JPH0941161A

JPH0941161A - エッチングを用いた加工方法

Info

Publication number: JPH0941161A
Application number: JP21012095A
Authority: JP
Inventors: Yoji Iwamoto; 要司岩本
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 1995-07-26
Filing date: 1995-07-26
Publication date: 1997-02-10

Abstract

(57)【要約】【課題】量産に適し、微細構造を得ることができる加
工方法を提供する。【解決手段】基板１上に組成変調層を形成し、所定の
パターンをもったレジスト層３ａを形成する。レジスト
層３ａで覆われていない組成変調層の一部分にエッチン
グ液を作用させてエッチングを行うと、組成変調層２ａ
が得られる。組成変調層として、クロムと銅とを含み、
上面がクロム１００％，銅０％、下面がクロム０％，銅
１００％と、厚み方向に組成比が変化（上面ヘゆくほど
クロムが支配的、下面へゆくほど銅が支配的）する層を
用い、銅に対するエッチング速度がクロムに対するエッ
チング速度よりも速いエッチング液を用いれば、組成変
調層２ａの端面をテーパー状に加工することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はエッチングを用いた
加工方法、特に、金属層などの端面に対して微細な加工
を行うための加工方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子をはじめとする種々の電子デ
バイスは、近年、急速に小型化が図られており、金属層
などに対する微細加工技術も発達してきている。また、
最近、脚光を浴びているマイクロマシンニング技術にお
いても、金属部品に対する種々の微細加工技術が開発さ
れてきている。このような微細加工を行う方法は、物理
的な方法と化学的な方法とに大別できる。物理的な方法
としては、切削刃などを用いた機械加工や、レーザビー
ムを用いた加工などが一般的であり、化学的な方法とし
ては、主としてエッチング加工が知られている。

【０００３】たとえば、真空マイクロ素子は、半導体素
子の研究で培われた半導体の微細加工技術を利用して、
同一基板上に微細な真空管を集積したものであり、この
素子は、冷陰極と引出電極と陽極とを備え、引出電極に
よって冷陰極から電子を引き出してこれを陽極へと放出
させるものである。このような素子では、冷陰極から電
子を放出させる必要があるため、電子放出に適した尖鋭
な構造をもった冷陰極が必要になり、そのような冷陰極
を加工する種々の方法が提案されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】前述したように、金属
層などに対する微細加工方法としては、物理的な方法と
化学的な方法とが知られている。しかしながら、従来知
られている物理的な方法による加工は、個々のデバイス
ごとに、切削刃を駆動したりレーザビームを走査したり
することにより加工を行うため、非常に時間がかかりコ
ストが高くなる。このため、量産には適さないという問
題がある。これに対して、化学的な方法による加工は、
半導体製造プロセスなどで一般的に利用されているエッ
チングプロセスを用いることが可能なため、量産に適し
た加工が可能になるが、エッチングという化学反応を利
用した方法であるため、微細構造を得ることが困難であ
るという問題がある。

【０００５】そこで本発明は、量産に適し、かつ、微細
構造を得ることができる加工方法を提供することを目的
とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】

(1) 本発明の第１の態様は、所定のエッチャントに対
するエッチング速度が互いに異なる第１の材料および第
２の材料を用意し、一方の面へゆくほど第１の材料が支
配的になり、他方の面へゆくほど第２の材料が支配的に
なるように、第１の材料と第２の材料との組成比が厚み
方向に変化する組成変調層を、基板もしくは所定層上に
形成し、組成変調層の一部が露出するように、組成変調
層の上面に所定のパターンをもったレジスト層を形成
し、組成変調層の露出部分からエッチャントを作用させ
てエッチングを行うことにより組成変調層に対する加工
を行うようにしたものである。

【０００７】(2) 本発明の第２の態様は、所定のエッ
チャントに対するエッチング速度が互いに異なる第１の
材料および第２の材料を用意し、上面および下面へゆく
ほど第１の材料が支配的になり、内部の所定位置へゆく
ほど第２の材料が支配的になるように、第１の材料と第
２の材料との組成比が厚み方向に変化する組成変調層
を、基板もしくは所定層上に形成し、組成変調層の一部
が露出するように、組成変調層の上面に所定のパターン
をもったレジスト層を形成し、組成変調層の露出部分か
らエッチャントを作用させてエッチングを行うことによ
り組成変調層に対する加工を行うようにしたものであ
る。

