JPH0944919A - 光磁気ディスク - Google Patents
光磁気ディスクInfo
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- JPH0944919A JPH0944919A JP19286195A JP19286195A JPH0944919A JP H0944919 A JPH0944919 A JP H0944919A JP 19286195 A JP19286195 A JP 19286195A JP 19286195 A JP19286195 A JP 19286195A JP H0944919 A JPH0944919 A JP H0944919A
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- Japan
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- magneto
- layer
- magnetic field
- optical disk
- optical recording
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Abstract
(57)【要約】
【課題】Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界を
小さくでき、記録または消去が１００Ｏｅ程度の小さな
外部磁場で達成でき、磁界変調オーバーライトができる
光磁気ディスクを提供する。 【解決手段】光磁気記録層６が下記原子組成（ただし、
ｘ値は層全体の平均値である）から成るとともに、層厚
の方向にわたってｘ値を漸次大きくした光磁気ディスク
Ｍ。 （Ｓｍx Ｔｂ1-x ）y （Ｆｅ1-a-b Ｃｏa Ｔ
ｉb ）1-y ０＜ｘ＜０．５、０．１≦ｙ≦０．４、０
＜ａ≦０．３、０＜ｂ＜０．０４
小さくでき、記録または消去が１００Ｏｅ程度の小さな
外部磁場で達成でき、磁界変調オーバーライトができる
光磁気ディスクを提供する。 【解決手段】光磁気記録層６が下記原子組成（ただし、
ｘ値は層全体の平均値である）から成るとともに、層厚
の方向にわたってｘ値を漸次大きくした光磁気ディスク
Ｍ。 （Ｓｍx Ｔｂ1-x ）y （Ｆｅ1-a-b Ｃｏa Ｔ
ｉb ）1-y ０＜ｘ＜０．５、０．１≦ｙ≦０．４、０
＜ａ≦０．３、０＜ｂ＜０．０４
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気ディスクの改
良に関するものである。
良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特開昭６０−１０１７４２号において
は、ＴｂＦｅＣｏ合金にＳｍを添加し、これによってカ
ー回転角を改善された光磁気記録層が提案されている。
は、ＴｂＦｅＣｏ合金にＳｍを添加し、これによってカ
ー回転角を改善された光磁気記録層が提案されている。
【０００３】また特開平６−３６３６８号においては、
光磁気記録層用材料としてＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏなどのＣｏを含有する磁性材にお
いて、Ｃｏの含有比率を基板に近くなるほどに大きくし
て、Ｃ／Ｎおよび記録感度ともに高めた光磁気ディスク
が提案されている。
光磁気記録層用材料としてＴｂＦｅＣｏ、ＤｙＦｅＣ
ｏ、ＤｙＴｂＦｅＣｏなどのＣｏを含有する磁性材にお
いて、Ｃｏの含有比率を基板に近くなるほどに大きくし
て、Ｃ／Ｎおよび記録感度ともに高めた光磁気ディスク
が提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開昭
６０−１０１７４２号に提案された技術によれば、Ｃ／
Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界が３００エルス
テッド（Ｏｅ）以上となって、繰り返し記録再生におい
て、Ｃ／Ｎの劣化が認められた。
６０−１０１７４２号に提案された技術によれば、Ｃ／
Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界が３００エルス
