JPH0964107A

JPH0964107A - Ｔｃｐテープおよびそれを用いた半導体集積回路装置

Info

Publication number: JPH0964107A
Application number: JP7217114A
Authority: JP
Inventors: Yoshiyuki Tanigawa; 義之谷川; Akihiko Narisawa; 明彦成沢
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-08-25
Filing date: 1995-08-25
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体集積回路装置の組立時、ＴＣＰテープ
のテープ反り量を低減することが可能な技術を提供す
る。【構成】絶縁性テープ２のデバイスホール３の両側に
形成される複数のリード４、５のうち、デバイスホール
３の隅部に位置するリード４Ａ、５Ａのインナーリード
４ａ、５ａが、他のリード４、５のインナーリード４
ａ、５ａよりも幅が広く形成されて補強用リードとして
も働くように形成されたＴＣＰテープ１を用意する。こ
のＴＣＰテープ１に対して、半導体チップ１２を接続し
て半導体集積回路装置１１を組み立てる。これにより、
テープ剛性が向上するため、ＴＣＰテープ１のテープ反
り量を低減することが可能となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＴＣＰテープおよびそ
れを用いた半導体集積回路装置に関し、特に、ＴＣＰ構
造を有する半導体集積回路装置に適用して有効な技術に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】最近のＬＳＩ（半導体集積回路装置）は
より多くの機能が要求されるにつれて、集積度は一層高
まってきており、これに伴ってパッケージから引き出さ
れるリードはますます多ピン化の傾向にある。

【０００３】このような多ピン化に適したパッケージの
一方式として、ＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒＰａ
ｃｋａｇｅ）構造が知られている。このＴＣＰ構造は、
予め例えばポリイミドからなる絶縁性テープ上にエッチ
ングによってＣｕ箔からなる微細幅の複数のリードを形
成したＴＣＰテープを用意して、このＴＣＰテープを複
数のバンプ電極が形成された半導体チップ上に位置決め
して、ＴＣＰテープ側から熱を加えて複数のリードと複
数のバンプ電極との対応するもの同士を一括して熱圧着
により接続（ボンディング）することにより組み立てる
ものである。このようなＴＣＰ構造によれば、複数のリ
ードと半導体チップのバンプ電極とを直接接続して半導
体集積回路装置を組み立てるので、リードとバンプ電極
間にワイヤを介在させるワイヤボンディング方式により
半導体集積回路装置を組み立てる構造に比較して、ワイ
ヤーボンダーの介入を考慮する必要がないので、この分
リードピッチを細かくとれるため、多ピン化に対処させ
ることができる。

【０００４】このようなＴＣＰ技術に関しては、例え
ば、日経ＢＰ社発行、「ＶＬＳＩパッケージング技術
（上）」、１９９３年５月３１日発行、Ｐ７８〜Ｐ７９
に、あるいは、同社発行、「ＶＬＳＩパッケージング技
術（下）」、１９９３年５月３１日発行、Ｐ７４〜Ｐ８
５に詳細に記載されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】前記のようにＴＣＰ構
造を有する半導体集積回路装置を組み立てる場合、予め
用意されるＴＣＰテープには微細幅の多数のリードが絶
縁性テープによって一体に支持されているが、集積度の
向上に伴いそのリードの数は数１００個にも増加してき
ている。ここで、ＴＣＰテープは、ポリイミド系の絶縁
性テープ上にエポキシ系の接着剤を介して、Ｃｕ箔が貼
り付けられた構造を有しており、物性の異なる３種類の
材料の複合体によって構成されているので、組立工程や
熱履歴を考慮したパターン設計が重要となる。

【０００６】ここで、リードの数が増加してくるにつれ
てＴＣＰテープのテープ剛性が低下するようになるの
で、半導体集積回路装置の組立時、ＴＣＰテープにテー
プ反りが発生するという問題がある。

【０００７】すなわち、ＴＣＰテープのリードと半導体
チップのバンプ電極との熱圧着を行うと、ＴＣＰテープ
の剛性が低下していることにより熱の影響によって、Ｔ
ＣＰテープに反りが発生するようになる。最近では特に
パッケージを薄型化したスリムな構造の製品の要望が多
くなっているので、リードはより一層微細化されるた
め、その傾向は著しくなっている。

