JPH0946156A - 弾性表面波素子およびその製造方法 - Google Patents
弾性表面波素子およびその製造方法Info
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- JPH0946156A JPH0946156A JP21409595A JP21409595A JPH0946156A JP H0946156 A JPH0946156 A JP H0946156A JP 21409595 A JP21409595 A JP 21409595A JP 21409595 A JP21409595 A JP 21409595A JP H0946156 A JPH0946156 A JP H0946156A
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- Japan
- Prior art keywords
- acoustic wave
- surface acoustic
- sio
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明の目的は、圧電基板ウエハから個々に切
り離した弾性表面波素子単体の状態で、ＳｉＯ2保護膜
を形成することで、弾性表面波素子の周波数調整工程の
簡略化と製造工程全般における工程数の削減を行うこと
にある。 【構成】圧電基板ウエハ上にフォトリソ技術を用いて形
成された弾性表面波素子を、ダイシング、ダイスボンデ
ィング、ワイヤーボンディングの工程を経て組み立てら
れた個々の弾性表面波素子の状態で、蒸着源に回転機構
を有する固形石英ブロックを使用した電子ビーム照射方
式の蒸着技術によって、弾性表面波素子表面の少なくと
も電極部にＳｉＯ2保護膜を均一に蒸着する。また、Ｓ
ｉＯ2保護膜を蒸着する際に、ＳｉＯ2保護膜の膜厚を周
波数に置き換えてリアルタイムに管理することによっ
て、弾性表面波素子の周波数調整も同時に行うことがで
きる。
り離した弾性表面波素子単体の状態で、ＳｉＯ2保護膜
を形成することで、弾性表面波素子の周波数調整工程の
簡略化と製造工程全般における工程数の削減を行うこと
にある。 【構成】圧電基板ウエハ上にフォトリソ技術を用いて形
成された弾性表面波素子を、ダイシング、ダイスボンデ
ィング、ワイヤーボンディングの工程を経て組み立てら
れた個々の弾性表面波素子の状態で、蒸着源に回転機構
を有する固形石英ブロックを使用した電子ビーム照射方
式の蒸着技術によって、弾性表面波素子表面の少なくと
も電極部にＳｉＯ2保護膜を均一に蒸着する。また、Ｓ
ｉＯ2保護膜を蒸着する際に、ＳｉＯ2保護膜の膜厚を周
波数に置き換えてリアルタイムに管理することによっ
て、弾性表面波素子の周波数調整も同時に行うことがで
きる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】弾性表面波素子の周波数調整とＳ
ｉＯ2保護膜形成に関する。
ｉＯ2保護膜形成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術では、圧電基板上に櫛形電極と
反射器から構成される弾性表面波素子を、圧電基板ウエ
ハの状態でＳｉＯ2を蒸着し弾性表面波素子の電極保護
膜を形成していた。また、周波数調整においても圧電基
板ウエハ単位でおおよその調整を行った後、特性仕様に
応じて圧電基板ウエハから弾性表面波素子を個々に切り
離した段階で細かな周波数調整を行っていた。
反射器から構成される弾性表面波素子を、圧電基板ウエ
ハの状態でＳｉＯ2を蒸着し弾性表面波素子の電極保護
膜を形成していた。また、周波数調整においても圧電基
板ウエハ単位でおおよその調整を行った後、特性仕様に
応じて圧電基板ウエハから弾性表面波素子を個々に切り
離した段階で細かな周波数調整を行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、圧電基板ウエ
ハの状態でＳｉＯ2保護膜処理を施すと、その後の製造
工程における弾性表面波素子内のワイヤーボンディング
接続部分は、ＳｉＯ2保護膜のために、ワイヤーボンデ
ィング処理ができなくなってしまう不具合が生じること
から、ワイヤーボンデイング部分はＳｉＯ2保護膜を行
