JPH10104615A - 高分子液晶成膜方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高分子液晶を均一に成膜して高品質の一軸光
学膜を安定的に作成する。 【解決手段】 先ず配向工程を行ない、基板１の表面を
所定の配向方向に沿って配向処理する。次に塗工工程を
行ない、所定の相転移点を有する高分子液晶をシクロヘ
キサノンとメチルエチルケトンの混合物からなる溶媒に
溶かした塗剤２を所定の厚みで基板１の表面に一様な状
態で塗工する。更に乾燥工程を行ない、溶媒を蒸発させ
て塗工した塗剤２の一様な状態を維持したまま乾燥す
る。最後に整列工程を行ない、基板を一旦相転移点以上
に加熱処理した後相転移点以下の温度まで冷却し乾燥さ
れた塗剤２に含まれる高分子液晶２ａを配向方向に整列
させて一軸光学膜３を形成する。高分子液晶２ａの溶媒
としてシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合物
を用いている為、作業性、安全性、溶解性、塗布性等に
優れた塗剤を得ることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は高分子液晶の成膜方
法に関する。より詳しくは高分子液晶を一軸光学膜とし
て成膜し四分の一波長板の機能を付与する技術に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】一般に、波長板は互いに垂直な方向に振
動する直線偏光が板を通過した時、これらの間に所定の
光路差（従って位相差）を与える複屈折板（結晶板）を
いう。複屈折板の厚さをｄ、互いに垂直な電気的主軸方
向に振動する直線偏光の屈折率をｎ１，ｎ２とした時、
光路差は|ｎ１−ｎ２|ｄで与えられる。この値がλ／
４，λ／２，λ／１（λは用いる光の真空中での波長）
のものを夫々四分の一、二分の一、一波長板といい、こ
れらはπ／２，π，２πの位相板に相当する。例えば、
四分の一波長板は互いに垂直な方向に振動する直線偏光
の間に１／４波長の光路差を生ずるように厚さを決めら
れた複屈折板である。白雲母を適当な厚さに劈開した薄
板等が用いられる。あるいは、一方向に分子配向させた
合成樹脂板等が用いられる。この板に主軸方向と４５°
の方位を持つ直線偏光を入れると透過光は円偏光にな
る。四分の一波長板は様々な用途があり、例えば反射型
ゲストホスト液晶表示装置の偏光制御素子に用いられ
る。特開平６−２２２３５１号公報には四分の一波長板
を内部に組込んだ反射型ゲストホスト液晶表示装置が開
示されている。この従来構造では、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタ
レート等の高分子フィルムを一方向に分子配向させた四
分の一波長板層を用いている。しかしながら、一軸延伸
した高分子フィルムの光学異方性は必ずしも十分なもの
ではなく、四分の一波長板層として実用的に満足できる
レベルのものを得るに至っていない。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】この従来構造では、高
分子液晶からなる四分の一波長板層も開示している。例
えば、高分子液晶を加熱し、別途加熱又は冷却した基板
上に付着させて四分の一波長板層を形成する。しかしな
がら、この方法でも高分子液晶を高秩序度で分子配向さ
せることが難しく、実用的に満足できる一軸異方性の光
学膜を得るに至っていない。一般に、均一な膜厚制御が
可能な成膜方法としては、スピンコート法やバーコート
法が知られている。これらの塗工工程では有機材料を適
当な溶媒に溶かした塗剤を調製する必要がある。しかし
ながら、高分子液晶の成膜の場合、適当な溶媒の研究開
発が未だ十分に行なわれておらず、スピンコート法やバ
ーコート法を適用する上で解決すべき課題となってい
た。

【０００４】

【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
にかんがみ、本発明は高分子液晶を利用して均一且つ高
秩序度の一軸光学膜を形成することを目的とする。かか
る目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち、本発
明にかかる高分子液晶成膜方法では、先ず基板の表面を
所定の配向方向に沿って配向処理する配向工程を行な
う。次に塗工工程を行ない、所定の相転移点を有する高
分子液晶をシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混
合物からなる溶媒に溶かした塗剤を所定の厚みで該基板
の表面に一様な状態で塗工する。続いて乾燥工程を行な
い、該溶媒を蒸発させて塗工した塗剤の一様な状態を維
持したまま乾燥する。最後に整列工程を行ない、該基板
を一旦相転位点以上に加熱処理した後相転移点以下の温
度まで冷却し乾燥された塗剤に含まれる高分子液晶を該
配向方向に整列させて一軸光学膜を形成する。好ましく
は、シクロヘキサノンとメチルエチルケトンを９対１な
いし６対４の割合で混合した溶媒を用いる。

