JPH0945703A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH0945703A JPH0945703A JP7214086A JP21408695A JPH0945703A JP H0945703 A JPH0945703 A JP H0945703A JP 7214086 A JP7214086 A JP 7214086A JP 21408695 A JP21408695 A JP 21408695A JP H0945703 A JPH0945703 A JP H0945703A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極とのコンタクトを取るＰ型層を形成する
際に、その界面や表面にＳｉＢ層が生じ、トランジスタ
の順方向電圧や順方向電圧利得が低下される。 【解決手段】 ＮＰＮトランジスタやＰＭＯＳトランジ
スタ等における電極にコンタクトされるＰ型層１１ａを
形成する際に、半導体層３の表面に絶縁膜５ｂを設け、
この絶縁膜５ｂを介して半導体層にＰ型不純物を導入す
る際に、Ｐ型層１１ａの絶縁膜との界面濃度が１．８×
１０20ｃｍ-3程度になるようにイオン注入する。
際に、その界面や表面にＳｉＢ層が生じ、トランジスタ
の順方向電圧や順方向電圧利得が低下される。 【解決手段】 ＮＰＮトランジスタやＰＭＯＳトランジ
スタ等における電極にコンタクトされるＰ型層１１ａを
形成する際に、半導体層３の表面に絶縁膜５ｂを設け、
この絶縁膜５ｂを介して半導体層にＰ型不純物を導入す
る際に、Ｐ型層１１ａの絶縁膜との界面濃度が１．８×
１０20ｃｍ-3程度になるようにイオン注入する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にＮＰＮ型バイポーラトランジスタを含む半導体装置
の製造方法に関する。
特にＮＰＮ型バイポーラトランジスタを含む半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者が検討しているＮＰＮトランジ
スタの製造方法を図５及び図６の工程図に示す。まず、
図５（ａ）のように、半導体基板１上に写真食刻法を用
いた選択熱拡散法やイオン注入法等によりＮ+ 型埋込層
２を形成し、その上にＮ型エピタキシャル層３を成長す
る。また、同様にして素子分離用Ｐ+ 型拡散層４をエピ
タキシャル層３から半導体基板１にかけて形成する。
スタの製造方法を図５及び図６の工程図に示す。まず、
図５（ａ）のように、半導体基板１上に写真食刻法を用
いた選択熱拡散法やイオン注入法等によりＮ+ 型埋込層
２を形成し、その上にＮ型エピタキシャル層３を成長す
る。また、同様にして素子分離用Ｐ+ 型拡散層４をエピ
タキシャル層３から半導体基板１にかけて形成する。
【０００３】そして、トランジスタ領域に窒化膜等の絶
縁膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に形成した
後、加圧酸化することにより、トランジスタ領域の周囲
のフィールド酸化膜５ａとトランジスタ領域表面の酸化
膜ｂ５を形成する。その後、フォトレジストを写真食刻
法により選択形成してコレクタ領域を開孔した後、これ
をマスクとしてＮ型となる不純物をイオン注入して、Ｎ
+ 型引出層６を形成する。同様にして、フォトレジスト
でベース領域を開孔した後、浅い接合を形成するために
低加速のイオン注入法を用いてＰ+ 型ベース層７ａを形
成する。
縁膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に形成した
後、加圧酸化することにより、トランジスタ領域の周囲
のフィールド酸化膜５ａとトランジスタ領域表面の酸化
膜ｂ５を形成する。その後、フォトレジストを写真食刻
法により選択形成してコレクタ領域を開孔した後、これ
をマスクとしてＮ型となる不純物をイオン注入して、Ｎ
+ 型引出層６を形成する。同様にして、フォトレジスト
でベース領域を開孔した後、浅い接合を形成するために
低加速のイオン注入法を用いてＰ+ 型ベース層７ａを形
成する。
【０００４】次に、図５（ｂ）のように、酸化膜５ａ，
５ｂの表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長し、フォトレジ
スト等による写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域の絶縁膜８と酸化膜５ｂの表面側
の一部をエッチングし、ベースコンタクト凹部１０ａ、
エミッタコンタクト凹部１０ｂ、コレクタコンタクト凹
部１０ｃを形成する。
５ｂの表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長し、フォトレジ
