JPH0944837A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0944837A JPH0944837A JP19757995A JP19757995A JPH0944837A JP H0944837 A JPH0944837 A JP H0944837A JP 19757995 A JP19757995 A JP 19757995A JP 19757995 A JP19757995 A JP 19757995A JP H0944837 A JPH0944837 A JP H0944837A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 保磁力を低下させること無く耐食性が改善さ
れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 非磁性基板１２と該非磁性基板１２上に
設けられた磁性層１４とを有する本発明の磁気記録媒体
１０は、該磁性層１４が下記式（１）で表される合金か
らなることを特徴とする。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属を表し、ｂ及びｃは
その合計が５〜２５ａｔ％であり且つｂ／ｃが３〜５０
であり、ａは９５〜７５ａｔ％である。）
れた磁気記録媒体の提供。 【解決手段】 非磁性基板１２と該非磁性基板１２上に
設けられた磁性層１４とを有する本発明の磁気記録媒体
１０は、該磁性層１４が下記式（１）で表される合金か
らなることを特徴とする。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属を表し、ｂ及びｃは
その合計が５〜２５ａｔ％であり且つｂ／ｃが３〜５０
であり、ａは９５〜７５ａｔ％である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体に関
するものであり、更に詳しくは、磁性層の耐食性が改善
された磁気記録媒体に関するものである。
するものであり、更に詳しくは、磁性層の耐食性が改善
された磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年の
磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、金属磁性薄膜を磁
性層として用い、磁性層の保磁力を一層高める手法が広
く用いられている。そして、かかる金属磁性薄膜として
は、例えば、真空蒸着やスパッタリング等の真空製膜技
術を用いて形成された、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ
−Ｓｍ等のコバルト系合金薄膜が用いられている。
磁気記録媒体の高記録密度化に伴い、金属磁性薄膜を磁
性層として用い、磁性層の保磁力を一層高める手法が広
く用いられている。そして、かかる金属磁性薄膜として
は、例えば、真空蒸着やスパッタリング等の真空製膜技
術を用いて形成された、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｎｉ、Ｃｏ
−Ｓｍ等のコバルト系合金薄膜が用いられている。
【０００３】例えば、特開平２−１０３７１７号公報に
は、保磁力の向上した磁気記録媒体として、非磁性基板
上に非磁性金属下地層を介してＣｏ−Ｓｍ二元系合金か
らなる磁性層を形成してなる磁気記録媒体が記載されて
いる。また、特開平５−５４３５８号公報には、磁性層
としてＣｏ及び／又はＦｅとＳｍ等の少なくとも一種の
希土類金属とからなるアモルファス磁性合金層を用いる
ことにより、高Ｓ／Ｎ比を有する有する磁気記録媒体が
得られることが示唆されている。特開平７−７４９６号
公報には、磁性層としてＣｏ、Ｎｉ又はＦｅに添加金属
としてＳｍ等の希土類元素を一種以上添加した薄膜合金
を用いることにより、磁性層の耐酸化性と硬度とが向上
することが示唆されている。
は、保磁力の向上した磁気記録媒体として、非磁性基板
上に非磁性金属下地層を介してＣｏ−Ｓｍ二元系合金か
らなる磁性層を形成してなる磁気記録媒体が記載されて
いる。また、特開平５−５４３５８号公報には、磁性層
としてＣｏ及び／又はＦｅとＳｍ等の少なくとも一種の
希土類金属とからなるアモルファス磁性合金層を用いる
ことにより、高Ｓ／Ｎ比を有する有する磁気記録媒体が
得られることが示唆されている。特開平７−７４９６号
公報には、磁性層としてＣｏ、Ｎｉ又はＦｅに添加金属
としてＳｍ等の希土類元素を一種以上添加した薄膜合金
