JPH0951144A - 光電子装置 - Google Patents
光電子装置Info
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- JPH0951144A JPH0951144A JP7201988A JP20198895A JPH0951144A JP H0951144 A JPH0951144 A JP H0951144A JP 7201988 A JP7201988 A JP 7201988A JP 20198895 A JP20198895 A JP 20198895A JP H0951144 A JPH0951144 A JP H0951144A
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- Japan
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- semiconductor laser
- optoelectronic device
- chip
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安定した発光特性を有する多ビーム構造の光
電子装置の提供。 【構成】 複数の半導体レーザ部分をモノリシックに形
成してなる多ビーム半導体レーザチップを備える光電子
装置であって、前記多ビーム半導体レーザチップは各半
導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に異なる支
持板に直接固定されている。前記支持板は相互に電気的
に独立したリードとなっている。
電子装置の提供。 【構成】 複数の半導体レーザ部分をモノリシックに形
成してなる多ビーム半導体レーザチップを備える光電子
装置であって、前記多ビーム半導体レーザチップは各半
導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に異なる支
持板に直接固定されている。前記支持板は相互に電気的
に独立したリードとなっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光電子装置、たとえばレ
ーザプリンタ等情報処理装置用光源として使用される多
ビーム半導体レーザに適用して有効な技術に関する。
ーザプリンタ等情報処理装置用光源として使用される多
ビーム半導体レーザに適用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】光電子装置の一つとして、単一のパッケ
ージ内に複数本のレーザ光（ビーム）を出射する多ビー
ム半導体レーザチップを内蔵した多ビーム半導体レーザ
（光電子装置）が知られている。
ージ内に複数本のレーザ光（ビーム）を出射する多ビー
ム半導体レーザチップを内蔵した多ビーム半導体レーザ
（光電子装置）が知られている。
【０００３】多ビーム半導体レーザについては、たとえ
ば、工業調査会発行「電子材料」1987年２月号、同年２
月１日発行、Ｐ72〜Ｐ76に記載されている。
ば、工業調査会発行「電子材料」1987年２月号、同年２
月１日発行、Ｐ72〜Ｐ76に記載されている。
【０００４】この文献には、モノリシック形レーザにお
いて，素子を２０ｍＷでＡＣＣ駆動し，素子にパル
ス電流を印加して，素子の出力変動を測定した際、パ
ルス幅を増やしていくと熱的影響と思われる素子の出
力減少が観測された旨記載されている。また、出力変動
に対応してマルチビーム動作時，発振スペクトルも変動
する旨記載されている。
いて，素子を２０ｍＷでＡＣＣ駆動し，素子にパル
ス電流を印加して，素子の出力変動を測定した際、パ
ルス幅を増やしていくと熱的影響と思われる素子の出
力減少が観測された旨記載されている。また、出力変動
に対応してマルチビーム動作時，発振スペクトルも変動
する旨記載されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の多ビーム半導体
レーザは、その組立精度を確保するために、サブマウン
トを介してヒートシンクに組み立てられている。しか
し、各半導体レーザ部分を個別に駆動すると、その際に
発生する熱がサブマウントを介して他の半導体レーザ部
分に伝わり、前記文献にも記載されているように熱的ク
ロストークが発生し、出力が低下する。
レーザは、その組立精度を確保するために、サブマウン
トを介してヒートシンクに組み立てられている。しか
し、各半導体レーザ部分を個別に駆動すると、その際に
発生する熱がサブマウントを介して他の半導体レーザ部
分に伝わり、前記文献にも記載されているように熱的ク
ロストークが発生し、出力が低下する。
【０００６】本発明の目的は、安定した発光特性を有す
る多ビーム構造の光電子装置を提供することにある。
る多ビーム構造の光電子装置を提供することにある。
【０００７】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【０００９】（１）複数の半導体レーザ部分をモノリシ
ックに形成してなる多ビーム半導体レーザチップを備え
