低温で形成した膜の粒子の流動を生じさ
せる。この結果、貫通孔を被覆するＡｌ膜の貫通孔の開
口部付近は大きく広がるような形になる。このため、そ
の後の高温の温度条件で膜を形成する時間を従来よりも
短く、すなわちＡｌグレインの過度な成長が生じてしま
うよりも短い時間でＡｌ膜の形成を終了することができ
る。

【００１７】また、第３の方法では低温の温度条件であ
って目的とする膜厚より薄い膜厚に配線材料の膜を形成
した後、中温の温度条件でかつ累積膜厚が目的とする膜
厚に達するまで配線材料の膜を形成しておく。その後、
高温の温度条件で加熱処理をして、中温で形成した膜を
液状に近い状態にさせることにより貫通孔の埋め込みを
完全に行い、Ａｌ配線を形成する。このように、中温で
目的の膜厚まで配線膜の形成をしてしまうため、高温で
膜形成をする従来の方法に比べて過度なグレイン成長が
進行することがほとんどなくなる。

【００１８】

【実施例】以下、図面を参照して、この発明の実施例に
つき説明をする。各図は、発明が理解できる程度に各構
成成分の大きさ、形状および配置関係等を概略的に示し
てあるにすぎず、したがって図示例にのみ限るものでは
ないことは明らかである。また、各図において同一の構
成成分には同じの符号を付して示してあり、断面を表す
ハッチング等は一部分を除き省略してある。なお、第一
〜第三実施例はすべて、Ａｌ配線の材料としてＡｌを用
いた例であり、実施例において、低温で形成したＡｌ膜
を低温Ａｌ膜、中温で形成したＡｌ膜を中温Ａｌ膜、高
温で形成したＡｌ膜を高温Ａｌ膜と称している。

【００１９】＜第一実施例＞図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、
この発明のＡｌ配線の形成方法の第一実施例の説明に供
する概略的な工程図であり、実施例の形成工程中の主な
工程での試料の様子を、貫通孔を含む部分の断面図で示
している。第一実施例では、第１のＡｌ配線の形成方法
について工程順に説明する。

【００２０】まず、下地１１上に、ＳｉＯ₂ 等からなる
絶縁膜１３を形成し、次いでこの絶縁膜の所望位置に下
地との接続に用いられる貫通孔１３ａを形成する。この
ようにして下地１１と、貫通孔１３ａを有した絶縁膜１
３とで形成された試料を用意する。そして、この試料
の、貫通孔１３ａを含む絶縁膜１３上にＴｉ膜１５を設
ける（図１の（Ａ））。このＴｉ膜１５は、後工程で設
けるＡｌ配線のぬれ性（密着性）を良好にするために設
けるものであり、ＴｉＮ膜等とすることもできる。

【００２１】次に、試料の下側から、Ａｌの被覆性が確
保される程度の低温として、２００℃程度に加熱したＡ
ｒガスを吹きつけながら、目的とする膜厚（Ａｌ配線と
して最終的に得たい膜厚）に対して２０％〜４０％程度
の膜厚となるまでＡｌを堆積していき、低温Ａｌ膜１７
ａを形成する（図１の（Ｂ））。このとき、貫通孔１３
ａを覆う低温Ａｌ膜１７ａは、貫通孔１３ａの開口部付
近で厚く覆われるために、開口部が狭くなっている。以
下、この貫通孔１３ａを覆う低温Ａｌ膜１７ａの断面形
状をオーバーハング状と称する。

【００２２】次に、低温Ａｌ膜１７ａ上に、低温の温度
条件よりは高い温度条件であってＡｌの粒子の流動が生
じ得る程度の中温の温度として４００℃程度に加熱した
Ａｒガスを試料の下側から吹きつけながら、目的とする
膜厚の２０〜４０％程度の膜厚になるまで、さらにＡｌ
を堆積していき、中温Ａｌ膜１７ｂを形成する。このと
き、低温Ａｌ膜１７ａの膜厚と中温Ａｌ膜１７ｂの膜厚
とを合わせた膜厚である累積膜厚が、目的とする膜厚に
達しない膜厚となるようにする。この実施例では、累積
膜厚は、目的とする膜厚（Ａｌ配線として最終的に得た
い膜厚）の４０〜８０％となる。中温Ａｌ膜１７ｂ形成
後の、貫通孔１３ａを覆う中温Ａｌ膜１７ｂは、Ａｌ粒
子の流動が起こるために貫通孔１３ａの開口部が広がっ
ている（図１の（Ｃ））。以下、貫通孔１３ａを覆う中
温Ａｌ膜１７ｂのような断面形状をフロー形状という。