を用いることにより、磁性層の耐酸化性と硬度とが向上
することが示唆されている。
【０００４】しかしながら、上記各公報に記載のＣｏ−
Ｓｍ系合金薄膜からなる磁性層は、Ｓｍを含有している
が故に耐食性に劣るという欠点を有する。一方、Ｃｏ−
Ｓｍ系合金薄膜の耐食性を高めるためにＳｍの濃度を下
げると磁性層の保磁力が低下してしまう。また、上記各
公報には、Ｃｏ−Ｓｍ系合金に希土類金属を添加せしめ
て磁性層の耐食性を改善させること、並びにＳｍとＳｍ
以外の希土類金属との濃度比及び合金全体中に占める希
土類金属の濃度については具体的に明記されていない。
Ｓｍ系合金薄膜からなる磁性層は、Ｓｍを含有している
が故に耐食性に劣るという欠点を有する。一方、Ｃｏ−
Ｓｍ系合金薄膜の耐食性を高めるためにＳｍの濃度を下
げると磁性層の保磁力が低下してしまう。また、上記各
公報には、Ｃｏ−Ｓｍ系合金に希土類金属を添加せしめ
て磁性層の耐食性を改善させること、並びにＳｍとＳｍ
以外の希土類金属との濃度比及び合金全体中に占める希
土類金属の濃度については具体的に明記されていない。
【０００５】従って、本発明の目的は、保磁力を低下さ
せること無く耐食性が改善された磁気記録媒体を提供す
ることにある。
せること無く耐食性が改善された磁気記録媒体を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＣｏ−Ｓｍ
系合金の耐食性について鋭意検討したところ、Ｃｏ−Ｓ
ｍ系合金にＳｍ以外の希土類合金Ｒを更に添加すると共
に、Ｓｍ／Ｒの濃度を特定の範囲とし、且つ合金全体中
の希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度を少なくさせることに
より、保磁力の低下を伴うこと無く良好な耐食性を有す
る磁性層が得られることを知見した。
系合金の耐食性について鋭意検討したところ、Ｃｏ−Ｓ
ｍ系合金にＳｍ以外の希土類合金Ｒを更に添加すると共
に、Ｓｍ／Ｒの濃度を特定の範囲とし、且つ合金全体中
の希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度を少なくさせることに
より、保磁力の低下を伴うこと無く良好な耐食性を有す
る磁性層が得られることを知見した。
【０００７】本発明は上記知見に基づきなされたもので
あり、非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた磁性層
とを有する磁気記録媒体において、該磁性層が下記式
（１）で表される合金からなることを特徴とする磁気記
録媒体を提供することにより、上記目的を達成したもの
である。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属１種又は２種以上を
表し、ｂ及びｃはその合計が５〜２５ａｔ％であり且つ
ｂ／ｃが３〜５０であり、ａは９５〜７５ａｔ％であ
る。）
あり、非磁性基板と該非磁性基板上に設けられた磁性層
とを有する磁気記録媒体において、該磁性層が下記式
（１）で表される合金からなることを特徴とする磁気記
録媒体を提供することにより、上記目的を達成したもの
である。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属１種又は２種以上を
表し、ｂ及びｃはその合計が５〜２５ａｔ％であり且つ
ｂ／ｃが３〜５０であり、ａは９５〜７５ａｔ％であ
る。）
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体を図
面を参照して詳細に説明する。ここで、図１は、本発明
の磁気記録媒体の第一の実施形態の構成を示す概略図で
あり、図２は、本発明の磁気記録媒体の第二の実施形態
の構成を示す概略図である。
面を参照して詳細に説明する。ここで、図１は、本発明
の磁気記録媒体の第一の実施形態の構成を示す概略図で
あり、図２は、本発明の磁気記録媒体の第二の実施形態
の構成を示す概略図である。
【０００９】図１に示す本発明の磁気記録媒体の第一の
実施形態においては、磁気記録媒体１０は、非磁性基板
１２と、該非磁性基板１２上に設けられた磁性層１４と
からなる。
実施形態においては、磁気記録媒体１０は、非磁性基板
１２と、該非磁性基板１２上に設けられた磁性層１４と
からなる。
【００１０】上記非磁性基板１２としては、例えば、Ａ
ｌ基板、ＮｉＰめっきＡｌ合金基板、強化ガラス基板、
結晶化ガラス基板、セラミックス基板、Ｓｉ合金基板、
Ｔｉ基板、Ｔｉ合金基板、プラスチック基板、カーボン
基板、及びこれらの複合材料から成る基板等が使用でき