【０００５】本発明にかかる高分子液晶成膜方法はゲス
トホスト液晶表示装置の製造方法に応用できる。この場
合、先ず一方の基板の表面を所定の配向方向に沿って配
向処理する配向工程を行なう。次に塗工工程を行ない、
所定の相転移点を有する高分子液晶をシクロヘキサノン
とメチルエチルケトンの混合物からなる溶媒に溶かした
塗剤を所定の厚みで該基板の表面に一様な状態で塗工す
る。続く乾燥工程では、該溶媒を蒸発させて塗工した塗
剤の一様な状態を維持したまま乾燥する。更に整列工程
を行ない、該基板を一旦相転移点以上に加熱処理した後
相転移点下の温度まで冷却し乾燥された塗剤に含まれる
高分子液晶を該配向方向に整列させて四分の一波長板層
に加工する。この後、所定の間隙を介して該一方の基板
に他方の基板を接合する接合工程を行なう。最後に注入
工程を行ない、二色性色素を含有したゲストホスト液晶
を該間隙に注入してゲストホスト液晶表示装置を完成す
る。

【０００６】本発明によれば、高分子液晶をシクロヘキ
サノンとメチルエチルケトンの混合物からなる溶媒に溶
かした塗剤を用いて、例えばスピンコーティング法やバ
ーコート法で一軸光学膜を形成している。このシクロヘ
キサノンとメチルエチルケトンの混合溶媒は高分子液晶
に対して優れた溶解能を示し、均一な高分子液晶の塗膜
を大型の基板全面に亘って一様に塗布することができ
る。又、シクロヘキサノンやメチルエチルケトンは有機
溶媒のうちでは比較的安全な為、特殊な保護具等を使用
することなく塗工作業を行なうことが可能である。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の最
良な実施形態を詳細に説明する。図１は、本発明にかか
る高分子液晶成膜方法を示す工程図である。先ず（Ａ）
に示すように配向工程を行なう。即ち、基板１の表面を
所定の配向方向（矢印で示す）に沿って配向処理する。
例えば、基板１の表面にポリイミド（図示せず）を成膜
した後配向方向に沿ってラビングする。場合によって
は、基板１の表面を直にラビングしてもよい。次に
（Ｂ）に示すように塗工工程及び乾燥工程を行なう。塗
工工程では、所定の相転移点を有する高分子液晶２ａと
所定の沸点を有する溶媒とからなる塗剤２を所定の厚み
で基板１の表面に一様な状態で塗工する。本発明では、
溶媒としてシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混
合物を用いている。好ましくは、シクロヘキサノンとメ
チルエチルケトンを９対１ないし６対４の割合で混合し
た溶媒を用いる。この混合溶媒は高分子液晶に対して優
れた溶解能を有すると共に、極端に高くはない沸点を有
している。又、有機溶媒の中では比較的毒性の少い部類
に属する。かかる混合溶媒に高分子液晶を溶かした塗剤
を用いて塗工工程を行なう。例えば、スピンコート、バ
ーコート、ディッピング又は印刷により塗剤２を塗工す
る。スピンコートを行なう場合、塗剤の濃度やスピン回
転数等の条件を適宜設定して、形成される塗膜の厚みが
可視光領域でλ／４の位相差を生じさせるようにすれ
ば、所望の四分の一波長板層が得られる。続く乾燥工程
では、沸点以下で低温加熱処理を行ない溶媒を蒸発させ
て塗工した塗剤２（塗膜）の一様な状態を維持したまま
乾燥する。これにより、塗膜にピンホール等が発生する
ことはない。尚、この乾燥工程では、場合により真空下
で低温加熱処理を行ない、溶媒の蒸発を促進させること
ができる。最後に（Ｃ）に示すように整列工程を行な
う。この整列工程では、基板１を一旦相転移点以上に高
温加熱した後相転移点以下の温度まで徐冷し乾燥された
塗剤２に含まれる高分子液晶２ａを配向方向に整列させ
て一軸光学膜３を形成する。その厚みを適当に設定する
ことで、一軸光学膜３をそのまま四分の一波長板層とし
て用いることができる。図示するように、塗工及び乾燥
段階では塗剤２に含まれる高分子液晶２ａの液晶分子は
ランダムな整列状態にあるのに対し、高温加熱処理後で
は高分子液晶２ａの液晶分子は配向方向に沿って整列
し、所望の一軸光学異方性が得られる。具体的には、塗
剤２を塗工し且つ乾燥させた基板１を予めネマティック
相温度又はイソトロピック相温度に設定されたオーブン
に投入して加熱する。その後徐冷して室温まで戻す。こ
れによって塗工された高分子液晶２ａが予めラビング処
理しておいた基板１の配向方向に整列する。本実施例で
は沸点以下で低温加熱処理を行ない溶媒を蒸発させて塗
膜の一様な状態を維持したまま乾燥している。これに対
し、沸点以上もしくはこれに近い高温で加熱処理を行な
うとピンホール等の欠陥が塗膜に発生し良好な膜質の一
軸光学膜を安定して得ることができない。