【０００８】(3) 本発明の第３の態様は、上述の第１
または第２の態様に係る加工方法において、組成変調層
を複数層積層し、最上層の上面にレジスト層を形成し、
複数の組成変調層に対するエッチングを同時に行うよう
にしたものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示する実施の形
態に基づいて説明する。図１〜図４は、本発明の第１の
実施形態を示す側断面図である。この実施形態は、金属
層の端面をナイフエッジ状に加工するための方法であ
る。まず、図１に示すように、所定の基板１（もしく
は、基板上に形成された別な層でもよい）上に、組成変
調層２を用意する。この組成変調層２は、本発明の方法
による加工対象となる金属層である。ここでは、組成変
調層２は、上面へゆくほど第１の材料（クロムＣｒ）が
支配的になり、下面へゆくほど第２の材料（銅Ｃｕ）が
支配的になるように、第１の材料と第２の材料との組成
比が厚み方向に変化する層となっている。具体的には、
クロム：銅の組成比は、上面においては１００％：０
％、下面においては０％：１００％となっており、両面
の中間部分においてはその中間値をとり、上面へゆくほ
どクロムが支配的になり、下面へゆくほど銅が支配的に
なるように、厚み方向に徐々に変化する組成比となって
いる。この例では、この組成比は厚み方向に対して線形
に変化している。しかも、クロムと銅とは、所定のエッ
チャント（この例では、過塩素酸と硝酸第２セリウムア
ンモニウムとを主成分とするエッチング液（ザ・インク
テック株式会社製：商品名「ＭＲ−ＥＳ」））に対する
エッチング速度が異なる（銅のエッチング速度の方が速
い）。

【００１０】更に、図１に示すように、組成変調層２の
上面にレジスト層３を形成する。ここで、一般的なフォ
トリソグラフィの手法を用いて、レジスト層３をパター
ニングし、図２に示すように、所定のパターンをもった
レジスト層３ａを得る。その結果、組成変調層２の一部
が露出することになる。そこで、この露出部分から上記
エッチング液を作用させてエッチングを行う。このエッ
チング液は、クロムに対するエッチング速度よりも銅に
対するエッチング速度の方が速いという性質をもってい
るため、エッチングにより組成変調層２が部分的に除去
されると、図３に示すような側断面構造が得られること
になる。すなわち、組成変調層２の下方へゆくほど銅の
組成比が高くなるため、下方へゆくほどエッチング速度
が速くなり、図３に示すように、加工後の組成変調層２
ａの端部は上方ほど外側へと突き出たテーパー構造にな
る。

【００１１】最後に、レジスト層３ａを剥離除去する
と、図４に示すような側断面構造が得られる。基板１上
に形成された組成変調層２ａは、端面上隅にエッジＥを
有する構造となり、尖鋭なナイフエッジ構造が形成でき
る。

【００１２】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。図５，図６は、この第２の実施形態を示す側断面図
である。この実施形態は、金属層の端面を曲面加工する
ための方法である。まず、図５に示すように、所定の基
板１（もしくは、基板上に形成された別な層でもよい）
上に、組成変調層４を用意する。この組成変調層４は、
この方法による加工対象となる金属層であるが、前述の
実施形態で述べた組成変調層２とは若干組成分布が異な
っている。すなわち、上面および下面へゆくほど第１の
材料（銅Ｃｕ）が支配的になり、内部の所定位置（この
例では、厚みの１／２の位置）へゆくほど第２の材料
（クロムＣｒ）が支配的になるように、第１の材料と第
２の材料との組成比が厚み方向に変化する層となってい
る。具体的には、銅：クロムの組成比は、上面および下
面においては１００％：０％、厚みの１／２の位置の面
（以下、中央面という）においては０％：１００％とな
っており、中央面から上面にゆくにしたがって、クロム
の組成率が減少し銅の組成率が増加し、同様に、中央面
から下面にゆくにしたがって、クロムの組成率が減少し
銅の組成率が増加する。この例では、この組成比の増減
変化は、厚み方向に対して線形ではなく、中央面付近ほ
ど変化率が小さくなるように設定してある。

