JPH10293328A - 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法
において、四分の一波長板層にダメージを与えることな
くその上に液晶の配向層を形成する。 【解決手段】 まず、基板２に光反射層８を形成する。
この光反射層８の上に一軸配向した高分子液晶からなる
四分の一波長板層９を形成する。この四分の一波長板層
９の上に画素電極１１を形成する。更に、画素電極１１
の上及び画素電極１１の間に露出した四分の一波長板層
９の上にトリエチレングリコールジメチルエーテルを溶
媒にした垂直配向剤を塗工して配向層１２を形成する。
この後、あらかじめ対向電極６が形成された基板１を所
定の間隙を介して基板２に接合する。最後に、二色性色
素を含有したゲストホスト液晶３を両基板１，２の間隙
に注入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は反射型ゲストホスト
液晶表示装置の製造方法に関する。より詳しくは、偏光
変換素子として四分の一波長板層をパネル内に集積形成
して入射光の利用効率を改善する技術に関する。更に詳
しくは、耐溶剤性に劣る四分の一波長板層の上に配向層
を安定して形成する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】偏光変換素子として四分の一波長板層を
パネル内に内蔵した反射型ゲストホスト液晶表示装置が
知られており、例えば特開平６−２２２３５１号公報に
開示されている。図７に示す様に、このゲストホスト液
晶表示装置１０１は上下一対の基板１０２及び１０３を
用いて組み立てられている。一対の基板１０２及び１０
３は例えばガラス、石英、プラスチックなどの絶縁性を
有する材料からなり、少くとも上側の基板１０２は透明
性を有する。基板１０２及び１０３間にはネマティック
液晶分子１０４ａ及び二色性色素１０５を含むゲストホ
スト液晶１０４が介在している。二色性色素１０５はそ
の分子の長軸にほぼ平行な遷移双極子モーメントを有す
るｐ型色素である。上側の基板１０２の内表面１０２ａ
には図示しないが、ＭＩＭなどの二端子素子やＴＦＴな
どの三端子素子からなるスイッチング素子と、画素電極
１０６とが形成されている。スイッチング素子と画素電
極１０６とが形成された上側の基板１０２の内表面１０
２ａには、更にポリイミド樹脂などからなる配向層１０
７が形成される。この配向層１０７の表面はネマティッ
ク液晶分子１０４ａを水平配向させる為にラビング処理
が施されている。一方、下側の基板１０３の内表面１０
３ａには光反射層１０８と四分の一波長板層１０９とが
この順に形成される。四分の一波長板層１０９は一軸配
向した高分子液晶からなる。これは高分子液晶を加熱
し、別途加熱又は冷却した基板１０３に付着させて形成
される。又、四分の一波長板層１０９の表面には対向電
極１１０と配向層１１１とがこの順に形成される。配向
層１１１は上側の配向層１０７と同様にポリイミド樹脂
などからなり、その表面はラビング処理が施されてい
る。

