JPH1010558A - 電極基板 - Google Patents
電極基板Info
- Publication number
- JPH1010558A JPH1010558A JP18138196A JP18138196A JPH1010558A JP H1010558 A JPH1010558 A JP H1010558A JP 18138196 A JP18138196 A JP 18138196A JP 18138196 A JP18138196 A JP 18138196A JP H1010558 A JPH1010558 A JP H1010558A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- electrode substrate
- layer
- composite oxide
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 94
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 217
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 140
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 107
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 94
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 94
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 20
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 18
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 118
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 96
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 38
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 31
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 27
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 27
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 27
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 10
- 230000035699 permeability Effects 0.000 claims description 10
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 claims description 8
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 8
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 claims description 8
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 claims description 8
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 4
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 claims description 3
- WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-1-pentene Chemical compound CC(C)CC=C WSSSPWUEQFSQQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 claims description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 2
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 claims description 2
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 claims description 2
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 77
- 238000009499 grossing Methods 0.000 abstract description 33
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 abstract description 8
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 6
- 238000005266 casting Methods 0.000 abstract description 6
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 abstract description 5
- 238000001723 curing Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 abstract 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 11
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 9
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N indium tin Chemical compound [In].[Sn] RHZWSUVWRRXEJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000002559 palpation Methods 0.000 description 4
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 4
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- XQYMIMUDVJCMLU-UHFFFAOYSA-N phenoxyperoxybenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1OOOC1=CC=CC=C1 XQYMIMUDVJCMLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 2
- DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N bromoform Chemical compound BrC(Br)Br DIKBFYAXUHHXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 2
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N toluene 2,4-diisocyanate Chemical compound CC1=CC=C(N=C=O)C=C1N=C=O DVKJHBMWWAPEIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 2-(3-phenylmethoxyphenyl)-1,3-thiazole-4-carbaldehyde Chemical compound O=CC1=CSC(C=2C=C(OCC=3C=CC=CC=3)C=CC=2)=N1 OEPOKWHJYJXUGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920001747 Cellulose diacetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- 239000005264 High molar mass liquid crystal Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000001479 atomic absorption spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950005228 bromoform Drugs 0.000 description 1
- NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N cadmium indium Chemical compound [Cd].[In] NCOPCFQNAZTAIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006217 cellulose acetate butyrate Polymers 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N diiodomethane Chemical compound ICI NZZFYRREKKOMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)phosphinimyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)P(=N)(N(C)C)N(C)C GKTNLYAAZKKMTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000005060 rubber Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた層間密着力およびガスバリア性を有す
る電極基板を提供する。 【解決手段】 高分子製ベースシート（１１）の少なく
とも片面にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１
２）を設けた積層シートにおいて、該シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層（１２）の比重Ｄが下記式を満足
することを特徴とする電極基板。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１２）の
比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層（１２）中の酸化アルミニウム含
有率（重量％）
る電極基板を提供する。 【解決手段】 高分子製ベースシート（１１）の少なく
とも片面にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１
２）を設けた積層シートにおいて、該シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層（１２）の比重Ｄが下記式を満足
することを特徴とする電極基板。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１２）の
比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層（１２）中の酸化アルミニウム含
有率（重量％）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、透明電極を表面に
形成させるための電極基板、特に液晶セル製造のための
電極基板に関するものである。
形成させるための電極基板、特に液晶セル製造のための
電極基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の液晶表示パネル用基板にはガラス
基板が使用されており、携帯型情報端末機やパームトッ
プコンピューター等の表示部としての使用に適してい
る。しかし、ガラス基板は、重い、破損しやすい、薄型
にできない、曲がらない等の欠点を有しているので、軽
量化、薄型化、ペン入力時に破損しにくいといった要求
特性をすべて満足するのは難しい。そこで最近では、ガ
ラス基板に代わり、プラスチックフィルム基板を用いた
液晶表示パネルが実用化されつつある。
基板が使用されており、携帯型情報端末機やパームトッ
プコンピューター等の表示部としての使用に適してい
る。しかし、ガラス基板は、重い、破損しやすい、薄型
にできない、曲がらない等の欠点を有しているので、軽
量化、薄型化、ペン入力時に破損しにくいといった要求
特性をすべて満足するのは難しい。そこで最近では、ガ
ラス基板に代わり、プラスチックフィルム基板を用いた
液晶表示パネルが実用化されつつある。
【０００３】液晶表示パネル用基板としてプラスチック
フィルム基板を用いる場合には以下の特性が要求され
る： 1.可視光領域において透明であること。 2.表面が平滑であり、かつ硬いこと。 3.光等方性を有すること。 4.液晶表示パネルの製造工程に耐えうる１００℃以上の
耐熱性を有すること。 5.液晶表示パネルの製造工程に使用する薬品に耐えるこ
と。 6.液晶表示パネルの製造工程中にかかるストレスに対し
て、層間剥離しないこと。 7.ガスバリア性が十分であること。 8.優れた防湿性を有すること。 9.耐液晶性を有すること。
フィルム基板を用いる場合には以下の特性が要求され
る： 1.可視光領域において透明であること。 2.表面が平滑であり、かつ硬いこと。 3.光等方性を有すること。 4.液晶表示パネルの製造工程に耐えうる１００℃以上の
耐熱性を有すること。 5.液晶表示パネルの製造工程に使用する薬品に耐えるこ
と。 6.液晶表示パネルの製造工程中にかかるストレスに対し
て、層間剥離しないこと。 7.ガスバリア性が十分であること。 8.優れた防湿性を有すること。 9.耐液晶性を有すること。
【０００４】このような要求特性を満足するために、プ
ラスチックフィルムの少なくとも片面にアンカーコート
層を形成し、この上にエチレン−ビニルアルコール共重
合体もしくはポリビニルアルコールからなる層を形成
し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板（特
開昭６１−８６２５２号公報）、プラスチックフィルム
の少なくとも片面に塩化ビニリデン樹脂からなる層を形
成し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板
（特開昭６０−１３４２１５号公報）、プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に蒸着法によるＳｉＯｘ（ただ
し１＜ｘ＜２）薄膜層と硬化性樹脂硬化物層とを積層し
た電極基板（特開平６−１７５１４３号公報）等が提案
されている。
ラスチックフィルムの少なくとも片面にアンカーコート
層を形成し、この上にエチレン−ビニルアルコール共重
合体もしくはポリビニルアルコールからなる層を形成
し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板（特
