JPH10293301A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造歩留
りを高めるとともに表示特性を改善する。 【解決手段】 反射型ゲストホスト液晶表示装置は入射
側に配置される基板１と、所定の間隙を介して基板１に
接合し反射側に配置される基板２とを用いて組み立てら
れる。両基板１，２の間隙内にはゲストホスト液晶層３
と光反射層５と四分の一波長板層４とが介在している。
ゲストホスト液晶層３は二色性色素７が添加されてお
り、基板１側に位置する。四分の一波長板層４は基板２
側に位置しゲストホスト液晶層３と光反射層５の間に介
在する。基板１及び２にはそれぞれゲストホスト液晶層
３に電圧を印加する対向電極８及び画素電極９が形成さ
れている。四分の一波長板層４は一軸配向された液晶性
高分子からなり、その分子量分布が一軸配向性と耐溶剤
性を両立させる様に調整されている。液晶性高分子は数
平均分子量が約５００００以下で且つ分子量が約１００
００以下の低分子領域を除去若しくは低減化したもので
ある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置に関する。より詳しくは、四分の一波長板
層と光反射層とを内蔵して入射光の利用効率を改善した
集積型偏光変換ゲストホスト液晶表示装置に関する。更
に詳しくは、四分の一波長板層を構成する液晶性高分子
の組成に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積型偏光変換ゲストホスト液晶表示装
置は例えば特開平６−２２２３５１号公報に開示されて
おり、図７にその構造を模式的に示す。図示する様に、
この反射型液晶表示装置１０１は基本的に、上下一対の
基板１０２及び１０３、ゲストホスト液晶層１０４、二
色性色素１０５、透明電極１０６及び１１０、配向膜１
０７及び１１１、光反射層１０８、四分の一波長板層１
０９などを含んでいる。上下一対の基板１０２及び１０
３は例えばガラス、石英、プラスチックなどの絶縁性を
有する材料からなり、少くとも上側の基板１０２は透明
性を有する。基板１０２及び１０３の間隙には二色性色
素１０５を含むゲストホスト液晶層１０４が介在してい
る。この液晶層１０４はネマティック液晶分子１０４ａ
を主体としている。これに含有された二色性色素１０５
はその分子の長軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを
有する、所謂ｐ型色素である。上側の基板１０２の内表
面１０２ａには図示しないがスイッチング素子が形成さ
れている。透明電極１０６はマトリクス状にパタニング
された画素電極であって、対応するスイッチング素子に
より駆動される。スイッチング素子と画素電極１０６と
が形成された基板１０２の内表面１０２ａには、更にポ
リイミド樹脂などからなる配向膜１０７が形成されてい
る。この配向膜１０７の表面はラビング処理を施されて
おり、液晶分子１０４ａは水平配向している。一方、下
側の基板１０３の内表面１０３ａにはアルミニウムなど
からなる光反射層１０８と四分の一波長板層１０９とが
この順に形成されている。この四分の一波長板層１０９
は例えば一軸配向された液晶性高分子からなる。更に、
この四分の一波長板層１０９の表面には透明電極１１０
と配向膜１１１がこの順に形成される。配向膜１１１は
対面する配向膜１０７と同様に、例えばポリイミド樹脂
からなり、その表面はラビング処理を施されている。

