JPH0963379A - 懸垂がいし - Google Patents
懸垂がいしInfo
- Publication number
- JPH0963379A JPH0963379A JP21742995A JP21742995A JPH0963379A JP H0963379 A JPH0963379 A JP H0963379A JP 21742995 A JP21742995 A JP 21742995A JP 21742995 A JP21742995 A JP 21742995A JP H0963379 A JPH0963379 A JP H0963379A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sand
- glaze
- insulator
- permittivity
- dielectric constant
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000012212 insulator Substances 0.000 title claims abstract description 59
- 239000004576 sand Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 27
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004568 cement Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 23
- 238000004513 sizing Methods 0.000 claims description 6
- 235000012149 noodles Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 claims description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 claims 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 17
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 53
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010431 corundum Substances 0.000 description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N aluminium(i) oxide Chemical compound [Al]O[Al] BYFGZMCJNACEKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000004927 clay Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Insulators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】釉薬の低インピーダンス化に依存することなく
優れた絶縁破壊強度を発現し得る、改良された懸垂磁器
がいしを提案することを目的とする。 【解決手段】懸垂磁器がいしは、素地表面に釉薬が施さ
れ、かつ、頭部周壁（2a）の内周面および外周面にセラ
ミック質のサンド（４）が接着された磁器製の絶縁体
（１）と、絶縁体（１）に対しセメント（７）により接
合されたキャップ金具（５）およびピン金具（６）とを
具えている。本発明においては、サンド（４）の誘電率
ε1 と釉薬の誘電率ε2 との間にε2 −ε1 ≦０の関係
を満足させて釉薬層の電界緩和効果を発現させ、優れた
絶縁破壊強度を実現する。
優れた絶縁破壊強度を発現し得る、改良された懸垂磁器
がいしを提案することを目的とする。 【解決手段】懸垂磁器がいしは、素地表面に釉薬が施さ
れ、かつ、頭部周壁（2a）の内周面および外周面にセラ
ミック質のサンド（４）が接着された磁器製の絶縁体
（１）と、絶縁体（１）に対しセメント（７）により接
合されたキャップ金具（５）およびピン金具（６）とを
具えている。本発明においては、サンド（４）の誘電率
ε1 と釉薬の誘電率ε2 との間にε2 −ε1 ≦０の関係
を満足させて釉薬層の電界緩和効果を発現させ、優れた
絶縁破壊強度を実現する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、頂壁および周壁を
有する中空円筒状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施さ