開昭６１−８６２５２号公報）、プラスチックフィルム
の少なくとも片面に塩化ビニリデン樹脂からなる層を形
成し、さらに硬化性樹脂硬化物層を積層した電極基板
（特開昭６０−１３４２１５号公報）、プラスチックフ
ィルムの少なくとも片面に蒸着法によるＳｉＯｘ（ただ
し１＜ｘ＜２）薄膜層と硬化性樹脂硬化物層とを積層し
た電極基板（特開平６−１７５１４３号公報）等が提案
されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開昭６１−８６２５２号公報や特開昭６０−１３４２
１５号公報に記載の電極基板は、高分子フィルム上にエ
チレン−ビニルアルコール共重合体や硬化性樹脂硬化物
をコーティングするため、それぞれの層間の密着力は不
十分である。そのため、液晶表示パネルの製造工程中に
かかるストレスにより、これらの電極基板は層間剥離を
生じてしまうことがあり、プラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。
特開昭６１−８６２５２号公報や特開昭６０−１３４２
１５号公報に記載の電極基板は、高分子フィルム上にエ
チレン−ビニルアルコール共重合体や硬化性樹脂硬化物
をコーティングするため、それぞれの層間の密着力は不
十分である。そのため、液晶表示パネルの製造工程中に
かかるストレスにより、これらの電極基板は層間剥離を
生じてしまうことがあり、プラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。
【０００６】またエチレン−ビニルアルコール共重合体
もしくはポリビニルアルコールからなる層を用いたもの
は、ガスバリア性および防湿性が十分満足できるもので
はない。このような積層シートを用いた液晶表示パネル
は、液晶が劣化して駆動電力が増加したり、長時間使用
後に液晶表示部に黒色の泡が発生してしまい使用不可能
となることがあった。
もしくはポリビニルアルコールからなる層を用いたもの
は、ガスバリア性および防湿性が十分満足できるもので
はない。このような積層シートを用いた液晶表示パネル
は、液晶が劣化して駆動電力が増加したり、長時間使用
後に液晶表示部に黒色の泡が発生してしまい使用不可能
となることがあった。
【０００７】またＳｉＯｘ（ただし１＜ｘ＜２）薄膜を
用いたものは、その着色のために液晶表示パネルには不
適である。さらに通常の蒸着法で作製したＳｉＯｘ（た
だし１＜ｘ＜２）薄膜は下地の高分子フィルムとの密着
力が十分でないため、この電極基板は層間剥離を生じて
しまうことがあり、やはりプラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。
用いたものは、その着色のために液晶表示パネルには不
適である。さらに通常の蒸着法で作製したＳｉＯｘ（た
だし１＜ｘ＜２）薄膜は下地の高分子フィルムとの密着
力が十分でないため、この電極基板は層間剥離を生じて
しまうことがあり、やはりプラスチックフィルムを用い
た液晶表示パネル製造の歩留まりを低いものにしてい
た。
【０００８】本発明は、かかる従来技術の現状に鑑み創
案されたものであり、層間密着力およびガスバリア性を
顕著に改善した透明電極形成用の電極基板（特に液晶セ
ル製造のための電極基板）を提供することを目的とする
ものである。
案されたものであり、層間密着力およびガスバリア性を
顕著に改善した透明電極形成用の電極基板（特に液晶セ
ル製造のための電極基板）を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の電極基板は、高
分子製ベースシート１１の少なくとも片面にシリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２を設けた積層シートに
おいて、該シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
の比重Ｄが下記式を満足することを特徴とするものであ
る。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量
％
分子製ベースシート１１の少なくとも片面にシリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２を設けた積層シートに
おいて、該シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
の比重Ｄが下記式を満足することを特徴とするものであ
る。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量
％
【００１０】ベースシート１１としては、必要な機械的
強度を有する高分子フィルム、例えば、硬質ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフィルム、ポリ
フェニレンオキサイドフィルム、ポリアミドイミドフィ
ルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリアリレート
フィルム、アモルファスポリオレフィン、ノルボルネン
系ポリマーフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、
エチレン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロ
ースフィルム（セルローストリアセテート、セルロース
ジアセテート、セルロースアセテートブチレート等）な
どが用いられる。これらのベースシート１１は、単層の
みならず、複層であってもよい。
強度を有する高分子フィルム、例えば、硬質ポリ塩化ビ
ニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、ポリカー
ボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポリエステ
ルフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフィルム、ポリ
フェニレンオキサイドフィルム、ポリアミドイミドフィ
ルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリアリレート
フィルム、アモルファスポリオレフィン、ノルボルネン
系ポリマーフィルム、ポリビニルアルコールフィルム、
エチレン−ビニルアルコール共重合体フィルム、セルロ
ースフィルム（セルローストリアセテート、セルロース
ジアセテート、セルロースアセテートブチレート等）な
どが用いられる。これらのベースシート１１は、単層の
みならず、複層であってもよい。
【００１１】これらの高分子フィルムからなるベースシ
ートは光等方性を有することが必要であるので、レタデ
ーション値が３０ｎｍ以下、殊に２０ｎｍ以下のフィル
ムであって、可視光線透過率が７５％以上のものが用い
られる。３０ｎｍを越える場合、液晶表示パネルに用い
た際、表示品位が良好でない。これらのベースシート
は、流延法により製膜することにより得られるが、レタ
デーション値および可視光線透過率が上記の条件を満足
していれば、押出法など他の成形法を採用することもで
きる。
ートは光等方性を有することが必要であるので、レタデ
ーション値が３０ｎｍ以下、殊に２０ｎｍ以下のフィル
ムであって、可視光線透過率が７５％以上のものが用い
られる。３０ｎｍを越える場合、液晶表示パネルに用い
た際、表示品位が良好でない。これらのベースシート
は、流延法により製膜することにより得られるが、レタ
デーション値および可視光線透過率が上記の条件を満足
していれば、押出法など他の成形法を採用することもで
きる。
【００１２】またベースシート１１としては、前記高分
子フィルム以外に、一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムも用いられる。この一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム１１を液晶表示パネルに用いるに
は、レタデーション値が５０００ｎｍ以上、殊に８００
０ｎｍ以上のフィルムが好ましい。５０００ｎｍ以上あ
れば可視光領域において干渉縞の間隔が十分広がるた
め、光学的に等方であるのと同様になる。５０００ｎｍ
よりも小さい場合には、干渉縞が液晶表示パネルに表れ
て、表示品位が良好でない。可視光線透過率は７５％以
上のものが用いられる。一軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムは、単層のみならず、複層であってもよ
い。なお、レタデーション値とはフィルム上の直交する
二軸の屈折率の異方性（△Ｎ＝Ｎｘ−Ｎｙ）とフィルム
厚ｄとの積（△Ｎ×ｄ）である。
子フィルム以外に、一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムも用いられる。この一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルム１１を液晶表示パネルに用いるに
は、レタデーション値が５０００ｎｍ以上、殊に８００
０ｎｍ以上のフィルムが好ましい。５０００ｎｍ以上あ
れば可視光領域において干渉縞の間隔が十分広がるた
め、光学的に等方であるのと同様になる。５０００ｎｍ
よりも小さい場合には、干渉縞が液晶表示パネルに表れ
て、表示品位が良好でない。可視光線透過率は７５％以
上のものが用いられる。一軸延伸ポリエチレンテレフタ
レートフィルムは、単層のみならず、複層であってもよ
い。なお、レタデーション値とはフィルム上の直交する
二軸の屈折率の異方性（△Ｎ＝Ｎｘ−Ｎｙ）とフィルム
厚ｄとの積（△Ｎ×ｄ）である。
【００１３】ベースシート１１の厚さは、５０〜５００
μｍが適当である。５０μｍよりも薄い場合は機械的強
度が充分ではなく、５００μｍを越える場合は薄いとい
うプラスチックフィルムの利点がなくなる。
μｍが適当である。５０μｍよりも薄い場合は機械的強
度が充分ではなく、５００μｍを越える場合は薄いとい
うプラスチックフィルムの利点がなくなる。
【００１４】本発明の電極基板が有するシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２はフィルムにガスバリア性
を付与するための層である。本発明の電極基板は酸素透
過度が３ｃｃ／ｍ2 ・ａｔｍ・ｄａｙ以下であることが
好ましい。シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
は酸化アルミニウムと酸化シリコンとの混合物あるいは
化合物から成り立っていると考えられる。ここでいう酸
化アルミニウムとは、Ａｌ、ＡｌＯ、Ａｌ2 Ｏ3 などの
各種アルミニウム酸化物の混合物から成り立ち、酸化ア
ルミニウム内での各々の含有率などは作製条件で異な
る。酸化シリコンとは、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 などか
ら成り立っていると考えられ、これらの比率も作製条件
で異なる。本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２中の酸化アルミニウムの含有率は２５〜９０重
量％であり、好ましくは３０〜８０重量％である。この
酸化アルミニウムの含有率が２５重量％未満の場合、本
発明の電極基板のガスバリア性が充分でなく、逆に９０
重量％を越える場合、可撓性が不充分となって好ましく
ない。なお本発明でいう酸化アルミニウムの含有率と
は、薄膜中のシリコンとアルミニウムの組成を原子吸光
分析で求め、シリコンとアルミニウムとが完全酸化物
（ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ）であると仮定して、これらの
比重より完全酸化アルミニウムの含有率を算出した値で
ある。
ニウム複合酸化物薄膜層１２はフィルムにガスバリア性
を付与するための層である。本発明の電極基板は酸素透
過度が３ｃｃ／ｍ2 ・ａｔｍ・ｄａｙ以下であることが
好ましい。シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
は酸化アルミニウムと酸化シリコンとの混合物あるいは
化合物から成り立っていると考えられる。ここでいう酸
化アルミニウムとは、Ａｌ、ＡｌＯ、Ａｌ2 Ｏ3 などの
各種アルミニウム酸化物の混合物から成り立ち、酸化ア
ルミニウム内での各々の含有率などは作製条件で異な
る。酸化シリコンとは、Ｓｉ、ＳｉＯ、ＳｉＯ2 などか
ら成り立っていると考えられ、これらの比率も作製条件
で異なる。本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２中の酸化アルミニウムの含有率は２５〜９０重
量％であり、好ましくは３０〜８０重量％である。この
酸化アルミニウムの含有率が２５重量％未満の場合、本
発明の電極基板のガスバリア性が充分でなく、逆に９０
重量％を越える場合、可撓性が不充分となって好ましく
ない。なお本発明でいう酸化アルミニウムの含有率と
は、薄膜中のシリコンとアルミニウムの組成を原子吸光
分析で求め、シリコンとアルミニウムとが完全酸化物
（ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 ）であると仮定して、これらの
比重より完全酸化アルミニウムの含有率を算出した値で
ある。
【００１５】上記シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２中には、特性が損なわれない範囲で微量（全成分
に対して高々５重量％）の他の成分を含有してもよい。
これらの成分としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｂ、Ｃ、
Ｎ、Ｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどがあるが、これら
に限定されない。
層１２中には、特性が損なわれない範囲で微量（全成分
に対して高々５重量％）の他の成分を含有してもよい。
これらの成分としては、Ｈｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｂ、Ｃ、
Ｎ、Ｆ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚ
ｒ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどがあるが、これら
に限定されない。
【００１６】上記シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の厚さは、特に限定されるものではないが、ガス
バリア性および可撓性の点から、好ましくは３０〜８０
００Å、より好ましくは７０〜５０００Åである。この
厚さが３０Å未満の場合、本発明のフィルムのガスバリ
ア性が不充分となり、逆に８０００Åを越える場合、可
撓性が不充分となって好ましくない。また薄膜の結晶性
は、その特性を損なわない限り、光学的等方性の点で非
晶質状態であることが好ましい。
層１２の厚さは、特に限定されるものではないが、ガス
バリア性および可撓性の点から、好ましくは３０〜８０
００Å、より好ましくは７０〜５０００Åである。この
厚さが３０Å未満の場合、本発明のフィルムのガスバリ
ア性が不充分となり、逆に８０００Åを越える場合、可
撓性が不充分となって好ましくない。また薄膜の結晶性
は、その特性を損なわない限り、光学的等方性の点で非
晶質状態であることが好ましい。
【００１７】かかるシリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２の製膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などのＰＶＤ法（物理的蒸着
