JPH10105954A

JPH10105954A - 磁気記録媒体

Info

Publication number: JPH10105954A
Application number: JP25720096A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Isobe; 勤磯部; Koji Uchida; 幸司内田
Original assignee: Kao Corp
Current assignee: Kao Corp
Priority date: 1996-09-27
Filing date: 1996-09-27
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】カーボン基板と磁性層等との密着性が向上且
つ磁気特性が向上した磁気記録媒体を提供すること。【解決手段】カーボン基板上に少なくとも下地層及び
磁性層が設けられてなる本発明の磁気記録媒体は、上記
カーボン基板上に直接Ｃｒからなる第一の下地層が設け
られており、該第一の下地層と磁性層との間にＣｒ又は
Ｃｒ合金からなる第二の下地層が設けられており、且つ
該第一の下地層と磁性層との間にテクスチャ層を有しな
いことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、固定磁気ディスク
装置等に搭載される磁気記録媒体に関し、更に詳しく
は、基板と磁性層等との密着性が向上し且つ磁気特性が
向上した磁気記録媒体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】磁気記
録媒体用のカーボン基板はフェノール樹脂等の炭素質樹
脂の硬化、焼成の後、表面加工工程等を経て得られる。
そして磁気記録媒体は、基板の洗浄、磁性層等の成膜、
検査工程等を経て得られる。しかし、磁性層等の成膜に
先立つ基板の洗浄が不十分であると、基板表面に存する
汚物のために基板と磁性層等との膜密着性が悪くなる。
従って、基板の超精密洗浄が必要となるが、その結果生
産コストが高くなり、また過大な生産管理が必要となっ
てしまう。また、超精密洗浄を行っても汚物が完全に除
去しきれない場合もある。

【０００３】特開平８−１８０３６２号公報には、カー
ボン基板上にカーバイト形成金属よりなる膜とＡｌ−カ
ーバイト形成金属合金よりなるテクスチャ膜を具備する
磁気記録媒体が記載されており、該カーバイト形成金属
としてＺｒ等が挙げられている。しかしこれらカーバイ
ト形成金属中、Ｚｒなどのガス吸着性が高いものは、基
板上に存する有機性汚れに由来するガスと反応して不活
性となって、カーバイトを形成しにくくなり、十分な膜
密着性が得られないことがあった。

【０００４】従って、本発明の目的は、カーボン基板と
磁性層等との密着性が向上且つ磁気特性が向上した磁気
記録媒体を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者らは鋭意検討し
た結果、基板と磁性層との間に特定の下地層を二層設
け、且つ基板側の下地層と磁性層との間にテクスチャ層
を設けないことにより、上記目的を達成し得る磁気記録
媒体が得られることを知見した。

【０００６】本発明は上記知見に基づきなされたもの
で、カーボン基板上に少なくとも下地層及び磁性層が設
けられてなる磁気記録媒体において、上記カーボン基板
上に直接Ｃｒからなる第一の下地層が設けられており、
該第一の下地層と磁性層との間にＣｒ又はＣｒ合金から
なる第二の下地層が設けられており、且つ該第一の下地
層と磁性層との間にテクスチャ層を有しないことを特徴
とする磁気記録媒体を提供することにより上記目的を達
成したものである。

【０００７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の磁気記録媒体の好
ましい実施形態を図面に基づき説明する。ここで、図１
は本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の構造を示す
模式図である。

【０００８】図１に示す実施形態の磁気記録媒体１はデ
ィスク状であり、基板２上に第一の下地層３が設けられ
ており、その上に第二の下地層３’が設けられており、
更にその上に磁性層４及び保護層５がこの順で設けられ
た構成となっている。更に該保護層５上には潤滑剤層６
が設けられている。

【０００９】上記基板２はカーボン基板であり、例えば
ガラス状カーボンやアモルファスカーボン等の炭素質材
料から形成されている。上記カーボン基板は、例えば、
フェノール樹脂等の炭素質原料を二枚のガラス板間に挟
んで硬化させた後、所定の形状、例えばディスク状に打
ち抜き、更に焼成して得られる。また、ピッチ等の炭素
質原料を熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）により炭素化した
円柱状炭素材料を所定の厚さにスライスすることによっ
ても得ることができる。