る光電子装置であって、前記多ビーム半導体レーザチッ
プは各半導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に
異なる支持板に直接固定されている。前記支持板は相互
に電気的に独立したリードとなっている。
ックに形成してなる多ビーム半導体レーザチップを備え
る光電子装置であって、前記多ビーム半導体レーザチッ
プは各半導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に
異なる支持板に直接固定されている。前記支持板は相互
に電気的に独立したリードとなっている。
【００１０】
【作用】前記（１）の手段によれば、多ビーム半導体レ
ーザチップは各半導体レーザ部分に対応したチップ部分
が相互に異なるリードに直接固定されている。このた
め、各半導体レーザ部分で発生した熱は、各半導体レー
ザ部分を支持するリード（支持板）を通して放熱される
ため、一方の半導体レーザ部分の駆動時、他方の半導体
レーザ部分を駆動させても熱的クロストークが発生し難
くなり、出力特性が安定する。
ーザチップは各半導体レーザ部分に対応したチップ部分
が相互に異なるリードに直接固定されている。このた
め、各半導体レーザ部分で発生した熱は、各半導体レー
ザ部分を支持するリード（支持板）を通して放熱される
ため、一方の半導体レーザ部分の駆動時、他方の半導体
レーザ部分を駆動させても熱的クロストークが発生し難
くなり、出力特性が安定する。
【００１１】
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１２】図１は、本発明の一実施例である光電子装
置の断面図、図２は本実施例の光電子装置におけるキャ
ップを外した状態の平面図、図３は本実施例の光電子装
置の要部を示す斜視図である。
置の断面図、図２は本実施例の光電子装置におけるキャ
ップを外した状態の平面図、図３は本実施例の光電子装
置の要部を示す斜視図である。
【００１３】本実施例の光電子装置は、図１に示される
ように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状のス
テム１およびこのステム１の主面側に気密固定されたキ
ャップ１５とからなっている。
ように、それぞれアセンブリの主体部品となる板状のス
テム１およびこのステム１の主面側に気密固定されたキ
ャップ１５とからなっている。
【００１４】前記ステム１は数ｍｍの厚さの円形の金属
板（導電板）となっている。前記ステム１には４本のリ
ード２〜５が固定されている。１本のリード２はステム
１の下面に電気的，機械的に接続されている。
板（導電板）となっている。前記ステム１には４本のリ
ード２〜５が固定されている。１本のリード２はステム
１の下面に電気的，機械的に接続されている。
【００１５】３本のリード３，４，５はステム１を貫通
し、絶縁性のガラス６を介して絶縁的にステム１に固定
されている。リード３は後述する受光素子の電極とワイ
ヤを介して接続される。
し、絶縁性のガラス６を介して絶縁的にステム１に固定
されている。リード３は後述する受光素子の電極とワイ
ヤを介して接続される。
【００１６】２本のリード４，５のステム１の主面側に
突出する部分は、途中から幅の広い構造となるととも
に、この幅広の支持板７，８には、図１乃至図３に示す
ように、単一の多ビーム半導体レーザチップ９が導電性
の接合材１０，１１を介して固定されている。一対の支
持板７，８は近接するが、電気的に独立となるために、
所定の間隔だけ離れている。ショートを生じさせないた
め、たとえば、支持板７，８は数十μｍ以上相互に離れ
ている。
突出する部分は、途中から幅の広い構造となるととも
に、この幅広の支持板７，８には、図１乃至図３に示す
ように、単一の多ビーム半導体レーザチップ９が導電性
の接合材１０，１１を介して固定されている。一対の支
持板７，８は近接するが、電気的に独立となるために、
所定の間隔だけ離れている。ショートを生じさせないた
め、たとえば、支持板７，８は数十μｍ以上相互に離れ
ている。
【００１７】したがって、多ビーム半導体レーザチップ
９は２か所で別々のリード４，５に接合材１０，１１を
介して固定されている。
９は２か所で別々のリード４，５に接合材１０，１１を
介して固定されている。
【００１８】多ビーム半導体レーザチップ９は、図３に
示すように平行に延在する２本の共振器１２，１３を有
している。すなわち、本実施例の多ビーム半導体レーザ
チップ９は、隣合って相互に独立した２つの半導体レー
ザが形成されていることになり、２つの半導体レーザ部
分２０，２１は、多ビーム半導体レーザチップ９の表面
に設けたアイソレアション溝１６でｐｎ接合部分が分断
され、たとえば、図示しない表面のｐ電極が別々の接合
材１０，１１でリード４，５に電気的に接続されてい
る。多ビーム半導体レーザチップ９の露出する平坦な面
部分は、図示はしないが全面が共通のｎ電極となってい
る。このｎ電極とステム１は、図２に示すようにワイヤ
２２で電気的に接続されている。この結果、多ビーム半
導体レーザチップ９の共通電極の外部端子はリード２と
なる。