【０００３】続いて、反射型ゲストホスト液晶表示装置
１０１を用いて白黒表示を行なう場合の動作を簡潔に説
明する。電圧無印加状態では、液晶分子１０４ａは上下
の配向層１０７及び１１１のラビング方向に沿って水平
配向し、二色性色素１０５も同様に配向する。上側の基
板１０２側から入射した光がゲストホスト液晶１０４を
通過すると、入射光のうち二色性色素１０５の分子の長
軸方向に対して平行な振動面を持つ成分が二色性色素１
０５によって吸収される。また、二色性色素１０５の分
子の長軸方向に対して垂直な振動面を持つ他の成分はゲ
ストホスト液晶１０４を通過し、下側の基板１０３の内
表面１０３ａに形成された四分の一波長板層１０９で円
偏光とされ、光反射層１０８で反射する。この時、反射
光の偏光が逆回りとなり、再び四分の一波長板層１０９
を通過し、二色性色素１０５の分子の長軸方向に対して
平行な振動面を持つ光に変換される。この光は二色性色
素１０５によって吸収されるのでほぼ完全な黒色表示と
なる。一方、電圧印加時にはネマティック液晶分子１０
４ａは電界方向に沿って垂直に配向し、二色性色素１０
５も同様に配向する。上側の基板１０２側から入射した
光は二色性色素１０５によって吸収されずにゲストホス
ト液晶１０４を通過し、四分の一波長板層１０９で実質
的な影響を受けることなく光反射層１０８で反射する。
反射光は再び四分の一波長板層１０９を通過し、ゲスト
ホスト液晶１０４で吸収されずに出射する。従って白色
表示となる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】図７に示した従来構造
では四分の一波長板層として一軸配向した高分子液晶を
用いている。この高分子液晶は比較的耐溶剤性に劣り、
極性溶媒などに対して容易に溶解もしくは膨潤し一軸配
向性が失われる。一般に、四分の一波長板層１０９の上
にはゲストホスト１０４に対する配向層１１１が形成さ
れる。例えば、ポリイミド樹脂をｎ−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ）やγ−ブチロラクトンなどの溶媒に溶
解した配向剤を塗工し、溶媒を蒸発させてポリイミド樹
脂からなる配向層１１１を形成している。この場合、四
分の一波長板層１０９を構成する高分子液晶が配向剤に
含まれる溶媒に溶解してしまい一軸異方性が喪失する恐
れがある。従って、従来の構造では現実的な手段として
ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）を用いた水溶性の配向
剤を用いる他なかった。しかしながら、ＰＶＡからなる
配向層は図７に示す様に、液晶分子１０４ａを水平配向
させることはできるが、垂直配向することは不可能であ
る。表示品質から見ると、水平配向タイプのゲストホス
ト液晶表示装置に比べ垂直配向タイプのゲストホスト液
晶表示装置の方がコントラストなどの点で優れているに
も関わらずこれが実現できなかった。即ち、四分の一波
長板層の耐溶剤性に起因して配向剤の選択肢に制限があ
る為、現実的なプロセスで垂直配向タイプのゲストホス
ト液晶表示装置を作成することが困難であった。

【０００５】

【課題を解決する為の手段】上述した従来の技術の課題
を解決する為に、以下の手段を講じた。即ち、反射型ゲ
ストホスト液晶表示装置は本発明に従って以下の工程に
より製造される。まず第１工程で、第１の基板に光反射
層を形成する。第２工程で、該光反射層の上に一軸配向
した高分子液晶からなる四分の一波長板層を形成する。
第３工程で、該四分の一波長板層の上に電極を形成す
る。第４工程で、該電極の上及び電極の間に露出した四
分の一波長板層の上にトリエチレングリコールジメチル
エーテルを溶媒にした垂直配向剤を塗工して配向層を形
成する。第５工程で、予め電極が形成された第２の基板
を所定の間隙を介して該第１の基板に接合する。第６工
程で、二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙
に注入する。

【０００６】好ましくは、前記第４工程は、ポリアミッ
ク酸又はポリイミドをトリエチレングリコールジメチル
エーテルに溶解した垂直配向剤を塗工する。又好ましく
は、前記第４工程は垂直配向剤をジエチレングリコール
ジエチルエーテルで希釈した状態で塗工する。更に好ま
しくは、前記第４工程は垂直配向剤を塗工した後３５℃
ないし５５℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層を
形成する。なお、前記第２工程は例えばアルキル主鎖か
ら分かれた側鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高
分子液晶を成膜して四分の一波長板層を形成する。

【０００７】四分の一波長板層を内部に組み込んだ反射
型ゲストホスト液晶表示装置において、ゲストホスト液
晶の配向を規制する為ポリイミドやポリアミック酸など
からなる配向層を使用する。しかし、四分の一波長板層
を構成する高分子液晶（液晶ポリマー）は耐溶剤性の低
いものが多く、従来用いられていたポリイミドやポリア
ミック酸の溶媒であるＮＭＰやγ−ブチロラクトンなど
に溶解してしまう。そこで、本発明では従来の溶媒に代
えてトリエチレングリコールジメチルエーテルを用いて
いる。これはポリイミドやポリアミック酸に対して優れ
た相溶性を備えているとともに、四分の一波長板層を構
成する高分子液晶に対しては従来のＮＭＰやγ−ブチロ
ラクトンなどに比べ溶解性が低い。従って、トリエチレ
ングリコールジメチルエーテルを溶媒にした垂直配向剤
を用いることにより、四分の一波長板層に悪影響を与え
ることなくその上に安定的に垂直配向層を形成すること
が可能である。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明に係る
反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳細に説
明する。図１は、反射型ゲストホスト液晶表示装置の基
本的な構成を示す部分断面図である。図示する様に、本
発明に従って製造された反射型ゲストホスト液晶表示装
置は所定の間隙を介して互いに接合した上下一対の基板
１，２とこの間隙に保持されたゲストホスト液晶３とを
備えている。このゲストホスト液晶３はネマティック液
晶分子４を主体とし且つ二色性色素５を含有したもので
る。入射側となる上側の基板１には少くとも対向電極６
及び配向層７がこの順で形成されている。

