JPH0944820A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0944820A JPH0944820A JP7197208A JP19720895A JPH0944820A JP H0944820 A JPH0944820 A JP H0944820A JP 7197208 A JP7197208 A JP 7197208A JP 19720895 A JP19720895 A JP 19720895A JP H0944820 A JPH0944820 A JP H0944820A
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- magnetoresistive
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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Abstract
(57)【要約】
【目的】磁気抵抗効果型磁気ヘッドの電極間に突発的に
印加される静電圧による磁気抵抗効果素子部の破壊を防
止し、高密度磁気記録再生に最適な、信頼性の高い、製
造時の歩留まりの良好な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供すること。 【構成】基板上に、一対の磁気シールド層３、１０と、
磁気抵抗効果素子部６と、この磁気抵抗効果素子部にセ
ンス電流を流し、信号による電圧変化を検出するための
一対の電極９、９’とを配置し、この一対の電極９、
９’の一方と一対の磁気シールド層３、１０の一方の間
に誘電体１３’を設けてコンデンサを構成し、その容量
を５ｐＦから１００μＦとした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。コンデンサに代えて、磁気抵抗効果素子部の抵抗値
より大きな抵抗値の抵抗を設けてもよい。
印加される静電圧による磁気抵抗効果素子部の破壊を防
止し、高密度磁気記録再生に最適な、信頼性の高い、製
造時の歩留まりの良好な磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提
供すること。 【構成】基板上に、一対の磁気シールド層３、１０と、
磁気抵抗効果素子部６と、この磁気抵抗効果素子部にセ
ンス電流を流し、信号による電圧変化を検出するための
一対の電極９、９’とを配置し、この一対の電極９、
９’の一方と一対の磁気シールド層３、１０の一方の間
に誘電体１３’を設けてコンデンサを構成し、その容量
を５ｐＦから１００μＦとした磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。コンデンサに代えて、磁気抵抗効果素子部の抵抗値
より大きな抵抗値の抵抗を設けてもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
磁気記録装置に使用される磁気ヘッドで、磁気記録媒体
に記載された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する再
生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
磁気記録装置に使用される磁気ヘッドで、磁気記録媒体
に記載された信号を磁気抵抗効果を利用して検出する再
生専用の磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体に記録された信号を強磁性
体に特有の磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、一般に、特開昭６２−４
０６１０号に記載のように、基板上に少なくとも一対の
磁気シールド層と、横バイアス磁界を印加するための軟
磁性バイアス膜と、磁区構造を制御するための磁区制御
手段とを持つ磁気抵抗効果素子部と、さらにこの磁気抵
抗効果素子部にセンス電流を流し、信号電圧を検出する
ための電極とを有する。
体に特有の磁気抵抗効果を利用して検出する再生専用の
磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、一般に、特開昭６２−４
０６１０号に記載のように、基板上に少なくとも一対の
磁気シールド層と、横バイアス磁界を印加するための軟
磁性バイアス膜と、磁区構造を制御するための磁区制御
手段とを持つ磁気抵抗効果素子部と、さらにこの磁気抵
抗効果素子部にセンス電流を流し、信号電圧を検出する
ための電極とを有する。
【０００３】一方、特開昭６１−７７１１４号には、上
記磁気シールド層を等電位となるように繋ぎ、磁気シー
ルド層間で発生する静電的な放電を防ぐような構造の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドが開示されている。また、特開
平２−９４１０３号には、磁気抵抗効果素子の中心電位
を感知し、この中心電位を基準の電位に常に維持するよ
うなフィードバック手段を設けた磁気抵抗効果素子の保
護回路が開示されている。
記磁気シールド層を等電位となるように繋ぎ、磁気シー
ルド層間で発生する静電的な放電を防ぐような構造の磁
気抵抗効果型磁気ヘッドが開示されている。また、特開
平２−９４１０３号には、磁気抵抗効果素子の中心電位
を感知し、この中心電位を基準の電位に常に維持するよ
うなフィードバック手段を設けた磁気抵抗効果素子の保
護回路が開示されている。
【０００４】さらに、特開平６−１０３５０８号には、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドと並列にダイオード又は抵抗
体を接続するか又は磁気抵抗効果型磁気ヘッドを形成す
る磁気抵抗効果素子と並列に、この磁気抵抗効果素子よ
り小さい抵抗値の抵抗体を接続した磁気ディスク装置が
開示されている。さらにまた、特開平６−６０３３８号
には、磁気抵抗効果型ヘッドの端子間にある値以上の静
電圧が加わると、端子間を短絡する保護回路を持つ磁気
記憶装置が開示されている。
磁気抵抗効果型磁気ヘッドと並列にダイオード又は抵抗
体を接続するか又は磁気抵抗効果型磁気ヘッドを形成す
る磁気抵抗効果素子と並列に、この磁気抵抗効果素子よ
り小さい抵抗値の抵抗体を接続した磁気ディスク装置が
開示されている。さらにまた、特開平６−６０３３８号
には、磁気抵抗効果型ヘッドの端子間にある値以上の静
電圧が加わると、端子間を短絡する保護回路を持つ磁気
記憶装置が開示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの各種製造工程、すなわち素子、ヘッドの製造、組
立て工程等では、磁気抵抗効果素子部の両端の電極間に
色々な要因により突発的に静電圧が印加される場合があ
り、この静電圧の大きさによっては当該ヘッドの磁気抵
抗効果素子部の破壊が生じた。このような静電気による