示すように平行に延在する２本の共振器１２，１３を有
している。すなわち、本実施例の多ビーム半導体レーザ
チップ９は、隣合って相互に独立した２つの半導体レー
ザが形成されていることになり、２つの半導体レーザ部
分２０，２１は、多ビーム半導体レーザチップ９の表面
に設けたアイソレアション溝１６でｐｎ接合部分が分断
され、たとえば、図示しない表面のｐ電極が別々の接合
材１０，１１でリード４，５に電気的に接続されてい
る。多ビーム半導体レーザチップ９の露出する平坦な面
部分は、図示はしないが全面が共通のｎ電極となってい
る。このｎ電極とステム１は、図２に示すようにワイヤ
２２で電気的に接続されている。この結果、多ビーム半
導体レーザチップ９の共通電極の外部端子はリード２と
なる。
【００１９】リード２とリード４に所定の電圧を印加す
ると、半導体レーザ部分２０の共振器１２からレーザ光
２３を発光する。また、リード２とリード５に所定の電
圧を印加すると、半導体レーザ部分２１の共振器１３か
らレーザ光２４を発光する。すなわち、単一の多ビーム
半導体レーザチップ９の２つの半導体レーザ部分２０，
２１は、それぞれ独立して制御できる。
ると、半導体レーザ部分２０の共振器１２からレーザ光
２３を発光する。また、リード２とリード５に所定の電
圧を印加すると、半導体レーザ部分２１の共振器１３か
らレーザ光２４を発光する。すなわち、単一の多ビーム
半導体レーザチップ９の２つの半導体レーザ部分２０，
２１は、それぞれ独立して制御できる。
【００２０】一方、前記ステム１の主面には、多ビーム
半導体レーザチップ９の下端発光されるレーザ光２３，
２４を受光し、レーザ光２３，２４の光強度をモニタす
る受光素子（ホトダイオード）２５が固定されている。
この受光素子２５はステム１の主面に設けられた傾斜面
２６に図示しない接合材を介して固定されている。受光
素子２５の図示しない上面電極とリード３は導電性のワ
イヤ２７によって接続されている。したがって、受光素
子２５でレーザ光２３，２４のいずれかを受光すれば、
リード２とリード３間に電流が流れることになる。
半導体レーザチップ９の下端発光されるレーザ光２３，
２４を受光し、レーザ光２３，２４の光強度をモニタす
る受光素子（ホトダイオード）２５が固定されている。
この受光素子２５はステム１の主面に設けられた傾斜面
２６に図示しない接合材を介して固定されている。受光
素子２５の図示しない上面電極とリード３は導電性のワ
イヤ２７によって接続されている。したがって、受光素
子２５でレーザ光２３，２４のいずれかを受光すれば、
リード２とリード３間に電流が流れることになる。
【００２１】他方、前記ステム１の主面には、窓３０を
有する金属製のキャップ１５が気密的に固定され、多ビ
ーム半導体レーザチップ９，受光素子２５，リード３，
４，５等を封止している。前記窓３０は、キャップ１５
の天井部分に設けた円形穴を透明なガラス板３１で塞ぐ
ように取り付けることによって形成される。ガラス板３
１は接合材３２でキャップ１５に固定される。
有する金属製のキャップ１５が気密的に固定され、多ビ
ーム半導体レーザチップ９，受光素子２５，リード３，
４，５等を封止している。前記窓３０は、キャップ１５
の天井部分に設けた円形穴を透明なガラス板３１で塞ぐ
ように取り付けることによって形成される。ガラス板３
１は接合材３２でキャップ１５に固定される。
【００２２】本実施例の光電子装置では、多ビーム半導
体レーザチップ９の２つの半導体レーザ部分２０，２１
は、相互に別の支持板（リード）７，８に固定され、別
々の支持板７，８から放熱される。したがって、一方の
半導体レーザ部分２０を駆動させている時、他方の半導
体レーザ部分２１を駆動させても、熱的クロストークは
起き難くなり、出力の変動は極めて小さなものとなり、
使用に影響しなくなる。この結果、安定した出力特性を
得ることができる。
体レーザチップ９の２つの半導体レーザ部分２０，２１
は、相互に別の支持板（リード）７，８に固定され、別
々の支持板７，８から放熱される。したがって、一方の
半導体レーザ部分２０を駆動させている時、他方の半導
体レーザ部分２１を駆動させても、熱的クロストークは
起き難くなり、出力の変動は極めて小さなものとなり、
使用に影響しなくなる。この結果、安定した出力特性を
得ることができる。
【００２３】本実施例の光電子装置は、レーザアレイの
各半導体レーザ部分２０，２１間の熱伝導を低減するこ
とができるため半導体レーザ部分２０，２１の動作寿命
を向上させることができる。
各半導体レーザ部分２０，２１間の熱伝導を低減するこ
とができるため半導体レーザ部分２０，２１の動作寿命
を向上させることができる。
【００２４】本実施例の光電子装置は、リード４，５の
先端部分に多ビーム半導体レーザチップ９を固定する構
造となることから、製造コストの低減が達成できる。
先端部分に多ビーム半導体レーザチップ９を固定する構
造となることから、製造コストの低減が達成できる。
【００２５】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
多ビーム半導体レーザチップは３つ以上の半導体レーザ
