JPH10106056A

JPH10106056A - 光磁気記録媒体及びその再生方法

Info

Publication number: JPH10106056A
Application number: JP8258187A
Authority: JP
Inventors: Satomi Yoshibe; さとみ吉部
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-09-30
Filing date: 1996-09-30
Publication date: 1998-04-24

Abstract

(57)【要約】【課題】オーバーライト光磁気記録媒体と同じ磁性層
でありながら磁気超解像再生が可能で、製造コストを抑
えた光磁気記録媒体及びその再生方法を提供する。【解決手段】希土類金属及び遷移金属を主体とする磁
性体からなる、再生層、メモリー層、中間層、記録層、
スイッチング層及び初期化層の６層の磁性層を有する光
磁気記録媒体において、再生層は、所定の温度より低い
温度範囲では面内磁化を示し、前記所定の温度より高い
温度範囲では垂直磁化を示し、前記所定の温度は100℃
以上であってキュリー温度以下の温度範囲に存在する構
成とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体及び
その再生方法に関し、特に、磁気超解像再生可能な光磁
気記録媒体及びその再生方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】高密度に情報を記録することが可能で、
かつ、高速に再生することが可能な光記録媒体は、オー
ディオや画像の用途、更にコンピュータ用の記録媒体と
して注目されている。再生専用のＣＤはオーディオ用と
して広く普及し、また、近年になってコンピュータ用と
しても急速に普及が広がっている。また、１回のみ情報
の記録が可能なライトワンスタイプや、一旦記録した情
報を何度も書換えることが可能な書き換え可能タイプ
（re-writableタイプ）も普及してきている。特に、書
き換え可能タイプの１種である光磁気記録媒体は、100
万回以上の情報の書き換えが可能であり、主としてコン
ピュータ用の記録媒体として普及が進んでいる。

【０００３】従来、光磁気記録媒体に一旦記録した情報
を新たな情報に書き換えるには、まず、記録してあった
情報を消去した後に、新たな情報を記録することが原理
的に必要であった。即ち、磁気記録媒体の情報書き換え
のように、一旦記録した情報を消去することなしに、直
接新たな情報に書き換える重ね書き（オーバーライト）
は不可能であった。

【０００４】従って、情報を消去するのに要する分だ
け、情報の書き換えに要する時間が長くなること、即
ち、情報の書き換え速度が遅いことが短所とされてい
た。この短所を克服するために、記録ビーム強度を変調
するだけでオーバーライトが可能な、光変調オーバーラ
イト記録方法、並びに、それに使用される装置及び媒体
が発明された。この発明は複数国に特許出願され、この
うち米国では既に特許登録されている（特開昭62-17594
8＝DE3,619,618A1 ＝USP 5,239,524 ）。以下、この発
明を「基本発明」と引用する。以下にこの発明について
簡単に説明する。

【０００５】この光磁気記録再生方法で使用されるオー
バーライト可能な光磁気記録媒体は情報を記録する層と
して、垂直磁気異方性(perpendicular magnetic layer
orlayers) を有する多層の磁性層からなる。この磁性層
は、例えば非晶質のTbFe、TbFeCo、GdFe、GdFeCo、DyF
e、DyFeCo等のように、重希土類金属−遷移金属非晶質
合金からなり、磁性層内部においては、重希土類金属の
磁化（ＲＥ副格子磁化）と遷移金属の磁化（ＴＭ副格子
磁化）が互いに反対向きとなっている。これら２つの副
格子磁化の差が、磁性層としての磁化の大きさと方向を
表わす。

【０００６】磁性層としては、基本的に垂直磁化可能な
磁性薄膜からなる記録及び再生層として機能する層（以
下、メモリー層またはＭ層という）と、同じく垂直磁化
可能な磁性薄膜からなる記録補助層（以下、記録層また
はＷ層という）とを含み、両層は交換結合しており(exc
hange-coupled) 、かつ、室温でＭ層の磁化の向きは変
えないでＷ層の磁化のみを所定の向きに向けておくこと
ができるオーバーライト可能な多層光磁気記録媒体であ
る。

