JPH10119082A - 樹脂成形方法および装置 - Google Patents

樹脂成形方法および装置

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JPH10119082A
JPH10119082A JP27906396A JP27906396A JPH10119082A JP H10119082 A JPH10119082 A JP H10119082A JP 27906396 A JP27906396 A JP 27906396A JP 27906396 A JP27906396 A JP 27906396A JP H10119082 A JPH10119082 A JP H10119082A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cavity
resin
resin material
molding
injected
Prior art date
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Pending
Application number
JP27906396A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Tomiyama
浩 冨山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Pending legal-status Critical Current

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  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 トランスファ成形におけるカルをなくして樹
脂材料の節約を図った樹脂成形方法を提供する。 【解決手段】 上型1および下型2間にキャビティ3を
形成し、このキャビティ内に樹脂材料7を注入して成形
し、成形品7aをエジェクタガイド通路5に沿って摺動
するエジェクションピン6により突出す樹脂成形方法に
おいて、前記エジェクタガイド通路5内に樹脂材料7を
挿入し、加熱溶融された樹脂材料を前記エジェクション
ピン6によりキャビティ3内に注入する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂成形方法および
装置に関する。より詳しくは、トランスファ成形におけ
る樹脂材料の注入方法および装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造の最終工程において、半
導体素子を搭載したリードフレームが樹脂材料でモール
ド成形され半導体パッケージとして製品化される。この
ような樹脂成形手段として、トランスファ成形が用いら
れている。
【0003】従来のトランスファ成形装置の要部構成を
図2に示す。(A)はモールド成形前の状態、(B)は
モールド成形後の状態を示す。
【0004】上型11と下型12との間に成形すべきパ
ッケージ形状の複数のキャビティ13が形成される。こ
のキャビティ13に臨んで、成形品を押出して排出する
ためのエジェクションピン15が備る。複数のキャビテ
ィ13の中間部に、共通のポット16が設けられ、ラン
ナー17を介して各キャビティ13に連通する。ポット
16内にはこのポット内を摺動するプランジャ19が装
着される。(A)は、ポット16内に樹脂材料19が挿
入された状態を示す。トランスファ成形における、樹脂
材料19は、1回の成型に必要な所定量の予熱されたタ
ブレットの形状でポット16内に挿入され、ここで加熱
溶融される。(B)は、溶融状態の樹脂材料をプランジ
ャ18で押出して、ランナー17を介してキャビティ1
3内に注入した状態を示す。この状態で所定温度で一定
時間硬化させることにより、キャビティ13内にパッケ
ージ形状の樹脂成形品19aが形成される。このとき、
ポット16の上部およびランナー17内に残った樹脂材
料も硬化し、カル20が形成される。このカル20は、
各成形工程ごとに取り出され、産業廃棄物として廃棄処
分される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のトランスファ成形においては、ポット部およびラン
ナー部分にカル20が必然的に形成されるため、このカ
ル20が樹脂材料のロスとなる。
【0006】本発明は上記従来技術を考慮してなされた
ものであって、トランスファ成形におけるカルをなくし
て樹脂材料の節約を図った樹脂成形方法および装置の提
供を目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、上型および下型間にキャビティを形成
し、このキャビティ内に樹脂材料を注入して成形し、成
形品をエジェクタガイド通路に沿って摺動するエジェク
ションピンにより突出す樹脂成形方法において、前記エ
ジェクタガイド通路内に樹脂材料を挿入し、加熱溶融さ
れた樹脂材料を前記エジェクションピンによりキャビテ
ィ内に注入することを特徴とする樹脂成形方法を提供す
る。
【0008】この方法によれば、トランスファ成形にお
いて、ポットおよびプランジャを省略し、エジェクショ
ンピンを用いて、ランナーを介さずに樹脂をキャビティ
内に注入するため、カルは形成されない。
【0009】
【発明の実施の形態】前記本発明の樹脂成形方法を実施
するための装置として、本発明ではさらに、成形すべき
形状のキャビティを形成する上型および下型と、前記キ
ャビティ内に樹脂材料を注入するための樹脂供給手段
と、成形品をキャビティから排出するための突出し手段
とを有する樹脂成形装置において、前記樹脂供給手段の
樹脂材料注入口は、前記突出し手段の突出し口と共通で
あることを特徴とする樹脂成形装置を提供する。
【0010】この装置によれば、成形品をキャビティか
ら押出すエジェクションピン等の突出し手段の突出し口
から、直接キャビティ内に樹脂を注入するため、成形
後、型内に硬化樹脂が残留することはなく、カルは形成
されない。
【0011】
【実施例】図1は、本発明の実施例に係る樹脂成形装置
の構成説明図である。(A)はモールド成形する前の状
態、(B)はモールド成形後の状態を示す。
【0012】上型1と下型2との間に、成形すべき半導
体パッケージ形状のキャビティ3が形成される。このキ
ャビティ3は複数個並列して設けられる。各キャビティ
3内に、半導体素子を搭載したリードフレーム(図示し
ない)がセットされる。下型2には、各キャビティ3の
底面に開口するエジェクタガイド通路5が形成され、こ
のエジェクタガイド通路5内をエジェクションピン6が
摺動する。
【0013】本実施例においては、(A)図に示すよう
に、このエジェクタガイド通路5内に樹脂材料7を挿入
する。この樹脂材料7は、1回の形成に成形に必要な所
定量の予熱された固形のタブレット形状のものであっ
て、挿入した後、このエジェクタガイド通路5内で加熱
溶融される。加熱手段として、上型および下型を加熱す
るヒーターが備わる。加熱溶融された樹脂材料7は、エ
ジェクションピン6によりキャビティ3内に注入され
る。ここで所定温度で一定時間硬化することにより、
(B)図に示すように、キャビティ3内にパッケージ形
状の成形品7aが形成される。この成形品7aは、上型
1を下型2から分離した後、プロジェクションピン6を
突き出すことにより、下型2から押出して排出する。
【0014】上記本実施例の構成を、前述の図2に示し
た従来のトランスファ成形装置の構成と比べると、本実
施例では、従来の樹脂注入用のポット16、ランナー1
7およびプランジャ18がなくなり、樹脂を、成形品突
出し用のエジェクションピン6を用いて、ランナーを介
さずにキャビティ3内に注入している。このため、従来
ランナー部分に形成されていたカルは形成されず、また
樹脂注入口はプロジェクションピンの突出し出口と共通
であるため、成形品を排出した後キャビティ内に連通す
る樹脂注入通路の出口部分には硬化樹脂は全く残留しな
い。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、熱硬化性樹脂を成形するためのトランスファ成形に
おけるポットおよびプランジャを省略し、エジェクショ
ンピンを用いて、ランナーを介さずに樹脂をキャビティ
内に注入するため、従来ランナー部分に必然的に形成さ
れ産業廃棄物として処分していたカルは形成されない。
したがって、樹脂材料の無駄が省かれ、コスト低減とと
もに資源の有効利用が図られる。
【0016】また、ポットやプランジャを省き、従来か
らあるプロジェクションピンを樹脂注入手段として兼用
するため、樹脂注入専用のランナーが不要になり、金型
や成形装置全体の構成が簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係る樹脂成形装置を用いた
成形手順の説明図。
【図2】 従来のトランスファ成形装置を用いた成形手
順の説明図。
【符号の説明】
1:上型、2:下型、3:キャビティ、5:エジェクタ
ガイド通路、6:エジェクションピン、7:樹脂材料、
7a:成形品。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI // B29L 31:34