【０００９】反射側となる下側の基板２には下から順に
少くとも光反射層８、四分の一波長板層９、画素電極１
１及び配向層１２が積層されている。四分の一波長板層
９は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の液晶高分子からな
る。配向層１２は配向剤を塗工してラビングした有機塗
工膜からなる。ゲストホスト液晶３を上下から挟持する
配向層７及び１２はネマティック液晶分子４を垂直配向
し、これに倣って二色性色素５も垂直配向している。特
徴事項として、画素電極１１及び各画素電極１１の間に
露出した四分の一波長板層９の上に、トリエチレングリ
コールジメチルエーテル（ＤＭＴＧ）を溶媒にした垂直
配向剤を塗工して配向層１２を形成する。具体的には、
ポリアミック酸又はポリイミドをＤＭＴＧに溶解した垂
直配向剤を塗工して配向層１２を形成する。この場合、
垂直配向剤を更にジエチレングリコールジエチルエーテ
ル（ＤＥＤＧ）で希釈した状態でスピンコートにより塗
工する。場合によっては、ＤＥＤＧに代えてブチルセロ
ソルブ（ＢＣ）を用いることもできる。係る組成を有す
る垂直配向剤を塗工した後好ましくは３５℃ないし５５
℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層１２を形成す
る。なお、本実施形態ではアルキル主鎖から分かれた側
鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高分子液晶を成
膜して四分の一波長板層９を形成している。

【００１０】本実施形態に係る反射型ゲストホスト液晶
表示装置は所謂アクティブマトリクス型であって、下側
の基板２には個々の画素電極１１を駆動するスイッチン
グ素子として例えば薄膜トランジスタ１３が形成されて
いる。この薄膜トランジスタ１３はボトムゲート構造を
有し、下から順にゲート電極１４、ゲート絶縁膜１５、
半導体薄膜１６、ストッパ１７を積層したものである。
この薄膜トランジスタ１３を被覆する様に層間絶縁膜１
８が形成されている。この上にはソース電極１９及びド
レイン電極２０がパタニング形成されており、層間絶縁
膜１８に開口したコンタクトホールを介して薄膜トラン
ジスタ１３に電気接続している。この層間絶縁膜１８の
上に光反射層８が形成されている。この光反射層８は画
素電極１１と対応して画素毎に細分化されており、ドレ
イン電極２０と同電位である。反射層８は凹凸の光散乱
面を有し、所謂ホワイトペーパーと呼ばれる表示画面を
実現している。薄膜トランジスタ１３及び光反射層８の
凹凸を埋める様に平坦化層２１が形成されている。平坦
化層２１の上には下地配向層２２が形成されており、そ
の上に成膜される高分子液晶を一軸配向する為に用いら
れる。画素電極１１は四分の一波長板層９及び平坦化層
２１を貫通して設けたコンタクトホール２３を介して対
応する薄膜トランジスタ１３のドレイン電極２０に電気
接続している。

【００１１】図２は、四分の一波長板層を構成する高分
子液晶の耐溶剤性を示すグラフである。縦軸にリターデ
ーションの変化率を取り、横軸に温度を取ってある。リ
ターデーションは四分の一波長板層の厚みと屈折率異方
性の積とで決まる量であり、四分の一波長板層の偏光変
換機能を示す指標である。リターデーションの変化が少
ない程耐溶剤性があると言える。横軸の温度は、四分の
一波長板層の上に配向層を形成する際の処理温度であ
る。具体的には、配向剤をスピンコートなどで塗工した
後真空乾燥を行なうが、その際の乾燥温度を表わしてい
る。真空乾燥は通常の大気乾燥に比べ低温で溶媒を揮発
でき、高分子液晶の一軸配向性を維持する為に効果的で
ある。このグラフでは、３種類の配向剤を用い、それぞ
れ真空乾燥温度を２０℃から７０℃の間で変化させて配
向層を形成している。配向層を形成した後四分の一波長
板層のリターデーションを測定し、塗工段階で配向剤に
含まれていた溶媒の影響を調べた。●印はポリアミック
酸をＮＭＰに溶解し更にＢＣで１：９に希釈した配向剤
を示している。■印は本発明に従ってポリアミック酸を
ＤＭＴＧに溶解した配向剤を更にＢＣで３：１７に希釈
したものである。▲印も本発明に従ってポリアミック酸
をＤＭＴＧに溶解し更にＤＥＤＧで３：１７に希釈した
配向剤を示している。グラフから明らかな様に、高分子
液晶はポリアミック酸など垂直配向剤の溶媒として従来
から一般的に使用されているＮＭＰに対して真空乾燥温
度が３５℃以上になるとリターデーションが変化し、溶
解してしまう。これに対し、ポリアミック酸などの垂直
配向剤の主溶媒としてＤＭＴＧを使用すると、真空乾燥
温度を５５℃程度まで上げても高分子液晶のリターデー
ションの変化が生じない。この様に、ＮＭＰに代えてＤ
ＭＴＧを用いることにより、高分子液晶へのダメージを
抑制し、スピンコーティングや真空乾燥工程における歩
留りを改善している。ＤＭＴＧを用いることで高分子液
晶の溶解が生じなくなり、表示装置のコントラストの低
下を防ぐことが可能である。製造効率上の観点から見る
と、従来に比べ真空乾燥温度を５５℃程度まで高めるこ
とが可能となり、その分真空乾燥時間を短縮化できる。
又、グラフから明らかな様に、希釈溶媒としてはブチル
セロソルブ（ＢＣ）を用いても充分効果はあるが、ジエ
チレングリコールジエチルエーテル（ＤＥＤＧ）を用い
た方がより効果的である。

