JPH10116443A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【解決手段】 基板上に記録層、光干渉層、反射層及び
保護層を有する光記録媒体において、該記録層と該光干
渉層が有機色素を主成分として含有する層であり、か
つ、該光干渉層に光吸収剤及び／又は熱分解促進剤を添
加することを特徴とする光記録媒体。 【効果】 異なる二波長領域のレーザーで良好な記録及
び／又は再生が可能な互換性があり、しかも、記録特性
が大幅に向上した光記録媒体を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
複数のレーザー波長に対して記録及び又は再生可能な光
記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンパクトディスク（以下、ＣＤと略
す）規格に対応した追記型光記録媒体としてＣＤ−Ｒ
（ＣＤ−Ｒｅｃｏｒｄａｂｌｅ）が、例えば、OPTICAL
DATA STORAGE 1989, TECHNICAL DIGEST SERIES vol.1 P
45(1989) に開示され、市場に供されている。このＣＤ
−Ｒは図１に示すように透明樹脂基板１上に記録層２、
反射層３、保護層４がこの順で積層されており、該記録
層に高パワーのレーザー光を照射することにより、記録
層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの形で
情報を記録する。形成されたピット部位に低パワーのレ
ーザー光を照射し、反射率の変化を検出することにより
ピットの情報を再生することができる。このような光記
録媒体の記録・再生には一般に波長７７０〜８３０ｎｍ
の近赤外半導体レーザーを用いており、レッドブックや
オレンジブック等のＣＤの規格に準拠しているため、Ｃ
ＤプレーヤーやＣＤ−ＲＯＭプレーヤーと互換性を有す
るという特徴を有する。しかし、上記の従来の光記録媒
体の記録容量は650MB程度であり、デジタル動画の記録
を考慮すると容量が十分ではなく、情報記録媒体に対す
る高密度化・大容量化の要求は高まっている。

【０００３】最近、６２０〜６９０ｎｍから選ばれた波
長の赤色半導体レーザーが開発され、高密度の記録及び
／又は再生が可能になりつつある。この半導体レーザー
を用いて、従来の媒体の５〜８媒の記録容量を有する高
密度記録媒体やこの高密度記録媒体対応のプレーヤーの
開発が行われている。例えば、２時間以上の動画をデジ
タル記録したＤＶＤ（DEGITAL VIDEO DISK) が上市され
た。また、ＹＡＧレーザーの高調波変換による５３０ｎ
ｍ、４２０ｎｍ付近の波長のレーザーが実用化され、さ
らに、４９０、４１０ｎｍ近辺の波長の半導体レーザー
の開発も行われている。しかしながら、このような短波
長のレーザーを用いた高密度光記録媒体及びプレーヤー
が検討・導入されるとしても、波長間での互換性を有す
る光記録媒体でないとソフト及び記録されたデータの継
続性が失われる。現状、市場に供されているＣＤ−Ｒ媒
体は、４００〜４４０、４８０〜５４０、６２０〜６９
０nmから選ばれた波長の光で再生しようとすると反射率
は１０％以下と非常に小さい。又、変調度も小さく、か
つ記録部の反射率が未記録部より大きくなるlow to hig
h記録となり、通常のＣＤ（high to low 記録) とは極
性が逆になり好ましくない。さらに、記録波形に大きな
歪みが観察され、４００〜４４０、４８０〜５４０、６
２０〜６９０nmから選ばれた波長のレーザーを搭載した
高密度対応プレーヤーでは再生が困難であった。

【０００４】特開平３−２９０８３５には記録層とアル
ミ合金からなる反射層との間に低分子有機物からなる干
渉層を設けた媒体が開示されている。該媒体は反射層に
高価な金の代わりにアルミ合金を用いて、７８０nmに於
ける反射率を70％以上得るために干渉層を設けたもので
あり、確かに７８０nmに於ける反射率は70％以上得られ
るものの、４００〜６９０nmから選ばれた波長の光に対
する反射率は小さく高密度媒体対応プレーヤーでは再生
できない。特開平８−９９４６７号公報、特開平８−１
０８６２３号公報などで色素含有記録層と色素含有光干
渉層を積層した光記録媒体が提案されている。しかしな
がら、これらの提案による媒体の記録特性、特に短波長
光での信号品位が必ずしも良好ではなかった。また、記
録特性を向上させるために添加剤を添加した光記録媒体
の例として、特開平７−９８８８７号公報があるが、こ
れはあくまで記録層中に添加剤を添加したものであり、
光干渉層のような記録とは直接関係ない層に添加剤を添
加し、記録特性を向上させているわけではない。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、色素を
含有する記録層と光干渉層を積層した光記録媒体では、
記録時において記録層の分解する際発生する熱等によ
り、意外なことに光干渉層の一部もそれと同時に化学的
もしくは物理的変化を引き起こすため、その熱履歴等に
よりピットのエッジがなまり、良好な信号を得ることが
困難であることを見い出した。本発明の目的は、異なる
二波長のレーザーで良好な記録及び／又は再生可能な光
記録媒体を提供することにある。

【０００６】

【問題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至った。即ち、この問題は以下の発明によって解決さ
れる。本発明は、(1) 基板上に記録層、光干渉層、反射
層及び保護層を有する光記録媒体において、該記録層と
該光干渉層が有機色素を主成分とする層であり、かつ、
該光干渉層に光吸収剤及び／又は熱分解促進剤を添加す
ることを特徴とする光記録媒体、(2) 該光吸収剤が記録
再生レーザー波長λ１で０．０６以上の消衰係数ｋを有
するものであり、該熱分解促進剤が該光干渉層に含まれ
る有機色素よりも低温で分解して大きな分解熱を発生す
るか、もしくは反応活性なラジカルを生成するものであ
る(1) 記載の光記録媒体、(3) 波長λ１のレーザー光を
用いて記録及び／又は再生が可能であり、波長λ₁より
８０ｎｍ以上短波長側の波長λ₂ を用いて記録及び／又
は再生が可能であり、かつ、該記録層の屈折率ｎが波長
λ₁ で１．８以上、λ₂ で１．０以上、消衰係数ｋがλ
₁ で０．０４〜０．２０、λ₂ で０．０４〜０．７であ
り、かつ該光干渉層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．５以
上、λ₂ で１．７以上、消衰係数ｋがλ₁ で０．０２〜
０．１５、λ₂ で０．０４〜０．２５であることを特徴
とする(2) 記載の光記録媒体、

【０００７】(4) 該記録層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．
９〜２．７、λ₂ で１．０〜１．６、消衰係数ｋがλ₁
で０．０４〜０．１６、λ₂ で０．１〜０．７であり、
かつ、該光干渉層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．７〜２．
２、λ₂ で１．８〜２．７、消衰係数ｋがλ₁ で０．０
４〜０．１４、λ₂ で０．０４〜０．１８である(3) に
記載の光記録媒体、(5) 波長λ₁ のレーザー光を用いて
記録及び再生が可能であり、波長λ₂ のレーザー光を用
いて再生が可能である(3) に記載の光記録媒体、(6) レ
ーザー光の波長λ₁ が７７０〜８３０ｎｍの範囲から選
択され、λ₂ が６２０〜６９０ｎｍの範囲から選択さ
れ、かつ、基板を通して測定した波長λ₁ でのレーザー
光の反射率が６５％以上で、かつ、λ₂ でのレーザー光
の反射率が１５％以上である(3) 〜(5) のいずれかに記
載の光記録媒体、(7) レーザー光の波長λ₁ が７７０〜
８３０ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が４８０〜５４０
ｎｍの範囲または４００〜４４０ｎｍの範囲から選択さ
れ、かつ基板を通して測定した波長λ₁ でのレーザー光
の反射率が６５％以上で、かつλ₂でのレーザー光の反
射率が１５％以上である(3) 〜(5) のいずれかに記載の
光記録媒体、(8) 該光干渉層に用いられる有機色素が下
記一般式（１）（化５）で表されるアゾ色素又は該アゾ
色素の金属錯体からなる(6) に記載の光記録媒体、

【０００８】

【化５】 （式中、Ａはそれが結合している窒素原子及び炭素原子
と一緒になって複素環を形成する残基であり、Ｂはそれ
が結合している２つの炭素原子と一緒になって芳香環を
形成する残基であり、Ｘは活性水素を有する基である） (9) 該記録層に用いられる有機色素が下記一般式（２）
（化６）で表されるフタロシアニン色素からなる(6) 〜
(8) のいずれかに記載の光記録媒体、

【０００９】

【化６】 （式中、Ｙ₁ 〜Ｙ₄ は酸素原子又は硫黄原子、Ｚ₁ 〜Ｚ
₄ は４〜１２個の炭素原子を有する無置換又は置換基を
有する炭化水素基、Ｘ₁ 〜Ｘ₄ はハロゲン原子を表し、
ｌ1 〜ｌ4 は１または２、ｍ1 〜ｍ4 は０〜３の整数を
表し、Ｍは２個の水素原子、２価以上の金属、金属の酸
化物またはハロゲン化物を表す）

【００１０】(10)レーザー光の波長λ₁ が６９０〜６２
０ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が４８０〜５４０ｎｍ
の範囲または４００〜４４０ｎｍの範囲から選択され、
かつ基板を通して測定した波長λ₁ でのレーザー光の反
射率が２０％以上で、かつλ₂でのレーザー光の反射率
が１５％以上である(3) 〜(5) のいずれかに記載の光記
録媒体、(11)レーザー光の波長λ₁ が４８０〜５４０ｎ
ｍの範囲から選択され、λ₂ が４００〜４４０ｎｍの範
囲から選択され、かつ基板を通して測定した波長λ₁ で
のレーザー光の反射率が２０％以上で、かつλ₂ でのレ
ーザー光の反射率が１５％以上である(3) 〜(5) のいず
れかに記載の光記録媒体、(12)該光吸収剤が少なくとも
一種の下記一般式（３）（化７）で表されるフタロシア
ニン色素または下記一般式（４）（化８）で表されるナ
フタロシアニン色素であり、該熱分解促進剤がメタロセ
ン化合物であるＦｅ（フェロセン）、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、
Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタ
ジエニル金属錯体、アセチルアセトナート錯体、フェナ
ントロリン錯体、ビスピリジン錯体、エチレンジアミン
錯体、エチレンジアミン四酢酸錯体、ジエチレントリア
ミン錯体、ジエチレングリコールジメチルエーテル錯
体、ジホスフィノ錯体、ジメチルグリオキシマート錯体
などのキレート錯体、もしくは、カルボニル錯体、シア
ノ錯体、アンミン錯体などの金属錯体からなる群から選
択される少なくとも一種である(3) 〜(7) のいずれかに
記載の光記録媒体、に関するものである。

【００１１】

【化７】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ は炭素数３〜１８の直鎖、分岐また
は環状のアルコキシ基を表し、アルコキシ基中の酸素原
子に結合していない−ＣＨ₂ −基は酸素原子で置換され
ていてもよく、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は水素原子またはハロゲン原
子を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属、金属の酸
化物またはハロゲン化物を表す。ただし、Ｒ₁ とＲ₂ 、
Ｒ₃ とＲ₄ は入れ代わってもよい。）

【００１２】

【化８】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＭは前記と同じであり、Ｒ₁
とＲ₂ は入れ代わってもよい。）

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明に従えば、上記のような屈
折率ｎおよび消衰係数ｋを有する異なる有機色素を積層
した記録層と光干渉層として用い、該光干渉層に光吸収
剤及び／又は熱分解促進剤を添加することにより、４０
０〜４４０、４８０〜５４０、６２０〜６９０、７７０
〜８３０ｎｍの中から二つの異なる波長領域から選ばれ
レーザーで記録及び／又は再生可能である光記録媒体に
おいて、記録特性の良好化が実現される。すなわち、そ
の作用は、記録時において、レーザー光で記録層の色素
が分解、燃焼、変形するが、光干渉層として用いた色素
も一部は化学的及び物理的に変化することが我々により
観測されている。このため、光干渉層が中途半端に変化
して、ピットが形成される。

【００１４】しかして、本発明に従って、光干渉層に光
吸収剤及び／又は熱分解促進剤を添加することにより、
それらが発熱もしくは分解することで光干渉層の化学的
及び物理的変化を促進させる。それにより記録層と光干
渉層とが一気にピット形成することにより記録特性が向
上することができると推定されるのである。

【００１５】なお本発明でいう記録及び／又は再生可能
とは、その波長で記録及び再生が可能、記録のみ可能、
及び他の波長で記録したものの再生のみ可能の三つの場
合を意味するものである。

【００１６】本発明の具体的構成について以下に詳細に
説明する。本発明において光記録媒体とは、予め情報を
記録されている再生専用の光再生専用媒体及び情報を記
録して再生することのできる光記録媒体の両方を示すも
のである。但し、ここでは適例として後者の情報を記録
して再生のできる光記録媒体、特に基板上に記録層、光
干渉層、反射層及び保護層をこの順で形成した光記録媒
体及び反射層面に基板を貼りあわせた光記録媒体に関し
て説明する。これらの光記録媒体は（図２）に示すよう
に、基板１’上に記録層２’、光干渉層３’が形成され
ており、その上に密着して反射層４’が設けられてお
り、さらにその上に保護層５’が反射層４’を覆ってい
る。ただし、記録層２’と光干渉層３’の積層順序は逆
転してもかまわない。また、（図３）に示すように、基
板１”上に記録層２”、光干渉層３”が形成されてお
り、その上に密着して反射層４”が設けられており、さ
らにその上に接着層５”を介して基板６”が貼り合わさ
っている。ただし、記録層２”と光干渉層３”の積層順
序は逆転してもかまわない。基板の材質としては、基本
的には記録光及び再生光の波長で透明であればよい。例
えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリメ
タクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリスチレン樹
脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス等の無機材料
が利用される。これらの基板材料は射出成形法等により
円盤状に基板に成形される。必要に応じて、基板表面に
溝を形成することもある。

【００１７】本発明に用いる記録層に含有させる有機色
素としては、長波長側のレーザー波長（λ₁ ）が７７０
〜８３０ｎｍの場合は、極大吸収波長（λ_max ）が７０
０ｎｍ付近に存在し、７７０〜８３０ｎｍでの屈折率が
大きく、吸光度が比較的小さいものである。具体例とし
て、ペンタメチンシアニン系色素、ヘプタメチンシアニ
ン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ系色素、アント
ラキノン系色素、ナフトキノン系色素、インドフェノー
ル系色素、フタロシアニン系色素、ピリリウム系色素、
チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリフェ
ニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンスレン
系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メロシ
アニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色素、オ
キサジン系色素、ジチオール金属錯体系色素などがある
が、好ましくはフタロシアニン系色素、アゾ系色素、シ
アニン系色素、アズレニウム系色素であり、耐光性や耐
久性の点からフタロシアニン系色素が特に好ましい。さ
らに、変調度や再生波形の歪、エラーレート、ジッタ
ー、デビエーション等の記録特性の点からは下記一般式
（２）（化９）で示されるフタロシアニン色素が最も好
ましい。なお記録層は、複数の色素を含有していてもよ
い。

【００１８】

【化９】 （式中、Ｙ₁ 〜Ｙ₄ は酸素原子又は硫黄原子、Ｚ₁ 〜Ｚ
₄ は４〜１２個の炭素原子を有する無置換又は置換基を
有する炭化水素基、Ｘ₁ 〜Ｘ₄ はハロゲン原子を表し、
ｌ1 〜ｌ4 は１又は２、ｍ1 〜ｍ4 は０〜３の整数を表
し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属、金属の酸化物ま
たはハロゲン化物を表す。）

【００１９】一般式（２）で表されるフタロシアニン色
素に於けるＭの具体例としては、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｍ
ｇ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｃｄ等の２価の金属、ＶＯ等の金属酸
化物やＡｌＣｌ等の金属のハロゲン化物等が挙げられ
る。一方、Ｚ₁ 、Ｚ₂ 、Ｚ₃ 、Ｚ₄ は、炭素数が４〜１
２の無置換又は置換基を有する炭化水素基であるが、具
体的には、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチ
ル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ドデシル基、
シクロヘキシル基、ジメチルシクロヘキシル基等の飽和
炭化水素基や、ブテニル基、ヘキセニル基、オクテニル
基、ドデセニル基、フェニル基、メチルフェニル基、ブ
チルフェニル基、ヘキシルフェニル基等の不飽和炭化水
素基等が挙げられる。これらの炭化水素基は直鎖状でも
分枝状であっても良い。又、これらの炭化水素基はハロ
ゲン、アミノ基、エーテル基等で置換されていても良
い。アミノ基やエーテル基で置換されている場合でも置
換基中の全ての炭素原子数は４〜１２個である。又、Ｘ
₁ 、Ｘ₂ 、Ｘ₃ 、Ｘ₄ で表されるハロゲンとしてはフッ
素、塩素、臭素、沃素等が挙げられる。

【００２０】フタロシアニンを構成するベンゼン環に結
合している前記したＸ₁ 〜Ｘ₄ の置換基及びＹ₁ 〜Ｙ₄
の置換基の置換位置は特に限定するものではなく、又置
換基の種類及び数は一分子中の４つのベンゼン環で異な
っていても良い。好ましいフタロシアニン色素の具体例
としては、例えば特開平3-62878 、特開平3-141582、特
開平3-215466に記載されている以下のような色素（化１
０〜化１３）が挙げられる。

【００２１】

【化１０】

【００２２】

【化１１】

【００２３】

【化１２】

【００２４】

【化１３】

【００２５】λ₁ のレーザー波長が６２０〜６９０ｎｍ
の場合は、λmax が５８０ｎｍ付近に存在し、６２０〜
６９０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が小さいもので
ある。具体例として、トリメチンシアニン系色素、スク
アリリウム系色素、アゾ系色素、アントラキノン系色
素、インドフェノール系色素、ピリリウム系色素、アズ
レニウム系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテ
ン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、メ
ロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色
素、オキサジン系色素、ポルフィン系色素、アザポルフ
ィン系色素、ピロメテン系色素などがあるが、好ましく
はトリメチンシアニン系色素、ポルフィン系色素、アザ
ポルフィン系色素、ピロメテン系色素、アゾ系色素であ
り、複数の色素を含有していてもよい。

【００２６】λ₁ のレーザー波長が４８０〜５４０ｎｍ
の場合は、λ_max が４４０ｎｍ付近に存在し、４８０〜
５４０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が比較的小さい
ものである。具体例として、スピロ系色素、フェロセン
系色素、フルオレイン系色素、フルギド系色素、イミダ
ゾール系色素、チアゾール系色素、ペリレン系色素、フ
ェナジン系色素、フェノチアジン系色素、ポリエン系色
素、インドール系色素、アニリン系色素、アゾ系色素、
キノン系色素、シアニン系色素、アクリジン系色素、ア
クリジノン系色素、キノフタロン系色素、フェノキサジ
ン系色素、ジフェニルアミン系色素、クマリン系色素、
カルボスチリル系色素、ポルフィン系色素、スクアリリ
ウム系色素、オキサジン系色素、ピロメテン系色素など
があるが、好ましくは、ポルフィン系色素、キノフタロ
ン系色素、キノン系色素、ピロメテン系色素、アゾ系色
素であり、複数の色素を含有していてもよい。

【００２７】本発明において光干渉層に含有させる有機
色素としては、短波長側のレーザー波長（λ₂ ）が６２
０〜６９０ｎｍの場合、λ_max が５８０ｎｍ付近に存在
し、６２０〜８３０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が
小さいものである。具体的には、シアニン系色素、スク
アリリウム系色素、アゾ系色素、ナフトキノン系色素、
アントラキノン系色素、ポルフィリン系色素、テトラア
ザポルフィン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系
色素、ピロメテン系色素などがあるが、好ましくはアゾ
系色素、ポルフィン系色素、シアニン系色素、ピロメテ
ン系色素であり、成膜の容易さや耐久性の点からアゾ色
素が好ましい。さらに、記録特性の点から下記一般式
（１）（化１４）で表されるアゾ色素又は該アゾ色素の
金属錯体が最も好ましい。なお、光干渉層は、複数の色
素を含有していてもよい。

【００２８】

【化１４】 （式中、Ａは、それが結合している窒素原子及び炭素原
子と一緒になって複素環を形成する残基であり、Ｂはそ
れが結合している二つの炭素原子と一緒になって芳香環
を形成する残基である。又、Ｘは活性水素を有する基で
ある。） 具体的には、一般式（１）で表されるアゾ色素に於い
て、Ａで表される複素環を形成する残基は、例えばチア
ゾール環、ベンゾチアゾール環、ピリドベンゾチアゾー
ル環、ベンゾピリドチアゾール環、ピリドチアゾール
環、ピリジン環、キノリン環、チアジアゾール環、イミ
ダゾール環等が挙げられる。好ましくは、ピリジン環又
はチアジアゾール環である。

【００２９】これらの複素環は、一つ以上の置換基を有
することが好ましく、置換基の具体例としては、アルキ
ル基、ハロゲン化アルキル基、アリール基、アルコキシ
基、ハロゲン化アルコキシ基、アリールオキシ基、アル
キルチオ基、ハロゲン化アルキルチオ基、アリールチオ
基、アラルキル基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、エステル基、カルバモイル基、アシル基、アシルア
ミノ基、スルファモイル基、スルホンアミド基、アミノ
基、ヒドロキシル基、フェニルアゾ基、ピリジノアゾ
基、ビニル基等が挙げられ、これらの置換基は更に置換
基を有していても良い。複素環上の置換基の中で好まし
い置換基は、置換基を有していても良い炭素数１〜15の
アルキル基、置換基を有していても良い炭素数１〜15の
フロロアルキル基、置換基を有していても良い炭素数１
〜25のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ
基、置換基を有していても良い炭素数１〜15のアルキル
チオ基、置換基を有していても良い炭素数１〜15のフロ
ロアルキルチオ基、置換基を有していても良い炭素数１
〜15アルキルスルファモイル基、置換基を有していても
良い炭素数６〜20のフェニルスルファモイル基、置換基
を有していても良いフェニルアゾ基、置換基を有してい
ても良いピリジノアゾ基、炭素数２〜16のエステル基、
炭素数２〜16のカルバモイル基、炭素数２〜16のアシル
基、炭素数２〜15のアシルアミノ基、炭素数１〜15のス
ルホンアミド基、−ＮＲ₅ Ｒ₆ （Ｒ₅ 及びＲ₆ はそれぞ
れ独立に水素原子、置換基を有していても良い炭素数１
〜15のアルキル基、又は置換基を有していても良いフェ
ニル基を表し、Ｒ₅ 及びＲ₆ は一緒になって５員環又は
６員環を形成していても良い）、ヒドロキシル基、−Ｃ
Ｒ₇＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ₈ （Ｒ₇ は水素原子又は炭素数１〜
６のアルキル基を表し、Ｒ₈はシアノ基又は炭素数２〜
７のアルコキシカルボニル基を表す）等が挙げられる。
なお、上記全てのアルキル基部位はスルホン化、ニトロ
化、シアノ化、ハロゲン化、アセチル化、又はヒドロキ
シル化されていても良い。

【００３０】一般式（１）のＢで表される芳香環を形成
する残基の例としては、ベンゼン環、ナフタレン環、ピ
リドン環、ピリジン環、ピラゾール環等が挙げられる。
好ましくはベンゼン環であり、少なくとも一つの電子供
与性基で置換されているものが特に好ましい。かかる置
換基としては、アルキル基、ハロゲン化アルキル基、ア
リール基、アルコキシ基、ハロゲン化アルコキシ基、ア
リールオキシ基、アルキルチオ基、ハロゲン化アルキル
チオ基、アリールチオ基、アラルキル基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、エステル基、カルバモイル
基、アシル基、アシルアミノ基、スルファモイル基、ス
ルホンアミド基、アミノ基、ヒドロキシル基、フェニル
アゾ基、ピリジノアゾ基、ビニル基等が挙げられ、これ
らの置換基は更に置換基を有していても良い。芳香環上
の置換基の中で好ましい置換基は、置換基を有していて
も良い炭素数１〜15のアルキル基、置換基を有していて
も良い炭素数１〜15のフロロアルキル基、置換基を有し
ていても良い炭素数１〜25のアルコキシ基、ハロゲン原
子、シアノ基、ニトロ基、置換基を有していても良い炭
素数１〜15のアルキルチオ基、置換基を有していても良
い炭素数１〜15のフロロアルキルチオ基、置換基を有し
ていても良い炭素数１〜15のアルキルスルファモイル
基、置換基を有していても良い炭素数６〜20のフェニル
スルファモイル基、置換基を有していても良いフェニル
アゾ基、置換基を有していても良いピリジノアゾ基、炭
素数２〜16のエステル基、炭素数２〜16のカルバモイル
基、炭素数２〜16のアシル基、炭素数１〜15のアシルア
ミノ基、炭素数１〜15のスルホンアミド基、−ＮＲ₅ Ｒ
₆ （Ｒ₅ 及びＲ₆ は前記と同じ）、ヒドロキシル基、−
ＣＲ₇＝Ｃ（ＣＮ）Ｒ₈ （Ｒ₇ 及びＲ₈ は前記と同じ）
等が挙げられる。特に好ましい電子供与性基としては、
置換基を有していても良い炭素数１〜８のモノアルキル
アミノ基、置換基を有していても良い炭素数２〜８のジ
アルキルアミノ基、置換基を有していても良い炭素数１
〜８のアルコキシ基、置換基を有していても良い炭素数
１〜８のアルキル基、置換基を有していても良い炭素数
６〜１２のアリールオキシ基、置換基を有していても良
い炭素数７〜１２のアラルキル基、カルバモイル基、ア
ミノ基、水酸基等が挙げられる。なお、上記全ての置換
基のアルキル基部位はスルホン化、ニトロ化、シアノ
化、ハロゲン化、アセチル化、又はヒドロキシル化され
ていても良い。

【００３１】一般式（１）のＸとしては活性水素を有す
る基であれば特に制限はないが、好ましいものとして
は、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃ Ｈ、−Ｂ（Ｏ
Ｈ）₂ 、−ＮＨＳＯ₂ Ｒ₉ （Ｒ₉ は水素原子、置換基を
有していても良い炭素数１〜25のアルキル基又は置換基
を有していても良いフェニル基を表す）、−ＣＯＮ
Ｈ₂ 、−ＳＯ₂ ＮＨ₂ 、−ＮＨ₂ 等が挙げられ、特に好
ましいものとしては−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃ Ｈ、
−ＮＨＳＯ₂ Ｒ₉ （Ｒ₉ は前記と同じ）が挙げられる。
なお、Ｘが−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ₃ Ｈ等のように
陰イオンに解離しうる基である場合には、アゾ金属錯体
化合物の形成に際してはこのままの形で用いてもよい
が、陽イオンとの塩の形で用いても良い。かかる陽イオ
ンとしては、Ｎａ⁺ 、Ｌｉ⁺ 、Ｋ⁺ 等の無機系の陽イオ
ンやＰ⁺ （Ｃ₆ Ｈ₅ ）₄ 、Ｎ⁺ （Ｃ₂ Ｈ₅ ）₄ 、Ｎ
⁺ （Ｃ₄ Ｈ₉ ）₄ 、Ｃ₆ Ｈ₅ Ｎ⁺ （ＣＨ₃ ）₃ 等の有機
系陽イオンが挙げられる。

【００３２】本発明に於いては、前記アゾ色素は金属の
錯体として用いられる。アゾ色素と錯体を形成する能力
を有する金属としては、例えば、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｒ
ｕ、Ｒｈ，Ｐｄ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ
等の遷移金属が好ましく、特に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｐ
ｄ、Ｍｎ、Ｚｎが好ましい。これらは製造時に酢酸塩、
ハロゲン化物、ＢＦ₄ ^- 塩等の形で用いられ、Ｎｉ²⁺、
Ｃｏ²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｐｄ²⁺、Ｍｎ²⁺、Ｚｎ²⁺等と
してアゾ色素に配位した錯体として得られる。このアゾ
金属錯体化合物は、単独でも複数の化合物を混合しても
良い。

【００３３】本発明に用いられるアゾ色素の金属錯体
は、例えば古川；Analytica ChimicaActa 140(1982) 28
1-289に記載の方法に準じて合成することが出来る。本
発明に用いられるアゾ色素の金属錯体の好ましい具体例
としては、以下のアゾ化合物（化１５）とＮｉ²⁺、Ｃｏ
²⁺、Ｃｏ³⁺、Ｃｕ²⁺、Ｐｄ²⁺、Ｍｎ²⁺、Ｚｎ²⁺等の錯体
が挙げられる。さらには、特公平5-67438 や国際出願特
許WO91/18950の表１〜９に記載の化合物等が挙げられ
る。

【００３４】

【化１５】

【００３５】λ₂ のレーザー波長が４８０〜５４０ｎｍ
の場合、λ_max が４４０ｎｍ付近に存在し、４８０〜５
４０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものであ
る。具体的には、スピロ系色素、フェロセン系色素、フ
ルオレン系色素、フルギド系色素、イミダゾール系色
素、チアゾール系色素、ペリレン系色素、フェナジン系
色素、フェノチアジン系色素、ポリエン系色素、インド
ール系色素、アニリン系色素、アゾ系色素、キノン系色
素、シアニン系色素、アクリジン系色素、アクリジノン
系色素、キノフタロン系色素、フェノキサジン系色素、
ジフェニルアミン系色素、クマリン系色素、カルボスチ
リル系色素、ポルフィン系色素、オキサジン系色素、ピ
ロメテン系色素などがあるが、好ましくは、ポルフィン
系色素、キノフタロン系色素、キノン系色素、ピロメテ
ン系色素、シアニン系色素、アゾ系色素であり、複数の
色素を含有していてもよい。

【００３６】λ₂ のレーザー波長が４００〜４４０ｎｍ
の場合、λ_max が３５０ｎｍ付近に存在し、４００〜４
４０ｎｍでの屈折率が大きく、吸光度が小さいものであ
る。具体的には、スピロ系色素、スチルベン系色素、フ
ルオレイン系色素、イミダゾール系色素、ペリレン系色
素、フェナジン系色素、フェノチアジン系色素、ポリエ
ン系色素、キノン系色素、シアニン系色素、アクリジン
系色素、アクリジノン系色素、クマリン系色素、カルボ
スチリル系色素、ポルフィン系色素、スクアリリウム系
色素などがあるが、好ましくは、ポリエン系色素、スチ
ルベン系色素、キノン系色素であり、複数の色素を含有
していてもよい。

【００３７】本発明において光干渉層に添加する光吸収
剤は、長波長側のレーザー波長（λ₁ ）における消衰係
数が０．０６以上、短波長側のレーザー波長（λ₂ ）で
は消衰係数が０．６以下であり、かつ光吸収後に発熱も
しくは分解熱が発生すれば、特に制限はない。

【００３８】光吸収剤の具体的な例として、波長６２０
〜６９０及び７７０〜８３０ｎｍで記録する場合はシア
ニン系色素、スクアリリウム系色素、アゾ系色素、アン
トラキノン系色素、ナフトキノン系色素、インドフェノ
ール系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン
系色素、テトラアザポルフィン系色素、ピリリウム系色
素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、トリ
フェニルメタン系色素、キサンテン系色素、インダンス
レン系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、メ
ロシアニン系色素、チアジン系色素、アクリジン系色
素、オキサジン系色素、ジチオール金属錯体系色素など
がある。λ₁ のレーザー光が７７０〜８３０ｎｍから選
ばれる場合、好ましくはフタロシアニン系色素、ナフタ
ロシアニン系色素であり、特に下記一般式（３）（化１
６） の構造を有するフタロシアニン色素又は下記一般
式（４）（化１７）で表されるナフタロシアニン色素が
最も好ましく、その例を表−１（表１ ）に示す。な
お、色素は複数混合していてもよい。また、これらの光
吸収剤を記録層に添加することは何ら排除するものでは
ない。

【００３９】

【化１６】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ は炭素数３〜１８の直鎖、分岐また
は環状のアルコキシ基を表し、アルコキシ基中の酸素原
子に結合していない−ＣＨ₂ −基は酸素原子で置換され
ていてもよく、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は水素原子またはハロゲン原
子を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属、金属の酸
化物またはハロゲン化物を表す。ただし、Ｒ₁ とＲ₂ 、
Ｒ₃ とＲ₄ は入れ代わってもよい。）

【００４０】

【化１７】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＭは前記と同じであり、Ｒ₁
とＲ₂ は入れ代わってもよい。）なお、表中のＰｈはフ
タロシアニン、Ｎｐｈはナフタロシアニンを表し、Ａ〜
Ｄは下記の基（化１８）を表す。

【００４１】

【表１】

【００４２】

【化１８】

【００４３】波長４００〜４４０及び４８０〜５４０ｎ
ｍで記録する場合はスピロ系色素、フェロセン系色素、
フルオレイン系色素、フルギド系色素、イミダゾール系
色素、チアゾール系色素、ペリレン系色素、フェナジン
系色素、フェノチアジン系色素、ポリエン系色素、イン
ドール系色素、アニリン系色素、アゾ系色素、キノン系
色素、シアニン系色素、アクリジン系色素、アクリジノ
ン系色素、キノフタロン系色素、フェノキサジン系色
素、ジフェニルアミン系色素、クマリン系色素、カルボ
スチリル系色素、ポルフィン系色素などがあり、複数の
色素を添加してもよい。また、これらの光吸収剤を記録
層に添加することは何ら排除するものではない。なお、
光干渉層に用いる有機色素と光吸収剤の混合比は、一般
には重量比で１〜１０：１程度の範囲である。ただし、
添加量があまり少なすぎる場合にはその効果が現れず、
逆にあまり多すぎる場合には、光干渉層本来の役割を損
なう恐れがあるため、混合比は好ましくは重量比で３〜
７：１である。

【００４４】また、本発明における熱分解促進剤は、光
干渉層よりも低温で分解し、大きな分解熱が発生する、
もしくは反応活性なラジカルが生成するものであること
が好ましい。熱分解促進剤の例としては、金属系アンチ
ノッキング剤である四エチル鉛、四メチル鉛などの鉛系
化合物やシマントレン〔Ｍｎ（Ｃ₅ Ｈ₅)（ＣＯ)₃〕など
のＭｎ系化合物、また、メタロセン化合物であるＦｅ
（フェロセン）、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏｓ、Ｉ
ｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル金属錯体
を挙げられる。中でもフェロセン、ルテノセン、オスモ
セン、ニッケロセン、チタノセン及びそれらの誘導体は
良好な熱分解促進効果がある。メタロセンの他にギ酸金
属化合物、シュウ酸金属化合物、ラウリル酸金属化合
物、ナフテン酸金属化合物、ステアリン酸金属化合物、
酪酸金属化合物などの有機酸金属化合物、アセチルアセ
トナート錯体、フェナントロリン錯体、ビスピリジン錯
体、エチレンジアミン錯体、エチレンジアミン四酢酸錯
体、ジエチレントリアミン錯体、ジエチレングリコール
ジメチルエーテル錯体、ジホスフィノ錯体、ジメチルグ
リオキシマート錯体などのキレート錯体、カルボニル錯
体、シアノ錯体、アンミン錯体などの金属錯体、ハロゲ
ン化金属化合物、あるいは、硝酸金属化合物、硫酸金属
化合物などの無機金属塩類、さらには、酸化金属化合物
などが挙げられる。ここで用いる金属化合物は有機溶剤
に可溶で、且つ、耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望
ましい。特にアセチルアセトナート錯体やカルボニル錯
体などは良好な溶解性が得られるという点で非常に好ま
しい。また、金属は好ましくは鉄、コバルト、クロムで
ある。上記熱分解促進剤の中では、メタロセン等の有機
金属錯体が特に好ましくその他ニトロセルロースも使用
可能である。以上の熱分解促進剤は必要に応じて置換基
を導入したり、複数混合したり、バインダー等の添加物
質を加えてもよい。また、これらの熱分解促進剤を記録
層に添加することは何ら排除するものではない。

【００４５】なお、光干渉層に用いる有機色素と熱分解
促進剤との混合比は、一般にはモル比で１：０．１〜１
０の範囲である。ただし、添加量があまり少なすぎる場
合にはその効果が現れず、逆にあまり多すぎる場合に
は、光干渉層本来の役割を損なう恐れがあるため、混合
比は好ましくはモル比で１：０．５〜１．５である。

【００４６】また、記録層、光干渉層を作製する際に
は、ビスシクロペンタジエニル金属錯体等のメタロセン
化合物、エチルセルロース、アクリル樹脂、ポリスチレ
ン樹脂、ウレタン樹脂等の樹脂やレベリング剤、消泡剤
等の添加剤を本発明の効果を損なわない程度に於いて併
用することができる。さらに、必要に応じて、消光剤や
紫外線吸収剤等の添加剤を混合あるいは置換基として導
入することも可能である。これらの記録層、光干渉層で
使用する有機色素の含有量は、３０％以上、好ましくは
６０％以上である。

【００４７】本発明において光学定数は複素屈折率（ｎ
＋ｋi ）で表現される。式中のｎ、ｋは実数部と虚数部
に相当する係数である。ここではｎを屈折率、ｋを消衰
係数とする。一般に有機色素は、波長λに対し、屈折率
ｎと消衰係数ｋが大きく変化する特徴がある。この特徴
を利用して各レーザー波長において好ましい光学定数を
有する有機色素を用いて光干渉層を成膜する。これによ
り、各レーザー波長において、高い反射率を得ることが
できる。

【００４８】有機色素の特性を考慮した場合、記録層の
光学定数は、波長λ₁ において、ｎが１．８以上、好ま
しくは１．９〜２．７で、且つ、ｋが０．０４〜０．２
０、好ましくは０．０４〜０．１６である。λ₂ におい
ては、ｎが１．０以上、好ましくは１．０〜１．６で、
且つ、ｋが０．０４〜０．７、好ましくは０．１〜０．
７を満足することが好ましく、光干渉層の光学定数は、
波長λ₁ において、ｎがが１．５以上、好ましくは１．
７〜２．２で、且つ、ｋが０．０２〜０．１５、好まし
くは０．０４〜０．１４である。λ₂ においては、ｎが
１．７以上、好ましくは１．８〜２．７で、且つ、ｋが
０．０４〜０．２５、好ましくは０．０４〜０．１８を
満足することが好ましく、さらには、記録層と光干渉層
の波長λ₁ における屈折率及び消衰係数の平均がそれぞ
れ１．８〜２．４、０．０４〜０．１６、λ₂ における
屈折率及び消衰係数の平均がそれぞれ１．５〜２．１、
０．０８〜０．３であることが好ましい。なお、ここで
用いている光干渉層は各レーザー波長で反射率を向上さ
せることが主な役割である。

【００４９】次に本発明の製造方法に関して説明する。
上記の化合物または色素はスピンコート法やキャスト法
等の塗布法やスパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等に
よって基板上に厚さ３０〜３００ｎｍ、好ましくは厚さ
５０〜１５０ｎｍの層を形成させ記録層や光干渉層とす
る。記録層の膜厚を３０ｎｍより薄くすると、熱拡散が
大きいため記録出来ないか、または記録信号に歪が発生
する上、信号振幅が小さくなりＣＤ規格を満足しなくな
る。また、膜厚が３００ｎｍより厚い場合は反射率が低
下し、再生信号特性が悪化する。一方、光干渉層の膜厚
を３０ｎｍよりあまり薄くすると、光エンハンス効果が
小さくなり反射率向上効果が得られない。さらに、光干
渉層の厚さは下記の式を満足し、各レーザー波長に対し
て反射率が高くなる値に合わすことが好ましい。

【００５０】０．６ｘλ／４ｎ＜ｄ＜１．５ｘλ／４ｎ （ただし、λはレーザー波長、ｎは光干渉層の屈折率、
ｄは光干渉層の膜厚） 塗布法においては色素を溶解あるいは分散させた塗布溶
媒を用いるが、この溶媒は基板にダメージを与えないも
のを選ぶことが好ましい。例えば、メチルアルコール、
エチルアルコール、プロピルアルコール、ブチルアルコ
ール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、メチ
ルセロソルブ、エチルセロソルブ、テトラフルオロプロ
パノール等のアルコール系溶媒；ヘキサン、ヘプタン、
オクタン、デカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキ
サン、プロピルシクロヘキサン等の脂肪族又は脂環式炭
化水素系溶媒；トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香
族炭化水素系溶媒；四塩化炭素、クロロホルム等のハロ
ゲン化炭化水素系溶媒；ジエチルエーテル、ジブチルエ
ーテル、ジイソプロピルエーテル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン等のエーテル系溶媒；アセトン等のケトン
系溶媒；酢酸エチル等のエステル系溶媒；水などが１種
あるいは複数混合して用いられる。

【００５１】また、記録層に使用する有機色素と光干渉
層に使用する有機色素は各々異なる極性の溶媒に溶解
し、もう一方の溶媒には溶解せず、２層目の色素層を塗
布する際には一層目の層に障害を与えないようにするこ
とが好ましい。例えば、一方の色素層に使用する色素
は、極性の高い溶媒である、アルコール系溶媒、水等に
溶解し、もう一方の色素層に使用する色素は、極性の低
い溶媒、例えば、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒、芳
香族炭化水素系溶媒、四塩化炭素やエーテル系溶媒に溶
解して塗布する。なお、樹脂性基板への障害、あるいは
多層膜の影響を減少させるためには、各色素層塗布成膜
のための溶媒は、脂肪族又は脂環式炭化水素系溶媒およ
びこれらと他溶媒の混合溶媒と、アルコール系溶媒およ
びこれらと他溶媒の混合溶媒であり、それぞれに可溶な
色素の組み合わせが特に望ましい。

【００５２】なお、有機色素の塗布溶媒への溶解性の改
良は、色素分子内に適当な置換基を導入することで可能
になる。例えば、極性の低い溶媒に溶解しやすくするに
は、次のような置換基、例えばアルキル基、アルケニル
基、アルコキシ基、アルキルアリル基、アルキルカルボ
ニル基、アルコキシカルボニル基、アルキルアミノ基、
アルキルイミノ基、アルキルカルボキシアミド基、アル
カノイルイミノ基、アルキルスルファニル基、アルキル
スルフェニル基、アルキルスルフォンアミド基等の導入
を行えばよい。一方、極性の高い溶媒に溶解しやすくす
るには、次のような置換基、例えば末端がアミノ基、カ
ルボキシル基、カルバモイル基、メルカプト基、メルカ
プトアミノ基、スルファモイル基、スルホン酸基、スル
ホンアミノ基等の導入を行えばよい。なお記録層は色素
を高分子薄膜などに分散して用いたりすることもでき
る。また、基板にダメージを与えない溶媒を選択できな
い場合はスパッタ法、化学蒸着法や真空蒸着法などが有
効である。光吸収剤や熱分解促進剤は光干渉層用色素を
塗布する際に用いられる溶媒に溶解することが必要であ
る。

【００５３】次に記録層又は光干渉層の上に厚さ５０〜
３００ｎｍ、好ましくは１００〜１５０ｎｍの反射層を
形成する。反射層の材料としては、再生光の波長で反射
率の十分高いもの、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＰｄの金属を単独あ
るいは合金にして用いることが可能である。このなかで
もＡｕ、Ａｌ、Ａｇは反射率が高く反射層の材料として
適している。これ以外でも下記のものを含んでいてもよ
い。例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、
Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇ
ａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ
などの金属及び半金属を挙げることができる。また、Ａ
ｕを主成分としているものは反射率の高い反射層が容易
に得られるため好適である。ここで主成分というのは含
有率が５０％以上のものをいう。なお、金属以外の材料
で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重ねて多層
膜を形成し、反射層として用いることも可能である。

【００５４】反射層を形成する方法としては、例えば、
スパッタ法、イオンプレーテイング法、化学蒸着法、真
空蒸着法等が挙げられる。また、反射率を高めるためや
密着性をよくするために記録層と反射層の間にそれぞれ
反射増幅層や接着層を設けることもできる。さらに、反
射層の上に保護層を形成する。保護層の材料としては反
射層を外力から保護するものであれば特に限定しない。
有機物質としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、電子
線硬化性樹脂、ＵＶ硬化性樹脂等を挙げることができ
る。又、無機物質としては、ＳｉＯ₂ 、Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、Ｍ
ｇＦ₂ 、ＳｎＯ₂ 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬
化性樹脂などは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、
乾燥することによって形成することができる。ＵＶ硬化
性樹脂は、そのままもしくは適当な溶剤に溶解して塗布
液を調製した後にこの塗布液を塗布し、ＵＶ光を照射し
て硬化させることによって形成することができる。ＵＶ
硬化性樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、
エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレートなど
のアクリレート樹脂を用いることができる。これらの材
料は単独であるいは混合して用いても良いし、１層だけ
でなく多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。

【００５５】保護層の形成の方法としては、記録層と同
様にスピンコート法やキャスト法などの塗布法やスパッ
タ法や化学蒸着法等の方法が用いられるが、このなかで
もスピンコート法が好ましい。保護層の膜厚は、一般に
は０．１〜１００μｍの範囲であるが、本発明において
は、３〜３０μｍであり、好ましくは５〜２０μｍがよ
り好ましい。保護層の上に更にレーベル等の印刷を行う
こともできる。また、反射層面に保護シートまたは基板
を貼り合わせる、あるいは反射層面相互を内側とし対向
させ光記録媒体２枚を貼り合わせる等の手段を用いても
よい。

【００５６】本発明において使用するレーザーは、４０
０〜４４０、４８０〜５４０、６２０〜６９０、７７０
〜８３０ｎｍの波長のレーザーであれば何でも良い。例
えば、可視領域の広範囲で波長選択の可能な色素レーザ
ーや波長５３２ｎｍのＹＡＧ高調波変換レーザー、波長
４３０ｎｍ、４２５ｎｍの高調波変換レーザー、波長６
３３ｎｍのヘリウムネオンレーザー、波長６３５ｎｍ、
６５０ｎｍ、６８０ｎｍの赤外半導体レーザー、波長７
７０〜８３０ｎｍの近赤外半導体レーザーなどがある
が、装置に搭載することを考慮すると半導体レーザーが
好適である。

【００５７】

【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れによりなんら限定されるものではない。 〔実施例１〕下記式（５）（化１９）で示されるフタロ
シアニン化合物０．２５ｇをジメチルシクロヘキサン１
０ｍｌに溶解した色素溶液１を調整する。基板は、ポリ
カーボネート樹脂製で連続した案内溝（トラックピッ
チ：１．６μｍ）を有する直径１２０ｍｍφ、厚さ１．
２ｍｍの円盤状のものを用いた。この基板の上に、回転
数１６００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃、２時間乾
燥して、８０ｎｍの記録層を形成した。この記録層の光
学定数は、７８０ｎｍでｎが２．２、ｋは０．０８であ
り、６８０ｎｍではｎが１．２、ｋは０．５０であり、
６５０ｎｍではｎが１．２、ｋは０．５１であり、６３
５ｎｍではｎが１．１、ｋは０．３４である。さらに、
下記式（６）（化１９）に示されるアゾ化合物０．２ｇ
と表１中の化合物５を光吸収剤として重量比で５：１と
なるように混合し、2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プロパ
ノール１０ｍｌに溶解し、色素溶液２を調製する。この
色素溶液２を、記録層の上に回転数１５００ｒｐｍでス
ピンコートし、７０℃２時間乾燥して、８０ｎｍの光干
渉層を形成した。この光干渉層の光学定数は、７８０ｎ
ｍでｎが２．０、ｋは０．０９であり、６８０ｎｍでは
ｎが２．１、ｋは０．０９であり、６５０ｎｍではｎが
２．２、ｋは０．０８であり、６３５ｎｍではｎが２．
３、ｋは０．１１である。なお、化合物５の７８０ｎｍ
でのｋは０．２０であった。

【００５８】

【化１９】

【００５９】この光干渉層の上にバルザース社製スパッ
タ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｕをスパッタし、
厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガスに
は、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッタ
パワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔｏ
ｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂ＳＤ
−１７（大日本インキ化学工業製）をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ６μｍの保護層を形成し、光記
録媒体を作製した。この光記録媒体を７８０ｎｍ半導体
レーザーヘッドを搭載したソニー製ライター（ＣＤＵ−
９２１Ｓ）を用いて、線速度２．４ｍ／ｓ、最適レーザ
ーパワーでＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプ
レーヤー（ＹＡＭＡＨＡ ＣＤＸ−１０５０、レーザー
波長７８６ｎｍ）を用いて信号を再生し、反射率、エラ
ーレート及び変調度を測定した。いずれもオレンジブッ
ク規格を満足した良好な値を示した。次にこの記録した
媒体を６８０ｎｍ、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導
体レーザーヘッドを搭載したパルステック工業製光ディ
スク評価装置（ＤＤＵ−１０００）を用いて信号を再生
し、反射率、ジッター、エラーレート及び変調度を測定
した。いずれも良好な値を示した。このように、この媒
体は複数のレーザー波長で記録及び再生を良好に行うこ
とが出来た。なお、エラーレート及びジッターは、ケン
ウッド社製ＣＤデコーダー（ＤＲ３５５２）及びＡＤＣ
社製ＴＩＡ−１７５タイムインターバルアナライザを用
いて計測し、変調度は以下の式により求めた。 変調度＝｛（信号の最大強度）−（信号の最小強度）｝
／（信号の最大強度）

【００６０】〔実施例２〕実施例１において、光吸収剤
として表−１中の化合物３を用いること以外は、同様に
して光記録媒体を作製した。光干渉層の光学定数は、７
８０ｎｍでｎが２．０、ｋは０．０６であり、６８０ｎ
ｍではｎが２．１、ｋは０．０９であり、６５０ｎｍで
はｎが２．２、ｋは０．１１であり、６３５ｎｍではｎ
が２．３、ｋは０．１２であった。なお、化合物３の７
８０ｎｍでのｋは０．１３であった。作製した媒体を実
施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載
したソニー製ライターを用いて記録した。記録後、実施
例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記録特
性を示した。

【００６１】〔実施例３〕実施例１において、光吸収剤
として表−１中の化合物１０を用いること以外は、同様
にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学定数は、
７８０ｎｍでｎが２．０、ｋは０．０６であり、６８０
ｎｍではｎが２．１、ｋは０．０９であり、６５０ｎｍ
ではｎが２．２、ｋは０．１２であり、６３５ｎｍでは
ｎが２．３、ｋは０．１１であった。なお、化合物１０
の７８０ｎｍでのｋは０．１１であった。作製した媒体
を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを
搭載したソニー製ライターを用いて記録した。記録後、
実施例１と同様の測定を行った結果、いずれも良好な記
録特性を示した。

【００６２】〔実施例４〕実施例１において、記録層に
下記式（７）（化２０）で表される化合物を用いること
以外は、同様にして光記録媒体を作製した。記録層の光
学定数は、７８０ｎｍでｎが２．２、ｋは０．１１であ
り、６８０ｎｍではｎが１．５、ｋは０．５４であり、
６５０ｎｍではｎが１．５、ｋは０．４９であり、６３
５ｎｍではｎが１．５、ｋは０．３３であった。作製し
た媒体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘ
ッドを搭載したソニー製ライターを用いて記録した。記
録後、実施例１と同様の測定を行った結果、いずれも良
好な記録特性を示した。

【００６３】

【化２０】

【００６４】〔実施例５〕実施例１において、光干渉層
に下記式（８）（化２１）で表される化合物を用いるこ
と以外は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層
の光学定数は、７８０ｎｍでｎが２．０、ｋは０．０６
であり、６８０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．０９であ
り、６５０ｎｍではｎが２．２、ｋは０．１１であり、
６３５ｎｍではｎが２．２、ｋは０．１０であった。作
製した媒体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザ
ーヘッドを搭載したソニー製ライターを用いて記録し
た。記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、いず
れも良好な記録特性を示した。

【００６５】

【化２１】

【００６６】〔比較例１〕実施例１において、光干渉層
に光吸収剤を添加しないこと以外は、同様に光記録媒体
を作製した。光干渉層の光学定数は、７８０ｎｍでｎが
２．０、ｋは０．０６であり、６８０ｎｍではｎが２．
２、ｋは０．０５であり、６５０ｎｍではｎが２．３、
ｋは０．０６であり、６３５ｎｍではｎが２．４、ｋは
０．１０であった。作製した媒体を実施例１と同様に７
８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したソニー製ライ
ターを用いて記録した。記録後、実施例１と同様の測定
を行った結果、６５０ｎｍ及び６３５ｎｍでのジッター
が悪かった。

【００６７】〔比較例２〕実施例２において、光干渉層
に光吸収剤を重量比で１：１となるように添加すること
以外は同様に光記録媒体を作製した。光干渉層の光学定
数は、７８０ｎｍでｎが２．１、ｋは０．０８であり、
６８０ｎｍではｎが１．８、ｋは０．２８であり、６５
０ｎｍではｎが１．９、ｋは０．３７であり、６３５ｎ
ｍではｎが１．９、ｋは０．２３であった。作製した媒
体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザーヘッド
を搭載したソニー製ライターを用いて記録した。記録
後、実施例１と同様の測定を行った結果、反射率や６５
０ｎｍ及び６３５ｎｍでのジッターが悪かった。以上の
各媒体を、７８０ｎｍで記録した場合で、７８６ｎｍ、
６８０ｎｍ、６５０ｎｍ、６３５ｎｍでの再生時の反射
率、エラーレート、変調度、及び６５０ｎｍ及び６３５
ｎｍでのジッター（３Ｔピット／ランド）を表−２（表
２）にまとめて示した。

【００６８】

【表２】 ジッター：３Ｔ ＰＩＴ／ＬＡＮＤ エラーレート：ｃｐｓ

【００６９】〔実施例６〕実施例１において、光干渉層
に下記式（９）（化２２）で示されるポルフィン化合物
を用いること以外は、同様にして光記録媒体を作製し
た。光干渉層の光学定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、
ｋは０．０７であり、５３２ｎｍではｎが２．２、ｋは
０．１０であった。作製した媒体を実施例１と同様に７
８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したソニー製ライ
ターを用いて、線速度２．４ｍ／ｓ、最適レーザーパワ
ーでＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤ
ーを用いて信号を再生評価した結果、反射率は７３％、
エラーレートは６ｃｐｓ及び変調度は０．７５といずれ
もオレンジブック規格を満足した良好な値を示した。次
にこの記録した媒体を５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レー
ザーヘッドを搭載した光ディスク評価装置で信号を再生
した結果、反射率は３１％、３Ｔピットジッターは２１
で３Ｔランドジッターは２４、エラーレートは８ｃｐｓ
及び変調度は０．７６といずれも良好な値を示した。な
お、光干渉層に光吸収剤を添加しない媒体を同様に作
製、評価した結果、５３２ｎｍで、ジッターが３５以
上、エラーレートが３０ｃｐｓ以上と悪かった。

【００７０】

【化２２】

【００７１】〔実施例７〕実施例１において、光干渉層
に下記式（１０）（化２３）で示されるポリエン化合
物、光吸収剤に表−１中の化合物６を用いること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０６であ
り、４３０ｎｍではｎが２．３、ｋは０．１１であっ
た。作製した媒体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体
レーザーヘッドを搭載したソニー製ライターを用いて、
線速度２．４ｍ／ｓ、最適レーザーパワーでＥＦＭ信号
を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤーを用いて信号
を再生評価した結果、反射率は７２％、エラーレートは
７ｃｐｓ及び変調度は０．７４といずれもオレンジブッ
ク規格を満足した良好な値を示した。次にこの記録した
媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反射率は３
０％、３Ｔピットジッターは２２で３Ｔランドジッター
は２５、エラーレートは８ｃｐｓ及び変調度は０．７５
といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層に光吸収
剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結果、４３
０ｎｍで、ジッターが３５以上、エラーレートが３０ｃ
ｐｓ以上と悪かった。

【００７２】

【化２３】

【００７３】〔実施例８〕下記式（１１）（化２４）で
示されるテトラアザポルフィン化合物０．２０ｇをエチ
ルシクロヘキサン１０ｍｌに溶解した色素溶液１を調整
する。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内
溝（トラックピッチ：０．８０μｍ）を有する直径１２
０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いた。こ
の基板の上に、回転数１６００ｒｐｍでスピンコート
し、７０℃２時間乾燥して、８５ｎｍの記録層を形成し
た。この記録層の光学定数は、６３５ｎｍでｎが２．
２、ｋは０．０８であり、５３２ｎｍではｎが１．２、
ｋは０．５５であった。さらに、下記式（１２）（化２
４）で示されるキノフタロン化合物０．２ｇと光吸収剤
として前記式（６）で示されるアゾ化合物を重量比で
５：１となるように混合し、2,2,3,3,- テトラフルオロ
-1- プロパノール１０ｍｌに溶解し、色素溶液２を調製
する。この色素溶液２を、記録層の上に回転数１５００
ｒｐｍでスピンコートし、７０℃２時間乾燥して、８０
ｎｍの光干渉層を形成した。この光干渉層の光学定数
は、６３５ｎｍでｎが２．０、ｋは０．０６であり、５
３２ｎｍではｎが２．３、ｋは０．１０であった。な
お、式（６）のアゾ化合物の６３５ｎｍでのｋは０．１
０であった。反射層は光干渉層の上にバルザース社製ス
パッタ装置（ＣＤＩ−９００）を用いてＡｇをスパッタ
し、厚さ１００ｎｍの反射層を形成した。スパッタガス
には、アルゴンガスを用いた。スパッタ条件は、スパッ
タパワー２．５ｋＷ、スパッタガス圧１．０×１０^-2Ｔ
ｏｒｒで行った。さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂Ｓ
Ｄ−３０１（大日本インキ化学工業製）をスピンコート
した後、その上に直径１２０ｍｍφ、厚さ０．６ｍｍの
ポリカーボネート樹脂製基板を乗せ、紫外線照射して貼
り合わせした光記録媒体を作製した。

【００７４】

【化２４】 この光記録媒体に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ
−１０００）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザー
パワー１０ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価した結
果、反射率は５２％、エラーレートは７ｃｐｓ及び変調
度は０．７４と良好な信号特性が得られた。次にこの記
録した媒体を５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッ
ドを搭載した光ディスク評価装置で信号を再生した結
果、反射率は２９％、３Ｔピットジッターは２３で３Ｔ
ランドジッターは２４、エラーレートは８ｃｐｓ及び変
調度は０．７４といずれも良好な値を示した。なお、光
干渉層に光吸収剤を添加しない媒体を同様に作製、評価
した結果、５３２ｎｍで、ジッターが３５以上、エラー
レートが３０ｃｐｓ以上と悪かった。

【００７５】〔実施例９〕実施例８において、光干渉層
に前記式（１０）の化合物を用いること以外は、同様に
して光記録媒体を作製した。光干渉層の光学定数は、６
３５ｎｍでｎが１．９、ｋは０．０７であり、４３０ｎ
ｍではｎが２．３、ｋは０．１１であった。この光記録
媒体に、６３５ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したパ
ルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１００
０）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レーザーパワー１
０ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価した結果、反射
率は５０％、エラーレートは８ｃｐｓ及び変調度は０．
７３と良好な信号特性が得られた。次に、この記録した
媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを搭載した
光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反射率は３
２％、３Ｔピットジッターは２２で３Ｔランドジッター
は２３、エラーレートは８ｃｐｓ及び変調度は０．７５
といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層に光吸収
剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結果、４３
０ｎｍで、ジッターが３５以上、エラーレートが３０ｃ
ｐｓ以上と悪かった。

【００７６】〔実施例１０〕下記式（１３）（化２５）
で示されるジピロメテン化合物０．２０ｇをエチルシク
ロヘキサン１０ｍｌに溶解した色素溶液１を調整する。
基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続した案内溝（ト
ラックピッチ：０．８０μｍ）を有する直径１２０ｍｍ
φ、厚さ０．６ｍｍの円盤状のものを用いた。この基板
の上に、回転数１８００ｒｐｍでスピンコートし、７０
℃２時間乾燥して、８０ｎｍの記録層を形成した。この
記録層の光学定数は、５３２ｎｍでｎが２．４、ｋは
０．１３であり、４３０ｎｍではｎが１．２、ｋは０．
６５であった。さらに、前記式（１０）で示される化合
物０．２ｇと、光吸収剤として前記式（９）の化合物を
重量比で５：１となるように混合し、2,2,3,3-テトラフ
ルオロ-1- プロパノール１０ｍｌに溶解し、色素溶液２
を調製する。この色素溶液２を、記録層の上に回転数１
６００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃２時間乾燥し
て、８０ｎｍの光干渉層を形成した。この光干渉層の光
学定数は、５３２ｎｍでｎが２．０、ｋは０．０９であ
り、５３２ｎｍではｎが２．２、ｋは０．１１であっ
た。式（９）の化合物の５３２ｎｍでのｋは０．１０で
あった。この後、実施例８と同様にして貼り合わせの光
記録媒体を作製した。

【００７７】

【化２５】 この光記録媒体に５３２ｎｍ高調波変換レーザーヘッド
を搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（Ｄ
ＤＵ−１０００）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー９ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価した
結果、反射率は４８％、エラーレートは８ｃｐｓ及び変
調度は０．７３と良好な信号特性が得られた。次にこの
記録した媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを
搭載した光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反
射率は２８％、３Ｔピットジッターは２３で３Ｔランド
ジッターは２５、エラーレートは９ｃｐｓ及び変調度は
０．７６といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層
に光吸収剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結
果、４３０ｎｍで、ジッターが３５以上、エラーレート
が３０ｃｐｓ以上と悪かった。

【００７８】〔実施例１１〕実施例１と同様に記録層を
成膜した後、さらに、下記式（１４）（化２６）で示さ
れるアゾ化合物０．２ｇと下記式（１５）（化２６）で
示される熱分解促進剤をアゾ色素に対してモル比で１：
１となるように添加し、2,2,3,3-テトラフルオロ-1- プ
ロパノール１０ｍｌに溶解する。この溶液を、記録層の
上に回転数１５００ｒｐｍでスピンコートし、７０℃２
時間乾燥して、８０ｎｍの光干渉層を形成した。この光
干渉層の光学定数は、７８０ｎｍでｎが１．９、ｋは
０．０５であり、６８０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．
０４であり、６５０ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０５
であり、６３５ｎｍではｎが２．４、ｋは０．０８であ
った。その後、実施例１と同様に光記録媒体を作製し
た。

【００７９】

【化２６】 この光記録媒体を７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭
載したフィリップス製ライター（ＣＤＤ−５２１）を用
いて、線速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１１ｍＷで
ＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤー
（ＹＡＭＡＨＡ ＣＤＸ−１０５０、レーザー波長７８
６ｎｍ）を用いて信号を再生し、デビエーション（１１
Ｔピット）、反射率、エラーレート及び変調度を測定し
た。いずれもオレンジブック規格を満足した良好な値を
示した。

【００８０】次にこの記録した媒体を６８０ｎｍ、６５
０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載
したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−
１０００）を用いて信号を再生し、反射率、エラーレー
ト及び変調度を測定した。いずれも良好な値を示した。
次にこの媒体を６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて、線速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１０
ｍＷで記録した。記録後、６８０ｎｍ及び６３５ｎｍ赤
色半導体レーザーヘッドを搭載した評価装置を用いて信
号を再生し、反射率、エラーレート及び変調度を測定し
た結果、いずれも良好な値を示した。この記録した媒体
を、市販ＣＤプレーヤー（ＹＡＭＡＨＡ ＣＤＸ−１０
５０、レーザー波長７８６ｎｍ）を用いて、前記６８０
ｎｍのドライブ（ＤＤＵ−１０００）で記録した信号の
再生を行い、デビエーション（１１Ｔピット）、反射
率、エラーレート及び変調度を測定した結果、いずれも
オレンジブック規格を満足した良好な値であった。この
ように、この媒体は複数のレーザー波長で記録及び再生
を良好に行うことが出来た。なお、デビエーションはＡ
ＤＣ社製ＴＩＡ−１７５タイムインターバルアナライザ
を用いて計測した。

【００８１】〔実施例１２〕実施例１１において、熱分
解促進剤として下記式（１６）（化２７）を用いること
以外は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の
光学定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０６で
あり、６８０ｎｍではｎが２．０、ｋは０．０４であ
り、６５０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．０６であり、
６３５ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０８であった。作
製した媒体を実施例１１と同様に７８０ｎｍ半導体レー
ザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターと６８０
ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック
工業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫ
ＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。
記録後、実施例１と同様の測定を行った結果、いずれも
良好な記録特性を示した。

【００８２】

【化２７】

【００８３】〔実施例１３〕実施例１において、熱分解
促進剤として、下記式（１７）（化２８）を用いること
以外は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の
光学定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０６で
あり、６８０ｎｍではｎが１．９、ｋは０．０５であ
り、６５０ｎｍではｎが２．０、ｋは０．０６であり、
６３５ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０７であった。作
製した媒体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体レーザ
ーヘッドを搭載したフィリップス製ライターと６８０ｎ
ｍ赤色半導体レーザーヘッドを搭載したパルステック工
業製光ディスク評価装置（ＤＤＵ−１０００）及びＫＥ
ＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダーを用いて記録した。記
録後、実施例１と同様の測定を行った結果、いずれも良
好な記録特性を示した。

【００８４】

【化２８】

【００８５】〔比較例３〕実施例１において、光干渉層
に熱分解促進剤を添加しないこと以外は、同様にして光
記録媒体を作製した。作製した媒体を実施例１と同様に
７８０ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載したフィリップ
ス製ライターと６８０ｎｍ赤色半導体レーザーヘッドを
搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（ＤＤ
Ｕ−１０００）及びＫＥＮＷＯＯＤ製ＥＦＭエンコーダ
ーを用いて記録した。記録後、実施例１と同様の測定を
行った結果、７８０ｎｍでのデビエーションが悪かっ
た。実施例１１〜１３および比較例３で得られた各媒体
について、７８０及び６８０ｎｍで記録した各々の場合
で、７８６、６８０、６５０、６３５ｎｍでの再生時の
デビエーション（１１Ｔピット）、反射率、エラーレー
ト、変調度を表−３（表３、４）にまとめて示した。

【００８６】

【表３】

【００８７】

【表４】 デビエーション：１１Ｔ ＰＩＴ エラーレート：ｃｐｓ

【００８８】〔実施例１４〕実施例１１において、光干
渉層の色素として前記式（１４）の代わりに、前記式
（９）で示されるポルフィン化合物を用いること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０５であ
り、５３２ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０８であっ
た。作製した媒体を実施例１１と同様に７８０ｎｍ半導
体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターを
用いて、線速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１１ｍＷ
でＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤー
を用いて信号を再生評価した結果、デビエーション（１
１Ｔピット）は−４７、反射率は７４％、エラーレート
は９ｃｐｓ及び変調度は０．７６といずれもオレンジブ
ック規格を満足した良好な値を示した。次にこの記録し
た媒体を５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッドを
搭載した光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反
射率は３１％、エラーレートは９ｃｐｓ及び変調度は
０．７８といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層
に熱分解促進剤を添加しない媒体を同様に作製、評価し
た結果、７８０ｎｍでのデビエーション（１１Ｔピッ
ト）が−６０以下と悪く、５３２ｎｍでの反射率、変調
度が小さくなった。

【００８９】〔実施例１５〕実施例１１において、光干
渉層の色素として前記式（１４）の代わりに、前記式
（１０）に示されるポリエン化合物を用いること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、７８０ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０４であ
り、４３０ｎｍではｎが２．３、ｋは０．０９であっ
た。作製した媒体を実施例１１と同様に７８０ｎｍ半導
体レーザーヘッドを搭載したフィリップス製ライターを
用いて、線速度２．４ｍ／ｓ、レーザーパワー１１ｍＷ
でＥＦＭ信号を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤー
を用いて信号を再生評価した結果、デビエーション（１
１Ｔピット）は−５０、反射率は７５％、エラーレート
は８ｃｐｓ及び変調度は０．７６といずれもオレンジブ
ック規格を満足した良好な値を示した。次にこの記録し
た媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを搭載し
た光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反射率は
３０％、エラーレートは１１ｃｐｓ及び変調度は０．７
７といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層に熱分
解促進剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結
果、７８０ｎｍでのデビエーション（１１Ｔピット）が
−６０以下と悪く、４３０ｎｍでの反射率、変調度が小
さくなった。

【００９０】〔実施例１６〕実施例８において、光干渉
層に光吸収色素の前記式（６）の化合物を添加する代わ
りに、熱分解促進剤として前記式（１５）の化合物を光
干渉層色素に対して１：１のモル比で添加すること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、６３５ｎｍでｎが１．９、ｋは０．０５であ
り、５３２ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０７であっ
た。この光記録媒体に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッド
を搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（Ｄ
ＤＵ−１０００）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価し
た結果、デビエーション（１１Ｔピット）は−４９、反
射率は５１％、エラーレートは７ｃｐｓ及び変調度は
０．７４と良好な信号特性が得られた。次にこの記録し
た媒体を５３２ｎｍＹＡＧ高調波変換レーザーヘッドを
搭載した光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反
射率は３５％、エラーレートは８ｃｐｓ及び変調度は
０．７６といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層
に熱分解促進剤を添加しない媒体を同様に作製、評価し
た結果、６３５ｎｍでのデビエーション（１１Ｔピッ
ト）が−６０以下と悪く、５３２ｎｍでの反射率、変調
度が小さくなった。

【００９１】〔実施例１７〕実施例９において、光干渉
層に光吸収色素の前記式（６）の化合物を添加する代わ
りに、熱分解促進剤として前記式（１６）の化合物を光
干渉層色素に対して１：１のモル比で添加すること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、６３５ｎｍでｎが１．８、ｋは０．０５であ
り、５３２ｎｍではｎが２．２、ｋは０．０８であっ
た。この光記録媒体に６３５ｎｍ半導体レーザーヘッド
を搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置（Ｄ
ＤＵ−１０００）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、レー
ザーパワー１０ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価し
た結果、デビエーション（１１Ｔピット）は−４８、反
射率は４９％、エラーレートは１０ｃｐｓ及び変調度は
０．７４と良好な信号特性が得られた。次にこの記録し
た媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを搭載し
た光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反射率は
３２％、エラーレートは９ｃｐｓ及び変調度は０．７７
といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層に熱分解
促進剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結果、
６３５ｎｍでのデビエーション（１１Ｔピット）が−６
０以下と悪く、４３０ｎｍでの反射率、変調度が小さく
なった。

【００９２】〔実施例１８〕実施例１０において、光干
渉層に光吸収色素の前記式（９）の化合物を添加する代
わりに、熱分解促進剤として前記式（１７）の化合物を
光干渉層色素に対して１：１のモル比で添加すること以
外は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光
学定数は、５３２ｎｍでｎが１．９、ｋは０．０６であ
り、４３０ｎｍではｎが２．１、ｋは０．０８であっ
た。この光記録媒体に５３２ｎｍ高調波変換レーザーヘ
ッドを搭載したパルステック工業製光ディスク評価装置
（ＤＤＵ−１０００）を用いて、線速度５．６ｍ／ｓ、
レーザーパワー９ｍＷで記録後、同評価装置で再生評価
した結果、デビエーション（１１Ｔピット）は−４９、
反射率は５０％、エラーレートは１０ｃｐｓ及び変調度
は０．７４と良好な信号特性が得られた。次にこの記録
した媒体を４３０ｎｍ高調波変換レーザーヘッドを搭載
した光ディスク評価装置で信号を再生した結果、反射率
は３０％、エラーレートは９ｃｐｓ及び変調度は０．７
６といずれも良好な値を示した。なお、光干渉層に熱分
解促進剤を添加しない媒体を同様に作製、評価した結
果、５３２ｎｍでのデビエーション（１１Ｔピット）が
−６０以下と悪く、４３０ｎｍでの反射率、変調度が小
さくなった。

【００９３】〔実施例１９〕実施例１において、光干渉
層を成膜する際に、光干渉層スピンコート用色素溶液の
中にさらに前記式（１５）の熱分解促進剤をアゾ色素に
対してモル比で１：１となるように添加すること以外
は、同様にして光記録媒体を作製した。光干渉層の光学
定数は、７８０ｎｍでｎが１．９、ｋは０．０７であ
り、６３５ｎｍではｎが２．３、ｋは０．０９であっ
た。作製した媒体を実施例１と同様に７８０ｎｍ半導体
レーザーヘッドを搭載したソニー製ライターを用いて、
線速度２．４ｍ／ｓ、最適レーザーパワーでＥＦＭ信号
を記録した。記録後、市販ＣＤプレーヤーを用いて信号
を再生評価した結果、デビエーション（１１Ｔピット）
は４３、反射率は７４％、エラーレートは６ｃｐｓ及び
変調度は０．７６といずれもオレンジブック規格を満足
した良好な値を示した。次にこの記録した媒体を６３５
ｎｍ半導体レーザーヘッドを搭載した光ディスク評価装
置で信号を再生した結果、反射率は３３％、３Ｔピット
ジッターは２１で３Ｔランドジッターは２２、エラーレ
ートは７ｃｐｓ及び変調度は０．７９といずれも良好な
値を示した。

【００９４】

【発明の効果】本発明によれば、有機色素が主成分であ
り適当な屈折率と消衰係数を有する記録層と光干渉層を
積層した２層媒体において、光干渉層に光吸収剤及び／
又は熱分解促進剤を添加することにより、異なる二波長
領域で良好な記録及び／又は再生が可能な互換性のある
光記録媒体を提供することが出来た。

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【図２】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【図３】本発明の光記録媒体の層構成を示す断面構造図

【符号の説明】

１ ：基板 ２ ：記録層 ３ ：反射層 ４ ：保護層 １’：基板 ２’：記録層 ３’：光干渉層 ４’：反射層 ５’：保護層 １”：基板 ２”：記録層 ３”：光干渉層 ４”：反射層 ５”：接着層（保護層) ６”：基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笹川 知由 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 三沢 伝美 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 杉本 賢一 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 西本 泰三 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 (72)発明者 津田 武 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に記録層、光干渉層、反射層及び
   保護層を有する光記録媒体において、該記録層と該光干
   渉層が有機色素を主成分として含有する層であり、か
   つ、該光干渉層に光吸収剤及び／又は熱分解促進剤を添
   加することを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 該光吸収剤が記録再生レーザー波長λ₁
   で０．０６以上の消衰係数ｋを有するものであり、該熱
   分解促進剤が該光干渉層に含まれる有機色素よりも低温
   で分解して大きな分解熱を発生するか、もしくは反応活
   性なラジカルを生成するものである請求項１に記載の光
   記録媒体。
3. 【請求項３】 波長λ₁ のレーザー光を用いて記録及び
   ／又は再生が可能であり、波長λ₁ より８０ｎｍ以上短
   波長側の波長λ₂ を用いて記録及び／又は再生が可能で
   あり、かつ、該記録層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．８以
   上、λ₂ で１．０以上、消衰係数ｋがλ₁ で０．０４〜
   ０．２０、λ₂ で０．０４〜０．７であり、かつ該光干
   渉層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．５以上、λ₂ で１．７
   以上、消衰係数ｋがλ₁ で０．０２〜０．１５、λ₂ で
   ０．０４〜０．２５であることを特徴とする請求項２に
   記載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 該記録層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．９
   〜２．７、λ₂ で１．０〜１．６、消衰係数ｋがλ₁ で
   ０．０４〜０．１６、λ₂ で０．１〜０．７であり、か
   つ、該光干渉層の屈折率ｎが波長λ₁ で１．７〜２．
   ２、λ₂ で１．８〜２．７、消衰係数ｋがλ₁ で０．０
   ４〜０．１４、λ₂ で０．０４〜０．１８である請求項
   ３に記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 波長λ₁ のレーザー光を用いて記録及び
   再生が可能であり、波長λ₂ のレーザー光を用いて再生
   が可能である請求項３に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 レーザー光の波長λ₁ が７７０〜８３０
   ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が６２０〜６９０ｎｍの
   範囲から選択され、かつ、基板を通して測定した波長λ
   ₁ でのレーザー光の反射率が６５％以上で、かつ、λ₂
   でのレーザー光の反射率が１５％以上である請求項３〜
   ５のいずれかに記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 レーザー光の波長λ₁ が７７０〜８３０
   ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が４８０〜５４０ｎｍの
   範囲または４００〜４４０ｎｍの範囲から選択され、か
   つ基板を通して測定した波長λ₁ でのレーザー光の反射
   率が６５％以上で、かつλ₂ でのレーザー光の反射率が
   １５％以上である請求項３〜５のいずれかに記載の光記
   録媒体。
8. 【請求項８】 該光干渉層に用いられる有機色素が下記
   一般式（１）（化１）で表されるアゾ色素又は該アゾ色
   素の金属錯体からなる請求項６に記載の光記録媒体。 【化１】 （式中、Ａはそれが結合している窒素原子及び炭素原子
   と一緒になって複素環を形成する残基であり、Ｂはそれ
   が結合している２つの炭素原子と一緒になって芳香環を
   形成する残基であり、Ｘは活性水素を有する基であ
   る。）
9. 【請求項９】 該記録層に用いられる有機色素が下記一
   般式（２）（化２）で表されるフタロシアニン色素から
   なる請求項６〜８のいずれかに記載の光記録媒体。 【化２】 （式中、Ｙ₁ 〜Ｙ₄ は酸素原子又は硫黄原子、Ｚ₁ 〜Ｚ
   ₄ は４〜１２個の炭素原子を有する無置換又は置換基を
   有する炭化水素基、Ｘ₁ 〜Ｘ₄ はハロゲン原子を表し、
   ｌ1 〜ｌ4 は１または２、ｍ1 〜ｍ4 は０〜３の整数を
   表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属、金属の酸化物
   またはハロゲン化物を表す。）
10. 【請求項１０】 レーザー光の波長λ₁ が６９０〜６２
    ０ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が４８０〜５４０ｎｍ
    の範囲または４００〜４４０ｎｍの範囲から選択され、
    かつ基板を通して測定した波長λ₁ でのレーザー光の反
    射率が２０％以上で、かつλ₂ でのレーザー光の反射率
    が１５％以上である請求項３〜５のいずれかに記載の光
    記録媒体。
11. 【請求項１１】 レーザー光の波長λ₁ が４８０〜５４
    ０ｎｍの範囲から選択され、λ₂ が４００〜４４０ｎｍ
    の範囲から選択され、かつ基板を通して測定した波長λ
    ₁ でのレーザー光の反射率が２０％以上で、かつλ₂ で
    のレーザー光の反射率が１５％以上である請求項３〜５
    のいずれかに記載の光記録媒体。
12. 【請求項１２】 該光吸収剤が少なくとも一種の下記一
    般式（３）（化３）で表されるフタロシアニン色素また
    は下記一般式（４）（化４）で表されるナフタロシアニ
    ン色素であり、該熱分解促進剤がメタロセン化合物であ
    るＦｅ（フェロセン）、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、
    Ｎｉ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｚｒ、Ｌｕ、Ｔａ、Ｗ、Ｏ
    ｓ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙなどのビスシクロペンタジエニル金
    属錯体、アセチルアセトナート錯体、フェナントロリン
    錯体、ビスピリジン錯体、エチレンジアミン錯体、エチ
    レンジアミン四酢酸錯体、ジエチレントリアミン錯体、
    ジエチレングリコールジメチルエーテル錯体、ジホスフ
    ィノ錯体、ジメチルグリオキシマート錯体などのキレー
    ト錯体、もしくは、カルボニル錯体、シアノ錯体、アン
    ミン錯体などの金属錯体からなる群から選択される少な
    くとも一種である請求項３〜７のいずれかに記載の光記
    録媒体。 【化３】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ は炭素数３〜１８の直鎖、分岐また
    は環状のアルコキシ基を表し、アルコキシ基中の酸素原
    子に結合していない−ＣＨ₂ −基は酸素原子で置換され
    ていてもよく、Ｒ₃ 、Ｒ₄ は水素原子またはハロゲン原
    子を表し、Ｍは２個の水素原子、２価の金属、金属の酸
    化物またはハロゲン化物を表す。ただし、Ｒ₁ とＲ₂ 、
    Ｒ₃ とＲ₄ は入れ代わってもよい。） 【化４】 （式中、Ｒ₁ 、Ｒ₂ およびＭは前記と同じであり、Ｒ₁
    とＲ₂ は入れ代わってもよい。）