【００１３】この組成変調層４の上面に所定のパターン
をもったレジスト層３ａを形成し、組成変調層４の露出
部分から上記エッチング液を作用させてエッチングを行
うと、図６に示すような側断面構造が得られることにな
る。すなわち、組成変調層４の中央面に比べて、上面お
よび下面へゆくほど銅の組成比が高くなり、エッチング
速度が速くなるため、加工後の組成変調層４ａの端部は
中央面位置ほど外側へと突き出た構造になる。ただ、組
成比の厚み方向に関する増減変化は、上述したように、
中央面付近ほど変化率が小さくなるように設定されてい
たため、端部は丸みを帯びた構造となる。逆に、組成比
の厚み方向に関する増減変化を、中央面付近ほど変化率
が大きくなるように設定しておけば、端部の中央部が尖
鋭に突き出た構造を形成することができる。このよう
に、組成変調層４の組成比の変化率を適宜設定すること
により、所望の端部構造が得られることになる。また、
上述の例では、クロムが１００％となる中央面を厚みの
１／２の位置に設定しているが、この位置設定も適宜変
えることができる。

【００１４】次に、上述した第１の実施形態を複数層に
適用した例を図７および図８に示す側断面図に基づいて
説明する。まず、図７に示すように、所定の基板１（も
しくは、基板上に形成された別な層でもよい）上に、積
層構造体５０を用意する。この積層構造体５０は、この
方法による加工対象となる金属層であり、４つの組成変
調層５１〜５４から構成されている。これらの組成変調
層５１〜５４は、いずれも前述の第１の実施形態で述べ
た組成変調層２と全く同じ組成をもった層である。この
ような積層構造体５０の上面に所定のパターンをもった
レジスト層３ａを形成し、複数の組成変調層５１〜５４
に対するエッチングを同時に行うと、図８に示すよう
に、端面が鋸刃状構造をもった積層構造体５０ａが得ら
れることになる。このような積層構造体５０ａは、たと
えば、マイクロマシンニング用の歯車として利用するこ
とが可能である。

【００１５】なお、このような積層構造体に対して上方
からエッチングを行うと、下層に比べて上層の方がエッ
チング速度が速くなるのが一般的である。したがって、
図８に示すように、組成変調層５１ａ〜５４ａの端部が
ほぼ同じ形状に加工されるようにするためには、各組成
変調層における組成比を予め調整しておく必要がある。
たとえば、最上層の組成変調層５４については、組成比
を、上面：クロム１００％，銅０％→下面：クロム２０
％，銅８０％となるように線形変化させ、最下層の組成
変調層５１については、組成比を、上面：クロム８０
％，銅２０％→下面：クロム０％，銅１００％となるよ
うに線形変化させるようにすれば、最下層の組成変調層
５１の組成の方が、最上層の組成変調層５４の組成に比
べてよりエッチングを受けやすくなるため、積層状態の
上下位置によるエッチング速度の差を補正することがで
きる。

【００１６】同様に、上述した第２の実施形態を複数層
に適用することも可能である。まず、図９に示すよう
に、所定の基板１（もしくは、基板上に形成された別な
層でもよい）上に、積層構造体６０を用意する。この積
層構造体６０は、この方法による加工対象となる金属層
であり、４つの組成変調層６１〜６４から構成されてい
る。これらの組成変調層６１〜６４は、いずれも前述の
第２の実施形態で述べた組成変調層４と全く同じ組成を
もった層である。このような積層構造体６０の上面に所
定のパターンをもったレジスト層３ａを形成し、複数の
組成変調層６１〜６４に対するエッチングを同時に行う
と、図１０に示すように、端面が波型構造をもった積層
構造体６０ａが得られることになる。

【００１７】続いて、本発明の更に別な実施形態を、図
１１，図１２の側断面図を参照しながら説明する。この
実施形態は、前述した第２の実施形態におけるクロムと
銅とを入れ替えたものに相当する。まず、図１１に示す
ように、所定の基板１（もしくは、基板上に形成された
別な層でもよい）上に、組成変調層７を用意する。この
組成変調層７は、前述の第２の実施形態で述べた組成変
調層４と同様に、クロムと銅との組成変調層であるが、
クロム：銅の組成比は、上面および下面においては１０
０％：０％、中央面においては０％：１００％となって
おり、中央面から上面にゆくにしたがって、銅の組成率
が減少しクロムの組成率が増加し、同様に、中央面から
下面にゆくにしたがって、銅の組成率が減少しクロムの
組成率が増加する。しかも、組成比の増減変化は、厚み
方向に対して線形ではなく、中央面付近ほど変化率が小
さくなるように設定している。