【００１２】一般的にポリイミド系高分子は図３に示し
た反応式によって合成される。即ち、（Ａ）に示したジ
アミン化合物と酸無水物を溶媒中で反応させて、（Ｂ）
に示すポリアミック酸を合成する。本発明で用いる配向
剤はこのポリアミック酸の溶液である。ジアミン化合物
と酸無水物はＤＭＴＧからなる溶媒中で反応させる。な
お、ポリアミック酸を更に加熱すると脱水閉環し，
（Ｃ）に示したポリイミドとなる。このポリイミドも垂
直配向剤として用いることができ、その場合溶媒は本発
明に従ってＤＭＴＧが用いられる。ここで、Ｒ₁ 及びＲ
₂ で表わした部分の構造は、配向剤として用いるポリア
ミック酸又はポリイミドの特性に大きく影響する為、ネ
マティック液晶に対する垂直配向剤として使用する場合
はこれにマッチングした分子構造を選択することが必要
である。上述した様に、本発明はポリイミド系の有機配
向剤として例えばポリアミック酸の溶液を用いている。
主溶媒としてＤＭＴＧが用いられるが、塗布性を改善す
る為にＢＣやＤＥＤＧなど表面張力の低い希釈液が混合
使用されている。ポリアミック酸はＤＭＴＧに対する溶
解性が良好であり、塗工剤として濃度及び粘度などの調
整が容易である。ポリイミド系有機配向膜は基本的に液
晶分子を垂直配向可能な組成のものを選択する。更に、
その表面をラビングすることにより、電圧印加に応じて
液晶分子が垂直配向から水平配向に移行する際、その傾
斜方位をラビング方向に規制することが可能である。

【００１３】図４は四分の一波長板層に用いる側鎖型高
分子液晶の化学構造を示す模式図である。（Ｉ）は側鎖
に入るペンダントとしてビフェニルベンゾアートを有す
る高分子液晶を示している。即ち、アルキル主鎖には所
定の間隔で側鎖が結合している（図では１個の側鎖のみ
示している）。この側鎖のスペース長は炭素数で６とな
っているが、本発明はこれに限られるものではない。こ
の側鎖の先端にペンダントとしてビフェニルベンゾアー
トが結合している。（ＩＩ）はペンダントとしてビフェ
ニルベンゾアートに加えメトキシビフェニルを有する側
鎖型高分子液晶を表わしている。メトキシビフェニルが
結合する側鎖のスペース長は炭素数で２個となっている
が本発明はこれに限られるものではない。（ＩＩＩ）
は、メトキシフェニルベンゾアートをペンダントとして
持つ側鎖型高分子液晶を示している。側鎖はスペース長
が炭素数で２個と６個のものを主鎖に結合している。
（Ｉ）型及び（ＩＩ）型は（ＩＩＩ）型に比べて耐溶剤
性に優れている。従って、四分の一波長板層の上にポリ
アミック酸などの有機配向層を形成する場合、あらかじ
め耐溶剤性に優れた（Ｉ）型及び（ＩＩ）型の高分子液
晶を用いて四分の一波長板層を形成することが好まし
い。即ち、アルキル主鎖から分かれた側鎖にビフェニル
ベンゾアートを導入した高分子液晶を成膜して四分の一
波長板層を形成することが好ましい。