テッド（Ｏｅ）以上となって、繰り返し記録再生におい
て、Ｃ／Ｎの劣化が認められた。
【０００５】また、特開平６−３６３６８号において
は、低い記録パワーでもってＣ／Ｎを向上させ、これに
よってＣ／Ｎの磁界依存性において、立ち上がり磁界が
小さくなるが、その反面、ビットエッジ形状が厚さ方向
にわたって歪み、Ｃ／Ｎが低下することが判明した。こ
の問題点を図７により説明すると、レーザー光を基板側
から照射する場合に、（イ）は厚み４００ÅのＴｂ0.15
Ｆｅ0.75Ｃｏ0.10から成る光磁気記録層Ａの断面概略図
を示し、（ロ）は厚み２００ÅのＴｂ0.15Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.10から成る光磁気記録層Ｂの断面概略図を示す。いず
れの層Ａ、Ｂも基板３の面側のＣｏ組成比率が２０％で
あり、その対向面側のＣｏ組成比率が１０％であって、
層厚み方向にわたって漸次Ｃｏ組成比率を変化させてい
る。そして、双方の図ともに、矢印で示す層領域におけ
るビットエッジ形状も示す。
は、低い記録パワーでもってＣ／Ｎを向上させ、これに
よってＣ／Ｎの磁界依存性において、立ち上がり磁界が
小さくなるが、その反面、ビットエッジ形状が厚さ方向
にわたって歪み、Ｃ／Ｎが低下することが判明した。こ
の問題点を図７により説明すると、レーザー光を基板側
から照射する場合に、（イ）は厚み４００ÅのＴｂ0.15
Ｆｅ0.75Ｃｏ0.10から成る光磁気記録層Ａの断面概略図
を示し、（ロ）は厚み２００ÅのＴｂ0.15Ｆｅ0.75Ｃｏ
0.10から成る光磁気記録層Ｂの断面概略図を示す。いず
れの層Ａ、Ｂも基板３の面側のＣｏ組成比率が２０％で
あり、その対向面側のＣｏ組成比率が１０％であって、
層厚み方向にわたって漸次Ｃｏ組成比率を変化させてい
る。そして、双方の図ともに、矢印で示す層領域におけ
るビットエッジ形状も示す。
【０００６】Ｃｏ含有層のキュリー点温度が高く、Ｃｏ
組成比率が大きいほどに記録パワーを大きくしなければ
ならない。したがって、Ｃｏ組成比率が２０％である層
領域に対して、レーザー光のパワーを最適化した場合に
は、（イ）のように層厚みが大きいと、その厚み方向に
わたってレーザー光のパワー熱量が徐々に小さくなり、
Ｃｏ組成比率１０％の層領域に対して、適当な熱量にま
で減少するが、他方、（ロ）のように層厚みが小さい
と、その厚み方向にわたって熱量変化が小さくなるの
で、Ｃｏ組成比率１０％の層領域においては、オーバー
パワーとなって、ビットエッジ形状が歪み、その結果、
Ｃ／Ｎのパワー依存性と磁界依存性は向上するが、その
反面、Ｃ／Ｎの飽和値低下をまねくという問題点があ
る。
組成比率が大きいほどに記録パワーを大きくしなければ
ならない。したがって、Ｃｏ組成比率が２０％である層
領域に対して、レーザー光のパワーを最適化した場合に
は、（イ）のように層厚みが大きいと、その厚み方向に
わたってレーザー光のパワー熱量が徐々に小さくなり、
Ｃｏ組成比率１０％の層領域に対して、適当な熱量にま
で減少するが、他方、（ロ）のように層厚みが小さい
と、その厚み方向にわたって熱量変化が小さくなるの
で、Ｃｏ組成比率１０％の層領域においては、オーバー
パワーとなって、ビットエッジ形状が歪み、その結果、
Ｃ／Ｎのパワー依存性と磁界依存性は向上するが、その
反面、Ｃ／Ｎの飽和値低下をまねくという問題点があ
る。
【０００７】したがって、本発明の目的は、層厚を小さ
くしながらも、ビットエッジ形状が光磁気記録層の厚さ
方向にわたって変形しないで、その形状が歪まないよう
にして、Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界を
小さくすることにある。
くしながらも、ビットエッジ形状が光磁気記録層の厚さ
方向にわたって変形しないで、その形状が歪まないよう
にして、Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上がり磁界を
小さくすることにある。
【０００８】また、本発明の他の目的は、記録または消
去が１００．Ｏｅ程度の小さな外部磁場で達成できて、
これによって磁界変調オーバーライトができるようにす
ることにある。
去が１００．Ｏｅ程度の小さな外部磁場で達成できて、
これによって磁界変調オーバーライトができるようにす
ることにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の光磁気ディスク
は、透明ディスク基板上に一方の誘電体層と情報の記録
および消去を行う光磁気記録層と他方の誘電体層と反射
層とを順次積層し、上記光磁気記録層が下記式の原子組
成（ただし、ｘ値は層全体の平均値である）から成ると
ともに、層厚の方向にわたって上記他方の誘電体層へ向
けてｘ値を漸次大きくしたことを特徴とする。
は、透明ディスク基板上に一方の誘電体層と情報の記録
および消去を行う光磁気記録層と他方の誘電体層と反射
層とを順次積層し、上記光磁気記録層が下記式の原子組
成（ただし、ｘ値は層全体の平均値である）から成ると
ともに、層厚の方向にわたって上記他方の誘電体層へ向
けてｘ値を漸次大きくしたことを特徴とする。
【００１０】 （Ｓｍx Ｔｂ1-x ）y （Ｆｅ1-a-b Ｃｏa Ｔｉb ））
1-y ０＜ｘ＜０．５ ０．１≦ｙ≦０．４ ０＜ａ≦０．３ ０＜ｂ＜０．０４
1-y ０＜ｘ＜０．５ ０．１≦ｙ≦０．４ ０＜ａ≦０．３ ０＜ｂ＜０．０４
【００１１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の光磁気ディスクＭ
（直径３．５インチ）の平面図であり、図２は図１に示
す切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。また、図３は光
磁気ディスクＭを構成する薄膜の層構造を示す。
（直径３．５インチ）の平面図であり、図２は図１に示
す切断面線Ｘ−Ｘによる断面図である。また、図３は光
磁気ディスクＭを構成する薄膜の層構造を示す。
【００１２】前記透明ディスク基板としてポリカーボネ
ート樹脂から成る基板１を用いており、この基板１の片
面側にはトラッキング用溝２が同心円状に多数形成さ
れ、その中心部にはハブ装着用の穴３が設けられてい
る。トラッキング用溝２が形成された面上には薄膜４が
被覆されている。
ート樹脂から成る基板１を用いており、この基板１の片
面側にはトラッキング用溝２が同心円状に多数形成さ
れ、その中心部にはハブ装着用の穴３が設けられてい
る。トラッキング用溝２が形成された面上には薄膜４が
被覆されている。
【００１３】上記薄膜４は一方の誘電体層としての膜厚
８００Åのサイアロンから成る誘電体層５と、情報の記
録および消去を行う膜厚２００Åの光磁気記録層６と、
他方の誘電体層としての膜厚４００Åのサイアロンから
成る誘電体層７と、膜厚６００Åのアルミニウムから成
る反射層８と、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂層９
との積層構造であって、光磁気記録層６は上記式の原子
組成から成るとともに、層厚の方向にわたって誘電体層
７へ向けてｘ値を漸次大きくしている。
８００Åのサイアロンから成る誘電体層５と、情報の記
録および消去を行う膜厚２００Åの光磁気記録層６と、
他方の誘電体層としての膜厚４００Åのサイアロンから
成る誘電体層７と、膜厚６００Åのアルミニウムから成
る反射層８と、紫外線硬化型樹脂からなる保護樹脂層９
との積層構造であって、光磁気記録層６は上記式の原子
組成から成るとともに、層厚の方向にわたって誘電体層
７へ向けてｘ値を漸次大きくしている。
【００１４】このｘ値について、層全体の平均値でもっ
て表示した場合に、平均ｘが０．５以上であると飽和磁
化（Ｍｓ）が大きくなり過ぎて、消去するときの磁場を
大きくしなければならない。また、ｙが０．１未満であ
ると保磁力が小さくなり過ぎ、ｙが０．４よりも越える
と保磁力が大きくなり、光磁気記録層６の磁場方向をそ
ろえること（着磁）が難しくなる。
て表示した場合に、平均ｘが０．５以上であると飽和磁
化（Ｍｓ）が大きくなり過ぎて、消去するときの磁場を
大きくしなければならない。また、ｙが０．１未満であ
ると保磁力が小さくなり過ぎ、ｙが０．４よりも越える
と保磁力が大きくなり、光磁気記録層６の磁場方向をそ
ろえること（着磁）が難しくなる。
【００１５】また、ａが０．３よりも越えると実際の使
用に当たって記録感度が低くなり過ぎ、ｂが０．０４以
上になるとカー回転角などの磁気特性が劣化し、Ｃ／Ｎ
が低くなる。
用に当たって記録感度が低くなり過ぎ、ｂが０．０４以
