JPH09509219A - 不均化反応による銅のアンモニアフリー付着 - Google Patents

不均化反応による銅のアンモニアフリー付着

Info

Publication number
JPH09509219A
JPH09509219A JP7514686A JP51468695A JPH09509219A JP H09509219 A JPH09509219 A JP H09509219A JP 7514686 A JP7514686 A JP 7514686A JP 51468695 A JP51468695 A JP 51468695A JP H09509219 A JPH09509219 A JP H09509219A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
salt
acid
hydroxide
cuprous
solution
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7514686A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3372256B2 (ja
Inventor
ソルティーズ,ジョゼフ
Original Assignee
リリー・インダストリーズ・(ユーエスエイ)・インコーポレーテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リリー・インダストリーズ・(ユーエスエイ)・インコーポレーテッド filed Critical リリー・インダストリーズ・(ユーエスエイ)・インコーポレーテッド
Publication of JPH09509219A publication Critical patent/JPH09509219A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3372256B2 publication Critical patent/JP3372256B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Catalysts (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Medicinal Preparation (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】 水溶液中の第2銅イオンを、元素状銅又は金属銅に実質的に還元させずに、水酸化第1銅に迅速に還元させ、その後に、得られた水酸化第1銅の制御不均化反応を実施して、金属銅を付着させることによる、触媒活性化表面への金属銅の付着方法では、アンモニアフリー還元剤を第2銅イオンに加えて、水酸化第1銅に還元させる。アンモニアフリー還元剤は好ましくは水溶性アルカリ金属−又はアルカリ土類金属−水酸化物、より好ましくは水酸化ナトリウムの存在下でのヒドロキシルアミン又はその塩である。第2銅イオンの還元方法は、溶液に水酸化第1銅の分散を調節するための凝集防止剤、好ましくはポリオール(例えば、ソルボース又は転化糖)をさらに加えて、実施される。水酸化第1銅の不均化反応方法を、ヒドロキシカルボン酸又はその塩、好ましくはクエン酸又はリンゴ酸を硫酸と共に加えて実施して、主として触媒活性化表面に金属銅を付着させるが、この場合に、ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤は溶液中に水酸化第1銅1モルにつき約1モル以下の量で存在する。

