JPH0982569A - 可変容量コンデンサ - Google Patents

可変容量コンデンサ

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JPH0982569A
JPH0982569A JP7241627A JP24162795A JPH0982569A JP H0982569 A JPH0982569 A JP H0982569A JP 7241627 A JP7241627 A JP 7241627A JP 24162795 A JP24162795 A JP 24162795A JP H0982569 A JPH0982569 A JP H0982569A
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movable
drive
insulating support
pair
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JP7241627A
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Yasuo Fujii
康生 藤井
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、単一素子でありながら、コンデ
ンサの性能指数を示すQ値が高く、VCOの構成部品と
して使用した際に共振回路に影響を及ぼす外部バイアス
電圧のノイズを除去するための回路構成を必要としない
可変容量コンデンサを提供する。 【解決手段】 可動電極を構成する可動部には第一の
電極と、第二の電極が設けられる。一方、絶縁支持台に
は、第一の電極に対向して駆動電極が設けられ、さらに
第二の電極に対向して検出電極が設けられる。第一の電
極および駆動電極と、第二の電極および検出電極の間は
電気的に分離されているため、両者の絶縁性が保たれ
る。また、第一の電極と駆動電極の間に外部バイアス電
圧を印加すると、両者の間にはク−ロン力が発生する。
このため、可動部は、自らの弾力(復元力)とク−ロン
力との釣り合いを保ちながら、駆動電極に引き寄せられ
る。これにともなって、第二の電極と検出電極の平均距
離が狭くなる。第二の電極と検出電極の間の静電容量は
平均距離に反比例して変化する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する利用分野】本発明は、電圧可変容量素子
の一種である可変容量コンデンサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電圧可変容量素子として、絶縁層
で囲まれた半導体表面の空間電荷領域に、外部バイアス
電圧を加えると靜電容量が変化する可変容量ダイオード
が知られている。
【0003】また、特開平5−74655号公報に記載
された可変容量コンデンサが知られている。図8のよう
に、可変容量コンデンサは、共に薄膜体として形成され
た固定電極1と可動電極2とを備えており、これらが絶
縁支持台3に設けられた空間部4を介して対向支持され
た構造となっている。絶縁支持台3は、例えばシリコン
基板であり、その一面側に彫り込み形成された凹部であ
る空間部4の底面にはアルミニウムの蒸着などによって
形成された固定電極1が設けられている。また、この凹
部の開口縁部には同様にして形成された可動電極2が空
間部4を介して浮いた状態で設けられており、固定電極
1および可動電極2のそれぞれの一端から引き出し形成
された端子部(図示せず)間には外部バイアス電圧が印
加されるようになっている。固定電極1と可動電極2と
の間に外部バイアス電圧を印加すると、固定電極1と可
動電極2との間のクーロン力の作用によって、両者間の
間隔が増減し、靜電容量が変わる。
【0004】また、上述した電圧制御による可変容量ダ
イオードや、可変容量コンデンサは、電圧制御発振器V
CO(Voltage Controlled Osc
ilator)の構成部品として用いられる。なお、V
COは無線通信機のシンセサイザ局部発振部に使用され
る。図9に、VCOの基本例として良く知られた、コレ
クタ接地のコルピッツ発振回路を示す。この回路は、ト
ランジスタ等の能動素子5と、共振素子6を主要素子と
して構成されている。図9において、T1は制御電圧入
力端子、T2は発振出力端子、7は入力抵抗、8はバイ
アス抵抗、9および10は結合コンデンサ、11および
12は帰還コンデンサ、13は可変容量コンデンサであ
る。なお、共振素子6と、可変容量コンデンサ13およ
び結合コンデンサ9、10は、共振回路14を構成す
る。共振回路14を駆動するための電源(図示せず)
は、トランジスタ5のベ−スに印加される。
【0005】なお、VCOを使用する場合は、制御電圧
入力端子T1と発振出力端子T2の間に位相比較器(図
示せず)が接続される。位相比較器は、発振出力端子T
2から位相比較器に入力されるVCOからの帰還信号
と、比較基準周波数との位相差に比例したパルス信号を
出力し、制御電圧入力端子T1を介して共振回路14に
供給する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、可変容
量ダイオードは、単一素子によって靜電容量を可変させ
ることが可能であるが、電気的耐圧性を向上させるため
に内部抵抗を大きくする必要があった。内部抵抗を大き
くすると、1/2πfcr (但し、fは周波数、cは
靜電容量、rは内部抵抗)で表わされるコンデンサの性
能指数を示すQ値は小さくなり、周波数の安定性が悪く
なるという欠点や、キャリアノイズが大きくなるという
欠点があった。
【0007】可変容量コンデンサの場合、可動電極2
を、外部バイアス電圧が印加されていない状態の固定電
極1と可動電極2の距離に対して1/3以上変位させよ
うとすると、可動電極2を表面に形成した薄板が元の位
置に戻ろうとする弾力(復元力)と、固定電極1と可動
電極2との間に生じるクーロン力との釣り合いが保たれ
なくなり、可動電極2が固定電極1に引きつけられてし
まうという欠点があった。このため、靜電容量の可変率
を大きくすることができなかった。
【0008】上述のVCOを高周波帯で使用する場合
は、図10のように、位相比較器(図示せず)から制御
電圧入力端子T1を介して共振回路14に供給されるパ
ルス信号を積分するための抵抗7とコンデンサ16から
なるロ−パスフィルタ−と、共振回路14を高周波的に
絶縁するため、抵抗7とコンデンサ16の接続点と可変
容量コンデンサ13のカソ−ドの間にインダクタ15を
接続する必要があった。このため、VCOの部品点数が
増え、回路構成が複雑となっていた。また、特に数百M
Hz以上の高周波帯でVCOを使用する場合は、電源V
ccと共振回路14の絶縁を図るためにインダクタ15
のインダクタンスを大きくする必要があった。このた
め、インダクタ15を回路基板上に形成されたストリッ
プ線路によって形成しようとすると、インダクタ15の
占める面積が大きくなってしまい、VCOを小形化する
ことができなかった。さらに、インダクタ15のQ値が
低いと共振回路14がこの影響を受け、共振回路14の
Q値自体が低下してしまうという問題があった。
【0009】そこで、本発明は、上記問題を解決するた
めの可変容量コンデンサを提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の可変容量コンデ
ンサは、上記目的を達成するために次のように構成され
る。すなわち、第一に、絶縁支持台と、該絶縁支持台の
表面に形成された駆動電極と、該駆動電極と一定の間隔
を介して前記絶縁支持台の表面に形成された検出電極
と、前記駆動電極に対向して設けられた第一の電極と該
検出電極に対向して設けられた第二の電極を備えた可動
部を有する可動電極と、前記駆動電極および該第一の電
極の間に電圧を印加する手段とを備え、前記駆動電極と
前記第一の電極の間のク−ロン力と前記可動部の弾力を
用いて前記検出電極と前記第二の電極の間の静電容量を
可変するものである。
【0011】駆動電極と第一の電極の間に外部バイアス
電圧を印加すると、駆動電極と第一の電極の間には、ク
−ロン力が発生する。可動部は、自らの弾力とク−ロン
力との釣り合いを保ちながら、駆動電極に引き寄せられ
る。この結果、検出電極と第二の電極の間の平均距離が
狭くなる。検出電極と第二の電極の間の静電容量は、両
者間の平均距離に反比例する。このため、駆動電極と第
一の電極の間に印加される外部バイアス電圧に応じて、
検出電極と第二の電極の間の静電容量が変化する。
【0012】また、駆動電極および第一の電極と、検出
電極および第二の電極の間は直接に接続されていないた
め、両者間の電気的絶縁性が保たれる。このため、ロ−
パスフィルタ−と共振回路を高周波的に絶縁するための
インダクタの接続が不要となる。
【0013】第二に、第一の発明において、可動電極
は、絶縁支持台の端縁近くの表面に形成された固定部
と、該固定部の中央部側の端縁に立設して設けられた支
持部と、該支持部の上端に前記絶縁支持台と平行するよ
うに設けられた可動部とからなり、該可動部は前記支持
部の上端を支点として変位するものである。
【0014】駆動電極と第一の電極の間に外部バイアス
電圧を印加すると、可動部は支持部の上端を支点として
駆動電極に引き寄せられる。可動部は一端のみが支持さ
れているため、比較的小さな外部バイアス電圧で可動部
を変位させることができる。第三に、第一の発明におい
て、可動電極は、絶縁支持台の向かい合う両端縁近くの
表面に形成された一対の固定部と、該固定部の中央部側
の端縁に立設して設けられた一対の支持部と、該一対の
支持部の上端に前記絶縁支持台と平行するように設けら
れた可動部とからなり、該可動部には前記支持部に隣接
して一対の第一の電極と該一対の第一の電極に挟まれた
第二の電極とが形成されており、該可動部は前記一対の
支持部の上端を支点として変位するものである。
【0015】駆動電極と第一の電極の間に外部バイアス
電圧を印加すると、可動部は一対の支持部の上端を支点
として駆動電極に引き寄せられる。このため、可動部の
中央部が最も大きくたわむ。第二の電極は可動部の中央
部に形成されているため、第二の電極は一対の第一の電
極に比べて大きく変位する。第二の電極と検出電極の間
の静電容量は、両者間の平均距離の逆数に比例する。こ
のため、第二の電極と検出電極の間の静電容量の可変率
が大きくなる。
【0016】
【発明の実施の形態】
(実施例1)図1および図2を用いて本発明に係る可変
容量コンデンサの実施例を説明する。
【0017】可変容量コンデンサは、絶縁支持台17
と、可動電極18と、駆動電極19と、検出電極20と
から構成される。
【0018】絶縁支持台17はガラス、セラミック等の
絶縁性物質で形成された四角板である。
【0019】可動電極18は、固定部21と、支持部2
2と、可動部23とから一体に形成される。
【0020】長方形板の固定部21は、絶縁支持台17
の端縁近くの表面に、絶縁支持台17の端縁と固定部2
1の長辺が平行となるように固定して設けられる。
【0021】絶縁支持台17の中央部側の固定部21の
長辺端縁には、板状の支持部22が立設して設けられ
る。
【0022】長方形板の可動部23の一方の長辺端縁は
支持部22の上端に設けられる。なお、可動部23の長
辺の長さは支持部22と同じ長さであり、可動部23の
短辺の長さは支持部22から自由先端までの長さであ
る。この結果、可動部23は支持部22によって支えら
れ、絶縁支持台17の表面から浮いた状態で平行に保た
れる。
【0023】なお、可動電極18は、二酸化ケイ素(S
iO2)層24と、二酸化ケイ素層24の裏面に形成さ
れた第一の電極25Aと、第二の電極25Bと、二酸化
ケイ素層24の表面に形成された導体層26の積層構造
からなる。なお、第一の電極25Aおよび第二の電極2
5Bは、可動電極18の中心線L1に対して対称に、所
定の間隙W1を設けて形成される。このため、第一の電
極25Aと、第二の電極25Bの間の絶縁が保たれる。
二酸化ケイ素層24に対して、ほぼ対称な積層構造に形
成されるため、二酸化ケイ素層24の表裏面に発生する
応力は相互に相殺され、可動電極18の反りが防止され
る。可動部23は、厚みが1μm程度に薄く形成される
ので、極めて軽くなる。この結果、可動部23の先端部
は垂れ下がることなく、可動部23と絶縁支持台17の
間隙の寸法Hは一定に保たれる。また、外部から可変容
量コンデンサに加わる振動等によって可動部23が容易
に振動するのを避けるため、可動部23の機械的共振周
波数を高く設定する。このため、第一の電極25Aと、
第二の電極25Bと、導体層26は、一般的に比重の軽
いアルミニウムの薄膜が用いられる。第一の電極25A
と、第二の電極25Bは、絶縁支持台17の表面に形成
された四角形の引き出し電極27、28とそれぞれ電気
的に接続される。なお、引き出し電極28の形状はでき
るだけ大きくして、抵抗成分の影響を小さくする。
【0024】駆動電極19は、アルミニウム、金などの
抵抗率の低い材料で形成された長方形の薄膜電極であ
る。駆動電極19の長辺の長さは可動部23の短辺と同
じであり、短辺の長さは可動部23の長辺の長さの1/
2よりも僅かに短く形成される。駆動電極19は、支持
部22と一定の間隔W2を設け、駆動電極19の長辺方
向が可動部23の短辺方向と一致するようにして、可動
部23と対向する絶縁支持台17の表面に形成される。
なお、駆動電極19の短辺は、絶縁支持台17の表面に
形成された引き出し電極29と電気的に接続される。
【0025】検出電極20は、アルミニウム、金などの
抵抗率の低い材料で形成された長方形の薄膜電極であ
る。検出電極20の長辺の長さは可動部23の短辺と同
じであり、短辺の長さは可動部23の長辺の長さの1/
2よりも僅かに短く形成される。検出電極20は、支持
部22と一定の間隔W2を設けて、検出電極20の長辺
方向が可動部23の短辺方向と一致するようにして、可
動部23と対向する絶縁支持台17の表面に形成され
る。なお、検出電極20の短辺は、絶縁支持台17の表
面に形成された引き出し電極30と電気的に接続され
る。引き出し電極30の形状はできるだけ大きくして、
抵抗成分の影響を小さくする。
【0026】次に、図3(a)乃至(e)を用いて可変
容量コンデンサの製造方法の概略について説明する。な
お、図3(a)乃至(d)は、図1(a)におけるA−
A´の断面図である。また、図3(e)は、図1(a)
における中心軸L1に平行な断面図である。
【0027】絶縁支持台17の表面に、所定形状のマス
クパタ−ンを用いて、蒸着あるいはスパッタリング等の
手段により、駆動電極19と、検出電極20と、引き出
し電極27、28、29、30が形成される。
【0028】次に、駆動電極19および検出電極20の
表面を覆うように、例えば酸化亜鉛(ZnO)からなる
厚みHの長方形板の犠牲層31が形成される。なお、犠
牲層31は、所定形状のマスクパタ−ンを用いて、蒸着
あるいはスパッタリング等の手段により形成される。
【0029】さらに、駆動電極19と向かい合う犠牲層
31の表面部分から引き出し電極27にかけて帯状の第
一の電極25Aが形成される。第一の電極25Aは、引
き出し電極27と電気的に接続される。また、駆動電極
20と向かい合う犠牲層31の表面部分から引き出し電
極28のかけて帯び状の第二の電極25Bが形成され
る。第二の電極25Bは、引き出し電極28と電気的に
接続される。なお、第一の電極25Aおよび第二の電極
25Bは、所定形状のマスクパタ−ンを用いて、蒸着あ
るいはスパッタリング等の手段により形成されアルミニ
ウムの薄膜である。
【0030】さらに、第一の電極25Aと、第二の電極
25Bと、第一の電極25Aと第二の電極25Bの間隙
を覆うように二酸化ケイ素層24が形成される。二酸化
ケイ素層24は、所定形状のマスクパタ−ンを用いて、
スッパッタリング、プラズマCVD法などの手段により
形成される。なお、犠牲層31の上部に形成される二酸
化ケイ素層24、すなわち可動部23に相当する部分
は、固定部21および支持部22に相当する部分よりも
薄く、厚みが1μm程度に形成される。
【0031】さらに、二酸化ケイ素層24の表面には、
所定形状のマスクパタ−ンを用いて、蒸着あるいはスパ
ッタリング等の手段によりアルミニウムの導体層26が
形成される。この後、化学エッチング等の手段を用い
て、犠牲層31が除去され、可変容量コンデンサが形成
される。
【0032】次に、可変容量コンデンサの動作の概略に
ついて説明する。
【0033】引き出し電極27と29を介して、第一の
電極25Aと駆動電極19の間に直流の外部バイアス電
圧を印加すると、第一の電極25Aと駆動電極19との
間にはク−ロン力が発生する。このため、可動部23
は、支持部22の上端辺を支点として駆動電極19に引
き寄せられる。一方、可動部23には、元の位置に戻ろ
うとする弾力が発生する。この結果、可動部23は、ク
−ロン力と弾力が釣り合う位置まで変位して静止する。
これに伴い、検出電極20と第二の電極25Bとの間隔
が狭まり、検出電極20と第二の電極25Bの間の静電
容量が可変する。なお、検出電極20と第二の電極25
Bの間の静電容量は、引き出し電極27と、引き出し電
極30を介して取り出される。
【0034】また、本発明の可変容量コンデンサは、駆
動電極19および第一の電極25Aと、検出電極20お
よび第二の電極25Bの間は直接に接続されていないた
め、両者の間の電気的絶縁性が保たれる。このため、図
4に示すように、抵抗7と、駆動電極19および第一の
電極25Aの間の静電容量からなるロ−パスフィルタ−
と共振回路14とは高周波的に絶縁されるので、従来の
VCOにおいて接続していたインダクタ15が不要とな
る。
【0035】(実施例2)図5および図6を用いて、本
発明に係る他の可変容量コンデンサの実施例を説明す
る。なお、実施例1と対応する構成部分は同じ番号を用
いる。また、可変容量コンデンサの製造方法の概略の説
明は、実施例1と同様なため省略する。
【0036】可変容量コンデンサは、絶縁支持台17
と、可動電極18と、駆動電極19A、19Bと、検出
電極20とから構成される。
【0037】絶縁支持台17はガラス、セラミック等の
絶縁性物質で形成された四角板である。
【0038】可動電極18は、固定部21A、21B
と、支持部22A、22Bと、可動部23とから一体に
形成される。
【0039】固定部21Aは、絶縁支持台17の一方の
端縁近くの表面に、絶縁支持台17の端縁と固定部21
Aの長辺が平行となるように固定して設けられる。固定
部21Bは、固定部21Aと所定の間隔を設けて、絶縁
支持台17の他方の端縁近くの表面に、絶縁支持台17
の端縁と固定部21Bの長辺が平行となるように固定し
て設けられる。
【0040】固定部21Aにおける絶縁支持台17の中
央部側の長辺端縁には、板状の支持部22Aが立設して
設けられる。同様に、固定部21Bにおける絶縁支持台
17の中央部側の長辺端縁には、板状の支持部22Bが
立設して設けられる。
【0041】長方形板の可動部23の長辺両端縁は支持
部22A、22Bの上端に設けられる。この結果、可動
部23は支持部22A、22Bによって支えられ、絶縁
支持台17の表面から浮いた状態で平行に保たれる。
【0042】可動電極18は二酸化ケイ素層24によっ
て形成される。可動部23の裏面には、長方形の第一の
電極25Aが一対形成される。一対の第一の電極25A
は、第一の電極25Aの長辺方向が可動部23の短辺方
向の中心軸L2と平行するようにして、かつ中心軸L2
に対して対称となるように配置される。なお、一対の第
一の電極25Aの間には、間隔W3が設けられる。
【0043】一対の第一の電極25Aの同一側の短辺端
部は可動電極18の裏面に形成されたリ−ド線32によ
り相互に電気的に接続される。さらに、リ−ド線32
は、絶縁支持台17の表面に形成された四角形の引き出
し電極28と電気的に接続される。
【0044】可動部23の裏面に設けられた一対の第一
の電極25Aの隙間W3には、長方形の第二の電極25
Bが形成される。第二の電極25Bは、第二の電極25
Bの長辺方向が中心軸L2と平行に、かつ中心軸L2に
対して対称にとなるように配置される。第二の電極25
Bの短辺端縁は、可動電極18の裏面に形成されたリ−
ド線33を介して四角形の引き出し電極27と電気的に
接続される。リ−ド線33および引き出し電極27の形
状はできるだけ大きくして、抵抗成分の影響を小さくす
る。
【0045】可動電極18の表面には導体層26が形成
される。
【0046】二酸化ケイ素層24の表面には導体層26
が形成され、二酸化ケイ素層24の裏面には一対の第一
の電極25Aと、第二の電極25Bと、リ−ド線32と
33とが形成されるため、二酸化ケイ素層24の表裏面
に発生する応力は相互に相殺され、可動電極18の反り
が防止される。
【0047】可動部23は、厚みが1μm程度に薄く形
成されるので、極めて軽くなる。この結果、可動部23
は垂れ下がることなく、可動部23と絶縁支持台17の
間隙Hは一定に保たれる。また、外部から可変容量コン
デンサに加わる振動等によって可動部23が容易に振動
するのを避けるため、可動部23の機械的共振周波数を
高く設定する。このため、第一の電極25A、第二の電
極25B、導体層26、リ−ド線32、33は、一般的
に比重の軽いアルミニウムの薄膜が用いられる。
【0048】一対の第一の電極25Aと対向する絶縁支
持台17の表面には、駆動電極19A、19Bがそれぞ
れ形成される。駆動電極19A、19Bは、アルミニウ
ム、金などの抵抗率の低い材料で形成された長方形の薄
膜電極である。駆動電極19A、19Bの長辺端部は絶
縁支持台17の表面に形成されたリ−ド線34により相
互に電気的に接続される。また、駆動電極19Aの短辺
は、絶縁支持台17の表面に形成された四角形の引き出
し電極29と電気的に接続される。
【0049】第二の電極25Bと対向する絶縁支持台1
7の表面には、アルミニウム、金などの抵抗率の低い材
料で形成された長方形の検出電極20が形成される。検
出電極20の一方の短辺は、絶縁支持台17の表面に形
成された四角形の引き出し電極30と電気的に接続され
る。引き出し電極30の形状はできるだけ大きくして、
抵抗成分の影響を小さくする。
【0050】次に、可変容量コンデンサの動作の概略に
ついて説明する。
【0051】引き出し電極28およびリ−ド線32と、
引き出し電極29を介して、一対の第一の電極25Aと
駆動電極19Aおよび19Bの間に直流の外部バイアス
電圧を印加すると、第一の電極25Aと駆動電極19A
および19Bの間にはク−ロン力が発生する。このた
め、可動部23は、支持部22Aと22Bの上端辺を支
点として駆動電極19Aおよび19Bに引き寄せられ
る。一方、可動部23には、元の位置に戻ろうとする弾
力が発生する。この結果、可動部23は、ク−ロン力と
弾力が釣り合う位置まで変位して静止する。これに伴
い、検出電極20と第二の電極25Bとの平均距離が狭
まる。この場合、第二の電極25Bは可動部23の中心
部に位置するので、図7のように、第二の電極25Bは
第一の電極25Aよりも大きく変位する。従って、検出
電極20と第二の電極25Bの間の静電容量は、両者の
平均距離の逆数に比例するため、静電容量の可変率を大
きくすることができる。なお、検出電極20と第二の電
極25Bの間の静電容量は、引き出し電極27と、引き
出し電極30を介して取り出される。
【0052】また、本発明の可変容量コンデンサは、駆
動電極19Aと19Bおよび一対の第一の電極25A
と、検出電極20および第二の電極25Bの間は直接に
接続されていないため、両者の間の電気的絶縁性が保た
れる。このため、抵抗7と、駆動電極19Aと19Bお
よび一対の第一の電極25Aの間の静電容量からなるロ
−パスフィルタ−と共振回路14とは高周波的に絶縁さ
れるので、従来のVCOにおいて接続していたインダク
タ15が不要となる。
【0053】
【発明の効果】本発明は、上述のような構成であるから
次のような効果を有する。すなわち、駆動電極と可動電
極との間に発生するクーロン力と、自らの弾力との釣り
合いを保ちながら可動部は変位する。検出電極と可動部
の間の静電容量は、この平均距離の逆数に比例する。こ
の結果、検出電極と可動部の間の静電容量を可変するこ
とができる。また、バラクタダイオードに比べて直列抵
抗が極めて小さくなる。このため、1/2πfcr
(但し、fは周波数、cは靜電容量、rは内部抵抗)で
表わされるQ値の非常に高いものが得られ周波数安定度