【０００３】続いて反射型液晶表示装置１０１を用いて
白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説明する。電圧無
印加状態では液晶分子１０４ａは配向膜１０７及び１１
１のラビング方向に沿って水平に配向し、二色性色素１
０５も同様に配向する。上側の基板１０２側から入射し
た光がゲストホスト液晶層１０４に進入すると、入射光
のうち二色性色素１０５の分子の長軸方向と平行な振動
面を持つ成分が二色性色素１０５によって吸収される。
また、二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して垂直
な振動面を持つ入射光の成分はゲストホスト液晶層１０
４を通過し、下側の基板１０３の表面１０３ａに形成さ
れた四分の一波長板層１０９で円偏光とされ、光反射層
１０８で反射する。この時、反射光の偏光方向が逆回り
となり、再び四分の一波長板層１０９を通過し、二色性
色素１０５の分子の長軸方向に対して平行な振動面を持
つ光となる。この光は二色性色素１０５によって吸収さ
れるので、ほぼ完全な黒色表示となる。一方、電圧印加
時には液晶分子１０４ａは電界方向に沿って垂直に配向
し、二色性色素１０５も同様に配向する。上側の基板１
０２側から入射した光は二色性色素１０５によって吸収
されずにゲストホスト液晶層１０４を通過し、四分の一
波長板層１０９で実質的な影響を受けることなく光反射
層１０８で反射する。反射した光は、再び四分の一波長
板層１０９を通過し、ゲストホスト液晶層１０４で吸収
されずに出射する。従って白色表示となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図７に示した従来構造
では、四分の一波長板層１０９として一軸配向された液
晶性高分子が用いられている。その上にはゲストホスト
液晶層１０４に対する配向膜１１１が形成されている。
この配向膜１１１は例えばポリイミド若しくはポリアミ
ック酸を溶解した溶剤を塗工乾燥して形成される。しか
しながら、従来の液晶性高分子は耐溶剤性に劣ってお
り、その上に塗工される配向溶剤によりダメージを受
け、光学的な一軸異方性を消失してしまい、四分の一波
長板層としての機能が損なわれるという課題があった。
なお、液晶性高分子の耐溶剤性を上げる為、単純に重合
度を高めて分子量を大きくすることが考えられる。しか
しながら、分子量が大きくなると液晶性高分子は液晶特
有の配向性を呈さなくなる為、四分の一波長板層として
必要な一軸異方性を得ることができない。

【０００５】

【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に以下の手段を講じた。即ち、本発明に係
る反射型ゲストホスト液晶表示装置は基本的な構成とし
て、入射側に配置される第１基板と、所定の間隙を介し
て該第１基板に接合し反射側に配置される第２基板と、
該間隙内で第１基板側に位置し二色性色素が添加された
ゲストホスト液晶層と、該間隙内で第２基板側に位置す
る光反射層と、該ゲストホスト液晶層と該光反射層の間
に介在する四分の一波長板層と、該第１基板側及び第２
基板側にそれぞれ形成され該ゲストホスト液晶層に電圧
を印加する電極とを備えている。特徴事項として、前記
四分の一波長板層は一軸配向された液晶性高分子からな
り、その分子量が一軸配向性と耐溶剤性を両立させる様
に調整されている。具体的には、前記液晶性高分子は数
平均分子量が約５００００以下で且つ分子量が約１００
００以下の低分子領域を除去若しくは低減化したもので
ある。なお、前記液晶性高分子は例えばアルキル主鎖か
ら分かれた側鎖にペンダントとしてビフェニルベンゾア
ートを導入した分子構造を有している。

【０００６】本発明によれば、四分の一波長板層を内部
に組み込んだ集積型偏光変換ゲストホスト液晶表示装置
において、四分の一波長板層を構成する液晶性高分子
（液晶ポリマー）の分子量分布を調整し、耐溶剤性と配
向性を両立させる様に最適化している。即ち、分子量が
約１００００以下の低分子領域を除去若しくは低減化し
て耐溶剤性を高めるとともに、数平均分子量を約５００
００以下に抑えて一軸配向性を確保している。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明の最良
な実施形態を詳細に説明する。図１は本発明に係る反射
型ゲストホスト液晶表示装置の基本的な構成を示す部分
断面図である。図示する様に、本装置は集積型偏光変換
ゲストホスト液晶表示装置であり、入射側に配置される
第１の基板１と、所定の間隙を介して基板１に接合し反
射側に配置される第２の基板２とを用いて組み立てられ
ている。両基板１，２の間隙内には少くともゲストホス
ト液晶層３と、四分の一波長板層４と、光反射層５とが
介在している。ゲストホスト液晶層３は間隙内で入射側
の基板１側に位置し、垂直配向したネマティック液晶分
子６と二色性色素７を含んでいる。光反射層５は間隙内
で反射側の基板２側に位置する。四分の一波長板層４は
ゲストホスト液晶層３と光反射層５の間に介在する。入
射側の基板１の内表面には対向電極８が形成され、反射
側の基板２の内表面には画素電極９が形成されており、
両者の間に保持されたゲストホスト液晶層３に信号電圧
を印加する。なお、これらの電極８，９の表面はそれぞ
れ配向膜１０，１１で被覆されており、前述した様にゲ
ストホスト液晶層３を垂直配向する。電圧無印加状態で
はゲストホスト液晶表示装置は透過状態にあり、電圧印
加では着色状態に変化する。なお、本例ではゲストホス
ト液晶層３が垂直配向されているが、これに代えて図７
に示した様に水平配向を選択してもよい。