る。特に、カーボン基板、就中ガラス状カーボン基板
は、小径／薄板化に有利であり、耐熱性に優れ、しかも
導電性も有しているので、本発明において好ましく用い
られる。
ｌ基板、ＮｉＰめっきＡｌ合金基板、強化ガラス基板、
結晶化ガラス基板、セラミックス基板、Ｓｉ合金基板、
Ｔｉ基板、Ｔｉ合金基板、プラスチック基板、カーボン
基板、及びこれらの複合材料から成る基板等が使用でき
る。特に、カーボン基板、就中ガラス状カーボン基板
は、小径／薄板化に有利であり、耐熱性に優れ、しかも
導電性も有しているので、本発明において好ましく用い
られる。
【００１１】而して、本発明の特徴である、上記磁性層
１４について説明すると、該磁性層１４は、下記式
（１）で表される合金からなる。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属１種又は２種以上を
表し、ｂ及びｃはその合計が５〜２５ａｔ％であり且つ
ｂ／ｃが３〜５０であり、ａは９５〜７５ａｔ％であ
る。）
１４について説明すると、該磁性層１４は、下記式
（１）で表される合金からなる。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属１種又は２種以上を
表し、ｂ及びｃはその合計が５〜２５ａｔ％であり且つ
ｂ／ｃが３〜５０であり、ａは９５〜７５ａｔ％であ
る。）
【００１２】上記式（１）中、Ｒは、Ｓｍ以外の希土類
金属であればその種類に特に制限は無い。Ｒで表される
希土類金属のうち好ましいものは、ランタノイド系金属
であり、特に好ましいものは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｈ
ｏ、Ｎｄ、Ｔｂ及びＤｙである。また、ＲはＳｍ以外の
希土類金属であれば１種でもよく又は２種以上の組み合
せでもよい。
金属であればその種類に特に制限は無い。Ｒで表される
希土類金属のうち好ましいものは、ランタノイド系金属
であり、特に好ましいものは、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｈ
ｏ、Ｎｄ、Ｔｂ及びＤｙである。また、ＲはＳｍ以外の
希土類金属であれば１種でもよく又は２種以上の組み合
せでもよい。
【００１３】本発明の磁気記録媒体においては、上記磁
性層１４が、Ｃｏ、Ｓｍ及びＳｍ以外の希土類金属Ｒか
らなる合金から形成されていることに加えて、該合金中
に占める希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度（＝ｂ＋ｃ）、
及び該合金中におけるＳｍとＲとの濃度比（＝ｂ／ｃ）
を特定の範囲とすることが重要である。
性層１４が、Ｃｏ、Ｓｍ及びＳｍ以外の希土類金属Ｒか
らなる合金から形成されていることに加えて、該合金中
に占める希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度（＝ｂ＋ｃ）、
及び該合金中におけるＳｍとＲとの濃度比（＝ｂ／ｃ）
を特定の範囲とすることが重要である。
【００１４】即ち、上記式（１）で表される合金中に占
める希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度（＝ｂ＋ｃ）は、５
〜２５ａｔ％である。（ｂ＋ｃ）が５ａｔ％に満たない
と高い保磁力が得られず、（ｂ＋ｃ）が２５ａｔ％を超
えると耐食性が劣化する。かかる（ｂ＋ｃ）は１０〜２
５ａｔ％であることが好ましい。
める希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度（＝ｂ＋ｃ）は、５
〜２５ａｔ％である。（ｂ＋ｃ）が５ａｔ％に満たない
と高い保磁力が得られず、（ｂ＋ｃ）が２５ａｔ％を超
えると耐食性が劣化する。かかる（ｂ＋ｃ）は１０〜２
５ａｔ％であることが好ましい。
【００１５】また、上記式（１）で表される合金中にお
けるＳｍとＲとの濃度比（＝ｂ／ｃ）は、３〜５０であ
る。（ｂ／ｃ）が３に満たないと高い保磁力が得られ
ず、（ｂ／ｃ）が５０を超えても高い保磁力が得られな
い。かかる（ｂ／ｃ）は３〜２０であることが好まし
い。
けるＳｍとＲとの濃度比（＝ｂ／ｃ）は、３〜５０であ
る。（ｂ／ｃ）が３に満たないと高い保磁力が得られ
ず、（ｂ／ｃ）が５０を超えても高い保磁力が得られな
い。かかる（ｂ／ｃ）は３〜２０であることが好まし
い。
【００１６】上記磁性層１４は、一般にその厚さが５〜
４０ｎｍであることが好ましい。かかる磁性層は、例え
ば、真空蒸着、スパッタリング及びイオンプレーティン