法）、あるいはＣＶＤ法（化学的蒸着法）などが用いら
れるが、生産性の点から真空蒸着法がよく、下地である
ベースシート１１との密着力向上のためには電子ビーム
蒸着法が好ましい。
膜層１２の製膜には、真空蒸着法、スパッタリング法、
イオンプレーティング法などのＰＶＤ法（物理的蒸着
法）、あるいはＣＶＤ法（化学的蒸着法）などが用いら
れるが、生産性の点から真空蒸着法がよく、下地である
ベースシート１１との密着力向上のためには電子ビーム
蒸着法が好ましい。
【００１８】電子ビーム蒸着法で製膜する際の圧力が３
×１０-4Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、さらに好
ましくはこの圧力中の水蒸気分圧は５×１０-5Ｔｏｒｒ
以下である。圧力が３×１０-4Ｔｏｒｒを越える時は、
複合酸化物薄膜の比重が低く、ガスバリア性が充分では
なく、また下地との密着力も不充分である。
×１０-4Ｔｏｒｒ以下であることが好ましく、さらに好
ましくはこの圧力中の水蒸気分圧は５×１０-5Ｔｏｒｒ
以下である。圧力が３×１０-4Ｔｏｒｒを越える時は、
複合酸化物薄膜の比重が低く、ガスバリア性が充分では
なく、また下地との密着力も不充分である。
【００１９】また下地との密着力を向上させるために
は、イオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着を行う
のがよい。イオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ク
リプトン等の希ガスや酸素等の反応性ガス等がよい。ま
たビーム電流密度は０．０２〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 、ビ
ームエネルギーは３０〜５０００Ｖの範囲が好ましい。
ビーム電流密度が０．０２ｍＡ／ｃｍ2 未満の時は照射
の効果がなく、５．０ｍＡ／ｃｍ2 を越える時は照射量
が多すぎ、下地であるベースシート１１が熱変形してし
まう。またビームエネルギーが３０Ｖ未満の場合は照射
の効果がなく、５０００Ｖを越えるときは、エネルギー
が高すぎ、ベースシート１１が熱変形してしまう。
は、イオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着を行う
のがよい。イオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ク
リプトン等の希ガスや酸素等の反応性ガス等がよい。ま
たビーム電流密度は０．０２〜５．０ｍＡ／ｃｍ2 、ビ
ームエネルギーは３０〜５０００Ｖの範囲が好ましい。
ビーム電流密度が０．０２ｍＡ／ｃｍ2 未満の時は照射
の効果がなく、５．０ｍＡ／ｃｍ2 を越える時は照射量
が多すぎ、下地であるベースシート１１が熱変形してし
まう。またビームエネルギーが３０Ｖ未満の場合は照射
の効果がなく、５０００Ｖを越えるときは、エネルギー
が高すぎ、ベースシート１１が熱変形してしまう。
【００２０】以上のような条件で製膜すると、蒸着粒子
のエネルギーは非常に高く、ベースシート１１／シリコ
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の界面に混合層が
形成される。この混合層が存在するために、ベースシー
ト１１とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の
密着力は非常に強く、３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の値を示
す。
のエネルギーは非常に高く、ベースシート１１／シリコ
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の界面に混合層が
形成される。この混合層が存在するために、ベースシー
ト１１とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の
密着力は非常に強く、３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の値を示
す。
【００２１】電子ビーム蒸着法においてシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２を製膜する際の蒸着材料と
しては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 やＡｌとＳｉＯ2 等が用
いられる。また基板にバイアスを加えたり、基板を加熱
あるいは冷却してもよい。
ニウム複合酸化物薄膜層１２を製膜する際の蒸着材料と
しては、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 やＡｌとＳｉＯ2 等が用
いられる。また基板にバイアスを加えたり、基板を加熱
あるいは冷却してもよい。
【００２２】本発明では、シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２上に硬化性樹脂硬化物を積層することが
できる。硬化性樹脂硬化物層１３としては、加熱硬化型
樹脂硬化物層（フェノキシエ−テル型架橋性樹脂、エポ
キシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコーン樹
脂、シリコーン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、メラミン
系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹
脂等）、紫外線硬化型樹脂硬化物層（紫外線硬化型アク
リル系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ホスファゼン系
樹脂等）、電子線硬化型樹脂硬化物層などがあげられ
る。厚さは０．５〜５０μｍの範囲が好ましい。厚さが
０．５μｍ未満の場合は以下に述べるようなウエットプ
ロセスでは成膜するのが困難であり、５０μｍよりも厚
い場合は、電極基板全体の厚みが厚くなり過ぎ、プラス
チックフィルムの特徴である薄さが無くなってしまう。
この硬化性樹脂硬化物層１３も光等方性を有することが
必要である。
化物薄膜層１２上に硬化性樹脂硬化物を積層することが
できる。硬化性樹脂硬化物層１３としては、加熱硬化型
樹脂硬化物層（フェノキシエ−テル型架橋性樹脂、エポ
キシ系樹脂、アクリル系樹脂、アクリルシリコーン樹
脂、シリコーン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、メラミン
系樹脂、フェノール系樹脂、ウレタン系樹脂、ゴム系樹
脂等）、紫外線硬化型樹脂硬化物層（紫外線硬化型アク
リル系樹脂、ポリアミドイミド系樹脂、ホスファゼン系
樹脂等）、電子線硬化型樹脂硬化物層などがあげられ
る。厚さは０．５〜５０μｍの範囲が好ましい。厚さが
０．５μｍ未満の場合は以下に述べるようなウエットプ
ロセスでは成膜するのが困難であり、５０μｍよりも厚
い場合は、電極基板全体の厚みが厚くなり過ぎ、プラス
チックフィルムの特徴である薄さが無くなってしまう。
この硬化性樹脂硬化物層１３も光等方性を有することが
必要である。
【００２３】硬化性樹脂硬化物層１３を形成させる場合
には、形成した硬化性樹脂硬化物層１３の表面粗度をＲ
ｍａｘで０．５μｍ以下、Ｒａで０．０１μｍ以下、好
ましくはＲｍａｘで０．２μｍ以下、Ｒａで０．００７
μｍ以下、さらに好ましくはＲｍａｘで０．１μｍ以
下、Ｒａで０．００５μｍ以下となるようにすることが
望ましい。
には、形成した硬化性樹脂硬化物層１３の表面粗度をＲ
ｍａｘで０．５μｍ以下、Ｒａで０．０１μｍ以下、好
ましくはＲｍａｘで０．２μｍ以下、Ｒａで０．００７
μｍ以下、さらに好ましくはＲｍａｘで０．１μｍ以
下、Ｒａで０．００５μｍ以下となるようにすることが
望ましい。
【００２４】硬化性樹脂硬化物層１３の表面粗度をこの
ように小さくする方法としては、例えば以下に述べる第
１または第２の方法が採用される。
ように小さくする方法としては、例えば以下に述べる第
１または第２の方法が採用される。
【００２５】第１の方法にあっては、まず、ベースシー
ト１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と
平滑化鋳型材Ｆとの間隙に加熱硬化型樹脂組成物、紫外
線硬化型樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を供
給して該樹脂組成物が両者間に層状に挟持されるように
する。この場合、ベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２が一つの製膜用ロールに、平
滑化鋳型材Ｆがもう一つの製膜用ロールにそれぞれ供給
されるようにしておき、両製膜ロール間の間隙は所定の
値に調整しておく。次いで、加熱、紫外線照射または電
子線照射により上記の挟持層を硬化させてベースシート
１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／硬
化型樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型材Ｆよりなる積層シ
ートが得られるので、その後の段階でその積層シートか
ら平滑化鋳型材Ｆを剥離除去する。
ト１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と
平滑化鋳型材Ｆとの間隙に加熱硬化型樹脂組成物、紫外
線硬化型樹脂組成物または電子線硬化型樹脂組成物を供
給して該樹脂組成物が両者間に層状に挟持されるように
する。この場合、ベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２が一つの製膜用ロールに、平
滑化鋳型材Ｆがもう一つの製膜用ロールにそれぞれ供給
されるようにしておき、両製膜ロール間の間隙は所定の
値に調整しておく。次いで、加熱、紫外線照射または電
子線照射により上記の挟持層を硬化させてベースシート
１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／硬
化型樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型材Ｆよりなる積層シ
ートが得られるので、その後の段階でその積層シートか
ら平滑化鋳型材Ｆを剥離除去する。
【００２６】上記における平滑化鋳型材Ｆとしては、二
軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート、二軸延伸ポ
リエチレンナフタレートシート等の二軸延伸ポリエステ
ルフィルムや、二軸延伸ポリプロピレンフィルム等が用
いられる。平滑化鋳型材Ｆとしては、その表面粗度が
０．１５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下、さら
には０．０１μｍ以下であるものを用いる。
軸延伸ポリエチレンテレフタレートシート、二軸延伸ポ
リエチレンナフタレートシート等の二軸延伸ポリエステ
ルフィルムや、二軸延伸ポリプロピレンフィルム等が用
いられる。平滑化鋳型材Ｆとしては、その表面粗度が
０．１５μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以下、さら
には０．０１μｍ以下であるものを用いる。
【００２７】第２の方法は、ベースシート１１／シリコ
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２または平滑化鋳型
材Ｆの一方に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂
組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延しておき、
該流延層に平滑化鋳型材Ｆまたはベースシート１１／シ
リコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を被覆させな
がらロールの間隙により挟持層の厚さを制御しつつ、加
熱、紫外線照射または電子線照射によりその挟持層を硬
化させて硬化性樹脂硬化物層１３を形成する方法であ
る。
ンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２または平滑化鋳型
材Ｆの一方に加熱硬化型樹脂組成物、紫外線硬化型樹脂
組成物または電子線硬化型樹脂組成物を流延しておき、
該流延層に平滑化鋳型材Ｆまたはベースシート１１／シ
リコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を被覆させな
がらロールの間隙により挟持層の厚さを制御しつつ、加
熱、紫外線照射または電子線照射によりその挟持層を硬
化させて硬化性樹脂硬化物層１３を形成する方法であ
る。
【００２８】以上のような手法で成膜した硬化性樹脂硬
化物層１３と本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物
薄膜層１２とは３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密
着力を有する。これは本発明のシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２の表面に、通常の溶融急冷法で作製
した板ガラスと同様にシラノール基などの反応基が多数
存在するためである。すなわち、この表面反応基と硬化
性樹脂硬化物とが強固に化学結合するために、硬化性樹
脂硬化物層１３とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２との密着力は極めて強い。
化物層１３と本発明のシリコンアルミニウム複合酸化物
薄膜層１２とは３００ｇ／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密
着力を有する。これは本発明のシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２の表面に、通常の溶融急冷法で作製
した板ガラスと同様にシラノール基などの反応基が多数
存在するためである。すなわち、この表面反応基と硬化
性樹脂硬化物とが強固に化学結合するために、硬化性樹
脂硬化物層１３とシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２との密着力は極めて強い。
【００２９】しかしながら、複合酸化物薄膜中の酸化ア
ルミニウムの含有率が同じ薄膜においても、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜の比重が低下するに伴い、表
面反応基数が低下する。薄膜の比重が低下する物理的意
味合いは、単位体積中に存在するシリコン、アルミニウ
ムおよび酸素の原子数が少なくなることであり、表面に
おいてもシリコン、アルミニウムおよび酸素の原子数が
少なくなる。このためシリコン、アルミニウムおよび酸
素による三次元網目構造を終端しているシラノール反応
基の数が表面に少なくなる。つまり複合酸化物薄膜中の
酸化アルミニウムの含有率が同じでも比重が低くなるの
に伴い、薄膜層と硬化性樹脂硬化物層１３との密着力は
低下する。
ルミニウムの含有率が同じ薄膜においても、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜の比重が低下するに伴い、表
面反応基数が低下する。薄膜の比重が低下する物理的意