【０００７】Ｗ層は、Ｍ層に比べて室温において低い保
磁力Ｈc と高いキュリー点Ｔc を持つ。そして、情報を
Ｍ層（場合によりＷ層にも）における基板に垂直な方向
（「Ａ向き」とする）の磁化を有するマークとその反対
方向（「逆Ａ向き」とする）の磁化を有するマークによ
り記録する。この媒体は、Ｗ層が磁界手段（例えば初期
化磁界Hini. ）によって、その磁化の向きを一方向に揃
えることができる。しかも、そのとき、Ｍ層の磁化の向
きは反転せず、更に、一旦一方向に揃えられたＷ層の磁
化の向きは、Ｍ層からの交換結合力を受けても反転せ
ず、逆にＭ層の磁化の向きは、一方向に揃えられたＷ層
からの交換結合力を受けても反転しない。

【０００８】基本発明の記録方法では、記録媒体は記録
前までに磁界手段によりＷ層の磁化の向きだけが一方向
に揃えられるようにする。その上で、２値化情報に従い
パルス変調されたビームを媒体に照射する。ビームの強
度は、高レベルＰH と低レベルＰL の２値に制御され、
これはパルスの高レベルと低レベルに相当する。この低
レベルは、再生時に媒体を照射する再生レベルＰR より
も高い。既に知られているように、記録をしない時に
も、例えば媒体における所定の記録場所をアクセスする
ためにレーザーを「非常な低レベル」で点灯することが
一般的である。この非常な低レベルも、再生レベルＰR
と同一又は近似のレベルである。

【０００９】低レベルのビームを媒体に照射した場合に
媒体が達する温度においては、Ｗ層の磁化の向きは変わ
らず、Ｍ層の磁化の向きは、Ｍ層とＷ層との間に磁壁が
存在しない状態の向きになる。これを低温プロセス（Ｌ
プロセス）といい、このプロセスが起こる温度領域を低
温プロセス温度（Ｌプロセス温度）ＴL という。一方、
高レベルのビームを媒体に照射した場合に媒体が達する
更に高い温度においては、Ｗ層の磁化の向きは記録磁界
の方向に倣い、Ｍ層の磁化の向きは、Ｍ層とＷ層との間
に磁壁が存在しない状態の向きになる。これを高温プロ
セス（Ｈプロセス）といい、このプロセスが起こる温度
領域を高温プロセス温度（Ｈプロセス温度）ＴH とい
う。

【００１０】ビームの照射後は、磁界手段により、高レ
ベルのビーム照射によって記録磁界の方向に倣ったＷ層
の磁化は、再び磁界手段の向きに倣う。従って、磁界手
段の磁化の向きと記録磁界の向きを逆にしておけば、既
に記録されているＭ層に、新たな記録が繰り返し記録
（即ち、オーバーライト）できるのである。これが光変
調オーバーライト光磁気記録の原理である。

【００１１】以上説明した内容を、若干表現を換えれ
ば、高レベルのビーム照射によって記録マークを形成
し、低レベルのビーム照射によって記録マークを消去す
ることで、新しい情報を古い情報の上にオーバーライト
（重ね書き）するとも言える。その後、Ｍ層とＷ層の間
に、両者の間に働く交換結合力を調整するための中間層
（Ｉ層）を設けることが提案された。これにより、より
安定にオーバーライト動作を実現できるようになった。
また、Ｍ層に接してビーム照射側に、より光磁気効果の
大きな磁性層である再生層（Ｒ層）を設け、Ｍ層の情報
をこの層に磁気転写して再生することも提案された。こ
れにより、より良好な再生信号が得られるようになっ
た。

【００１２】更に、初期化磁界の代わりに初期化層（In
i.層）と呼ぶ磁性層と、 Ini.層とＷ層の間の交換結合
力をコントロールするスイッチング層（Ｓ層）と呼ぶ磁
性層を設けることにより、Ｗ層の初期化を行うことを実
現したタイプのもの（特開昭63-268103＝USP4,878,13
2）が発明され、既に実用化が始まっている。ところ
で、最近では、画像情報のような多くの情報量を記録あ
るいは再生する機会が増加している。このような状況に
おいて、光記録媒体に、より多くの情報を記録し、即
ち、記録密度を上げ、そして、その情報を正確に再生し
たいという要求が高まっており、その要求を満たすため
の様々なアプローチがなされている。