【００２３】次に、中温Ａｌ膜１７ｂ上に、５００℃程
度に加熱したＡｒガスを試料の下側から吹きつけなが
ら、目的とする膜厚に達するまで、３０〜５０秒間でＡ
ｌを堆積していくき、高温Ａｌ膜１７ｃを形成する。そ
して、低温Ａｌ膜１７ａ、中温Ａｌ膜１７ｂ、および高
温Ａｌ膜１７ｃを合わせてＡｌ配線１７とする（図１の
（Ｄ））。このように、貫通孔１３ａを覆う中温Ａｌ膜
１７ｂの断面形状がフロー形状であるために、高温Ａｌ
膜１７ｃを形成する時間が従来よりも少ない３０〜５０
秒間で済む。このため、Ａｌグレインの過度な成長を抑
え、表面に凹凸の少ないＡｌ配線１７を形成することが
できる。

【００２４】なお、Ｔｉ膜１５の形成とその後のＡｌ配
線の形成は、酸化防止のため、真空中で連続して行うこ
とが望ましい。例えば、すべて同じ装置で連続して形成
できるマルチチャンバー等の装置を用いると、形成が容
易である。

【００２５】＜第二実施例＞図２の（Ａ）〜（Ｄ）は、
この発明のＡｌ配線の形成方法の第二実施例の説明に供
する概略的な工程図であり、図１に倣って示している。
第二実施例では、第２のＡｌ配線の形成方法について工
程順に説明する。

【００２６】まず、第一実施例と同様の手順で形成され
た、下地１１と、貫通孔１３ａを有した絶縁膜１３とで
構成された試料を用意する。そして、この試料の、貫通
孔１３ａを含む絶縁膜１３上にＴｉ膜１５を設ける（図
２の（Ａ））。

【００２７】次に、試料の下側から、２００℃程度に加
熱したＡｒガスを吹きつけながら、目的とする膜厚（Ａ
ｌ配線として最終的に得たい膜厚）に対して２０％〜６
０％程度の膜厚となるまで、Ａｌを堆積していき、低温
Ａｌ膜２７ａを形成する（図２の（Ｂ））。このとき、
貫通孔１３ａを覆う低温Ａｌ膜２７ａの断面形状はオー
バーハング状となっている。

【００２８】次に、低温Ａｌ膜２７ａ形成後に、４６０
℃程度に加熱したＡｒガスを試料の下側から３０〜９０
秒間吹きつけることにより、Ａｌの粒子の流動を生じさ
せて貫通孔１３ａを覆う断面形状をフロー形状にし、こ
れを中温Ａｌ膜２７ｂとする。（図２の（Ｃ））。

【００２９】次に、中温Ａｌ膜２７ｂ上に、５００℃程
度に加熱したＡｒガスを試料の下側から吹きつけなが
ら、目的とする膜厚に達するまで、３０〜５０秒間でＡ
ｌを堆積し、高温Ａｌ膜２７ｃを形成する。そして、中
温Ａｌ膜２７ｂと高温Ａｌ膜２７ｃとを合わせてＡｌ配
線２７とする（図２の（Ｄ））。

【００３０】その他については第一実施例と同様である
ため、詳細な説明を省略する。

【００３１】＜第三実施例＞図３の（Ａ）〜（Ｄ）は、
この発明のＡｌ配線の形成方法の第三実施例の説明に供
する概略的な工程図であり、図１および図２に倣って示
している。第三実施例では、第３のＡｌ配線の形成方法
について工程順に説明する。

【００３２】まず、第一および第二実施例と同様の手順
で形成された、下地１１と、貫通孔１３ａを有した絶縁
膜１３とで構成された試料を用意する。そして、この試
料の、貫通孔１３ａを含む絶縁膜１３上にＴｉ膜１５を
設ける（図３の（Ａ））。

【００３３】次に、試料の下側から、２００℃程度に加
熱したＡｒガスを吹きつけながら、目的とする膜厚に対
して２０％〜４０％程度の膜厚に達するまで、Ａｌを堆
積していき、低温Ａｌ膜３７ａを設ける（図３の
（Ｂ））。このとき、貫通孔１３ａを覆う低温Ａｌ膜３
７ａの断面形状はオーバーハング状となっている。

【００３４】次に、低温Ａｌ膜３７ａ上に、４００℃程
度に加熱したＡｒガスを試料の下側から吹きつけなが
ら、目的とする膜厚に達するまで、３０〜９０秒間でＡ
ｌを堆積していき、中温Ａｌ膜３７ｂを形成する。この
とき、貫通孔１３ａを覆う中温Ａｌ膜３７ｂの断面形状
はフロー状であり、開口部が広くなっている（図３の
（Ｃ））。

【００３５】次に、中温Ａｌ膜３７ｂ形成後に、５００
〜５５０℃程度に加熱したＡｒガスを試料の下側から６
０〜１２０秒間吹きつけることにより、中温Ａｌ膜３７
ｂを液状に近い状態にし、貫通孔１３ａ内を埋め込みか
つ表面が平坦な高温Ａｌ膜３７ｂを形成する。そして、
低温Ａｌ膜３７ａと高温Ａｌ膜３７ｃとを合わせてＡｌ
配線３７とする（図３の（Ｄ））。