わないマスキングなどの工夫と手間が掛かってしまう。
一方、周波数調整においては、圧電基板ウエハの状態で
おおよその周波数調整を、ドライエッチング加工を用い
てバッチ処理することで、周波数調整と周波数測定とが
リアルタイムに行うことが困難で高価であった。また、
ＳｉＯ2保護膜の形成と周波数調整をそれぞれ別の工程
で行う必要があり、多くの工程と時間と手間が必要なの
が現状であった。
ハの状態でＳｉＯ2保護膜処理を施すと、その後の製造
工程における弾性表面波素子内のワイヤーボンディング
接続部分は、ＳｉＯ2保護膜のために、ワイヤーボンデ
ィング処理ができなくなってしまう不具合が生じること
から、ワイヤーボンデイング部分はＳｉＯ2保護膜を行
わないマスキングなどの工夫と手間が掛かってしまう。
一方、周波数調整においては、圧電基板ウエハの状態で
おおよその周波数調整を、ドライエッチング加工を用い
てバッチ処理することで、周波数調整と周波数測定とが
リアルタイムに行うことが困難で高価であった。また、
ＳｉＯ2保護膜の形成と周波数調整をそれぞれ別の工程
で行う必要があり、多くの工程と時間と手間が必要なの
が現状であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】固形石英ブロックに電子
ビームを照射させてＳｉＯ2を蒸着することで、弾性表
面波素子の少なくとも電極部にＳｉＯ2保護膜を均一に
蒸着することができる。弾性表面波素子を個々に切り離
した段階で、個々に切り離された弾性表面波素子の少な
くとも電極部にＳｉＯ2保護膜を施すことにより、弾性
表面波素子全面の電極保護膜を形成することができる。
また、電極保護膜を形成すると同時に弾性表面波素子を
リアルタイムで周波数調整が行うことができる。
ビームを照射させてＳｉＯ2を蒸着することで、弾性表
面波素子の少なくとも電極部にＳｉＯ2保護膜を均一に
蒸着することができる。弾性表面波素子を個々に切り離
した段階で、個々に切り離された弾性表面波素子の少な
くとも電極部にＳｉＯ2保護膜を施すことにより、弾性
表面波素子全面の電極保護膜を形成することができる。
また、電極保護膜を形成すると同時に弾性表面波素子を
リアルタイムで周波数調整が行うことができる。
【０００５】
【背景】ＳｉＯ2によるＳｉＯ2保護膜は、弾性表面波素
子を構成する櫛形電極部分の交差指での異質物による電
極間ショート等を保護する保護膜として施されるが、そ
の保護膜処理には全体的な保護膜厚みなど良質なＳｉＯ
2保護膜が要求される。また、このＳｉＯ2保護膜形成は
作業性の難易性の問題から圧電基板ウエハの段階でバッ
チ処理されている。しかし、圧電基板ウエハの段階でＳ
ｉＯ2保護膜形成処理を行うことで、組立工程における
ワイヤーボンディング接続箇所を除いてＳｉＯ2保護膜
形成を行わなければならないという工夫と手間が必要に
なる。
子を構成する櫛形電極部分の交差指での異質物による電
極間ショート等を保護する保護膜として施されるが、そ
の保護膜処理には全体的な保護膜厚みなど良質なＳｉＯ
2保護膜が要求される。また、このＳｉＯ2保護膜形成は
作業性の難易性の問題から圧電基板ウエハの段階でバッ
チ処理されている。しかし、圧電基板ウエハの段階でＳ
ｉＯ2保護膜形成処理を行うことで、組立工程における
ワイヤーボンディング接続箇所を除いてＳｉＯ2保護膜
形成を行わなければならないという工夫と手間が必要に
なる。
【０００７】そこで本発明では、従来では圧電基板ウエ
ハの状態でバッチ処理していたＳｉＯ2保護膜形成を、
ＳｉＯ2保護膜形成のための蒸着方法を変えることによ
り、圧電基板ウエハの状態から個々の弾性表面波素子に
切り離した状態で、容器に組み込んだ体裁の弾性表面波
素子の少なくとも電極部（櫛形電極、反射器電極）にＳ
ｉＯ2保護膜を蒸着することにより工程の改善を行うも
のである。
ハの状態でバッチ処理していたＳｉＯ2保護膜形成を、
ＳｉＯ2保護膜形成のための蒸着方法を変えることによ
り、圧電基板ウエハの状態から個々の弾性表面波素子に
切り離した状態で、容器に組み込んだ体裁の弾性表面波
素子の少なくとも電極部（櫛形電極、反射器電極）にＳ
ｉＯ2保護膜を蒸着することにより工程の改善を行うも
のである。
【０００８】本発明で用いる蒸着手法は、回転するルツ
ボに固形の石英ブロックを供給し、その固形石英ブロッ