【０００８】図２は高分子液晶の一例を示す化学構造を
表わした模式図である。（Ａ）に示す高分子液晶はアル
キル主鎖から分岐した側鎖を有している。側鎖の先端に
はペンダントとしてメトキシフェニルベンゾアートが連
結されている。側鎖のスペーサ長は炭素数ｎで２個及び
６個のものが交互に配列されている。即ち、ｎ＝２及び
ｎ＝６の側鎖が１対１の割合で主鎖に対し共重合されて
いる。この高分子液晶は例えばシクロヘキサノンとメチ
ルエチルケトン（ＭＥＫ）を８対２で混合した溶媒に溶
かして塗剤とする。この塗剤を基板に塗工して一軸光学
膜を形成する。即ち、予めラビング処理を施された基板
上にスピンコートやバーコート等によりこの塗剤を塗布
する。この他、本発明にかかる混合溶媒は種々の化学構
造を有する高分子液晶に対して優れた溶解能を有する。
例えば、（Ｂ）に示す高分子液晶は側鎖に入るペンダン
トとしてビフェニルベンゾアートを有する。即ち、アル
キル主鎖には所定の間隔でビフェニルベンゾアートを含
む側鎖が結合している。この側鎖のスペーサ長は炭素数
で６個となっている。この側鎖の先端にペンダントとし
てビフェニルベンゾアートが結合している。（Ｃ）はペ
ンダントとしてビフェニルベンゾアートに加えメトキシ
ビフェニルを有する側鎖型高分子液晶である。メトキシ
ビフェニルが結合する側鎖のスペーサ長は炭素数で２個
となっている。（Ｂ）及び（Ｃ）に示した高分子液晶は
耐溶剤性に優れている。（Ｄ）に示す高分子液晶はペン
ダントとしてビフェニルベンゾアートに加え、トランス
−４−（４′メトキシメチルシクロヘキシル）メトキシ
フェニルベンゾアートを有している。この追加された側
鎖のスペーサ長は炭素数で２個となっている。

【０００９】一般に、高分子液晶（液晶ポリマー）の溶
媒として求められる性能は４項目程ある。第１に、高分
子液晶の溶解性が良いことである。一般的には、約１５
％以上の高分子液晶が可溶である必要がある。第２に、
スピンコート、バーコート、印刷等による塗布性が良い
ことである。換言すると、濡れ性が良く沸点が約１３０
℃以上である必要がある。沸点が低過ぎると、スピンコ
ート等を行なった後で塗膜にムラ等が現われる。第３
に、毒性や引火性が無く取扱い上安全性に問題がないこ
とが挙げられる。第４に、沸点が約２２０℃以下である
ことが挙げられる。沸点があまりに高いと加熱乾燥の段
階で下地膜に熱的な悪影響を与える惧れがある。特に、
下地膜としてアクリル樹脂等からなる平坦化膜を形成し
た場合、その耐熱温度である２２０℃以下で塗膜を加熱
乾燥する必要がある。この為、溶媒の沸点は２２０℃以
下である必要がある。第２及び第４の条件により、高分
子液晶の溶媒としては沸点が約１３０℃〜２２０℃の範
囲にある有機材料を選択する必要がある。更に、この温
度条件を満たしつつ溶解性及び安全性に問題のない溶媒
を選択しなければならない。例えば、図２の（Ａ）〜
（Ｄ）に示した構造を有する高分子液晶に対する溶媒と
しては、ハロゲン系のクロロホルム、１，１，２−トリ
クロロエタン、１，１，２，２−テトラクロロエタン、
フェノール系のｏ−クロロフェノール、ｍ−クレゾール
等でも一応良好に溶解する。しかしながら、ハロゲン系
のクロロホルム、１，１，２−トリクロロエタンについ
ては沸点が低過ぎ、１，１，２，２−テトラクロロエタ
ンは毒性が高い為いずれも使用できない。又、フェノー
ル系の溶媒については特に臭気の問題が大きく、実際に
使用することは難しい。