【００１３】まず、ディスクにおいては径方向の記録密
度を上げるにはトラックピッチを詰めるという方法があ
る。このためには、記録マーク幅を小さくする必要があ
る。これまでトラックピッチは1.6μｍが標準であった
が、最近ではトラックピッチを狭くする試みがなされて
おり、1.4μｍや1.2μｍ、更に1.0μｍが報告されてい
る。次に、周方向の記録密度を上げるには、記録マーク
長さを小さくする必要がある。記録マークの幅や長さを
小さくするには、記録ビームの中心付近のエネルギーの
高い領域でのみ記録マークが形成されるように記録媒体
の感度設定を行うことで、原理的には相当小さなマーク
が形成できる。即ち、記録する際、記録ビーム中心付近
の高温部分でのみ記録マークが形成されるように磁性層
の組成設計を行えば、高密度記録はできるのである。

【００１４】しかし、問題は再生にある。再生は、ビー
ムスポット内のマークを光学的に検出することにより行
われる。従って、常にビーム内には基本的に一個のマー
クしかないようにする必要がある。もし、ビーム内に複
数個のマークが存在すると、情報が混ざり合ってしまっ
て、必要な情報を正しく再生することができないからで
ある。このようにビームスポット内の情報が混ざり合う
ことを光クロストークという。即ち、光クロストークの
ために、ビームスポットの一部分にあるマークが表わす
情報のみを取り出して再生することはできないのであ
る。

【００１５】ビームスポット径は、例えば赤外レーザの
場合、理想的な光学系によっても1.0μｍ程度にしか絞
れない。このため、径方向では、トラックピッチを1.4
μｍ程度より狭くすると、隣接するトラックに記録され
ているマークを同時に再生してしまうし、また、マーク
長さやマーク間隔が1.0μｍを相当下回るようにする
と、前後のマークを同時に再生してしまう。

【００１６】そこで、再生ビームの波長を短くすること
が考えられる。ビームをどこまで小さく絞れるかは、ビ
ームの波長に比例することが知られている。この手段に
より再生ビームスポットサイズをより小さくし、それに
よって、高密度に記録した情報の再生を可能にするとい
うものである。これが実現すれば、光クロストークの問
題は避けられるのである。しかし、光ピックアップの光
源に使用可能な半導体レーザーの波長は、その出力や安
定性の面から限界がある。例えば、従来は波長830nmの
半導体レーザが一般的であったが、かなりの期間を要し
て短波長化が図られたにもかかわらず、最近になってや
っと波長680nmが主流になった程度である。つまり、こ
の短波長化によるビームサイズの減少率はわずか18％で
ある。従って、この手段により、ビームスポットサイズ
を現状の１／２や１／３まで飛躍的に減少させることは
困難である。

【００１７】しかし、再生ビームスポットのサイズは従
来通りでも、相当な高密度に記録された情報を正確に再
生することが可能な記録再生方法及び媒体が発明され
た。これは超解像再生及び媒体と呼ばれる。この方法の
基本的な考え方は、およそ次の通りである。再生ビーム
の照射により記録媒体の温度は上昇するが、媒体は移動
しているので、再生ビームスポット内の後ろ側の温度が
畜熱作用により相対的に高温になる。この温度分布の特
性を利用してビームスポット内の一部をマスクし、マス
クされない部分のみ再生すれば、スポット内の小さな部
分の情報のみ再生することができる。つまり、実質的に
再生ビームスポットサイズを小さくしたことになる。即
ち、相当に高密度記録された情報を正確に再生できるの
である。マスク生成の原理は、磁気的結合力の変化によ
る磁化方向変化を利用した磁気超解像再生によるものが
提案されており、この他に、相変化による透過率の変化
によるものについても発表されている。