グ等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）のような薄膜形成手
段によって好ましく形成される。
４０ｎｍであることが好ましい。かかる磁性層は、例え
ば、真空蒸着、スパッタリング及びイオンプレーティン
グ等の物理的気相成長法（ＰＶＤ）のような薄膜形成手
段によって好ましく形成される。
【００１７】次に、図２に示す本発明の磁気記録媒体の
第二の実施形態について説明する。なお、図２におい
て、図１と同じ点については特に詳述しないが、図１に
関して詳述した説明が適宜適用される。また、図２にお
いて図１と同じ部材については同じ符号を付した。
第二の実施形態について説明する。なお、図２におい
て、図１と同じ点については特に詳述しないが、図１に
関して詳述した説明が適宜適用される。また、図２にお
いて図１と同じ部材については同じ符号を付した。
【００１８】図２に示す磁気記録媒体１０においては、
非磁性基板１２上に、第１下地層２０が設けられてお
り、その上に第２下地層２２が設けられており、そして
その上に上記合金からなる磁性層１４が設けられてい
る。該磁性層１４の上には、保護層２４及び潤滑剤層２
６が順次設けられている。
非磁性基板１２上に、第１下地層２０が設けられてお
り、その上に第２下地層２２が設けられており、そして
その上に上記合金からなる磁性層１４が設けられてい
る。該磁性層１４の上には、保護層２４及び潤滑剤層２
６が順次設けられている。
【００１９】図２に示す磁気記録媒体１０における上記
第１下地層２０は、媒体ノイズを一層低減化せしめる目
的で設けられるものであり、Ｔｉ又はＴｉ合金から構成
されるものであることが好ましい。一方、該第１下地層
２０上に設けられる上記第２下地層２２は、上記磁性層
１４の静磁気特性の向上を目的として設けられるもので
あり、この目的のために、その材質としては該磁性層１
４を構成する物質の格子定数に近いものを用いることが
好ましい。特に、該第２下地層２２は、Ｃｒ又はＣｒを
含む二元合金からなることが静磁気特性の向上と共に媒
体ノイズの低減化の点から好ましい。該Ｃｒを含む二元
合金の例としては、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、Ｃｒ
Ｎｂ、ＣｒＳｉ、ＣｒＣｏ、ＣｒＴａ等を挙げるこがで
きる。上記第１下地層２０及び第２下地層２２の厚さ
は、それぞれ５〜２００ｎｍ及び５〜１５０ｎｍである
ことが好ましい。
第１下地層２０は、媒体ノイズを一層低減化せしめる目
的で設けられるものであり、Ｔｉ又はＴｉ合金から構成
されるものであることが好ましい。一方、該第１下地層
２０上に設けられる上記第２下地層２２は、上記磁性層
１４の静磁気特性の向上を目的として設けられるもので
あり、この目的のために、その材質としては該磁性層１
４を構成する物質の格子定数に近いものを用いることが
好ましい。特に、該第２下地層２２は、Ｃｒ又はＣｒを
含む二元合金からなることが静磁気特性の向上と共に媒
体ノイズの低減化の点から好ましい。該Ｃｒを含む二元
合金の例としては、ＣｒＴｉ、ＣｒＭｏ、ＣｒＷ、Ｃｒ
Ｎｂ、ＣｒＳｉ、ＣｒＣｏ、ＣｒＴａ等を挙げるこがで
きる。上記第１下地層２０及び第２下地層２２の厚さ
は、それぞれ５〜２００ｎｍ及び５〜１５０ｎｍである
ことが好ましい。
【００２０】次に、上記磁性層１４上に設けられる上記
保護層２４について説明すると、該保護層は、上記磁性
層１４を保護するために用いられるものである。上記保
護層は、耐摩耗性の観点から力学的強度の高い材料で形
成されていることが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属の酸化
物（酸化ケイ素、酸化ジルコニウム等）；該金属の窒化
物（窒化ホウ素等）；該金属の炭化物（炭化ケイ素、炭
化タングステン等）；ダイヤモンドライクカーボン等の
カーボン（炭素）及びボロンナイトライド等からなる群
より選択される一種以上が用いられることが好ましい。
また、上記材料の中でも、カーボン、炭化ケイ素、炭化
タングステン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化ホ
ウ素又はこれらの複合材料が好ましく、更に好ましくは
カーボンであり、中でも特にダイヤモンドライクカーボ
ン及びガラス状カーボンが好ましい。上記保護膜の厚さ
は、一般に５〜２５ｎｍであることが好ましい。
保護層２４について説明すると、該保護層は、上記磁性
層１４を保護するために用いられるものである。上記保
護層は、耐摩耗性の観点から力学的強度の高い材料で形