【０００８】このようにＴＣＰテープにテープ反りが発
生すると、リードの先端部であるインナーリードに直接
にストレスがかかるようになるので、インナーリードが
変形するようになる。この結果、インナーリードが断線
したり、インナーリードと半導体チップとのショート不
良が発生したりするので、組み立てられた半導体集積回
路装置の信頼性が低下する。ここで、複数のリードのう
ち、特に隅部に位置するリードのインナーリードほど、
テープ反りの影響を受けて変形し易くなっている。

【０００９】本発明の目的は、半導体集積回路装置の組
立時、ＴＣＰテープのテープ反り量を低減することが可
能な技術を提供することにある。

【００１０】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば下
記の通りである。

【００１２】（１）本発明のＴＣＰテープは、半導体チ
ップの複数のバンプ電極が接続されるべき複数のリード
が絶縁性テープによって一体に支持されたＴＣＰテープ
であって、前記複数のリードのうち一部のリードは、補
強用リードとして働くように他のリードよりも大きい寸
法に形成されている。

【００１３】（２）本発明の半導体集積回路装置は、複
数のリードが絶縁性テープによって一体に支持され、一
部のリードが補強用リードして働くように他のリードよ
りも大きい寸法に形成されたＴＣＰテープを用い、半導
体チップの表面に形成されている複数のバンプ電極が各
々前記複数のリードの対応したものに接続されている。

【００１４】

【作用】上述した（１）の手段によれば、本発明のＴＣ
Ｐテープは、複数のリードのうち一部のリードは、補強
用リードとして働くように他のリードよりも大きい寸法
に形成されているので、テープ剛性が向上するため、半
導体集積回路装置の組立時、ＴＣＰテープのテープ反り
量を低減することが可能となる。

【００１５】上述した（２）の手段によれば、本発明の
半導体集積回路装置は、一部のリードが補強用リードし
て働くように他のリードよりも大きい寸法に形成された
ＴＣＰテープを用い、半導体チップの表面に形成されて
いる複数のバンプ電極が各々前記複数のリードの対応し
たものに接続されているので、テープ剛性が向上するた
め、半導体集積回路装置の組立時、ＴＣＰテープのテー
プ反り量を低減することが可能となる。

【００１６】以下、本発明について、図面を参照して実
施例とともに詳細に説明する。

【００１７】なお、実施例を説明するための全図におい
て、同一機能を有するものは同一符号を付け、その繰り
返しの説明は省略する。

【００１８】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明の実施例１によるＴＣＰテー
プを示す平面図で、図２は図１のＡ−Ａ断面図である。
本実施例のＴＣＰテープ１は、例えばポリイミドからな
る幅約４０ｍｍ、厚さ約８０μｍの帯状の絶縁性テープ
２に、一定間隔で複数の長方形状のデバイスホール３が
形成され、各デバイスホール３の長手方向の両側には各
々複数のリード４、５が一体に形成されている。また、
絶縁性テープ２の両側には、巻取り用のガイドホール６
が形成されているとともに、各リード４、５の下方には
リードホール７が形成されている。

【００１９】なお、本実施例では、後程このＴＣＰテー
プ１に取り付ける半導体チップとしては、長方形状のも
のを用いる例で示している。また、各リード４、５の数
は説明を簡単にするため、一例として５個を形成した例
で示しているが、実際においては数１０個、または数１
００個が形成されている。デバイスホール３には、後程
に半導体チップが位置決めされる。

【００２０】各リード４、５はＣｕ箔からなり、各々は
デバイスホール３に突出しているインナーリード４ａ、
５ａとこれに連なるアウターリード４ｂ、５ｂとから構
成されている。図２に示すように、各インナーリード４
ａ、５ａは一例として、幅約３０μｍ、厚さ約２０μｍ
に形成され、各ピッチＰは等しく約７０μｍに設定され
ている。一方、各アウターリード４ｂ、５ｂは一例とし
て、幅約０．６ｍｍ、厚さ約２０μｍに形成され、各ピ
ッチは等しく約１．６ｍｍに設定されている。

【００２１】また、複数のリード４、５のうち、各デバ
イスホール３の隅部に位置する４個のリード４Ａ、５Ａ
は補強用リードと兼用して働くように、それらのインナ
ーリード４ａ、５ａは、他のリード４、５のインナーリ
ード４ａ、５ａよりもその幅は広く形成され、一例とし
て約６０μｍに形成されている。前者のインナーリード
４ａ、５ａの幅は後者のインナーリード４ａ、５ａの幅
の約２倍の値を有していることになる。この補強用リー
ドとして働くリード４Ａ、５Ａのインナーリード４ａ、
５ａの幅は、他のリード４、５のインナーリード４ａ、
５ａのピッチを考慮して設定され、後者のインナーリー
ド４ａ、５ａの幅の約２倍〜１．５倍の値を有するよう
に設定される。なお、各リード４、５の表面には、Ｓｎ
めっきが施されている。