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊は、磁気抵抗効果素子
部が薄膜の積層体で、通常では低いと考えられるような
静電圧でも非常に高密度の電流が容易に流れるという磁
気抵抗効果磁気ヘッド特有の構造による現象と考えられ
る。
ッドの各種製造工程、すなわち素子、ヘッドの製造、組
立て工程等では、磁気抵抗効果素子部の両端の電極間に
色々な要因により突発的に静電圧が印加される場合があ
り、この静電圧の大きさによっては当該ヘッドの磁気抵
抗効果素子部の破壊が生じた。このような静電気による
磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊は、磁気抵抗効果素子
部が薄膜の積層体で、通常では低いと考えられるような
静電圧でも非常に高密度の電流が容易に流れるという磁
気抵抗効果磁気ヘッド特有の構造による現象と考えられ
る。
【０００６】上記従来技術は、いずれもこのような磁気
抵抗効果素子部に突発的に印加される静電気に対する対
策は十分になされていないという問題があった。すなわ
ち、特開昭６２−４０６１０号に記載の従来技術は、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを開示するものであって、上記
静電気に対する対策は全く記載されていない。
抵抗効果素子部に突発的に印加される静電気に対する対
策は十分になされていないという問題があった。すなわ
ち、特開昭６２−４０６１０号に記載の従来技術は、磁
気抵抗効果型磁気ヘッドを開示するものであって、上記
静電気に対する対策は全く記載されていない。
【０００７】また、特開昭６１−７７１１４号に記載の
従来技術は、磁気シールド層間で発生する静電気につい
ての対策を示すもので、シールド層と磁気抵抗効果素子
部に突発的に印加される静電気に対しての対策は何も記
載されていないという問題があった。また、特開平２−
９４１０３号に記載の従来技術は、シールド層に電位差
が生じるとシールド層と磁気抵抗効果素子部の間に放電
が生じることに対する対策がなされていないという問題
があった。
従来技術は、磁気シールド層間で発生する静電気につい
ての対策を示すもので、シールド層と磁気抵抗効果素子
部に突発的に印加される静電気に対しての対策は何も記
載されていないという問題があった。また、特開平２−
９４１０３号に記載の従来技術は、シールド層に電位差
が生じるとシールド層と磁気抵抗効果素子部の間に放電
が生じることに対する対策がなされていないという問題
があった。
【０００８】また、特開平６−１０３５０８号に記載の
従来技術は、抵抗体の抵抗値が磁気抵抗効果素子より小
さいので、再生時に磁気抵抗効果素子に流れる電流が小
さくなり、十分な出力が得られないという問題があっ
た。また、ダイオードは素子中に作り込んでおらず、製
造途中で一方向ダイオードを接続したとしても、静電気
の特性が逆のときには効果がないという問題があった。
従来技術は、抵抗体の抵抗値が磁気抵抗効果素子より小
さいので、再生時に磁気抵抗効果素子に流れる電流が小
さくなり、十分な出力が得られないという問題があっ
た。また、ダイオードは素子中に作り込んでおらず、製
造途中で一方向ダイオードを接続したとしても、静電気
の特性が逆のときには効果がないという問題があった。
【０００９】また、特開平６−６０３３８号に記載の従
来技術は、磁気抵抗効果素子部の保護回路として、ダイ
オードやコンデンサ等を開示しているが、このダイオー
ドは、破壊電圧である３００ｍＶより小さい電圧で作動
するものである。また、コンデンサの容量については記
載されていないが、ダイオードの電圧から推定すると、
１ｐＦ程度、大きく見積もっても２〜３ｐＦ程度であ
る。ダイオードもコンデンサもこの程度の数量のもので
は、上記の突発的に印加される静電圧に対しての効果が
不十分であるという問題があった。
来技術は、磁気抵抗効果素子部の保護回路として、ダイ
オードやコンデンサ等を開示しているが、このダイオー
ドは、破壊電圧である３００ｍＶより小さい電圧で作動
するものである。また、コンデンサの容量については記
載されていないが、ダイオードの電圧から推定すると、
１ｐＦ程度、大きく見積もっても２〜３ｐＦ程度であ
る。ダイオードもコンデンサもこの程度の数量のもので
は、上記の突発的に印加される静電圧に対しての効果が
不十分であるという問題があった。
【００１０】本発明の目的は、高密度磁気記録再生に最
適な、信頼性の高い、製造時の歩留まりの良好な磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。
適な、信頼性の高い、製造時の歩留まりの良好な磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基板上に、
上部、下部一対の磁気シールド層と、磁気抵抗効果素子
部と、この磁気抵抗効果素子部にセンス電流を流し、信
号による電圧変化を検出するための一対の電極とを設
け、一対の電極の一方と一対の磁気シールド層の一方の
間に、所定以上の電流を流す電子素子を設けるようにし
たものである。
に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、基板上に、
上部、下部一対の磁気シールド層と、磁気抵抗効果素子
部と、この磁気抵抗効果素子部にセンス電流を流し、信
号による電圧変化を検出するための一対の電極とを設
け、一対の電極の一方と一対の磁気シールド層の一方の
間に、所定以上の電流を流す電子素子を設けるようにし
たものである。
【００１２】なお、以上の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
は、電極と磁気シールド層の間に所定のコンデンサ又は
抵抗の１種類を設けてもよいし、１つの磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにこれらの複数種類を設けても差し支えな
い。
は、電極と磁気シールド層の間に所定のコンデンサ又は
抵抗の１種類を設けてもよいし、１つの磁気抵抗効果型
磁気ヘッドにこれらの複数種類を設けても差し支えな
い。
【００１３】また、上記のコンデンサは、容量を１０ｐ
Ｆ〜１０μＦの範囲とすることがより好ましい。さら
に、コンデンサ部の容量が５ｐＦ以上で、コンデンサ部
の容量とリードライトＩＣの容量との和が５０ｐＦ以下
とすることが高速転送を行うために最も好ましい。
Ｆ〜１０μＦの範囲とすることがより好ましい。さら
に、コンデンサ部の容量が５ｐＦ以上で、コンデンサ部
の容量とリードライトＩＣの容量との和が５０ｐＦ以下
とすることが高速転送を行うために最も好ましい。
【００１４】また、本発明の磁気記録装置は、磁気記録
媒体、この磁気記録媒体に記録されたデータを読み出す