【００１８】具体的には、(1)再生ビームスポット内の
低温部分、即ち、ビームスポット内の進行方向に対して
前方が開口となる（高温部分がマスクになる）ＦＡＤタ
イプ（特開平3-93056）と、(2)高温部分、即ち、ビーム
スポット内の後方が開口となる（低温部分がマスクにな
る）ＲＡＤタイプやＣＡＤタイプがあり、更に、(3)低
温部分と高温部分の両方がマスクになり、一層小さな開
口を実現するダブルマスクタイプが提案されている。

【００１９】ここで、磁気的結合力の変化による磁化方
向変化を利用した磁気超解像再生の原理を簡単に説明す
る。まずＣＡＤタイプについて図６を用いて説明する。
図６(b)は、このタイプの光磁気記録媒体の主要部分の
断面と再生ビームが照射された部分の温度分布を示して
いる。光磁気記録媒体は２層の磁性層を有しており、情
報はメモリー層の垂直磁化方向の形で記録される。メモ
リー層の上には再生層が設けられている。再生層の磁化
は所定の温度以下の領域（低温領域）では面内磁化であ
るが、所定の温度以上の領域（高温領域）ではメモリー
層の磁化との交換結合力によりメモリー層の磁化と同じ
向きの垂直磁化となる。前記の所定の温度は、再生ビー
ムの照射により垂直磁化する領域が、温度分布の中心付
近の小さな領域になるように設定される。その結果、図
６(a)に示すように、再生ビームスポットの一部分の高
温領域のみ再生層にマークが形成され、その情報のみ読
み出される。そして、再生ビームスポット内のマークで
あっても、高温領域から外れたマークは読み出されな
い。

【００２０】次に、ＦＡＤタイプについて図７を用いて
説明する。図７(b)は、このタイプの光磁気記録媒体の
主要部分の断面と再生ビームが照射された部分の温度分
布を示している。光磁気記録媒体は３層の磁性層を有し
ており、情報はメモリー層の垂直磁化方向の形で記録さ
れる。メモリー層の上には再生層が設けられ再生スイッ
チング層（RS層：オーバーライトのスイッチング層と区
別するためにこのように呼ぶ）、及び再生層を有してい
る。所定の温度以下では、メモリー層の磁化は再生スイ
ッチング層を通して再生層に転写される。これに対し
て、所定の温度以上では、再生スイッチング層の磁化が
消失するためにメモリー層の磁化の影響は再生層に及ば
ない。そして、このような状況下で再生磁界が印加され
るので、再生層の磁化は再生磁界の方向に倣う。即ち、
高温領域では再生層の磁化が再生磁界の向きに揃ってし
まうので、この領域ではメモリー層のマークは再生され
なず、低温領域では再生層にメモリー層の磁化が現れる
ので、この領域に入るメモリー層のマークのみが再生さ
れることになる。

【００２１】ところで、オーバーライト可能であって、
かつ、磁気超解像再生可能な光磁気記録媒体も提案され
ている（特開平6-139639）。これは、既に記載した最近
商品化されたオーバーライト可能な光磁気記録媒体の６
層の磁性層構成（Ｒ層／Ｍ層／Ｉ層／Ｗ層／Ｓ層／ In
i.層）に加えて、Ｒ層とＭ層の間に、両者の交換結合を
コントロールするための磁性層である再生スイッチング
層（ＲＳ層）を設け、７層の磁性層構成としている。

【００２２】この媒体のオーバーライト記録動作につい
ては、既に記載した最近商品化された６層の磁性層によ
るオーバーライト可能な光磁気記録媒体と全く同じであ
る。即ち、高レベルのビームを照射した際（即ち、Ｈプ
ロセス時）には、ビームの照射時間に対応した長さのマ
ークが記録層（Ｗ層）に形成される。記録層に形成され
たマークは、ビーム照射終了後、媒体の温度がＬプロセ
ス温度まで低下した時点で、メモリー層（Ｍ層）、再生
スイッチング層（ＲＳ層）、再生層（Ｒ層）に磁気転写
される。そして、更に媒体の温度が低下すると、予め所
定の方向に揃えてある初期化層の磁化の作用により、記
録層の磁化も所定の方向に揃う。即ち、初期化される。
また、低レベルのビームを照射した場合（即ち、Ｌプロ
セス時）、所定の方向に揃った記録層の磁化の作用によ
り、磁化がメモリー層、再生スイッチング層、再生層に
転写される。