Description

【発明の詳細な説明】 不均化反応による銅のアンモニアフリー付着 技術分野 本発明は銅の付着方法に関して、特に、水酸化第1銅の制御不均化反応によっ て触媒活性化表面に金属銅を付着させるための改良方法及び系に関する。背景技術 不均化反応による銅の付着は、本出願の譲り受け人に譲渡された、Siver tz等への米国特許第3,963,842号に開示されている。この特許は(1 )水溶液中の錯体化第2銅テトラアミノイオンを錯体化第1銅ジアミノイオンに 迅速に還元するが、但し金属銅へ実質的に還元しない工程と、(2)その後に、 得られる第1銅イオンの制御不均化反応を実施して、主として表面に金属銅を付 着させる工程とによる、銀、ガラス(好ましくは鏡の製造において)又は他の触 媒活性化表面への銅の無電解めっきを述べている。この初期還元工程は1個又は 2個の窒素原子を含み、式:X−NH−Y [式中、Xは水素、ヒドロキシル、ヒドロキシル置換低級アルキル又はベンゼン スルホニル基であり、Yは−NH2又はNH2Zであるである]で示される窒素含 有(nitrogenous)物質から選択される還元剤の種類によって実施されている。Y がNH2Zである場合には、Xは水素、ヒドロキシル置換低級アルキル又はベン ゼンスルホニルであり、Zは酸又は−H又はHZである。Zが−HZである場合 には、Xはヒドロキシルである。開示された特定の要素はヒドラジン;硫酸若し くは酢酸によるヒドラジンの塩;2−ヒドロキシエチルヒドラジン及びp−ヒド ラジノ−ベンゼンスルホン酸を含む、ヒドラジンの一置換誘導体;ヒドロキシル アミン;並びに硫酸若しくは酢酸によるヒドロキシルアミンの塩であった。例え ば、ジ−2−ヒドロキシエチルヒドラジン、ヒドラゾ−ベンゼン、ヒドラゾ−カ ルボンアミド及び他の窒素含有物質(例えば、アミノグアナジンビカルボネート )のような、対称的二置換ヒドラジンを含めた、ヒドラジン要素と共に用いられ る共還元剤(coreducer)も開示されている。ヒドラジンよりもヒドロキシルアミ ンスルフェートを用いることが好ましいとされていた。 この方法の好ましい実施態様では、銅を+2(第2銅)酸化状態から+1(第 1銅)形に転化させるために、ヒドロキシルアミンスルフェートと共に水酸化ア ンモニウムを用いることが必要と考えられた。ジアミノイオンは、例えばヒドロ キシカルボン酸のような、ある種の有機酸活性剤、より好ましくは、例えばグリ コール酸、リンゴ酸、酒石酸、糖酸、クエン酸及び/又は乳酸等のようなα−ヒ ドロキシ酸、例えばコハク酸等のようなジカルボン酸、及びスルファミン酸と混 合したときに、銅金属と第2銅状態に不均化する(disproportionate)。或いは、 不均化反応に用いる活性剤−調節剤は例えばエチレンジアミン、トリエチルテト ラミン、同様なアルキルアミンのようなキレーティングアミン、又は例えば硫酸 若しくはリン酸のような無機酸活性剤と、前記有機酸、前記キレーティングアミ ン若しくはこれらの組合せの調節剤とでよい。不均化反応後に、金属状態の銅を ガラス、銀金属フィルム又は他の活性化表面に付着させる。 米国特許第2,967,112号及び第2,977,244号に開示された不 均化反応によって銅を付着させる、あまり上首尾ではない方法では、アンモニア を含む第1銅錯体溶液も条件として指定されている。 上記Sivertz等の方法は、1970年代中期に紹介されて以来、一般に 良好に作用しており、世界中の多くの鏡製造者によってライセンスを取得され、 用いられている。しかし、改良が望まれるような、ある一定の態様が存在する。 上記方法に用いられるアンモニア−第1銅錯体は空気に暴露されるならば、数分 間内に分解されるので、これは一般に密閉容器内で形成されなければならない。 第1銅錯体を保護することができる唯一の方法は、第1銅錯体上に窒素ブランケ ットを配置するか又はさもなくば、第1銅錯体を酸素との接触から遮蔽すること であったが、これらの方法は常に実用的とは限らなかった。Sivertz等の 方法を用いて付着させた金属銅フィルムはまた、プロセスから漏出する(fugitiv e)アンモニア蒸気が存在する場合に特に、水蒸気への暴露時に変色する傾向があ り、このことが処理中の保護を面倒にする。プロセスの反応速度も制御され難い と考えられている。さらに、製造者は、材料費を節約し、プロセス時間を促進す るために効果的な改良反応を常に求めている。したがって、Sivertz等の 特許の方法の改良は長い間切望されていた。 最近、合衆国及び世界の他の場所での環境規制が下水、流水及び職場雰囲気中 へのアンモニア放出を規制し始めている。このような規制に従うことは、企業に かれらのプロセスにおけるアンモニアの使用を排除し、流出流及び職場における アンモニアの存在を排除するための費用のかかる汚染制御装置を設置することを 要求する。流出流からアンモニアを除去するために利用可能である、通常の方法 及び最もよい、入手可能な装置は費用がかかり、あまり効果的ではない。空気ス トリッピングはアンモニアを空気中に単に排出するに過ぎず、汚染生成物を排除 しない。塩素を用いて、アンモニアを分解することもできるが、この系は塩素化 有機化合物の形成を生じ、これらの有機化合物は可能な汚染と健康の危険とをも たらす。また、好ましい方法は活性剤−調節剤に例えばクエン酸のようなヒドロ キシカルボン酸を用いているが、このような方法は排水に有意な化学的酸素要求 量及び生物学的酸素要求量を生じるような量でのこのような有機酸の使用を必要 とする。クエン酸又は他の有機酸の有意に低い量の使用は、汚染の見地から、好 ましくない反応生成物の量の調節を助ける。 それ故、先行技術の問題と欠陥とに留意して、アンモニアの使用と、プロセス 中のアンモニアの制御及び除去に関連した問題とを排除した、改良された銅付着 方法を提供することが本発明の目的である。 上記のSovertz等の銅付着方法を改良することが、本発明の他の目的で ある。 上記のSovertz等の銅付着方法の反応速度を制御する方法を提供するこ とが、本発明の他の目的である。 第1銅イオンを不均化するための有機酸必要量を減少することによって、上記 銅付着方法を改良することが、本発明のさらに他の目的である。 水蒸気への暴露時に容易に変色しない無電解付着銅被膜を提供することが、本 発明の他の目的である。 第1銅錯体上の窒素ブランケットの必要性を除去するかさもなくば密閉容器中 に第1銅錯体を保持する必要性を除去することによって、上記銅付着方法を改良 することが、本発明のさらに他の目的である。 第1銅錯体溶液を製造し、不均化反応によって好ましい基体に銅フィルムを供 給する前に、比較的長期間保持又は貯蔵することができる、上記銅付着方法によ っ て用いるための第1銅錯体を提供することが、本発明のさらに他の目的である。 上記目的を達成するための組成物の系を提供することが、本発明のさらに他の 目的である。発明の開示 上記目的及び、当業者に明らかであるような、他の目的は、水溶液中の第2銅 イオンを、元素状若しくは金属銅に実質的に還元せずに不溶性水酸化第1銅に直 ちに転化する第1銅イオンに迅速に還元させ、得られる水酸化第1銅をその後に 制御不均化反応させて、主として表面に金属銅を付着させることによって、触媒 活性化表面に金属銅を付着させる方法に関する本発明において達成される。この 方法は、第1態様において、第2銅イオンにアンモニアフリー(ammonia-free)還 元剤を加えて、第1銅イオンに還元させることを含む。アンモニアフリー還元剤 は好ましくはヒドロキシルアミンと、水溶性アルカリ金属若しくはアルカリ土類 金属水酸化物又は非アンモニア含有アルカリ化合物、より好ましくは水酸化ナト リウムによる、その塩である。水酸化第1銅沈殿物の分散を調節する(control) ための凝集防止剤、好ましくは例えばソルボース、フルクトース、デキストロー ス又は転化糖を溶液に加えることによって、第2銅イオンの還元プロセスをさら に実施する。凝集防止剤は第2銅イオンの還元をそれだけで実施するには不充分 な量で存在する。 水酸化第1銅の不均化反応方法は、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む酸 活性剤を加えて、主として触媒活性化表面に金属銅を付着させることによって実 施するが、この方法ではヒドロキシカルボン酸活性剤は水酸化第1銅1モルにつ き1モル以下の量で溶液中に存在する。ヒドロキシカルボン酸又はその塩の活性 剤−調節剤は好ましくはクエン酸、リンゴ酸、酒石酸又はマレイン酸であり、さ らに例えば硫酸のような無機酸を含む。この活性剤に、スルフィン、グリシン、 トリエチレンテトラミン及びFlocon 100から成る群から選択される速 度調節剤、又は所望の銅付着物以外の無用な銅金属スラッジへの無制御分解を遅 延させることができる、他の表面活性添加剤を加えることもできる。 他の態様では、本発明は、第2銅イオンを含む水溶液と、窒素含有化合物を含 む第2銅還元剤水溶液と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属水溶液と、ヒドロ キシカルボン酸若しくはその塩、又はヒドロキシカルボン酸若しくは塩と組み合 わせた無機酸を含む活性剤水溶液とを含む、基体上に銅を付着させるためのアン モニアフリー系を包含する。第2銅イオンを第1銅水酸化物に還元させるために 、第2銅還元剤は好ましくはヒドロキシルアミン及びその塩を含み、アルカリ金 属水酸化物若しくはアルカリ土類金属水酸化物又は他の非アンモニア含有アルカ リ化合物は好ましくは水酸化ナトリウムである。この系はさらに、第1銅水酸化 物を微粒子として分散状態に維持するために、凝集防止剤、好ましくはポリオー ル、より好ましくはソルボース又は転化糖を含むことができる。凝集防止剤は第 2銅イオンを還元させるために不充分な量で存在する。活性剤水溶液は好ましく はヒドロキシカルボン酸若しくは塩を約65g/l以下の量で含み、ヒドロキシ カルボン酸若しくは塩の活性剤−調節剤は好ましくはクエン酸、リンゴ酸又は酒 石酸を含み、さらに無機酸を含む。既述した種類の速度調節性表面活性剤を系に 含めることもできる。発明の実施態様 本発明の方法は米国特許第3,963,842号の上記方法の改良であり、こ の特許は本明細書に援用される。本発明を用いて、金属銅を種々な表面又は触媒 作用(catalyzed)表面に付着させることができるが、本発明はガラス上の銀の層 上に又はガラス自体上に直接、銅を付着させて、鏡を製造するために特に有用で あると考えられる。周知の方法によると、塩化第1スズ溶液を塗布し、その後に アンモニア含有硝酸銀を塗布することによって、ガラス表面を過増感させる(sup ersensitized)。銅を銀の層上に付着させるべき場合には、例えばSivert z等への米国特許第3,776,740号、Bahlsへの米国特許第4,10 2,702号、又は本発明者への米国特許第4,192,686号に開示された 方法のような、先行技術の銀付着方法のいずれかを用いることができる。好まし い銀付着方法は、Bahlsへの米国特許第4,737,188号に開示される 。銅層が付着したならば、例えば、Sanfordへの米国特許第5,075, 134号及びSanford等への米国特許第5,094,881号に開示され る鉛を含まない樹脂のような、保護樹脂又は他の被膜を銅上に適用する。これら の上記特許の全ての開示は本明細書に援用される。 本発明の系は3成分又は4成分によって構成することができる。これらの成分 は水溶液として供給されるが、これらの水溶液は輸送及び貯蔵のために濃縮形で 供給してから、作用濃度(working strength)まで脱イオン水で希釈することがで きる。第1成分は好ましくは非アミン錯体銅塩(例えば、硫酸塩又は硝酸塩)か らの第2銅イオンを、好ましくは硫酸銅5水和物(CuSO4・5H2O)の形で 含む。第2成分として別に供給することができるが、より便利には第1成分中に 含まれる、第2銅から第1銅への還元剤溶液は窒素含有化合物を任意に共還元剤 、好ましくは、例えばヒドロキシルアミンとその塩のような、米国特許第3,9 63,842号に既述されている化合物の1種以上、最も好ましくはヒドロキシ ルアミンスルフェートと共に含む。他の還元剤はヒドラジン、アミノグァニジン ビカルボネート、カルボヒドラジド及びジチオニット(dithionite)、又は第2銅 イオンを第1銅状態にアンモニアなしに還元することができる他の化合物を含む ことができる。窒素含有化合物又は還元剤の濃度は約25〜65g/lの範囲で あることができるが、好ましくは少なくとも約45g/lであり、還元剤がヒド ロキシルアミンスルフェートであるときの化学量論式によって示されるように、 第2銅イオンの全てを水酸化第1銅に還元させるために充分でなければならない 。 10NaOH+4CUSO4+(NH3OH)2SO4→ 4Cu(OH)↓+N2O↑+2Na2SO4+7H2O 第2銅イオンの還元は、上記反応式の化学量論比で第2銅イオンと還元剤との 混合物にアルカリ性を与えるために、第3成分、水溶性アルカリ金属水酸化物若 しくはアルカリ土類金属水酸化物、好ましくは水酸化ナトリウム若しくは水酸化 カリウム、又は他の非アンモニア含有アルカリ剤(例えば、炭酸ナトリウム若し くは炭酸カリウム)を加えることによって、達成される。