【００１０】上記基板２の表面は、例えば鏡面加工工程
等に付すことにより平滑（例えば、中心線平均粗さＲａ
＝０．１〜０．３ｎｍ）になっていることが好ましい
が、ある程度の数又は孔径の開孔を有していてもよい。
この理由は、後述する第１の下地層３の形成により該開
孔が被覆され、磁性層等との密着性が低下しないためで
ある。例えば、本発明においては、上記基体１０が、そ
の表面に孔径１０μｍ以下の開孔を１００個／ｍｍ²以
下程度有していても磁気記録媒体用基板として問題のな
い膜密着性のレベルで使用することが可能であるが、こ
の範囲に限られるものではない。開孔の数が１００個／
ｍｍ²を超えると、開孔を被覆するために必要な上記第
１の下地層３の厚さが過大となり、その結果、密着性の
改善効果が低下してしまう。また、開孔の孔径が１０μ
ｍを超えても同様の結果となる。開孔が存在する場合、
その数は望ましくは１〜８０個／ｍｍ²程度であり、１
〜５０個／ｍｍ²程度ならば開孔のない場合とほとんど
変わらないレベルとなるので更に望ましい。本明細書に
おいて、「開孔」とは、基体の表面に存在する微細孔
（マイクロポア）を意味する。尚、上記開孔の数は、走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や光学顕微鏡観察により測定
することができる。また、本発明の磁気記録媒体をＣＳ
Ｓ（コンタクト・スタート・アンド・ストップ）方式の
磁気記録媒体として用いる場合には、基板表面の所定の
領域に後述するようにテクスチャ（凹凸）を形成しても
よい。

【００１１】図１に示すように、上記基板２上には、第
一の下地層３が直接設けられている。該第一の下地層３
はＣｒから形成されており、その厚さは膜密着性が十分
なレベルとなる為に１〜５０ｎｍであることが好まし
く、２〜２５ｎｍであることが更に好ましい。上記第一
の下地層３は、例えば真空蒸着やスパッタリング等の薄
膜形成手段によって形成される。

【００１２】図１に示すように、上記第一の下地層３上
には、第二の下地層３’が直接形成されている。該第二
の下地層３’はＣｒから形成されているか又はＣｒ合金
から形成されている。該第二の下地層３’がＣｒ合金か
ら形成されている場合、該Ｃｒ合金としては、例えばＣ
ｒを主体とする二元系合金（ＣｒＴｉ、ＣｒＴａ、Ｃｒ
Ｖ、ＣｒＭｏ）等を用いることができる。該Ｃｒ合金中
におけるＣｒの濃度は保磁力やＳ／Ｎ比、膜密着性の点
から５０〜９９原子％であることが好ましく、７０〜９
０原子％であることが更に好ましい。上記第二の下地層
３’の厚さは媒体の保磁力とＳ／Ｎ比とのバランスの点
から１〜５０ｎｍであることが好ましく、２〜３０ｎｍ
であることが更に好ましい。上記第二の下地層３’は、
例えば真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成手段によ
って形成される。