味合いは、単位体積中に存在するシリコン、アルミニウ
ムおよび酸素の原子数が少なくなることであり、表面に
おいてもシリコン、アルミニウムおよび酸素の原子数が
少なくなる。このためシリコン、アルミニウムおよび酸
素による三次元網目構造を終端しているシラノール反応
基の数が表面に少なくなる。つまり複合酸化物薄膜中の
酸化アルミニウムの含有率が同じでも比重が低くなるの
に伴い、薄膜層と硬化性樹脂硬化物層１３との密着力は
低下する。
【００３０】シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１
２の比重Ｄが下記式を満足する範囲内では、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層
１３との密着力は３００ｇ／ｉｎｃｈ以上であり、充分
強い。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量％
２の比重Ｄが下記式を満足する範囲内では、シリコンア
ルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層
１３との密着力は３００ｇ／ｉｎｃｈ以上であり、充分
強い。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重 Ｗ：薄膜層１２中の酸化アルミニウムの重量％
【００３１】ここでＢ＝２．２の式で表されるシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重の値は、通常
の溶融急冷法で成形したアルミノシリケートガラスと同
じ比重であり、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２上に成膜した硬化性樹脂硬化物層１３は１０００ｇ
／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密着力を有する。
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２の比重の値は、通常
の溶融急冷法で成形したアルミノシリケートガラスと同
じ比重であり、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２上に成膜した硬化性樹脂硬化物層１３は１０００ｇ
／ｉｎｃｈ以上の非常に強い密着力を有する。
【００３２】本発明でいう比重とは、ある温度で、ある
体積を占める物質の質量と、それと同体積の標準物質の
質量（４℃における水）との比をいう。比重の測定は、
通常物体の質量と体積を測り、同体積の４℃の水の質量
との比を求めればよいが、本発明の薄膜の測定では、体
積の測定が困難である。そこで、まずベースシート１１
のみを溶解することにより、薄膜のみからなる単独膜の
状態とした後、ＪＩＳＫ７１１２にあるような比重測定
法が望ましい。例えば、浮沈法では、試料を比重既知の
溶液の中に浸漬させ、その浮沈状態から薄膜の比重を測
定することができる。この溶液として、四塩化炭素とブ
ロモホルムまたはヨウ化メチレン等の混合液を用いるこ
とができる。また、連続的に密度勾配をもつ溶液中に単
独膜を浸漬させる密度勾配法によっても比重を測定でき
る。
体積を占める物質の質量と、それと同体積の標準物質の
質量（４℃における水）との比をいう。比重の測定は、
通常物体の質量と体積を測り、同体積の４℃の水の質量
との比を求めればよいが、本発明の薄膜の測定では、体
積の測定が困難である。そこで、まずベースシート１１
のみを溶解することにより、薄膜のみからなる単独膜の
状態とした後、ＪＩＳＫ７１１２にあるような比重測定
法が望ましい。例えば、浮沈法では、試料を比重既知の
溶液の中に浸漬させ、その浮沈状態から薄膜の比重を測
定することができる。この溶液として、四塩化炭素とブ
ロモホルムまたはヨウ化メチレン等の混合液を用いるこ
とができる。また、連続的に密度勾配をもつ溶液中に単
独膜を浸漬させる密度勾配法によっても比重を測定でき
る。
【００３３】このようにして得られた本発明の電極基板
１の硬化性樹脂硬化物層１３上には、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等の手段により
透明電極を形成することができる。透明電極の厚さは１
００〜３０００Åの範囲が好ましい。透明電極の厚さは
１００Å未満の場合は導電性が十分ではなく、３０００
Åを越える場合は、透明性が損なわれる。透明電極とし
てはインジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合酸
化物、インジウムカドミウム複合酸化物が好適である
が、他の導電性金属酸化物を用いることもできる。
１の硬化性樹脂硬化物層１３上には、真空蒸着法、スパ
ッタリング法、イオンプレーティング法等の手段により
透明電極を形成することができる。透明電極の厚さは１
００〜３０００Åの範囲が好ましい。透明電極の厚さは
１００Å未満の場合は導電性が十分ではなく、３０００
Åを越える場合は、透明性が損なわれる。透明電極とし
てはインジウムスズ複合酸化物、インジウム亜鉛複合酸
化物、インジウムカドミウム複合酸化物が好適である
が、他の導電性金属酸化物を用いることもできる。
【００３４】形成した透明電極の上からは、さらに必要
に応じた配向膜を形成させる。そしてこのようにして作
製した透明電極付きの電極基板２枚をそれぞれの透明電
極側が対向する状態で所定の間隔をあけて配設すると共
に、その間隙に液晶を封入すれば（周囲はシールしてお
く）、液晶セルが作製される。液晶としてはポリマー液
晶を用いることもできる。
に応じた配向膜を形成させる。そしてこのようにして作
製した透明電極付きの電極基板２枚をそれぞれの透明電
極側が対向する状態で所定の間隔をあけて配設すると共
に、その間隙に液晶を封入すれば（周囲はシールしてお
く）、液晶セルが作製される。液晶としてはポリマー液
晶を用いることもできる。
【００３５】液晶表示パネルは、この液晶セル片面に偏
光板、他面に位相差板を介して偏光板を積層することに
より作製する。位相差板を省略したり、位相差板に代え
て補償用液晶セルを用いることもある。なお上記の電極
基板は、偏光板または位相差板と一体とした一体型基板
とすることもできる。
光板、他面に位相差板を介して偏光板を積層することに
より作製する。位相差板を省略したり、位相差板に代え
て補償用液晶セルを用いることもある。なお上記の電極
基板は、偏光板または位相差板と一体とした一体型基板
とすることもできる。
【００３６】
【実施例】次に実施例をあげて本発明をさらに説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下
「部」とあるのは重量部である。
が、本発明はこれらに限定されるものではない。以下
「部」とあるのは重量部である。
【００３７】図１は本発明の電極基板の一例を模式的に
示した断面図であり、透明電極２を付した状態を示して
いる。図２はその電極基板を用いて作製した液晶セルの
一例を模式的に示した断面図である。
示した断面図であり、透明電極２を付した状態を示して
いる。図２はその電極基板を用いて作製した液晶セルの
一例を模式的に示した断面図である。
【００３８】実施例 １ ベースシート１１の一例としてポリアリレートフィルム
を用いた。このフィルムは、塩化メチレンを溶媒とする
２０重量％濃度の溶液から流延法により製膜されたもの
である。厚さは７５μｍ、レタデーション値は５ｎｍ、
可視光線透過率は９１％である。
を用いた。このフィルムは、塩化メチレンを溶媒とする
２０重量％濃度の溶液から流延法により製膜されたもの
である。厚さは７５μｍ、レタデーション値は５ｎｍ、
可視光線透過率は９１％である。
【００３９】このベースシート１１上に、シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を電子ビーム蒸着法で成
膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの大きさ
の粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度９９．５％）とＳｉＯ2
（純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は混合
せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つに仕
切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の電子
銃のエミッション電流は２．５Ａとし、薄膜中の酸化ア
ルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間比は
表１のようにした。また、酸素ガスを２０ｓｃｃｍ供給
し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速度
は１２０ｍ／ｍｉｎ．とした。
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を電子ビーム蒸着法で成
膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの大きさ
の粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度９９．５％）とＳｉＯ2
（純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は混合
せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つに仕
切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の電子
銃のエミッション電流は２．５Ａとし、薄膜中の酸化ア
ルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間比は
表１のようにした。また、酸素ガスを２０ｓｃｃｍ供給
し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速度
は１２０ｍ／ｍｉｎ．とした。
【００４０】また真空排気装置として油拡散ポンプとク
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は２．
５×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は３×１０-5
Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚２０
０Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜し
た。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サンプ
ルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を溶
解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比重
をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この結
果を表１に示した。
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は２．
５×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は３×１０-5
Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚２０
０Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜し
た。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サンプ
ルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を溶
解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比重
をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この結
果を表１に示した。
【００４１】わずかの間隔をあけて平行に配置した一対
の製膜ロールの一方に上記のポリアリレートフィルム上
にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を積層したシー
トを供給しながら走行させ、もう一方の製膜ロールには
平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ５０μｍ、表面粗度Ｒ
ａ＝０．００４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．０５μｍのコロナ
処理していない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４１００）の平滑面が上
面となるように供給しながら走行させ、両製膜用ロール
の間隔に向けて、エポキシアクリル樹脂１００部にベン
ゾフェノン４部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物を吐出
した。
の製膜ロールの一方に上記のポリアリレートフィルム上
にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を積層したシー
トを供給しながら走行させ、もう一方の製膜ロールには
平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ５０μｍ、表面粗度Ｒ
ａ＝０．００４μｍ、Ｒｍａｘ＝０．０５μｍのコロナ
処理していない二軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４１００）の平滑面が上
面となるように供給しながら走行させ、両製膜用ロール
の間隔に向けて、エポキシアクリル樹脂１００部にベン
ゾフェノン４部を加えた紫外線硬化型樹脂組成物を吐出
した。
【００４２】吐出された紫外線硬化型樹脂組成物は、ポ
リアリレートフィルムのシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２形成側の面と平滑化鋳型材Ｆの平滑面との
間に挟持されたので、この状態で走行させながら、高圧
水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ2 、１灯、１０秒、距離
２００ｍｍの条件で紫外線照射した。これにより挟持層
は硬化し、厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３とな
った。
リアリレートフィルムのシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２形成側の面と平滑化鋳型材Ｆの平滑面との
間に挟持されたので、この状態で走行させながら、高圧
水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ2 、１灯、１０秒、距離
２００ｍｍの条件で紫外線照射した。これにより挟持層
は硬化し、厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３とな
った。
【００４３】上記の操作をポリアリレートフィルムの他
面に対しても実施し、厚さ２００Åのシリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２０μｍの硬化性樹脂