れ、周壁の内周面および外周面にセラミック質のサンド
が接着された磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対し
セメントにより接合されたキャップ金具およびピン金具
とを具える懸垂がいしに関し、特に、絶縁破壊強度を大
幅に向上し得るように改良された磁器がいしを提案する
ものである。
有する中空円筒状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施さ
れ、周壁の内周面および外周面にセラミック質のサンド
が接着された磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対し
セメントにより接合されたキャップ金具およびピン金具
とを具える懸垂がいしに関し、特に、絶縁破壊強度を大
幅に向上し得るように改良された磁器がいしを提案する
ものである。
【０００２】本発明は、頂壁および周壁を有する中空円
筒状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施され、周壁の内
周面および外周面にセラミック質のサンドが接着された
磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対しセメントによ
り接合されたキャップ金具およびピン金具とを具える懸
垂がいしに関し、特に、絶縁破壊強度を大幅に向上し得
るように改良された磁器がいしを提案するものである。
筒状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施され、周壁の内
周面および外周面にセラミック質のサンドが接着された
磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対しセメントによ
り接合されたキャップ金具およびピン金具とを具える懸
垂がいしに関し、特に、絶縁破壊強度を大幅に向上し得
るように改良された磁器がいしを提案するものである。
【０００３】
【従来の技術】懸垂磁器がいしにおける絶縁体に対する
キャップ金具およびピン金具の接合強度を増大させるた
め、絶縁体頭部の内周面および外周面にセラミック質の
サンドを接着し、キャップ金具およびピン金具を絶縁体
に対しセメントにより接合してなる懸垂磁器がいしは、
従来より広く知られている。このような懸垂磁器がいし
において問題とされる急峻波全路貫通は、絶縁体頭部に
接着したサンド相互間の釉薬に生じる部分破損が誘因と
なって生じることが知られている。そして、磁器がいし
の急峻波強度や汚損油中破壊電圧を向上させる手段とし
て、絶縁体の素地表面に施される釉薬の低インピーダン
ス化が検討されている。釉薬の低インピーダンス化は、
磁器および釉薬からなる複合誘電体の絶縁破壊が表層よ
り生じる点に着目して釉薬の電圧分担を低減することを
意図するものである。
キャップ金具およびピン金具の接合強度を増大させるた
め、絶縁体頭部の内周面および外周面にセラミック質の
サンドを接着し、キャップ金具およびピン金具を絶縁体
に対しセメントにより接合してなる懸垂磁器がいしは、
従来より広く知られている。このような懸垂磁器がいし
において問題とされる急峻波全路貫通は、絶縁体頭部に
接着したサンド相互間の釉薬に生じる部分破損が誘因と
なって生じることが知られている。そして、磁器がいし
の急峻波強度や汚損油中破壊電圧を向上させる手段とし
て、絶縁体の素地表面に施される釉薬の低インピーダン
ス化が検討されている。釉薬の低インピーダンス化は、
磁器および釉薬からなる複合誘電体の絶縁破壊が表層よ
り生じる点に着目して釉薬の電圧分担を低減することを
意図するものである。
【０００４】ところで、セメントは導体であるためにキ
ャップ金具およびピン金具間の電極となるが、絶縁体頭
部の内周面および外周面にセラミック質のサンドを接着
する場合にはサンドが一般的には不定形であるため、電
極形状が大きく変化することとなる。そして、絶縁破壊
強度はこのような電極形状に支配されるため、釉薬の低
インピーダンス化を図ったとしても、釉薬層の電界緩和
効果が十分に発現されないこととなる。
ャップ金具およびピン金具間の電極となるが、絶縁体頭
部の内周面および外周面にセラミック質のサンドを接着
する場合にはサンドが一般的には不定形であるため、電
極形状が大きく変化することとなる。そして、絶縁破壊
強度はこのような電極形状に支配されるため、釉薬の低
インピーダンス化を図ったとしても、釉薬層の電界緩和
効果が十分に発現されないこととなる。
【０００５】 特公平６−５３６０１号公報は、がいし
用サンドの製造方法として、サンド素地を土練機によっ
てヌードル状に押し出し成形し、乾燥後に粉砕し、整粒
機により整粒してヌードルの直径とほぼ同径で鋭角的な