ための磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録媒体と磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの相対的位置を移動させるための
駆動手段、データの読み出しを行うための再生手段及び
これらを制御するための制御手段を有し、この磁気抵抗
効果型磁気ヘッドとして、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを用いるようにしたものである。
媒体、この磁気記録媒体に記録されたデータを読み出す
ための磁気抵抗効果型磁気ヘッド、磁気記録媒体と磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの相対的位置を移動させるための
駆動手段、データの読み出しを行うための再生手段及び
これらを制御するための制御手段を有し、この磁気抵抗
効果型磁気ヘッドとして、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを用いるようにしたものである。
【００１５】
【作用】電極間に所定のコンデンサ、抵抗又は双方向ダ
イオードを設けるか、或は電極と磁気シールド層の間に
所定のコンデンサ又は抵抗を設けることにより、上記電
極間に突発的に静電気が印加された場合でも、静電気の
一部又は全てが抵抗や双方向ダイオードに分流するか、
コンデンサに蓄電される結果になり、磁気抵抗効果素子
を流れる電流密度は大幅に低下する。そのため、静電気
による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊はなくなり、高
密度磁気記録再生に適した、信頼性の高い磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを良好な歩留まりで製造することができ
る。さらに、この作用は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ場合にも有効である。
イオードを設けるか、或は電極と磁気シールド層の間に
所定のコンデンサ又は抵抗を設けることにより、上記電
極間に突発的に静電気が印加された場合でも、静電気の
一部又は全てが抵抗や双方向ダイオードに分流するか、
コンデンサに蓄電される結果になり、磁気抵抗効果素子
を流れる電流密度は大幅に低下する。そのため、静電気
による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊はなくなり、高
密度磁気記録再生に適した、信頼性の高い磁気抵抗効果
型磁気ヘッドを良好な歩留まりで製造することができ
る。さらに、この作用は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁
気ディスク装置に組み込んだ場合にも有効である。
【００１６】
【実施例】以下に本発明を実施例により詳しく説明す
る。 〈実施例１〉図１は本発明の第１の実施例の磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの平面図であり、図２はそのＡ−Ａ’線
断面図である。この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４の構
造は次ぎの通りである。アルミナ−チタンカーバイト等
の絶縁体からなる基板１上に、平坦化用の厚付けされた
アルミナ等の下地絶縁層２を介して、一対の磁気シール
ド層３、１０（１〜４μｍ厚）と、ギャップ長を形成す
るアルミナ、シリカ等からなる絶縁層４、５（０.０５
〜０.２μｍ厚）と、媒体対抗面側に所定の形状の横バ
イアス磁界印加用の軟磁性バイアス膜、非磁性の高抵抗
伝導体及び磁気抵抗効果膜等からなる磁気抵抗効果素子
部６と、この磁気抵抗効果素子部６の磁区構造を制御す
るための磁区制御用バイアス膜７と、Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ
等の導体層からなる電極９と、さらに、これらの保護を
目的とした絶縁層１１と、電極端子パッド１２が形成さ
れている。一方、媒体抵抗面と反対の電極９間には、磁
気抵抗効果素子部６と同様な構成材からなる、所定の抵
抗値となるように所定の形状に加工された抵抗部１３が
形成されている。
る。 〈実施例１〉図１は本発明の第１の実施例の磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの平面図であり、図２はそのＡ−Ａ’線
断面図である。この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４の構
造は次ぎの通りである。アルミナ−チタンカーバイト等
の絶縁体からなる基板１上に、平坦化用の厚付けされた
アルミナ等の下地絶縁層２を介して、一対の磁気シール
ド層３、１０（１〜４μｍ厚）と、ギャップ長を形成す
るアルミナ、シリカ等からなる絶縁層４、５（０.０５
〜０.２μｍ厚）と、媒体対抗面側に所定の形状の横バ
イアス磁界印加用の軟磁性バイアス膜、非磁性の高抵抗
伝導体及び磁気抵抗効果膜等からなる磁気抵抗効果素子
部６と、この磁気抵抗効果素子部６の磁区構造を制御す
るための磁区制御用バイアス膜７と、Ｔａ／Ａｕ／Ｔａ
等の導体層からなる電極９と、さらに、これらの保護を
目的とした絶縁層１１と、電極端子パッド１２が形成さ
れている。一方、媒体抵抗面と反対の電極９間には、磁
気抵抗効果素子部６と同様な構成材からなる、所定の抵
抗値となるように所定の形状に加工された抵抗部１３が
形成されている。
【００１７】この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４は、磁
気記録媒体に書かれた信号を再生する場合には、電極９
から磁気抵抗効果素子部６にセンス電流を流し、信号磁
束による磁気抵抗効果素子部６の抵抗の変化を電圧変化
として電極９から検出する。従ってこの電圧変化、すな
わち出力は、磁気抵抗効果素子部６に流れるセンス電流
に応じて増減するが、センス電流は電極９間に設けられ
た抵抗部１３にも分流する。但し、抵抗部１３と磁気抵
抗効果素子部６とは並列に構成されていて、抵抗部１３
の抵抗値を磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の１００倍に
設定したため、分流によるセンス電流の損失はほとんど
無視できる。後述のような静電破壊に対する効果とこの
センス電流の損失との兼ね合いから、抵抗部１３の抵抗
値は磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の５倍〜１００倍が
よい。
気記録媒体に書かれた信号を再生する場合には、電極９
から磁気抵抗効果素子部６にセンス電流を流し、信号磁
束による磁気抵抗効果素子部６の抵抗の変化を電圧変化
として電極９から検出する。従ってこの電圧変化、すな
わち出力は、磁気抵抗効果素子部６に流れるセンス電流
に応じて増減するが、センス電流は電極９間に設けられ