上になるとカー回転角などの磁気特性が劣化し、Ｃ／Ｎ
が低くなる。
【００１６】そして、上記のようにｘ値とａ値との設定
することによって、キュリー温度が２５０℃以下におい
て、補償温度が室温付近にあっても、記録時に均一形状
の記録ドメインができ、これによって変調ノイズが生じ
なくなり、再生時のＣ／Ｎが向上する。
することによって、キュリー温度が２５０℃以下におい
て、補償温度が室温付近にあっても、記録時に均一形状
の記録ドメインができ、これによって変調ノイズが生じ
なくなり、再生時のＣ／Ｎが向上する。
【００１７】上記構成の光磁気ディスクＭにおいては、
基板１を回転させながら、波長７８０ｎｍのレーザービ
ームを基板１を通して照射し、トラッキング用溝２に沿
ってトラッキングすると、そのレーザービームが誘電体
層５を通して光磁気記録層６へ到達し、更にその一部が
この光磁気記録層６を通過し、誘電体層７を通して反射
層８で反射され、その反射光が光磁気記録層６へ到る。
基板１を回転させながら、波長７８０ｎｍのレーザービ
ームを基板１を通して照射し、トラッキング用溝２に沿
ってトラッキングすると、そのレーザービームが誘電体
層５を通して光磁気記録層６へ到達し、更にその一部が
この光磁気記録層６を通過し、誘電体層７を通して反射
層８で反射され、その反射光が光磁気記録層６へ到る。
【００１８】次に図４および図５によりマグネトロンス
パッタリング装置１０の構成を説明する。図４はマグネ
トロンスパッタリング装置１０の原理を示す概略図であ
り、図５はこのマグネトロンスパッタリング装置１０に
基づいて４個の被成膜用基板１１に成膜する場合に、こ
れら被成膜用基板１１と希土類金属用ターゲート１２と
遷移金属用ターゲート１６との配置関係を示す説明図で
ある。
パッタリング装置１０の構成を説明する。図４はマグネ
トロンスパッタリング装置１０の原理を示す概略図であ
り、図５はこのマグネトロンスパッタリング装置１０に
基づいて４個の被成膜用基板１１に成膜する場合に、こ
れら被成膜用基板１１と希土類金属用ターゲート１２と
遷移金属用ターゲート１６との配置関係を示す説明図で
ある。
【００１９】まず図４のマグネトロンスパッタリング装
置１０によれば、１３は真空チャンバであって、真空チ
ャンバ１３の内部には、上方に公転機構１４を設け、公
転機構１４に自転機構１５を形成し、更に自転機構１５
に被成膜用基板１１を固定している。公・自転機構１
４、１５および基板１１と対向するように希土類金属用
ターゲート１２と遷移金属用ターゲート１６とを配置
し、これらターゲート１２、１６にマグネット１７およ
びカソード１８を配設する。そして、真空チャンバ１３
の一部にはスパッタリング用ガスであるＡｒガスの導入
口１９と、成膜後の残余ガスを排出する排気口２０とが
設けられている。
置１０によれば、１３は真空チャンバであって、真空チ
ャンバ１３の内部には、上方に公転機構１４を設け、公
転機構１４に自転機構１５を形成し、更に自転機構１５
に被成膜用基板１１を固定している。公・自転機構１
４、１５および基板１１と対向するように希土類金属用
ターゲート１２と遷移金属用ターゲート１６とを配置
し、これらターゲート１２、１６にマグネット１７およ
びカソード１８を配設する。そして、真空チャンバ１３
の一部にはスパッタリング用ガスであるＡｒガスの導入
口１９と、成膜後の残余ガスを排出する排気口２０とが
設けられている。
【００２０】上記構成のマグネトロンスパッタリング装
置１０により光磁気記録層６を成膜形成するには、被成
膜用基板１１（基板１）を自転機構１５でもって自転さ
せ、更に自転機構１５を公転機構１４でもって公転さ
せ、これによって被成膜用基板１１を公・自転させ、そ
して、導入口１９よりＡｒガスを導入し、カソード１８
に電力を印加して、スパッタリングをおこなう。
置１０により光磁気記録層６を成膜形成するには、被成
膜用基板１１（基板１）を自転機構１５でもって自転さ
せ、更に自転機構１５を公転機構１４でもって公転さ
せ、これによって被成膜用基板１１を公・自転させ、そ
して、導入口１９よりＡｒガスを導入し、カソード１８
に電力を印加して、スパッタリングをおこなう。
【００２１】そして、上述したマグネトロンスパッタリ
ング装置１０により光磁気記録層６を成膜形成するに当