エッジの少ない粒状体としたうえ焼成する方法を開示し
ている。このような方法により製造されたサンドを使用
し、かつ、釉薬のインピーダンスを低下させれば、雷イ
ンパルス等の急峻波の作用に際し、エッジに電界が集中
して貫通の起点となるのを緩和し、ひいては応力集中に
基づくがいしの引張強度低下を効果的に解消することが
できる。他方、釉薬の低インピーダンス化自体は、例え
ばチタン等の添加により達成可能である。したがって、
このような措置を併用すれば釉薬層の電界緩和効果を十
分に発現させることが可能であるが、懸垂がいしの引張
強度を高めるために磁器や釉薬材料に要求される熱膨
張、溶け流れ等の諸条件を同時に満足しつつ釉薬のイン
ピーダンスを低化することは一般に困難である。
用サンドの製造方法として、サンド素地を土練機によっ
てヌードル状に押し出し成形し、乾燥後に粉砕し、整粒
機により整粒してヌードルの直径とほぼ同径で鋭角的な
エッジの少ない粒状体としたうえ焼成する方法を開示し
ている。このような方法により製造されたサンドを使用
し、かつ、釉薬のインピーダンスを低下させれば、雷イ
ンパルス等の急峻波の作用に際し、エッジに電界が集中
して貫通の起点となるのを緩和し、ひいては応力集中に
基づくがいしの引張強度低下を効果的に解消することが
できる。他方、釉薬の低インピーダンス化自体は、例え
ばチタン等の添加により達成可能である。したがって、
このような措置を併用すれば釉薬層の電界緩和効果を十
分に発現させることが可能であるが、懸垂がいしの引張
強度を高めるために磁器や釉薬材料に要求される熱膨
張、溶け流れ等の諸条件を同時に満足しつつ釉薬のイン
ピーダンスを低化することは一般に困難である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明の
主たる課題は、釉薬の低インピーダンス化に依存するこ
となく優れた絶縁破壊強度を発現し得る、改良された懸
垂磁器がいしを提案することにある。
主たる課題は、釉薬の低インピーダンス化に依存するこ
となく優れた絶縁破壊強度を発現し得る、改良された懸
垂磁器がいしを提案することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そして、この課題を解決
するために本発明は、頂壁および周壁を有する中空円筒
状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施され、かつ、周壁
の内周面および外周面にセラミック質のサンドが接着さ
れた磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対しセメント
により接合されたキャップ金具およびピン金具とを具え
る懸垂がいしにおいて、サンドの誘電率ε1 と釉薬の誘
電率ε2 との間でε2 −ε1 ≦０の関係を満足させるこ
とを特徴とするものである。
するために本発明は、頂壁および周壁を有する中空円筒
状の頭部を含み、素地表面に釉薬が施され、かつ、周壁
の内周面および外周面にセラミック質のサンドが接着さ
れた磁器製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対しセメント
により接合されたキャップ金具およびピン金具とを具え
る懸垂がいしにおいて、サンドの誘電率ε1 と釉薬の誘
電率ε2 との間でε2 −ε1 ≦０の関係を満足させるこ
とを特徴とするものである。
【０００８】本発明は、懸垂磁器がいしにおけるサンド
および釉薬の誘電率の組み合わせに初めて着目し、サン
ドの誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 との間でε2−ε1
≦０の関係を満足させる場合には釉薬のインピーダンス
を特に低下させなくとも電極形状の影響が十分に緩和さ
れ、絶縁破壊強度の向上に大きく寄与するとの新規な知
見に基づいて完成されたものである。
および釉薬の誘電率の組み合わせに初めて着目し、サン
ドの誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 との間でε2−ε1
≦０の関係を満足させる場合には釉薬のインピーダンス
を特に低下させなくとも電極形状の影響が十分に緩和さ
れ、絶縁破壊強度の向上に大きく寄与するとの新規な知
見に基づいて完成されたものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を添付図面に示した
好適実施例に基づいて詳述する。図１に示す懸垂がいし
は磁器製の絶縁体１を具え、この絶縁体１の素地表面に
は既知の態様で釉薬が施されている。絶縁体１は、半径
方向外方に向けて延在するフランジ状の笠部２と、その
中央に配置されて上向きに突出する略円筒状の頭部３と
から構成されている。頭部３は、下端部において笠部２