【０００８】本ゲストホスト液晶表示装置はアクティブ
マトリクス型であり、反射側の基板２には画素電極９の
スイッチング駆動用に薄膜トランジスタ１２が集積形成
されている。薄膜トランジスタ１２はボトムゲート型で
あり、下から順にゲート電極１３、ゲート絶縁膜１４、
半導体薄膜１５、ストッパ１６を積層したものである。
この薄膜トランジスタ１２は層間絶縁膜１７により被覆
されており、その上にはソース電極１８及びドレイン電
極１９がパタニング形成され、コンタクトホールを介し
て薄膜トランジスタ１２に接続する。前述した光反射層
５も層間絶縁膜１７の上にパタニング形成されておりド
レイン電極１９と同電位である。薄膜トランジスタ１２
及び凹凸を有する光反射層５は平坦化層２０で被覆され
ており、その上に下地配向層２１を介して上述した四分
の一波長板層４が成膜されている。更に、四分の一波長
板層４の上にパタニング形成された画素電極９は、四分
の一波長板層４及び平坦化層２０に開口したコンタクト
ホール２２を介してドレイン電極１９に電気接続してい
る。このコンタクトホール２２の開口処理は例えばポジ
型のフォトレジストを用いたフォトリソグラフィ及びエ
ッチングにより行なわれる。又、配向膜１１は画素電極
９及び四分の一波長板層４の表面に垂直配向溶剤を塗工
して形成される。例えば、ポリイミド又はポリアミック
酸を溶媒に溶かした垂直配向溶剤が用いられる。溶媒と
しては極性の高いものが必要であり、中でもｎ−メチル
−２−ピロリドン（ＮＭＰ）が頻繁に用いられる。本実
施形態では、垂直配向溶剤として、ポリイミド又はポリ
アミック酸の固形分濃度が５．０％で、ＮＭＰを主溶媒
としブチルセロソルブを希釈液に用いている。ＮＭＰと
ブチルセロソルブは１：３の割合で混合してある。

【０００９】本発明の特徴事項として、四分の一波長板
層４は一軸配向された液晶性高分子からなり、その分子
量分布が一軸配向性と耐溶剤性を両立させる様に調整さ
れている。具体的には、液晶性高分子は数平均分子量が
約５００００以下で且つ分子量が約１００００以下の低
分子量領域を除去若しくは低減化したものである。液晶
性高分子は例えばアルキル主鎖から分かれた側鎖にペン
ダントとしてビフェニルベンゾアートを導入した材料を
用いることができる。

【００１０】図２の（Ａ）は側鎖型液晶性高分子の化学
構造を示す模式図である。側鎖に入るペンダントとして
ビフェニルベンゾアートを有する液晶性高分子を示して
いる。即ち、アルキル主鎖には所定の間隔で側鎖が結合
している（図では一個の側鎖のみ示している）。この側
鎖のスペース長は炭素数で６となっているが本発明はこ
れに限られるものではない。この側鎖の先端にペンダン
トとしてビフェニルベンゾアートが結合している。