【００２２】このように、特にテープ反りの影響を受け
て変形し易くなっている、各デバイスホール３の隅部に
位置する４個のリード４Ａ、５Ａのインナーリード４
ａ、５ａの幅を他のリード４、５のインナーリード４
ａ、５ａの幅よりも広く形成することにより、リード４
Ａ、５Ａを補強用リードとして働らかせることができる
ので、テープ剛性を向上することができる。この結果、
テープ反り量が低減されるので、リード４Ａ、５Ａを含
む各リード４、５の先端部であるインナーリード４ａ、
５ａに直接にストレスがかかることは極めて少なくなる
ので、インナーリード４ａ、５ａの変形が防止される。
この結果、インナーリード４ａ、５ａが断線したり、イ
ンナーリード４ａ、５ａと半導体チップとのショート不
良が発生することはなくなる。

【００２３】次に、実施例１によるＴＣＰテープの製造
方法を、図３（ａ）乃至（ｃ）を参照して工程順に説明
する。

【００２４】まず、図３（ａ）に示すように、例えばポ
リイミドからなる幅約４０ｍｍ、厚さ約８０ｍｍの帯状
の絶縁性テープ２を用意して、所望の位置にデバイスホ
ール３、ガイドホール６およびリードホール７（図示せ
ず）をパンチングする。

【００２５】次に、図３（ｂ）に示すように、絶縁性テ
ープ２にエポキシ系の接着剤８を介して厚さ約２０μｍ
のＣｕ箔９を貼り付ける。続いて、このＣｕ箔９の所望
部をフォトレジスト１０でマスクする。

【００２６】次に、絶縁性テープ２をエッチング液に浸
すことにより、フォトレジスト１０でマスクされたＣｕ
箔９の所望部以外の不要部を除去して、図１に示したよ
うなパターンの複数のリード４、５および補強用リード
４Ａ、５Ａを形成する。各リードは同一厚さに形成され
る。これによって、前記のようなＴＣＰテープ１が製造
される。

【００２７】このような実施例１によるＴＣＰテープ１
によれば、次のような効果が得られる。

【００２８】デバイスホール３の両側に形成される複数
のリード４、５のうち、デバイスホール３の隅部に位置
するリード４Ａ、５Ａのインナーリード４ａ、５ａは、
他のリード４、５のインナーリード４ａ、５ａよりもそ
の幅は広く形成されているので、各リード４Ａ、５Ａは
補強用リードとしても働くようになり、テープ剛性が向
上するため、半導体集積回路装置の組立時、ＴＣＰテー
プ１のテープ反り量を低減することが可能となる。

【００２９】（実施例２）図４は本発明の実施例２によ
るＴＣＰテープを示す平面図である。本実施例のＴＣＰ
テープ１は、実施例１の構造において、各デバイスホー
ル３の長手方向の両側の各リード４、５の形状を非対称
に形成した例を示すもので、例えば一方側のリード５を
全長にわたって、同一幅に形成した例を示すものであ
る。

【００３０】すなわち、複数のリード５は一例として、
幅約３０μｍ、厚さ約２０μｍに形成され、各ピッチは
約７０μｍに設定されている。また、複数のリード５の
うち、各デバイスホール３の隅部に位置する２個のリー
ド５Ａは補強用リードと兼用して働くように、その幅は
広く形成され、一例として約６０μｍに形成されてい
る。

【００３１】さらに、各デバイスホール３の長手方向の
他方側の複数のリード４の形状および寸法は、実施例１
ど同じに形成され、各デバイスホール３の隅部に位置す
る２個のリード４Ａは補強用リードと兼用して働くよう
に、そのインナーリード４ａの幅は、他のリード４のイ
ンナーリード４ａの幅よりも広く形成されている。

【００３２】このような実施例２によるＴＣＰテープ１
は、実施例１のＴＣＰテープ１の製造方法に準じて製造
することができる。

【００３３】このような実施例２によっても、デバイス
ホール３の両側に形成される複数のリード４、５のう
ち、デバイスホール３の隅部に位置するリード４Ａ、５
Ａの幅は他のリード４、５の幅よりも広く形成されてい
るので、実施例１と同様な理由で、同様な効果を得るこ
とができる。