に接続する略円筒状の周壁3aと、周壁３ａの上端部に連
続する頂壁３ｂとを含んでいる。周壁３ａの内周面およ
び外周面には、セラミック質のサンド４が接着されてい
る。さらに、頭部３に対しキャップ金具５が外周面側
で、またピン金具６が内周面側で、それぞれセメント７
により接合されている。なお、ピン金具６の上端面と頭
部３における頂壁３ｂの内面との間には、緩衝用のスペ
ーサ８が介挿されている。このような懸垂がいしの基本
的構成自体は、従来既知である。
好適実施例に基づいて詳述する。図１に示す懸垂がいし
は磁器製の絶縁体１を具え、この絶縁体１の素地表面に
は既知の態様で釉薬が施されている。絶縁体１は、半径
方向外方に向けて延在するフランジ状の笠部２と、その
中央に配置されて上向きに突出する略円筒状の頭部３と
から構成されている。頭部３は、下端部において笠部２
に接続する略円筒状の周壁3aと、周壁３ａの上端部に連
続する頂壁３ｂとを含んでいる。周壁３ａの内周面およ
び外周面には、セラミック質のサンド４が接着されてい
る。さらに、頭部３に対しキャップ金具５が外周面側
で、またピン金具６が内周面側で、それぞれセメント７
により接合されている。なお、ピン金具６の上端面と頭
部３における頂壁３ｂの内面との間には、緩衝用のスペ
ーサ８が介挿されている。このような懸垂がいしの基本
的構成自体は、従来既知である。
【００１０】図２に示すように、絶縁体１における頭部
周壁3aの内周面および外周面に接着するサンド４は、次
の方法により製造するのが好適である。すなわち、先ず
従来と同様にサンド素地を調合し、フィルタープレスに
より脱水して適度な水分を含有するケーキとする。この
ケーキを土練機に投入して混練し、孔径が１．８〜２．
０ｍｍ程度の多数の貫通孔を有する孔あき板から押し出
してヌードル状の成形体を得る。この成形体の直径は、
目的とするサンドの最大粒径と同じか、僅かに大きめと
しておく。次に、このヌードル状成形体を乾燥し、粗砕
機およびデシンター整粒機によって成形体の直径とほぼ
同径の粒状体に粉砕、整粒する。なお、デシンター整粒
機は、多数の透孔が設けられたドラムを回転させつつ粉
砕、整粒を行なう装置である。ドラムにおける透孔の孔
径は１．６〜１．８ｍｍ程度とし、また、ドラムの回転
数は通常の場合よりもはるかに低い２００ｒｐｍ程度と
するのが好適である。かくして得られた粒状体は、鋭角
的なエッジの少ない粒状体であり、上網が１．６８ｍ
ｍ、下網が０．８４〜１．０ｍｍの整粒篩にかけて選別
した上、さや詰めして焼成する。その後に焼成品をほぐ
し篩にかけてほぐし、鋭角的なエッジの少ないがいし用
サンドとして仕上げるのである。がいし用サンドの上記
粉砕製法については、前述した特公平６−５３６０１号
公報に詳述されているので、当該公報の記載も参照され
たい。
周壁3aの内周面および外周面に接着するサンド４は、次
の方法により製造するのが好適である。すなわち、先ず
従来と同様にサンド素地を調合し、フィルタープレスに
より脱水して適度な水分を含有するケーキとする。この
ケーキを土練機に投入して混練し、孔径が１．８〜２．
０ｍｍ程度の多数の貫通孔を有する孔あき板から押し出
してヌードル状の成形体を得る。この成形体の直径は、
目的とするサンドの最大粒径と同じか、僅かに大きめと
しておく。次に、このヌードル状成形体を乾燥し、粗砕
機およびデシンター整粒機によって成形体の直径とほぼ
同径の粒状体に粉砕、整粒する。なお、デシンター整粒
機は、多数の透孔が設けられたドラムを回転させつつ粉
砕、整粒を行なう装置である。ドラムにおける透孔の孔
径は１．６〜１．８ｍｍ程度とし、また、ドラムの回転
数は通常の場合よりもはるかに低い２００ｒｐｍ程度と
するのが好適である。かくして得られた粒状体は、鋭角
的なエッジの少ない粒状体であり、上網が１．６８ｍ
ｍ、下網が０．８４〜１．０ｍｍの整粒篩にかけて選別
した上、さや詰めして焼成する。その後に焼成品をほぐ
し篩にかけてほぐし、鋭角的なエッジの少ないがいし用
サンドとして仕上げるのである。がいし用サンドの上記
粉砕製法については、前述した特公平６−５３６０１号
公報に詳述されているので、当該公報の記載も参照され
たい。
【００１１】本発明においては、懸垂がいしにおけるサ
ンド４および釉薬の誘電率の組み合わせに初めて着目
し、サンドの誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 とをε2 −
ε1 ≦０の関係が成立するように設定するものである。
図３は、図１の懸垂がいしにおける釉薬と、前記粉砕製
法により製造されたサンドの誘電率差ε2 −ε1 に対す
る懸垂がいしの急峻波破壊率を示すグラフである。この
グラフは、ＩＥＣ規格Ｎｏ．３０５のＵ１２０ＢＳに準
拠する懸垂がいしにおいて、サンドおよび釉薬の誘電率
差を変化させた試料１〜５を作成し、これらの試料につ