が向上する。さらに、可動部と検出電極との間は空気で
絶縁されているため、可変容量コンデンサの耐圧が高く
なる。
【0054】さらに、駆動電極および第一の電極と、検
出電極および第二の電極の間は電気的に接続されていな
いため、電気的絶縁性が保たれる。このため、本発明の
可変容量コンデンサを用いてVCOを製造した場合に
は、従来のVCOのように、ロ−パスフィルタ−と共振
回路の間を高周波的に絶縁するためのインダクタを設け
る必要が無くなる。この結果、VCOの回路構成が簡略
化でき、VCOを安価に製造することができる。また、
インダクタが不要となるので、VCOを小形化すること
ができる。さらに、共振回路のQ値が低下することもな
い。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る可変容量コンデンサであり、図1
(a)は斜視図であり、図1(b)は図1(a)におけ
るA−A´での断面である。
【図2】本発明に係る可変容量コンデンサの分解図であ
る。
【図3】本発明に係る可変容量コンデンサの製造方法を
示す概略図である。
【図4】本発明に係る可変容量コンデンサを用いて構成
したVCOの回路図である。
【図5】本発明に係る他の可変容量コンデンサであり、
図5(a)は斜視図であり、図5(b)は図5(a)に
おけるA−A´での断面である。
【図6】本発明に係る他の可変容量コンデンサの分解図
である。
【図7】本発明に係る他の可変容量コンデンサの、駆動
電極と第一の電極の間に、外部バイアス電圧を印加した
際の概略図である。
【図8】従来に係る可変容量コンデンサの断面図であ
る。
【図9】可変容量コンデンサを用いたVCOの基本例で
ある、コレクタ接地のコルピッツ発振回路の回路図であ
る。
【図10】図9に示すコレクタ接地のコルピッツ発振回
路を高周波帯で使用するため、ロ−パスフィルタ−と共
振回路の間にインダクタを接続して高周波的に絶縁した
回路図である。
【符号の説明】
17 絶縁支持台 18 可動電極 19 駆動電極 20 検出電極 21 固定部 22 支持部 23 可動部 24 二酸化ケイ素層 25A 第一の電極 25B 第二の電極 26 導体層

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁支持台と、該絶縁支持台の表面に形
    成された駆動電極と、該駆動電極と一定の間隔を介して
    前記絶縁支持台の表面に形成された検出電極と、前記駆
    動電極に対向して設けられた第一の電極と該検出電極に
    対向して設けられた第二の電極を備えた可動部を有する
    可動電極と、前記駆動電極および該第一の電極の間に電
    圧を印加する手段とを備え、前記駆動電極と前記第一の
    電極の間のク−ロン力と前記可動部の弾力を用いて前記
    検出電極と前記第二の電極の間の静電容量を可変するこ
    とを特徴とする可変容量コンデンサ。
  2. 【請求項2】 可動電極は、絶縁支持台の端縁近くの表
    面に形成された固定部と、該固定部の中央部側の端縁に
    立設して設けられた支持部と、該支持部の上端に前記絶
    縁支持台と平行するように設けられた可動部とからな
    り、該可動部は前記支持部の上端を支点として変位する
    ことを特徴とする請求項1記載の可変容量コンデンサ。
  3. 【請求項3】 可動電極は、絶縁支持台の向かい合う両
    端縁近くの表面に形成された一対の固定部と、該固定部
    の中央部側の端縁に立設して設けられた一対の支持部
    と、該一対の支持部の上端に前記絶縁支持台と平行する
    ように設けられた可動部とからなり、該可動部には前記
    支持部に隣接して一対の第一の電極と該一対の第一の電
    極に挟まれた第二の電極とが形成されており、該可動部
    は前記一対の支持部の上端を支点として変位することを
    特徴とする請求項1記載の可変容量コンデンサ。
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