【００３６】第三の方法の場合は中温Ａｌ膜を形成した
時点で目的とする膜厚に達しているため、その後高温で
加熱処理をしてもＡｌグレインの過度な成長はほとんど
生じることがない。したがって、Ａｌ配線の表面に凹凸
が生じる心配がない。

【００３７】その他については第一および第二実施例と
同様であるため、詳細な説明を省略する。

【００３８】

【発明の効果】上述した説明からも明らかなように、こ
の発明のＡｌ配線の形成方法によれば、従来の低温−高
温の２段階に分けてＡｌ配線膜の形成をする方法に対
し、間に中温で処理する工程を入れたために、Ａｌグレ
インの過度な成長を抑えることが可能になり、したがっ
てＡｌ配線の表面に生じる凹凸の大きさを従来に比べ小
さくできる。このため、Ａｌ配線上にさらに形成する絶
縁膜等のパターン形成が正確になり、高集積化や微細化
に対応したデバイスの製造をすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｄ）は、第１の方法における実施例
の説明に供する、概略的な断面工程図である。

【図２】（Ａ）〜（Ｄ）は、第２の方法における実施例
の説明に供する、概略的な断面工程図である。

【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は、第３の方法における実施例
の説明に供する、概略的な断面工程図である。

【符号の説明】

１１：下地１３：絶縁膜１３ａ：貫通孔１５：Ｔｉ膜１７、２７、３７：Ａｌ配線１７ａ、２７ａ、３７ａ：低温Ａｌ膜１７ｂ、２７ｂ、３７ｂ：中温Ａｌ膜１７ｃ、２７ｃ、３７ｃ：高温Ａｌ膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下地との接続に用いられる貫通孔を有し
た絶縁膜の該貫通孔内および該絶縁膜上に、Ａｌまたは
Ａｌを主とする材料からなる配線を、スパッタ法により
形成するＡｌ配線の形成方法において、貫通孔内でのＡｌまたは前記材料の被覆性が確保される
低温の温度条件でかつ目的とする膜厚より薄い膜厚にＡ
ｌまたは前記材料の膜を形成し、前記低温の温度条件による膜形成後に該形成した膜上
に、前記低温の温度条件よりは高い温度条件であってＡ
ｌ粒子の流動が生じ得る程度の中温の温度条件でかつ累
積膜厚が前記目的とする膜厚に達しない膜厚にＡｌまた
は前記材料の膜を形成し、該中温の温度条件による膜形成後に該形成した膜上に、
前記中温の温度条件よりは高い温度条件であってＡｌの
融点よりは低い高温の温度条件でかつ累積膜厚が前記目
的とする膜厚に達するまでＡｌまたは前記材料の膜を形
成して当該配線を得ることを特徴とするＡｌ配線の形成
方法。
【請求項２】下地との接続に用いられる貫通孔を有し
た絶縁膜の該貫通孔内および該絶縁膜上に、Ａｌまたは
Ａｌを主とする材料からなる配線を、スパッタ法により
形成するＡｌ配線の形成方法において、貫通孔内でのＡｌまたは前記材料の被覆性が確保される
低温の温度条件でかつ目的とする膜厚より薄い膜厚にＡ
ｌまたは前記材料の膜を形成し、前記低温の温度条件により膜を形成した試料に対し、前
記低温の温度条件よりは高い温度条件であってＡｌ粒子
の流動が生じ得る程度の中温の温度条件で加熱処理を
し、該加熱処理の済んだ試料の前記形成した膜上に、前記中
温の温度条件よりは高い温度条件であってＡｌの融点よ
りは低い高温の温度条件でかつ累積膜厚が前記目的とす
る膜厚に達するまでＡｌまたは前記材料の膜を形成して
当該配線を得ることを特徴とするＡｌ配線の形成方法。
【請求項３】下地との接続に用いられる貫通孔を有し
た絶縁膜の該貫通孔内および該絶縁膜上に、Ａｌまたは
Ａｌを主とする材料からなる配線を、スパッタ法により
形成するＡｌ配線の形成方法において、貫通孔内でのＡｌまたは前記材料の被覆性が確保される
低温の温度条件でかつ目的とする膜厚より薄い膜厚にＡ
ｌまたは前記材料の膜を形成し、前記低温の温度条件による膜形成後に該形成した膜上
に、前記低温の温度条件よりは高い温度条件であってＡ
ｌ粒子の流動が生じ得る程度の中温の温度条件でかつ累
積膜厚が前記目的とする膜厚に達するまでＡｌまたは前
記材料の膜を形成し、該中温の温度条件により膜を形成した試料に対し、前記
中温の温度条件よりは高い温度条件であってＡｌの融点
よりは低い高温の温度条件で加熱処理をして当該配線を
得ることを特徴とするＡｌ配線の形成方法。