水酸化ナトリウムが好 ましい水溶性アルカリ金属水酸化物若しくはアルカリ土類金属水酸化物である。 この反応は第1銅イオンを迅速に生成するが、これは直ちに“橙色泥”の外観を 有する水酸化第1銅沈殿物として沈降する。さらに、亜酸化窒素ガスが反応器を 出る泡として形成される。 凝集防止剤として作用して、それによってCu(OH)粒子を大きいフロック 又は凝集塊を形成しないように維持するために、第1成分に加える第1銅還元剤 溶液は好ましくは任意成分として多価糖又はアルコール(ポリオール)、例えば デキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラクトン、グルコヘプトン酸ナ トリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、D−ガラクトノ−γ−ラクト ン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マンノース、D−ガラクトース 等を含む。好ましいポリオールは例えばソルボース及び転化糖のような糖化合物 である。このような化合物を典型的に用いて、銅を還元することができるが、こ の場合のポリオール使用量は第2銅イオン量を第1銅状態に還元するために充分 には満たない。ポリオールの濃度は用いる銅塩1モルにつき約1〜200g/l の範囲であることができるが、好ましくは約10〜100g/lであり、最も好 ましくは銅塩1モルにつき約65〜75g/lである。理論によって限定される のを望む訳ではないが、ポリオール添加の効果は、得られる水酸化第1銅分子の 間の水素結合を防止することであるように思われる。第1成分中の第1銅イオン の初期還元中に形成される水酸化第1銅分子が他の水酸化第1銅分子とではなく ポリオールと(ヒドロキシル基に沿って)水素結合を形成する傾向があり、それ によって、水酸化第1銅分子沈殿を比較的小さい分子として高度な分散状態に維 持すると考えられる。これは最後には第2工程(不均化反応)の結果として金属 銅の一層均一なめっきを生じることが判明している。 既述したように、還元剤を別の又は第2成分溶液として供給して、これを最初 の第2銅成分溶液に第3成分(好ましくは、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウ ム)溶液を加える直前に加えることができる。好ましい添加順序は、第2成分( 還元剤)後に、第3成分(アルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物 )である。第2銅溶液に、還元剤の前にアルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類 金属水酸化物を加える場合には、生ずる水酸化第2銅分子沈殿が還元剤溶液の添 加を困難にし、それによって、水酸化第1銅の形成を遅延させると考えられる。 所望の水酸化第1銅懸濁液(橙色泥)に拘わらず、第2銅塩、ヒドロキシルアミ ン還元剤及びアルカリ金属水酸化物又はアルカリ土類金属水酸化物の所望の比は 上記化学量論式によって示されるが、化学量論量未満の還元剤又はアルカリ金属 水酸化物若しくはアルカリ土類金属水酸化物比は水酸化第1銅の収率を低下させ る。同様に、化学量論量より多い量の使用は無駄であるが、両方の場合に、水酸 化第1銅は好ましい状態で生成される。 Sivertz等の第’842号特許とは異なり、水酸化第1銅泥懸濁液の製 造と貯蔵とは開放容器内で実施することができ、空気を遮断するための窒素ガス ブランケットなしに貯蔵することができ、必要な場合には、酸化されて第2銅化 合物に再び戻ることなしに、数か月間保存することができる。この特徴は、個々 の量で用いる場合に高価な装置を必要としたSivertz等の方法とは対照的 に、全ての成分及び得られる水酸化第1銅のために単純な開放容器の使用を可能 にする。 銅の化学に熟知した人々にとって、アニオンとしての水酸化物以外の第1銅イ オンと不溶性塩を形成するある種のアニオンは、反応物の選択として又は反応物 中の不純物としての両方で避けるべきである。これらのカチオンは特にクロリド 、ヨージド、スルフィド、シアニド及びチオシアネートである。このことは製造 環境において必ずしも実行可能であるとは限らず、アルカリ金属水酸化物若しく はアルカリ土類金属水酸化物中の塩化ナトリウム不純物は好ましくは30ppm 未満であるべきである。他方では、加えられるか又は通常、水酸化ナトリウム中 に炭酸ナトリウム(Na2CO3)として存在するカーボネートは水酸化ナトリウ ムの重量の約33%までの量で存在する場合に、めっき効率に有利な影響を及ぼ すことが判明している。 触媒活性化表面に銅を制御めっきするために、水酸化第1銅を第1成分、第2 成分及び第3成分の組合せから得て、この水酸化第1銅に有機酸含有第4成分を 加えなければならない。この第4成分(すなわち、活性剤−調節剤)は好ましく はヒドロキシカルボン酸活性剤若しくはヒドロキシカルボン酸の塩であり、より 好ましくはα−ヒドロキシ酸、例えばリンゴ酸、クエン酸又は酒石酸である。活 性剤は例えば硫酸、リン酸若しくはスルファミン酸のような無機酸、又は例えば エチレンジアミン、トリエチレンテトラミン若しくは同様なアルキルアミンのよ うなアミンを添加することによって調節することができる。本明細書で用いるか ぎり、“無機酸”なる用語は、例えば硫酸水素ナトリウムのような、このような 酸の部分的中和形を含む。有機酸活性剤なしに、無機酸を用いることができるが 、 これは付着した銅にあまり好ましくないチョーク様(chalky)外観を生じる。硫酸 をクエン酸、リンゴ酸、酒石酸又はこれらの組合せのいずれかと共に含む活性剤 −調節剤を用いることが好ましい。 或いは、第2銅塩溶液(第1溶液)にヒドロキシカルボン酸を含めることがで きるが、これによって、活性剤−調節剤(第4成分)として無機酸を加えること が必要になる。この場合にヒドロキシカルボン酸を塩として、すなわち、アルカ リ金属塩又はアルカリ土類金属塩として第1成分に加えることができる。ヒドロ キシカルボン酸若しくはその塩を第1成分又は第4成分のいずれか又は両方に加 えることができるが、第4成分に酸形で加えることが好ましい。第1成分に含め る場合には、例えば、ヒドロキシカルボン酸の塩はクエン酸塩、酒石酸塩又はリ ンゴ酸塩の形状であることができる。 第1成分が220g/lのCuSO4・5H2Oの使用からの銅イオンを含む場 合には、無機酸は約40〜100ml/lの濃度範囲を有することが好ましい。 意外にも、有機酸若しくはその塩をSivertz等の第’842号特許で用い られた200g/lよりも低い量で用いることができ、その濃度は好ましくは約 40〜120g/lの範囲であることができ、より好ましくは少なくとも約60 g/l、最も好ましくは約65g/lである。これは換言すると、水酸化第1銅 1モルにつき有機酸若しくはその塩1モル未満であり、好ましくは水酸化第1銅 1モルにつき有機酸若しくはその塩1/2未満である。酸活性剤の添加時に、溶 液全体のpHは7未満に低下し、好ましくは3未満に低下する。酸化第1銅が溶 解して、第1銅イオンになり、ヒドロキシカルボン酸によって恐らく錯体化され るので、遊離の第1銅イオンが不均化反応のために可動になると考えられる。こ の反応は無機酸又は有機酸のみによっても生ずるが、付着した銅は、無機酸と有 機酸との上記組合せによるよりも劣った品質及び効率であることが判明している 。 本発明の好ましい系は水溶液として下記好ましい化合物(濃縮形としての記載 量)を含む:CU−275 (銅溶液) 275g/lの硫酸銅五水和物CU−IC (還元剤溶液) 184g/lのヒドロキシルアミンスルフェート 66g/lのL−ソルボースCU−100 (銅+還元剤溶液) 4部CU−275 1部CU−ICCU−200 (アルカリ金属溶液) 380g/lの水酸化ナトリウムCU−300 (活性剤溶液) 65g/lのクエン酸、リンゴ酸又は酒石酸 80ml/lの硫酸(98%) 0.1ml/lのSurfine WNT−A ある種の化合物の添加が反応速度を制御するように作用することができ、実際 に、本発明による銅付着プロセス中に一緒にした溶液における第1銅スラッジ又 は泥の形成を阻止して、高いめっき効率を生じることが判明している。このよう な調節剤は先行技術のアンモニア不均化反応では反応を制御する能力を有さなか った。CU−300活性剤溶液に加えるために適した、反応を有利に制御するこ とが判明している調節剤には、Surfine WNT−A,ニュージャージー 州,エルムウッドパークのFinetex社から入手可能な、エトキシル化脂肪 アルコールカルボキシレート(エチレンオキシド縮合物)の遊離酸形である洗剤 、湿潤剤及び分散剤;Rochelle塩(酒石酸ナトリウム−カリウム);グ リシン;トリエチレンテトラミン;及びFlocon 100,Pfizer社 から入手可能なスケール防止剤(antiscalant)がある。他の調節剤には下記界面 活性剤がある:調節剤 供給者 P.E.Soapbark FA Meer COrporation,ニュージャージー州,ノースバーゲン Quillaja Extract 2F Meer COrporation,ニュージャージー州,ノースバーゲン Alkonol WXN E.I.duPont de Nemours,デラウエア州,ウィルミントン Alkonol XC E.I.duPont de Nemours,デラウエア州,ウィルミントン Triton X-155 Rohm & Haas,ペンシルバニア州,フィラデルフィア Decersol OT75 American Cyanamid,ニュージャージー州,ウエイン Rexowel RW EmKay Chemical Company,ニュージャージー州,エリザベス Acrilev AM Finetex社,ノースカロライナ州,スペンサー Eccosol P TexAll Products,ケベック州,ポイント クレール ドーバル Witconate SCS Witco Chemical社,ニューヨーク州,ニューヨーク Witconol PS Witco Chemical社,ニューヨーク州,ニューヨーク Antarox RC520 GAF Corporation,ニューヨーク州,ニューヨーク これらの速度調節剤とスラッジ抑制剤とは上記第4成分中に約0.1〜10g /lの濃度及びこの特許の実施例に記載された濃度で加えることができる。さら に、めっき効率及び/又は銅付着における他の利点が、約50g/lの量での速 度調節剤酸性錯生成剤(コンプレックサー)(例えば、イミノ二酢酸及びヒドロ キシエチルエチレンジアミン三酢酸)、約10g/lの量でのホウ酸、及び約0 .1〜1.0g/lの量での、例えばAtcowet C(サウスカロライナ州 のグリーンビルのBostik Southから入手可能)のような表面活性剤 を加えることによって得ることができる。上記添加の全てがCU−300活性剤 溶液に最も良く実施される。 本発明の方法を実施するために、金属銅の層を受容する適当な基体を用意する 。鏡を製造する例では、ガラス表面を第1スズ塩で増感させて(sensitized)、塩 化パラジウム若しくは硝酸銀ノ1%溶液中で洗浄する(ガラス上に銅ミラーが望 ましい場合)、又はガラス表面をBahlsの第’188号特許によって銀層で 被覆する(銅バッキングを有するガラス上の銀ミラーが望ましい場合)。第2銅 イオン、窒素含有還元剤及び凝集防止剤を含むCU−100成分を、アンモニア フリーアルカリ金属若しくはアルカリ土類金属を含むCU−200成分と混合し て、 第2銅イオンを水酸化第1銅に迅速に還元させる。これらの成分が硫酸銅、ヒド ロキシルアミンスルフェート及び水酸化ナトリウムを含む場合には、第1銅錯体 を製造する反応は下記の通りである: 10NaOH+4CuSO4+(NH3OH)2SO4→ 4Cu(OH)↓+N2O↑+5Na2SO4+7H2O 形成される水酸化第1銅は、非常に均一な銅付着物を得ることを可能にする非 常に微細な粒度を有して形成される橙色沈殿物として見える。好ましいポリオー ル凝集防止剤は、透明な溶液であるかのような注入又は噴霧を可能にするほどの 小粒子として水酸化第1銅を分散させることができる。水酸化第1銅のpHは1 0〜11であるが、過剰な水酸化ナトリウムを用いる場合には、pHは12を越 える。本発明によると、CU−100とCU−200との反応によって形成され る水酸化第1銅は直ちに使用することも、又は将来使用するために貯蔵すること もできる。 好ましい基体上に元素状金属銅を付着させるために、水酸化第1銅を次に、活 性剤又は活性剤−調節剤を含むCU−300成分と混合する。CU−300成分 が酸性活性剤又は活性剤−調節剤を含む場合には、用いる酸量は、反応済み流出 液が7未満、好ましくは1〜4、より好ましくは1〜2の最終pHを有するよう に選択する。CU−300成分をCU−100とCU−200との反応からの水 酸化第1銅と、銅めっきすべき表面上にこれらを一緒に注入することによって、 又はこれらを表面上に同時に噴霧することによって混合することができる。