クに電子ビームを照射することにより、はじき飛ばされ
たＳｉＯ2によって弾性表面波素子のＳｉＯ2保護膜加工
が行われる。従来の蒸着方法では、ルツボに供給される
蒸着源が経時変化と共に蒸着源の組成が変化してしまう
が、本発明の手法では、蒸着源の経時変化による組成変
化が殆どなく、必要な時に必要な量だけを蒸着すること
ができることから、蒸着されたＳｉＯ2保護膜が極めて
良質であるという利点がある。
ボに固形の石英ブロックを供給し、その固形石英ブロッ
クに電子ビームを照射することにより、はじき飛ばされ
たＳｉＯ2によって弾性表面波素子のＳｉＯ2保護膜加工
が行われる。従来の蒸着方法では、ルツボに供給される
蒸着源が経時変化と共に蒸着源の組成が変化してしまう
が、本発明の手法では、蒸着源の経時変化による組成変
化が殆どなく、必要な時に必要な量だけを蒸着すること
ができることから、蒸着されたＳｉＯ2保護膜が極めて
良質であるという利点がある。
【０００９】一方、周波数調整においても一般的には圧
電基板ウエハ単位のドライエッチングでバッチ処理が行
われていた。しかし、圧電基板ウエハ単位で周波数調整
を行うと、圧電基板ウエハの中心部分と端部での周波数
調整のバラツキが発生したり、例えば中間周波フィルタ
等、弾性表面波素子の仕様の厳しい製品では、圧電基板
ウエハから個々の弾性表面波素子に切り離し容器に組立
た後、改めて個々にドライエッチングと周波数測定を繰
り返した周波数調整を行うといった工程が必要不可欠で
もあった。周波数調整においても、既に記述したＳｉＯ
2保護膜形成と兼ね合わせることで、大変安易な方法で
リアルタイムに周波数調整が行えるよう改善が図れた。
電基板ウエハ単位のドライエッチングでバッチ処理が行
われていた。しかし、圧電基板ウエハ単位で周波数調整
を行うと、圧電基板ウエハの中心部分と端部での周波数
調整のバラツキが発生したり、例えば中間周波フィルタ
等、弾性表面波素子の仕様の厳しい製品では、圧電基板
ウエハから個々の弾性表面波素子に切り離し容器に組立
た後、改めて個々にドライエッチングと周波数測定を繰
り返した周波数調整を行うといった工程が必要不可欠で
もあった。周波数調整においても、既に記述したＳｉＯ
2保護膜形成と兼ね合わせることで、大変安易な方法で
リアルタイムに周波数調整が行えるよう改善が図れた。
【００１０】
【実施例】以下、添付図面に従ってこの発明の実施例を
説明する。なお、各図において同一の符号は同様の対象
を示すものとする。 （弾性表面波素子）図１に本発明の平面図を示す。圧電
基板１上に第１の横結合弾性表面波素子２０と第２の横
結合弾性表面波素子２１を縦続接続して構成される弾性
表面波素子２の表面に、蒸着源である固形石英ブロック
５に電子ガン３４から発射した電子ビーム６を照射させ
て、はじき飛ばされたＳｉＯ2３０を弾性表面波素子２
の少なくとも電極部に均一に蒸着し、ＳｉＯ2保護膜３
を形成する。ＳｉＯ2膜３は弾性表面波素子２の表面に
蒸着することにより、弾性表面波素子２を構成する電極
部７を保護することができる。
説明する。なお、各図において同一の符号は同様の対象
を示すものとする。 （弾性表面波素子）図１に本発明の平面図を示す。圧電
基板１上に第１の横結合弾性表面波素子２０と第２の横
結合弾性表面波素子２１を縦続接続して構成される弾性
表面波素子２の表面に、蒸着源である固形石英ブロック
５に電子ガン３４から発射した電子ビーム６を照射させ
て、はじき飛ばされたＳｉＯ2３０を弾性表面波素子２
の少なくとも電極部に均一に蒸着し、ＳｉＯ2保護膜３
を形成する。ＳｉＯ2膜３は弾性表面波素子２の表面に
蒸着することにより、弾性表面波素子２を構成する電極
部７を保護することができる。
【００１１】また、弾性表面波素子２の表面の少なくと
も電極部にＳｉＯ2保護膜３を蒸着する際、ＳｉＯ2保護
３膜蒸着量をリアルタイムに周波数カウンタで計測する
ことにより、弾性表面波素子２の周波数調整も同時に、
かつ容易に行うことができる。
も電極部にＳｉＯ2保護膜３を蒸着する際、ＳｉＯ2保護
３膜蒸着量をリアルタイムに周波数カウンタで計測する
ことにより、弾性表面波素子２の周波数調整も同時に、
かつ容易に行うことができる。
【００１２】図４に弾性表面波素子２を製造する従来の
工程の一例と、本発明の工程の一例を表示した工程図を
示す。従来の工程では、工程図にもある通り「５．Ｓｉ
Ｏ2成膜」→「６．フォトリソ（パターン化）」→
「７．プロービング」→「８．ｆ調ドライエッチ」と、
圧電基板ウエハ４の状態でＳｉＯ2保護膜３を形成し、
ドライエッチングで周波数調整を行っていた。
工程の一例と、本発明の工程の一例を表示した工程図を
示す。従来の工程では、工程図にもある通り「５．Ｓｉ
Ｏ2成膜」→「６．フォトリソ（パターン化）」→
「７．プロービング」→「８．ｆ調ドライエッチ」と、
圧電基板ウエハ４の状態でＳｉＯ2保護膜３を形成し、
ドライエッチングで周波数調整を行っていた。
【００１３】しかし、従来のこの方法では既に背景で記
述しているように、「１１．ワイヤーボンディング（Ｗ
／Ｂ）」の工程でボンディングする箇所はＳｉＯ2保護
膜３を事前に蒸着することができないため、図２に示す
圧電基板ウエハ４の平面図と、圧電基板ウエハ４上にフ
ォトリソ技術で加工された弾性表面波素子２の部分拡大
図に示すようにボンディング箇所を除いてＳｉＯ2保護
膜３をつけなければならない工程が必要になってしま
う。
述しているように、「１１．ワイヤーボンディング（Ｗ
／Ｂ）」の工程でボンディングする箇所はＳｉＯ2保護
膜３を事前に蒸着することができないため、図２に示す
圧電基板ウエハ４の平面図と、圧電基板ウエハ４上にフ
ォトリソ技術で加工された弾性表面波素子２の部分拡大
図に示すようにボンディング箇所を除いてＳｉＯ2保護
膜３をつけなければならない工程が必要になってしま
う。
【００１４】本発明により、図４の「本発明の工程」図
で示すとおり、従来の工程の「５．ＳｉＯ2成膜」→
「６．フォトリソ（パターン化）」→までの全ての工程
を削除することができた。
で示すとおり、従来の工程の「５．ＳｉＯ2成膜」→
「６．フォトリソ（パターン化）」→までの全ての工程
を削除することができた。
【００１５】従来では圧電基板ウエハ４の状態の弾性表
面波素子２で処理していた工程を、個々に切り離した弾
性表面波素子２で処理加工することができる。本発明の
工程に示す様に「７．ワイヤーボンディング（Ｗ／
Ｂ）」までの工程で組立られた弾性表面波素子２を個々
に「８．個別ｆ調＋ＳｉＯ2保護膜成膜（形成）」する
ことができる。なお、個別周波数調整については、Ｓｉ
Ｏ2保護膜３の膜厚を周波数に置き換えてリアルタイム
に管理することによって、弾性表面波素子の周波数調整
も行うことができる。
面波素子２で処理していた工程を、個々に切り離した弾
性表面波素子２で処理加工することができる。本発明の
工程に示す様に「７．ワイヤーボンディング（Ｗ／
Ｂ）」までの工程で組立られた弾性表面波素子２を個々
に「８．個別ｆ調＋ＳｉＯ2保護膜成膜（形成）」する
ことができる。なお、個別周波数調整については、Ｓｉ
Ｏ2保護膜３の膜厚を周波数に置き換えてリアルタイム
に管理することによって、弾性表面波素子の周波数調整
も行うことができる。
【００１６】なお、弾性表面波素子の表面に蒸着するＳ
ｉＯ2保護膜は、弾性表面波素子全体にＳｉＯ2保護膜を
蒸着しても良いが、弾性表面波素子の少なくとも電極部
にＳｉＯ2保護膜を蒸着しても同一の効果が得られるも
のである。
ｉＯ2保護膜は、弾性表面波素子全体にＳｉＯ2保護膜を
蒸着しても良いが、弾性表面波素子の少なくとも電極部
にＳｉＯ2保護膜を蒸着しても同一の効果が得られるも
のである。
【００１７】（弾性表面波素子の製造方法）図３は本発
明の製造方法の一例を示す概略図である。一般的に圧電
振動子等に電極を構成するために用いられる蒸着機の原
理に準じた蒸着方法ではあるが、蒸着ルツボ３３に回転
機構を有する固形の石英ブロック５を格納し、電子ガン
３４から発射した電子ビーム６を照射して、はじき飛ば
されたＳｉＯ2３０によってＳｉＯ2保護膜３を形成する
ことに特徴がある。なお、蒸着処理は高真空の雰囲気中
で処理される。
明の製造方法の一例を示す概略図である。一般的に圧電
振動子等に電極を構成するために用いられる蒸着機の原
理に準じた蒸着方法ではあるが、蒸着ルツボ３３に回転
機構を有する固形の石英ブロック５を格納し、電子ガン
３４から発射した電子ビーム６を照射して、はじき飛ば
されたＳｉＯ2３０によってＳｉＯ2保護膜３を形成する
ことに特徴がある。なお、蒸着処理は高真空の雰囲気中
で処理される。
【００１８】圧電基板ウエハ４上にフォトリソ技術を用
いて形成された弾性表面波素子２を、図４に示す「本発
明の工程」の「７．ワイヤーボンディング（Ｗ／Ｂ）」
までの製造工程により個々に容器３５に組み込まれた弾
性表面波素子２を、蒸着治具３１に弾性表面波素子２の
表面を下方に向けて置き、弾性表面波素子２の表面（Ｓ
ｉＯ2保護膜３形成面）に向かって下方よりＳｉＯ2３０
を蒸着する。なお、ＳｉＯ2３０が蒸着される弾性表面
波素子２のすぐ下には、弾性表面波素子２の表面の少な
くとも電極部にＳｉＯ2３０が蒸着されるようマスク３
２が配置されている。
いて形成された弾性表面波素子２を、図４に示す「本発
明の工程」の「７．ワイヤーボンディング（Ｗ／Ｂ）」
までの製造工程により個々に容器３５に組み込まれた弾
性表面波素子２を、蒸着治具３１に弾性表面波素子２の
表面を下方に向けて置き、弾性表面波素子２の表面（Ｓ
ｉＯ2保護膜３形成面）に向かって下方よりＳｉＯ2３０
を蒸着する。なお、ＳｉＯ2３０が蒸着される弾性表面
波素子２のすぐ下には、弾性表面波素子２の表面の少な
くとも電極部にＳｉＯ2３０が蒸着されるようマスク３
２が配置されている。
【００１９】ＳｉＯ2保護膜３は、回転機構を有するル
ツボ３３に、固形の石英ブロック５を格納し、固形の石
英ブロック５に向けて放射された電子ガン３４から発射
した電子ビーム６によってはじき飛んだＳｉＯ2３０に
よって形成される。
ツボ３３に、固形の石英ブロック５を格納し、固形の石
英ブロック５に向けて放射された電子ガン３４から発射
した電子ビーム６によってはじき飛んだＳｉＯ2３０に
よって形成される。
【００２０】電子ガン３４から発射した電子ビーム６の
照射される固形石英ブロック５面は、回転機構を有する
ルツボ３３の回転機構によって、絶えず新鮮な面が提供
されている。
照射される固形石英ブロック５面は、回転機構を有する
ルツボ３３の回転機構によって、絶えず新鮮な面が提供
されている。
【００２１】一方、固形石英ブロック５を格納するルツ
ボ３３と電子ビーム６の発生源である電子ガン３４は大
変高温になるために、弾性表面波素子２のＳｉＯ2保護
膜３形成および、ＳｉＯ2保護膜３面による周波数調整
の熱に対する影響を考慮する上で、弾性表面波素子２と
の距離を５０ｃｍ程度離した機構となっている。固形石
英ブロック５を格納するルツボ３３と弾性表面波素子２
とが十分距離があることで、弾性表面波素子２すぐ下に
位置するマスク３２でのＳｉＯ2３０の入射は、弾性表
面波素子２の蒸着面に対しほぼ垂直に蒸着することが可
能である。
ボ３３と電子ビーム６の発生源である電子ガン３４は大
変高温になるために、弾性表面波素子２のＳｉＯ2保護
膜３形成および、ＳｉＯ2保護膜３面による周波数調整
の熱に対する影響を考慮する上で、弾性表面波素子２と
の距離を５０ｃｍ程度離した機構となっている。固形石
英ブロック５を格納するルツボ３３と弾性表面波素子２
とが十分距離があることで、弾性表面波素子２すぐ下に
位置するマスク３２でのＳｉＯ2３０の入射は、弾性表
面波素子２の蒸着面に対しほぼ垂直に蒸着することが可
能である。
【００２２】固形石英ブロック５に電子ビーム６を照射
し、はじき飛ばされたＳｉＯ2３０の粒子にＯ2が不足し
ている場合には、図には記載していないが、蒸着機自体
に別途Ｏ2供給ができる様なＯ2供給口を備えた機構とな
っている。
し、はじき飛ばされたＳｉＯ2３０の粒子にＯ2が不足し
ている場合には、図には記載していないが、蒸着機自体
に別途Ｏ2供給ができる様なＯ2供給口を備えた機構とな
っている。
【００２３】弾性表面波素子２を保持する蒸着治具３１
構造は、ターレット方式でも、インライン方式の蒸着機
でも応用することができる。
構造は、ターレット方式でも、インライン方式の蒸着機
でも応用することができる。
【００２４】
【発明の効果】本発明により、弾性表面波素子を圧電基
板ウエハの状態から個々に切り離して、ＳｉＯ2保護膜
形成、周波数調整を行うことができることで、特性仕様
の厳しい弾性表面波素子の製造対応にも、工程の大幅な
削減、品質、精度の安定化、歩留まりの改善を図ること
ができた。
板ウエハの状態から個々に切り離して、ＳｉＯ2保護膜
形成、周波数調整を行うことができることで、特性仕様
の厳しい弾性表面波素子の製造対応にも、工程の大幅な
削減、品質、精度の安定化、歩留まりの改善を図ること
ができた。
【図１】本発明の弾性表面波素子の平面図を示した図で
ある。
ある。
【図２】圧電基板ウエハの平面図と圧電基板ウエハ上に
構成される弾性表面波素子の部分拡大図である。
構成される弾性表面波素子の部分拡大図である。
【図３】本発明の製造方法の一例を示す概略図である。
【図４】従来の工程の一例と、本発明の工程の一例を示
した工程図である。
した工程図である。
１ 圧電基板 ２ 弾性表面波素子 ３ ＳｉＯ2保護膜 ４ 圧電基板ウエハ ５ 固形石英ブロック ６ 電子ビーム ７ 電極部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 41/22 7259−5Ｊ Ｈ０３Ｈ 9/25 Ｈ０３Ｈ 9/145 7259−5Ｊ 9/64 9/25 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｃ 9/64 41/22 Ｚ
Claims (3)
- 【請求項１】圧電基板上に構成される弾性表面波素子の
表面にＳｉＯ2保護膜を形成する弾性表面波素子におい
て、 蒸着ルツボの固形石英ブロックに電子ビームを照射し、
ＳｉＯ2保護膜を弾性表面波素子の表面に蒸着すること
により所定の周波数に合わせ、かつ弾性表面波素子の少
なくとも電極部にＳｉＯ2保護膜が形成されていること
を特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項２】該ＳｉＯ2保護膜の保護膜蒸着厚みを加減
することにより、リアルタイムに周波数調整を行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の弾性表面波素
子。 - 【請求項３】圧電基板ウエハ上に、フォトリソ技術を用
いて形成された弾性表面波素子のＳｉＯ2保護膜を形成
する弾性表面波素子に、電極を形成する工程と、該圧電
基板ウエハから弾性表面波素子を個々に切断する工程
と、容器にダイスボンディングしワイヤーボンディング
する工程と、該電極上にＳｉＯ2保護膜を周波数を監視
しながら形成する工程から成る弾性表面波素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21409595A JPH0946156A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21409595A JPH0946156A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0946156A true JPH0946156A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=16650149
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21409595A Pending JPH0946156A (ja) | 1995-07-31 | 1995-07-31 | 弾性表面波素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0946156A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002217672A (ja) * | 2001-01-12 | 2002-08-02 | Murata Mfg Co Ltd | 弾性表面波装置およびそれを用いた通信機装置 |
| WO2005069486A1 (ja) * | 2004-01-19 | 2005-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 弾性境界波装置 |
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1995
- 1995-07-31 JP JP21409595A patent/JPH0946156A/ja active Pending
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