【００２３】一方、再生時には、再生層、再生スイッチ
ング層、メモリー層の３層は、既に第７図を用いて説明
したＦＡＤタイプの磁気超解像再生と同じ働きをする。
即ち、６層のオーバーライト光磁気記録媒体に、メモリ
ー層に比べてそのキュリー温度が低い磁性層である再生
スイッチング層を付加することにより、磁気超解像再生
可能なオーバーライト光磁気記録媒体となる。

【００２４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記のオー
バーライト可能であって、かつ、磁気超解像再生可能な
光磁気記録媒体では、オーバーライト光磁気記録を行う
ための６層の磁性層に加えて、磁性層をもう１層設ける
必要がある。このため、オーバーライト光磁気記録媒体
に比べて製造コストが増加するという問題がある。

【００２５】本発明は、上記問題点を解決し、オーバー
ライト光磁気記録媒体と同じ磁性層数でありながら磁気
超解像再生が可能で、製造コストを抑えた光磁気記録媒
体を提供することを目的とする。

【００２６】

【課題を解決するための手段】上記問題点の解決のた
め、本発明では、６層の磁性層のオーバーライト光磁気
記録媒体と同じく、希土類金属及び遷移金属を主体とす
る磁性体からなる、再生層、メモリー層、中間層、記録
層、スイッチング層及び初期化層の６層の磁性層を有す
る光磁気記録媒体とし、再生層は、所定の温度より低い
温度範囲では面内磁化を示し、前記所定の温度より高い
温度範囲では垂直磁化を示し、前記所定の温度は100℃
以上であってキュリー温度以下の温度範囲に存在する構
成とする。

【００２７】

【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体では、再
生層、メモリー層、中間層、記録層、スイッチング層及
び初期化層の各々のキュリー温度をTc R 、Tc M、Tc I
、Tc W、Tc S、及びTc ini.とするとき、次の関係、 Tc ini.＞ Tc W＞ Tc M かつ Tc ini.＞ Tc W＞
Tc S を満足することが好ましい。

【００２８】また、初期化層に接して金属層を設けるこ
とが好ましい。この場合、初期化層に接して接して誘電
体層を設け、更にその上に金属層を設けることがより好
ましい。金属層の厚さは10nm以上が好ましく、また、金
属層はAlからなることが好ましい。更に、AlにTiを混合
するとより好ましい。次に、本発明の光磁気記録媒体に
おける記録と磁気超解像再生について説明する。まず、
本発明の光磁気記録媒体の磁性層の構成を図１に示す。
このような構成の光磁気記録媒体に対して予め十分に大
きな磁界を印加した後、磁界の印加を解除すると図２に
示す状態となる。この状態を初期化状態という。図２で
は簡単のために、垂直磁化している各磁性層の磁化方向
を同じにしてある。即ち、この状態では再生層のみ面内
磁化し、それ以外の磁性層は印加した磁界の磁場に倣っ
て磁性層に垂直な一方向に揃っている。しかし、厳密に
言えば、垂直磁化している各磁性層のＴＭ副格子磁化の
向き（即ち、同時にＲＥ副格子磁化の向き）が同じ方向
を向くのである。なお、図２では面内磁化の向きを便宜
的に横向き（→）で示した。図２の状態とした光磁気記
録媒体に対して、既に説明したオーバーライト記録を行
った状態を図３に示す。即ち、記録された状態ではメモ
リー層にのみ情報を有している。

【００２９】次に、再生について説明する。再生層の磁
化は、図３に示すように室温ではメモリー層の磁化の向
きとは無関係に面内磁化なので、再生層にビームを照射
しても、室温程度の低い温度ではメモリー層に記録され
ている情報を再生層から再生できないことは言うまでも
ない。そこで、メモリー層の情報を再生するためには、
ビーム強度を上げて磁性層の温度を高め、再生層の磁化
がメモリー層の磁化に倣って垂直磁化となる状態とし、
この状態で再生する。この状態を図４に示す。即ち、再
生ビームの照射によって磁性層は加熱されるが、ビーム
スポット内の強度は中心ほど大きいので、温度分布が生
じ中心ほど高温となる。この際、記録媒体はビームに対
して移動しているので、ビームスポット内の後半部が高
温領域となる。この高温領域において、再生層の磁化は
メモリー層の磁化の向きに倣って垂直磁化とな、この高
温領域内の情報のみが再生される。即ち、高温領域が開
口部となり、低温領域は再生層の面内磁化によりマスク
されて情報が再生されない。このようにして、ビームス
ポット内に多数のマークが含まれるような高密度記録さ
れた情報の再生が可能となる。