【００１３】本発明の磁気記録媒体において、カーボン
基板と磁性層との間に上記第一の下地層３及び上記第二
の下地層３’を設けると、該基板と該磁性層等との膜密
着性及び磁気特性が向上する理由は必ずしも明らかでは
ないが、以下の通りであると推察される。即ち、上記カ
ーボン基板２上に直接形成されている上記第一の下地層
３はＣｒから形成されているので、該基板２と該第一の
下地層３との界面から該第一の下地層３の内部にかけて
カーバイド（クロムカーバイド）の層が形成され、これ
によって両者間の密着性が向上する。特に、上記基板上
の有機汚れに由来するガスが発生しても、Ｃｒは該ガス
とは反応しにくいのでカーバイドが有効に形成される。
一方、Ｃｒはその結晶系に由来して、磁性層を形成する
材料の結晶性を制御し、該磁性層の磁気特性を向上させ
る作用を有する。従って、Ｃｒからなる第一の下地層３
上に磁性層を直接形成すれば、膜密着性と磁気特性の双
方が向上すると考えられるが、本発明者らの詳細な検討
によれば磁気特性が十分に向上しないことが判明した。
この理由は、上記第一の下地層３上に直接磁性層を形成
しても、両者の界面における該第一の下地層３の結晶状
態は、純粋なＣｒの結晶状態ではなく、該第一の下地層
３の内部にカーバイドが形成されたことに起因して結晶
状態が乱れているので、磁性層の磁気特性を向上させる
までの十分な結晶状態になっていないからであると考え
られる（本発明者らの検討によればＣｒ層の膜厚を３０
００Å程度にしても、その表面にはカーバイドが形成さ
れたことに起因する結晶の乱れが生じていることが判明
している）。そこで、別々のＣｒ層（即ち、本発明の磁
気記録媒体における上記第一の下地層３及び上記第二の
下地層３’）を用いると、Ｃｒ層の有する二つの作用、
即ち膜密着性の向上、及び磁性層の磁気特性の向上がそ
れぞれの層によって別個に発現するものと考えられる。
事実、後述する実施例から明らかなように、膜厚を３０
００ÅのＣｒ層を一層形成するよりも、膜厚がそれぞれ
１５０Å及び２００Åである二つのＣｒ層を形成した方
が膜密着性及び磁気特性が向上する。また、本実施形態
においては、上記第一の下地層３と上記磁性層４との間
にテクスチャ（凹凸）層を有していないので、該第一の
下地層３の上部から上記第二の下地層３’にかけて結晶
性及び結晶粒径が大きく乱れることがなく、これら下地
層３，３’の設計が容易になる。更に、本実施形態にお
いては、上記第一の下地層３上に、これと同質の材料で
ある上記第二の下地層３’が直接形成されているので、
該上記第二の下地層３’の結晶性が良好となり、磁性層
の磁気特性が一層向上する。

【００１４】図１に示すように、上記第二の磁性層３’
の上には磁性層４が設けられている。該磁性層４を構成
する物質としては、磁気特性、上記第二の磁性層３’と
の結晶性、及び耐食性等の点からＣｏ合金が好ましく、
特にＣｏＣｒ系合金、更にはＣｏＣｒＰｔ系合金、とり
わけＣｏＣｒＰｔＸ（ここでＸは、Ｂ、Ｔａ、Ａｕ、Ｔ
ｉ、Ｃ、Ｎｉ、Ｗ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｐｍ、Ｓ
ｍ、Ｅｕ、Ｌｉ、Ｓｉ、Ｃａ、Ａｓ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、
Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｓｂ及びＨｆより選ばれる一
種または二種以上の金属を示す）で表される合金が好ま
しい。該磁性層４の膜厚は、高保磁力と出力とのバラン
スの点から１〜１００ｎｍであることが好ましく、５〜
８０ｎｍであることが更に好ましい。上記磁性層４は、
例えば真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成手段によ
って形成される。

【００１５】上記磁性層４の上には保護層５が設けられ
ている。該保護層５としては通常磁気記録媒体に使用さ
れている物質から形成されたものを特段の制限なく用い
ることができる。特に、カーボン又はＳｉを含む物質か
ら形成された保護層が好ましく用いられる。とりわけ、
ダイヤモンドライクカーボンやアモルファスカーボン、
ＳｉＯ₂やＳｉＣ等が耐久性に優れるので好ましい。該
保護層５は、例えばアルゴンガス中に水素やメタンガス
を混合させた雰囲気中でスパッタリングにより形成して
もよく、また、ＣＶＤ（化学的気相重合法）を用いてカ
ーボン系材料から形成してもよい。該保護層５の膜厚
は、耐摩耗性と電磁変換特性とのバランスの点から１〜
５０ｎｍであることが好ましく、２〜２５ｎｍであるこ
とが更に好ましい。上記保護層５は、例えば真空蒸着や
スパッタリング等の薄膜形成手段によって形成される。