スト等による写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域の絶縁膜８と酸化膜５ｂの表面側
の一部をエッチングし、ベースコンタクト凹部１０ａ、
エミッタコンタクト凹部１０ｂ、コレクタコンタクト凹
部１０ｃを形成する。
【０００５】次に、図５（ｃ）のように、フォトレジス
ト９ａを写真食刻法を用いてベースコンタクト領域１０
ａのみを開孔し、これをマスクにしてＢ+ ，ＢＦ2 等を
イオン注入してＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａを形
成する。このイオン注入は深さ方向に対してＰ+ 型ベー
ス層７ａを越えない事が望ましい。また、Ｐ+ 型ベース
層７ａと後述するベース電極１５ａは良好なオーミック
接触が必要とされるため、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域
１１ａは浅い接合でかつ高濃度層となるように形成す
る。
ト９ａを写真食刻法を用いてベースコンタクト領域１０
ａのみを開孔し、これをマスクにしてＢ+ ，ＢＦ2 等を
イオン注入してＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａを形
成する。このイオン注入は深さ方向に対してＰ+ 型ベー
ス層７ａを越えない事が望ましい。また、Ｐ+ 型ベース
層７ａと後述するベース電極１５ａは良好なオーミック
接触が必要とされるため、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域
１１ａは浅い接合でかつ高濃度層となるように形成す
る。
【０００６】次に、図６（ａ）のように、エッチングに
対する第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチングを
行い、エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコン
タクト開孔部１０ｃに残る酸化膜５ｂを選択的に除去す
る。次に、全面にポリシリコンを成長した後に、Ｎ型に
形成するためにＡｓ等のＮ型の不純物をイオン注入によ
り導入した後、エミッタドライブインを行い、Ｎ+ 型エ
ミッタ領域１３を形成する。さらに、図６（ｂ）のよう
に、写真食刻法及びエッチング法を用いて前記ポリシリ
コンを選択エッチングし、エミッタ，コレクタ上に選択
的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ、コレクタポ
リシリコン１４ｃを残す。
対する第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチングを
行い、エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコン
タクト開孔部１０ｃに残る酸化膜５ｂを選択的に除去す
る。次に、全面にポリシリコンを成長した後に、Ｎ型に
形成するためにＡｓ等のＮ型の不純物をイオン注入によ
り導入した後、エミッタドライブインを行い、Ｎ+ 型エ
ミッタ領域１３を形成する。さらに、図６（ｂ）のよう
に、写真食刻法及びエッチング法を用いて前記ポリシリ
コンを選択エッチングし、エミッタ，コレクタ上に選択
的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ、コレクタポ
リシリコン１４ｃを残す。
【０００７】次に、図６（ｃ）のように、酸化膜５のエ
ッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻法を用
いて開孔を設け、さらにこの開孔を通して弗化水素酸等
でベースコンタクト開孔部１０ａに残る酸化膜５ｂを選
択的に除去する。次いで、図６（ｄ）のように、ベース
電極１５ａ、エミッタ電極１５ｂ、コレクタ電極１５ｃ
をＡｕ，Ａｌ等の金属で形成する。なお、バリアメタル
としてＴｉＮ等を用いてもよい。
ッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻法を用
いて開孔を設け、さらにこの開孔を通して弗化水素酸等
でベースコンタクト開孔部１０ａに残る酸化膜５ｂを選
択的に除去する。次いで、図６（ｄ）のように、ベース
電極１５ａ、エミッタ電極１５ｂ、コレクタ電極１５ｃ
をＡｕ，Ａｌ等の金属で形成する。なお、バリアメタル
としてＴｉＮ等を用いてもよい。
【０００８】なお、同様な方法として、例えば特開平３
−１２６２５４号公報には、ＰＭＯＳトランジスタとＮ
ＰＮトランジスタを含む半導体装置の製造方法が記載さ