成されていることが好ましく、例えば、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等の金属の酸化
物（酸化ケイ素、酸化ジルコニウム等）；該金属の窒化
物（窒化ホウ素等）；該金属の炭化物（炭化ケイ素、炭
化タングステン等）；ダイヤモンドライクカーボン等の
カーボン（炭素）及びボロンナイトライド等からなる群
より選択される一種以上が用いられることが好ましい。
また、上記材料の中でも、カーボン、炭化ケイ素、炭化
タングステン、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化ホ
ウ素又はこれらの複合材料が好ましく、更に好ましくは
カーボンであり、中でも特にダイヤモンドライクカーボ
ン及びガラス状カーボンが好ましい。上記保護膜の厚さ
は、一般に５〜２５ｎｍであることが好ましい。
【００２１】上記保護層２４上に設けられる上記潤滑剤
層２６について説明すると、上記潤滑剤層は、磁気記録
媒体の走行性及び耐久性を向上させるために用いられる
ものであり、例えば厚さが５〜１００Å程度になるよう
に潤滑剤を塗布する方法や、フッ化炭素系化合物と酸素
とを気相重合（特に光ＣＶＤ）する方法（例えば、特願
平６−２８６９４０号記載の方法等）により形成するこ
とができる。該潤滑剤としては、フッ素系高分子を好適
に用いることができる。該フッ素系高分子としては、分
子中に極性基を有するもの及び極性基を有しないものの
双方を単独で又は組み合わせて用いることができる。分
子中に極性基を有する上記フッ素系高分子としては、−
（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）ｎ−（ＣＦ2 Ｏ）ｍ−骨格を有し、
末端に芳香族環又はＯＨ基を有し、且つ分子量が２００
０〜４０００であるものが好ましい。一方、分子中に極
性基を有しない上記フッ素系高分子としては、ＣＦ3 −
（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）ｎ−（ＣＦ2 Ｏ）ｍ−ＣＦ3 で表わ
され、分子量が２０００〜１００００であるものが好ま
しい。
層２６について説明すると、上記潤滑剤層は、磁気記録
媒体の走行性及び耐久性を向上させるために用いられる
ものであり、例えば厚さが５〜１００Å程度になるよう
に潤滑剤を塗布する方法や、フッ化炭素系化合物と酸素
とを気相重合（特に光ＣＶＤ）する方法（例えば、特願
平６−２８６９４０号記載の方法等）により形成するこ
とができる。該潤滑剤としては、フッ素系高分子を好適
に用いることができる。該フッ素系高分子としては、分
子中に極性基を有するもの及び極性基を有しないものの
双方を単独で又は組み合わせて用いることができる。分
子中に極性基を有する上記フッ素系高分子としては、−
（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）ｎ−（ＣＦ2 Ｏ）ｍ−骨格を有し、
末端に芳香族環又はＯＨ基を有し、且つ分子量が２００
０〜４０００であるものが好ましい。一方、分子中に極
性基を有しない上記フッ素系高分子としては、ＣＦ3 −
（ＣＦ2 ＣＦ2 Ｏ）ｎ−（ＣＦ2 Ｏ）ｍ−ＣＦ3 で表わ
され、分子量が２０００〜１００００であるものが好ま
しい。
【００２２】以上、本発明の磁気記録媒体について詳細
に説明したが、上記の説明以外に特に詳述しなかった点
については、従来の磁気記録媒体に関する説明が適宜適
用される。
に説明したが、上記の説明以外に特に詳述しなかった点
については、従来の磁気記録媒体に関する説明が適宜適
用される。
【００２３】本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気記
録媒体は、例えば、磁気ドラム、磁気テープ、磁気カー
ド及び磁気ディスク等として有用であり、特に固定ディ
スク等の磁気ディスクとして有用である。
録媒体は、例えば、磁気ドラム、磁気テープ、磁気カー
ド及び磁気ディスク等として有用であり、特に固定ディ
スク等の磁気ディスクとして有用である。
【００２４】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、かかる実施例に限定されるものでは
ない。
するが、本発明は、かかる実施例に限定されるものでは
ない。
【００２５】〔実施例１〕密度１．５ｇ／ｃｍ3 のアモ
ルファスカーボン基板（サイズ２．５”）を研磨し、そ
の平均表面粗さＲａを０．５〜１．０ｎｍにした。該カ
ーボン基板を精密洗浄した後、４カソードを有するバッ