【００３０】なお、層数は増えてしまうが、再生層とメ
モリー層の間に、再生層とメモリー層の間に働く交換結
合力をコントロールするための磁性層を設けてもよい。
また、上記媒体を再生する際、再生位置における前記媒
体の線速度が一定となるようにするのもよい。

【００３１】

【実施例１】ランド幅とグルーブ幅が共に0.8μｍ、グ
ルーブとランドの段差が50nmで直径90mmのポリカーボネ
ート透明基板を用意する。基板をスパッタリング装置の
基板キャリアにセットし、基板キャリアをスパッタリン
グ装置のスパッタリングチャンバー内に搬送する。

【００３２】スパッタリングチャンバー内を一旦５×ex
p（−５）Pa以下の真空度まで排気した後、アルゴンガ
スと窒素ガスをチャンバー内に導入し、シリコンターゲ
ットにより反応性スパッタリングを行い、窒化シリコン
層を厚さ70nm成膜する。次に、基板キャリアを別のスパ
ッタリングチャンバーに移動し、再びアルゴンガスを導
入しながらスパッタリングを行い、Gd30Fe56Co14（原子
％で、Gd30％、Fe56％、Co14％、以下同じ）による再生
層を窒化シリコン層の上に厚さ25nm成膜する。この再生
層は、100℃以下では面内磁化であるが、それ以上では
垂直磁化となる。

【００３３】次に、Tb24Fe70Co6によるメモリー層を再
生層の上に厚さ25nm成膜する。このメモリー層のキュリ
ー温度は220℃である。次に、Gd32Fe65Co3による中間層
をメモリー層の上に厚さ10nm成膜する。次に、Dy24Fe49
Co27による記録層を中間層の上に厚さ20nm成膜する。こ
の記録層のキュリー温度は300℃である。

【００３４】次に、Tb17Fe78Co5によるスイッチング層
を記録層の上に厚さ12nm成膜する。このスイッチング層
のキュリー温度は200℃である。次に、Tb22Fe16Co62に
よる初期化層をスイッチング層の上に厚さ20nm成膜す
る。この初期化層のキュリー温度は320℃である。最後
に、最初の窒化シリコン層の成膜と同様の手順により、
窒化シリコン層を初期化層の上に厚さ30nm成膜する。

【００３５】以上の手順でスパッタリングによる成膜を
行った後、更に樹脂保護膜を塗布し、図６に示す磁性層
の構成を有する光磁気ディスクを作成する。この光磁気
ディスクを外部磁場により磁化方向を所定の方向に揃え
て初期化状態にする。次に、光磁気記録再生装置を用意
する。この装置は、250 Oeの記録磁界と、波長680nmの
半導体レーザ光源と開口数（ＮＡ）0.55の光学系を有す
る光ピックアップを装備する。上記の光磁気ディスクを
光磁気記録再生装置にセットして、3000rpmで回転させ
る。光磁気ディスクの半径30mmの位置に、光ピックアッ
プの対物レンズにより集光されたレーザービームを、7.
2mWと4.5mWの間で記録すべき情報に応じて変調しながら
ディスク面に照射して記録を行う。

【００３６】次に、強度2.5mWの再生ビームを記録領域
に照射し、スペクトラムアナライザーにより再生信号の
Ｃ／Ｎを測定する。記録マーク長さとＣ／Ｎ値の関係を
図５にＡとして示す。図５より、記録マーク長さ0.4μ
ｍ以上全域でＣ／Ｎ値は40dB以上となることがわかる。