【００１８】この組成変調層７の上面に所定のパターン
をもったレジスト層３ａを形成し、組成変調層７の露出
部分から上記エッチング液を作用させてエッチングを行
うと、図１２に示すような側断面構造が得られることに
なる。すなわち、組成変調層７の上面および下面に比べ
て、中央面へゆくほど銅の組成比が高くなり、エッチン
グ速度が速くなるため、加工後の組成変調層７ａの端部
は中央面位置ほど深く浸食された構造になる。ただ、組
成比の厚み方向に関する増減変化は、上述したように、
中央面付近ほど変化率が小さくなるように設定されてい
たため、端部は丸みを帯びて浸食された構造となる。逆
に、組成比の厚み方向に関する増減変化が、中央面付近
ほど変化率が大きくなるように設定しておけば、端部の
中央部が急峻な浸食を受けた構造を形成することができ
る。このように、組成変調層７の組成比の変化率を適宜
設定することにより、所望の端部構造が得られることに
なる。また、上述の例では、銅が１００％となる中央面
を厚みの１／２の位置に設定しているが、この位置設定
も適宜変えることができる。

【００１９】もちろん、上述の実施形態を複数層に適用
することも可能である。まず、図１３に示すように、所
定の基板１（もしくは、基板上に形成された別な層でも
よい）上に、積層構造体７０を用意する。この積層構造
体７０は、この方法による加工対象となる金属層であ
り、４つの組成変調層７１〜７４から構成されている。
これらの組成変調層７１〜７４は、いずれも上述の実施
形態で述べた組成変調層７と全く同じ組成をもった層で
ある。このような積層構造体７０の上面に所定のパター
ンをもったレジスト層３ａを形成し、複数の組成変調層
７１〜７４に対するエッチングを同時に行うと、図１４
に示すように、端面が波型に浸食された構造をもった積
層構造体７０ａが得られることになる。

【００２０】また、上述の実施形態を利用すれば、ほぼ
球状の空洞部をもった層を形成することも可能である。
いま、図１５に示すように、組成変調層７上にレジスト
層３ｂを形成する。ここで、組成変調層７は図１１に示
したものと全く同じ層であるが、レジスト層３ｂは図１
１に示したレジスト層３ａとは若干異なり、図１５の上
方に示すように、上面から見たときに円形の開口部Ｃが
形成されている。この円形開口部Ｃの直径は、組成変調
層７の厚みよりも小さく設定してある。このような構造
において、組成変調層７の露出部分から上記エッチング
液を作用させてエッチングを行うと、図１６に示すよう
な側断面構造が得られることになる。すなわち、残存し
た組成変調層７ｂによって囲まれた部分には、球状空洞
部Ｓが形成されることになる。

【００２１】本発明は、この他にも種々の実施形態が考
えられる。たとえば、図１〜図４に示した第１の実施形
態において、クロムと銅とを入れ替えれば、上面へゆく
ほど銅が支配的になり、下面へゆくほどクロムが支配的
になるような組成変調層が形成でき、このような組成変
調層に対して上述のエッチング液を用いたエッチングを
行えば、図４に示す構造とは逆のテーパ構造をもった層
を形成することができる。

【００２２】

【実施例】ここでは、本発明に係る加工方法を、電子放
出素子用の冷陰極の製造プロセスに適用した実施例を述
べる。まず、図１７の側断面図に示されているように、
基板１１の上に、窒化シリコンからなる層１２を厚み２
００ｎｍ程度に堆積形成する。続いて、その上に、銅か
らなる導電層１３を厚み２００ｎｍ程度に堆積形成し、
更にその上に、銅とクロムとの組成変調層１４を厚み数
ｎｍ〜数１０ｎｍ程度に堆積形成する。この組成変調層
１４は、前述した第１の実施形態において述べた組成変
調層２と同様に、クロム：銅の組成比が、上面において
は１００％：０％、下面においては０％：１００％とな
っており、上面へゆくほどクロムが支配的になり、下面
へゆくほど銅が支配的になるように、厚み方向に徐々に
変化する組成比をもった層である。このような組成変調
層を形成するには、クロムと銅とを同時にスパッタある
いは蒸着できるような環境において、層の形成初期にお
いては、銅の供給割合を１００％、クロムの供給割合を
０％とし、徐々に銅の供給割合を減少させるとともにク
ロムの供給割合を増加させてゆき、層の形成完了時にお
いては、銅の供給割合を０％、クロムの供給割合を１０
０％とするようにすればよい。