【００３４】（実施例３）図５は本発明の実施例３によ
るＴＣＰテープを示す概略平面図で、各デバイスホール
３の長手方向の両側の各リード４、５のうち、ほぼ中央
部に位置する各リード４Ａ、５Ａのインナーリード４
ａ、５ａの幅を、他のリード４、５のインナーリード４
ａ、５ａの幅よりも広く形成して、補強用リードと兼用
して働くように構成した例を示すものである。

【００３５】このような実施例３によっても、補強用リ
ードと兼用して働くリードの配置位置を変更しただけな
ので、実施例１と同様な効果を得ることができる。

【００３６】（実施例４）図６は本発明の実施例４によ
るＴＣＰテープを示す概略平面図で、各デバイスホール
３の長手方向の両側の各リード４、５のうち、ランダム
に各３箇所に位置する各リード４Ａ、５Ａのインナーリ
ード４ａ、５ａの幅を、他のリード４、５のインナーリ
ード４ａ、５ａの幅よりも広く形成して、補強用リード
と兼用して働くように構成した例を示すものである。

【００３７】このような実施例４によっても、補強用リ
ードと兼用して働くリードの配置位置を変更しただけな
ので、実施例１と同様な効果を得ることができる。

【００３８】（実施例５）図７は本発明の実施例５によ
る半導体集積回路装置を示す平面図で、実施例１によっ
て得られたＴＣＰテープ１を用いて組み立てた例を示し
ている。図８は図７のＡ−Ａ断面図である。本実施例の
半導体集積回路装置１１は、図１に示したようなＴＣＰ
テープ１を用いて、半導体チップ１２の表面に形成され
ている例えばＡｕからなる複数のバンプ電極１３は、対
応する複数のリード４、５のインナーリード４ａ、５ａ
に熱圧着によって接続されている。なお、本実施例に用
いられる半導体チップ１２は、デバイスホール３の形状
に対応して長方形状を有していて、複数のバンプ電極１
３はこの半導体チップ１２の表面の長手方向の両側面に
のみ形成されているものとする。

【００３９】半導体チップ１２の複数のバンプ電極１３
は、各インナーリード４ａ、５ａのピッチと等しいピッ
チに形成されており、これにより複数のリード４、５と
複数のバンプ電極１３との対応するもの同士を一括して
ボンディングすることが可能になっている。各リード
４、５には予めＳｎめっきが施されており、これにより
ボンディング時の熱によりＡｕ−Ｓｎ合金が形成され
て、各リード４、５と各バンプ電極１３とが接続されて
いる。

【００４０】各リード４、５と各バンプ電極１３との接
続部を含む半導体チップ１２の表面部は、樹脂体１４に
より封止されている。この樹脂体１４は例えばエポキシ
樹脂がポッテングによって形成される。図８では樹脂体
１４を省略した構造を示している。

【００４１】次に、実施例５による半導体集積回路装置
の製造方法を、図９乃至図１５を参照して工程順に説明
する。

【００４２】まず、図９に示すように、実施例１で得ら
れた図１に示すようなＴＣＰテープ１を用意する。次
に、ＴＣＰテープ１のデバイスホール３の裏面に半導体
チップ１２を位置決めして、複数のリード４、５の各イ
ンナーリード４ａ、５ｂに対して複数のバンプ電極１３
を対向させて両者を接触させる。図１０は図９のＡ−Ａ
断面図、図１１は図９のＢ−Ｂ断面図を示している。

【００４３】次に、図１２に示すように、約５００℃に
加熱されているボンディングツール１５を用いて、各リ
ード４、５の各インナーリード４ａ、５ａの上方から押
圧して両者を熱圧着する。これによって接触している各
インナーリード４ａ、５ｂと各バンプ電極１３間にはＡ
ｕ−Ｓｎ合金が形成されて、両者は接続される。

【００４４】続いて、図１３に示すように、各リード
４、５の各インナーリード４ａ、５ａと各バンプ電極１
３との接続部を含む半導体チップ１２の表面部にエポキ
シ樹脂をポッテングすることにより、樹脂体１４を形成
して封止する。これによって、長さ方向に沿って一定間
隔ごとに樹脂体１４が形成された、図１４に示すよう
な、ＴＣＰテープ１が得られる。

【００４５】次に、図１５に示すように、ＴＣＰテープ
１を巻き取ることにより、共通のＴＣＰテープ１に多数
の半導体集積回路装置が組み立てられた製品が得られ
る。このＴＣＰテープ１はこの状態でユーザに届けら
れ、ユーザーは図１４における破線の位置でカットする
ことにより、図７に示したような半導体集積回路装置１
１を得ることができる。

【００４６】このような実施例５による半導体集積回路
装置１１によれば、次のような効果が得られる。

【００４７】図１に示すような、デバイスホール３の両
側に形成される複数のリード４、５のうち、デバイスホ
ール３の隅部に位置するリード４Ａ、５Ａのインナーリ
ード４ａ、５ａが、他のリード４、５のインナーリード
４ａ、５ａよりも幅が広く形成されて補強用リードとし
ても働くように形成されたＴＣＰテープ１を用いて、半
導体チップ１２を接続して半導体集積回路装置１１を組
み立てているので、テープ剛性が向上するため、半導体
集積回路装置１１の組立時、ＴＣＰテープ１のテープ反
り量を低減することが可能となる。

【００４８】（実施例６）図１６は本発明の実施例６に
よる半導体集積回路装置を示す平面図で、実施例２によ
って得られたＴＣＰテープ１を用いて組み立てた例を示
している。本実施例の半導体集積回路装置１１は、図２
に示したようなＴＣＰテープ１を用いて、半導体チップ
１２の表面に形成されている例えばＡｕからなる複数の
バンプ電極１３は、対応する複数のリード４、５のイン
ナーリード４ａ、５ａに熱圧着によって接続されてい
る。

【００４９】このような実施例６による半導体集積回路
装置１１は、実施例５の半導体集積回路装置１１の製造
方法に準じて製造することができる。

【００５０】本実施例による半導体集積回路装置１１
は、特に半導体チップ１２の両側に形成される各リード
４、５のパターンは異なっている。このような半導体集
積回路装置１１は、次に示すような用途に適用して効果
的となる。

【００５１】図１７はその一例を示すもので、半導体集
積回路装置１１をＬＣＤ（ＬｉｑｕｉｄＣｒｙｓｔａ
ｌＤｅｖｉｃｅ；液晶装置）１６の水平方向および垂
直方向の基板１７に配置して、ＬＣＤ駆動用素子として
用いた例を示している。この場合、ＬＣＤ１６にはマト
リクス状に高密度で多数の単位素子が配置されているの
で、駆動用素子の接続には高い配線精度が要求される。
この点、半導体集積回路装置１１のピッチの細かいリー
ド５側を半導体集積回路装置１１の出力側として用いる
ことにより、そのような要望を十分に満たすことができ
る。一方、ピッチの広いリード４側は半導体集積回路装
置１１の入力側として用いれば良く、この入力側はそれ
程高い配線精度は要求されていないので問題はない。

【００５２】また、このようなＬＣＤ駆動用素子を用い
る場合には、ＬＣＤ駆動用素子を含めたスペース内にお
いて、できるだけＬＣＤ１６の表示面積の割合を大きく
とることが要求されているので、半導体集積回路装置１
１の形状を長方形状に選ぶことはその要求に適ったもの
となる。

【００５３】このような実施例６によっても、デバイス
ホール３の両側に形成される複数のリード４、５のう
ち、デバイスホール３の隅部に位置するリード４Ａ、５
Ａの幅が他のリード４、５の幅よりも広く形成されて補
強用リードとして働くように形成されたＴＣＰテープ１
を用いて、半導体集積回路装置１１を組み立てているの
で、実施例５と同様な理由で、同様な効果を得ることが
できる。

【００５４】以上、本発明者によってなされた発明を、
前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲において種々変更可能であることは勿論であ
る。

【００５５】例えば、前記実施例では補強用リードとし
て働かせるリードの形状を、他のリードよりも幅を広く
形成した例で説明したが、これに限らず他のリードより
も厚さを大きく形成するようにしても良い。

【００５６】また、前記実施例では補強用リードとして
働かせるリードを、配線と兼用させる例で説明したが、
これに限らず補強用リード専用として形成するようにし
ても良い。

【００５７】さらに、前記実施例で示した各リードの本
数は内容を理解し易くするため一例を示したものであ
り、実際の製品においては数１０本乃至数１００本が用
いられ、これによって半導体チップの形状を長方形状に
形成したことによるスリム化した効果が顕著に得ること
ができる。また、各構成部分の材料、寸法などの具体的
な条件も一例を示したものであり、目的、用途などに応
じて適宜変更することが可能である。