【００１４】最後に、図５及び図６を参照して、図１に
示した反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法を詳
細に説明する。まず図５の工程（Ａ）において、ガラス
又は石英などからなる絶縁性の基板２の上に薄膜トラン
ジスタ１３を集積形成する。具体的には、高融点金属膜
などからなるゲート電極１４をパタニング形成した後、
ＣＶＤなどでシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を堆積し
てゲート絶縁膜１５とする。その上に多結晶シリコンな
どからなる半導体薄膜１６を成膜し、薄膜トランジスタ
１３の素子領域に合わせて島状にパタニングする。その
上に、ゲート電極１４と整合する様に、ストッパ１７を
設ける。このストッパ１７をマスクとしてイオンドーピ
ング又はイオンインプランテーションにより不純物を半
導体薄膜１６に注入して、ボトムゲート型の薄膜トラン
ジスタ１３を形成する。この薄膜トランジスタ１３をＰ
ＳＧなどからなる層間絶縁膜１８で被覆する。

【００１５】工程（Ｂ）に進み、層間絶縁膜１８にコン
タクトホールを開口した後、アルミニウムなどをスパッ
タリングし所定の形状にパタニングしてソース電極１９
及びドレイン電極２０に加工する。この時同時に光反射
層８を形成する。なお、光反射層８を形成する領域には
あらかじめ下地として凹凸が形成されており、この結果
光反射層８は光散乱性を備えることになり、所謂ホワイ
トペーパーの表示外観が得られる。更に、薄膜トランジ
スタ１３及び光反射層８の凹凸を埋める様に、アクリル
樹脂などからなる平坦化層２１を形成する。その上に、
ポリイミド樹脂を塗工してラビング処理を施し、下地配
向層２２を設ける。その上に、一軸配向した高分子液晶
からなる四分の一波長板層９を形成する。具体的には、
高分子液晶を所定の厚みで下地配向層２２の上に成膜す
る。高分子液晶は所定の転移点を境にして高温側のネマ
ティック液晶相と低温側のガラス固体相との間を相転移
可能な材料である。例えば、この高分子液晶は室温でガ
ラス状態であり、好ましくは１００℃以上に相転移点を
持つ、主鎖型もしくは側鎖型である。この高分子液晶は
光学的には可視領域に吸収の無い透明物質である。この
高分子液晶を有機溶媒に溶解させた後、スピンコーティ
ングによって下地配向層２２の表面に塗布する。なお、
スピンコーティングに代えて、ディッピング又はスクリ
ーン印刷などを用いて塗布してもよい。スピンコーティ
ングを行う場合、溶液の濃度やスピン回転数などの条件
を適宜設定して、膜厚が可視光領域でλ／４の位相差を
生じさせる様にする。なおλは入射光の波長を表わして
いる。この後、基板２を一旦転移点以上に加熱した後転
移点以下の室温に除冷し、成膜された高分子液晶を配向
方向に整列させて一軸光学薄膜からなる四分の一波長板
層９を形成する。

【００１６】工程（Ｃ）に進み、四分の一波長板層９の
表面を全面的に被覆する様にフォトレジスト１０を塗工
する。塗工方法としてはスピンコートやスクリーン印刷
などが利用できる。工程（Ｄ）に進み、フォトレジスト
１０を露光現像し下方のドレイン電極２０と整合する領
域に窓１０ａを設ける。

【００１７】図６の工程（Ｅ）に進み、パタニングされ
たフォトレジスト１０をマスクとしてエッチングを行な
い、四分の一波長板層９、下地配向層２２、平坦化層２
１を貫通するコンタクトホール２３を開口する。ここで
は、酸素プラズマなどを照射するドライエッチングを採
用している。工程（Ｆ）に進み、使用済みのフォトレジ
スト１０を除去した後、四分の一波長板層９の上にＩＴ
Ｏなどからなる透明導電膜を成膜し、所定の形状にパタ
ニングして画素電極１１に加工する。この画素電極１１
はコンタクトホール２３を介して薄膜トランジスタ１３
のドレイン電極２０に電気接続する。