たっては、図５に示す２種類の方形状板の希土類金属用
ターゲート１２（図中、この２種類を１２ａと１２ｂに
より表示する）を用いて、それぞれにカソードを個別に
設けている。すなわち、図５はマグネトロンスパッタリ
ング装置１０の上方から見た配置関係を示し、４個の基
板１１を公転機構１４に固定し、それぞれ自転させなが
ら公転させる構成であって、このような構成に対して、
更に１個の遷移金属用ターゲート１６と２個の希土類金
属用ターゲート１２ａ、１２ｂとを配する。この遷移金
属用ターゲート１６は原子組成がＦｅ0.88Ｃｏ0.10Ｔｉ
0.02である合金からなり、他方の希土類金属用ターゲー
ト１２ａはＳｍ0.10Ｔｂ0.90の合金からなり、希土類金
属用ターゲート１２ｂはＳｍ0.30Ｔｂ0.70の合金からな
る。
ング装置１０により光磁気記録層６を成膜形成するに当
たっては、図５に示す２種類の方形状板の希土類金属用
ターゲート１２（図中、この２種類を１２ａと１２ｂに
より表示する）を用いて、それぞれにカソードを個別に
設けている。すなわち、図５はマグネトロンスパッタリ
ング装置１０の上方から見た配置関係を示し、４個の基
板１１を公転機構１４に固定し、それぞれ自転させなが
ら公転させる構成であって、このような構成に対して、
更に１個の遷移金属用ターゲート１６と２個の希土類金
属用ターゲート１２ａ、１２ｂとを配する。この遷移金
属用ターゲート１６は原子組成がＦｅ0.88Ｃｏ0.10Ｔｉ
0.02である合金からなり、他方の希土類金属用ターゲー
ト１２ａはＳｍ0.10Ｔｂ0.90の合金からなり、希土類金
属用ターゲート１２ｂはＳｍ0.30Ｔｂ0.70の合金からな
る。
【００２２】上記構成によれば、スパッタリング形成す
るに当たって、希土類金属用ターゲート１２ａに設けた
カソードと、希土類金属用ターゲート１２ｂに設けたカ
ソードとに投入する電力パワーを、シークエンス制御に
よって成膜中に経時的に変動させ、これによって所要通
りに光磁気記録層６の厚み方向にわたってＳｍ比率を変
えることができる。
るに当たって、希土類金属用ターゲート１２ａに設けた
カソードと、希土類金属用ターゲート１２ｂに設けたカ
ソードとに投入する電力パワーを、シークエンス制御に
よって成膜中に経時的に変動させ、これによって所要通
りに光磁気記録層６の厚み方向にわたってＳｍ比率を変
えることができる。
【００２３】
【実施例】以下、上述の製法にもとづく実施例を詳述す
る。
る。
【００２４】（例１）厚み方向にわたってｘ値を漸次大
きくした原子組成が（Ｓｍx Ｔｂ1-x ) 0.25（Ｆｅ0.88
Ｃｏ0.10Ｔｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭを１１
種類と、Ｓｍを含まないＴｂ0.25（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.10Ｔ
ｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭとを表１に示すよ
うに作製した。そして、本例においては、保護樹脂層９
を形成しないで測定に供している。
きくした原子組成が（Ｓｍx Ｔｂ1-x ) 0.25（Ｆｅ0.88
Ｃｏ0.10Ｔｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭを１１
種類と、Ｓｍを含まないＴｂ0.25（Ｆｅ0.88Ｃｏ0.10Ｔ
ｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭとを表１に示すよ
うに作製した。そして、本例においては、保護樹脂層９
を形成しないで測定に供している。
【００２５】なお、同表中、「Ｓｍ組成勾配」について
は、「誘電体層５〜誘電体層７」と表示している通り、
誘電体層５上に成膜する場合のｘ値を左欄に、誘電体層
７に到る直前のｘ値を右欄に記載している。
は、「誘電体層５〜誘電体層７」と表示している通り、
誘電体層５上に成膜する場合のｘ値を左欄に、誘電体層
７に到る直前のｘ値を右欄に記載している。
【００２６】
【表１】
【００２７】各試料について、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓ
とＣ／Ｎを測定したところ、表１に示す通りの結果が得
られた。この測定、記録パワー４．５ｍＷ、再生パワー
１ｍＷ、記録周波数７００ＫＨｚの条件の磁界変調オー
バーライトでもって評価している。なお、試料Ｎｏ．２
と試料Ｎｏ．７の測定データを図６にて示す。
とＣ／Ｎを測定したところ、表１に示す通りの結果が得
られた。この測定、記録パワー４．５ｍＷ、再生パワー
１ｍＷ、記録周波数７００ＫＨｚの条件の磁界変調オー
バーライトでもって評価している。なお、試料Ｎｏ．２
と試料Ｎｏ．７の測定データを図６にて示す。
【００２８】表１に示す結果から明らかな通り、本発明
の試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．７、および試料Ｎｏ．１０
〜試料Ｎｏ．１２については、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓ
ともに１００Ｏｅ未満であり、しかも、Ｃ／Ｎは４９．
５以上となって、優れた特性が得られた。
の試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．７、および試料Ｎｏ．１０
〜試料Ｎｏ．１２については、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓ
ともに１００Ｏｅ未満であり、しかも、Ｃ／Ｎは４９．
５以上となって、優れた特性が得られた。
【００２９】（例２）厚み方向にわたってａ値を漸次大
きくした原子組成が（Ｓｍ0.20Ｔｂ0.80) 0. 25（Ｆｅ
1-0.02-aＣｏa Ｔｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭ
を３種類、ａ値とｘ値ともに厚み方向にわたって変えな
い（Ｓｍ0.20Ｔｂ0.80) 0.25（Ｆｅ1-0.02-aＣｏa Ｔｉ
0.02）0.75である光磁気ディスクＭを９種類、表２に示
すように作製した。そして、本例においても、保護樹脂
層９を形成しないで測定に供している。
きくした原子組成が（Ｓｍ0.20Ｔｂ0.80) 0. 25（Ｆｅ
1-0.02-aＣｏa Ｔｉ0.02）0.75である光磁気ディスクＭ
を３種類、ａ値とｘ値ともに厚み方向にわたって変えな
い（Ｓｍ0.20Ｔｂ0.80) 0.25（Ｆｅ1-0.02-aＣｏa Ｔｉ
0.02）0.75である光磁気ディスクＭを９種類、表２に示
すように作製した。そして、本例においても、保護樹脂
層９を形成しないで測定に供している。
【００３０】
【表２】
【００３１】各試料について、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓ
とＣ／Ｎを測定したところ、表２に示す通りの結果が得
られた。なお、試料Ｎｏ．１３と試料Ｎｏ．１４の測定
データを図６にて示す。
とＣ／Ｎを測定したところ、表２に示す通りの結果が得
られた。なお、試料Ｎｏ．１３と試料Ｎｏ．１４の測定
データを図６にて示す。
【００３２】表２に示す結果から明らかな通り、試料Ｎ
ｏ．１３〜試料Ｎｏ．１８および試料Ｎｏ．２２につい
ては、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓともに１２０Ｏｅ以上で
あり、試料Ｎｏ．１９〜試料Ｎｏ．２１および試料Ｎ
ｏ．２３については、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓともに１
００Ｏｅであり、試料Ｎｏ．２４については、磁界Ｈｏ
と飽和磁界Ｈｓともに８０Ｏｅであるが、その反面、Ｃ
／Ｎが著しく小さくなっている。
ｏ．１３〜試料Ｎｏ．１８および試料Ｎｏ．２２につい
ては、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓともに１２０Ｏｅ以上で
あり、試料Ｎｏ．１９〜試料Ｎｏ．２１および試料Ｎ
ｏ．２３については、磁界Ｈｏと飽和磁界Ｈｓともに１
００Ｏｅであり、試料Ｎｏ．２４については、磁界Ｈｏ
と飽和磁界Ｈｓともに８０Ｏｅであるが、その反面、Ｃ
／Ｎが著しく小さくなっている。
【００３３】
【発明の効果】以上の通り、本発明の光磁気ディスク
は、ＳｍＴｂＦｅＣｏＴｉからなる光磁気記録層により
形成するに当たって、所定の組成範囲にするとともに、
Ｓｍ含有比率を層厚の方向にわたって漸次大きくした構
成にすることによって、ビットエッジ形状が光磁気記録
層の厚さ方向にわたって変形しないで、その形状が歪ま
ないようにして、Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上が
り磁界を小さくでき、しかも、記録または消去が１００
Ｏｅ程度の小さな外部磁場で達成でき、その結果、磁界
変調オーバーライトができる高性能かつ高信頼性の光磁
気ディスクが提供できる。
は、ＳｍＴｂＦｅＣｏＴｉからなる光磁気記録層により
形成するに当たって、所定の組成範囲にするとともに、
Ｓｍ含有比率を層厚の方向にわたって漸次大きくした構
成にすることによって、ビットエッジ形状が光磁気記録
層の厚さ方向にわたって変形しないで、その形状が歪ま
ないようにして、Ｃ／Ｎの磁界依存性における立ち上が
り磁界を小さくでき、しかも、記録または消去が１００
Ｏｅ程度の小さな外部磁場で達成でき、その結果、磁界
変調オーバーライトができる高性能かつ高信頼性の光磁
気ディスクが提供できる。
【図１】実施例の光磁気ディスクＭの平面図である。
【図２】実施例の光磁気ディスクＭの断面図である。
【図３】光磁気記録層の層構成を示す断面図である。
【図４】マグネトロンスパッタリング装置の概略図であ
る。
る。
【図５】希土類金属用ターゲートの原子組成構造および
被成膜用基板との配置関係を示す説明図である。
被成膜用基板との配置関係を示す説明図である。
【図６】外部磁場に対するＣ／Ｎ特性を示す線図であ
る。
る。
【図７】（イ）および（ロ）は基板にレーザー光を照射
した場合の状態を示す断面概略図である。
した場合の状態を示す断面概略図である。
Ｍ 光磁気ディスク １ 基板 ２ トラッキング用溝 ４ 薄膜 ５、７ 誘電体層 ６ 光磁気記録層 ８ 反射層 ９ 保護樹脂層 １０ マグネトロンスパッタリング装置 １１ 被成膜用基板 １２、１２ａ、１２ｂ 希土類金属用ターゲート １６ 遷移金属用ターゲート
Claims (1)
- 【請求項１】 透明ディスク基板上に一方の誘電体層と
情報の記録および消去を行う光磁気記録層と他方の誘電
体層と反射層とを順次積層した光磁気ディスクにおい
て、前記光磁気記録層が下記式の原子組成（ただし、ｘ
値は層全体の平均値である）から成るとともに、層厚の
方向にわたって上記他方の誘電体層へ向けてｘ値を漸次
大きくしたことを特徴とする光磁気ディスク。 （Ｓｍx Ｔｂ1-x ）y （Ｆｅ1-a-b Ｃｏa Ｔｉb ）1-y ０＜ｘ＜０．５ ０．１≦ｙ≦０．４ ０＜ａ≦０．３ ０＜ｂ＜０．０４
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19286195A JPH0944919A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 光磁気ディスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19286195A JPH0944919A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 光磁気ディスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0944919A true JPH0944919A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16298196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19286195A Pending JPH0944919A (ja) | 1995-07-28 | 1995-07-28 | 光磁気ディスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0944919A (ja) |
-
1995
- 1995-07-28 JP JP19286195A patent/JPH0944919A/ja active Pending
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