きＩＥＣ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ １２１
１に規定された試験回路を用いて電圧峻度４０００ＫＶ
／μｓ、正波、負波各１０回印加の条件下で急峻波破壊
試験を行って得られたものである。図３のグラフから明
らかなとおり、釉薬の誘電率ε2 がサンドの誘電率ε1
よりも高い場合には、急峻波破壊率は約６０％以上とな
る。これに対して、釉薬の誘電率ε2 がサンドの誘電率
ε1 とほぼ等しい場合は急峻波破壊率が約１５％前後、
サンドの誘電率ε1 が釉薬の誘電率ε2 よりも高い場合
には急峻波破壊率は約５％以下に低下する。この実験結
果から、釉薬とサンドの誘電率差をε2 −ε1 ≦０とす
ることが、懸垂がいしにおける急峻波破壊率の低下に有
効であることが明らかである。
ンド４および釉薬の誘電率の組み合わせに初めて着目
し、サンドの誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 とをε2 −
ε1 ≦０の関係が成立するように設定するものである。
図３は、図１の懸垂がいしにおける釉薬と、前記粉砕製
法により製造されたサンドの誘電率差ε2 −ε1 に対す
る懸垂がいしの急峻波破壊率を示すグラフである。この
グラフは、ＩＥＣ規格Ｎｏ．３０５のＵ１２０ＢＳに準
拠する懸垂がいしにおいて、サンドおよび釉薬の誘電率
差を変化させた試料１〜５を作成し、これらの試料につ
きＩＥＣ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｒｅｐｏｒｔ １２１
１に規定された試験回路を用いて電圧峻度４０００ＫＶ
／μｓ、正波、負波各１０回印加の条件下で急峻波破壊
試験を行って得られたものである。図３のグラフから明
らかなとおり、釉薬の誘電率ε2 がサンドの誘電率ε1
よりも高い場合には、急峻波破壊率は約６０％以上とな
る。これに対して、釉薬の誘電率ε2 がサンドの誘電率
ε1 とほぼ等しい場合は急峻波破壊率が約１５％前後、
サンドの誘電率ε1 が釉薬の誘電率ε2 よりも高い場合
には急峻波破壊率は約５％以下に低下する。この実験結
果から、釉薬とサンドの誘電率差をε2 −ε1 ≦０とす
ることが、懸垂がいしにおける急峻波破壊率の低下に有
効であることが明らかである。
【００１２】ちなみに、図３のグラフにおいて各プロッ
トに隣接する括弧内の数字は、電圧峻度２５００Ｋｖ／
μｓの条件下での各試料１〜５の急峻波破壊率を表した
ものであり、この実験結果からも釉薬とサンドの誘電率
差をε2 −ε1 ≦０とすることの有効性が明らかであ
る。
トに隣接する括弧内の数字は、電圧峻度２５００Ｋｖ／
μｓの条件下での各試料１〜５の急峻波破壊率を表した
ものであり、この実験結果からも釉薬とサンドの誘電率
差をε2 −ε1 ≦０とすることの有効性が明らかであ
る。
【００１３】次に、発明者らは、懸垂がいしの絶縁破壊
に対する釉薬とサンドの誘電率差の影響を確認するた
め、図４に示す電界計算モデル（寸法単位：mm）に基づ
き、釉薬およびサンドの誘電率差ε2 −ε1 を変化させ
て最大電場と電界の大きさを解析した。その解析結果
は、次の表１と、図５〜図７に示すとおりである。
に対する釉薬とサンドの誘電率差の影響を確認するた
め、図４に示す電界計算モデル（寸法単位：mm）に基づ
き、釉薬およびサンドの誘電率差ε2 −ε1 を変化させ
て最大電場と電界の大きさを解析した。その解析結果
は、次の表１と、図５〜図７に示すとおりである。
【００１４】
【表１】
【００１５】図５〜図７から明らかなとおり、いずれの
モデルにおいても最大電界はサンド間の釉薬部分に生じ
ており、各種の絶縁破壊実験結果とよく一致している。
さらに、表１に示すように、サンド間の釉薬部分におけ
る最大電位傾度は、釉薬およびサンドの誘電率差ε2 −
ε1 が正であるモデル１において比較的高く、当該誘電
率差ε2 −ε1 が負であるモデル２およびモデル３にお
いては低減されている。すなわち、釉薬およびサンドの
誘電率差をε2 −ε1 ≦０とする場合には、サンド間の
釉薬部分における釉薬の電圧分担が効果的に低減される
ことが明らかである。
モデルにおいても最大電界はサンド間の釉薬部分に生じ
ており、各種の絶縁破壊実験結果とよく一致している。
さらに、表１に示すように、サンド間の釉薬部分におけ
る最大電位傾度は、釉薬およびサンドの誘電率差ε2 −
ε1 が正であるモデル１において比較的高く、当該誘電
率差ε2 −ε1 が負であるモデル２およびモデル３にお
いては低減されている。すなわち、釉薬およびサンドの
誘電率差をε2 −ε1 ≦０とする場合には、サンド間の
釉薬部分における釉薬の電圧分担が効果的に低減される
ことが明らかである。
【００１６】なお、一般的に誘電率はサンド中の結晶お