硬化物層１３を形成させた。
面に対しても実施し、厚さ２００Åのシリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２０μｍの硬化性樹脂
硬化物層１３を形成させた。
【００４４】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。
【００４５】上記で得た積層シートの層間密着力を測定
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表１に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表１に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。
【００４６】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表１に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表１に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。
【００４７】このようにして得られた電極基板１は、硬
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は５ｎｍ、可視光
線透過率は８４％、厚さは１１５μｍであった。
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は５ｎｍ、可視光
線透過率は８４％、厚さは１１５μｍであった。
【００４８】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１００Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１００Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
【００４９】液晶表示パネルは、上記の透明電極２付き
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。
【００５０】液晶表示パネルは、この片面に偏光板、他
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。
【００５１】このようにして製作された液晶表示パネル
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。
【００５２】比較例 １ 実施例１と同様のポリアリレートフィルムをベースシー
ト１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複合
酸化物薄膜層１２を形成した。このシリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２を、真空排気装置としてクライ
オパネルを用いず、油拡散ポンプのみを用いた以外は実
施例１と同様にして製膜した。このとき圧力は５×１０
-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分圧は１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒであった。
ト１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複合
酸化物薄膜層１２を形成した。このシリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２を、真空排気装置としてクライ
オパネルを用いず、油拡散ポンプのみを用いた以外は実
施例１と同様にして製膜した。このとき圧力は５×１０
-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分圧は１．０×１０-4Ｔｏｒ
ｒであった。
【００５３】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を表１に示した。
層１２の比重を表１に示した。
【００５４】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例１
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例１
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。
【００５５】ポリアリレートフィルムの他の面にも上記
と同様の手法で、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２と硬化性樹脂硬化物層１３を積層した。
と同様の手法で、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２と硬化性樹脂硬化物層１３を積層した。
【００５６】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例１と同様の手法で測定し、結果を表１
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。
間密着力を実施例１と同様の手法で測定し、結果を表１
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。
【００５７】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
１に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。
１に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。
【００５８】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
【００５９】
【表１】
【００６０】実施例 ２ ベースシート１１の一例としてポリアミドイミドフィル
ムを用いた。厚さは１００μｍ、レタデーション値は５
ｎｍ、可視光線透過率は９０％である。
ムを用いた。厚さは１００μｍ、レタデーション値は５
ｎｍ、可視光線透過率は９０％である。
【００６１】このベースシート１１の片面に、シリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をイオンビームを照
射しながら電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着
材料として、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3
（純度９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用
いた。これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内
を水冷した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台
の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時
分割で加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は
２．６Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変
化させるために、加熱時間比は表２のようにした。ま
た、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度
は−１５℃、フィルム送り速度は１８０ｍ／ｍｉｎ．と
した。この時の圧力は４．５×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気
分圧は８×１０-5Ｔｏｒｒであった。イオンビームのイ
オン種として、酸素イオンを用い、イオン電流密度１．
０ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネルギーを２００Ｖとした。
またベースシート１１への入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をイオンビームを照
射しながら電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着
材料として、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3
（純度９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用
いた。これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内
を水冷した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台
の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時
分割で加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は
２．６Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変
化させるために、加熱時間比は表２のようにした。ま
た、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度
は−１５℃、フィルム送り速度は１８０ｍ／ｍｉｎ．と
した。この時の圧力は４．５×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気
分圧は８×１０-5Ｔｏｒｒであった。イオンビームのイ
オン種として、酸素イオンを用い、イオン電流密度１．
０ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネルギーを２００Ｖとした。
またベースシート１１への入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。
【００６２】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表２に示す。
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表２に示す。
【００６３】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２付きのベースシート１１を走行させながら、その
上から、フェノキシエーテル樹脂３５部、メチルエチル
ケトン３５部、セロソルブアセテート３０部、トリレン
ジイソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダク
ト体の７５％溶液（日本ポリウレタン工業株式会社製の
コロネートＬ）５０部からなる組成の硬化性樹脂組成物
を用いて塗布し、１００℃で３分間乾燥してから、その
うえに実施例１で用いたのと同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆
し、ロール群間を通して圧着しながら１５０℃で５分間
加熱した。これにより塗布層は硬化し、厚さ２０μｍの
硬化性樹脂硬化物層１３となった。
層１２付きのベースシート１１を走行させながら、その
上から、フェノキシエーテル樹脂３５部、メチルエチル
ケトン３５部、セロソルブアセテート３０部、トリレン
ジイソシアネートとトリメチロールプロパンとのアダク
ト体の７５％溶液（日本ポリウレタン工業株式会社製の
コロネートＬ）５０部からなる組成の硬化性樹脂組成物
を用いて塗布し、１００℃で３分間乾燥してから、その
うえに実施例１で用いたのと同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆
し、ロール群間を通して圧着しながら１５０℃で５分間
加熱した。これにより塗布層は硬化し、厚さ２０μｍの
硬化性樹脂硬化物層１３となった。
【００６４】同様にしてシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２付きのベースシート１１の他面にも、厚さ
３００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
と厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させ
た。
物薄膜層１２付きのベースシート１１の他面にも、厚さ
３００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
と厚さ２０μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させ
た。
【００６５】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも５ｎｍ、可視光線透過率
は８２％、厚さは１４０μｍであった。
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも５ｎｍ、可視光線透過率
は８２％、厚さは１４０μｍであった。
【００６６】この積層シートから両側の平滑化鋳型材Ｆ
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例１と同
様の方法で測定した。この結果を表２に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかる
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例１と同
様の方法で測定した。この結果を表２に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかる
【００６７】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表２に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表２に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。
【００６８】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
から、スパッタリング法により厚さ５００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
【００６９】この透明電極２付きの電極基板１を用い、
実施例１と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。
実施例１と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。
【００７０】比較例 ２ 実施例２と同様のポリアミドイミドフィルムをベースシ
ート１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２を形成した。この時、イオンビーム
を用いなかった以外は同様にして３００Å厚のシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。この時
の薄膜比重を実施例１と同様の方法で測定した結果を表
２に示す。