チ式スパッタリング装置内にセットし、下記の条件下に
て順次各層の形成を行った。なお、磁性層の形成には５
×５×１ｍｍ厚のＳｍ及び希土類金属のチップを付けた
Ｃｏターゲットを用い、該チップの数を増減させること
により磁性層を形成する合金の濃度を制御した。また、
磁性層の組成は、磁性層のみをスライドガラス上に成膜
し、これをＩＣＰにより測定した。
ルファスカーボン基板（サイズ２．５”）を研磨し、そ
の平均表面粗さＲａを０．５〜１．０ｎｍにした。該カ
ーボン基板を精密洗浄した後、４カソードを有するバッ
チ式スパッタリング装置内にセットし、下記の条件下に
て順次各層の形成を行った。なお、磁性層の形成には５
×５×１ｍｍ厚のＳｍ及び希土類金属のチップを付けた
Ｃｏターゲットを用い、該チップの数を増減させること
により磁性層を形成する合金の濃度を制御した。また、
磁性層の組成は、磁性層のみをスライドガラス上に成膜
し、これをＩＣＰにより測定した。
【００２６】（１）第１下地層 ・材料 ：Ｔｉ ・基板温度 ：室温 ・Ａｒガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ ・基板バイアス電圧：０Ｖ ・膜厚 ：５０ｎｍ （２）第２下地層 ・材料 ：Ｃｒ ・基板温度 ：室温 ・Ａｒガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ ・基板バイアス電圧：０Ｖ ・膜厚 ：５０ｎｍ （３）磁性層 ・材料 ：Ｃｏ78.7Ｓｍ18.1Ｃｅ3.2 ａｔ％ ・基板温度 ：室温 ・Ａｒガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ ・基板バイアス電圧：０Ｖ ・膜厚 ：３０ｎｍ
【００２７】（４）中間層 ・材料 ：Ｃｒ ・基板温度 ：室温 ・Ａｒガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ ・基板バイアス電圧：０Ｖ ・膜厚 ：７ｎｍ （５）保護層 ・材料 ：アモルファスカーボン ・基板温度 ：室温 ・Ａｒガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ ・基板バイアス電圧：０Ｖ ・膜厚 ：１０ｎｍ
【００２８】上記保護層形成後、Ａｒガスを止め、上記
スパッタチャンバー内をＮ2 リークし、上記保護層まで
が形成されたカーボン基板を取り出した。更に、テープ
バーニッシュ、続いて潤滑剤フォンブリンＡＭ２００１
（アオジモント社製）を２ｎｍの膜厚になるように塗布
し、磁気ディスクを得た。
スパッタチャンバー内をＮ2 リークし、上記保護層まで
が形成されたカーボン基板を取り出した。更に、テープ
バーニッシュ、続いて潤滑剤フォンブリンＡＭ２００１
（アオジモント社製）を２ｎｍの膜厚になるように塗布
し、磁気ディスクを得た。
【００２９】得られた磁気ディスクについて、ＶＳＭ
（振動試料型磁力計）にて静磁気特性（保磁力Ｈｃ）の
評価を行った。また、得られた磁気ディスクを８０℃、
８０％ＲＨの雰囲気下に２週間放置した後、ＶＳＭにて
Ｈｃ-afterを測定し、初期状態でのＨｃ-before との比
(Ｈｃ-after／Ｈｃ-before)を耐食性の指標とした。そ
の結果を表１に示す。
（振動試料型磁力計）にて静磁気特性（保磁力Ｈｃ）の
評価を行った。また、得られた磁気ディスクを８０℃、
８０％ＲＨの雰囲気下に２週間放置した後、ＶＳＭにて
Ｈｃ-afterを測定し、初期状態でのＨｃ-before との比
(Ｈｃ-after／Ｈｃ-before)を耐食性の指標とした。そ
の結果を表１に示す。
【００３０】〔実施例２〜４及び比較例１〜３〕実施例
１の磁気ディスクにおける磁性層に用いた合金に代え
て、表１に示す合金を用いて磁性層を形成する以外は実
施例１と同様の手順で磁気ディスクを得た。得られた磁
気ディスクについて実施例１と同様の測定を行った。そ
の結果を表１に示す。
１の磁気ディスクにおける磁性層に用いた合金に代え
て、表１に示す合金を用いて磁性層を形成する以外は実
施例１と同様の手順で磁気ディスクを得た。得られた磁
気ディスクについて実施例１と同様の測定を行った。そ
の結果を表１に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】表１に示す結果から明らかなように、Ｃ
ｏ、Ｓｍ及びＳｍ以外の希土類金属からなり、且つ特定
の濃度を有する合金から形成された磁性層を有する実施
例１〜４で得られた磁気ディスクでは、高い保磁力を維
持したままで耐食性が改善されていることが分かる。こ