【００５８】さらにまた、前記実施例ではＴＣＰテープ
に組み込む半導体チップの形状を長方形状に選んだ例で
説明したが、これに限らずＱＦＰ対応の半導体チップの
ように、電極が四辺にわたって形成されている正方形状
の半導体チップに対しても適用可能である。

【００５９】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の技術に適用した場合について説明した
が、それに限定されるものではない。本発明は、少なく
とも半導体チップの複数の電極を複数のリードを介して
外部に取り出す条件のものには適用できる。

【００６０】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記の通りである。

【００６１】複数のリードのうち一部のリードは、補強
用リードとして働くように他のリードよりも大きい寸法
に形成されたＴＣＰテープを用意するようにしたので、
テープ剛性が向上するため、半導体集積回路装置の組立
時、ＴＣＰテープのテープ反り量を低減することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１によるＴＣＰテープを示す平
面図である。

【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】本発明の実施例１によるＴＣＰテープの製造方
法の各工程を示すもので、（ａ）乃至（ｃ）は断面図で
ある。

【図４】本発明の実施例２によるＴＣＰテープを示す平
面図である。

【図５】本発明の実施例３によるＴＣＰテープを示す平
面図である。

【図６】本発明の実施例４によるＴＣＰテープを示す平
面図である。

【図７】本発明の実施例５による半導体集積回路装置を
示す平面図である。

【図８】図７のＡ−Ａ断面図である。

【図９】本発明の実施例５による半導体集積回路装置の
製造方法の一工程を示す平面図である。

【図１０】図９のＡ−Ａ断面図である。

【図１１】図９のＢ−Ｂ断面図である。

【図１２】本発明の実施例５による半導体集積回路装置
の製造方法の他の工程を示す断面図である。

【図１３】本発明の実施例５による半導体集積回路装置
の製造方法のその他の工程を示す断面図である。

【図１４】本発明の実施例５による半導体集積回路装置
の製造方法のその他の工程を示す平面図である。

【図１５】本発明の実施例５による半導体集積回路装置
の製造方法のその他の工程を示す斜視図である。

【図１６】本発明の実施例６による半導体集積回路装置
を示す平面図である。

【図１７】本発明の実施例６による半導体集積回路装置
の一適用例を示す平面図である。

【符号の説明】

１…ＴＣＰテープ、２…絶縁性テープ、３…デバイスホ
ール、４、５…リード、４ａ、５ａ…インナーリード、
４ｂ、５ｂ…アウターリード、４Ａ、５Ａ…補強用リー
ドを兼用するリード、６…ガイドホール、７…リードホ
ール、８…接着剤、９…Ｃｕ箔、１０…フォトレジス
ト、１１…半導体集積回路装置、１２…半導体チップ、
１３…バンプ電極、１４…樹脂体、１５…ボンディング
ツール、１６…ＬＣＤ（液晶装置）、１７…基板。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体チップの複数のバンプ電極が接続
されるべき複数のリードが絶縁性テープによって一体に
支持されたＴＣＰテープであって、前記複数のリードの
うち一部のリードは、補強用リードとして働くように他
のリードよりも大きい寸法に形成されたことを特徴とす
るＴＣＰテープ。
【請求項２】前記一部のリードは、少なくとも先端部
分が他のリードよりも幅が大きく形成されたことを特徴
とする請求項１に記載のＴＣＰテープ。
【請求項３】前記一部のリードは、少なくとも先端部
分が他のリードよりも厚さが大きく形成されたことを特
徴とする請求項１に記載のＴＣＰテープ。
【請求項４】前記一部のリードは、前記半導体チップ
の複数のバンプ電極のうち半導体チップの隅部に位置す
るバンプ電極が接続されるリードが選ばれたことを特徴
とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のＴＣＰテ
ープ。
【請求項５】前記一部のリードは、補強用リード専用
として用いられることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか１項に記載のＴＣＰテープ。
【請求項６】複数のリードが絶縁性テープによって一
体に支持され、一部のリードが補強用リードして働くよ
うに他のリードよりも大きい寸法に形成されたＴＣＰテ
ープを用い、半導体チップの表面に形成されている複数
のバンプ電極が各々前記複数のリードの対応したものに
接続されたことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】前記一部のリードは、前記半導体チップ
の隅部に配置されているバンプ電極に接続されたことを
特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路装置。
【請求項８】前記リードとバンプ電極との接続部を含
む半導体チップの表面部が樹脂封止されたことを特徴と
する請求項６または７に記載の半導体集積回路装置。
【請求項９】液晶装置の駆動素子として、請求項６乃
至８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置を用い
たことを特徴とする電子装置。