ート１１として用い、この上にシリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２を形成した。この時、イオンビーム
を用いなかった以外は同様にして３００Å厚のシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。この時
の薄膜比重を実施例１と同様の方法で測定した結果を表
２に示す。
【００７１】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２からなる積層シート上に実施
例２と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。さら
に、ベースシート１１の他の面にも上記と同様の方法で
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹
脂硬化物層１３を積層した。
ウム複合酸化物薄膜層１２からなる積層シート上に実施
例２と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。さら
に、ベースシート１１の他の面にも上記と同様の方法で
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹
脂硬化物層１３を積層した。
【００７２】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例１と同様の手法で測定した。結果を表
２に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。
間密着力を実施例１と同様の手法で測定した。結果を表
２に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。
【００７３】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
２に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。
２に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。
【００７４】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
施例１と同様の透明電極２を成膜した後、実施例１と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
【００７５】
【表２】
【００７６】実施例 ３ ベースシート１１の一例として厚さが１００μｍ、レタ
デーション値が１０２００ｎｍ、可視光線透過率が９１
％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
を用いた。この一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１
２を電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着材料と
して、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度
９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用いた。
これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内を水冷
した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台の電子
銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で
加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は２．３
Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変化させ
るために、加熱時間比は表３のようにした。また、酸素
ガスを１５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度は−１
０℃、フィルム送り速度は１００ｍ／ｍｉｎ．とした。
デーション値が１０２００ｎｍ、可視光線透過率が９１
％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルム
を用いた。この一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１
２を電子ビーム蒸着法で成膜した。この時、蒸着材料と
して、３〜５ｍｍの大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3 （純度
９９．５％）とＳｉＯ2 （純度９９．９％）を用いた。
これらの蒸着材料は混合せずに、水冷銅ハース内を水冷
した銅製の板で二つに仕切り、加熱源として一台の電子
銃を用い、Ａｌ2 Ｏ3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で
加熱した。その時の電子銃のエミッション電流は２．３
Ａとし、薄膜中の酸化アルミニウムの含有率を変化させ
るために、加熱時間比は表３のようにした。また、酸素
ガスを１５ｓｃｃｍ供給し、センターロール温度は−１
０℃、フィルム送り速度は１００ｍ／ｍｉｎ．とした。
【００７７】また真空排気装置として油拡散ポンプとク
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は３．
０×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は２．５×１
０-5Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚
２００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜
した。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サン
プルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を
溶解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比
重をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この
結果を表３に示した。
ライオパネルを用いた。これにより蒸着時の圧力は３．
０×１０-4Ｔｏｒｒ、この時の水蒸気分圧は２．５×１
０-5Ｔｏｒｒであった。以上のような成膜条件で、膜厚
２００Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜を成膜
した。またこの薄膜の比重を測定するために、上記サン
プルの一部を切り出し、下地であるベースシート１１を
溶解し、薄膜のみの単独膜を作製した。この単独膜の比
重をＪＩＳ Ｋ７１１２に記載の浮沈法で測定し、この
結果を表３に示した。
【００７８】わずかの間隔をあけて平行に配置した一対
の製膜ロールの一方に上記の一軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜を積層したシートを供給しながら走行させ、もう
一方の製膜ロールには平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ
７５μｍ、表面粗度Ｒａ＝０．００５μｍ、Ｒｍａｘ＝
０．０５μｍのコロナ処理していない二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４
１００）の平滑面が上面となるように供給しながら走行
させ、両製膜用ロールの間隔に向けて、エポキシアクリ
ル樹脂１００部にベンゾフェノン１部を加えた紫外線硬
化型樹脂組成物を吐出した。
の製膜ロールの一方に上記の一軸延伸ポリエチレンテレ
フタレートフィルム上にシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜を積層したシートを供給しながら走行させ、もう
一方の製膜ロールには平滑化鋳型材Ｆの一例として厚さ
７５μｍ、表面粗度Ｒａ＝０．００５μｍ、Ｒｍａｘ＝
０．０５μｍのコロナ処理していない二軸延伸ポリエチ
レンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：Ａ４
１００）の平滑面が上面となるように供給しながら走行
させ、両製膜用ロールの間隔に向けて、エポキシアクリ
ル樹脂１００部にベンゾフェノン１部を加えた紫外線硬
化型樹脂組成物を吐出した。
【００７９】吐出された紫外線硬化型樹脂組成物は、一
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムのシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２形成側の面と平滑化
鋳型材Ｆの平滑面との間に挟持されたので、この状態で
走行させながら、高圧水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ
2 、１灯、１０秒、距離２００ｍｍの条件で紫外線照射
した。これにより挟持層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化
性樹脂硬化物層１３となった。
軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィルムのシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２形成側の面と平滑化
鋳型材Ｆの平滑面との間に挟持されたので、この状態で
走行させながら、高圧水銀灯により、２００ｗ／ｃｍ
2 、１灯、１０秒、距離２００ｍｍの条件で紫外線照射
した。これにより挟持層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化
性樹脂硬化物層１３となった。
【００８０】上記の操作を一軸延伸ポリエチレンテレフ
タレートフィルムの他面に対しても実施し、厚さ２００
Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ
２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させた。
タレートフィルムの他面に対しても実施し、厚さ２００
Åのシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ
２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３を形成させた。
【００８１】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定でＲａ＝０．０
０５μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下であった。
【００８２】上記で得た積層シートの層間密着力を測定
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表３に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。
するために以下のような手法を用いた。まず積層シート
の両面の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去し、露出した硬化性
樹脂硬化物層１３上に、ポリエステルポリウレタン系接
着剤（武田薬品（株）製：Ａ−３１０）１００部にイソ
シアネート系硬化剤（武田薬品（株）製：Ａ−３）１０
部を加えた熱硬化型接着剤を厚さ３μｍ塗布した。この
上にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの二軸延伸ポリ
エチレンテレフタレートフィルム（東洋紡績（株）製：
Ｅ５１００）をラミネートし、４５℃４日間の条件で硬
化させた。このようにして作製した二軸延伸ポリエチレ
ンテレフタレートフィルム／熱硬化型接着剤層／硬化性
樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複
合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３からなる
積層シートにおいて二軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムとそれ以外の部分をつかみ、ＪＩＳ Ｋ６８
５４に準拠した９０度Ｔ型剥離法にて剥離強度を測定し
た。この結果を表３に示す。いずれも充分強い剥離強度
を示し、また剥離界面は硬化性樹脂硬化物層１３／シリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この
結果より、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層
１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベ
ースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２／硬化性樹脂硬化物層１３は充分強い層間密着力
を有していることがわかる。
【００８３】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表３に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表３に示したとお
り、極めて高いガスバリア性を示した。
【００８４】このようにして得られた電極基板１は、硬
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は１０２００ｎ
ｍ、可視光線透過率は８２％、厚さは１５０μｍであっ
た。
化性樹脂硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウ
ム複合酸化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３の層
構成を有し、全体のレタデーション値は１０２００ｎ
ｍ、可視光線透過率は８２％、厚さは１５０μｍであっ
た。
【００８５】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ２００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
から、スパッタリング法により厚さ２００Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は８０Ω／□あり、以上のような
手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
【００８６】液晶表示パネルは、上記の透明電極２付き
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。
の電極基板１の透明電極２面に必要に応じて配向膜を形
成した後、図２のようにその透明電極２付きの電極基板
１を２枚それぞれの透明電極２が対向する状態で所定の
間隔を開けて配置すると共に、その間隙に液晶３を封入
することにより作製される。図２中の符号４はシールで
ある。
【００８７】液晶表示パネルは、この片面に偏光板、他
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。
面に位相差板を介して偏光板を積層することにより作製