た抵抗部１３にも分流する。但し、抵抗部１３と磁気抵
抗効果素子部６とは並列に構成されていて、抵抗部１３
の抵抗値を磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の１００倍に
設定したため、分流によるセンス電流の損失はほとんど
無視できる。後述のような静電破壊に対する効果とこの
センス電流の損失との兼ね合いから、抵抗部１３の抵抗
値は磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の５倍〜１００倍が
よい。
【００１８】一方、この磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４
の電極９間に突発的に静電気による電位差が生じた場合
には、静電気は上記抵抗部１３がないと当然磁気抵抗効
果素子部６を流れることになる。その際に流れる電流値
の大きさによっては磁気抵抗効果素子部６はジュール熱
のため溶断するか、エレクトロマイグレーションにより
断線する恐れがある。しかし、本実施例のように電極９
間が上記抵抗部１３によって短絡されていれば、静電気
はこの抵抗部１３に分流されることになり、瞬間的に磁
気抵抗効果素子部６を流れる静電気量は大幅に低減さ
れ、磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる結果になる。
の電極９間に突発的に静電気による電位差が生じた場合
には、静電気は上記抵抗部１３がないと当然磁気抵抗効
果素子部６を流れることになる。その際に流れる電流値
の大きさによっては磁気抵抗効果素子部６はジュール熱
のため溶断するか、エレクトロマイグレーションにより
断線する恐れがある。しかし、本実施例のように電極９
間が上記抵抗部１３によって短絡されていれば、静電気
はこの抵抗部１３に分流されることになり、瞬間的に磁
気抵抗効果素子部６を流れる静電気量は大幅に低減さ
れ、磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる結果になる。
【００１９】本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４
の動作原理は以上説明した通りであるが、この磁気抵抗
効果型磁気ヘッド１４によれば、電極９間に突発的に印
加される静電気による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊
に対して大きな効果があり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。さら
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
の動作原理は以上説明した通りであるが、この磁気抵抗
効果型磁気ヘッド１４によれば、電極９間に突発的に印
加される静電気による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの破壊
に対して大きな効果があり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。さら
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
【００２０】〈実施例２〉図３は本発明の第２の実施例
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの平面図、図４はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの構造は、上述した実施例１の構造とほとんど同様
であるが、図４に示したように、電極９間に抵抗の代わ
りにコンデンサ部１５を磁気抵抗効果素子部６と並列の
電気回路を構成するように形成したものである。コンデ
ンサ部１５は、Ｔｉ酸化膜からなる誘電体の上下に金属
膜を設けてある。誘電体は、Ｔｉ酸化膜の他に、Ａｌ酸
化膜等を用いてもよい。また、金属膜の代わりにカーボ
ン膜を用いてもよい。
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの平面図、図４はそのＢ−
Ｂ’線断面図である。本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの構造は、上述した実施例１の構造とほとんど同様
であるが、図４に示したように、電極９間に抵抗の代わ
りにコンデンサ部１５を磁気抵抗効果素子部６と並列の
電気回路を構成するように形成したものである。コンデ
ンサ部１５は、Ｔｉ酸化膜からなる誘電体の上下に金属
膜を設けてある。誘電体は、Ｔｉ酸化膜の他に、Ａｌ酸
化膜等を用いてもよい。また、金属膜の代わりにカーボ
ン膜を用いてもよい。
【００２１】本実施例による磁気抵抗効果型磁気ヘッド
１４の動作原理もほとんど実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４と同様である。本実施例では電極９間に抵
抗の代わりにコンデンサ部１５を設けているために、直
流のセンス電流に対しては全く影響はない。しかし、電
極９間に瞬間的に掛かる静電気の場合には、上記コンデ
ンサ部１５に一時的に静電荷が蓄積されることになり、
磁気抵抗効果素子部６を瞬間的に流れる静電気量は大幅
に低減される。上記コンデンサ部１５に一時的に蓄積さ
れる電荷量は、コンデンサ部１５の容量が大きいほど多
いので、静電気に対する磁気抵抗効果素子部６の保護の
点からコンデンサ部１５の容量は５ｐＦ以上がよい。コ
ンデンサ部の容量があまり大きいとその形状があまりに
も大きくなるので、５ｐＦ〜１００μＦの範囲が好まし
く、１０ｐＦ〜１０μＦの範囲がより好ましい。さら
に、コンデンサ部の容量が５ｐＦ以上で、コンデンサ部
の容量とリードライトＩＣの容量との和が５０ｐＦ以下
とすることが後述する高速転送を行うために最も好まし
い。これによって磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる
ことになる。
１４の動作原理もほとんど実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４と同様である。本実施例では電極９間に抵
抗の代わりにコンデンサ部１５を設けているために、直
流のセンス電流に対しては全く影響はない。しかし、電
極９間に瞬間的に掛かる静電気の場合には、上記コンデ
ンサ部１５に一時的に静電荷が蓄積されることになり、
磁気抵抗効果素子部６を瞬間的に流れる静電気量は大幅
に低減される。上記コンデンサ部１５に一時的に蓄積さ
れる電荷量は、コンデンサ部１５の容量が大きいほど多
いので、静電気に対する磁気抵抗効果素子部６の保護の
点からコンデンサ部１５の容量は５ｐＦ以上がよい。コ
ンデンサ部の容量があまり大きいとその形状があまりに
も大きくなるので、５ｐＦ〜１００μＦの範囲が好まし
く、１０ｐＦ〜１０μＦの範囲がより好ましい。さら
