JPH10116954A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH10116954A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＬＯＣ構造の半導体装置を形成するにあたり、
半導体素子にボンディング接続するインナーリード側の
ボンディング性能を向上させることにある。 【解決手段】インナーリード１側のワイヤボンディング
部分の直下近傍を半導体素子３に対し直接接触させた
り、薄いエポキシ樹脂により接着させる。直接接触させ
るときは、インナーリード１の下面の一部に凹部５を形
成し、そこに両面接着テープ２を収容する。これによ
り、半導体素子３の上面とインナーリード１の上面間に
ボンディングワイヤ４によりボンディング接続を行って
ＬＯＣ構造とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
特にリード・オン・チップ（ＬＯＣ）構造の半導体装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、かかるＬＯＣ構造を採用した半導
体装置は、例えば特開平５−２９５２８号公報にもある
ように、半導体素子上に接着テープを介してインナーリ
ード（内部リード）を貼り付ける構造が一般的である。
【０００３】図３（ａ），（ｂ）はそれぞれかかる従来
の一例を説明するための半導体装置の断面図および平面
図である。図３（ａ），（ｂ）に示すように、従来の半
導体装置は、インナーリード１の下面に接着テープ２を
貼り付けたリードフレームに半導体素子３を接着し、ボ
ンディングワイヤ４により半導体素子３の電極パッドと
インナーリード１とをボンディング接続している。この
接着テープ２としては、いわゆる両面接着テープを用い
ればよく、半導体素子３の上にリードを形成した半導体
装置が実現される。
【０００４】このようなＬＯＣ構造の半導体装置におい
て、インナーリード側のワイヤ接続部の下面には、接着
テープ２が設けられる構造になるので、この接着テープ
２はバッファ部材として機能する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、半導体素子とインナーリード間に接着テープが
介在し、直接接触しない構造になっている。このため、
ボンディング接続を行うときには、熱および超音波のエ
ネルギーが伝わりにくく、ボンディング性が悪いという
問題がある。特に、インナーリード側のボンディング性
が悪くなるという欠点がある。
【０００６】本発明の目的は、このようなインナーリー
ド側のボンディング性能を向上させることのできる半導
体装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
半導体素子と、前記半導体素子の上面に直接接触させる
とともに、それぞれ下面の一部に凹部を形成した複数の
インナーリードと、前記複数のインナーリードの前記凹
部に収容され、前記複数のインナーリードを前記半導体
素子に接着する両面接着テープとを有し、前記半導体素
子の上面および前記複数のインナーリードの上面間にボ
ンディングワイヤによりボンディング接続を行ってリー
ド・オン・チップ構造とするように構成される。
【０００８】また、本発明の半導体装置における前記複
数のインナーリードの凹部は、前記複数のインナーリー
ドのワイヤボンディング部分の直下近傍を除く領域に、
ハーフエッチングを施して形成することができる。
【０００９】さらに、本発明の半導体装置は、半導体素
子と、前記半導体素子の上面に搭載する複数のインナー
リードと、前記複数のインナーリード間に充填される絶
縁性接着部材と、前記複数のインナーリードの下面の一
部にコーティングされ、前記半導体素子の上面に前記複
数のインナーリードを接着するエポキシ系樹脂とを有
し、前記半導体素子の上面および前記複数のインナーリ
ードの上面間にボンディングワイヤによりボンディング
接続を行ってリード・オン・チップ構造とするように構
成される。
【００１０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態ついて
図面を参照して説明する。
【００１１】図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第
１の実施の形態を説明するための半導体装置の断面図お
よび平面図である。図１（ａ），（ｂ）に示すように、
この実施の形態は、ＬＯＣ構造の半導体装置であり、半
導体素子３と、リードフレームの一部分とを表わしてい
る。すなわち、かかる半導体装置は、半導体素子３と、
リードフレームの一部であり且つ下面の一部に凹部５を
形成した複数のインナーリード１と、インナーリード１
の凹部５に収容され、インナーリード１を半導体素子３
の上面に接着する両面接着テープ２と、半導体素子３の
上面に形成したパッドおよびインナーリード１の上面を
ボンディング接続するボンディングワイヤ４とをを備え
ている。
【００１２】このインナーリード１は、半導体素子３の
上面に直接接触させるとともに、凹部５に収容される両
面接着テープ２により接着固定され、ボンディングワイ
ヤ４により、半導体素子３の上面および複数のインナー
リード１の上面間をボンディング接続している。しか
も、このインナーリード１の凹部５は、インナーリード
１のワイヤボンディング部分の直下近傍を除く領域に、
ハーフエッチングを施して形成される。
【００１３】なお、図１（ｂ）からも解るように、両面
接着テープ２は、インナーリード１の凹部５に収容され
るだけでなく、リード間も含めて平面的に設けられる。
【００１４】上述した本実施の形態によれば、インナー
リード１のワイヤボンディング部分の直下近傍を除く領
域に両面接着テープ２を介在させずに済むため、ボンデ
ィング時の熱や超音波エネルギーを伝え易く、ボンディ
ング性を向上させている。
【００１５】図２（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の第
２の実施の形態を説明するための半導体装置の断面図お
よび平面図である。図２（ａ），（ｂ）に示すように、
この実施の形態は、インナーリード１間を絶縁性接着部
材６で固め、その下面にエポキシ系樹脂７をコーティン
グしたリードフレームに半導体素子３を接続したもので
ある。すなわち、この半導体装置は、半導体素子３と、
半導体素子３の上面に搭載する複数のインナーリード１
と、インナーリード１間に充填される絶縁性接着部材６
と、インナーリード１の下面の一部にコーティングさ
れ、半導体素子３の上面にインナーリード１を接着する
エポキシ系樹脂７とを備え、半導体素子３の上面および
インナーリード１の上面間にボンディングワイヤ４によ
りボンディング接続を行ってリード・オン・チップ構造
としている。
【００１６】なお、図２（ｂ）からも解るように、エポ
キシ系樹脂７は、インナーリード１の下面の一部に設け
られるだけでなく、絶縁性接着部材６の下面をも含めて
平面的に設けられる。
【００１７】しかし、かかるエポキシ系樹脂７は、イン
ナーリード１のボンディング部分の直下近傍に設けられ
るが、インナーリード１を固定するだけでよいため、接
着テープに比べて極く薄くて済み、ボンディング時の熱
や超音波エネルギーを伝え易く、ボンディング性を向上
させている。また、前述した実施の形態と比較すると、
ボンディング性では劣るが、インナーリード１に対する
ハーフエッチングを行わなくて済むという利点がある。
【００１８】要するに、上述した２つの発明の実施の形
態によれば、半導体素子に接着され且つボンディング接
続されるインナーリードの下面のうち、リード側のワイ
ヤボンディング部分の直下近傍は、直接接触させるか、
あるいは薄いエポキシ樹脂を介するだけであり、従来の
ような厚い両面接着テープを介在させないので、ボンデ
ィング時の熱や超音波エネルギーが伝わり易く、ボンデ
ィング性を向上させることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置は、インナーリードのボンディング部分の直下近傍を
半導体素子の上面に対して直接接触させるか、もしくは
極く薄いエポキシ樹脂を介在させることにより、厚い両
面接着テープを介在させないので、ボンディング時の熱
や超音波エネルギーを伝わり易くすることができ、ボン
ディング性を向上させることができるという効果があ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明するための半
導体装置の断面および平面を表わす図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明するための半
導体装置の断面および平面を表わす図である。
【図３】従来の一例を説明するための半導体装置の断面
および平面を表わす図である。
【符号の説明】
１ インナーリード ２ 接着テープ ３ 半導体素子 ４ ボンデイングワイヤ ５ 凹部 ６ 絶縁性接着部材 ７ エポキシ系樹脂

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体素子と、前記半導体素子の上面に
    直接接触させるとともに、それぞれ下面の一部に凹部を
    形成した複数のインナーリードと、前記複数のインナー
    リードの前記凹部に収容され、前記複数のインナーリー
    ドを前記半導体素子に接着する両面接着テープとを有
    し、前記半導体素子の上面および前記複数のインナーリ
    ードの上面間にボンディングワイヤによりボンディング
    接続を行ってリード・オン・チップ構造とすることを特
    徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記複数のインナーリードの凹部は、前
    記複数のインナーリードのワイヤボンディング部分の直
    下近傍を除く領域に、ハーフエッチングを施して形成し
    た請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 半導体素子と、前記半導体素子の上面に
    搭載する複数のインナーリードと、前記複数のインナー
    リード間に充填される絶縁性接着部材と、前記複数のイ
    ンナーリードの下面の一部にコーティングされ、前記半
    導体素子の上面に前記複数のインナーリードを接着する
    エポキシ系樹脂とを有し、前記半導体素子の上面および
    前記複数のインナーリードの上面間にボンディングワイ
    ヤによりボンディング接続を行ってリード・オン・チッ
    プ構造とすることを特徴とする半導体装置。
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