される。
【００８８】このようにして製作された液晶表示パネル
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。
は、電極基板の層間密着力が充分強いため、製造プロセ
ス中に電極基板が層間剥離することはなかった。
【００８９】比較例 ３ 実施例３と同様の一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を、真空
排気装置としてクライオパネルを用いず、油拡散ポンプ
のみを用いた以外は実施例３と同様にして製膜した。こ
のとき圧力は５．５×１０-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分
圧は１．５×１０-4Ｔｏｒｒであった。
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を、真空
排気装置としてクライオパネルを用いず、油拡散ポンプ
のみを用いた以外は実施例３と同様にして製膜した。こ
のとき圧力は５．５×１０-4Ｔｏｒｒとなり、水蒸気分
圧は１．５×１０-4Ｔｏｒｒであった。
【００９０】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を表３に示した。
層１２の比重を表３に示した。
【００９１】このベースシート１１／シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例３
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。
ウム複合酸化物薄膜層１２を積層したものに、実施例３
と同様の硬化性樹脂硬化物層１３を形成した。
【００９２】一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムの他の面にも上記と同様の手法で、シリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層１３
を積層した。
ルムの他の面にも上記と同様の手法で、シリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性樹脂硬化物層１３
を積層した。
【００９３】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例３と同様の手法で測定し、結果を表３
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。
間密着力を実施例３と同様の手法で測定し、結果を表３
に示したが、いずれも３００ｇ／ｉｎｃｈ以下であっ
た。また剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。
【００９４】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
３に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。
３に示すが、液晶表示パネルに使用するのには不十分で
あった。
【００９５】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
【００９６】
【表３】
【００９７】実施例 ４ ベースシート１１の一例として、厚さが１２５μｍ、レ
タデーション値が１１５００ｎｍ、可視光線透過率が９
０％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた。
タデーション値が１１５００ｎｍ、可視光線透過率が９
０％である一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィル
ムを用いた。
【００９８】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムの片面に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２をイオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着
法で成膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの
大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3（純度９９．５％）とＳｉ
Ｏ2 （純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は
混合せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つ
に仕切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ
3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の
電子銃のエミッション電流は２．６Ａとし、薄膜中の酸
化アルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間
比は表４のようにした。また、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供
給し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速
度は１８０ｍ／ｍｉｎ．とした。この時の圧力は５．３
×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気分圧は９×１０-5Ｔｏｒｒで
あった。イオンビームのイオン種として、酸素イオンを
用い、イオン電流密度１．５ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネ
ルギーを３００Ｖとした。また一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムへの入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。
フィルムの片面に、シリコンアルミニウム複合酸化物薄
膜層１２をイオンビームを照射しながら電子ビーム蒸着
法で成膜した。この時、蒸着材料として、３〜５ｍｍの
大きさの粒子状のＡｌ2 Ｏ3（純度９９．５％）とＳｉ
Ｏ2 （純度９９．９％）を用いた。これらの蒸着材料は
混合せずに、水冷銅ハース内を水冷した銅製の板で二つ
に仕切り、加熱源として一台の電子銃を用い、Ａｌ2 Ｏ
3 とＳｉＯ2 のそれぞれを時分割で加熱した。その時の
電子銃のエミッション電流は２．６Ａとし、薄膜中の酸
化アルミニウムの含有率を変化させるために、加熱時間
比は表４のようにした。また、酸素ガスを５ｓｃｃｍ供
給し、センターロール温度は−１５℃、フィルム送り速
度は１８０ｍ／ｍｉｎ．とした。この時の圧力は５．３
×１０-4Ｔｏｒｒ、水蒸気分圧は９×１０-5Ｔｏｒｒで
あった。イオンビームのイオン種として、酸素イオンを
用い、イオン電流密度１．５ｍＡ／ｃｍ2 、ビームエネ
ルギーを３００Ｖとした。また一軸延伸ポリエチレンテ
レフタレートフィルムへの入射角は４５度とした。以上
のような製膜条件のもとで、３００Å厚のシリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２を積層した。
【００９９】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表４に示す。
層１２の比重を測定するために、上記の積層シートの一
部を切り出し、ポリアミドイミドフィルムを溶解し薄膜
のみの単独膜を得て、浮沈法により比重測定を行った。
この結果を表４に示す。
【０１００】このシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを走行させながら、その上から、フェノキシエーテ
ル樹脂４５部、メチルエチルケトン４５部、セロソルブ
アセテート１０部、トリレンジイソシアネートとトリメ
チロールプロパンとのアダクト体の７５％溶液（日本ポ
リウレタン工業株式会社製のコロネートＬ）５０部から
なる組成の硬化性樹脂組成物を用いて塗布し、１００℃
で５分間乾燥してから、そのうえに実施例３で用いたの
と同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆し、ロール群間を通して圧
着しながら１５０℃で７分間加熱した。これにより塗布
層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３と
なった。
層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレートフィ
ルムを走行させながら、その上から、フェノキシエーテ
ル樹脂４５部、メチルエチルケトン４５部、セロソルブ
アセテート１０部、トリレンジイソシアネートとトリメ
チロールプロパンとのアダクト体の７５％溶液（日本ポ
リウレタン工業株式会社製のコロネートＬ）５０部から
なる組成の硬化性樹脂組成物を用いて塗布し、１００℃
で５分間乾燥してから、そのうえに実施例３で用いたの
と同じ平滑化鋳型材Ｆを被覆し、ロール群間を通して圧
着しながら１５０℃で７分間加熱した。これにより塗布
層は硬化し、厚さ２５μｍの硬化性樹脂硬化物層１３と
なった。
【０１０１】同様にしてシリコンアルミニウム複合酸化
物薄膜層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの他面にも、厚さ３００Åのシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２５μｍの硬化性樹
脂硬化物層１３を形成させた。
物薄膜層１２付きの一軸延伸ポリエチレンテレフタレー
トフィルムの他面にも、厚さ３００Åのシリコンアルミ
ニウム複合酸化物薄膜層１２と厚さ２５μｍの硬化性樹
脂硬化物層１３を形成させた。
【０１０２】これにより、平滑化鋳型材Ｆ／硬化性樹脂
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも１１５００ｎｍ、可視光
線透過率は８１％、厚さは１７５μｍであった。
硬化物層１３／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
１２／ベースシート１１／シリコンアルミニウム複合酸
化物薄膜層１２／硬化性樹脂硬化物層１３／平滑化鋳型
材Ｆの層構成を有する積層シートが得られた。平滑化鋳
型材Ｆを剥離除去した後の硬化性樹脂硬化物層１３の表
面粗度は、触診式表面粗さ計による測定で、いずれもＲ
ａ＝０．００４μｍ以下、Ｒｍａｘ＝０．１μｍ以下で
あった。両側の平滑化鋳型材Ｆを剥離除去した後の全体
のレタデーション値はいずれも１１５００ｎｍ、可視光
線透過率は８１％、厚さは１７５μｍであった。
【０１０３】この積層シートから両側の平滑化鋳型材Ｆ
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例３と同
様の方法で測定した。この結果を表４に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかる
を剥離除去した電極基板１の層間密着力を実施例３と同
様の方法で測定した。この結果を表４に示す。また剥離
界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３／シリコンアル
ミニウム複合酸化物薄膜層１２であった。この結果よ
り、本発明の電極基板である硬化性樹脂硬化物層１３／
シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２／ベースシ
ート１１／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
／硬化性樹脂硬化物層１３は充分に強い層間密着力を有
していることがわかる
【０１０４】本発明のガスバリア性を評価するために酸
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表４に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。
素透過度測定装置（モダンコントロールズ社製、ＯＸ−
ＴＲＡＮ１００）を用いて測定した。測定条件は２５
℃、８０％ＲＨとした。測定結果は表４に示すとおりで
あり、極めて高いガスバリア性を示した。
【０１０５】次いで片方の硬化性樹脂硬化物層１３の上
から、スパッタリング法により厚さ２５０Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１５０Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
から、スパッタリング法により厚さ２５０Åのインジウ
ムスズ複合酸化物からなる透明電極２を形成した。この
透明電極２の表面抵抗は１５０Ω／□あり、以上のよう
な手法で透明電極２付きの電極基板１を得た。
【０１０６】この透明電極２付きの電極基板１を用い、
実施例３と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。
実施例３と同じ方法で液晶表示パネルを作製したが、い
ずれの電極基板１もプロセス中に層間剥離することはな
かった。
【０１０７】比較例 ４ 実施例４と同様の一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
の時、イオンビームを用いなかった以外は同様にして３
００Å厚のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
を積層した。この時の薄膜比重を実施例３と同様の方法
で測定した結果を表４に示す。
フィルムをベースシート１１として用い、この上にシリ
コンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２を形成した。こ
の時、イオンビームを用いなかった以外は同様にして３
００Å厚のシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
を積層した。この時の薄膜比重を実施例３と同様の方法
で測定した結果を表４に示す。
【０１０８】この一軸延伸ポリエチレンテレフタレート
フィルム／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
からなる積層シート上に実施例４と同様の硬化性樹脂硬
化物層１３を形成した。さらに、一軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフィルムの他の面にも上記と同様の方法
でシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性
樹脂硬化物層１３を積層した。
フィルム／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２
からなる積層シート上に実施例４と同様の硬化性樹脂硬
化物層１３を形成した。さらに、一軸延伸ポリエチレン
テレフタレートフィルムの他の面にも上記と同様の方法
でシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２と硬化性
樹脂硬化物層１３を積層した。
【０１０９】以上のようにして作製した電極基板１の層
間密着力を実施例３と同様の手法で測定した。結果を表
４に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。
間密着力を実施例３と同様の手法で測定した。結果を表