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上型および下型間にキャビティを形成し、
    このキャビティ内に樹脂材料を注入して成形し、成形品
    をエジェクタガイド通路に沿って摺動するエジェクショ
    ンピンにより突出す樹脂成形方法において、 前記エジェクタガイド通路内に樹脂材料を挿入し、 加熱溶融された樹脂材料を前記エジェクションピンによ
    りキャビティ内に注入することを特徴とする樹脂成形方
    法。
  2. 【請求項2】成形すべき形状のキャビティを形成する上
    型および下型と、 前記キャビティ内に樹脂材料を注入するための樹脂供給
    手段と、 成形品をキャビティから排出するための突出し手段とを
    有する樹脂成形装置において、 前記樹脂供給手段の樹脂材料注入口は、前記突出し手段
    の突出し口と共通であることを特徴とする樹脂成形装
    置。
JP27906396A 1996-10-22 1996-10-22 樹脂成形方法および装置 Pending JPH10119082A (ja)

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JPH10119082A true JPH10119082A (ja) 1998-05-12

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ID=17605899

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498055B2 (en) * 2000-05-17 2002-12-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6498055B2 (en) * 2000-05-17 2002-12-24 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, resin molding die, and semiconductor manufacturing system
KR100435051B1 (ko) * 2000-05-17 2004-06-12 가부시끼가이샤 도시바 반도체장치, 반도체장치의 제조방법, 수지밀봉금형 및 반도체 제조시스템

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