部分を有する構造でも、支持板を半導体レーザ部分の数
に対応させれば前記実施例同様な効果が得られる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
多ビーム半導体レーザチップは３つ以上の半導体レーザ
部分を有する構造でも、支持板を半導体レーザ部分の数
に対応させれば前記実施例同様な効果が得られる。
【００２６】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。
【００２７】（１）多ビーム半導体レーザチップは各半
導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に異なるリ
ードに直接固定されている。このため、各半導体レーザ
部分で発生した熱は、各半導体レーザ部分を支持するリ
ード（支持板）を通して放熱されるため、一方の半導体
レーザ部分の駆動時、他方の半導体レーザ部分を駆動さ
せても熱的クロストークが発生し難くなり、出力特性が
安定する。
導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に異なるリ
ードに直接固定されている。このため、各半導体レーザ
部分で発生した熱は、各半導体レーザ部分を支持するリ
ード（支持板）を通して放熱されるため、一方の半導体
レーザ部分の駆動時、他方の半導体レーザ部分を駆動さ
せても熱的クロストークが発生し難くなり、出力特性が
安定する。
【図１】本発明の一実施例である光電子装置の断面図で
ある。
ある。
【図２】本実施例の光電子装置におけるキャップを外し
た状態の平面図である。
た状態の平面図である。
【図３】本実施例の光電子装置の要部を示す斜視図であ
る。
る。
１…ステム、２〜５…リード、６…ガラス、７，８…支
持板、９…多ビーム半導体レーザチップ、１０，１１…
接合材、１２，１３…共振器、１５…キャップ、１６…
アイソレアション溝、２０，２１…半導体レーザ部分、
２２…ワイヤ、２３，２４…レーザ光、２５…受光素
子、２６…傾斜面、２７…ワイヤ、３０…窓、３１…ガ
ラス板、３２…接合材。
持板、９…多ビーム半導体レーザチップ、１０，１１…
接合材、１２，１３…共振器、１５…キャップ、１６…
アイソレアション溝、２０，２１…半導体レーザ部分、
２２…ワイヤ、２３，２４…レーザ光、２５…受光素
子、２６…傾斜面、２７…ワイヤ、３０…窓、３１…ガ
ラス板、３２…接合材。
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザ部分をモノリシック
に形成してなる多ビーム半導体レーザチップを備える光
電子装置であって、前記多ビーム半導体レーザチップは
各半導体レーザ部分に対応したチップ部分が相互に異な
る支持板に固定されていることを特徴とする光電子装
置。 - 【請求項２】 前記多ビーム半導体レーザチップは接合
材を介して直接支持板に固定されていることを特徴とす
る請求項１記載の光電子装置。 - 【請求項３】 前記支持板は相互に電気的に独立したリ
ードとなっていることを特徴とする請求項１または請求
項２記載の光電子装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201988A JPH0951144A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 光電子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7201988A JPH0951144A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 光電子装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0951144A true JPH0951144A (ja) | 1997-02-18 |
Family
ID=16450086
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7201988A Pending JPH0951144A (ja) | 1995-08-08 | 1995-08-08 | 光電子装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0951144A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
-
1995
- 1995-08-08 JP JP7201988A patent/JPH0951144A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004146777A (ja) * | 2002-08-26 | 2004-05-20 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザモジュールおよび半導体レーザ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |