JPH0959087A - 薄膜形成方法 - Google Patents
薄膜形成方法Info
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- JPH0959087A JPH0959087A JP7217101A JP21710195A JPH0959087A JP H0959087 A JPH0959087 A JP H0959087A JP 7217101 A JP7217101 A JP 7217101A JP 21710195 A JP21710195 A JP 21710195A JP H0959087 A JPH0959087 A JP H0959087A
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Landscapes
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配向性が優れている薄膜をガラス基板上に形
成する。 【解決手段】 成膜前に、ガラス基板１６を１Ｎの水酸
化ナトリウム又は１Ｎの水酸化バリウムの水溶液（液温
度４０℃）に１０分間浸漬した後、軽く純水で洗浄して
おく。ガラス基板１６の温度を５００℃、成膜室１０内
の酸素ガス圧を６×１０-4Ｔｏｒｒに設定する。レーザ
光Ｌは窓部１１から成膜室１０へ導入され、ＺｎＯター
ゲット１５を照射する。ターゲット１５はレーザ光の照
射によって成膜材料を放出し、これらの成膜材料はガラ
ス基板１６上に堆積／結晶化してＺｎＯ薄膜を形成す
る。
成する。 【解決手段】 成膜前に、ガラス基板１６を１Ｎの水酸
化ナトリウム又は１Ｎの水酸化バリウムの水溶液（液温
度４０℃）に１０分間浸漬した後、軽く純水で洗浄して
おく。ガラス基板１６の温度を５００℃、成膜室１０内
の酸素ガス圧を６×１０-4Ｔｏｒｒに設定する。レーザ
光Ｌは窓部１１から成膜室１０へ導入され、ＺｎＯター
ゲット１５を照射する。ターゲット１５はレーザ光の照
射によって成膜材料を放出し、これらの成膜材料はガラ
ス基板１６上に堆積／結晶化してＺｎＯ薄膜を形成す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜形成方法、詳
しくは、ガラス基板上に成膜材料を堆積／結晶化して薄
膜を形成する方法に関する。
しくは、ガラス基板上に成膜材料を堆積／結晶化して薄
膜を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、良質で高結晶性、高特性の強誘電
体及び圧電体の薄膜を形成する方法の一つとして、レー
ザアブレーション法が注目されている。レーザアブレー
ション法は、レーザ光を固体のターゲットに照射し、放
出された中性原子、分子、イオンを基板上に堆積／結晶
化して薄膜を形成する方法である。
体及び圧電体の薄膜を形成する方法の一つとして、レー
ザアブレーション法が注目されている。レーザアブレー
ション法は、レーザ光を固体のターゲットに照射し、放
出された中性原子、分子、イオンを基板上に堆積／結晶
化して薄膜を形成する方法である。
【０００３】このレーザアブレーション法が注目されて
いるのは、主に以下の理由による。 （１）成膜室の外部からレーザ光が導入されるために成
膜室の内部を結晶の成長に適した雰囲気、圧力に調整で
きる。（２）ターゲットのみから成膜材料が放出される
ために不純物のない薄膜が得られる。（３）圧力、基板
温度、成膜速度等のパラメータを独立に選択できる。
いるのは、主に以下の理由による。 （１）成膜室の外部からレーザ光が導入されるために成
膜室の内部を結晶の成長に適した雰囲気、圧力に調整で
きる。（２）ターゲットのみから成膜材料が放出される
ために不純物のない薄膜が得られる。（３）圧力、基板
温度、成膜速度等のパラメータを独立に選択できる。
【０００４】一方、薄膜形成方法としては、別にスパッ
タリング法、ＣＶＤ法等が知られている。そして、Ｚｎ
Ｏ薄膜の形成には、従来より、スパッタリング法あるい
はＣＶＤ法が採用されている。
タリング法、ＣＶＤ法等が知られている。そして、Ｚｎ
Ｏ薄膜の形成には、従来より、スパッタリング法あるい
はＣＶＤ法が採用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、スパッ
タリング法やＣＶＤ法によって形成されるＺｎＯ薄膜
は、膜厚が薄い（具体的には約２００ｎｍ）と、結晶性
及び配向性が悪いという問題があった。特に、基板とし
てガラス基板を使用した場合には、ガラス基板がアモル
ファス基板であるため、膜厚が約２００ｎｍで、かつ配
向性の優れたＺｎＯ薄膜を基板上に形成することは不可
能であった。
タリング法やＣＶＤ法によって形成されるＺｎＯ薄膜
は、膜厚が薄い（具体的には約２００ｎｍ）と、結晶性
及び配向性が悪いという問題があった。特に、基板とし
てガラス基板を使用した場合には、ガラス基板がアモル
ファス基板であるため、膜厚が約２００ｎｍで、かつ配
向性の優れたＺｎＯ薄膜を基板上に形成することは不可
能であった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、配向性が優れて
いる薄膜をガラス基板上に形成することができる薄膜形
成方法を提供することにある。
いる薄膜をガラス基板上に形成することができる薄膜形
成方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係る薄膜形成方法は、ガラス基板表面をア
ルカリ金属又はアルカリ土類金属の少なくともいずれか
一方の元素を含む物質に晒した後、前記ガラス基板上に
成膜材料を堆積／結晶化して薄膜を形成することを特徴
とする。
め、本発明に係る薄膜形成方法は、ガラス基板表面をア
ルカリ金属又はアルカリ土類金属の少なくともいずれか
一方の元素を含む物質に晒した後、前記ガラス基板上に
成膜材料を堆積／結晶化して薄膜を形成することを特徴
とする。
【０００８】さらに、本発明に係る薄膜形成方法は、ガ
ラス基板表面に成膜材料と異なる材料からなる中間層を
設けた後、前記中間層上に成膜材料を堆積／結晶化して
薄膜を形成することを特徴とする。中間層の材料として
は、ＳｉＯ2、ＦｇＦ2、Ｎａ 2Ｏ等が用いられる。ガラ
ス基板上や中間層上に成膜材料を堆積させる方法として
は、レーザアブレーション法が好ましい。
ラス基板表面に成膜材料と異なる材料からなる中間層を
設けた後、前記中間層上に成膜材料を堆積／結晶化して
薄膜を形成することを特徴とする。中間層の材料として
は、ＳｉＯ2、ＦｇＦ2、Ｎａ 2Ｏ等が用いられる。ガラ
ス基板上や中間層上に成膜材料を堆積させる方法として
は、レーザアブレーション法が好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るＺｎＯ薄膜形
成方法の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施形態］図１はレーザアブレーション装置を示
す。この装置は、成膜室１０内にターゲット１５と基板
１６を所定の間隔で設置し、光源ユニット２０から放射
されたレーザ光Ｌをレンズ２１を介して窓部１１から成
膜室１０内に導入し、ターゲット１５を照射するように
構成されている。成膜室１０には成膜室１０内を真空に
するための排気口１２が設けられており、この排気口１
２に排気装置（図示せず）が連結されている。さらに、
成膜室１０内に酸素ガスを供給するためのガス供給管１
３が成膜室１０に連結されている。
成方法の実施形態について添付図面を参照して説明す
る。 ［第１実施形態］図１はレーザアブレーション装置を示
す。この装置は、成膜室１０内にターゲット１５と基板
１６を所定の間隔で設置し、光源ユニット２０から放射
されたレーザ光Ｌをレンズ２１を介して窓部１１から成
膜室１０内に導入し、ターゲット１５を照射するように
構成されている。成膜室１０には成膜室１０内を真空に
するための排気口１２が設けられており、この排気口１
２に排気装置（図示せず）が連結されている。さらに、
成膜室１０内に酸素ガスを供給するためのガス供給管１
３が成膜室１０に連結されている。
【００１０】ターゲット１５としては、純度が９９．９
９９％のＺｎＯ粉末を約２００ｋｇ／ｃｍ2でプレス成
形した後、１０００℃の温度で２４時間焼成した焼結Ｚ
ｎＯターゲットが使用される。ＺｎＯターゲット１５は
成膜室１０内の中央付近に配置され、基板１６はＺｎＯ
ターゲット１５に平行に向かい合わせて配置される。Ｚ
ｎＯターゲットと基板１６の距離は３０ｍｍである。基
板１６としては、ガラス基板（コーニング社製、品番：
＃７０５９）が使用される。ガラス基板１６は、中性洗
剤にて５分間、純水にて５分間、アセトンにて５分間の
順に超音波洗浄される。
９９％のＺｎＯ粉末を約２００ｋｇ／ｃｍ2でプレス成
形した後、１０００℃の温度で２４時間焼成した焼結Ｚ
ｎＯターゲットが使用される。ＺｎＯターゲット１５は
成膜室１０内の中央付近に配置され、基板１６はＺｎＯ
ターゲット１５に平行に向かい合わせて配置される。Ｚ
ｎＯターゲットと基板１６の距離は３０ｍｍである。基
板１６としては、ガラス基板（コーニング社製、品番：
＃７０５９）が使用される。ガラス基板１６は、中性洗
剤にて５分間、純水にて５分間、アセトンにて５分間の
順に超音波洗浄される。
【００１１】次に、基板１６は１Ｎの水酸化ナトリウム
水溶液（液温度：４０℃）に１０分間あるいは１Ｎの水
酸化バリウム水溶液（液温度：４０℃）に１０分間浸漬
された後、基板１６の表面に付着したＮａやＢａが離脱
しない程度に軽く純水で洗浄された。次に、基板１６は
乾燥され、成膜室１０内にセットされる。成膜室１０内
を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、酸素ガスを
所定の圧力になるまで成膜室１０内に供給する。酸素ガ
スを供給することは、以下の理由による。一般に、レー
ザアブレーション法によってガラス基板上に形成された
ＺｎＯ薄膜は、亜鉛と酸素の割合が１：１になりにく
く、酸素が若干不足した組成を有する。酸素ガス雰囲気
中で成膜すると、この酸素不足を解消することができる
からである。さらに、酸素ガスの一部（約８％）をオゾ
ナイザにてオゾン化した。オゾンは活性化されているた
め、ＺｎＯ薄膜の酸素不足解消効果が酸素より大きいか
らである。
水溶液（液温度：４０℃）に１０分間あるいは１Ｎの水
酸化バリウム水溶液（液温度：４０℃）に１０分間浸漬
された後、基板１６の表面に付着したＮａやＢａが離脱
しない程度に軽く純水で洗浄された。次に、基板１６は
乾燥され、成膜室１０内にセットされる。成膜室１０内
を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、酸素ガスを
所定の圧力になるまで成膜室１０内に供給する。酸素ガ
スを供給することは、以下の理由による。一般に、レー
ザアブレーション法によってガラス基板上に形成された
ＺｎＯ薄膜は、亜鉛と酸素の割合が１：１になりにく
く、酸素が若干不足した組成を有する。酸素ガス雰囲気
中で成膜すると、この酸素不足を解消することができる
からである。さらに、酸素ガスの一部（約８％）をオゾ
ナイザにてオゾン化した。オゾンは活性化されているた
め、ＺｎＯ薄膜の酸素不足解消効果が酸素より大きいか
らである。
【００１２】次に、ガラス基板１６を図示しないヒータ
にて所定の温度まで加熱した後、レーザ光ＬをＺｎＯタ
ーゲット１５に照射させる。光源ユニット２０として
は、ＡｒＦエキシマレーザが使用され、レーザ光Ｌは周
波数が５Ｈｚのパルスレーザで、ターゲット上でのエネ
ルギー密度が約１Ｊ／ｃｍ2のものである。レーザ光Ｌ
がＺｎＯターゲット１５を照射すると、ＺｎＯターゲッ
ト１５から中性原子、分子、イオン等の成膜材料である
小粒子が放出されプルームＰが形成される。放出された
成膜材料はガラス基板１６上に堆積し結晶化する。成膜
速度は、水晶振動式膜厚計でモニタしながら、４ｎｍ／
分を維持した。こうして、ガラス基板温度を５００℃に
設定すると共に、酸素ガス圧を６×１０-4に設定して、
膜厚が２００ｎｍのＺｎＯ薄膜を形成した。
にて所定の温度まで加熱した後、レーザ光ＬをＺｎＯタ
ーゲット１５に照射させる。光源ユニット２０として
は、ＡｒＦエキシマレーザが使用され、レーザ光Ｌは周
波数が５Ｈｚのパルスレーザで、ターゲット上でのエネ
ルギー密度が約１Ｊ／ｃｍ2のものである。レーザ光Ｌ
がＺｎＯターゲット１５を照射すると、ＺｎＯターゲッ
ト１５から中性原子、分子、イオン等の成膜材料である
小粒子が放出されプルームＰが形成される。放出された
成膜材料はガラス基板１６上に堆積し結晶化する。成膜
速度は、水晶振動式膜厚計でモニタしながら、４ｎｍ／
分を維持した。こうして、ガラス基板温度を５００℃に
設定すると共に、酸素ガス圧を６×１０-4に設定して、
膜厚が２００ｎｍのＺｎＯ薄膜を形成した。
【００１３】形成されたＺｎＯ薄膜は、Ｘ線回折法（θ
−２θ法、ロッキングカーブ法）により結晶構造と配向
性が評価された。その結果、形成されたＺｎＯ薄膜は、
ガラス基板１６上に〈００１〉軸が垂直に配向している
Ｃ軸配向膜であった。さらに、Ｃ軸配向性良さを評価す
るため、ガラス基板１６面に垂直な方向に対する〈００
１〉軸方向の揺らぎを、（００２）面からの回折ピーク
のロッキングカーブ半値幅の値で評価した。評価結果
は、表１が示すように、水酸化ナトリウム水溶液で処理
された基板１６の場合は半値幅が１．６゜、水酸化バリ
ウム水溶液で処理された基板１６の場合は半値幅が１．
８゜のＣ軸配向性の良好なＺｎＯ薄膜であった。表１に
は比較のためにガラス基板を水酸化ナトリウムや水酸化
バリウムの水溶液で処理しなかった場合のＺｎＯ薄膜の
半値幅測定結果も合わせて表示している。
−２θ法、ロッキングカーブ法）により結晶構造と配向
性が評価された。その結果、形成されたＺｎＯ薄膜は、
ガラス基板１６上に〈００１〉軸が垂直に配向している
Ｃ軸配向膜であった。さらに、Ｃ軸配向性良さを評価す
るため、ガラス基板１６面に垂直な方向に対する〈００
１〉軸方向の揺らぎを、（００２）面からの回折ピーク
のロッキングカーブ半値幅の値で評価した。評価結果
は、表１が示すように、水酸化ナトリウム水溶液で処理
された基板１６の場合は半値幅が１．６゜、水酸化バリ
ウム水溶液で処理された基板１６の場合は半値幅が１．
８゜のＣ軸配向性の良好なＺｎＯ薄膜であった。表１に
は比較のためにガラス基板を水酸化ナトリウムや水酸化
バリウムの水溶液で処理しなかった場合のＺｎＯ薄膜の
半値幅測定結果も合わせて表示している。
【００１４】
【表１】
【００１５】表１より、水酸化ナトリウムや水酸化バリ
ウムの水溶液でガラス基板１６の表面を処理することに
より、ＺｎＯ薄膜の半値幅が小さくなり、Ｃ軸配向性が
向上することがわかる。
ウムの水溶液でガラス基板１６の表面を処理することに
より、ＺｎＯ薄膜の半値幅が小さくなり、Ｃ軸配向性が
向上することがわかる。
【００１６】［第２実施形態］第２実施形態は、ＺｎＯ
薄膜を成膜する前に、ガラス基板表面に中間層を形成す
る方法について説明する。第２実施形態に使用されるレ
ーザアブレーション装置は、ターゲット１５を２個有す
ることを残して、前記第１実施形態に使用した装置と同
様のものであるため、構造についての詳細に説明は省略
する。
薄膜を成膜する前に、ガラス基板表面に中間層を形成す
る方法について説明する。第２実施形態に使用されるレ
ーザアブレーション装置は、ターゲット１５を２個有す
ることを残して、前記第１実施形態に使用した装置と同
様のものであるため、構造についての詳細に説明は省略
する。
【００１７】２個のターゲット１５は成膜室１０外から
の遠隔操作によりその位置を移動可能な状態で成膜室１
０内に配置されている。一方のターゲット１５は前記第
１実施形態で説明した焼結ＺｎＯターゲットが用いられ
る。他方のターゲット１５は、純度が９９．９９９％の
ＳｉＯ2粉末を約２００ｋｇ／ｃｍ2でプレス成形した
後、１０００℃の温度で２４時間焼成した焼結ＳｉＯ2
ターゲットが用いられる。まず、ＳｉＯ2ターゲット１
５が基板１６に平行に向かい合わせて配置される。Ｓｉ
Ｏ2ターゲット１５と基板１６の距離は３０ｍｍであ
る。基板としては、ガラス基板（コーニング社製、品
番：＃７０５９）が使用される。ガラス基板１６は中性
洗剤にて５分間、純水にて５分間、アセトンにて５分間
の順に超音波洗浄された後、成膜室１０内にセットされ
る。
の遠隔操作によりその位置を移動可能な状態で成膜室１
０内に配置されている。一方のターゲット１５は前記第
１実施形態で説明した焼結ＺｎＯターゲットが用いられ
る。他方のターゲット１５は、純度が９９．９９９％の
ＳｉＯ2粉末を約２００ｋｇ／ｃｍ2でプレス成形した
後、１０００℃の温度で２４時間焼成した焼結ＳｉＯ2
ターゲットが用いられる。まず、ＳｉＯ2ターゲット１
５が基板１６に平行に向かい合わせて配置される。Ｓｉ
Ｏ2ターゲット１５と基板１６の距離は３０ｍｍであ
る。基板としては、ガラス基板（コーニング社製、品
番：＃７０５９）が使用される。ガラス基板１６は中性
洗剤にて５分間、純水にて５分間、アセトンにて５分間
の順に超音波洗浄された後、成膜室１０内にセットされ
る。
【００１８】次に、ガラス基板１６の温度を５００℃、
酸素ガス圧を６×１０-4Ｔｏｒｒに設定した後、レーザ
光ＬをＳｉＯ2ターゲット１５に照射してＳｉＯ2ターゲ
ット１５から成膜材料である小粒子を放射する。放射さ
れた成膜材料はガラス基板１６上に堆積する。こうし
て、膜厚が約１０ｎｍのＳｉＯ2中間層を形成する。そ
の後、ＳｉＯ2ターゲット１５を移動させて、替わりに
ＺｎＯターゲット１５にレーザ光Ｌを照射させる。Ｚｎ
Ｏターゲット１５から放射された成膜材料はＳｉＯ2中
間層上に堆積し結晶化する。成膜速度は４ｎｍ／分であ
り、膜厚は２００ｎｍとした。形成されたＺｎＯ薄膜
は、Ｘ線回折法により結晶構造と配向性が評価された。
その結果、形成されたＺｎＯ薄膜は、ガラス基板１６上
に〈００１〉軸が垂直に配向しているＣ軸配向膜であっ
た。さらに、Ｃ軸配向性良さを評価するため、ガラス基
板１６面に垂直な方向に対する〈００１〉軸方向の揺ら
ぎを（００２）面からの回折ピークのロッキングカーブ
半値幅の値で評価した。評価結果は、表２が示すよう
に、ＳｉＯ2中間層を設けた基板１６の場合は半値幅が
１．７゜のＣ軸配向性の良好なＺｎＯ薄膜であった。表
２には比較のためにＳｉＯ2中間層を設けなかった場合
のＺｎＯ薄膜の半値幅測定結果も合わせて表示してい
る。
酸素ガス圧を６×１０-4Ｔｏｒｒに設定した後、レーザ
光ＬをＳｉＯ2ターゲット１５に照射してＳｉＯ2ターゲ
ット１５から成膜材料である小粒子を放射する。放射さ
れた成膜材料はガラス基板１６上に堆積する。こうし
て、膜厚が約１０ｎｍのＳｉＯ2中間層を形成する。そ
の後、ＳｉＯ2ターゲット１５を移動させて、替わりに
ＺｎＯターゲット１５にレーザ光Ｌを照射させる。Ｚｎ
Ｏターゲット１５から放射された成膜材料はＳｉＯ2中
間層上に堆積し結晶化する。成膜速度は４ｎｍ／分であ
り、膜厚は２００ｎｍとした。形成されたＺｎＯ薄膜
は、Ｘ線回折法により結晶構造と配向性が評価された。
その結果、形成されたＺｎＯ薄膜は、ガラス基板１６上
に〈００１〉軸が垂直に配向しているＣ軸配向膜であっ
た。さらに、Ｃ軸配向性良さを評価するため、ガラス基
板１６面に垂直な方向に対する〈００１〉軸方向の揺ら
ぎを（００２）面からの回折ピークのロッキングカーブ
半値幅の値で評価した。評価結果は、表２が示すよう
に、ＳｉＯ2中間層を設けた基板１６の場合は半値幅が
１．７゜のＣ軸配向性の良好なＺｎＯ薄膜であった。表
２には比較のためにＳｉＯ2中間層を設けなかった場合
のＺｎＯ薄膜の半値幅測定結果も合わせて表示してい
る。
【００１９】
【表２】
【００２０】表２より、ＳｉＯ2中間層を設けた基板１
６の場合は、ＺｎＯ薄膜の半値幅が小さくなり、Ｃ軸配
向性が向上することがわかる。一般に、ガラス基板１６
の表面には研磨等による微小な歪が存在しており、この
歪はＺｎＯ薄膜の結晶性、配向性に悪影響を与える。従
って、第２実施形態の方法によって形成されたＳｉＯ 2
中間層が、ガラス基板１６表面の歪みを小さくしてＺｎ
Ｏ薄膜の配向性、結晶性を向上させたと考えられる。
６の場合は、ＺｎＯ薄膜の半値幅が小さくなり、Ｃ軸配
向性が向上することがわかる。一般に、ガラス基板１６
の表面には研磨等による微小な歪が存在しており、この
歪はＺｎＯ薄膜の結晶性、配向性に悪影響を与える。従
って、第２実施形態の方法によって形成されたＳｉＯ 2
中間層が、ガラス基板１６表面の歪みを小さくしてＺｎ
Ｏ薄膜の配向性、結晶性を向上させたと考えられる。
【００２１】［他の実施形態］なお、本発明に係る薄膜
形成方法は前記実施形態に限定するものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。ガラス基
板表面を処理する物質としては、ＮａやＢａを含む物質
以外に、ＬｉやＫやＲｂやＣｓやＦｒやＳｒやＲａを含
む物質であってもよい。さらに、これらアルカリ金属又
はアルカリ土類金属の元素を含む物質以外に、Ｂを含む
物質でガラス基板表面を処理してもよい。
形成方法は前記実施形態に限定するものではなく、その
要旨の範囲内で種々に変更することができる。ガラス基
板表面を処理する物質としては、ＮａやＢａを含む物質
以外に、ＬｉやＫやＲｂやＣｓやＦｒやＳｒやＲａを含
む物質であってもよい。さらに、これらアルカリ金属又
はアルカリ土類金属の元素を含む物質以外に、Ｂを含む
物質でガラス基板表面を処理してもよい。
【００２２】また、ガラス基板上や中間層上に成膜材料
を堆積させる方法としては、レーザアブレーション法が
好ましいが、必ずしもこれに限定するものではなく、Ｒ
Ｆスパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、ＣＶＤ
法等を採用してもよい。さらに、中間層としては、Ｓｉ
Ｏ2膜以外に、Ｎａ2Ｏ膜、ＢａＯ膜等のアルカリ金属を
含む膜やアルカリ土類金属を含む膜、あるいはＭｇＦ2
膜等であっても同様の効果が得られる。さらに、これら
の膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法等で基板表面に形成
してもよい。
を堆積させる方法としては、レーザアブレーション法が
好ましいが、必ずしもこれに限定するものではなく、Ｒ
Ｆスパッタリング法、ＥＣＲスパッタリング法、ＣＶＤ
法等を採用してもよい。さらに、中間層としては、Ｓｉ
Ｏ2膜以外に、Ｎａ2Ｏ膜、ＢａＯ膜等のアルカリ金属を
含む膜やアルカリ土類金属を含む膜、あるいはＭｇＦ2
膜等であっても同様の効果が得られる。さらに、これら
の膜はスパッタリング法、ＣＶＤ法等で基板表面に形成
してもよい。
【００２３】また、成膜材料はＺｎＯ以外に、ＬｉＮｂ
Ｏ3、ＬｉＴａＯ3、ＰＺＴ等であってもよい。
Ｏ3、ＬｉＴａＯ3、ＰＺＴ等であってもよい。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明で
よれば、成膜前にガラス基板表面を、アルカリ金属又は
アルカリ土類金属の少なくともいずれか一方の元素を含
む物質に晒すことにより、ガラス基板上に結晶性、配向
性の良好な薄膜を形成することができる。また、成膜前
のガラス基板表面に、成膜材料と異なる材料からなる中
間層を設けることによっても、同様に結晶性、配向性の
良好な薄膜を形成することができる。
よれば、成膜前にガラス基板表面を、アルカリ金属又は
アルカリ土類金属の少なくともいずれか一方の元素を含
む物質に晒すことにより、ガラス基板上に結晶性、配向
性の良好な薄膜を形成することができる。また、成膜前
のガラス基板表面に、成膜材料と異なる材料からなる中
間層を設けることによっても、同様に結晶性、配向性の
良好な薄膜を形成することができる。
【００２５】さらに、レーザアブレーション法によって
ガラス基板上や中間層上に成膜材料を堆積させることに
より、結晶性、配向性の著しく良好な薄膜が得られる。
ガラス基板上や中間層上に成膜材料を堆積させることに
より、結晶性、配向性の著しく良好な薄膜が得られる。
【図１】本発明に係る薄膜形成方法に使用されるレーザ
アブレーション装置を示す概略図。
アブレーション装置を示す概略図。
Ｌ…レーザ光 １０…成膜室 １５…ＺｎＯターゲット １６…ガラス基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 41/18 Ｃ０３Ｃ 17/34 Ｚ // Ｃ０３Ｃ 17/34 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ｚ
Claims (4)
- 【請求項１】 ガラス基板表面をアルカリ金属又はアル
カリ土類金属の少なくともいずれか一方の元素を含む物
質に晒した後、前記ガラス基板上に成膜材料を堆積／結
晶化して薄膜を形成することを特徴とする薄膜形成方
法。 - 【請求項２】 ガラス基板表面に成膜材料と異なる材料
からなる中間層を設けた後、前記中間層上に成膜材料を
堆積／結晶化して薄膜を形成することを特徴とする薄膜
形成方法。 - 【請求項３】 前記ガラス基板上に成膜材料を堆積させ
る方法がレーザアブレーション法であることを特徴とす
る請求項１記載の薄膜形成方法。 - 【請求項４】 前記中間層上に成膜材料を堆積させる方
法がレーザアブレーション法であることを特徴とする請
求項２記載の薄膜形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217101A JPH0959087A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 薄膜形成方法 |
| US08/696,149 US5741580A (en) | 1995-08-25 | 1996-08-13 | Crystalline thin film and producing method thereof, and acoustooptic deflection element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7217101A JPH0959087A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 薄膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0959087A true JPH0959087A (ja) | 1997-03-04 |
Family
ID=16698869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7217101A Pending JPH0959087A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 薄膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0959087A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093822A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 |
| JP2002203916A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6563174B2 (en) | 2001-09-10 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and matrix display device |
| JP2005537644A (ja) * | 2002-08-28 | 2005-12-08 | モクストロニクス，インコーポレイテッド | 金属酸化物ＺｎＯ膜、ｐ型ＺｎＯ膜、およびＺｎＯ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体デバイスを作製するハイブリッドビーム堆積システムおよび方法 |
| JP2009167095A (ja) * | 2003-09-30 | 2009-07-30 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度酸化亜鉛粉末、高純度酸化亜鉛ターゲット及び高純度酸化亜鉛薄膜 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP7217101A patent/JPH0959087A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002093822A (ja) * | 2000-09-13 | 2002-03-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | ＺｎＯ系酸化物半導体層を有する半導体装置の製法 |
| JP2002203916A (ja) * | 2001-01-05 | 2002-07-19 | Sony Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6563174B2 (en) | 2001-09-10 | 2003-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film transistor and matrix display device |
| JP2005537644A (ja) * | 2002-08-28 | 2005-12-08 | モクストロニクス，インコーポレイテッド | 金属酸化物ＺｎＯ膜、ｐ型ＺｎＯ膜、およびＺｎＯ系ＩＩ−ＶＩ化合物半導体デバイスを作製するハイブリッドビーム堆積システムおよび方法 |
| JP4787496B2 (ja) * | 2002-08-28 | 2011-10-05 | モクストロニクス，インコーポレイテッド | ハイブリッドビーム堆積システム及び方法並びにそれによって作製された半導体デバイス |
| JP2009167095A (ja) * | 2003-09-30 | 2009-07-30 | Nippon Mining & Metals Co Ltd | 高純度酸化亜鉛粉末、高純度酸化亜鉛ターゲット及び高純度酸化亜鉛薄膜 |
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