第1 銅イオンの不均化反応は銅イオンの実質的な割合の還元及び触媒作用表面上の元 素状金属銅としての付着と、反応済み溶液流出液中の残留第1銅イオンの第2銅 状態への酸化とを生じる。 反応温度は約10〜50℃でよいが、最適の結果、すなわち、スラッジ形成の ための高い効率と最少時間のためには約15〜30℃の範囲内であることが好ま しい。これより高い温度は表面上のめっきよりも金属銅粒子(スラッジ)を形成 することによってめっき効率を減少させる傾向がある。銅スラッジの形成を別と して、付着中の雰囲気中での第1銅塩と酸素との反応によって反応効率はさらに 低下する。この問題は、必要な場合には、反応表面を窒素ガス、二酸化炭素ガス 又は他の不活性ガスによって覆って、又はさもなくば酸素を実質的に排除して、 反応効率を改良することによって克服することができる。 標準250ml実験用ガラスビーカーの内側の銀めっき済み面上に、好ましく は濃縮した上記CU−100,CU−200及びCU−300成分によって銅を 付着させるために、下記操作を用いる: CU−100溶液37.5mlを取り出し、CU−200溶液9mlを加える 。脱イオン水によって110mlにまで希釈し、充分に混合する。水酸化第2銅 である黄橙色沈殿物が形成される。水酸化第1銅は極度に微細な粒度であり、ポ リオールの存在によって凝集から防止される。次に、CU−300溶液34ml を取り出し、別の容器内で、脱イオン水によって100mlにまで希釈する。 希釈したCU−100溶液(既にCU−200溶液を添加したもの)1 ml (A溶液と呼ぶことがある)と、CU−300溶液1 ml(B溶液と呼ぶこと がある)とを取り出し、銀めっきビーカーに同時に注入する。溶液をおだやかに 10秒間旋回させ(swirled)、実験台上に50秒間静置する。銀層上に均一な銅 フィルムが付着する。次に、溶液をビーカーからすすぎ洗いし、過剰な水を排出 する。 反応効率を算出するために、次に、銅フィルムを空気の存在下で水酸化アンモ ニウム溶液と、銅付着物が溶解するまで、接触させることによって、銀フィルム から除去し、この溶液を0.01Mエチレンジアミン四酢酸塩溶液によって、終 点指示薬としてMurexideを用いて滴定する。次に、使用済み銅溶液をア ンモニア化し(ammoniated)、銅含量に関して別に滴定する。次に、めっき効率を [T1/(T1+T2)]x100%から算出することができる、この式中、T1は 銅付着物を定量するための滴定剤のmlであり、T2は使用済み溶液中の銅を定 量するための滴定剤のmlである。 既述した好ましい組成物に関して、付着した銅は均一であり、縞又は斑模様の 外観を実質的に含まない。反応効率は通常の大気(好気)条件下で12〜18% までの範囲であり、嫌気条件下ではさらに高いことが判明しており、これは第’ 842号のSivertz等の特許の方法におけるアンモニア含有溶液を用いて 既に得られた11%よりも有意に高い。 実施例 本発明の実施の詳細をさらに詳しく説明するために、下記具体的実施例を記載 する。当業者には同等の操作及び量が思いつくと考えられるので、下記実施例は 本発明の範囲を画定することを意味せず、本発明の範囲は添付の請求の範囲によ って定義される。実施例中の%に関する全ての言及は、明細書全体を通してと同 様に、他に指示しない限り、重量%に関するものである。実施例1 銅に関して既述した方法にビーカーを用いたが、このビーカーは第1スズ増感 剤によって活性化せず、パラジウムイオン又は銀イオンによって処理して、表面 を活性化させた。次に、溶液A 3mlと溶液B(クエン酸によって製造)3m lとをビーカーに加えて、混合物を約3分間反応させた。赤色の金属沈殿物が形 成されたが、めっきは殆ど生じなかった。この反応に関して、1.7のpHが測 定された。金属スラッジを濾過し、得られた銅金属の量を分析して、このプロセ スの効率を算出した。数回の反復試験によって平均32%の金属生成効率が得ら れた。不均化反応の理論的最大値は50%である。このことは、無電解めっきの 分野に熟練した人に周知であるように、無電解めっきを受け易いことが知られた 、例えば銀表面又はその他の表面のような、触媒活性化表面又は他のやり方での 導電性金属面に対してこの反応を実施すべきであるときに、このプロセスが実行 可能であることを実証する。実施例2 実施例1に述べた操作を繰り返したが、この場合には、増感させ、金属銀で被 覆したビーカーにおいて実施した。CU−300は硫酸とクエン酸のみを含有し た(Surfineを除いて)。溶液AとBの混合物を手動でビーカー内で60 秒間旋回させた後に、混合物を第2非処理ビーカーに移し入れた。第1ビーカー は銀上に光沢ある銅金属被膜を有した。第1ビーカーと第2ビーカーとの中の銅 を定量し、付着反応は約6〜8%であると判明した。このことは、この方法が無 電解であり、反応効率がこの方法を実行可能にすることを実証する。実施例3 このプロセスが実際に無電解プロセスであることをさらに実証するために、実 施例1に述べた操作を、増感させ、塩化パラジウム又は硝酸銀の希薄溶液によっ て処理したビーカー内で繰り返した。このようなビーカーは、無電解めっきの分 野に熟練した人には、触媒活性化又は過増感されたと呼ばれる。このビーカーは 目視的に透明に見えたが、淡灰色が表面が過増感されたことを示した。溶液Aと Bの混合物をビーカーに加え、ビーカーを手で旋回させて60秒間動かすと、光 沢ある被膜又は銅金属がビーカー内に出現し、さもなくば透明なビーカーを銅ガ ラスミラーに変えた。このことは、この方法がガルバニ置換(galvanic displace ment)又は、爪を銅で被覆するために硫酸銅の酸性溶液中に鉄の爪を浸漬するこ とによって通常実証される浸漬めっきとして文献に述べられた方法ではないこと を実証する。実施例4 ヒドロキシカルボン酸を塩(好ましくは、ナトリウム塩又はカリウム塩)とし て用いることができることを実証するために、クエン酸ナトリウム 100g/ lをCU−275(銅溶液)に加えた。次に、先行実施例と同様に、CU−IC を用いて、CU−100を形成し、CU−100をCU−200と既述したよう に反応させて、希薄な第1銅A溶液を製造した。この場合に、第1銅沈殿は黄橙 色に見え、このことは第1銅の一部がクエン酸第1銅の形状であることを示唆し たが、化学分析は第1銅沈殿が主として水酸化第1銅であることを示した。次に 、第1銅A溶液を、3.3倍に希釈された無機酸(すなわち、硫酸)100ml のみを含む、CU−300から製造したB溶液と、銀めっきビーカー内で反応さ せた。溶液A 1mlと溶液B 1mlとを1分間反応させたときに、銅付着物 は光沢があり、めっき効率は5.9%であり、最終pHは約1.3であった。こ のことは、CU−275又はCU−100のいずれかにヒドロキシカルボン酸又 は塩が存在する場合に、ヒドロキシカルボン酸塩からのナトリウムイオンによっ て与えられるアルカリ度を相殺するためにCU−100中に若干の付加的無機酸 を加えるならば、正常反応が得られることを実証する。実施例5 空気中に通常存在する酸素の不存在下で不均化反応めっきプロセスを実施する 場合に、付加的な利益が得られるかどうかを知るために、試験を実施した。銀め っ きビーカー内で、既述したように、銅の付着を実施した。ある場合には、反応物 溶液AとBを空気存在下でビーカーに加えた。11%のめっき効率が得られた。 他の場合には、ビーカーを窒素の圧縮シリンダーからの窒素によって連続的にフ ラッシュした。反応物は1分間の反応中に連続的にフラッシュしながら、窒素と 共にビーカーに加えた。第2の場合には、めっき反応は23%であり、このこと は、大気中の酸素が、他の原因である金属スラッジ生成と共に、めっき効率低下 の原因の1つであることを実証する。この実施例は、反応表面上の不活性ガスブ ランケット(嫌気性条件)の使用を考えることが実際的であることを示す。実施例6 CU−100とCU−200とから希薄溶液Aを調製したが、この場合には、 通常水酸化ナトリウムである水酸化金属の代わりに炭酸ナトリウムをモル対モル で用いた。この場合には、次に、CU−100とCU−200との反応は、水酸 化ナトリウムを用いた場合に通常の1〜2分間に比べて、約30分間を要した。 次に、溶液A 1mlを上記実施例と同様に、希釈B溶液 1mlと反応させた 。B溶液は銀めっきビーカー中での反応pHが1.0〜2.0であるように、充 分なCU−300から製造した。反応効率は約6%であり、銅付着物は光沢があ る。また、若干の二酸化炭素ガスが付着プロセス中に発生したが、不活性ガスブ ランケットとして作用するほど充分な量ではなかった。二酸化炭素ガスの発生は 第1銅沈殿を基体上により均一に分散させるのを容易にした。このことは、非ア ンモニア含有アルカリ化合物を第3成分として付加的な利益をもたらして使用可 能であることを実証する。実施例7 クエン酸の代わりに他のヒドロキシカルボン酸を使用することができるか否か を知るために試験を実施した。上記実施例に用いた方法に従って、CU−100 とCU−200とを用いて希薄なA溶液を調製した。全てが硫酸80ml/lを 含み、各々がクエン酸、酒石酸又はリンゴ酸のいずれかを65g/lで含む、種 々なCU−300組成物から希薄なB溶液を調製した。反応時間は60秒間であ り、最終pHは約1.1〜1.2であった。各めっき効率はクエン酸、酒石酸及 びリンゴ酸を含む組成物に関して、それぞれ、6.3%、9.1%及び18.2 %であった。このことは、本発明のめっきプロセスが1種類のヒドロキシカルボ ン酸のみに限定されず、酸の選択の変化が操作者の熟練に依存することを実証す る。乳酸及びグリコール酸による同様な置換も同じ範囲内の効率によって同様な 反応を生じたが、ヒドロキシジカルボン酸(リンゴ酸、クエン酸、酒石酸)はよ り滑らかな銅フィルムを生じる傾向がある。実施例8 CU−300濃縮溶液に用いるクエン酸量はプロセスに高いコストを生じる原 因であるので、光沢銅付着物のためのpH範囲1〜3内であるために充分な硫酸 を維持しながら、クエン酸量を変化させた。上記実施例に述べた銅付着方法を用 いて、クエン酸を40g/lから120g/lまで変化させた場合には、最高の めっき効率が50g/l〜70g/l(硫酸は80ml/lに固定)で生ずる。 例えば、クエン酸55g/lでは、効率は13%であり、40g/lでは効率は 9%であり、120g/lでは効率は8%であった。極端に低い量及び極端に高 い量のクエン酸は効率の見地からあまり好ましくないが、光沢銅はまだ付着した 。酒石酸とリンゴ酸とに関する同様な試験は同様な結果を示した。それ故、本発 明の方法は特定濃度のヒドロキシカルボン酸に依存しない。しかし、反応の最終 pHを所望の範囲内(通常は、pH1〜3)にもたらすために充分な量で無機酸 を用いるべきである。実施例9 希薄な水酸化第1銅溶液Aを最少程度の凝集で製造することが望ましい。固定 した垂直ガラスシリンダー中での水酸化第1銅の重力による沈降速度は好ましい 方法であると判明している。薄い銅層を高強度ランプからの透過光線によって目 視したときに、最小又は最も遅い沈降速度による水酸化第1銅溶液Aは最も均一 な銅付着物を生じた。凝集防止剤の使用は銅付着物を得るために不要であるが、 銅ミラーの製造又は銀ミラーの裏側(back)の銅めっきにこの方法を用いる予定で あるときに、均一な付着物を得るために凝集防止剤が非常に望ましい。凝集防止 剤はCU−275、CU−1C又はCU−200濃縮溶液のいずれかに、これら を希釈し、反応させて、第1銅A溶液を調製する前に、含めなければならない。 この方法では、水酸化第1銅を相互にではなく、物質に水素結合させるような物 質を反応に加えて、水酸化第1銅の大きなクラスターを避けることが望ましい。 15分間静置させた後の沈降速度を観察した。この場合に、添加剤はA溶液製造 前のCU−275に加えた。下記結果が得られたが、この場合に沈降%はカラム の全高さ上方の透明な溶液の高さを意味し、低い%は大きな分散度と低い凝集度 を示す。 この他の試験は、これらのポリオールの好ましい範囲がCU−275溶液中で は約10〜100g/lであることを示したが、約1〜200g/lの試験範囲 は、65〜75g/lのポリオールが好ましいことを示した。あらゆる場合に、 ポリオールの使用は金属銅のさらに均一な付着物を生じた。実施例10 本発明のアンモニアフリー銅不均化反応プロセスの試験ランを、通常はSiv ertz等の第’842号特許に記載のアンモニア化銅プロセスを用いる水平連 続移動ミラー製造コンベヤーー上で実施した。ソーダ石灰フロートガラスのシー トをコンベヤーの負荷端部に大気側を上に向けて載せた。この上側(top side)に 、最初にスクランビング、増感及びBohlsの第’702号特許に記載の銀め っきから成る、あらゆるミラー製造操作を実施した。ガラス上の金属銀被覆は7 5 mg/平方フィート(807mg/m2)であり、これは近代的銀ガラスミラー の70〜90mg/平方フィート(750〜970mg/m2)の典型的な範囲 内であった。銀めっきプロセスの水性副生成物をガラスから吹き飛ばし、脱イオ ン水ですすぎ洗いした後に、銀被覆ガラス上に、ガラスをミラー製造コンベヤー を移動させながら、銅層を次のように付着させた。 