【００１１】図２の（Ｂ）は、（Ａ）に示した液晶性高
分子の調整前における分子量分布を示すグラフである。
数平均分子量は約２４０００であり、分散は約２．２５
である。分子量が２０００以下の分子を含んでおり、分
子量が１００００程度の部分にもピークがある。分子量
が約１００００以下の低分子領域にある程度分布を有す
る為、調整前の液晶性高分子は耐溶剤性に劣る。例え
ば、調整前の液晶性高分子で四分の一波長板層を形成す
ると、後工程で塗工される配向溶剤に含まれるＮＭＰの
影響でダメージを受け、一軸配向性が損なわれる。調整
前の段階では、ＮＭＰに対する液晶性高分子の溶解開始
温度は３５℃程度である。常温付近で溶解し、特に低分
子領域については常温以下で溶解する為歩留りの悪化を
生じていた。なお、溶解開始温度は四分の一波長板層の
リターデーションが３％以上低下するポイントで定義し
た。液晶性高分子は一軸配向すると屈折率異方性が表わ
れる。屈折率異方性の尺度は互いに直交する光軸に沿っ
た屈折率の差（Δｎ）で示される。液晶性高分子の厚み
ｄとΔｎの積がリターデーションと呼ばれており、この
値がλ／４（λは入射光の波長）となる様に設定するこ
とで、四分の一波長板層としての光学特性を示す様にな
る。調整前の液晶性高分子は３５℃でＮＭＰに対する溶
解が始まり、リターデーションの変化が３％以上とな
る。

【００１２】（Ｃ）は調整後における液晶性高分子の分
子量分布を表わしている。この調整では、溶媒抽出によ
り低分子領域を選択的に除去若しくは低減化している。
グラフから明らかな様に、２０００以下の分子はほぼ完
全に除去され、分子量が１００００付近のピークも低減
化されている。この様に、低分子領域を除去した液晶性
高分子（液晶ポリマー）を使用することにより、耐熱性
は約１５℃向上し、ＮＭＰに対する溶解開始温度が５０
℃まで上昇した。なお、単純に低分子領域を除去して数
平均分子量が約５００００を超えると、例えば分散が約
２の場合、一軸配向性が著しく損なわれ四分の一波長板
層として設計通りに機能しなくなる。更に、一軸配向の
乱れによる散乱の為、表示の黒レベルが薄くなりコント
ラストが悪化する。従って、分子量が約１００００以下
の低分子量領域を選択的に除去及び低減化するととも
に、数平均分子量が約５００００以下となる様に調整す
ることが重要である。

【００１３】次に、図３及び図４を参照して、図１に示
した反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細
に説明する。まず図３の工程（Ａ）で、絶縁性の基板２
の表面に薄膜トランジスタ１２を集積形成する。更に、
この薄膜トランジスタ１２を層間絶縁膜１７で被覆す
る。工程（Ｂ）に進み、層間絶縁膜１７の上に光反射層
５を形成する。この光反射層５は凹凸面を有しており、
光散乱性であって、表示色を所謂ホワイトペーパーにす
ることができる。同時に、薄膜トランジスタ１２と接続
するソース電極１８及びドレイン電極１９をパタニング
形成する。工程（Ｃ）に進み、薄膜トランジスタ１２及
び凹凸を有する光反射層５を透明なアクリル樹脂などか
らなる平坦化層２０で被覆する。その表面に下地配向層
２１を形成する。この下地配向層２１は例えばラビング
処理されたポリイミド膜からなり、四分の一波長板層に
対して所望の一軸配向性を付与する機能を有する。工程
（Ｄ）に進み、下地配向層２１の上に四分の一波長板層
４を形成する。前述した様に、この四分の一波長板層４
は図２の（Ａ）に示した液晶性高分子からなり、あらか
じめ分子量分布が調整されているので優れた耐溶剤性を
有するとともに、一軸配向性も兼ね備えている。

【００１４】図４の工程（Ｅ）に進み、四分の一波長板
層４の表面に例えばポジ型のフォトレジスト４ａを塗布
する。このフォトレジスト４ａを露光現像し、ドレイン
電極１９に整合した窓４ｂを設ける。この時、四分の一
波長板層４は充分な耐溶剤性を備えており、フォトレジ
スト４ａの塗膜に含まれた溶媒に対して溶解することが
ない。工程（Ｆ）に進み、パタニングされたフォトレジ
ストをマスクとしてエッチングを行ない、四分の一波長
板層４、下地配向層２１及び平坦化層２０を貫通してド
レイン電極１９に連通するコンタクトホール２２を開口
する。このエッチングでは有機溶剤を用いたウェットエ
ッチング又は酸素プラズマの照射によるドライエッチン
グを採用することができる。工程（Ｇ）に進み、四分の
一波長板層４の表面にＩＴＯなどからなる透明導電膜を
成膜する。更に、この透明導電膜をパタニングして画素
電極９に加工する。この結果、画素電極９はコンタクト
ホール２２を介して薄膜トランジスタ１２のドレイン電
極１９に接続される。最後に工程（Ｈ）に進み、画素電
極９の表面及び四分の一波長板層４の露出した表面に対
して有機配向膜１１を塗工する。具体的には、ポリイミ
ド又はポリアミック酸をＮＭＰに溶解した配向溶剤を塗
布及び乾燥して配向膜１１とする。この時、四分の一波
長板層４を構成する液晶性高分子は充分な耐溶剤性を備
えており、配向溶剤に含まれる溶媒に溶解することがな
い。この後、あらかじめ対向電極及び配向膜を成膜した
入射側の基板を所定の間隙で反射側の基板２に接合し、
この間隙にゲストホスト液晶を注入すれば、図１に示し
た反射型ゲストホスト液晶表示装置の完成となる。