【００２３】次に、この組成変調層１４の上にレジスト
を塗布し、所定のフォトマスクを用いた露光を行い、こ
れを現像し、所定のパターンをもったレジスト層１５を
形成する。そして、過塩素酸と硝酸第２セリウムアンモ
ニウムとを主成分とするエッチング液（ザ・インクテッ
ク株式会社製：商品名「ＭＲ−ＥＳ」）をエッチャント
として用いて、レジスト層１５で覆われずに露出した組
成変調層１４をパターニングする。このとき、エッチャ
ントとしてのＭＲ−ＥＳは、銅からなる導電層１３に対
しても作用するので、組成変調層１４と導電層１３とが
同時にエッチングされてゆくことになる。ところが、組
成変調層１４の上方部分へゆくほど、エッチング速度の
遅いクロムの含有率が高くなってくるため、エッチング
の進行は遅くなり、テーパー構造が形成されることにな
る。組成変調層１４および導電層１３に対するエッチン
グが完了したら、ＣＦ_４とＯ_２との混合ガスなどをエッ
チャントとしたドライエッチングを行い、窒化シリコン
からなる層１２をエッチングする。

【００２４】結局、このエッチングプロセスにより、図
１８に示すように、窒化シリコンからなる層１２は絶縁
層１６を構成し、銅からなる導電層１３は供給用エミッ
タ層１７を形成する。一方、組成変調層１４は、上面側
のエッチング速度が遅くなるため、図１８に示すよう
に、上方ほど外側へと突き出たテーパー構造をもった放
出用エミッタ層１８が形成されることになる。

【００２５】最後に、レジスト層１５を剥離除去すれ
ば、図１９に示すような冷陰極１０が得られることにな
る。この冷陰極１０は、基板１１上に形成されており、
絶縁層１６、供給用エミッタ層１７、放出用エミッタ層
１８の３層から構成されている。ここで、絶縁層１６
は、窒化シリコン（ＳｉＮ）からなる厚み２００ｎｍ程
度の層、供給用エミッタ層１７は、銅（Ｃｕ）からなる
厚み２００ｎｍ程度の層、放出用エミッタ層１８は、ク
ロム（Ｃｒ）と銅（Ｃｕ）との組成変調膜からなる厚み
数ｎｍ〜数１０ｎｍ程度の層である。供給用エミッタ層
１７および放出用エミッタ層１８は、いずれも導電性の
層であるが、放出用エミッタ層１８は、端部から電子放
出を行う機能を果たし、供給用エミッタ層１７は、この
放出用エミッタ層１８に対して電子を供給する機能を果
たす。放出用エミッタ層１８の端部は、上述のエッチン
グ工程により、上方ほど外側へと突き出たテーパー構造
を有し、最上端部は非常に尖鋭なものになり、電子放出
に適した構造になる。

【００２６】レジスト層１５として、たとえば、図２０
に示すような平面パターンをもったレジスト層２５を用
いれば、図２１に斜視図を示すような冷陰極２０が得ら
れることになる。この冷陰極２０は、絶縁層２６、供給
用エミッタ層２７、放出用エミッタ層２８の３層から構
成されており、その側断面は図１９に示す冷陰極１０と
同じである。この冷陰極２０では、供給用エミッタ層２
７から供給された電子が、放出用エミッタ層２８の表面
から放出されることになる。実際に電子が放出される箇
所は、図２２の平面図に○印を付した角部であるが、図
１９の側断面図に示されているように、放出用エミッタ
層１８の最上端部は非常に尖鋭なエッジ構造を有してい
るため、これらの角部は三次元的に見ても非常に尖鋭な
角部となり、電子放出に非常に適した部分になる。

【００２７】以上、本発明を図示する実施例に基づいて
説明したが、本発明はこの実施例のような冷陰極の製造
プロセスに限定されるものではなく、材料層の端部に加
工が必要な分野に広く利用可能である。

【００２８】

【発明の効果】以上のとおり本発明に係るエッチングを
用いた加工方法によれば、加工対象となる層に組成変調
層を用い、この組成変調層に含まれている材料のエッチ
ング速度の差を利用した加工を行うようにしたため、量
産に適し、かつ、微細構造を得ることができる加工方法
を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る加工方法の第１
段階を示す側断面図である。

【図２】本発明の第１の実施形態に係る加工方法の第２
段階を示す側断面図である。

【図３】本発明の第１の実施形態に係る加工方法の第３
段階を示す側断面図である。

【図４】本発明の第１の実施形態に係る加工方法の第４
段階を示す側断面図である。

【図５】本発明の第２の実施形態に係る加工方法の第１
段階を示す側断面図である。

【図６】本発明の第２の実施形態に係る加工方法の第２
段階を示す側断面図である。

【図７】本発明の第１の実施形態を積層構造体に適用し
た加工方法の第１段階を示す側断面図である。

【図８】本発明の第１の実施形態を積層構造体に適用し
た加工方法の第２段階を示す側断面図である。

【図９】本発明の第２の実施形態を積層構造体に適用し
た加工方法の第１段階を示す側断面図である。

【図１０】本発明の第２の実施形態を積層構造体に適用
した加工方法の第２段階を示す側断面図である。

【図１１】本発明の別な実施形態に係る加工方法の第１
段階を示す側断面図である。

【図１２】本発明の別な実施形態に係る加工方法の第２
段階を示す側断面図である。

【図１３】本発明の別な実施形態を積層構造体に適用し
た加工方法の第１段階を示す側断面図である。

【図１４】本発明の別な実施形態を積層構造体に適用し
た加工方法の第２段階を示す側断面図である。

【図１５】本発明により層内に球状空洞部を形成する加
工方法の第１段階を示す側断面図である。

【図１６】本発明により層内に球状空洞部を形成する加
工方法の第２段階を示す側断面図である。

【図１７】本発明に係る加工方法による冷陰極の製造プ
ロセスの第１段階を示す側断面図である。

【図１８】本発明に係る加工方法による冷陰極の製造プ
ロセスの第２段階を示す側断面図である。

【図１９】本発明に係る加工方法による冷陰極の製造プ
ロセスの第３段階を示す側断面図である。

【図２０】図１７に示す段階において用いるレジスト層
の一例を示す平面図である。

【図２１】図２０に示すレジスト層を用いて製造した冷
陰極の斜視図である。

【図２２】図２１に示す冷陰極の上面図である。

【符号の説明】

１…基板２…組成変調層３，３ａ，３ｂ…レジスト層４，４ａ…組成変調層７，７ａ，７ｂ…組成変調層１０…冷陰極１１…基板１２…窒化シリコンからなる層１３…銅からなる導電層１４…クロムと銅の組成変調層１５…レジスト層１６…絶縁層１７…供給用エミッタ層１８…放出用エミッタ層２０…冷陰極２５…レジスト層２６…絶縁層２７…供給用エミッタ層２８…放出用エミッタ層５０，５０ａ…積層構造体５１〜５４，５１ａ〜５４ａ…組成変調層６０，６０ａ…積層構造体６１〜６４，６１ａ〜６４ａ…組成変調層７０，７０ａ…積層構造体７１〜７４，７１ａ〜７４ａ…組成変調層Ｃ…円形開口部Ｅ…エッジＳ…球状空洞部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】所定のエッチャントに対するエッチング
速度が互いに異なる第１の材料および第２の材料を用意
し、一方の面へゆくほど第１の材料が支配的になり、他方の
面へゆくほど第２の材料が支配的になるように、第１の
材料と第２の材料との組成比が厚み方向に変化する組成
変調層を、基板もしくは所定層上に形成し、前記組成変調層の一部が露出するように、前記組成変調
層の上面に所定のパターンをもったレジスト層を形成
し、前記組成変調層の露出部分から前記エッチャントを作用
させてエッチングを行うことにより前記組成変調層に対
する加工を行うことを特徴とするエッチングを用いた加
工方法。
【請求項２】所定のエッチャントに対するエッチング
速度が互いに異なる第１の材料および第２の材料を用意
し、上面および下面へゆくほど第１の材料が支配的になり、
内部の所定位置へゆくほど第２の材料が支配的になるよ
うに、第１の材料と第２の材料との組成比が厚み方向に
変化する組成変調層を、基板もしくは所定層上に形成
し、前記組成変調層の一部が露出するように、前記組成変調
層の上面に所定のパターンをもったレジスト層を形成
し、前記組成変調層の露出部分から前記エッチャントを作用
させてエッチングを行うことにより前記組成変調層に対
する加工を行うことを特徴とするエッチングを用いた加
工方法。
【請求項３】請求項１または２に記載の加工方法にお
いて、組成変調層を複数層積層し、最上層の上面にレジスト層
を形成し、複数の組成変調層に対するエッチングを同時
に行うことを特徴とするエッチングを用いた加工方法。