本発明のこの試験では、既述したような、銅めっきプロセスの反応物、CU− 100、CU−200及びCU−300(クエン酸使用)を、銀めっきガラス上 への反応物の適用前に反応物の供給(pumping)速度と希釈水の流量とを測定する 周知の装置を用いて、水で連続的に希釈した。この特定の場合に、銀めっきガラ スはコンベヤーの銅めっき区分下を62平方フィート/分(5.8m2/分)の プロセス速度で通過した。CU−100とCU−200とはそれぞれ、305m l/分と73ml/分で945ml/分の同じ水流中に供給して、小反応室を貫 流させることによって約3分間反応させて、希釈溶液Aを形成した。CU−30 0は305ml/分で1130ml/分の水流中に供給して、希釈溶液Bを形成 した。溶液AとBとは連続的に流動させるが、銀めっきガラスが噴霧領域を通過 するときに、これらの溶液が一緒に混合されて、銀めっきガラス面に丁度供給さ れるように、別々に噴霧した。混合した溶液AとBとを銀めっきガラス上に均一 に分配するために、スプレーノズルを移動デバイスによって前後に移動させた。 銀表面上の反応物の初期の色は曇った橙色であったが、これは銀上に直ちに金属 銅を付着させ始め、銀めっき面の外観を銅めっき面の外観に変化させた。1.5 のpHが反応に対して測定された。1分間反応させた後に、反応物を脱イオン水 すすぎ洗いによって除去し、ミラーをクリーンな空気によって噴霧乾燥させた。 得られた銅被膜は光沢があり、連続的であり、目視可能な欠陥を有さなかった。 銅付着物の重量は34mg/平方フィート(366mg/m2)であることが判 明した。この反応に関して算出した銅付着効率は約13%であった。乾燥した銀 めっきかつ銅めっきしたガラスミラーをコンベヤーに沿って移動させ続けて、保 護ペイント塗装区分に入れ、次に乾燥オーブンに入れて、銀ガラスミラー完成品 を得る。ミラーのサンプルは耐食性において、ミラー業界に周知の標準20%塩 噴霧試験によって300時間試験した場合に、Sivertz等の第’842号 特許に記載のアンモニア化銅プロセスによって製造したミラーと少なくとも同等 であることが判明した。銅めっきプロセスからの流出液をイオン交換カラムに通 して、銅イオンを回収し、アンモニアフリー流出液は、pH調節後に、下水系に 放出し、このように、費用のかかるアンモニア除去又は分解操作を回避した。 本発明は、大気に暴露したときに劣化しない、非常に安定な水酸化第1銅錯体を 提供する。この結果、溶液を実質的な酸素フリー環境に維持する、先行技術で用 いられる複雑な装置なしに、このプロセスを利用することができる。水酸化第1 銅は使用する予定のかなり前に製造して、酸素を排除する必要なく、開放容器に 保存することができる。銅を所望の活性化表面に付着させる場合には、水酸化第 1銅溶液を空気に開放したタンクに加えて、ミキサーによって分散させ、基体上 に分配するためにスプレーに供給することができる。同様に、活性剤溶液を空気 に開放した(open-to-air)タンクに加え、水酸化第1銅溶液と同時に基体上に噴 霧することができる。或いは、水酸化第1銅溶液と活性剤溶液とを噴霧の直前に 一緒に混合して、同じノズル又はオリフィスから噴霧することができる。このプ ロセスの反応速度を制御して、総合効率を改良する。付着した金属銅フィルムは より大きく耐食性であり、水蒸気への暴露時に容易に変色しない。結局、アンモ ニアをプロセスから除去して、有機酸活性剤量を実質的に減少させ、それによっ て、実質的な環境的及び費用的利益を与えることができる。 したがって、上記説明から明らかである目的の中でも、上記目的が特に効果的 に達成されることが理解されるであろう、本発明の範囲から逸脱せずに、上記構 成においてある一定の変化を実施することができるので、上記説明に含まれるあ らゆる事柄は限定の意味ではなく、例示と解釈すべきである。 本発明を最も実際的で、かつ好ましい実施態様とみなされるものにおいて例示 し、説明したが、多くの変更が可能であり、本発明の要旨及び範囲に入ることは 認識されるであろう、それ故、添付請求の範囲はあらゆる範囲の同等物を包含す るものである。
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1995年7月24日 【補正内容】 34条補正 請求の範囲 1.触媒活性化表面への金属銅の付着方法であって、水溶液中に第2銅イオ ンを形成する工程と、前記第2銅イオンにアンモニアフリー還元剤を加えて、前 記第2銅イオンを水酸化第1銅へ還元させる工程と、その後に、得られた水酸化 第1銅の不均化反応を実施して、主として前記表面上に金属銅を付着させる工程 とを含む前記方法。 2.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含む、 請求項1記載の方法。 3.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み、 前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属−又 はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項1記載の方法 。 4.第2銅イオンの前記還元を前記溶液に前記水酸化第1銅の分散を調節す るための凝集防止剤を加えることによってさらに実施する、請求項1記載の方法 。 5.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項4記載の方法。 6.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラク トン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、D −ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マン ノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項4記載の方法。 7.前記不均化反応が、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む活性剤を加 えて、主として前記触媒活性化表面上に金属銅を付着させることによって実施さ れ、前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤が溶液中に水酸化第1銅1モルにつ き約1以下未満の量で存在する、請求項1記載の方法。 8.前記水酸化第一銅の不均化反応が、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を 含む活性剤を加えて、主として前記触媒活性化表面上に金属銅を付着させること によって実施され、Surfine,Rochelle塩(酒石酸ナトリウムカ リウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 100から成 る群から選択される速度調節剤を前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤に加え る、請求項1記載の方法。 9.前記凝集防止剤がソルボースである、請求項4記載の方法。 10.前記凝集防止剤が転化糖である、請求項4記載の方法。 11.水溶液中に第2銅イオンを形成する工程と、実質的なアンモニアフリ ー還元剤を加えて、水溶液中の前記第2銅イオンを実質的に完全に水酸化第1銅 へ還元させる工程と、その後に、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む活性剤 を加えることによって、得られた水酸化第1銅の不均化反応を実施する工程とに よる触媒活性化表面への金属銅の付着方法であって、活性剤が主として前記触媒 活性化表面上に金属銅を付着させ、前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤が溶 液中に水酸化第1銅1モルにつき約1モル未満の量で存在する前記方法。 12.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み 、前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属− 又はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項11記載の 方法。 13.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が無機酸を含む、請 求項12記載の方法。 14.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がクエン酸である請 求項13記載の方法。 15.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がリンゴ酸である請 求項13記載の方法。 16.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が酒石酸である請求 項13記載の方法。 17.第2銅イオンの前記還元を前記溶液に前記水酸化第1銅の分散を調節 するための凝集防止剤を加えることによってさらに実施する、請求項11記載の 方法。 18.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項17記載の方法。 19.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項17記載の方 法。 20.前記凝集防止剤が前記水酸化第2銅を還元させるには不充分な量で存 在する、請求項17記載の方法。 21.Surfine,Rochelle塩(酒石酸ナトリウムカリウム) 、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 100から成る群から 選択される速度調節剤を前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤に加える、請求 項11記載の方法。 22.第1銅イオンの不均化による銅の基板への付着系であって、 第2銅イオンを含有する水溶液と、 第2銅イオンを第1銅イオンへ還元するために約25g/lの最小濃度の窒素 含有化合物を含むアンモニアフリー第2銅イオン還元剤の水溶液と、 アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水溶液と、 ヒドロキシカルボン酸若しくはその塩、アミン、又はヒドロキシカルボン酸若 しくは塩若しくはアミンと組み合わせた無機酸を含む活性剤水溶液とを含む、基 体上に銅を付着させるための系。 23.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含む 、請求項22記載の系。 24.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み 、前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属− 又はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項22記載の 系。 25.前記第1銅錯生成剤溶液がさらに水酸化第1銅の分散を調節するため の凝集防止剤を含む、請求項22記載の系。 26.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項25記載の系。 27.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項25記載の系 。 28.前記凝集防止剤が前記第2銅イオンを還元させるには不充分な量で存 在する、請求項25記載の系。 29.前記活性剤水溶液がヒドロキシカルボン酸又はその塩を水酸化第1銅 1モルにつき約1モル以下の量で含む、請求項25記載の系。 30.前記活性剤水溶液がSurfine,Rochelle塩(酒石酸ナ トリウムカリウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 1 00から成る群から選択される速度調節剤を含む、請求項22記載の系。 31.前記凝集防止剤がソルボースである、請求項25記載の系。 32.第1銅イオンの不均化による銅の基板への付着系であって、 第2銅イオンを含有する水溶液と、 第2銅イオンを第1銅イオンへ還元するために約25g/lの最小濃度の窒素 含有化合物を含むアンモニアフリー第2銅イオン還元剤の水溶液と、 第2銅イオンを第1銅イオンとして析出させるためのアルカリ金属又はアルカ リ土類金属の水酸化物の水溶液と、 ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含有する活性剤水溶液とを含み、 前記ヒドロキシカルボン酸又はその塩が水酸化第1銅1モルにつき約1モル以 下の量で存在する、基体上に銅を付着させるための系。 33.前記アルカリ金属−又はアルカリ土類金属−水酸化物が水酸化ナトリ ウムを含む、請求項32記載の系。 34.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤がさらに無機酸を含む、請求 項32記載の系。 35.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がクエン酸である、 請求項32記載の系。 36.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がリンゴ酸である、 請求項32記載の系。 37.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が酒石酸である、請 求項32記載の系。 38.前記第1銅還元剤溶液がさらに前記水酸化第1銅の分散を調節するた めの凝集防止剤を含む、請求項32記載の系。 39.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項38記載の系。 40.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項38記載の系 。 41.前記凝集防止剤が前記第2銅イオンを還元させるには不充分な量で存 在する、請求項38記載の系。 42.前記活性剤水溶液がSurfine,Rochelle塩(酒石酸ナ トリウムカリウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 1 00から成る群から選択される速度調節剤を含む、請求項32記載の系。 43.前記活性剤水溶液が酸化防止剤、酸性コンプレックサー、ホウ酸及び 表面活性剤から成る群から選択される添加剤をさらに含む、請求項42記載の系 。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AM,AT,AU,BB,BG,BR, BY,CA,CH,CN,CZ,DE,DK,EE,E S,FI,GB,GE,HU,JP,KE,KG,KP ,KR,KZ,LK,LR,LT,LU,LV,MD, MG,MN,MW,NL,NO,NZ,PL,PT,R O,RU,SD,SE,SI,SK,TJ,TT,UA ,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.触媒活性化表面への金属銅の付着方法であって、水溶液中に第2銅イオ ンを形成する工程と、前記第2銅イオンにアンモニアフリー還元剤を加えて、前 記第2銅イオンを水酸化第1銅へ迅速に還元させる工程と、その後に、得られた 水酸化第1銅の制御不均化反応を実施して、主として前記表面上に金属銅を付着 させる工程とを含む前記方法。 2.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含む、 請求項1記載の方法。 3.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み、 前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属−又 はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項1記載の方法 。 4.第2銅イオンの前記還元を前記溶液に前記水酸化第1銅の分散を調節す るための凝集防止剤を加えることによってさらに実施する、請求項1記載の方法 。 5.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項4記載の方法。 6.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラク トン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、D −ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マン ノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項4記載の方法。 7.前記不均化反応が、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む活性剤を加 えて、主として前記触媒活性化表面上に金属銅を付着させることによって実施さ れ、前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤が溶液中に水酸化第1銅1モルにつ き約1以下未満の量で存在する、請求項1記載の方法。 8.前記水酸化第一銅の不均化反応が、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を 含む活性剤を加えて、主として前記触媒活性化表面上に金属銅を付着させること によって実施され、Surfine,Rochelle塩(酒石酸ナトリウムカ リウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 100から成 る群から選択される速度調節剤を前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤に加え る、請求項1記載の方法。 9.前記凝集防止剤がソルボースである、請求項4記載の方法。 10.前記凝集防止剤が転化糖である、請求項4記載の方法。 11.水溶液中に第2銅イオンを形成する工程と、実質的なアンモニアフリ ー還元剤を加えて、水溶液中の前記第2銅イオンを実質的に完全に水酸化第1銅 へ迅速に還元させる工程と、その後に、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む 活性剤を加えることによって、得られた水酸化第1銅の制御不均化反応を実施す る工程とによる触媒活性化表面への金属銅の付着方法であって、活性剤が主とし て前記触媒活性化表面上に金属銅を付着させ、前記ヒドロキシカルボン酸又は塩 活性剤が溶液中に水酸化第1銅1モルにつき約1モル未満の量で存在する前記方 法。 12.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み 、前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属− 又はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項11記載の 方法。 13.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が無機酸を含む、請 求項12記載の方法。 14.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がクエン酸である請 求項13記載の方法。 15.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がリンゴ酸である請 求項13記載の方法。 16.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が酒石酸である請求 項13記載の方法。 17.第2銅イオンの前記還元を前記溶液に前記水酸化第1銅の分散を調節 するための凝集防止剤を加えることによってさらに実施する、請求項11記載の 方法。 18.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項17記載の方法。 19.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項17記載の方 法。 20.前記凝集防止剤が前記水酸化第2銅を還元させるには不充分な量で存 在する、請求項17記載の方法。 21.Surfine,Rochelle塩(酒石酸ナトリウムカリウム) 、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 100から成る群から 選択される速度調節剤を前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤に加える、請求 項11記載の方法。 22.第2銅イオンを含む水溶液と、窒素含有化合物を含むアンモニアフリ ー第2銅還元剤水溶液と、アルカリ金属又はアルカリ土類金属水溶液と、ヒドロ キシカルボン酸若しくはその塩、アミン、又はヒドロキシカルボン酸若しくは塩 若しくはアミンと組み合わせた無機酸を含む活性剤水溶液とを含む、基体上に銅 を付着させるための系。 23.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含む 、請求項22記載の系。 24.前記アンモニアフリー還元剤がヒドロキシルアミン又はその塩を含み 、前記第2銅イオンを水酸化第1銅に還元させるために、水溶性アルカリ金属− 又はアルカリ土類金属−水酸化物を加えることをさらに含む、請求項22記載の 系。 25.前記第1銅錯生成剤溶液がさらに水酸化第1銅の分散を調節するため の凝集防止剤を含む、請求項22記載の系。 26.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項25記載の系。 27.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項25記載の系 。 28.前記凝集防止剤が前記第2銅イオンを還元させるには不充分な量で存 在する、請求項25記載の系。 29.前記活性剤水溶液がヒドロキシカルボン酸又はその塩を水酸化第1銅 1モルにつき約1モル以下の量で含む、請求項25記載の系。 30.前記活性剤水溶液がSurfine,Rochelle塩(酒石酸ナ トリウムカリウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 1 00から成る群から選択される速度調節剤を含む、請求項22記載の系。 31.前記凝集防止剤がソルボースである、請求項25記載の系。 32.第2銅イオンを含む水溶液と、窒素含有化合物を含む、実質的なアン モニアフリー第2銅還元剤水溶液と、アルカリ金属−又はアルカリ土類金属−水 酸化物水溶液と、ヒドロキシカルボン酸又はその塩を含む活性剤水溶液とを含み 、前記ヒドロキシカルボン酸又はその塩が水酸化第1銅1モルにつき約1モル以 下の量で存在する、基体上に銅を付着させるための系。 33.前記アルカリ金属−又はアルカリ土類金属−水酸化物が水酸化ナトリ ウムを含む、請求項32記載の系。 34.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤がさらに無機酸を含む、請求 項32記載の系。 35.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がクエン酸である、 請求項32記載の系。 36.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤がリンゴ酸である、 請求項32記載の系。 37.前記ヒドロキシカルボン酸又は塩活性剤−調節剤が酒石酸である、請 求項32記載の系。 38.前記第1銅還元剤溶液がさらに前記水酸化第1銅の分散を調節するた めの凝集防止剤を含む、請求項32記載の系。 39.前記凝集防止剤がポリオールである、請求項38記載の系。 40.前記凝集防止剤がデキストロース、フルクトース、グルコノ−δ−ラ クトン、グルコヘプトン酸ナトリウム、L−ソルボース、転化糖、スクロース、 D−ガラクトノ−γ−ラクトン、2−ケト−D−グルコン酸、グリシン、D−マ ンノース及びD−ガラクトースから成る群から選択される、請求項38記載の系 。 41.前記凝集防止剤が前記第2銅イオンを還元させるには不充分な量で存 在する、請求項38記載の系。 42.前記活性剤水溶液がSurfine,Rochelle塩(酒石酸ナ トリウムカリウム)、グリシン、トリエチレンテトラミン及びFlocon 1 00から成る群から選択される速度調節剤を含む、請求項32記載の系。 43.前記活性剤水溶液が酸化防止剤、酸性コンプレックサー、ホウ酸及び 表面活性剤から成る群から選択される添加剤をさらに含む、請求項42記載の系 。
JP51468695A 1993-11-22 1994-10-03 不均化反応による銅のアンモニアフリー付着 Expired - Fee Related JP3372256B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/153,548 1993-11-22
US08/153,548 US5419926A (en) 1993-11-22 1993-11-22 Ammonia-free deposition of copper by disproportionation
PCT/US1994/011200 WO1995014538A1 (en) 1993-11-22 1994-10-03 Ammonia-free deposition of copper by disproportionation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09509219A true JPH09509219A (ja) 1997-09-16
JP3372256B2 JP3372256B2 (ja) 2003-01-27

Family

ID=22547667

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP51468695A Expired - Fee Related JP3372256B2 (ja) 1993-11-22 1994-10-03 不均化反応による銅のアンモニアフリー付着

Country Status (32)

Country Link
US (1) US5419926A (ja)
EP (1) EP0730500B1 (ja)
JP (1) JP3372256B2 (ja)
KR (1) KR100330632B1 (ja)
CN (1) CN1082842C (ja)
AT (1) ATE201337T1 (ja)
AU (1) AU676949B2 (ja)
BG (1) BG100606A (ja)
BR (1) BR9408092A (ja)
CA (1) CA2175909C (ja)
CZ (1) CZ289089B6 (ja)
DE (1) DE69427307T2 (ja)
DK (1) DK0730500T3 (ja)
ES (1) ES2158904T3 (ja)
FI (1) FI104270B1 (ja)
GR (1) GR3036329T3 (ja)
HU (1) HU216336B (ja)
IL (1) IL110813A (ja)
MY (1) MY114660A (ja)
NO (1) NO962085L (ja)
NZ (1) NZ274723A (ja)
PH (1) PH31318A (ja)
PL (1) PL314589A1 (ja)
PT (1) PT730500E (ja)
RO (1) RO113871B1 (ja)
RU (1) RU2118568C1 (ja)
SA (1) SA94150179A (ja)
SK (1) SK283024B6 (ja)
TW (1) TW342415B (ja)
UA (1) UA44259C2 (ja)
WO (1) WO1995014538A1 (ja)
ZA (1) ZA946707B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008031491A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅微粉とその製造方法及び導電性ペースト
US9951433B2 (en) 2014-01-27 2018-04-24 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Conductive film-forming bath
US10036097B2 (en) 2012-12-21 2018-07-31 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Conductive coating film forming bath