【００１６】上記保護層５の上には潤滑剤層６が設けら
れている。該潤滑剤層６を構成する潤滑剤としては通常
磁気記録媒体に使用されているものであれば特段制限は
なく使用でき、特にパーフルオロポリエーテルを基本骨
格とする含弗素系潤滑剤や脂肪酸骨格を有する潤滑剤が
好ましく用いられる。とりわけ、フォンブリンＺ−ｄｏ
ｌやＺ−０３（アウジモント社製）等の含弗素系潤滑剤
が好ましい。該潤滑剤層６の膜厚は、潤滑性能と磁気ヘ
ッドのスティクション防止とのバランスの点から１〜８
０Åであることが好ましく、５〜２５Åであることが更
に好ましい。

【００１７】次に、図１に示す磁気記録媒体の好ましい
製造方法を、特に上記第一の下地層３及び上記第二の下
地層３’の形成を中心に説明する。図１に示す磁気記録
媒体は、所定の表面処理（研磨、研削、洗浄等）をおこ
なった基板２上に、真空蒸着やスパッタリング等の薄膜
形成手段によって、上記第一の下地層３、上記第二の下
地層３’、上記磁性層４、及び上記保護層５をこの順に
形成・積層することによって形成される。特に、上記第
一の下地層３及び上記第二の下地層３’の形成に際して
は、まず該第一の下地層３を所定厚さで形成した後、一
旦層の形成をやめ、必要に応じて装置内を大気圧まで戻
し、次いで第二の下地層３’を形成する。斯かる方法を
用いて上記第一の下地層３及び上記第二の下地層３’を
形成することにより、それぞれの下地層に膜密着性及び
磁気特性の向上効果を別個に且つ効果的に発現させるこ
とができる。尚、斯かる方法を用いて形成された上記第
一の下地層３及び上記第二の下地層３’は、磁気記録媒
体の断面を例えば電子顕微鏡等により観察すれば、それ
ぞれ独立した別個の層として存在していることが確認さ
れる。

【００１８】次に、本発明の磁気記録媒体の第二、第三
及び第四の実施形態を図面を参照して説明する。ここ
で、図２、図３及び図４は、それぞれ本発明の磁気記録
媒体の第二、第三及び第四の実施形態の構造を示す模式
図（それぞれ図１相当図）である。尚、第二、第三及び
第四の実施形態においては、上記第一の実施形態と異な
る部分のみ説明し、同じ部分については特に詳述しない
が、上記第一の実施形態において詳述した説明が適宜適
用される。また、図２、図３及び図４において図１と同
じ部材については同じ符号を付した。

【００１９】図２に示す実施形態の磁気記録媒体１にお
いては、第一の下地層３と第二の下地層３’との間にＴ
ｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｚｒ及びＶからなる群から選択される金
属又はその合金よりなる層７が形成されている。これら
の金属及びその合金は磁性層４の磁気特性を向上させる
作用を有するので、該層７を設けることにより、第一の
下地層３と第二の下地層３’との間の密着性を損ねるこ
となく磁性層４の磁気特性を向上させることができる。
一方、これらの金属はカーバイト形成能を有している
が、下層に第１の下地層３が存在する為、カーボンが該
層７に分散（拡散）することがないので、該層７による
磁気特性向上効果は阻害されない。上記層７は、とりわ
けＴｉや、その合金、例えばＴｉＣｒのほか、ＣｒＶ、
ＣｒＭｏ等から形成されていることが好ましい。また、
該層７が上記金属の合金から形成されている場合、該合
金中における上記金属の濃度は５０〜９９重量％程度で
あることが好ましい。上記層７の厚さは保磁力及びＳ／
Ｎ比の点から１〜１００ｎｍであることが好ましく、２
〜３０ｎｍであることが更に好ましい。上記層７は、例
えば真空蒸着やスパッタリング等の薄膜形成手段によっ
て形成される。

【００２０】図３に示す実施形態の磁気記録媒体１は、
図２に示す磁気記録媒体と同様になされており、異なる
点は、基板２の表面に直接テクスチャ（凹凸）１３が形
成されており、その上に直接第一の下地層３が形成され
ている点である。基板２の表面に直接テクスチャ１３を
形成すると、その上に直接設けられた第一の下地層３が
バッファ層として働き、第二の下地層３’の結晶性が乱
れる原因を除去する。その結果、磁気記録媒体にテクス
チャを形成する場合にも、磁性層４を構成する材料の結
晶性が良好となり、磁気特性が一層向上する。

【００２１】上記基板２の表面に直接テクスチャを形成
する方法としては、例えば特開平６−２９０４５２号公
報等に記載されているようなレーザー光を照射する方法
が加工屑の発生が少ない点から好ましいが、その他の方
法、例えば研磨テープを用いる方法や基板の表面を熱酸
化する方法等を用いることもできる。上記テクスチャが
形成された基板２の中心線平均粗さＲａは８〜１００Å
であることが好ましく、１０〜５０Åであることが一層
好ましい。

【００２２】図４に示す実施形態の磁気記録媒体１は、
図２に示す磁気記録媒体と同様になされており、異なる
点は、磁性層４の上層にテクスチャ（凹凸）層１４が形
成されている点である。テクスチャ層が磁性層４よりも
上層に形成されているので、第一及び第二の下地層３，
３’並びに磁性層４の結晶性が乱れず、磁気特性の低下
を招くことなく、且つ膜密着性を低下させることなく磁
気記録媒体にテクスチャを形成することができる。上記
テクスチャ層１４は保護層の機能を兼ね備えていること
が好ましい。斯かる機能を兼ね備えた材料としては、例
えば後述する実施例において用いられているようなＳｉ
Ｏ₂の微粒子をスピンコーティングにより磁性層４上に
コーティングした後、熱処理して形成されるシリカ含有
ポリ珪酸系被膜等を挙げることができる。上記テクスチ
ャ層１４の中心線平均粗さＲａは８〜１００Åであるこ
とが好ましく、１０〜５０Åであることが一層好まし
い。

【００２３】以上、本発明の磁気記録媒体をその好まし
い実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態
に制限されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において
種々の変更形態が可能である。例えば、図１に示す実施
形態の磁気記録媒体においては、図３に示す磁気記録媒
体と同様に、基板２の表面に直接テクスチャが形成され
ていてもよい。また、図１に示す実施形態の磁気記録媒
体においては、図４に示す磁気記録媒体と同様に、磁性
層４の上層にテクスチャ層が形成されていてもよい。ま
た、図２〜図４に示す実施形態の磁気記録媒体において
は、層７を二層以上設けてもよい。また、図１〜図４に
示す実施形態の磁気記録媒体においては、本発明の磁気
記録媒体の各種性能を向上させ得る層を、必要に応じて
各層間に設けてもよい。

【００２４】

【実施例】以下、実施例により本発明の有効性を例示す
る。しかしながら、本発明の範囲は斯かる実施例に制限
されないことは言うまでもない。

【００２５】〔実施例１〕ガラス状カーボン基体を、常
温純水中にて１５秒間超音波洗浄し、引き続き８０℃の
温純水に１５秒浸漬後、１ｍｍ／ｓの速度で引き上げ、
次いで乾燥させた。次いで、静止対向型スパッタ装置内
に該基体を設置し、Ａｒガス圧２ｍＴｏｒｒの条件下で
下記手順（１）〜（５）による成膜を連続で行った。（１）ランプヒータにより基板温度を１８０℃まで加熱
する。（２）第一の下地層としてＣｒ層をＡｒガス圧２ｍＴｏ
ｒｒにて膜厚１５ｎｍに成膜する。（３）第二の下地層としてＣｒ層をＡｒガス圧２ｍＴｏ
ｒｒにて膜厚２０ｎｍに成膜する。（４）磁性層としてＣｏＣｒＰｔＢ層をＡｒガス圧２ｍ
Ｔｏｒｒにて膜厚３０ｎｍに成膜する。（５）保護層としてカーボン層をＡｒと水素との混合ガ
ス圧（全圧）５ｍＴｏｒｒにて膜厚９ｎｍに成膜する。
尚、スパッタにおけるバイアス電圧は−１００ボルトと
した。スパッタ装置より成膜した基板を取り出して、研
磨テープによるバーニッシュを行った後、上記保護層上
にフォンブリンｚ−ｄｏｌ（アウジモント社製）をディ
ップコーティングにて膜厚２ｎｍになるよう塗布し、磁
気ディスクを得た。

【００２６】このようにして得られた磁気ディスクにつ
いて、下記に示す方法にて膜の密着性の評価を行った。
また、東英工業（株）製ＶＳＭ（振動試料型磁力計）
を用いて、磁気ディスクの磁気特性〔Ｈｃ、Ｂｒｔ、角
形比（Ｓ及びＳ^*）〕を測定した。その結果を表１に示
す。＜膜密着性の評価＞得られた磁気ディスク１０枚を８５
℃・８５ＲＨ％の条件下に１００日間放置した後に取り
出し、１．５ｃｍ×１．５ｃｍのセロテープ〔Ｎｏ．４
０５、登録商標、ニチバン（株）社製〕を上記磁気ディ
スクの４箇所に気泡が入らない様に貼りつけた。その
後、上記セロテープを垂直方向にゆっくり引き上げて、
膜剥がれを起こした面積を測定した。なお、評価は１０
枚のディスクの平均値について、下記基準に基づき行っ
た。 ◎；膜剥がれ面積がセロテープ面積の５％未満 ○；膜剥がれ面積がセロテープ面積の５％以上１０％未
満 △；膜剥がれ面積がセロテープ面積の１０％以上

【００２７】〔実施例２〕実施例１における第二の下地
層をＣｒＴｉ（Ｃｒ：９０原子％）から形成し、その膜
厚を１５ｎｍとし、且つ磁性層の膜厚を２８ｎｍとする
以外は実施例１と同様にして磁気ディスクを得た。得ら
れた磁気ディスクについて実施例１と同様の評価及び測
定を行った。その結果を表１に示す。

【００２８】〔実施例３〕実施例１における第一の下地
層と第二の下地層との間にＴｉからなる層（膜厚：１０
ｎｍ）を形成し、第二の下地層の膜厚を１５ｎｍとし、
且つ磁性層の膜厚を２８ｎｍとする以外は実施例１と同
様にして磁気ディスクを得た。得られた磁気ディスクに
ついて実施例１と同様の評価及び測定を行った。その結
果を表１に示す。

【００２９】〔実施例４〕実施例３における第一の下地
層の形成に先立ち、基板の表面に研磨テープを用いたテ
クスチャを施した。加工条件は以下の通りである。・研磨テープ；日本ミクロコーティング製＃４０００
フラットタイプ・テープ送り速度；４００ｍｍ／ｍｉｎ・加工圧力；２．２ｋｇ／ｃｍ² ・テープ揺動速度；４６０往復／分・ワーク回転数；５０ｒｐｍ・加工時間；１０秒・研磨液；ジョンソン製ＪＳ６０２、３重量％テクスチャにより得られた基板の表面形状はＲａ＝２５
〜３６ｎｍ、Ｒｐ（中心線最大高さ）＝２９〜５２ｎｍ
であった。これ以外は実施例３と同様にして磁気ディス
クを得た。得られた磁気ディスクについて実施例１と同
様の評価及び測定を行った。その結果を表１に示す。

【００３０】〔実施例５〕実施例３における保護層とし
て、カーボン層に代えて保護層の他にテクスチャ層とし
ても機能するＳｉＯ₂層を形成した以外は実施例３と同
様にして磁気ディスクを得た。尚、上記ＳｉＯ₂層は、
テトラエトキシシラン、水（テトラエトキシシラン中の
ＳｉＯ₂に換算した量１モルに対して４モル）、塩酸
（テトラエトキシシラン中のＳｉＯ₂に換算した量１モ
ルに対して０．１モル）、平均粒径４０ｎｍのシリカ
（テトラエトキシシラン中のＳｉＯ₂に換算した量１モ
ルに対して０．４モル）をイソプロピルアルコールに溶
解分散させた溶液を、スピンコート法により塗布し、３
００℃で１時間熱処理して形成されたものである。該Ｓ
ｉＯ₂層のＲａは１５Åであり、Ｒｐは１００Åであっ
た。得られた磁気ディスクについて実施例１と同様の評
価及び測定を行った。その結果を表１に示す。

【００３１】〔比較例１〕実施例１における第一の下地
層に代えてＺｒからなる層（膜厚：２５ｎｍ）を形成す
る以外は実施例１と同様にして磁気ディスクを得た。得
られた磁気ディスクについて実施例１と同様の評価及び
測定を行った。その結果を表１に示す。

【００３２】〔比較例２〕実施例１における第一及び第
二の下地層を代えてＣｒからなる層（膜厚３５ｎｍ）を
１層のみ形成する以外は実施例１と同様にして磁気ディ
スクを得た。

【００３３】〔比較例３〕比較例２におけるＣｒ厚から
なる層の膜厚を３００ｎｍとする以外は比較例２と同様
にして磁気ディスクを得た。得られた磁気ディスクにつ
いて実施例１と同様の評価及び測定を行った。その結果
を表１に示す。

【００３４】

【比較例４】実施例１における第一の下地層と第二の下
地層との間にＡｌ−Ｓｉ（１原子％）からなるテクスチ
ャ層を形成する以外は実施例１と同様にして磁気ディス
クを得た。尚、上記テクスチャ層はＡｒ圧２ｍＴｏｒｒ
の条件下にてスパッタリングにより形成し、その膜厚は
１０ｎｍであり、中心線平均粗さＲａは３．５ｎｍであ
った。

【００３５】

【表１】

【００３６】表１に示す結果から明らかな様に、カーボ
ン基板上に特定の材質から形成された第一及び第二の下
地層が設けられてなる本発明の磁気記録媒体（実施例１
〜５）は、一方の下地層のみしか設けなかった磁気記録
媒体（比較例１）に比べて膜密着性が良好であることが
分かる。また、実施例１のＣｒ層の全厚と同じ膜厚を有
するＣｒ層１層のみからなる比較例２の磁気ディスク
や、Ｃｒ層の膜厚が実施例１のＣｒ層の全厚の約１０倍
である比較例２の磁気ディスクの膜密着性は、実施例の
磁気ディスクの膜密着性に及ぶものではなかった。更
に、第１及び第２の下地層の間にテクスチャ層が形成さ
れた比較例４の磁気ディスクの膜密着性も実施例の磁気
ディスクの膜密着性のに及ぶものではなかった。また、
密着性の良好さを反映して、実施例１〜５の磁気記録媒
体は、比較例１〜４の磁気記録媒体に比して、磁気特性
に優れるものであった。

【００３７】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、基板と
磁性層等との密着性が向上し且つ磁気特性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の第一の実施形態の構造
を示す模式図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の第二の実施形態の構造
を示す模式図（図１相当図）である。

【図３】本発明の磁気記録媒体の第三の実施形態の構造
を示す模式図（図１相当図）である。

【図４】本発明の磁気記録媒体の第四の実施形態の構造
を示す模式図（図１相当図）である。

【符号の説明】

１磁気記録媒体２基板３第一の下地層３’第二の下地層４磁性層５保護層６潤滑剤層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】カーボン基板上に少なくとも下地層及び
磁性層が設けられてなる磁気記録媒体において、上記カーボン基板上に直接Ｃｒからなる第一の下地層が
設けられており、該第一の下地層と磁性層との間にＣｒ
又はＣｒ合金からなる第二の下地層が設けられており、
且つ該第一の下地層と磁性層との間にテクスチャ層を有
しないことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】上記カーボン基板が、その表面に孔径１
０μｍ以下の開孔を１００個／ｍｍ²以下有している、
請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】上記第一の下地層上に上記第二の下地層
が直接設けられている、請求項１又は２記載の磁気記録
媒体。
【請求項４】上記第一の下地層と上記第二の下地層と
の間にＴｉ、Ｗ、Ｚｒ、Ｖ及びＭｏからなる群から選択
される金属又はその合金よりなる層が一層以上設けられ
ている、請求項１又は２記載の磁気記録媒体。
【請求項５】上記カーボン基板の表面に直接テクスチ
ャが形成されている、請求項１〜４の何れかに記載の磁
気記録媒体。
【請求項６】上記磁性層の上層にテクスチャ層が形成
されている、請求項１〜４の何れか記載の磁気記録媒
体。