【００１５】図５を参照して四分の一波長板層の形成方
法を詳細に説明する。なお、図５では理解を容易にする
為基板表面に直接四分の一波長板層を成膜する場合を例
に挙げている。まず配向工程（Ａ）を行ない、ガラスや
石英などの絶縁性を有する基板５１の表面を所定の配向
方向に沿って配向処理する。例えば、基板５１の表面に
ポリイミドフィルムを成膜した後、配向方向に沿ってこ
のポリイミドフィルムをラビングすればよい。場合によ
っては、基板５１の表面を直にラビングしてもよい。次
に成膜工程（Ｂ）を行ない、側鎖型液晶性高分子５２を
所定の膜厚で基板５１の上に塗工する。本例では側鎖型
液晶性高分子５２として図２の（Ａ）に示した組成のも
のを用いており、ペンダントとしてビフェニルベンゾア
ートを備えている。この側鎖型液晶性高分子は所定の転
移点を境にして高温側の液相と低温側の液晶相との間を
相転移する。液晶性高分子を適当な溶媒に溶解させ、ス
ピンコート、ワイヤコートあるいは各種の印刷などによ
り、既に配向処理を施された基板５１の表面に塗布す
る。溶媒としては、例えばシクロヘキサノンとメチルエ
チルケトン（ＭＥＫ）を８：２の割合で混合した溶液を
使用することができる。スピンコートを行なう場合、溶
液の濃度やスピン回転数の条件を適宜設定して、形成さ
れる塗膜の厚みが可視光領域でλ／４の位相差を生じさ
せる様にする。液晶性高分子５２の溶液を塗工した後溶
媒が蒸発するのに充分な温度で加熱乾燥する。最後に温
度処理工程（Ｃ）を行ない、基板５１を一旦転移点以上
に加熱した後転移点以下の室温まで除冷し、成膜された
液晶性高分子５２を配向方向に整列させて四分の一波長
板層５３を形成する。この四分の一波長板層５３は一軸
光学薄膜である。なお、場合によっては液晶相で一定時
間放置することにより所望の一軸配向を得ることも可能
である。図示する様に、成膜段階では液晶性高分子５２
に含まれる液晶分子のペンダントはランダムな状態にあ
るのに対し、温度処理工程後では液晶分子は配向方向に
沿って整列し、所望の一軸光学異方性が得られる。前述
した様に、液晶性高分子は数平均分子量が約５００００
以下に調整されている為、所望の一軸配向を得ることが
可能である。

【００１６】加えて、分子量が約１００００以下の低分
子領域を選択的に除去若しくは低減化しているので、優
れた耐溶剤性を備えている。例えば、有機配向膜の塗膜
材料としてポリイミド若しくはポリアミック酸をＮＭＰ
に溶かした溶剤に対しては約５０℃まで不要となる。従
って、図４の（Ｈ）に示した工程では、有機配向膜１１
の溶液を塗工した後例えば４５℃で真空ベイクし、溶媒
を充分に蒸発させてやることで、特にバッファ層を用い
ることなく四分の一波長板層４の上に直接有機配向膜１
１を成膜することが可能である。なお、５０℃程度で充
分に真空ベイクすれば、その後１００℃程度で大気ベイ
クすることにより溶媒の蒸発を更に促進することも可能
である。

【００１７】最後に図６を参照して、図４の工程（Ｈ）
に示した配向膜の形成方法を具体的に説明する。なお、
図６では理解を容易にする為基板７１の上にパタニング
形成された電極７２の上に有機配向膜７３ａを成膜する
場合を挙げている。この成膜方法は、そのまま図４の工
程（Ｈ）に応用可能なものである。まず塗工工程（Ａ）
を行ない、あらかじめ電極７２が形成された反射型ゲス
トホスト液晶表示装置用の基板７１の表面に配向溶剤を
塗工して有機塗工膜７３を形成する。この塗工工程は例
えばスピンコート法若しくは印刷法によって行なう。な
お、この塗工工程に先立って基板７１はあらかじめ洗浄
されている。本例では配向溶剤としてポリイミド又はポ
リアミック酸をＮＭＰなどの溶媒に溶かした液体を用い
ている。次に乾燥工程（Ｂ）を行なう。即ち、比較的低
い温度で基板７１を加熱し、その表面に塗布された配向
溶剤を乾燥して有機配向膜７３ａを形成する。例えば、
塗布された配向溶剤を５０℃程度の温度で真空加熱し、
溶媒を飛ばしている。更にラビング工程（Ｃ）を行な
う。即ち、有機配向膜７３ａを回転ローラ７４に巻付け
られたバフ材７５で一定の方向（矢印で示す）にラビン
グしてゲストホスト液晶に対する配向能を付与する。

【００１８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
反射型ゲストホスト液晶表示装置に内蔵される四分の一
波長板層は一軸配向された液晶性高分子からなり、その
分子量分布が一軸配向性と耐溶剤性を両立させる様に調
整されている。即ち、液晶性高分子は数平均分子量が約
５００００以下に調整されている為一軸配向性を確保で
きるとともに、分子量が約１００００以下の低分子領域
を除去若しくは低減化している為耐溶剤性を確保するこ
とができる。これにより、反射型ゲストホスト液晶表示
装置の製造歩留りが向上するとともに、コントラストな
ど表示特性も向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る反射型ゲストホスト液晶表示装置
の構成を示す部分断面図である。

【図２】反射型ゲストホスト液晶表示装置に組み込まれ
る四分の一波長板層を構成する側鎖型液晶性高分子の化
学構造並びに分子量分布を示す模式図である。

【図３】図１に示した反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。

【図４】同じく製造方法を示す工程図である。

【図５】四分の一波長板層の成膜方法を示す工程図であ
る。

【図６】配向膜の成膜方法を示す工程図である。

【図７】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す部分断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・基板、３・・・ゲストホスト液
晶層、４・・・四分の一波長板層、５・・・光反射層、
６・・・液晶分子、７・・・二色性色素、８・・・対向
電極、９・・・画素電極、１０・・・配向膜、１１・・
・配向膜、１２・・・薄膜トランジスタ、２０・・・平
坦化層、２１・・・下地配向層、２２・・・コンタクト
ホール

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射側に配置される第１基板と、所定の
   間隙を介して該第１基板に接合し反射側に配置される第
   ２基板と、該間隙内で第１基板側に位置し二色性色素が
   添加されたゲストホスト液晶層と、該間隙内で第２基板
   側に位置する光反射層と、該ゲストホスト液晶層と該光
   反射層の間に介在する四分の一波長板層と、該第１基板
   側及び第２基板側に夫々形成され該ゲストホスト液晶層
   に電圧を印加する電極とを備えた反射型ゲストホスト液
   晶表示装置であって、 前記四分の一波長板層は一軸配向された液晶性高分子か
   らなり、その分子量分布が一軸配向性と耐溶剤性を両立
   させる様に調整されていることを特徴とする反射型ゲス
   トホスト液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記液晶性高分子は数平均分子量が約５
   ００００以下で且つ分子量が約１００００以下の低分子
   量域を除去若しくは低減化したことを特徴とする請求項
   １記載の反射型ゲストホスト液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記液晶性高分子はアルキル主鎖から分
   かれた側鎖にペンダントとしてビフェニルベンゾアート
   を導入したことを特徴とする請求項１記載の反射型ゲス
   トホスト液晶表示装置。