よびガラス成分の誘電率の和であるため、サンド中の結
晶の誘電率が特に重要である。誘電率は、例えば、アル
ミナ（コランダム）結晶で約10、石英結晶では約５〜７
であり、これに対してガラスでは約５〜７であるため、
サンド中にアルミナ（コランダム）結晶を多く含有させ
ることが誘電率を高める手段として有効である。その反
面、強度面で考えた場合には、サンド中にアルミナ（コ
ランダム）結晶を多く含有させると熱膨張率が高くなっ
て不利であるため、アルミナ（コランダム）結晶の含有
率は自づから制約されるものである。以上を勘案して、
本発明において使用するサンドの組成は、例えば、Al2O
3 が２０〜７０wt％、SiO2が４０〜７０wt％、KNaOが２
〜６wt％の範囲であり、望ましくはAl2O3 が４０〜６０
wt％、SiO2が４０〜６０wt％の範囲である。
よびガラス成分の誘電率の和であるため、サンド中の結
晶の誘電率が特に重要である。誘電率は、例えば、アル
ミナ（コランダム）結晶で約10、石英結晶では約５〜７
であり、これに対してガラスでは約５〜７であるため、
サンド中にアルミナ（コランダム）結晶を多く含有させ
ることが誘電率を高める手段として有効である。その反
面、強度面で考えた場合には、サンド中にアルミナ（コ
ランダム）結晶を多く含有させると熱膨張率が高くなっ
て不利であるため、アルミナ（コランダム）結晶の含有
率は自づから制約されるものである。以上を勘案して、
本発明において使用するサンドの組成は、例えば、Al2O
3 が２０〜７０wt％、SiO2が４０〜７０wt％、KNaOが２
〜６wt％の範囲であり、望ましくはAl2O3 が４０〜６０
wt％、SiO2が４０〜６０wt％の範囲である。
【００１７】さらに、釉薬およびサンドの熱膨張率差
と、懸垂がいしの引張強度との関連について検討する
と、図８から明らかなとおり、熱膨張率差が−０．１１
を下回る場合には引張強度が急激に低下する反面、熱膨
張率差が−０．１１以上である場合には安定した引張強
度が維持される傾向が認められる。他方、釉薬およびサ
ンドの熱膨張率差と、釉薬およびサンドの誘電率差（ε
2-ε1 ）との間には、図９に示すようにほぼ比例関係が
認められる。そして、釉薬およびサンドの熱膨張率差−
０．１１に相当する両者間の誘電率差はほぼ−１．４で
ある。したがって、懸垂がいしの引張強度をも勘案した
とき、図８および図９に示す関係に基づき、釉薬および
サンドの誘電率差は、−１．４≦ε2 −ε1 ≦０の関係
を満足するものであることが望ましい。
と、懸垂がいしの引張強度との関連について検討する
と、図８から明らかなとおり、熱膨張率差が−０．１１
を下回る場合には引張強度が急激に低下する反面、熱膨
張率差が−０．１１以上である場合には安定した引張強
度が維持される傾向が認められる。他方、釉薬およびサ
ンドの熱膨張率差と、釉薬およびサンドの誘電率差（ε
2-ε1 ）との間には、図９に示すようにほぼ比例関係が
認められる。そして、釉薬およびサンドの熱膨張率差−
０．１１に相当する両者間の誘電率差はほぼ−１．４で
ある。したがって、懸垂がいしの引張強度をも勘案した
とき、図８および図９に示す関係に基づき、釉薬および
サンドの誘電率差は、−１．４≦ε2 −ε1 ≦０の関係
を満足するものであることが望ましい。
【００１８】以上の記載から明らかなとおり、本発明に
よれば、懸垂磁器がいしにおけるサンドおよび釉薬の誘
電率の組み合わせに特に着目し、サンドの誘電率ε1 と
釉薬の誘電率ε2 との間でε2 −ε1 ≦０の関係を満足
させることにより、釉薬のインピーダンスを特に低下さ
せなくとも電極形状の影響を十分に緩和して絶縁破壊強
度を大幅に向上させることが可能となるものである。
よれば、懸垂磁器がいしにおけるサンドおよび釉薬の誘
電率の組み合わせに特に着目し、サンドの誘電率ε1 と
釉薬の誘電率ε2 との間でε2 −ε1 ≦０の関係を満足
させることにより、釉薬のインピーダンスを特に低下さ
せなくとも電極形状の影響を十分に緩和して絶縁破壊強
度を大幅に向上させることが可能となるものである。
【００１９】なお、前述した実施例は単なる例示に過ぎ
ず、本発明を限定するものではない。そして、本発明が
その範囲を逸脱することなく種々の変形形態をもって実
施し得るものであることは、言うまでもない。
ず、本発明を限定するものではない。そして、本発明が
その範囲を逸脱することなく種々の変形形態をもって実
施し得るものであることは、言うまでもない。
【図１】本発明を好適に適用し得る懸垂がいしの正面図
であって、その半部を断面で示すものである。
であって、その半部を断面で示すものである。
【図２】図１の懸垂がいしに使用し得るサンドの製造工
程を示すフローチャートである。
程を示すフローチャートである。
【図３】図１の懸垂がいしにおける釉薬およびサンドの
誘電率差と急峻波破壊強度との関係を示すグラフであ