れている。この製造方法は、図７に示すように、Ｐ型シ
リコン基板１にｎ+ 埋込層２、Ｎ型エピタキシャル層
３、素子分離用Ｐ+ 型拡散層４、フィールド酸化膜５を
形成しし、かつゲート酸化膜１６を形成した後、ゲート
電極１２を形成する。次にＰ+ 型ベース層７ａをＰ+ ソ
ース，ドレインのＰ型層７ｂと兼ねて設ける。次いで所
望のＰ+ ソース，ドレインのシート抵抗が得られる程度
に高濃度で、かつそのＰ+ ソース，ドレインのＰ型層７
ｂより拡散深さの浅いＰ+ 型ソース，ドレインのコンタ
クト領域１１ｂをＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａと
同時にＢＦ2 のイオン注入あるいは低加速電圧でのＢの
イオン注入で形成する。
−１２６２５４号公報には、ＰＭＯＳトランジスタとＮ
ＰＮトランジスタを含む半導体装置の製造方法が記載さ
れている。この製造方法は、図７に示すように、Ｐ型シ
リコン基板１にｎ+ 埋込層２、Ｎ型エピタキシャル層
３、素子分離用Ｐ+ 型拡散層４、フィールド酸化膜５を
形成しし、かつゲート酸化膜１６を形成した後、ゲート
電極１２を形成する。次にＰ+ 型ベース層７ａをＰ+ ソ
ース，ドレインのＰ型層７ｂと兼ねて設ける。次いで所
望のＰ+ ソース，ドレインのシート抵抗が得られる程度
に高濃度で、かつそのＰ+ ソース，ドレインのＰ型層７
ｂより拡散深さの浅いＰ+ 型ソース，ドレインのコンタ
クト領域１１ｂをＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａと
同時にＢＦ2 のイオン注入あるいは低加速電圧でのＢの
イオン注入で形成する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】このように本発明者が
検討を加えている半導体装置の製造方法では、図５
（ｃ）の工程においてＢ+ ，ＢＦ2 等を浅い接合でかつ
高濃度となるようにイオン注入しているが、このイオン
注入によりベースコンタクト開孔部１０ａに残る酸化膜
５とＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａとの界面はＢが
高濃度となり、ＳｉＢ層といわれる層を形成され、この
ＳｉＢ層は弗化水素酸等で完全に除去できなくなる。ま
た、図６（ｄ）の工程において、Ｐ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａとベース電極１５ａの間にＳｉＢ層が残
る。
検討を加えている半導体装置の製造方法では、図５
（ｃ）の工程においてＢ+ ，ＢＦ2 等を浅い接合でかつ
高濃度となるようにイオン注入しているが、このイオン
注入によりベースコンタクト開孔部１０ａに残る酸化膜
５とＰ+ 型ベースコンタクト領域１１ａとの界面はＢが
高濃度となり、ＳｉＢ層といわれる層を形成され、この
ＳｉＢ層は弗化水素酸等で完全に除去できなくなる。ま
た、図６（ｄ）の工程において、Ｐ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａとベース電極１５ａの間にＳｉＢ層が残
る。
【００１０】このようなＳｉＢ層が存在すると、電気的
には良好なオーミック接触がとれず、余分な抵抗成分を
持つことになる。このため、ＮＰＮトランジスタの順方
向電圧（ＶF ）が悪化し、高周波特性の１つである順方
向電圧利得（｜Ｓ21e ｜2 ）の特性が悪化するという問
題が生じる。また、同様な問題は図７のＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａ、Ｐ+ 型ソース，ドレインのコンタ
クト領域１１ｂにおいしても生じることになる。本発明
の目的は、酸化膜と拡散領域との界面におけるＳｉＢ層
の発生を抑制してコンタクトに対して良好なオーミック
接触を取ることを可能にした半導体装置の製造方法を提
供することにある。
には良好なオーミック接触がとれず、余分な抵抗成分を
持つことになる。このため、ＮＰＮトランジスタの順方
向電圧（ＶF ）が悪化し、高周波特性の１つである順方
向電圧利得（｜Ｓ21e ｜2 ）の特性が悪化するという問
題が生じる。また、同様な問題は図７のＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａ、Ｐ+ 型ソース，ドレインのコンタ
クト領域１１ｂにおいしても生じることになる。本発明
の目的は、酸化膜と拡散領域との界面におけるＳｉＢ層
の発生を抑制してコンタクトに対して良好なオーミック
接触を取ることを可能にした半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の製造方法は、半
導体層の表面に絶縁膜を設け、この絶縁膜を介して半導