に、コンデンサ部の容量が５ｐＦ以上で、コンデンサ部
の容量とリードライトＩＣの容量との和が５０ｐＦ以下
とすることが後述する高速転送を行うために最も好まし
い。これによって磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる
ことになる。
【００２２】このように本実施例による磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１４の効果は、実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４の効果とほとんど同様であり、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上
できると同時に、この効果はこの磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドを磁気ディスク装置に組み込んだ場合にも期待でき
る。
磁気ヘッド１４の効果は、実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４の効果とほとんど同様であり、磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上
できると同時に、この効果はこの磁気抵抗効果磁気ヘッ
ドを磁気ディスク装置に組み込んだ場合にも期待でき
る。
【００２３】なお、上記の高速転送について説明する。
高速転送を行う上で高周波の伝達が行えなくてはならな
い。特に電極間にコンデンサを設けた場合、その点を考
慮しなければならない。その点について検討を加える。
磁気ヘッドの端子とリ−ドライトＩＣとの距離が長いと
静電容量やインダクタンスがふえてしまい、共振点の低
下を招く。一般的に共振周波数は装置での最大使用周波
数の２倍以上が望ましい。例えば３．５インチディスク
装置において、磁気ヘッドの端子とリ−ドライトＩＣと
の距離を４２ｍｍ以下に押さえてインダクタンスを３０
ｎＨ、静電容量を２０ｐＦとした場合、転送速度が１２
ＭＢ／ｓならば、最大使用周波数はその４．５倍の５４
ＭＨｚであり、共振周波数はその２倍の１０８ＭＨｚ以
上が望ましい。図１２はこれらの値を用いて磁気ヘッド
の静電容量とリードライトＩＣの入力容量の和と共振周
波数の関係を計算した結果である。これより、共振周波
数を１０８ＭＨｚ以上とするためには静電容量は５０ｐ
Ｆ以下が必要であり、ヘッドの静電容量とリードライト
ＩＣの入力容量の和は５０ｐＦ以下でなければならな
い。また、磁気ヘッドの容量が３０ｐＦならリードライ
トＩＣの入力容量は２０ｐＦ以下でなければならない。
高速転送を行う上で高周波の伝達が行えなくてはならな
い。特に電極間にコンデンサを設けた場合、その点を考
慮しなければならない。その点について検討を加える。
磁気ヘッドの端子とリ−ドライトＩＣとの距離が長いと
静電容量やインダクタンスがふえてしまい、共振点の低
下を招く。一般的に共振周波数は装置での最大使用周波
数の２倍以上が望ましい。例えば３．５インチディスク
装置において、磁気ヘッドの端子とリ−ドライトＩＣと
の距離を４２ｍｍ以下に押さえてインダクタンスを３０
ｎＨ、静電容量を２０ｐＦとした場合、転送速度が１２
ＭＢ／ｓならば、最大使用周波数はその４．５倍の５４
ＭＨｚであり、共振周波数はその２倍の１０８ＭＨｚ以
上が望ましい。図１２はこれらの値を用いて磁気ヘッド
の静電容量とリードライトＩＣの入力容量の和と共振周
波数の関係を計算した結果である。これより、共振周波
数を１０８ＭＨｚ以上とするためには静電容量は５０ｐ
Ｆ以下が必要であり、ヘッドの静電容量とリードライト
ＩＣの入力容量の和は５０ｐＦ以下でなければならな
い。また、磁気ヘッドの容量が３０ｐＦならリードライ
トＩＣの入力容量は２０ｐＦ以下でなければならない。
【００２４】〈実施例３〉図５は本発明の第３の実施例
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの平面図、図６はそのＣ−
Ｃ’線断面図である。本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの構造は上述した実施例１の構造とほぼ同様である
が、基板１としてＳｉ等の半導体を使用し、図６に示し
たように電極９間に抵抗の代わりに、半導体上に形成し
たダイオード１７を磁気抵抗効果素子部６と並列の電気
回路を構成するように接続したものである。このダイオ
ードは、Ｓｉの基板に、イオン打ち込みと熱拡散により
Ｎ+Ｐ+領域を形成し、熱酸化膜の絶縁膜を形成し、配線
して製造する。
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの平面図、図６はそのＣ−
Ｃ’線断面図である。本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの構造は上述した実施例１の構造とほぼ同様である
が、基板１としてＳｉ等の半導体を使用し、図６に示し
たように電極９間に抵抗の代わりに、半導体上に形成し
たダイオード１７を磁気抵抗効果素子部６と並列の電気
回路を構成するように接続したものである。このダイオ
ードは、Ｓｉの基板に、イオン打ち込みと熱拡散により
Ｎ+Ｐ+領域を形成し、熱酸化膜の絶縁膜を形成し、配線
して製造する。
【００２５】本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４
の動作原理も実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４
と同様である。本実施例では電極９間にダイオード１７
を設けているので直流のセンス電流に対しては全く影響
はない。しかし、電極９間に瞬間的に静電気が掛かった
場合には、静電気の電圧がダイオード１７のスレッシュ
電圧以上になるとダイオード１７間が短絡されるので、
磁気抵抗効果素子部６にはダイオード１７のスレッシュ
電圧以上の静電気は流れない。これによって磁気抵抗効
果素子部６は瞬間的に掛かる静電気による破壊を免れる
ことになる。従って、このダイオード１７のスレッシュ
電圧は磁気抵抗効果素子部６を破壊する恐れのある０.
５Ｖ以上とすればよい。
の動作原理も実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４
と同様である。本実施例では電極９間にダイオード１７
を設けているので直流のセンス電流に対しては全く影響
はない。しかし、電極９間に瞬間的に静電気が掛かった
場合には、静電気の電圧がダイオード１７のスレッシュ
電圧以上になるとダイオード１７間が短絡されるので、
磁気抵抗効果素子部６にはダイオード１７のスレッシュ
電圧以上の静電気は流れない。これによって磁気抵抗効
果素子部６は瞬間的に掛かる静電気による破壊を免れる
ことになる。従って、このダイオード１７のスレッシュ
電圧は磁気抵抗効果素子部６を破壊する恐れのある０.