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998045505A1 (fr) 1997-04-07 1998-10-15 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Procede d'electrodeposition de produit moule en plastique, non conducteur
US6017580A (en) 1998-08-28 2000-01-25 Lilly Industries, (Usa), Inc. Silver film incorporating protective insoluble metallic salt precipitate
MY144574A (en) * 1998-09-14 2011-10-14 Ibiden Co Ltd Printed circuit board and method for its production
EP1020543A1 (en) * 1999-01-15 2000-07-19 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Deposition of copper on an activated surface of a substrate
JP3444276B2 (ja) * 2000-06-19 2003-09-08 株式会社村田製作所 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法および電子部品
US6979478B1 (en) 2002-08-01 2005-12-27 Hilemn, Llc Paint for silver film protection and method
TWI348499B (en) * 2006-07-07 2011-09-11 Rohm & Haas Elect Mat Electroless copper and redox couples
TWI347373B (en) * 2006-07-07 2011-08-21 Rohm & Haas Elect Mat Formaldehyde free electroless copper compositions
TW200813255A (en) * 2006-07-07 2008-03-16 Rohm & Haas Elect Mat Environmentally friendly electroless copper compositions
EP1876260B1 (en) * 2006-07-07 2018-11-28 Rohm and Haas Electronic Materials LLC Improved electroless copper compositions
RU2363790C2 (ru) * 2007-06-04 2009-08-10 ООО "Гальвика" Способ металлизации дисперсных тканых и нетканых материалов
ES2402317B1 (es) * 2011-09-26 2013-12-26 Abengoa Solar New Technologies S.A. Procedimiento de trabajo de un sistema de espejado parcial de tubos de vidrio y dicho sistema.
CN109797387B (zh) * 2019-01-24 2020-11-06 山东科技大学 金属表面纳米铜\微合金层自润滑耐磨蚀复合改性方法
CN110102778B (zh) * 2019-06-14 2021-11-02 珠海银波科技发展有限公司 一种低温烧结高结晶度银粉的制备方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2977244A (en) * 1958-02-01 1961-03-28 Pilkington Brothers Ltd Method of depositing metallic copper
US2967112A (en) * 1958-03-11 1961-01-03 Pilkington Brothers Ltd Method and apparatus for applying metal-depositing solutions
US3033703A (en) * 1958-12-08 1962-05-08 Photocircuits Corp Electroless plating of copper
US3093509A (en) * 1959-09-28 1963-06-11 Wein Samuel Process for making copper films
US3257215A (en) * 1963-06-18 1966-06-21 Day Company Electroless copper plating
US3403035A (en) * 1964-06-24 1968-09-24 Process Res Company Process for stabilizing autocatalytic metal plating solutions
US3962494A (en) * 1971-07-29 1976-06-08 Photocircuits Division Of Kollmorgan Corporation Sensitized substrates for chemical metallization
BE795373A (fr) * 1972-07-13 1973-08-13 London Laboratories Procede et produit pour deposer de l'argent metallique sans apport de courant electrique exterieur
US3963842A (en) * 1974-06-20 1976-06-15 London Laboratories Limited Co. Deposition of copper
US3983266A (en) * 1974-10-09 1976-09-28 Peacock Laboratories, Inc. Method for applying metallic silver to a substrate
US4315055A (en) * 1976-12-29 1982-02-09 Ppg Industries, Inc. Direct electroless deposition of cuprous oxide films
US4192686A (en) * 1977-10-11 1980-03-11 London Laboratories Limited Co. Compositions and method for inhibiting formation of explosive compounds and conditions in silvering concentrates for electroless deposition of silver
US4220678A (en) * 1978-08-17 1980-09-02 Nathan Feldstein Dispersions for activating non-conductors for electroless plating
US4301196A (en) * 1978-09-13 1981-11-17 Kollmorgen Technologies Corp. Electroless copper deposition process having faster plating rates
US4450191A (en) * 1982-09-02 1984-05-22 Omi International Corporation Ammonium ions used as electroless copper plating rate controller
US4563217A (en) * 1983-07-25 1986-01-07 Hitachi, Ltd. Electroless copper plating solution
JPS60104246A (ja) * 1983-11-11 1985-06-08 C Uyemura & Co Ltd 化学銅めつき浴中のホルムアルデヒドの分析方法
US4552787A (en) * 1984-02-29 1985-11-12 International Business Machines Corporation Deposition of a metal from an electroless plating composition
US4525390A (en) * 1984-03-09 1985-06-25 International Business Machines Corporation Deposition of copper from electroless plating compositions
US4581256A (en) * 1984-11-19 1986-04-08 Chemline Industries Electroless plating composition and method of use
US4617205A (en) * 1984-12-21 1986-10-14 Omi International Corporation Formaldehyde-free autocatalytic electroless copper plating
DE3622090C1 (ja) * 1986-07-02 1990-02-15 Blasberg-Oberflaechentechnik Gmbh, 5650 Solingen, De
US4814009A (en) * 1986-11-14 1989-03-21 Nippondenso Co., Ltd. Electroless copper plating solution
JPS63134639A (ja) * 1986-11-22 1988-06-07 Haikawa Kk 金属銅の無電解析出用廃液の処理方法
US4737188A (en) * 1987-05-18 1988-04-12 London Laboratories Limited Reducing agent and method for the electroless deposition of silver
SU1638206A1 (ru) * 1988-02-10 1991-03-30 Институт Химии Поверхности Ан Усср Раствор дл химического нанесени медных покрытий
AU3304389A (en) * 1988-04-29 1989-11-02 Kollmorgen Corporation Method of consistently producing a copper deposit on a substrate by electroless deposition which deposit is essentially free of fissures
JPH0379100A (ja) * 1989-08-22 1991-04-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光透過ペーストおよびそれを用いた金属銅析出方法
US5094881A (en) * 1990-01-11 1992-03-10 Lilly Industrial Coatings, Inc. Mirrorback coating
US5075134A (en) * 1990-01-11 1991-12-24 Lilly Industrial Coatings, Inc. Mirrorback coating
DE4111558C1 (en) * 1991-04-05 1992-01-09 Schering Ag Berlin-Bergkamen, 1000 Berlin, De Formaldehyde-free bath for electroless deposition of copper - contains copper salt complexing agent, and formic acid (salts) or addn. prods. as reducing agent
US5306336A (en) * 1992-11-20 1994-04-26 Monsanto Company Sulfate-free electroless copper plating baths

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008031491A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅微粉とその製造方法及び導電性ペースト
US10036097B2 (en) 2012-12-21 2018-07-31 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Conductive coating film forming bath
US9951433B2 (en) 2014-01-27 2018-04-24 Okuno Chemical Industries Co., Ltd. Conductive film-forming bath

Also Published As

Publication number Publication date
FI962133L (fi) 1996-05-21
EP0730500B1 (en) 2001-05-23
PL314589A1 (en) 1996-09-16
CA2175909A1 (en) 1995-06-01
JP3372256B2 (ja) 2003-01-27
TW342415B (en) 1998-10-11
ZA946707B (en) 1995-04-03
IL110813A (en) 1998-06-15
RO113871B1 (ro) 1998-11-30
BR9408092A (pt) 1997-08-12
SK283024B6 (sk) 2003-02-04
CN1142204A (zh) 1997-02-05
NZ274723A (en) 1997-08-22
GR3036329T3 (en) 2001-11-30
FI104270B (fi) 1999-12-15
WO1995014538A1 (en) 1995-06-01
NO962085D0 (no) 1996-05-22
SK64396A3 (en) 1997-01-08
HU216336B (hu) 1999-06-28
CZ148296A3 (en) 1997-12-17
DE69427307D1 (de) 2001-06-28
BG100606A (bg) 1996-11-29
EP0730500A4 (en) 1997-01-29
ATE201337T1 (de) 2001-06-15
NO962085L (no) 1996-05-22
DE69427307T2 (de) 2001-10-11
PT730500E (pt) 2001-08-30
MY114660A (en) 2002-12-31
EP0730500A1 (en) 1996-09-11
CA2175909C (en) 2006-01-03
KR960705638A (ko) 1996-11-08
AU7926994A (en) 1995-06-13
HU9601385D0 (en) 1996-07-29
IL110813A0 (en) 1994-11-11
PH31318A (en) 1998-07-06
FI104270B1 (fi) 1999-12-15
US5419926A (en) 1995-05-30
UA44259C2 (uk) 2002-02-15
FI962133A0 (fi) 1996-05-21
KR100330632B1 (ko) 2002-08-19
ES2158904T3 (es) 2001-09-16
CZ289089B6 (cs) 2001-10-17
AU676949B2 (en) 1997-03-27
SA94150179A (ar) 2005-12-03
CN1082842C (zh) 2002-04-17
RU2118568C1 (ru) 1998-09-10
DK0730500T3 (da) 2001-07-02
HUT76864A (en) 1997-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09509219A (ja) 不均化反応による銅のアンモニアフリー付着
US4054693A (en) Processes for the preparation of resinous bodies for adherent metallization comprising treatment with manganate/permanganate composition
EP1343921B1 (en) Method for electroless nickel plating
US3958048A (en) Aqueous suspensions for surface activation of nonconductors for electroless plating
JP6201153B2 (ja) 無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ用のニッケルコロイド触媒液並びに無電解ニッケル又はニッケル合金メッキ方法
US4048354A (en) Method of preparation and use of novel electroless plating catalysts
SE7907373L (sv) Forfaringssett for kontinuerlig elektrofri kopparnedfellning under nyttjande av ett hypofosfitreduktionsmedel i nervaro av kobolk- och nickeljoner samt komposition for utovande av forfaringssettet
US3024134A (en) Nickel chemical reduction plating bath and method of using same
US4913787A (en) Gold plating bath and method
US3046159A (en) Method of copper plating by chemical reduction
US2976180A (en) Method of silver plating by chemical reduction
US3661596A (en) Stabilized, chemical nickel plating bath
JPH08176837A (ja) 無電解ニッケルリンめっき液
US3130072A (en) Silver-palladium immersion plating composition and process
IT8348902A1 (it) Procedimento e soluzione per la placcatura chimica di rame
US4086103A (en) Accelerator for phosphating solutions
US3963842A (en) Deposition of copper
JPH1030188A (ja) 無電解めっき用触媒液
JPH05295557A (ja) 無電解ニッケルリンめっき液
CA2149721A1 (en) Process of producing phosphate coatings on metals

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081122

Year of fee payment: 6

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees