JPH11134613A - 磁気ディスク装置 - Google Patents
磁気ディスク装置Info
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- JPH11134613A JPH11134613A JP9296693A JP29669397A JPH11134613A JP H11134613 A JPH11134613 A JP H11134613A JP 9296693 A JP9296693 A JP 9296693A JP 29669397 A JP29669397 A JP 29669397A JP H11134613 A JPH11134613 A JP H11134613A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】薄膜磁気ヘッドの製造工程中の高温となる際に
発生する、磁気信号の記録を行うインダクティブヘッド
の上部磁性膜のはく離を抑制する。 【解決手段】インダクティブヘッド，磁気抵抗効果型ヘ
ッドを保護する保護膜の下層部にはく離抑止膜を設ける
ことによりはく離を防止する。
発生する、磁気信号の記録を行うインダクティブヘッド
の上部磁性膜のはく離を抑制する。 【解決手段】インダクティブヘッド，磁気抵抗効果型ヘ
ッドを保護する保護膜の下層部にはく離抑止膜を設ける
ことによりはく離を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、信頼性の高い薄膜
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置に関する。
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク装置の高記録密度化
に伴って、磁気記録を記録媒体に記録，再生する磁気ヘ
ッドには薄膜磁気ヘッドが使われるようになり、特に最
近は、記録を従来のコイルの電磁誘導を利用したインダ
クティブヘッドで行い、再生を外部磁界により電流を流
したときの抵抗値が変化する磁気抵抗効果を示す素子を
利用した磁気抵抗効果型ヘッドで行う複合型磁気ヘッド
が使われるようになってきている。
に伴って、磁気記録を記録媒体に記録，再生する磁気ヘ
ッドには薄膜磁気ヘッドが使われるようになり、特に最
近は、記録を従来のコイルの電磁誘導を利用したインダ
クティブヘッドで行い、再生を外部磁界により電流を流
したときの抵抗値が変化する磁気抵抗効果を示す素子を
利用した磁気抵抗効果型ヘッドで行う複合型磁気ヘッド
が使われるようになってきている。
【０００３】薄膜をスパッタリングなどにより成膜する
と真性応力と呼ばれる応力が発生することが知られてい
る。さらにヘッド製造過程では磁場中アニールなどの工
程で２００℃程度の高温となる工程があり、その工程に
おいては大きな熱応力が発生する。この真性応力と熱応
力が原因で製造工程中に膜のはく離が発生することがあ
り歩留まりに影響する。
と真性応力と呼ばれる応力が発生することが知られてい
る。さらにヘッド製造過程では磁場中アニールなどの工
程で２００℃程度の高温となる工程があり、その工程に
おいては大きな熱応力が発生する。この真性応力と熱応
力が原因で製造工程中に膜のはく離が発生することがあ
り歩留まりに影響する。
【０００４】これを解決する手段として例えば特開平8
−106612号公報(以下文献１とする）のように膜の真性
応力を低減する方法がある。文献１ではインダクティブ
ヘッドを構成する膜のひとつ上部磁性膜の材料をコント
ロールして真性応力を低減し、上部磁性膜のはく離を防
ぐ方法が示されている。
−106612号公報(以下文献１とする）のように膜の真性
応力を低減する方法がある。文献１ではインダクティブ
ヘッドを構成する膜のひとつ上部磁性膜の材料をコント
ロールして真性応力を低減し、上部磁性膜のはく離を防
ぐ方法が示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】文献１では上部磁性膜
のはく離を防ぐ方法を示している。しかし文献１のよう
に上部磁性膜の真性応力を低減しても、上部磁性膜のは
く離は発生する。
のはく離を防ぐ方法を示している。しかし文献１のよう
に上部磁性膜の真性応力を低減しても、上部磁性膜のは
く離は発生する。
【０００６】本発明の目的は上記課題に対し、はく離を
防止する構造を持つ薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置を提供することにある。
防止する構造を持つ薄膜磁気ヘッドを搭載した磁気ディ
スク装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上部磁性膜のはく離が生
じる原因は、薄膜の成膜により発生する真性応力と、製
造工程中の高温になる際に発生する熱応力である。熱応
力によるはく離は、高温時に、上部磁性膜などの金属膜
や、上部磁性膜とインダクティブヘッドのコイル導体と
の絶縁を確保するためのコイル絶縁膜などが熱膨張によ
り膨張するのに対して、最外層にあるアルミナの保護膜
はこれら材料に比較して線膨張係数が小さく膨張量が小
さいために、相対的に高温時に収縮するような形にな
り、その結果保護膜以外の前記上部磁性膜などをはく離
させようとする方向、膜が積層されている面に垂直な方
向に引っ張りの応力が生じるために起こる。
じる原因は、薄膜の成膜により発生する真性応力と、製
造工程中の高温になる際に発生する熱応力である。熱応
力によるはく離は、高温時に、上部磁性膜などの金属膜
や、上部磁性膜とインダクティブヘッドのコイル導体と
の絶縁を確保するためのコイル絶縁膜などが熱膨張によ
り膨張するのに対して、最外層にあるアルミナの保護膜
はこれら材料に比較して線膨張係数が小さく膨張量が小
さいために、相対的に高温時に収縮するような形にな
り、その結果保護膜以外の前記上部磁性膜などをはく離
させようとする方向、膜が積層されている面に垂直な方
向に引っ張りの応力が生じるために起こる。
【０００８】文献１のように真性応力を低減してもはく
離が起こるのは、ヘッド微細化により熱応力が大きくな
っているためである。本発明は保護膜とインダクティブ
ヘッドの間にはく離抑止膜を設けることによりはく離を
防止する。
離が起こるのは、ヘッド微細化により熱応力が大きくな
っているためである。本発明は保護膜とインダクティブ
ヘッドの間にはく離抑止膜を設けることによりはく離を
防止する。
【０００９】はく離抑止膜の材料は、ヤング率が保護膜
と比較して小さく、線膨張係数が保護膜に比較して大き
い材料である。はく離抑止膜は、ヤング率が小さいため
に応力緩衝材として働くと同時に、線膨張係数が大きい
ために製造工程中の高温となる過程で熱膨張し、はく離
しようとする膜を押さえつけてはく離を抑制する働きを
する。またはく離抑止膜は、接触する各膜との密着力が
ある程度強い材料で、はく離してしまわない材料でなけ
ればならない。
と比較して小さく、線膨張係数が保護膜に比較して大き
い材料である。はく離抑止膜は、ヤング率が小さいため
に応力緩衝材として働くと同時に、線膨張係数が大きい
ために製造工程中の高温となる過程で熱膨張し、はく離
しようとする膜を押さえつけてはく離を抑制する働きを
する。またはく離抑止膜は、接触する各膜との密着力が
ある程度強い材料で、はく離してしまわない材料でなけ
ればならない。
【００１０】はく離抑止膜の具体的な材料の候補とし
て、フォトレジストがあげられる。フォトレジスト材は
前記のヤング率と線膨張係数に対する要求を満たし、密
着力に対する要求も満たす。またフォトレジストは、薄
膜素子のパターンを形成する際に、薄膜磁気ヘッドの製
造工程において一般的に使用されている材料で、コイル
絶縁膜としても使用される材料である。そのため現在の
製造装置，材料などを新たに調達しなくてもよいという
利点がある。
て、フォトレジストがあげられる。フォトレジスト材は
前記のヤング率と線膨張係数に対する要求を満たし、密
着力に対する要求も満たす。またフォトレジストは、薄
膜素子のパターンを形成する際に、薄膜磁気ヘッドの製
造工程において一般的に使用されている材料で、コイル
絶縁膜としても使用される材料である。そのため現在の
製造装置，材料などを新たに調達しなくてもよいという
利点がある。
【００１１】ポリイミド膜もヤング率，線膨張係数の条
件を満たす材料で、候補としてあげられる。ポリイミド
膜は薄膜磁気ヘッドの製造工程中に一般的に使用されて
いる材料ではないが、フォトレジスト材よりも強い密着
力が期待できるという利点がある。
件を満たす材料で、候補としてあげられる。ポリイミド
膜は薄膜磁気ヘッドの製造工程中に一般的に使用されて
いる材料ではないが、フォトレジスト材よりも強い密着
力が期待できるという利点がある。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を採用した磁気ディ
スク装置の一実施例を詳しく説明する。
スク装置の一実施例を詳しく説明する。
【００１３】磁気ディスク装置は図２のような構造とな
っている。スピンドルモータ１６により回転する記録媒
体１７に対し、サーボ１３，アクチュエータ１４により
駆動するヘッド支持バネ１５の先端に記録媒体１７に対
向するように装着された薄膜磁気ヘッド２３が記録媒体
１７の円盤面上を走行しながら磁気信号の記録，再生を
行う。
っている。スピンドルモータ１６により回転する記録媒
体１７に対し、サーボ１３，アクチュエータ１４により
駆動するヘッド支持バネ１５の先端に記録媒体１７に対
向するように装着された薄膜磁気ヘッド２３が記録媒体
１７の円盤面上を走行しながら磁気信号の記録，再生を
行う。
【００１４】薄膜磁気ヘッドのうち、再生は磁気抵抗効
果を利用して行う磁気抵抗効果型ヘッドを用い、記録は
コイルの電磁誘導を利用して行うインダクティブヘッド
を用いる薄膜磁気ヘッドを複合型磁気ヘッドと呼ぶ。本
発明の磁気ディスク装置は、複合型磁気ヘッドを改良し
た薄膜磁気ヘッド２３を搭載する。薄膜磁気ヘッド２３
の外観を図３に示す。薄膜磁気ヘッド２３は、基板１８
に多数の薄膜がスパッタリングなどにより積層された構
造となっている。
果を利用して行う磁気抵抗効果型ヘッドを用い、記録は
コイルの電磁誘導を利用して行うインダクティブヘッド
を用いる薄膜磁気ヘッドを複合型磁気ヘッドと呼ぶ。本
発明の磁気ディスク装置は、複合型磁気ヘッドを改良し
た薄膜磁気ヘッド２３を搭載する。薄膜磁気ヘッド２３
の外観を図３に示す。薄膜磁気ヘッド２３は、基板１８
に多数の薄膜がスパッタリングなどにより積層された構
造となっている。
【００１５】磁気抵抗効果センサ１９が現れている面
が、記録媒体１７と対向して磁気信号の記録，再生を行
う面で、以下浮上面と呼ぶ。浮上面に垂直な基板上の一
面（以下ヘッド素子パターン面と呼ぶ。）に磁気抵抗効
果センサ１９を含む多数の薄膜を積層して構成される磁
気抵抗効果型ヘッドが形成され、さらにこの磁気抵抗効
果型ヘッドに上部磁性膜９を含む多数の薄膜を積層して
構成されるインダクティブヘッドが積層され、このイン
ダクティブヘッドに保護膜１１が積層されている。
が、記録媒体１７と対向して磁気信号の記録，再生を行
う面で、以下浮上面と呼ぶ。浮上面に垂直な基板上の一
面（以下ヘッド素子パターン面と呼ぶ。）に磁気抵抗効
果センサ１９を含む多数の薄膜を積層して構成される磁
気抵抗効果型ヘッドが形成され、さらにこの磁気抵抗効
果型ヘッドに上部磁性膜９を含む多数の薄膜を積層して
構成されるインダクティブヘッドが積層され、このイン
ダクティブヘッドに保護膜１１が積層されている。
【００１６】ヘッド素子パターン面外観を図４に示す。
また、浮上面のセンサ部分近傍の外観を図５に示す。図
４線分Ａ−Ｂによる断面を拡大した図を図１に示す。セ
ラミックスの基板１８のヘッド素子パターンが形成され
る面にアルミナのベース材１が厚さ約１０μｍ形成さ
れ、これにＣｏ系合金の下部シールド２が１〜２μｍ、
アルミナの絶縁膜３が約０.５μｍ 、Ｎｉ系合金の上部
シールド４が２〜３μｍ、アルミナのギャップ膜５が約
０.５μｍ 、レジスト材のコイル絶縁膜６，７，８が各
々３〜４μｍ、Ｃｕのコイル導体１２が約３μｍ、Ｆｅ
Ｎｉの上部磁性膜９が３〜４μｍなど積層され、最外層
にアルミナの保護膜１１が約５０μｍ形成されている。
また、浮上面のセンサ部分近傍の外観を図５に示す。図
４線分Ａ−Ｂによる断面を拡大した図を図１に示す。セ
ラミックスの基板１８のヘッド素子パターンが形成され
る面にアルミナのベース材１が厚さ約１０μｍ形成さ
れ、これにＣｏ系合金の下部シールド２が１〜２μｍ、
アルミナの絶縁膜３が約０.５μｍ 、Ｎｉ系合金の上部
シールド４が２〜３μｍ、アルミナのギャップ膜５が約
０.５μｍ 、レジスト材のコイル絶縁膜６，７，８が各
々３〜４μｍ、Ｃｕのコイル導体１２が約３μｍ、Ｆｅ
Ｎｉの上部磁性膜９が３〜４μｍなど積層され、最外層
にアルミナの保護膜１１が約５０μｍ形成されている。
【００１７】下部シールド２と上部シールド４に挟まれ
て、ＮｉＦｅなど数１０ｎｍの薄膜からなる再生用の磁
気抵抗効果センサ１９が存在する。上部シールド４と上
部磁性膜９を含めて、上部シールド４と上部磁性膜９に
挟まれる部分が記録用のインダクティブヘッド、下部シ
ールド２と上部シールド４を含めて、下部シールド２と
上部シールド４に挟まれる部分が再生用の磁気抵抗効果
型ヘッドである。保護膜１１とインダクティブヘッドの
間に、はく離を防止するはく離抑止膜１０が適切な膜厚
（例えば数μｍ）で設けられる。浮上面のセンサ部分を
拡大した図を図８に示す。はく離抑止膜１０はヘッド素
子パターン面全面を覆う形で形成されている。
て、ＮｉＦｅなど数１０ｎｍの薄膜からなる再生用の磁
気抵抗効果センサ１９が存在する。上部シールド４と上
部磁性膜９を含めて、上部シールド４と上部磁性膜９に
挟まれる部分が記録用のインダクティブヘッド、下部シ
ールド２と上部シールド４を含めて、下部シールド２と
上部シールド４に挟まれる部分が再生用の磁気抵抗効果
型ヘッドである。保護膜１１とインダクティブヘッドの
間に、はく離を防止するはく離抑止膜１０が適切な膜厚
（例えば数μｍ）で設けられる。浮上面のセンサ部分を
拡大した図を図８に示す。はく離抑止膜１０はヘッド素
子パターン面全面を覆う形で形成されている。
【００１８】従来の薄膜磁気ヘッドの、図１に相当する
部分断面図を図６に、図８に相当する部分拡大図を図７
に示す。従来の薄膜磁気ヘッドには，保護膜１１とイン
ダクティブヘッドの間にはく離抑止膜は存在しない。そ
のため製造工程中高温になり、線膨張係数差によって図
１４のように保護膜１１が相対的に収縮すると、上部磁
性膜９をはく離させようとする力が働き、はく離が起こ
る。
部分断面図を図６に、図８に相当する部分拡大図を図７
に示す。従来の薄膜磁気ヘッドには，保護膜１１とイン
ダクティブヘッドの間にはく離抑止膜は存在しない。そ
のため製造工程中高温になり、線膨張係数差によって図
１４のように保護膜１１が相対的に収縮すると、上部磁
性膜９をはく離させようとする力が働き、はく離が起こ
る。
【００１９】これに対し本発明による薄膜磁気ヘッドで
は、はく離抑止膜１０がはく離を抑制する。はく離抑止
膜１０は前述したように、ヤング率が保護膜と比較して
小さく、線膨張係数が保護膜と比較して大きい材料であ
る。はく離抑止膜１０はヤング率が小さいために、製造
工程中の高温となる過程で保護膜により生じる熱応力、
および保護膜の真性応力の影響を緩和する応力緩衝材の
役割を果たすと同時に、線膨張係数が大きいために高温
時に膨張して、はく離しようとする膜を押さえつけては
く離を抑制する。またヤング率が小さいので、余計な応
力を発生して、他の悪い影響を引き起こす恐れも少な
い。ただしはく離抑止膜１０は、接触する各膜との密着
力がある程度強く、自身のはく離が生じない材料でなけ
ればならない。
は、はく離抑止膜１０がはく離を抑制する。はく離抑止
膜１０は前述したように、ヤング率が保護膜と比較して
小さく、線膨張係数が保護膜と比較して大きい材料であ
る。はく離抑止膜１０はヤング率が小さいために、製造
工程中の高温となる過程で保護膜により生じる熱応力、
および保護膜の真性応力の影響を緩和する応力緩衝材の
役割を果たすと同時に、線膨張係数が大きいために高温
時に膨張して、はく離しようとする膜を押さえつけては
く離を抑制する。またヤング率が小さいので、余計な応
力を発生して、他の悪い影響を引き起こす恐れも少な
い。ただしはく離抑止膜１０は、接触する各膜との密着
力がある程度強く、自身のはく離が生じない材料でなけ
ればならない。
【００２０】はく離抑止膜１０を設けてはく離を防止す
る本発明による方法では、はく離抑止膜に接する、また
は近接する全ての膜のはく離を抑えることができる。例
えば、下部シールド２と絶縁膜３との界面２２（図７）
でも、高温時にはく離が起こることがあるが、この部分
のはく離も抑制することができる。
る本発明による方法では、はく離抑止膜に接する、また
は近接する全ての膜のはく離を抑えることができる。例
えば、下部シールド２と絶縁膜３との界面２２（図７）
でも、高温時にはく離が起こることがあるが、この部分
のはく離も抑制することができる。
【００２１】はく離抑止膜１０の具体的な材料として
は、フォトレジスト材やポリイミド膜のような樹脂材料
が候補としてあげられる。フォトレジスト材はヤング率
と線膨張係数に対する要求を満たし、密着力に対する要
求も満たす。同時にフォトレジストは、薄膜素子のパタ
ーンを形成する際に、薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て一般的に使用されている材料で、コイル絶縁膜６，
７，８としても使用される材料である。そのため現在の
製造装置，材料などを新たに調達しなくてもよいという
利点がある。ポリイミド膜もヤング率，線膨張係数の条
件を満たす。ポリイミド膜は薄膜磁気ヘッドの製造工程
中に一般的に使用されている材料ではないが、フォトレ
ジスト材よりも強い密着力が期待できるという利点があ
る。
は、フォトレジスト材やポリイミド膜のような樹脂材料
が候補としてあげられる。フォトレジスト材はヤング率
と線膨張係数に対する要求を満たし、密着力に対する要
求も満たす。同時にフォトレジストは、薄膜素子のパタ
ーンを形成する際に、薄膜磁気ヘッドの製造工程におい
て一般的に使用されている材料で、コイル絶縁膜６，
７，８としても使用される材料である。そのため現在の
製造装置，材料などを新たに調達しなくてもよいという
利点がある。ポリイミド膜もヤング率，線膨張係数の条
件を満たす。ポリイミド膜は薄膜磁気ヘッドの製造工程
中に一般的に使用されている材料ではないが、フォトレ
ジスト材よりも強い密着力が期待できるという利点があ
る。
【００２２】上部磁性膜９のはく離と下部シールド２と
絶縁膜３との界面２２のはく離を抑制するためであれ
ば、図１，図８の様にヘッド素子パターン面全面をはく
離抑止膜１０で覆う必要はなく、図９，図１０または図
１１の応用例の様に、はく離を防止したい部分を含む範
囲で覆えばよい。また、上部磁性膜９とギャップ膜５の
界面でのはく離の防止だけを目的とするならば、図１
２，図１３の応用例の様に、上部磁性膜９の先端のみを
はく離抑止膜１０で覆う形態も考えられる。これら応用
例では、はく離抑止膜として使う材料が少なくてすむと
いう利点がある。逆に図１の実施例ではヘッド素子パタ
ーン面全面にはく離抑止膜を塗布するので、パターンを
形成する必要がなく、形成が容易であるという利点があ
る。
絶縁膜３との界面２２のはく離を抑制するためであれ
ば、図１，図８の様にヘッド素子パターン面全面をはく
離抑止膜１０で覆う必要はなく、図９，図１０または図
１１の応用例の様に、はく離を防止したい部分を含む範
囲で覆えばよい。また、上部磁性膜９とギャップ膜５の
界面でのはく離の防止だけを目的とするならば、図１
２，図１３の応用例の様に、上部磁性膜９の先端のみを
はく離抑止膜１０で覆う形態も考えられる。これら応用
例では、はく離抑止膜として使う材料が少なくてすむと
いう利点がある。逆に図１の実施例ではヘッド素子パタ
ーン面全面にはく離抑止膜を塗布するので、パターンを
形成する必要がなく、形成が容易であるという利点があ
る。
【００２３】前記実施例および応用例では，いずれもは
く離抑止膜１０が浮上面などヘッド素子パターン面に垂
直な面の表面に露出している。そのため、はく離抑止膜
１０は、この表面に露出している他のアルミナの膜や金
属膜と比較して、ヤング率の小さい柔らかい材料なの
で、浮上面を研磨する際に、均等に研磨されず、段差が
発生してしまう恐れがある。浮上面の段差は、稼動時に
ゴミがたまって記録，再生のエラー発生，故障の原因と
なるので、望ましくない。また、はく離抑止膜１０が吸
湿して、ヘッド素子に悪影響を与える恐れもある。そこ
で、図１５，図１６の応用例のように、浮上面などヘッ
ド素子パターン面に垂直な面の表面にはく離抑止膜１０
が露出しないようにパターニングして対策する方法が考
えられる。
く離抑止膜１０が浮上面などヘッド素子パターン面に垂
直な面の表面に露出している。そのため、はく離抑止膜
１０は、この表面に露出している他のアルミナの膜や金
属膜と比較して、ヤング率の小さい柔らかい材料なの
で、浮上面を研磨する際に、均等に研磨されず、段差が
発生してしまう恐れがある。浮上面の段差は、稼動時に
ゴミがたまって記録，再生のエラー発生，故障の原因と
なるので、望ましくない。また、はく離抑止膜１０が吸
湿して、ヘッド素子に悪影響を与える恐れもある。そこ
で、図１５，図１６の応用例のように、浮上面などヘッ
ド素子パターン面に垂直な面の表面にはく離抑止膜１０
が露出しないようにパターニングして対策する方法が考
えられる。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、製造工程中の高温とな
る際の上部磁性膜のはく離や下部シールドと絶縁膜の界
面などのはく離を抑制することができる。
る際の上部磁性膜のはく離や下部シールドと絶縁膜の界
面などのはく離を抑制することができる。
【図１】本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドの図４
のＡ−Ｂ線断面図。
のＡ−Ｂ線断面図。
【図２】本発明の一実施例に係る磁気ディスク装置の構
造を示す平面図。
造を示す平面図。
【図３】本発明の一実施例に係る薄膜磁気ヘッドの斜視
図。
図。
【図４】本発明の一実施例に係るヘッド素子パターン面
の外観図。
の外観図。
【図５】本発明の一実施例に係る浮上面２のセンサ近傍
部分の側断面図。
部分の側断面図。
【図６】従来の薄膜磁気ヘッドの側断面図。
【図７】従来の薄膜磁気ヘッドの浮上面のセンサ部分を
拡大した側断面図。
拡大した側断面図。
【図８】本発明の一実施例の応用例に係る浮上面のセン
サ部分を拡大した側断面図。
サ部分を拡大した側断面図。
【図９】本発明の一実施例の応用例に係るヘッド素子パ
ターン面の外観図。
ターン面の外観図。
【図１０】本発明の一実施例の応用例に係る浮上面のセ
ンサ部分を拡大した側断面図。
ンサ部分を拡大した側断面図。
【図１１】本発明の一実施例の応用例に係るヘッド素子
パターン面の外観図。
パターン面の外観図。
【図１２】本発明の一実施例の応用例に係る図４のＡ−
Ｂ線断面図。
Ｂ線断面図。
【図１３】本発明の一実施例の応用例に係る浮上面のセ
ンサ部分を拡大した側断面図。
ンサ部分を拡大した側断面図。
【図１４】はく離発生のメカニズムを示す側断面図。
【図１５】本発明の一実施例であるはく離抑止膜を設け
たヘッド素子の側断面図。
たヘッド素子の側断面図。
【図１６】図１５の外観図。
１…ベース材、２…下部シールド、３…絶縁膜、４…上
部シールド、５…ギャップ膜、６，７，８…コイル絶縁
膜、９…上部磁性膜、１０…はく離抑止膜、１１…保護
膜、１２…コイル導体、１３…サーボ、１４…アクチュ
エータ、１５…ヘッド支持バネ、１６…スピンドルモー
タ、１７…記録媒体、１８…基板、１９…磁気抵抗効果
センサ、２２…界面。
部シールド、５…ギャップ膜、６，７，８…コイル絶縁
膜、９…上部磁性膜、１０…はく離抑止膜、１１…保護
膜、１２…コイル導体、１３…サーボ、１４…アクチュ
エータ、１５…ヘッド支持バネ、１６…スピンドルモー
タ、１７…記録媒体、１８…基板、１９…磁気抵抗効果
センサ、２２…界面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今中 律 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 小柳 広明 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 中村 雄喜 神奈川県小田原市国府津2880番地 株式会 社日立製作所ストレージシステム事業部内
Claims (1)
- 【請求項１】記録面を有する円盤状の記録媒体と、前記
記録媒体を回転させるスピンドルモータと、前記記録媒
体の記録面に対向して磁気信号の記録，再生を行う薄膜
磁気ヘッドと、前記薄膜磁気ヘッドが先端部に装着さ
れ、前記薄膜磁気ヘッドを支持するヘッド支持バネと、
前記ヘッド支持バネを取り付けて前記薄膜磁気ヘッドを
支持し駆動するアームを構成するアクチュエータと、前
記アームを支持し駆動するサーボからなる磁気ディスク
装置において、前記薄膜磁気ヘッドは、基板と前記記録
媒体に対向する面と垂直な一面に多数の薄膜で構成され
る磁気信号の再生を行う磁気抵抗効果型ヘッドと、前記
磁気抵抗効果型ヘッドに多数の薄膜を積層して構成され
る磁気信号の記録を行うインダクティブヘッドと、前記
インダクティブヘッドに積層される前記磁気抵抗効果型
ヘッドと前記インダクティブヘッドを保護する保護膜
と、前記保護膜と前記インダクティブヘッドの間に構成
される薄膜のはく離を防止するはく離抑止膜とで構成さ
れていることを特徴とする磁気ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9296693A JPH11134613A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 磁気ディスク装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9296693A JPH11134613A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 磁気ディスク装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11134613A true JPH11134613A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17836869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9296693A Pending JPH11134613A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 磁気ディスク装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11134613A (ja) |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP9296693A patent/JPH11134613A/ja active Pending
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Legal Events
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