４に示す。剥離界面はいずれも硬化性樹脂硬化物層１３
／シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層１２であっ
た。以上から層間密着力は不充分であった。
【０１１０】この電極基板の酸素透過度の測定結果を表
４に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。
４に示すが、いずれも液晶表示パネルに使用するのには
不十分であった。
【０１１１】上記のようにして作製した電極基板上に実
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
施例３と同様の透明電極２を成膜した後、実施例３と同
様に液晶表示パネルを作製したが、電極基板１の層間密
着力が不十分であるため、製造プロセス中に電極基板が
層間剥離することがあった。
【０１１２】
【発明の効果】本発明の電極基板は上記のように構成さ
れているので、積層シートの層間密着力が極めて強く、
液晶表示パネル製造プロセス中に層間剥離することがな
い。また本発明の電極基板は金属酸化物であるシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をガスバリア層に用
いているため、ガスバリア性にも極めて優れている。
れているので、積層シートの層間密着力が極めて強く、
液晶表示パネル製造プロセス中に層間剥離することがな
い。また本発明の電極基板は金属酸化物であるシリコン
アルミニウム複合酸化物薄膜層１２をガスバリア層に用
いているため、ガスバリア性にも極めて優れている。
【図１】本発明の電極基板の一例を模式的に示した断面
図であり、透明電極２を付した状態を示している。
図であり、透明電極２を付した状態を示している。
【図２】図１の電極基板を用いて作製した液晶セルの一
例を模式的に示した断面図である。
例を模式的に示した断面図である。
１ 電極基板 ２ 透明電極 ３ 液晶 ４ シール １１ ベースシート １２ シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層 １３ 硬化性樹脂硬化物層
【表４】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０ Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３０Ｚ
Claims (13)
- 【請求項１】 高分子製ベースシート（１１）の少なく
とも片面にシリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１
２）を設けた積層シートにおいて、該シリコンアルミニ
ウム複合酸化物薄膜層（１２）の比重Ｄが下記式を満足
することを特徴とする電極基板。 Ｄ＝０．０１Ｗ＋Ｂ ２．０≦Ｂ≦２．２ Ｄ：シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層（１２）の
比重 Ｗ：複合酸化物薄膜層（１２）中の酸化アルミニウム含
有率（重量％） - 【請求項２】 高分子製ベースシート（１１）がポリア
リレートフィルム、ポリアミドイミドフィルム、硬質ポ
リ塩化ビニルフィルム、ポリ塩化ビニリデンフィルム、
ポリカーボネートフィルム、ポリスチレンフィルム、ポ
リエステルフィルム、ポリ−４−メチルペンテンフィル
ム、ポリフェニレンオキサイドフィルム、ポリエーテル
スルホンフィルム、アモルファスポリオレフィン、ノル
ボルネン系ポリマーフィルム、ポリビニルアルコールフ
ィルム、エチレン−ビニルアルコール共重合体フィル
ム、セルロースフィルムから選択される少なくとも１種
のフィルムから構成されることを特徴とする請求項１記
載の電極基板。 - 【請求項３】 高分子製ベースシート（１１）のレタデ
ーション値が３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求
項２記載の電極基板。 - 【請求項４】 高分子製ベースシート（１１）が一軸延
伸ポリエチレンテレフタレートフィルムから構成される
ことを特徴とする請求項１記載の電極基板。 - 【請求項５】 高分子製ベースシート（１１）のレタデ
ーション値が５０００ｎｍ以上であることを特徴とする
請求項４記載の電極基板。 - 【請求項６】 複合酸化物薄膜層（１２）中の酸化アル
ミニウムの含有率が２５〜９０重量％であることを特徴
とする請求項１〜５のいずれかに記載の電極基板。 - 【請求項７】 シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
（１２）の厚さが３０〜８０００Åであることを特徴と
する請求項１〜６のいずれかに記載の電極基板。 - 【請求項８】 シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜層
（１２）上に硬化性樹脂硬化物層（１３）を積層したこ
とを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の電極基
板。 - 【請求項９】 層間密着力が３００ｇ／ｉｎｃｈ以上で
あることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の
電極基板。 - 【請求項１０】 酸素透過度が３ｃｃ／ｍ2 ・ａｔｍ・
ｄａｙ以下であることを特徴とする請求項１〜９のいず
れかに記載の電極基板。 - 【請求項１１】 シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層（１２）が電子ビーム蒸着法で製膜されていることを
特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の電極基
板。 - 【請求項１２】 シリコンアルミニウム複合酸化物薄膜
層（１２）がイオンビームを照射しながら電子ビーム蒸
着法で製膜されていることを特徴とする請求項１１に記
載の電極基板。 - 【請求項１３】 電極基板（１）の表面に透明電極
（２）を形成し、液晶表示パネル用電極基板に用いるこ
とを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の電極
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18138196A JPH1010558A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 電極基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18138196A JPH1010558A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 電極基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1010558A true JPH1010558A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=16099743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18138196A Pending JPH1010558A (ja) | 1996-06-21 | 1996-06-21 | 電極基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1010558A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101292242B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2013-08-01 | 청주대학교 산학협력단 | 투명전극용 다층 시트 |
| US8841664B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2014221543A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 東洋紡株式会社 | ガスバリア性フィルム |
| US9798189B2 (en) | 2010-06-22 | 2017-10-24 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizer and protective film |
| US10054816B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-08-21 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Method for improving visibility of liquid crystal display device, and liquid crystal display device using same |
| US10175494B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-08 | Toyobo Co., Ltd. | Polarizing plate suitable for liquid crystal display device capable of displaying three-dimensional images, and liquid crystal display device |
| US10180597B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-15 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizing plate, and polarizer protection film |
-
1996
- 1996-06-21 JP JP18138196A patent/JPH1010558A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10054816B2 (en) | 2009-11-12 | 2018-08-21 | Toyo Boseki Kabushiki Kaisha | Method for improving visibility of liquid crystal display device, and liquid crystal display device using same |
| US10948764B2 (en) | 2009-11-12 | 2021-03-16 | Keio University | Method for improving visibility of liquid crystal display device, and liquid crystal display device using the same |
| KR101292242B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2013-08-01 | 청주대학교 산학협력단 | 투명전극용 다층 시트 |
| US9798189B2 (en) | 2010-06-22 | 2017-10-24 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizer and protective film |
| US9897857B2 (en) | 2010-06-22 | 2018-02-20 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizer and protective film |
| US10503016B2 (en) | 2010-06-22 | 2019-12-10 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizer and protective film |
| US8841664B2 (en) | 2011-03-04 | 2014-09-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| US10175494B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-08 | Toyobo Co., Ltd. | Polarizing plate suitable for liquid crystal display device capable of displaying three-dimensional images, and liquid crystal display device |
| US10180597B2 (en) | 2011-05-18 | 2019-01-15 | Toyobo Co., Ltd. | Liquid crystal display device, polarizing plate, and polarizer protection film |
| JP2014221543A (ja) * | 2013-05-14 | 2014-11-27 | 東洋紡株式会社 | ガスバリア性フィルム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN105121154B (zh) | 阻气性层叠体及阻气性层叠体的制造方法 | |
| JPH0868990A (ja) | ガスバリヤー性低透湿性絶縁性透明電極用基板およびその用途 | |
| JPH11218603A (ja) | 反射防止膜およびその製造方法 | |
| JPWO2005100014A1 (ja) | 透明ガスバリア性積層フィルム | |
| JP4013085B2 (ja) | 積層フィルムの製造方法 | |
| JP4072872B2 (ja) | 電極基板 | |
| JP2004345223A (ja) | 光学機能性フィルム、および画像表示装置 | |
| JPH1010558A (ja) | 電極基板 | |
| JP3589331B2 (ja) | 電極基板 | |
| JPH09314729A (ja) | 透明導電性フィルムおよびその製造法 | |
| JP3767002B2 (ja) | ガスバリアフィルムおよびその製造方法 | |
| JPH02194944A (ja) | レトルト耐性を有する透明バリアー複合フィルム | |
| JPH1076595A (ja) | 積層フィルムおよびその製造方法 | |
| JP3305022B2 (ja) | 電極基板 | |
| JPH08201791A (ja) | 透明電極基板 | |
| JP3488012B2 (ja) | プラスチックス基板 | |
| CN216014837U (zh) | 导电膜 | |
| JPH1076596A (ja) | 積層フィルムおよびその製造方法 | |
| JP2001283643A (ja) | 透明導電性フィルム、透明導電性シートおよびタッチパネル | |
| JPH10119162A (ja) | 光学用積層シート | |
| JP4028339B2 (ja) | ガスバリア膜付き積層体の形成方法 | |
| JPH05338086A (ja) | タッチパネル用積層フィルム及び透明タッチパネル | |
| JP2004349112A (ja) | 透明導電性フィルム及び透明導電性シートの製造方法、及びタッチパネル | |
| JPH1029261A (ja) | インナータッチパネル用透明導電性シート | |
| JPS6251740B2 (ja) |