【００１８】最後に工程（Ｇ）に進み、画素電極１１及
び四分の一波長板層９の上に有機配向層１２を成膜す
る。即ち、画素電極１１の上及び画素電極１１の間に露
出した四分の一波長板層９の上に連続して垂直配向剤を
塗工しラビングして配向層１２を形成する。この配向剤
は例えばポリアミック酸を溶媒のＤＭＴＧに溶解した液
体である。ポリアミック酸又はポリイミドをトリエチレ
ングリコールジメチルエーテルに溶解し更にジエチレン
グリコールジエチルエーテルで希釈した垂直配向剤を例
えばスピンコートで塗工する。塗工した後、３５℃ない
し５５℃の温度範囲で真空乾燥を行なって配向層１２を
形成する。例えば、４５℃で１時間真空乾燥を行なえ
ば、垂直配向剤に含まれる溶媒はほとんど取り除かれ
る。更に、９０℃で１時間程度大気乾燥を行ない、垂直
配向剤を完全に固化する。この後、有機配向層１２を回
転ローラに巻付けられたバフ材で一定の方向にラビング
して液晶分子に対する配向能を付与する。最後に、図示
しないが、あらかじめ対向電極及び配向層が形成された
上側の基板を所定の間隙を介して下側の基板２に接合
し、二色性色素を含有したゲストホスト液晶をこの間隙
に注入すれば、反射型ゲストホスト液晶表示装置が完成
する。

【００１９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
四分の一波長板層は比較的耐溶剤性に劣る一軸配向の高
分子液晶膜からなる一方、配向層は垂直配向剤を塗工し
てラビングした有機塗工膜からなる。この際、トリエチ
レングリコールジメチルエーテルを溶媒にした垂直配向
剤を用いている。これにより、四分の一波長板層がダメ
ージを受けることがなく、その光学機能が安定に維持で
きる。この結果、ゲストホスト液晶を自在に配向制御可
能となり、安定な垂直配向を実現でき、コントラストの
向上に大きく寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に従って製造された反射型ゲストホスト
液晶表示装置の基本的な構成を示す部分断面図である。

【図２】四分の一波長板層の耐溶剤性を示すグラフであ
る。

【図３】垂直配向剤の組成を示す模式図である。

【図４】高分子液晶の組成を示す模式図である。

【図５】図１に示した反射型ゲストホスト液晶表示装置
の製造方法を示す工程図である。

【図６】同じく製造方法を示す工程図である。

【図７】従来の反射型ゲストホスト液晶表示装置の一例
を示す断面図である。

【符号の説明】

１・・・基板、２・・・基板、３・・・ゲストホスト液
晶、４・・・液晶分子、５・・・二色性色素、６・・・
対向電極、７・・・配向層、８・・・光反射層、９・・
・四分の一波長板層、１１・・・画素電極、１２・・・
配向層、１３・・・薄膜トランジスタ、２０・・・ドレ
イン電極、２１・・・平坦化層、２２・・・下地配向
層、２３・・・コンタクトホール

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０９Ｆ 9/35 ３８５ Ｇ０９Ｆ 9/35 ３８５

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板に光反射層を形成する第１工
   程と、 該光反射層の上に一軸配向した高分子液晶からなる四分
   の一波長板層を形成する第２工程と、 該四分の一波長板層の上に電極を形成する第３工程と、 該電極の上及び電極の間に露出した四分の一波長板層の
   上にトリエチレングリコールジメチルエーテルを溶媒に
   した垂直配向剤を塗工して配向層を形成する第４工程
   と、 予め電極が形成された第２の基板を所定の間隙を介して
   該第１の基板に接合する第５工程と、 二色性色素を含有したゲストホスト液晶を該間隙に注入
   する第６工程とを行なう反射型ゲストホスト液晶表示装
   置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記第４工程は、ポリアミック酸又はポ
   リイミドをトリエチレングリコールジメチルエーテルに
   溶解した垂直配向剤を塗工する請求項１記載の反射型ゲ
   ストホスト液晶表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記第４工程は、垂直配向剤をジエチレ
   ングリコールジエチルエーテルで希釈した状態で塗工す
   る請求項２記載の反射型ゲストホスト液晶表示装置の製
   造方法。
4. 【請求項４】 前記第４工程は、垂直配向剤を塗工した
   後３５℃ないし５５℃の温度範囲で真空乾燥を行なって
   配向層を形成する請求項１記載の反射型ゲストホスト液
   晶表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２工程は、アルキル主鎖から分か
   れた側鎖にビフェニルベンゾアートを導入した高分子液
   晶を成膜して四分の一波長板層を形成する請求項１記載
   の反射型ゲストホスト液晶表示装置の製造方法。