れに対して、Ｃｏ−Ｓｍ二元系合金からなる磁性層を有
する磁気ディスク（比較例１）では比較的高い保磁力が
得られるものの、耐食性に劣ってしまう。また、比較例
１と同じくＣｏ−Ｓｍ二元系合金からなり、Ｓｍの濃度
が比較例１よりも低い合金からなる磁性層を有する磁気
ディスク（比較例２）では、耐食性は改善されるもの
の、高い保磁力は得られない。また、Ｃｏ、Ｓｍ及びＳ
ｍ以外の希土類金属（Ｃｅ）からなる合金ではあるもの
の、Ｓｍの濃度の高い合金からなる磁性層を有する磁気
ディスク（比較例３）も、耐食性は改善されるが、高い
保磁力は得られない。
ｏ、Ｓｍ及びＳｍ以外の希土類金属からなり、且つ特定
の濃度を有する合金から形成された磁性層を有する実施
例１〜４で得られた磁気ディスクでは、高い保磁力を維
持したままで耐食性が改善されていることが分かる。こ
れに対して、Ｃｏ−Ｓｍ二元系合金からなる磁性層を有
する磁気ディスク（比較例１）では比較的高い保磁力が
得られるものの、耐食性に劣ってしまう。また、比較例
１と同じくＣｏ−Ｓｍ二元系合金からなり、Ｓｍの濃度
が比較例１よりも低い合金からなる磁性層を有する磁気
ディスク（比較例２）では、耐食性は改善されるもの
の、高い保磁力は得られない。また、Ｃｏ、Ｓｍ及びＳ
ｍ以外の希土類金属（Ｃｅ）からなる合金ではあるもの
の、Ｓｍの濃度の高い合金からなる磁性層を有する磁気
ディスク（比較例３）も、耐食性は改善されるが、高い
保磁力は得られない。
【００３３】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
Ｃｏ−Ｓｍ系合金にＳｍ以外の希土類合金Ｒを更に添加
すると共に、Ｓｍ／Ｒの濃度を特定の範囲とし、且つ合
金全体中の希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度を少なくさせ
ることにより、保磁力の低下を伴うこと無く良好な耐食
性を有する磁気記録媒体が得られる。
Ｃｏ−Ｓｍ系合金にＳｍ以外の希土類合金Ｒを更に添加
すると共に、Ｓｍ／Ｒの濃度を特定の範囲とし、且つ合
金全体中の希土類金属（Ｓｍ＋Ｒ）の濃度を少なくさせ
ることにより、保磁力の低下を伴うこと無く良好な耐食
性を有する磁気記録媒体が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の構成
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】本発明の磁気記録媒体の第二の実施形態の構成
を示す概略図である。
を示す概略図である。
１０ 磁気記録媒体 １２ 非磁性基板 １４ 磁性層
Claims (2)
- 【請求項１】 非磁性基板と該非磁性基板上に設けられ
た磁性層とを有する磁気記録媒体において、該磁性層が
下記式（１）で表される合金からなることを特徴とする
磁気記録媒体。 Ｃｏa Ｓｍb Ｒc （１） （式中、ＲはＳｍ以外の希土類金属１種又は２種以上を
表し、ｂ及びｃはその合計が５〜２５ａｔ％であり且つ
ｂ／ｃが３〜５０であり、ａは９５〜７５ａｔ％であ
る。） - 【請求項２】 上記式（１）におけるＲが、Ｃｅ、Ｐ
ｒ、Ｇｄ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｔｂ又はＤｙである、請求項１
記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757995A JPH0944837A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19757995A JPH0944837A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944837A true JPH0944837A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16376848
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19757995A Pending JPH0944837A (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944837A (ja) |
-
1995
- 1995-08-02 JP JP19757995A patent/JPH0944837A/ja active Pending
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