る。
誘電率差と急峻波破壊強度との関係を示すグラフであ
る。
【図４】懸垂がいしの電界計算モデルを示す説明図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施例および参考例についての電界計
算モデルの計算結果を示す線図である。
算モデルの計算結果を示す線図である。
【図６】本発明の実施例および参考例についての電界計
算モデルの計算結果を示す線図である。
算モデルの計算結果を示す線図である。
【図７】本発明の実施例および参考例についての電界計
算モデルの計算結果を示す線図である。
算モデルの計算結果を示す線図である。
【図８】釉薬およびサンドの熱膨張率差と、懸垂がいし
の引張強度との関係を示すグラフである。
の引張強度との関係を示すグラフである。
【図９】釉薬およびサンドの熱膨張率差と、釉薬および
サンドの誘電率差との関係を示すグラフである。
サンドの誘電率差との関係を示すグラフである。
１絶縁体、２ａ頭部周壁、４サンド、６キャップ金具、
７セメント
７セメント
Claims (3)
- 【請求項１】頂壁および周壁を有する中空円筒状の頭部
を含み、素地表面に釉薬が施され、かつ、周壁の内周面
および外周面にセラミック質のサンドが接着された磁器
製の絶縁体と、該絶縁体の頭部に対しセメントにより接
合されたキャップ金具およびピン金具とを具え、サンド
の誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 との間に次の関係： ε2 −ε1 ≦０ を満足させることを特徴とする懸垂がいし。 - 【請求項２】サンドの誘電率ε1 と釉薬の誘電率ε2 と
の間に次の関係： −１．４≦ε2 −ε1 ≦０ を満足させることを特徴とする、請求項１記載の懸垂が
いし。 - 【請求項３】前記サンドは、サンド素地を土練機によっ
てヌードル状に押し出し成形し、乾燥後に粉砕し、整粒
機により整粒してヌードルの直径とほぼ同径で鋭角的な
エッジの少ない粒状体とした後に焼成してなることを特
徴とする、請求項１または２に記載の懸垂がいし。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21742995A JPH0963379A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 懸垂がいし |
| CN 95223911 CN2252389Y (zh) | 1995-08-25 | 1995-09-28 | 悬式绝缘子 |
| CN95118203A CN1084031C (zh) | 1995-08-25 | 1995-09-28 | 悬式绝缘子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21742995A JPH0963379A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 懸垂がいし |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0963379A true JPH0963379A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16704084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21742995A Withdrawn JPH0963379A (ja) | 1995-08-25 | 1995-08-25 | 懸垂がいし |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0963379A (ja) |
| CN (2) | CN2252389Y (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112707714A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-27 | 中材江西电瓷电气有限公司 | 一种高强度圆柱头悬式绝缘子的配方及其制备工艺 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102254655B (zh) * | 2011-07-13 | 2012-11-28 | 江苏南瓷绝缘子有限公司 | 一种电气化铁路接触网棒形瓷绝缘子的裹釉砂方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62274510A (ja) * | 1986-05-22 | 1987-11-28 | 日本碍子株式会社 | 懸垂碍子 |
| JPH0799653B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1995-10-25 | 日本碍子株式会社 | 懸垂碍子 |
| JP2568547B2 (ja) * | 1987-04-28 | 1997-01-08 | 日本碍子株式会社 | 懸垂碍子 |
| CN1044005A (zh) * | 1989-01-08 | 1990-07-18 | 全苏绝缘体和附属装置特种工艺设计局 | 高压悬式绝缘子 |
-
1995
- 1995-08-25 JP JP21742995A patent/JPH0963379A/ja not_active Withdrawn
- 1995-09-28 CN CN 95223911 patent/CN2252389Y/zh not_active Expired - Lifetime
- 1995-09-28 CN CN95118203A patent/CN1084031C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112707714A (zh) * | 2021-01-29 | 2021-04-27 | 中材江西电瓷电气有限公司 | 一种高强度圆柱头悬式绝缘子的配方及其制备工艺 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1084031C (zh) | 2002-05-01 |
| CN2252389Y (zh) | 1997-04-16 |
| CN1144387A (zh) | 1997-03-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4717695A (en) | High strength feldspathic porcelain | |
| US5796019A (en) | Method of manufacturing an electrically conductive cermet | |
| US4650648A (en) | Ozone generator with a ceramic-based dielectric | |
| DE2946162C2 (ja) | ||
| JPH0963379A (ja) | 懸垂がいし | |
| JP3386739B2 (ja) | 磁器がいしおよびその製造方法 | |
| JPH11228226A (ja) | 圧電磁器組成物 | |
| JPH0468257B2 (ja) | ||
| US5008584A (en) | Spark plug having a built-in resistor for suppressing noise signals | |
| US5641720A (en) | Corundum porcelain composition, processes for its preparation and use | |
| JP2003508340A (ja) | 磁器の製造方法、磁器並びにセラミックス製絶縁体 | |
| CN102351521B (zh) | 一种高速电气化铁路接触网用棒形瓷绝缘子用特种砂的制备方法 | |
| US4345179A (en) | Resistor glass seal spark plug | |
| CN111003954A (zh) | 高纯一铝酸钙水泥、其制备方法及应用 | |
| JP2680538B2 (ja) | 懸垂碍子 | |
| Prinsloo et al. | Manufacture, behaviour and modelling of BaTiO/sub 3/nonlinear ceramic disc capacitors for high-voltage applications | |
| JPH0963381A (ja) | 懸垂がいし | |
| CN114933472A (zh) | 一种铝质滑石瓷的制造工艺 | |
| JP2004247719A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JPS61104580A (ja) | 点火プラグ | |
| JP3395577B2 (ja) | 誘電体セラミック電子部品の製造方法 | |
| JPH0653601B2 (ja) | 碍子用サンドの製造方法 | |
| SU945144A1 (ru) | Шихта дл изготовлени огнеупорных изделий | |
| KR910002172B1 (ko) | 전기 절연재료용 마그네시아 소결분체 및 그 제조방법 | |
| JPH0768061B2 (ja) | 高強度長石質磁器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021105 |