５Ｖ以上とすればよい。
【００２６】このように本実施例による磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１４の効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４とほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上でき
る。と同時に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを
磁気ディスク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
磁気ヘッド１４の効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド１４とほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁
気ヘッドの信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上でき
る。と同時に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを
磁気ディスク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
【００２７】〈実施例４〉図７は本発明の第４の実施例
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの構成は次ぎの通りである。アル
ミナ−チタンカーバイト等の絶縁体からなる基板１上
に、平坦化用の厚付けされたアルミナ等からなる下地絶
縁層２を介して、一対の磁気シールド層３、１０（１〜
４μｍ厚）と、ギャップ長を形成するアルミナ、シリカ
等からなる絶縁層４、５（０．０５〜０．２μｍ厚）
と、媒体対抗面側に所定の形状の横バイアス磁界印加用
の軟磁性バイアス膜、非磁性の高抵抗導伝体膜及び磁気
抵抗効果膜等からなる磁気抵抗効果素子部６と、Ｔａ／
Ａｕ／Ｔａ等の導体層からなる電極９、９’が形成され
ている。この電極８、９は媒体対抗面と反対の場所で積
層され、この電極間には誘電体１５’が入っており、電
極間の距離と面積によりコンデンサを形成している。本
実施例の場合は、その容量は５０ｐＦとした。
の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。この磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの構成は次ぎの通りである。アル
ミナ−チタンカーバイト等の絶縁体からなる基板１上
に、平坦化用の厚付けされたアルミナ等からなる下地絶
縁層２を介して、一対の磁気シールド層３、１０（１〜
４μｍ厚）と、ギャップ長を形成するアルミナ、シリカ
等からなる絶縁層４、５（０．０５〜０．２μｍ厚）
と、媒体対抗面側に所定の形状の横バイアス磁界印加用
の軟磁性バイアス膜、非磁性の高抵抗導伝体膜及び磁気
抵抗効果膜等からなる磁気抵抗効果素子部６と、Ｔａ／
Ａｕ／Ｔａ等の導体層からなる電極９、９’が形成され
ている。この電極８、９は媒体対抗面と反対の場所で積
層され、この電極間には誘電体１５’が入っており、電
極間の距離と面積によりコンデンサを形成している。本
実施例の場合は、その容量は５０ｐＦとした。
【００２８】このコンデンサは磁気抵抗効果素子部６と
並列の電気回路を構成するようになる。よって、電極
９、９’間に瞬間的に静電気が掛かると、コンデンサに
一時的に静電荷が蓄積され、磁気抵抗効果素子部６を瞬
間的に流れる静電気量は大幅に低減される。本実施例の
ように、電極を素子積層方向にその一部を重ねることに
より、コンデンサの容量を大きくすることができる。
並列の電気回路を構成するようになる。よって、電極
９、９’間に瞬間的に静電気が掛かると、コンデンサに
一時的に静電荷が蓄積され、磁気抵抗効果素子部６を瞬
間的に流れる静電気量は大幅に低減される。本実施例の
ように、電極を素子積層方向にその一部を重ねることに
より、コンデンサの容量を大きくすることができる。
【００２９】このように本実施例による磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。と同時
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
磁気ヘッドの効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。と同時
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
【００３０】〈実施例５〉図８は本発明の他の実施例に
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。この磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの構造は、上述した実施例４の
構造とほとんど同様であるが、図８に示したように積層
された電極９、９’間に高抵抗材を挿入して抵抗１３’
を形成し、この抵抗が磁気抵抗効果素子部６と並列の電
気回路を構成するようにしたものである。
よる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。この磁
気抵抗効果型磁気ヘッドの構造は、上述した実施例４の
構造とほとんど同様であるが、図８に示したように積層
された電極９、９’間に高抵抗材を挿入して抵抗１３’
を形成し、この抵抗が磁気抵抗効果素子部６と並列の電
気回路を構成するようにしたものである。
【００３１】この磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気記
録媒体に書かれた信号を再生する場合には、電極９、
９’から磁気抵抗効果素子部７にセンス電流を流し、信
号磁束による磁気抵抗効果素子部７の抵抗の変化を電圧
変化としてこの電極９、９’から検出する。従ってこの
電圧変化、すなわち出力は、磁気抵抗効果素子部７に流
れるセンス電流に応じて増減するが、センス電流は電極
８、９間に設けられた抵抗部１３’にも分流する。但
し、抵抗部１３’と磁気抵抗効果素子部６とは並列に構
成されていて、抵抗部１３’の抵抗値を磁気抵抗効果素
子部６の抵抗値の５倍に設定したので、分流によるセン
ス電流の損失はほとんど無視できる。
録媒体に書かれた信号を再生する場合には、電極９、
９’から磁気抵抗効果素子部７にセンス電流を流し、信
号磁束による磁気抵抗効果素子部７の抵抗の変化を電圧
変化としてこの電極９、９’から検出する。従ってこの
電圧変化、すなわち出力は、磁気抵抗効果素子部７に流
れるセンス電流に応じて増減するが、センス電流は電極
８、９間に設けられた抵抗部１３’にも分流する。但
し、抵抗部１３’と磁気抵抗効果素子部６とは並列に構
成されていて、抵抗部１３’の抵抗値を磁気抵抗効果素
子部６の抵抗値の５倍に設定したので、分流によるセン
ス電流の損失はほとんど無視できる。
【００３２】一方、この磁気抵抗効果型磁気ヘッドの電
極９、９’間に突発的に静電気による電位差が生じた場
合には、静電気は抵抗部１３’がないと当然磁気抵抗効
果素子部６を流れることになる。その際に流れる電流値
の大きさによっては当該磁気抵抗効果素子部６はジュー
ル熱のため溶断するか、エレクトロマイグレーションに
より断線する恐れがある。しかし、本実施例のように電
極９、９’間が抵抗部１３’によって短絡されていれ
ば、静電気は抵抗部１３’に分流されることになり、瞬
間的に磁気抵抗効果素子部６を流れる静電気量は大幅に
低減され、磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる結果に
なる。
極９、９’間に突発的に静電気による電位差が生じた場
合には、静電気は抵抗部１３’がないと当然磁気抵抗効
果素子部６を流れることになる。その際に流れる電流値
の大きさによっては当該磁気抵抗効果素子部６はジュー
ル熱のため溶断するか、エレクトロマイグレーションに
より断線する恐れがある。しかし、本実施例のように電
極９、９’間が抵抗部１３’によって短絡されていれ
ば、静電気は抵抗部１３’に分流されることになり、瞬
間的に磁気抵抗効果素子部６を流れる静電気量は大幅に
低減され、磁気抵抗効果素子部６は破壊を免れる結果に
なる。
【００３３】このように本実施例による磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。と同時
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
磁気ヘッドの効果も、実施例１の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとほとんど同様であり、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の信頼性を大幅に改善でき、歩留を向上できる。と同時
に、この効果は当該磁気抵抗効果型ヘッドを磁気ディス
ク装置に組み込んだ場合にも期待できる。
【００３４】〈実施例６〉図９は本発明の第６の実施例
による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。実施
例４の場合、電極９、９’間でコンデンサを形成してい
たのに対し、本実施例は磁気シールド層３と電極９’及
び磁気シールド層１０と電極９間に誘電体１５’を設け
てコンデンサを形成している。本実施例では、コンデン
サの容量はいずれも５０ｐＦとした。本実施例の方が実
施例４よりも構造上の段差が小さい分、狭ギャップ化に
適している。また、電極間そのものにコンデンサが形成
されないため、磁気シールド層３、１０の形状等により
容量設定の柔軟性が高く、磁気シールド層３と電極９’
の静電容量と磁気シールド層１０と電極９の静電容量と
を異なった値に設定することもできる。動作の原理は実
施例４と同様である。
による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。実施
例４の場合、電極９、９’間でコンデンサを形成してい
たのに対し、本実施例は磁気シールド層３と電極９’及
び磁気シールド層１０と電極９間に誘電体１５’を設け
てコンデンサを形成している。本実施例では、コンデン
サの容量はいずれも５０ｐＦとした。本実施例の方が実
施例４よりも構造上の段差が小さい分、狭ギャップ化に
適している。また、電極間そのものにコンデンサが形成
されないため、磁気シールド層３、１０の形状等により
容量設定の柔軟性が高く、磁気シールド層３と電極９’
の静電容量と磁気シールド層１０と電極９の静電容量と
を異なった値に設定することもできる。動作の原理は実
施例４と同様である。
【００３５】〈実施例７〉図１０は本発明の第７の実施
例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。実施例
１、５が電極９、９’間で抵抗を形成していたのに対
し、本実施例はシールド３と電極９’及びシールド１０
と電極９間に、磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の１０倍
の抵抗値の抵抗を設けている。本実施例の方が実施例５
よりも構造上の段差が小さい分、狭ギャップ化に適して
いる。また、電極間そのものに抵抗が形成されないた
め、シールド３、４の形状等により抵抗値設定の柔軟性
が高く、シールド３と電極９’の抵抗値とシールド１０
と電極９の抵抗値とを異なった値に設定することもでき
る。動作の原理は実施例５と同様である。
例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図である。実施例
１、５が電極９、９’間で抵抗を形成していたのに対
し、本実施例はシールド３と電極９’及びシールド１０
と電極９間に、磁気抵抗効果素子部６の抵抗値の１０倍
の抵抗値の抵抗を設けている。本実施例の方が実施例５
よりも構造上の段差が小さい分、狭ギャップ化に適して
いる。また、電極間そのものに抵抗が形成されないた
め、シールド３、４の形状等により抵抗値設定の柔軟性
が高く、シールド３と電極９’の抵抗値とシールド１０
と電極９の抵抗値とを異なった値に設定することもでき
る。動作の原理は実施例５と同様である。
【００３６】なお、以上の各実施例では、電極間にコン
デンサ、抵抗又は双方向ダイオードの１種類を設ける
か、或は電極と磁気シールド層の間にコンデンサ又は抵
抗を設けていたが、１つの磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
これらの複数種類を設けても差し支えない。
デンサ、抵抗又は双方向ダイオードの１種類を設ける
か、或は電極と磁気シールド層の間にコンデンサ又は抵
抗を設けていたが、１つの磁気抵抗効果型磁気ヘッドに
これらの複数種類を設けても差し支えない。
【００３７】〈実施例８〉図１１は、本発明の磁気ディ
スク装置の一実施例の模式図である。ヘッド・ディスク
・アッセンブリ３３中に、複数枚の磁気ディスク３１が
スピンドル軸に取り付けられており、媒体駆動系（モー
タ）３４により高速回転される。この磁気ディスク３１
の磁気記録面に対して上記いずれかの実施例で製造した
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４が配置されており、その
１個は、サーボヘッドとして作用する。磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１４は、ヘッド駆動系３５によりアクチュエ
ータ３２を介して磁気ディスクの略半径方向に移動され
る。さらに、本装置には、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
４を用いて、データの記録再生を行う記録再生系３６、
その信号を処理する信号処理系３７、これら及び上記各
駆動系を制御するための制御系３８、上位装置とのデー
タのやり取りを行う装置Ｉ／Ｆ部３９等が設けられてい
る。
スク装置の一実施例の模式図である。ヘッド・ディスク
・アッセンブリ３３中に、複数枚の磁気ディスク３１が
スピンドル軸に取り付けられており、媒体駆動系（モー
タ）３４により高速回転される。この磁気ディスク３１
の磁気記録面に対して上記いずれかの実施例で製造した
磁気抵抗効果型磁気ヘッド１４が配置されており、その
１個は、サーボヘッドとして作用する。磁気抵抗効果型
磁気ヘッド１４は、ヘッド駆動系３５によりアクチュエ
ータ３２を介して磁気ディスクの略半径方向に移動され
る。さらに、本装置には、磁気抵抗効果型磁気ヘッド１
４を用いて、データの記録再生を行う記録再生系３６、
その信号を処理する信号処理系３７、これら及び上記各
駆動系を制御するための制御系３８、上位装置とのデー
タのやり取りを行う装置Ｉ／Ｆ部３９等が設けられてい
る。
【００３８】図１３は上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
磁気ディスク装置での実装図である。磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは書き込みを行うインダクティブヘッドと複合
化されスライダー２２に搭載されている。スライダー２
２は支持体２３に支えられ、磁気ディスク２１の上に保
持される。支持体２３にはスライダー２２からの電気信
号を伝達する伝送線路２５が形成されている。伝送線路
２５の一端はスライダー２２の電極端子であり、もう一
方はインダクティブヘッドへ書き込み信号を送ったり、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドからの再生信号を受け取るリ
ードライトＩＣ２６である。３．５インチディスクでは
この伝送線路１５の長さは４２ｍｍ以下であり、２．５
インチ以下の装置では３０ｍｍ以下となっている。ま
た、本実施例のリードライトＩＣ２６の入力容量は２０
ｐＦ以下であり、１０ＭＢ／ｓ以上の高速転送を実現す
ることができる。
磁気ディスク装置での実装図である。磁気抵抗効果型磁
気ヘッドは書き込みを行うインダクティブヘッドと複合
化されスライダー２２に搭載されている。スライダー２
２は支持体２３に支えられ、磁気ディスク２１の上に保
持される。支持体２３にはスライダー２２からの電気信
号を伝達する伝送線路２５が形成されている。伝送線路
２５の一端はスライダー２２の電極端子であり、もう一
方はインダクティブヘッドへ書き込み信号を送ったり、
磁気抵抗効果型磁気ヘッドからの再生信号を受け取るリ
ードライトＩＣ２６である。３．５インチディスクでは
この伝送線路１５の長さは４２ｍｍ以下であり、２．５
インチ以下の装置では３０ｍｍ以下となっている。ま
た、本実施例のリードライトＩＣ２６の入力容量は２０
ｐＦ以下であり、１０ＭＢ／ｓ以上の高速転送を実現す
ることができる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの両端の電極間に突発的に静電気が印加された場合
でも、磁気抵抗効果素子部を流れる電流は瞬間的に大幅
に低下するので、磁気抵抗効果素子部は静電気による破
壊を免れる。従って、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの信頼
性を大幅に改善でき、その製造の歩留まりの向上が可能
である。さらにまた、上記作用は当該磁気抵抗効果型ヘ
ッドを磁気ディスク装置に組み混んだ場合にも期待で
き、同様の効果がある。
ッドの両端の電極間に突発的に静電気が印加された場合
でも、磁気抵抗効果素子部を流れる電流は瞬間的に大幅
に低下するので、磁気抵抗効果素子部は静電気による破
壊を免れる。従って、磁気抵抗効果型磁気ヘッドの信頼
性を大幅に改善でき、その製造の歩留まりの向上が可能
である。さらにまた、上記作用は当該磁気抵抗効果型ヘ
ッドを磁気ディスク装置に組み混んだ場合にも期待で
き、同様の効果がある。
【図１】本発明の第１の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの平面図。
ッドの平面図。
【図２】図１に示した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＡ−
Ａ’線断面図。
Ａ’線断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの平面図。
ッドの平面図。
【図４】図３に示した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＢ−
Ｂ’線断面図。
Ｂ’線断面図。
【図５】本発明の第３の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの平面図。
ッドの平面図。
【図６】図５に示した磁気抵抗効果型磁気ヘッドのＣ−
Ｃ’線断面図。
Ｃ’線断面図。
【図７】本発明の第４の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの斜視図。
ッドの斜視図。
【図８】本発明の第５の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの斜視図。
ッドの斜視図。
【図９】本発明の第６の実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの斜視図。
ッドの斜視図。
【図１０】本発明の第７の実施例の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの斜視図。
ヘッドの斜視図。
【図１１】本発明の磁気ディスク装置の一実施例の模式
図。
図。
【図１２】本発明を説明するための共振周波数とヘッ
ド、ＩＣの容量の和の関係図。
ド、ＩＣの容量の和の関係図。
【図１３】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの磁気デ
ィスク装置での実装図。
ィスク装置での実装図。
１…基板 ２…下地絶縁層 ３、１０…磁気シールド層 ４、５、１１…絶縁層 ６…磁気抵抗効果素子部 ７…磁区制御用バイアス膜 ９、９’…電極 １２…電極端子パッド １３、１３’…抵抗部 １４…磁気抵抗効果型磁気ヘッド １５…コンデンサ部 １５’…誘電体 １６…絶縁層 １７…ダイオード ２１、３１…磁気ディスク ２２…スライダー ２３…支持体 ２５…伝送線路 ２６…リードライトＩＣ ３２…アクチュエータ ３３…ヘッド・ディスク・アッセンブリ ３４…媒体駆動系 ３５…ヘッド駆動系 ３６…記録再生系 ３７…信号処理系 ３８…制御系 ３９…装置Ｉ／Ｆ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大津 孝佳 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、上部、下部一対の磁気シールド
層と、磁気抵抗効果素子部と、該磁気抵抗効果素子部に
センス電流を流し、信号による電圧変化を検出するため
の一対の電極とを有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにお
いて、上記一対の電極の一方と上記一対の磁気シールド
層の一方の間に、磁気抵抗効果素子部に流れる電流より
も大きな電流が電極に流れたときに、シールドに電流を
流す電子素子を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型
磁気ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7197208A JPH0944820A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| KR1019960032150A KR970012322A (ko) | 1995-08-02 | 1996-08-01 | 자기 저항 효과형 자기 헤드 |
| CN96109280A CN1147668A (zh) | 1995-08-02 | 1996-08-01 | 磁阻式磁头 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7197208A JPH0944820A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944820A true JPH0944820A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16370628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7197208A Pending JPH0944820A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944820A (ja) |
| KR (1) | KR970012322A (ja) |
| CN (1) | CN1147668A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10247307A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
| JPH1196521A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| JPH11296817A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP2002056513A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-22 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗型ヘッド装置の製造方法 |
| WO2004097808A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Hitachi, Ltd. | 磁気ヘッドウェハ及び複合型磁気ヘッドの製造方法 |
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| JP2011100534A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッドキャリア |
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Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10247307A (ja) * | 1997-03-04 | 1998-09-14 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及び磁気記憶装置 |
| JPH1196521A (ja) * | 1997-09-18 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 |
| US6046890A (en) * | 1997-09-18 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Method for protecting a magnetoresistive head from damage due to electrostatic discharge |
| JPH11296817A (ja) * | 1998-04-08 | 1999-10-29 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| JP2002056513A (ja) * | 2000-08-07 | 2002-02-22 | Alps Electric Co Ltd | 磁気抵抗型ヘッド装置の製造方法 |
| WO2004097808A1 (ja) * | 2003-04-28 | 2004-11-11 | Hitachi, Ltd. | 磁気ヘッドウェハ及び複合型磁気ヘッドの製造方法 |
| US7716811B2 (en) | 2005-10-28 | 2010-05-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Method for manufacturing a thin film magnetic head |
| JP2011100534A (ja) * | 2009-11-09 | 2011-05-19 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv | ヘッドキャリア |
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