【００１０】そこで本発明では、上述した第１ないし第
４の条件を満たす溶媒として、シクロヘキサノンとメチ
ルエチルケトンの混合溶媒を使用している。各溶媒の沸
点は、シクロヘキサノンが１５５．６５℃であり、メチ
ルエチルケトンが７９．６℃である。従って、本来シク
ロヘキサノンのみ使用することが理想的だが、シクロヘ
キサノンは溶解性が低く、（Ａ）の構造を持つ高分子液
晶に対しては単独で必要な濃度（１５wt％）溶解可能な
ものの、それ以外の（Ｂ），（Ｃ）及び（Ｄ）に示した
高分子液晶については、シクロヘキサノンを単独で用い
ると不溶な部分が残留する。そこで溶解性の高いメチル
エチルケトンを少量加えることにより、高分子液晶に対
する溶解性を全体として高めることが可能となる。この
際、メチルエチルケトンを多く加え過ぎると混合溶媒の
沸点が下がり、塗工プロセスに問題を起こす。例えば、
沸点が低過ぎるとスピンコートを行なった場合処理中に
溶媒が蒸発する為膜厚にムラができる。これらを考慮し
た場合、シクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合
割合は９対１ないし６対４の範囲が適当である。

【００１１】図３は図２の（Ａ）に示した高分子液晶を
シクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合溶媒に溶
かした塗剤を乾燥処理及び整列処理する場合の温度プロ
ファイルを示すグラフである。先ず、乾燥工程では８０
℃程度の低温で２時間程度加熱処理を行ない十分に溶媒
を蒸発させる。尚、この低温焼成の際に真空下でこれを
行うことにより、更に蒸発を促進させてもよい。これに
対し、溶媒の蒸発の為に約１００℃以上の温度で加熱す
るとピンホールが発生し、良好な塗膜が得られないこと
が実験により明らかとなっている。次に、整列工程では
加熱及び徐冷を行なう。図２の(Ａ)に示した高分子液晶
はネマティック相と液相との間の相転移点ＴＰが１１０
℃である。そこで、基板を一旦相転移点ＴＰ以上の温度
（例えば１２０℃）に高温加熱処理した後、相転移点Ｔ
Ｐ以下の温度まで徐冷し乾燥された塗剤に含まれる高分
子液晶を配向方向に整列させて一軸光学膜を形成する。
相転移点ＴＰを超える１２０℃で整列工程を行なうこと
により良好な一軸配向（良配向）を有する光学膜を安定
して作成することができる。

【００１２】更に、図４及び図５を参照して本発明にか
かる高分子液晶成膜方法を応用したゲストホスト液晶表
示装置の製造方法を説明する。先ず、図４の工程（Ａ）
で、ガラス又は石英等からなる絶縁性の基板１１の上に
薄膜トランジスタ１２を集積形成する。具体的には、高
融点金属等からなるゲート電極１３を絶縁基板１１の表
面にパタニング形成した後、その上にＣＶＤ等によりシ
リコン酸化膜又はシリコン窒化膜からなるゲート絶縁膜
１４を成膜する。その上に多結晶シリコン等からなる半
導体薄膜１５を成膜し、薄膜トランジスタ１２の素子領
域に合わせて島状にパタニングする。その上にゲート電
極１３と整合したシリコン酸化膜等からなるストッパ１
６をパタニング形成する。ストッパ１６をマスクとして
イオンドーピング又はイオンインプランテーションによ
り不純物を半導体薄膜１５に注入してボトムゲート型の
薄膜トランジスタ１２を形成する。この薄膜トランジス
タ１２を被覆するように、ＣＶＤ等で酸化シリコン等か
らなる層間絶縁膜１７を成膜する。

【００１３】工程（Ｂ）に進み、層間絶縁膜１７にコン
タクトホールを開口した後アルミニウム等をスパッタリ
ングで堆積し、所定の形状にパタニングしてソース電極
１８及びドレイン電極１９を形成する。この時同時にア
ルミニウムを利用して光反射層２０を形成する。この光
反射層２０はドレイン電極１９と同電位に接続されてい
る。この光反射層２０は凹凸が形成された樹脂膜２０ａ
とその表面に成膜されたアルミニウム膜２０ｂとからな
る。樹脂膜２０ａはフォトリソグラフィーにより凹凸が
パタニングされた感光性樹脂膜である。この感光性樹脂
膜２０ａは例えばフォトレジストからなり、基板１１の
表面に全面的に塗布される。これを所定のマスクを介し
て露光処理し、例えば円柱状にパタニング加工する。次
いで加熱してリフローを施せば凹凸形状が安定的に形成
できる。このようにして形成された凹凸形状の表面に所
望の膜厚で良好な光反射率を有するアルミニウム膜２０
ｂを形成する。凹凸の深さ寸法を数μｍに設定すれば、
良好な光散乱特性が得られ、光反射層２０は白色を呈す
る。

【００１４】工程（Ｃ）に進み、薄膜トランジスタ１２
及び光反射層２０の凹凸を埋めるように平坦化層２１を
形成する。平坦化層２１はアクリル樹脂等透明な有機物
を用いることが好ましい。その耐熱温度は約２２０℃で
ある。この平坦化層２１の表面を所定の配向方向に沿っ
て配向処理する。例えば、平坦化層２１の表面にポリイ
ミドからなる下地配向層２２を成膜した後配向方向に沿
ってラビングする。この平坦化層２１を介在させること
で下地配向層２２の成膜及びラビング処理が安定に行な
える。

【００１５】工程（Ｄ）に進み、所定の相転移点を有す
る高分子液晶をシクロヘキサノンとメチルエチルケトン
の８対２混合溶媒に溶かした塗剤を所定の厚みで下地配
向層２２の表面に一様な状態でスピンコート等により塗
工する。沸点以下で、低温加熱処理を行ない溶媒を蒸発
させて塗膜の一様な状態を維持したまま乾燥する。基板
１１を一旦相転移点以上に高温加熱処理した後相転移点
以下の温度まで徐冷し乾燥された塗剤に含まれる高分子
液晶を下地配向層２２のラビング方向に整列させて四分
の一波長板層２３に加工する。以上のように、本発明で
はシクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合溶媒を
用いている為、高分子液晶を必要な濃度（例えば１５wt
％）で安定的に溶解することが可能となった。又、スピ
ンコート等による塗布工程において、均一で良好な四分
の一波長板層２３が形成可能となった。更に、この混合
溶媒は比較的安全である為、特殊な保護具を使用する必
要がない。

【００１６】図５の工程（Ｅ）に進み、四分の一波長板
層２３、下地配向層２２及び平坦化層２１を貫通して薄
膜トランジスタ１２のドレイン電極１９に連通するコン
タクトホール２４を開口する。例えば、ドライエッチン
グ又はウェットエッチングにより上述した積層（２１，
２２，２３）をパタニングしてコンタクトホール２４を
形成する。

【００１７】工程（Ｆ）に進み、四分の一波長板層２３
の上にＩＴＯ等からなる透明導電膜を成膜し所定の形状
にパタニングして画素電極２５を得る。この画素電極２
５はコンタクトホール２４を介して薄膜トランジスタ１
２のドレイン電極１９に電気接続する。画素電極２５の
表面を被覆するように配向層２６を成膜する。例えば、
ポリイミドを溶解した配向溶剤を塗工した後乾燥して配
向層２６とする。

【００１８】最後に工程（Ｇ）に進み、所定の間隙を介
して反射側の基板１１に入射側の基板３１を接合する。
入射側の基板３１の内表面には予め対向電極３２及び配
向層３３が形成されている。この間隙にゲストホスト液
晶４０を注入すると反射型のゲストホスト液晶表示装置
が完成する。このゲストホスト液晶４０はネマティック
液晶分子４１と例えば黒色の二色性色素４２を含んでい
る。図示の例では液晶分子４１は上下に位置する一対の
配向層３３及び２６により垂直配向に制御されている。
これに倣って二色性色素４２も垂直配向している。

【００１９】続いて、（Ｇ）に示した反射型ゲストホス
ト液晶表示装置を用いて白黒表示を行なう場合の動作に
ついて参考に説明する。電圧無印加状態では液晶分子４
１は垂直方向に配向し、二色性色素４２も同様に配向す
る。上側の基板３１から入射した光は二色性色素４２に
よって吸収されずにゲストホスト液晶４０を通過し、四
分の一波長板層２３で偏光されずに光反射層２０で反射
する。反射した光は再び四分の一波長板層２３を通過
し、ゲストホスト液晶４０で吸収されずに出射する。従
って白色表示となる。一方電圧印加時には液晶分子４１
が画素電極２５及び対向電極３２の間に生じた電界に応
答して水平配向に移行する。二色性色素４２も同様に配
向する。上側の基板３１側から入射した光がゲストホス
ト液晶４０を通過すると、入射光のうち二色性色素４２
の分子の長軸方向に平行な振動面を持つ成分が二色性色
素４２によって吸収される。又、二色性色素４２の分子
の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ成分はゲストホ
スト液晶４０を通過し、反射側の基板１１に形成された
四分の一波長板層２３で円偏光とされ、光反射層２０で
反射する。この時反射光の偏光が逆回りとなり、再び四
分の一波長板層２３を通過し、二色性色素４２の分子の
長軸方向に対して平行な振動面を持つ成分となる。この
成分は二色性色素４２によって吸収されるので完全な黒
色表示となる。

【００２０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
四分の一波長板層として用いる高分子液晶を溶媒に溶解
させた後スピンコートやバーコートで基板上に塗工する
場合、溶媒としてシクロヘキサノンとメチルエチルケト
ンの混合物を使用することで、比較的安全で良好な塗布
性を有する高分子液晶の塗剤を得ることが可能になる。
シクロヘキサノンとメチルエチルケトンの混合溶媒を使
用することにより、高分子液晶を安定して必要な濃度ま
で溶解することが可能になった。又、スピンコート、バ
ーコート、印刷等による塗工工程において、均一で良好
な高分子液晶の薄膜が形成可能となった。更に、この混
合溶媒は比較的安全である為、特殊な保護具を使用する
ことなく塗工作業を行なうことが可能になった。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明にかかる高分子液晶成膜方法を示す工程
図である。

【図２】高分子液晶の一例を示す模式図である。

【図３】高分子液晶成膜方法の温度プロファイルを示す
グラフである。

【図４】本発明にかかる高分子液晶成膜方法を応用した
ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を示す工程図であ
る。

【図５】同じく製造方法を示す工程図である。

【符号の説明】

１…基板、２…塗剤、２ａ…高分子液晶、３…一軸光学
膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板の表面を所定の配向方向に沿って配
   向処理する配向工程と、 所定の相転移点を有する高分子液晶をシクロヘキサノン
   とメチルエチルケトンの混合物からなる溶媒に溶かした
   塗剤を所定の厚みで該基板の表面に一様な状態で塗工す
   る塗工工程と、 該溶媒を蒸発させて塗工した塗剤の一様な状態を維持し
   たまま乾燥する乾燥工程と、 該基板を一旦相転移点以上に加熱処理した後相転移点以
   下の温度まで冷却し乾燥された塗剤に含まれる高分子液
   晶を該配向方向に整列させて一軸光学膜を形成する整列
   工程とを行なう高分子液晶成膜方法。
2. 【請求項２】 前記塗工工程はシクロヘキサノンとメチ
   ルエチルケトンを９対１ないし６対４の割合で混合した
   溶媒を用いる請求項１記載の高分子液晶成膜方法。
3. 【請求項３】 一方の基板の表面を所定の配向方向に沿
   って配向処理する配向工程と、 所定の相転移点を有する高分子液晶をシクロヘキサノン
   とメチルエチルケトンの混合物からなる溶媒に溶かした
   塗剤を所定の厚みで該基板の表面に一様な状態で塗工す
   る塗工工程と、 該溶媒を蒸発させて塗工した塗剤の一様な状態を維持し
   たまま乾燥する乾燥工程と、 該基板を一旦相転移点以上に加熱処理した後相転移点以
   下の温度まで冷却し乾燥された塗剤に含まれる高分子液
   晶を該配向方向に整列させて四分の一波長板層に加工す
   る整列工程と、 所定の間隙を介して該一方の基板に他方の基板を接合す
   る接合工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
   する注入工程とを行なうゲストホスト液晶表示装置の製
   造方法。