JPH10112008A - 磁気ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】導電体層薄膜の膜厚が厚くても導電体層同士の
接合部において剥離や断線が起こらない薄膜磁気ヘッド
を実現させ、磁気ディスク装置の高速アクセス化を図
る。 【解決手段】薄膜積層構造における導電体層間の接合構
造を、第一導電体層の接合面全面と第二導電体層の接合
面全面を直接接合する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は磁気ディスク装置に
係り、特に薄膜積層構造を有する薄膜磁気ヘッドを備え
た磁気ディスク装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高密度化およ
び高速アクセス化を図る手段として、限られた領域に多
数の導電体を巻き回した構造をもつ薄膜磁気ヘッドを備
えた磁気ディスク装置が考えられている。例えば特開昭
６２−１７３６０７号公報（以下、公知技術という）に
開示された絶縁体層と導電体層とを積層した薄膜磁気ヘ
ッドを備えた磁気ディスク装置が考えられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】磁気ディスク装置が備
えている公知技術の薄膜磁気ヘッドは、導電体層の膜厚
が厚いほど導電体の抵抗を大きくすることなく導電体コ
イルの幅を小さくすることができるので磁気ヘッドの高
密度化および小型化を可能にし、磁気ディスク装置の高
密度化、高速アクセス化が可能になる。しかしながら公
知技術の薄膜磁気ヘッドは、導電体層の膜厚が厚いほど
製造工程におけるフォトレジストの熱硬化や磁場中アニ
ールといった熱処理の際に導電体層同士の接合部におい
て剥離や断線が起こるという問題があり、導電体層の膜
を厚くすることができず磁気ディスク装置の高密度化、
高速アクセス化の支障になっている。

【０００４】本発明の課題は、磁気ヘッドの高密度化お
よび小型化を可能にし、磁気ディスク装置の高密度化、
高速アクセス化を図ることである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】磁気ディスク装置が備え
ている公知技術の薄膜磁気ヘッドが、その製造工程にお
けるフォトレジストの熱硬化や磁場中アニールといった
熱処理の際に導電体層同士の接合部において剥離や断線
する原因を鋭意究明したところ、導電体層同士の接合面
の外縁部に介在している絶縁体が剥離や断線の主要因で
あることを見いだした。すなわち、絶縁体層を構成する
絶縁体の熱膨張係数が導電体層を構成する導電体の熱膨
張係数と異なるので熱処理における絶縁体と導電体との
膨張量の差により導電体層同士の接合面の外縁部に介在
している絶縁体が接合部を剥離、断線させることおよび
その現象は導電体層の膜厚が厚い程顕著であることを解
析および実験等により確認した。

【０００６】この接合部の剥離、断線の原因となる接合
面外縁部に介在する絶縁体は、接合工程における導電体
層の断線を防止するために必要である。

【０００７】従来技術の導電体層同士の接合部は次の工
程により形成される。

【０００８】工程１．導電体層（以下、第一導電体層と
いう）の上に絶縁体層を形成させる。

【０００９】工程２．絶縁体層の一部を除去することに
より第一導電体層の接合面の中央部を露出させる。（第
一導電体層の接合面の外縁部には絶縁体層を残存させ
る。）工程３．第一導電体層に接合させる導電体層（以
下、第二導電体層という）を絶縁体層の上に積層させ
る。

【００１０】工程４．エッチングにより第二導電体層の
不要部を除去して第一導電体層の接合面とほぼ同じ形状
の接合面を第二導電体層に形成する。

【００１１】そして、上記の工程２で第一導電体層の接
合面の外縁部に絶縁体層を残存させることにより、工程
４における第一導電体層へのオーバーエッチングによる
断線を防止している。

【００１２】この方法によれば、導電体層の膜厚を厚く
することはできないが、第一導電体層の断線の防止に対
して効果があるため最適な方法とされている。

【００１３】しかし、前述のように、接合面外縁部に介
在する絶縁体が接合面剥離、断線の原因であり、また導
電体層の膜厚を厚くできない原因であることが判明した
ので、この接合面外縁部に介在する絶縁体を除去すれば
接合面の剥離、断線を防止でき、さらに導電体層の膜厚
が厚くできる。

【００１４】本発明の課題は、データを記録するための
磁気ディスクと、この磁気ディスクに前記データを記
録、再生させる磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置に
おいて、次のように構成することにより解決できる。 （１）前記磁気ヘッドは導電体層と絶縁体層とが積層さ
れた積層構造であり、前記導電体層のうち前記絶縁層の
基板に対向する面に積層された第一導電体層と、前記絶
縁層の他方の面に積層された第二導電体層とが前記第一
導電体層に形成された第一接合面と前記第二導電体層に
形成された第二接合面とを接合した接合部にて互いに電
気的に接合されており、前記接合部において前記第一接
合面の外縁部と前記第二接合面の外縁部とが絶縁体を挾
まずに直接接合している領域を有する。

【００１５】（２）前記磁気ヘッドは導電体層と絶縁体
層とが積層された積層構造であり、前記導電体層のうち
前記絶縁層の基板に対向する面に積層された第一導電体
層と、前記絶縁層の他方の面に積層された第二導電体層
とが前記第一導電体層に形成された第一接合面と前記第
二導電体層に形成された第二接合面とを接合した接合部
にて互いに電気的に接合されており、前記第一接合面近
傍の第一導電体層に肉厚が減肉している領域を有する。

【００１６】（３）前記磁気ヘッドは導電体層と絶縁体
層とが積層された積層構造であり、前記導電体層のうち
前記絶縁層の基板に対向する面に積層された第一導電体
層と、前記絶縁層の他方の面に積層された第二導電体層
とが前記第一導電体層に形成された第一接合面と前記第
二導電体層に形成された第二接合面とを接合した接合部
にて互いに電気的に接合されており、さらに、前記接合
部において前記第一導電体層と前記第二導電体層とが、
前記第一接合面および前記第二接合面とは異なる面にて
接合されている領域を有する。

【００１７】

【発明の実施の形態】はじめに、磁気ディスク装置に用
いられる従来の薄膜磁気ヘッドの導電体層同士の接合構
造における剥離・断線のメカニズムを図１９を用いて説
明する。この図では、基板１の上に下地膜２、ギャップ
材３、第一絶縁体層４、第一導電体層５、第二絶縁体層
６、第二導電体層７を積層した構造となっており、図１
９（ａ）に示すように、第一導電体層５と第二導電体層
７との接合面外縁部に絶縁体３４が介在している。薄膜
磁気ヘッドの場合、導電体として例えば銅、絶縁体とし
て例えばフォトレジストが使用されており、これらの熱
膨張係数の差が大きいために熱処理を施すと絶縁体が導
電体よりも大きく膨張しようとする。これによって、図
１９（ｂ）中の矢印で表されるように、接合部を押し開
くような応力が発生し、図１９（ｂ）の３５、３６の部
分に剥離が生じ、これが進むと図１９（ｃ）に示すよう
に断線に至る。接合部周囲に絶縁体が介在していなけれ
ば、図１９（ｂ）の矢印で表されるような応力は発生し
ないので、剥離・断線は起こりにくくなる。

【００１８】本発明によれば、導電体層と絶縁体層の積
層により形成された薄膜積層構造において、第一導電体
層と第二導電体層との接合面の外縁部同士が直接接合す
る領域を有するので、絶縁体の熱膨張によって誘起され
る応力は低減され、接合部の剥離・断線を防止すること
ができる。なお、製造工程におけるオーバーエッチング
による第一導電体層の膜切れは第一導電体層の膜厚を調
節することにより防止することができる。

【００１９】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明
する。

【００２０】まず、本発明の第１実施例である磁気ディ
スク装置用薄膜磁気ヘッドの接合構造を図１から図５を
用いて説明する。図１は磁気ディスク装置に用いられる
薄膜磁気ヘッドの導電体層同士の薄膜接合構造図であ
り、導電体層の接合面全面が直接接合されている。図２
および図３はこれを製造するプロセスと接合構造を説明
するためのプロセス断面図である。図２は図１における
面ＡＢＣで切断した断面図であり、図３は図１における
面ＤＥＦで切断した断面図である。本構造は図２および
図３に示すように基板１に下地膜２、ギャップ材３、第
一絶縁体層４、第一導電体層５、第二絶縁体層６、第二
導電体層７を積層した構造であるが、接合部構造を明確
にするため図１には第一導電体層５と第二導電体層７の
みを示す。

【００２１】この第一実施例を製造プロセスに沿って説
明する。まず、基板１の上に下地膜２とギャップ材３を
例えばスパッタにより成膜し、その上にフォトレジスト
等の絶縁体を塗布した後、熱処理により硬化させ表面の
平坦な第一絶縁体層４を形成する。この上に、例えばク
ロム等の薄い接着層を下面に有する銅等の第一導電体層
５を形成し、エッチングを行うと図２（ａ）、図３
（ａ）に示す状態となる。次にフォトレジスト等からな
る第二絶縁体層６を塗布すると図２（ｂ）、図３（ｂ）
に示す状態となる。この後、第二絶縁体層６を露光し、
現像した後、熱硬化すると図２（ｃ）、図３（ｃ）に示
す状態が得られる。この場合、従来は、第一導電体層５
の接合面外縁部８、９、１０が露出しないようにしたた
めに、接合面外縁部８、９、１０の上面にフォトレジス
ト等の絶縁体が残され、第二導電体層７を形成したとき
に接合面外縁部に絶縁体が介在する構造となった。本第
１実施例では、図２（ｃ）、図３（ｃ）に示すように第
一導電体層５の接合面外縁部８、９、１０を露出させ
る。この後、例えばクロム等の薄い接着層を上面および
下面に有する銅等の第二導電体層７を形成し、マスク１
１を付けてエッチングを行うと第一導電体層５の接合面
全面と第二導電体層７の接合面全面が直接接合する構造
が得られる。この過程を図２（ｄ）、図２（ｅ）、図３
（ｄ）、図３（ｅ）に示す。このようにすれば、第一導
電体層５と第二導電体層７の接合部周囲に絶縁体が介在
しない接合構造が得られ、熱処理の際に該接合部におい
て剥離を生じにくい構造が得られる。この場合、図１の
部分１２に示されるように、第一導電体層５はオーバー
エッチングされて薄くなるが、第一導電体層５の厚さを
調節することにより膜切れを防ぐことができる。

【００２２】図４も磁気ディスク装置に用いられる薄膜
磁気ヘッドの導電体層同士の薄膜接合構造図であり、導
電体層の接合面全面が直接接合されている。図１は第二
導電体層７の上面の方からのぞき込んだ立体図であった
が、図４は第一導電体層５の下面の方からのぞき込んだ
立体図である。図５は図４の面ＧＨＩで切断した断面図
である。これは、図１〜図３の薄膜接合構造においてマ
スク１１の幅を大きくし、図２（ｄ）、図２（ｅ）に示
すエッチングのプロセスを図５（ｄ）、図５（ｅ）に置
き換えることにより得られる。図４の面ＪＫＬで切断し
た断面図は図３と同じである。この場合も、図２に示さ
れるように、第一導電体層５はオーバーエッチングされ
て薄くなるが、第一導電体層５の厚さを調節することに
より膜切れを防ぐことができる。

【００２３】図４の構造は、図１に比べて接合面積が大
きいために剥離の起こりにくい構造となっている。ただ
し、図４の構造では、第一導電体層５のＧＨ方向の幅は
第二導電体層７の幅よりも小さくなければならないの
で、第一導電体層５の段差部に応力が集中しやすい。こ
れに対して図１の構造は、第一導電体層５のＡＢ方向の
幅においてはこのような制限を受けないので、第一導電
体層５の段差部におけるＡＢ方向の幅を大きくすること
により、段差部での応力集中を緩和することができる。
したがって、段差部の応力集中の緩和という点では、図
１の構造の方が優れている。

【００２４】次に、本発明の第２実施例である磁気ディ
スク装置用薄膜磁気ヘッドの接合構造を図６から図１３
を用いて説明する。これらは第一導電体層５と第二導電
体層７の接合面外縁部の一部分には絶縁体が介在してい
るが、他の部分には絶縁体が介在していない構造となっ
ている。図６の３８、３９の部分が絶縁体の介在する場
所を表す。図６の面ＡＢＣで切断した断面図は、図２
（ｅ）と全く同じである。このように接合面外縁部に接
合面同士が直接接合している領域が一ヶ所でもあれば、
接合面外縁部全体に絶縁体が介在した接合構造よりは剥
離の応力は低減される。

【００２５】図７は、図８に面ＲＳＴで切断した断面図
を示すように接合面外縁部に接合面同士が直接接合して
いる領域があり、接合面外縁部全体に絶縁体が介在した
接合構造よりは剥離の応力は低減される。なお、図７の
構造は第一導電体層５がオーバーエッチングされないと
いう点で優れている。

【００２６】また、図９に示される実施例も、図７の構
造と同様に第一導電体層５がオーバーエッチングされな
い。図１０は、図９の面Ｒ’Ｓ’Ｔ’で切断した断面図
である。図１０に示されるように、この例もこのように
接合面外縁部に接合面同士が直接接合している領域があ
り、接合面外縁部全体に絶縁体が介在した接合構造より
は剥離の応力は低減される。

【００２７】第一導電体層５と第二導電体層７が角度を
もって接続する場合として、例えば、図１１のような接
合構造がある。図１２は図１１の面ＸＹＺで切断した断
面図であり、図１３は、図１１の面Ｘ’Ｙ’Ｚ’で切断
した断面図である。これらの図に示されるように、この
例も接合面外縁部に接合面同士が直接接合している領域
があり、接合面外縁部全体に絶縁体が介在した接合構造
よりは剥離の応力は低減される。

【００２８】次に本発明の第３実施例としての磁気ディ
スク装置用薄膜磁気ヘッドを図１４〜図１７を用いて説
明する。第３実施例は、第一導電体層５、第二導電体層
７、第三導電体層１４からなる３層構造のインダクティ
ブヘッドであるが、本発明はこれに限るものではなく例
えば磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドにも適用可能である。
図１４は基板１を上方から見た図であり、図１５は図１
４におけるＵＶで切断した断面図、図１６は図１４にお
けるＶＷで切断した断面図である。この実施例を製造プ
ロセスに沿って説明する。まず、基板１の上に下地膜２
と第一磁性体１７、およびギャップ材３を例えばスパッ
タにより成膜し、その上にフォトレジスト等の絶縁体を
塗布した後、熱処理により硬化して表面の平坦な第一絶
縁体層４を形成する。この上に、例えばクロム等の薄い
接着層を下面に有する銅等の第一導電体層５を形成し、
エッチングを行う。この後、フォトレジスト等からなる
第二絶縁体層６を塗布し、露光・現像した後、熱硬化す
る。この際、第一導電体層５と第二導電体層７の接合部
１９となる部分については、図２（ｃ）、図３（ｃ）に
示したのと同様に第一導電体層５の接合面外縁部が露出
するようにする。次に、例えばクロム等の薄い接着層を
上面および下面に有する銅等の第二導電体層７を形成
し、これをエッチングする。この際、第一導電体層５と
第二導電体層７の接合部１９においては、図２（ｄ）、
図２（ｅ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）と同様にエッチン
グを行い、さらに第三絶縁体層２０、第三導電体層１
４、第四絶縁体層２１を形成する。第二導電体層７と第
三導電体層１４の接合部１５の構造は、第一導電体層５
と第二導電体層７の接合部１９と同様に製造する。次に
第二磁性体１８をスパッタ等により形成する。この場
合、図５と同様の製造プロセスにより、第二磁性体１８
と第三導電体層１４の接合部１６についても絶縁体が介
在しない構造とする。

【００２９】薄膜磁気ヘッドを構成する銅等の導電体と
フォトレジストなどの絶縁体は、熱膨張係数の差が大き
いため、従来の、絶縁体が介在した接合構造では接合部
を剥離する応力が大きくなる。したがって、本発明は、
特に薄膜磁気ヘッドに適用した場合に改善効果が大き
い。

【００３０】上記実施例の薄膜磁気ヘッドでは、第一導
電体層５と第二導電体層７の接合部１９および第二導電
体層７と第三導電体層１４の接合部１５の構造は、図１
に示す構造を用いたが、図４、図６、または図７に示す
構造に置き換えてもよい。

【００３１】また、本発明による薄膜磁気ヘッドとして
は他に、図１７の構造が考えられる。図１４との違い
は、第二導電体層７と第三導電体層１４の接合部１５
が、第二磁性体１８に覆われていない部分に位置してい
ることであり、複雑な応力分布が生じにくい構造となっ
ている。このため、第二磁性体１８の磁気特性が安定に
保たれるという利点がある。

【００３２】従来の接合構造を有する磁気ヘッドを用い
た場合、導電体間の接合部を剥離する応力が絶縁体の熱
膨張によって生じ、その応力は、磁気ヘッドを構成する
膜の厚さが厚いほど大きくなるため、あまり膜厚を厚く
することができない。本発明の接合構造を有する磁気ヘ
ッドでは、絶縁体の熱膨張によるこのような応力は低減
されるので、磁気ヘッドを構成する膜の厚さを厚くする
ことができる。導電体の膜厚を厚くした分だけ、導電体
の抵抗を大きくすることなく導電体コイルの幅を小さく
することができるので、導電体コイルの高密度化に適し
ているといえる。

【００３３】次に本発明の第４実施例の磁気ディスク装
置を図１８を用いて説明する。この実施例は、通常の磁
気ディスク装置と同様に、磁気記録媒体としての磁気デ
ィスク２４と、本発明による薄膜磁気ヘッド２２と、磁
気ヘッドを磁気ディスク上の所定位置に移動させるため
のアクチュエータ手段と、アクチュエータ手段の移動お
よび磁気ヘッド２２が読み書きするデータの送信・受信
をコントロールする制御手段から構成される。

【００３４】以下に、動作を含めてさらに詳しく解説す
る。磁気ヘッド２２を支持するスライダ２３は、回転軸
２９によって支持された磁気ディスク２４上に置かれ、
該磁気ディスク２４が駆動モータ３０により回転する
と、スライダ２３は、磁気ディスク２４の上を浮上す
る。スライダ２３は、弾性力を有するジンバル２５によ
ってアーム２６に取り付けられる。ジンバル２５の弾性
力と空気ベアリング力が釣り合うことにより、スライダ
２３と磁気ディスク２４の間は、一定距離に保たれる。
制御装置３３は、ライン３１、ライン３２、ライン２８
を通して制御信号を送信あるいは受信し、磁気ディスク
装置の動作を制御する。駆動モータ３０は、ライン３１
を通して制御装置３３により制御される。ボイスコイル
モータ等のアクチュエータ２７は、ライン２８を通し
て、スライダ２３を磁気ディスク２４上の所定位置に移
動・位置決めするように制御される。磁気ヘッド２２が
読み取った磁気ディスク２４上のデータは電気信号に変
換され、ライン３２を通して解読される。また、磁気デ
ィスク２４上に書き込むデータは、電気信号としてライ
ン３２を通して磁気ヘッド２２に送信される。

【００３５】この磁気ディスク装置の磁気ヘッドとし
て、従来の薄膜磁気ヘッドを用いた場合、導電体間の接
合部を剥離する応力が絶縁体の熱膨張によって生じ、そ
の応力は、磁気ヘッドを構成する膜の厚さが厚いほど大
きくなるため、あまり膜厚を厚くすることができなかっ
た。本発明の接合構造を有する薄膜磁気ヘッドを用いた
場合、絶縁体の熱膨張によるこのような応力は低減され
るので、磁気ヘッドを構成する膜の厚さを厚くすること
ができる。導電体の膜厚を厚くした分だけ、導電体の抵
抗を大きくすることなく導電体コイルの幅を小さくする
ことができる。これは、図１４や図１７の例で考える
と、渦巻状のコイルの半径を小さくできることにつなが
る。接合部外縁部に介在していた絶縁体が削減される効
果も合わせて考慮すると、素子のパターンを小さくでき
るので、結果としてスライダ２３の厚さを薄くできる。
こうしてスライダ２３の質量を小さくし、サイズを小型
化することにより、スライダ２３を磁気ディスク２４上
の所定位置に高速にアクセスすることができる。さらに
ジンバル２５やアーム２６にかかる負担も低減すること
ができる。

【００３６】

【発明の効果】本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの高密
度化、小型化が図れ、磁気ディスク装置の高密度化、高
速アクセス化が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の薄膜接合構造図である。

【図２】図１の薄膜接合構造のプロセス断面図である。

【図３】図１の薄膜接合構造のプロセス断面図である。

【図４】本発明の第１実施例の薄膜接合構造図である。

【図５】図４の薄膜接合構造のプロセス断面図である。

【図６】本発明の第２実施例の薄膜接合構造図である。

【図７】本発明の第２実施例の薄膜接合構造図である。

【図８】図７の薄膜接合構造の断面図である。

【図９】本発明の第２実施例の薄膜接合構造図である。

【図１０】図１０の薄膜接合構造の断面図である。

【図１１】本発明の第２実施例の薄膜接合構造図であ
る。

【図１２】図１１の薄膜接合構造の断面図である。

【図１３】図１１の薄膜接合構造の断面図である。

【図１４】本発明の第３実施例の薄膜磁気ヘッド構造図
である。

【図１５】図１４の薄膜磁気ヘッドの断面図である。

【図１６】図１４の薄膜磁気ヘッドの断面図である。

【図１７】本発明の第４実施例の薄膜磁気ヘッド構造図
である。

【図１８】本発明の第５実施例の磁気ディスク装置の構
成図である。

【図１９】従来の薄膜接合構造の接合部剥離メカニズム
の説明図である。

【符号の説明】

１…基板、２…下地膜、３…ギャップ材、４…第一絶縁
体層、５…第一導電体層、６…第二絶縁体層、７…第二
導電体層、８、９、１０…第一導電体層の接合面外縁
部、１１…マスク、１４…第三導電体層、１７…第一磁
性体、１８…第二磁性体、２０…第三絶縁体層、２１…
第四絶縁体層、２２…磁気ヘッド、２３…スライダ、２
４…磁気ディスク、２５…ジンバル、２６…アーム、２
７…アクチュエータ、２９…回転軸、３０…駆動モー
タ、３３…制御装置、３７…保護膜。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斉藤 直人 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社日 立製作所機械研究所内 (72)発明者 今中 律 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 白木 清典 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】データを記録するための磁気ディスクと、
   この磁気ディスクに前記データを記録、再生させる磁気
   ヘッドを備えた磁気ディスク装置において、前記磁気ヘ
   ッドは導電体層と絶縁体層とが積層された積層構造であ
   り、前記導電体層のうち前記絶縁層の基板に対向する面
   に積層された第一導電体層と、前記絶縁層の他方の面に
   積層された第二導電体層とが前記第一導電体層に形成さ
   れた第一接合面と前記第二導電体層に形成された第二接
   合面とを接合した接合部にて互いに電気的に接合されて
   おり、前記接合部において前記第一接合面の外縁部と前
   記第二接合面の外縁部とが絶縁体を挟まずに直接接合し
   ている領域を有することを特徴とする磁気ディスク装
   置。
2. 【請求項２】データを記録するための磁気ディスクと、
   この磁気ディスクに前記データを記録、再生させる磁気
   ヘッドを備えた磁気ディスク装置において、前記磁気ヘ
   ッドは導電体層と絶縁体層とが積層された積層構造であ
   り、前記導電体層のうち前記絶縁層の基板に対向する面
   に積層された第一導電体層と、前記絶縁層の他方の面に
   積層された第二導電体層とが前記第一導電体層に形成さ
   れた第一接合面と前記第二導電体層に形成された第二接
   合面とを接合した接合部にて互いに電気的に接合されて
   おり、前記第一接合面近傍の第一導電体層に肉厚が減肉
   している領域を有することを特徴とする磁気ディスク装
   置。
3. 【請求項３】データを記録するための磁気ディスクと、
   この磁気ディスクに前記データを記録、再生させる磁気
   ヘッドを備えた磁気ディスク装置において、前記磁気ヘ
   ッドは導電体層と絶縁体層とが積層された積層構造であ
   り、前記導電体層のうち前記絶縁層の基板に対向する面
   に積層された第一導電体層と、前記絶縁層の他方の面に
   積層された第二導電体層とが前記第一導電体層に形成さ
   れた第一接合面と前記第二導電体層に形成された第二接
   合面とを接合した接合部にて互いに電気的に接合されて
   おり、さらに、前記接合部において前記第一導電体層と
   前記第二導電体層とが、前記第一接合面および前記第二
   接合面とは異なる面にて接合されている領域を有するこ
   とを特徴とする磁気ディスク装置。