【００３７】

【比較例】再生層の組成をTb23Fe56Co14とした以外は全
て同様の手順で光磁気記録媒体を作成し、実施例と全く
同じ手順で再生信号のＣ／Ｎ値を測定する。なお、この
再生層はキュリー温度までの全温度領域で垂直磁化とな
る。記録マーク長さとＣ／Ｎ値の関係を同じく図５にＢ
として示す。図５より、記録マーク長さが0.5μｍ以下
になると、実施例に比べてＣ／Ｎ値が低くなり、記録マ
ーク長さが0.4μｍではＣ／Ｎ値が3dBも低いことがわか
る。即ち、再生層が所定の温度以下で面内磁化となり、
それ以上で垂直磁化となる構成とすることにより、オー
バーライト記録機能と磁気超解像再生機能を併せ持った
光磁気記録媒体を提供することができる。

【００３８】

【実施例２】実施例１と同じ手順により、初期化層の成
膜まで行った後、初期化層の上にスパッタリングにより
Alによる金属層を厚さ30nm成膜して光磁気ディスクを作
成する。この光磁気ディスクは、Ｃ／Ｎ値は実施例１と
実質的に変わりはないが、オーバーライト動作を実現す
るビーム強度のマージンが広がり媒体の製造が容易とな
る。

【００３９】

【実施例３】実施例１と同じ手順により、初期化層の成
膜まで行った後、初期化層の上にスパッタリングにより
窒化シリコンによる誘電体層を厚さ30nm成膜し、更にそ
の上に、スパッタリングによりAlによる金属層を厚さ30
nm成膜して光磁気ディスクを作成する。この光磁気ディ
スクは、Ｃ／Ｎ値は実施例１及び実施例２と実質的に変
わりはないが、オーバーライト動作を実現するビーム強
度のマージンが更に広がり媒体の製造がより容易とな
る。

【００４０】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明によれば、オ
ーバーライト光磁気記録媒体と同じ磁性層数でありなが
ら磁気超解像再生が可能で、製造コストを抑えた光磁気
記録媒体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気記録媒体の磁性層の構成
を説明する垂直断面図である。

【図２】本発明に係る光磁気記録媒体の初期化状態を
説明する垂直断面図である。

【図３】本発明に係る光磁気記録媒体の記録状態を説
明する垂直断面図である。

【図４】本発明に係る光磁気記録媒体の再生原理を説
明する垂直断面図である。

【図５】実施例及び比較例のＣ／Ｎ値を示すグラフで
ある。

【図６】ＣＡＤタイプの磁気超解像再生可能な光磁気
記録媒体の再生原理を説明する概念図である。

【図７】ＦＡＤタイプの磁気超解像再生可能な光磁気
記録媒体の再生原理を説明する概念図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも再生層、メモリー層、中間
層、記録層、スイッチング層及び初期化層の６層の磁性
層を有する光磁気記録媒体において、前記各層は希土類金属及び遷移金属を主体とする磁性体
からなり、再生層は、所定の温度より低い温度範囲では面内磁化を
示し、前記所定の温度より高い温度範囲では垂直磁化を
示し、前記所定の温度は100℃以上であってキュリー温
度以下の温度範囲に存在することを特徴とする光磁気記
録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、再生層、メモリー層、中間層、記録層、スイッチング層
及び初期化層の各々のキュリー温度をTc R 、Tc M、Tc
I 、Tc W、Tc S、及びTc ini.とするとき、次の関係を
満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 Tc ini.＞ Tc W＞ Tc M かつ Tc ini.＞ Tc W＞
Tc S
【請求項３】請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、初期化層に接して金属層を設けたことを特徴とする光磁
気記録媒体。
【請求項４】請求項１記載の光磁気記録媒体におい
て、初期化層に接して誘電体層を設け、更にその上に金属層
を設けたことを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項５】請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、金属層の厚さは10nm以上であることを特徴とする光磁気
記録媒体。
【請求項６】請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、金属層はAlからなることを特徴とする光磁気記録媒体。
【請求項７】請求項２記載の光磁気記録媒体におい
て、金属層はAlとTiからなることを特徴とする光磁気記録媒
体。
【請求項８】請求項１記載の光磁気記録媒体を再生す
る再生方法において、再生位置における前記媒体の線速度が一定であることを
特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。