体層にＰ型不純物を導入して電極とのコンタクトを行う
ためのＰ型層を形成するに際し、Ｐ型層の絶縁膜との界
面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度になるようにイオン
注入することを特徴とする。また、本発明では、露呈さ
れた半導体層の表面からＰ型不純物を導入して電極との
コンタクトを行うためのＰ型層を形成するに際し、Ｐ型
層の表面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度になるように
イオン注入することを特徴とする。
導体層の表面に絶縁膜を設け、この絶縁膜を介して半導
体層にＰ型不純物を導入して電極とのコンタクトを行う
ためのＰ型層を形成するに際し、Ｐ型層の絶縁膜との界
面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度になるようにイオン
注入することを特徴とする。また、本発明では、露呈さ
れた半導体層の表面からＰ型不純物を導入して電極との
コンタクトを行うためのＰ型層を形成するに際し、Ｐ型
層の表面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度になるように
イオン注入することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１及び図２は本発明の第１の実施
形態を工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）の
ように、半導体基板１上に写真食刻法を用いた選択熱拡
散法やイオン注入法等によりＮ+ 型埋込層２を形成し、
その上にＮ型エピタキシャル層３を成長する。また、同
様にして素子分離用Ｐ+ 型拡散層４をエピタキシャル層
３から半導体基板１にわたって形成する。
参照して説明する。図１及び図２は本発明の第１の実施
形態を工程順に示す断面図である。先ず、図１（ａ）の
ように、半導体基板１上に写真食刻法を用いた選択熱拡
散法やイオン注入法等によりＮ+ 型埋込層２を形成し、
その上にＮ型エピタキシャル層３を成長する。また、同
様にして素子分離用Ｐ+ 型拡散層４をエピタキシャル層
３から半導体基板１にわたって形成する。
【００１３】そして、トランジスタ領域に窒化膜等の絶
縁膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に形成した
後、加圧酸化することにより、トランジスタ領域の周囲
のフィールド酸化膜５ａと表面酸化膜５ｂを形成する。
その後、フォトレジストを写真食刻法により選択形成し
てコレクタ領域を開孔した後、これをマスクとしてＮ型
となる不純物をイオン注入して、Ｎ+ 型引出層６を形成
する。同様にして、フォトレジストでベース領域を開孔
した後、浅い接合を形成するために低加速のイオン注入
法を用いてＰ+ 型ベース層７ａを形成する。
縁膜を写真食刻法とエッチングにより選択的に形成した
後、加圧酸化することにより、トランジスタ領域の周囲
のフィールド酸化膜５ａと表面酸化膜５ｂを形成する。
その後、フォトレジストを写真食刻法により選択形成し
てコレクタ領域を開孔した後、これをマスクとしてＮ型
となる不純物をイオン注入して、Ｎ+ 型引出層６を形成
する。同様にして、フォトレジストでベース領域を開孔
した後、浅い接合を形成するために低加速のイオン注入
法を用いてＰ+ 型ベース層７ａを形成する。
【００１４】次に、図１（ｂ）のように、酸化膜５ａ，
５ｂの表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長し、フォトレジ
スト等による写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域の絶縁膜８と酸化膜５ｂの表面側
の一部をエッチングし、ベースコンタクト凹部１０ａ、
エミッタコンタクト凹部１０ｂ、コレクタコンタクト凹
部１０ｃを形成する。
５ｂの表面に窒化膜等の絶縁膜８を成長し、フォトレジ
スト等による写真食刻法を用いてベース，エミッタ，コ
レクタコンタクト領域の絶縁膜８と酸化膜５ｂの表面側
の一部をエッチングし、ベースコンタクト凹部１０ａ、
エミッタコンタクト凹部１０ｂ、コレクタコンタクト凹
部１０ｃを形成する。
【００１５】次に、図１（ｃ）のように、フォトレジス
ト等のイオン注入に対するマスク材９ａに写真食刻法を
用いてベースコンタクト領域１０ａのみを開孔し、
Ｂ+ ，ＢＦ2 等をイオン注入してＰ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａを形成する。このとき、Ｐ+ ベースコンタ
クト領域１１ａは、ＳｉＢ層を生じないよう注入エネル
ギー、ドース量を選択する。少なくともＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａの濃度プロファイルは、図３に示す
ように、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面濃度Ｎ１は１．８×１０20
ｃｍ-3程度にする必要がある。前記濃度を越えるとＳｉ
Ｂ層が発生する。
ト等のイオン注入に対するマスク材９ａに写真食刻法を
用いてベースコンタクト領域１０ａのみを開孔し、
Ｂ+ ，ＢＦ2 等をイオン注入してＰ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａを形成する。このとき、Ｐ+ ベースコンタ
クト領域１１ａは、ＳｉＢ層を生じないよう注入エネル
ギー、ドース量を選択する。少なくともＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａの濃度プロファイルは、図３に示す
ように、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面濃度Ｎ１は１．８×１０20
ｃｍ-3程度にする必要がある。前記濃度を越えるとＳｉ
Ｂ層が発生する。
【００１６】例えば、イオン注入の条件はＢＦ2 を注入
エネルギー５０ＫｅＶ，ドース量１×１０15ｃｍ-2で、
ベースコンタクト開孔部１０ａ部分のフィールド酸化膜
５の膜厚４７０Åでイオン注入すれば、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度となる。この時、
図３に示すピーク濃度Ｎ２についてはＰ+ 型ベースコン
タクト領域１１ａの層抵抗をできるだけ低くするために
Ｎ２≧Ｎ１とする事が望ましい。
エネルギー５０ＫｅＶ，ドース量１×１０15ｃｍ-2で、
ベースコンタクト開孔部１０ａ部分のフィールド酸化膜
５の膜厚４７０Åでイオン注入すれば、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ
界面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度となる。この時、
図３に示すピーク濃度Ｎ２についてはＰ+ 型ベースコン
タクト領域１１ａの層抵抗をできるだけ低くするために
Ｎ２≧Ｎ１とする事が望ましい。
【００１７】次に、図２（ａ）のように、エッチングに
対する第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチングを
行い、エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコン
タクト開孔部１０ｃに残る表面酸化膜５ｂを選択的に除
去する。次に、全面にポリシリコンを成長した後に、Ｎ
型に形成するためにＡｓ等のＮ型の不純物をイオン注入
により導入した後、エミッタドライブインを行い、Ｎ+
型エミッタ領域１３を形成する。さらに、図２（ｂ）の
ように、写真食刻法及びエッチング法を用いて前記ポリ
シリコンを選択エッチングし、エミッタ，コレクタ上に
選択的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ、コレク
タポリシリコン１４ｃを残す。
対する第１のマスク材９ｂに写真食刻法とエッチングを
行い、エミッタコンタクト開孔部１０ｂ，コレクタコン
タクト開孔部１０ｃに残る表面酸化膜５ｂを選択的に除
去する。次に、全面にポリシリコンを成長した後に、Ｎ
型に形成するためにＡｓ等のＮ型の不純物をイオン注入
により導入した後、エミッタドライブインを行い、Ｎ+
型エミッタ領域１３を形成する。さらに、図２（ｂ）の
ように、写真食刻法及びエッチング法を用いて前記ポリ
シリコンを選択エッチングし、エミッタ，コレクタ上に
選択的にそれぞれエミッタポリシリコン１４ｂ、コレク
タポリシリコン１４ｃを残す。
【００１８】次に、図２（ｃ）のように、酸化膜５ｂの
エッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻法を
用いて開孔を設け、さらにこの開孔を通して弗化水素酸
等でベースコンタクト開孔部１０ａに残る表面酸化膜５
ｂを選択的に除去する。次いで、図２（ｄ）のように、
ベース電極１５ａ、エミッタ電極１５ｂ、コレクタ電極
１５ｃをＡｕ，Ａｌ等の金属で形成する。なお、バリア
メタルとしてＴｉＮ等を用いてもよい。
エッチングに対する第２のマスク材９ｃに写真食刻法を
用いて開孔を設け、さらにこの開孔を通して弗化水素酸
等でベースコンタクト開孔部１０ａに残る表面酸化膜５
ｂを選択的に除去する。次いで、図２（ｄ）のように、
ベース電極１５ａ、エミッタ電極１５ｂ、コレクタ電極
１５ｃをＡｕ，Ａｌ等の金属で形成する。なお、バリア
メタルとしてＴｉＮ等を用いてもよい。
【００１９】したがって、この製造方法により製造され
たＮＰＮトランジスタでは、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面濃度が
１．８×１０20ｃｍ-3程度に抑制されるため、Ｐ+ 型ベ
ースコンタクト領域にＳｉＢ層を生じることがなくな
り、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域と電極は良好なオーミ
ック接触がとれ、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧は低
減でき、かつ順方向電圧特性も向上される事ができる。
たＮＰＮトランジスタでは、ＳｉＯ2 ／Ｓｉ界面濃度が
１．８×１０20ｃｍ-3程度に抑制されるため、Ｐ+ 型ベ
ースコンタクト領域にＳｉＢ層を生じることがなくな
り、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域と電極は良好なオーミ
ック接触がとれ、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧は低
減でき、かつ順方向電圧特性も向上される事ができる。
【００２０】ここで、本発明においては、図１（ｃ）の
工程においては、図４に示すように、ベースコンタクト
開孔部１０ａ部分の酸化膜５ｂをエッチングした後、フ
ォトレジスト等のイオン注入に対するマスク材９ａに写
真食刻法を用いてベースコンタクト領域１０ａのみを開
孔し、Ｂ+ ，ＢＦ2 等をイオン注入してＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａを形成する。この時、Ｐ+ 型ベース
コンタクト領域１１ａはＳｉＢ層を生じないイオン注入
エネルギー条件にする必要があり、かつＮ２≧Ｎ１とす
る事が望ましい。
工程においては、図４に示すように、ベースコンタクト
開孔部１０ａ部分の酸化膜５ｂをエッチングした後、フ
ォトレジスト等のイオン注入に対するマスク材９ａに写
真食刻法を用いてベースコンタクト領域１０ａのみを開
孔し、Ｂ+ ，ＢＦ2 等をイオン注入してＰ+ 型ベースコ
ンタクト領域１１ａを形成する。この時、Ｐ+ 型ベース
コンタクト領域１１ａはＳｉＢ層を生じないイオン注入
エネルギー条件にする必要があり、かつＮ２≧Ｎ１とす
る事が望ましい。
【００２１】また、本発明においては、図１（ａ）の工
程において、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域１１ａをＰ+
型ベース層７ａの前に形成してもよい。また、Ｐ+ 型ベ
ースコンタクト領域１１ａの形成後、アニールを行って
もよいし、図２（ｂ）の工程において、Ｎ+ 型エミッタ
領域１３の形成におけるエミッタドライブインでアニー
ルを兼用してもよい。
程において、Ｐ+ 型ベースコンタクト領域１１ａをＰ+
型ベース層７ａの前に形成してもよい。また、Ｐ+ 型ベ
ースコンタクト領域１１ａの形成後、アニールを行って
もよいし、図２（ｂ）の工程において、Ｎ+ 型エミッタ
領域１３の形成におけるエミッタドライブインでアニー
ルを兼用してもよい。
【００２２】なお、本発明は、ＮＰＮトランジスタを単
独で形成するのみならず、図７に示したように、ＰＭＯ
ＳトランジスタとＮＰＮトランジスタを含む半導体装置
において、ＮＰＮトランジスタのＰ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａをＰＭＯＳトランジスタのドレイン，ソー
スと同時に形成してもよい。
独で形成するのみならず、図７に示したように、ＰＭＯ
ＳトランジスタとＮＰＮトランジスタを含む半導体装置
において、ＮＰＮトランジスタのＰ+ 型ベースコンタク
ト領域１１ａをＰＭＯＳトランジスタのドレイン，ソー
スと同時に形成してもよい。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明はＮＰＮト
ランジスタやＰＭＯＳトランジスタのＰ型層、特に電極
が接続される高濃度のＰ型層を形成する場合でも、その
界面や表面にＳｉＢ層を生じることがなくなり、電極と
良好なオーミック接触がとれる半導体装置を得ることが
でき、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧（ＶF ）を低減
し、かつ順方向電圧利得（｜Ｓ21e ｜2 ）も向上させる
ことができる。
ランジスタやＰＭＯＳトランジスタのＰ型層、特に電極
が接続される高濃度のＰ型層を形成する場合でも、その
界面や表面にＳｉＢ層を生じることがなくなり、電極と
良好なオーミック接触がとれる半導体装置を得ることが
でき、ＮＰＮトランジスタの順方向電圧（ＶF ）を低減
し、かつ順方向電圧利得（｜Ｓ21e ｜2 ）も向上させる
ことができる。
【図１】本発明の製造方法の一実施形態を工程順に示す
断面図のその１である。
断面図のその１である。
【図２】本発明の製造方法の一実施形態を工程順に示す
断面図のその２である。
断面図のその２である。
【図３】Ｐ+ 型ベースコンタクト領域の不純物濃度プロ
ファイルである。
ファイルである。
【図４】本発明の他の実施形態の一部の工程断面図であ
る。
る。
【図５】従来の製造方法の一例を工程順に示す断面図の
その１である。
その１である。
【図６】従来の製造方法の一例を工程順に示す断面図の
その２である。
その２である。
【図７】従来の製造方法で形成された半導体装置の断面
図である。
図である。
１ Ｐ型半導体基板 ２ Ｎ+ 型埋込層 ３ Ｎ型エピタキシャル層 ４ 素子分離用Ｐ+ 型拡散層 ５ａ フィールド酸化膜 ５ｂ 酸化膜 ６ Ｎ+ 型引出層 ７ａ Ｐ+ 型ベース層 ８ 絶縁膜 ９ａ マスク材 １０ａ ベースコンタクト開孔部 １１ａ Ｐ+ 型ベースコンタクト領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336
Claims (6)
- 【請求項１】 ＮＰＮトランジスタやＰＭＯＳトランジ
スタ等のように電極とコンタクトされるＰ型層を有する
素子を含む半導体装置の製造に際し、半導体層の表面に
絶縁膜を設け、この絶縁膜を介して前記半導体層にＰ型
不純物を導入して前記Ｐ型層を形成し、その際に前記Ｐ
型層の絶縁膜との界面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度
になるようにイオン注入することを特徴とする半導体装
置の製造方法。 - 【請求項２】 ＮＰＮトランジスタやＰＭＯＳトランジ
スタ等のようにＰ型層を有する素子を含む半導体装置の
製造に際し、露呈された半導体層の表面からＰ型不純物
を導入して前記Ｐ型層を形成し、その際に前記Ｐ型層の
表面濃度が１．８×１０20ｃｍ-3程度になるようにイオ
ン注入することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 Ｐ型層はＮＰＮトランジスタのＰ型ベー
ス層の一部内に形成される高濃度のＰ型ベースコンタク
ト層である請求項１または２の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 高濃度のＰ型ベースコンタクト層をＰ型
ベース層よりも前工程で形成する請求項１ないし３のい
ずれかの半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 Ｐ型層はＰＭＯＳトランジスタのドレイ
ン，ソースである請求項１または２の半導体装置の製造
方法。 - 【請求項６】 ＰＭＯＳトランジスタのドレイン，ソー
スとＮＰＮトランジスタのＰ型ベースコンタクト層を同
時に形成する請求項１ないし５のいずれかの半導体装置
の製造方法。
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| JP07214086A JP3093615B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP07214086A JP3093615B2 (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 半導体装置の製造方法 |
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| JPH0945703A true JPH0945703A (ja) | 1997-02-14 |
| JP3093615B2 JP3093615B2 (ja) | 2000-10-03 |
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|---|---|---|---|---|
| WO2002083560A1 (en) | 2001-04-11 | 2002-10-24 | Westvaco Corporation | Method of making shaped activated carbon |
-
1995
- 1995-07-31 JP JP07214086A patent/JP3093615B2/ja not_active Expired - Fee Related
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