JPH10120682A - プリン誘導体の製造方法 - Google Patents

プリン誘導体の製造方法

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JPH10120682A
JPH10120682A JP28221696A JP28221696A JPH10120682A JP H10120682 A JPH10120682 A JP H10120682A JP 28221696 A JP28221696 A JP 28221696A JP 28221696 A JP28221696 A JP 28221696A JP H10120682 A JPH10120682 A JP H10120682A
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unsaturated
hydrogen
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JP28221696A
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English (en)
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Keizo Yamashita
敬三 山下
Satoshi Katayama
智 片山
Hiroshi Shiragami
浩 白神
Kunisuke Izawa
邦輔 井澤
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Ajinomoto Co Inc
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Ajinomoto Co Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 9位に置換基を有するプリン誘導体を選択的
に合成する。 【解決手段】 発酵法で得られる天然のプリンヌクレオ
シドまたはその誘導体から容易に得られる7位ベンジル
置換プリン誘導体の9位に、シクロプロパンジカンルボ
ン酸型の化合物を反応させ、引き続き7位の置換基を除
去することにより、9位のみに目的とする置換基の導入
されたプリン誘導体を合成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は抗ウイルス作用、抗
ガン作用を有する、有用なプリン誘導体の製造方法に関
する。更に詳しくは7−ベンジルプリン誘導体の9位へ
の選択的な付加反応による位置選択的プリン誘導体の製
造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】プリン系の核酸塩基の9位に置換基を有
するプリン誘導体には、ペンシクロビル、ファムシクロ
ビル等、ヘルペスウイルス、帯状疱疹、エイズ、肝炎、
サイトメガロウイルス等のウイルス感染疾患治療薬とし
て有用な化合物が数多く知られている。これらプリン誘
導体の製造方法として、通常プリン塩基に対して側鎖と
呼ばれる置換基を付加させる方法がとられている。その
際プリン塩基の目的とする9位のみに置換基を導入する
ことは非常に困難で、目的の位置以外の7位に置換基が
導入されてしまい、付加反応の後に異性化を行うことが
必要であったり、また副生物を除去するための工程を導
入しなければならなかった。
【0003】例えば、ペンシクロビルの合成においてグ
アニンやN−アセチルグアニンを原料として用いたり(C
hinese J. of Chem., 9, 536, 1991)、2−アミノ−6
−クロロプリンを臭素化された側鎖と反応させたり(TET
RAHEDRON LETT. 26(35) 4265, 1985)、2−アミノ−6
−ベンジルオキシプリンと側鎖のトシレートとを反応さ
せた例が知られているが(J.HETEROCYCLIC CHEM. 26(5),
1261, 1989)、いずれも煩雑な精製工程を要するのが現
状であった。
【0004】また、ファムシクロビル合成において2−
アミノ−6−クロロプリンをヨウ素化された側鎖と反応
させたり(TETRAHEDRON LETT. 46(19), 6903, 1990)、側
鎖前駆体とマイケル型付加を行ったりした例がしられて
いるが(TETRAHEDRON LETT.33(32) 4609, 1992)、これ
らの場合においても煩雑な処理工程が必要な点等の問題
があった。
【0005】上記に記載した文献において、プリン塩基
に導入する側鎖部分は主にアルキルハライド型であった
が、それ以外にシクロプロパンジカンルボン酸型の化合
物と2−アミノ−6−クロロプリンとを炭酸カリウムを
塩基として用いて、付加反応させることにより目的の化
合物を得ている(Nucleosides & Nucleotides,15(5),98
1,1996)。しかしながら、この方法においても目的とす
る9位付加体の収率は60%に留まり、7位付加体が大
量に副生しており、処理工程が必要であった(34
%)。いずれにせよ、これらの反応はプリンの9位の2
級のアミンのアミノプロトンに塩基を加えて脱離させ、
アミノ基にアニオンを発生させそこに側鎖部分との反応
を行っている。
【0006】この課題を解決する方法として、発明者ら
は7−ベンジルプリン誘導体にアルキルハライド型の側
鎖を中性条件下、必要であれば加熱して反応せしめるこ
とにより、9位に選択的に付加反応が進行することを見
いだした。また得られた化合物を脱ベンジル化反応に付
すことにより9位のみに目的とする置換基を導入したプ
リン誘導体を合成できることを見いだした(特願平8-10
710)。
【0007】一方、上記のシクロプロパンジカンルボン
酸型の化合物はアニリン(J.Am.Chem.Soc.,97(11),3239,
1975)、リジン誘導体(J.Org.Chem.,50,3631,1985)やヒ
ドラジン誘導体(Heterocycles,36(2),219,1993)のよう
な1級アミンと反応することが知られている。さらに、
ピペリジンのような2級アミンと反応してツビィッター
イオンが形成される事、さらにピリジンのような求核性
の弱い3級アミンとも反応して同様のイオン性化合物が
合成される事が知られている(J.Am.Chem.Soc.,97(11),3
239,1975)。7−ベンジルグアニン(プリン)により近
い構造を有するアミンと、シクロプロパンジカンルボン
酸型の化合物との反応例としては、イミダゾール誘導
体、ピロール誘導体、或いはプリン誘導体の反応が知ら
れていが、いずれも反応に塩基を必要としていた(J.Or
g.Chem.,47,1682,1982、Hisamitsu Pharmaceuticals: J
P87-227702)。
【0008】以上のように、シクロプロパンジカルボン
酸型化合物の反応においては、例えばプリン塩基誘導体
のような環に2個以上の窒素原子を持つような化合物に
対しては、塩基性条件下での付加反応が知られているの
みであり、中性条件下での反応例は全く知られていなか
った。また、プリン塩基誘導体の3級窒素原子に対する
付加反応についても、全く知られていなかった。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】プリンの9位に側鎖を
有する化合物の選択的な製造方法を開発することであ
る。
【0010】
【課題を解決するための手段】発明者らは7−ベンジル
プリン誘導体に対して、アルキルハライド以外の様々な
種類の側鎖についての反応性を詳細に試験した結果、驚
くべきことに塩基を用いない中性条件下、触媒や他の試
薬を一切添加することなく、溶媒中或いは無溶媒で、シ
クロプロパンジカンルボン酸型の化合物が7−ベンジル
プリン誘導体と良好に反応し、ツビッターイオン型の付
加体を高収率で与えることを見いだし本発明を完成する
に至った。
【0011】すなわち、本発明は下記一般式(I)で表
される7−ベンジルプリン誘導体と
【0012】
【化7】
【0013】(式中、R1は水素、水酸基、C1〜C8
の飽和もしくは不飽和の低級アルコキシ基、C1〜C8
の飽和もしくは不飽和の低級アシロキシ基、シロキシ
基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、アミ
ノ基、モノもしくはジのC1〜C8のアシルアミノ基、
C1〜C8のアルコキシカルボニルアミノ基、アリロキ
シカルボニルアミノ基、またはC1〜C8の飽和もしく
は不飽和の低級アルキル基のいずれかを表し、R2は水
素、水酸基、C1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級ア
ルコキシ基、C1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級ア
シロキシ基、シロキシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロ
モ基、ヨード基、アミノ基、モノもしくはジのC1〜C
8のアシルアミノ基、C1〜C8のアルコキシカルボニ
ルアミノ基、アリロキシカルボニルアミノ基、またはC
1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級アルキル基のいず
れかを表し、R3は水素、C1〜C6の低級アルキル
基、C1〜C6の低級アルコキシ基、水酸基、ニトロ
基、アミノ基、スルホン酸基、カルボキシル基、C1〜
C6のアルコキシカルボニル基、フルオロ基、クロロ
基、ブロモ基、またはヨード基のいずれかを表す。)
【0014】下記一般式(II)で表されるシクロプロ
パンカルボン酸型化合物とを反応させる、
【0015】
【化8】
【0016】(式中、R4、R5は各々同種の置換基でも
異なっていてもよく、水素、C1〜C20の直鎖もしく
は分岐した、飽和または不飽和のアルキル基、C1〜C
20のアルコキシ基、C1〜C10のアシル基、C1〜
C10のアシロキシ基、カルボキシル基、C1〜C10
のアルコキシカルボニル基を表し、またR4〜R5間で3
〜8員環の環を形成していても良い。) 下記一般式(III)で表される化合物の製造方法であ
る。
【0017】
【化9】
【0018】(式中のR1、R2、R3、R4、R5の定義
は上記のそれと同じである。)
【0019】本発明は、さらに上記で得られた上記一般
式(III)で表される化合物を脱ベンジル化反応に付
す、下記一般式(IV)で表される9−置換プリン誘導
体の製造方法である。
【0020】
【化10】
【0021】(式中のR1、R2、R4の定義は上記のそ
れと同じである。)
【0022】なお、上記の反応は一般式(III)で表
される化合物を単離することなく次の脱ベンジル化反応
に付して一般式(IV)で表される9−置換プリン誘導
体へ導くことも可能である。
【0023】また、本発明において、一般式(I)にお
いて、R1が水酸基、R2がアミノ基、モノもしくはジの
C1〜C8のアシルアミノ基、C1〜C8のアルコキシ
カルボニルアミノ基、またはアリロキシカルボニルアミ
ノ基のいずれかであり、これと反応させる一般式(I
I)で表される化合物のR4、R5がメチル基であると
き、付加反応及び還元反応によって下記一般式(V)で
表される化合物が得られるが、
【0024】
【化11】
【0025】この化合物は例えばGraham R.G
eenらの方法(Nucleosides & Nucleotides,15(5),98
1,1996)を応用することによって、下記一般式(VI)
で示されるペンシクロビル誘導体や、(VII)で示さ
れるファムシクロビル誘導体の合成法として用いること
ができ、特に有用である。
【0026】
【化12】
【0027】
【発明の実施の形態】本発明の原料として用いる上記一
般式(I)で表される化合物は、9位に糖鎖の置換した
プリンヌクレオシドまたはその誘導体を原料に合成する
ことができる。具体的にはグアノシン、イノシン、アデ
ノシン、9−(β−D−リボフラノシル)−2−アミノ
プリン等を原料に、ベンジルブロマイド、ベンジルクロ
ライド、パラ−ニトロベンジルブロマイド等のベンジル
ハライド類と反応させ、引き続き糖鎖を塩酸、硫酸等の
酸で加水分解する事により、7−ベンジルグアニン、7
−ベンジルアデニン、7−ベンジルヒポキサンチン、7
−ベンジル−2−アミノプリン、7−ベンジルキサンチ
ンやそれらの7位以外の修飾体等を合成する事ができ
る。
【0028】7位に導入されるベンジル基としては、ベ
ンジル基のベンゼン環上のオルト、メタ、パラ位のいず
れかの位置に置換基があっても良く、置換基としてはメ
チル基、ニトロ基、メトキシ基、フルオロ基、クロロ
基、ブロモ基、ヨード基等があげられ、置換基の数は一
つでも複数でもかまわない。具体的にはベンジル基、パ
ラニトロベンジル基、パラメトキシベンジル基等があげ
られる。
【0029】一般式(II)で示される化合物は、Org.
Synth.60,66,1981やJ.Org.Chem.,40(20),2969,1975等に
記載された方法により合成することができる。通常ジブ
ロモエタンとマロン酸誘導体とを反応させ1,1-シクロプ
ロパンジカルボン酸を合成し、次にカルボン酸を環化し
保護反応を行い合成される。
【0030】本発明の目的化合物である一般式(II
I)で示される化合物は、一般式(I)で示される化合
物と一般式(II)で示される化合物と反応せしめるこ
とにより得られる。一般式(I)で示される化合物はフ
リー体、或いは塩酸塩、硫酸塩といった塩としても用い
ることができるし、また場合により、プリン塩基に置換
するアミノ基を、アシル基等の通常核酸合成で用いるア
ミノ基の保護基で保護して用いてもよい。
【0031】反応は溶媒中または無溶媒で行う。溶媒と
してはジメチルスルホキシド、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリジノン、芳香族炭化水素(例えば、トルエン、キシ
レン等)、エーテル類(例えば、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン等)、アルコール類
(例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアル
コール等)、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸メ
チル、酢酸イソブチル等)、ニトリル類(例えば、アセ
トニトリル等)、ケトン類(例えば、アセトン、メチル
エチルケトン、メチルイソブチルケトン等)、ハロゲン
系溶媒(例えばクロロホルム、ジクロロメタン等)の有
機溶媒の1種或いはその混合溶媒が用いられる。プリン
塩基の溶解性から、ジメチルスルホキシド、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリジノンを用いると反応が良好に進行す
ることが多い。また無溶媒で行っても問題はない。
【0032】反応は、通常0〜200℃、作業の効率を
考えると10〜100℃の範囲で行うのが好ましい。反
応は通常0.5〜48時間で終了する。反応の濃度は通
常0.1g/dL以上の濃度か無溶媒で行われるが、好
ましくは、1g/dL程度の濃度が良い。当量比は、通
常(I)と(II)とをモル比で1対1で反応を行う
が、どちらか一方に対する収率を上げるため、他方を過
剰に用いることもできる。
【0033】本発明では、7−ベンジルプリン誘導体を
原料に用いるので9位付加体のみが90%を越える高収
率で得られ、7位付加体の生成は全くない。
【0034】本反応で得られる一般式(III)で示さ
れる化合物は新規化合物であり、プリンの9位に置換基
を有する、本発明の目的とする有用化合物の製造におい
て重要な中間体である。更には本発明の方法により初め
て容易に合成が可能となった化合物である。
【0035】なお、一般式(III)で示される化合物
は分子内でツビッターイオンを形成している化合物で、
一般的には(III)の構造を取ると考えられている
が、下記一般式(III’)の構造を取る場合もありう
る。
【0036】
【化13】
【0037】(III)は溶媒に対する溶解度が非常に
低いことから、通常上記反応の進行と共に反応系外に晶
析してくる生成物をろ過することにより容易に単離する
ことが可能である。液のスラリー性を得るために酢酸エ
チルやクロロホルム等の溶剤を加えても良い。
【0038】(III)を脱ベンジル化反応に付すこと
により、ベンジル基もしくは置換ベンジル基を脱離させ
一般式(IV)で示される目的化合物を得ることができ
る。反応は、上記で単離した(III)を用いて溶媒中
行っても良いが、(III)を合成した反応液をそのま
まの状態か、あるいは必要な溶媒を加えて、脱ベンジル
化反応に付すこともできる。
【0039】一般式(III)で、7位にベンジル基が
置換している化合物やパラ位にニトロ基等の置換したベ
ンジル基が置換している化合物のベンジル基の脱離反応
には、水素雰囲気下にパラジウム触媒による還元、ギ酸
あるいはギ酸塩存在下にパラジウム触媒による還元、ナ
トリウムとアンモニアを用いる還元といった、一般的な
脱N−ベンジル基の方法を用いることが出来る。
【0040】パラジウム触媒としては、炭素に担示され
たパラジウム、水酸化パラジウム、パラジウムブラッ
ク、リンドラー触媒、Pd−CaCO3、Pd−BaC
O3等が用いられる。触媒量は基質に対して通常1〜1
0モル%用いられる。用いる水素は常圧でも反応できる
が、加圧する事によって反応速度を上げることができ
る。通常1〜5気圧程度の圧力下で行う。なお、3,4
−ジメトキシベンジル基、オルトニトロベンジル基、ジ
(p−メトキシフェニル)メチル基等の、酸性条件や光
等で脱離できる置換ベンジル基の場合は、それぞれ対応
する方法で脱離を行う。
【0041】溶媒としては水、N,N−ジメチルホルム
アミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピ
ロリジノン、芳香族炭化水素(例えば、トルエン、キシ
レン等)、エーテル類(例えば、ジエチルエーテル、ジ
イソプロピルエーテル、ジオキサン等)、アルコール類
(例えば、メタノール、エタノール、イソプロピルアル
コール等)、カルボン酸類(例えば酢酸、プロピオン酸
等)、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸メチル、
酢酸イソブチル等)、ニトリル類(例えば、アセトニト
リル等)、ケトン類(例えば、アセトン、メチルエチル
ケトン、メチルイソブチルケトン等)の溶媒の1種或い
はその混合溶媒が用いられる。溶解性から、N,N−ジ
メチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、
N−メチルピロリジノン、カルボン酸類(例えば酢酸、
プロピオン酸等)、アルコール類(例えば、メタノー
ル、エタノール、イソプロピルアルコール等)を用いる
と反応が良好に進行することが多い。
【0042】反応は、通常0〜150℃、作業の効率を
考えると好ましくは10〜80℃の範囲で行うのが好ま
しい。反応は通常0.5〜48時間で終了する。反応の
濃度は通常1〜10g/dLの濃度で行われる。反応
後、触媒をろ過により除去し、必要であれば溶媒を濃縮
し、貧溶媒を加えるか或いは抽出操作を行い、目的生成
物を単離することが出来る。
【0043】以上、本発明により医薬として極めて有用
な9位置換プリン誘導体の選択的合成が可能となった。
以下、実施例により詳細に説明する。
【0044】
【実施例】
(合成例1)グアノシン20.1g(水分11.5%,
62.7mmol)をジメチルスルホキシド100mlに溶
解し、そこへベンジルブロミド20ml(166mmol)
を20分かけて滴下し、室温で22時間攪拌した。反応
終了後、濃塩酸50mlを加え、その溶液をメタノ−ル
600ml中に注ぎ、さらに濃塩酸25mlを加えて、
50℃で1時間加熱した。その後加熱を止め3時間攪拌
し、析出した結晶をろ過し、メタノ−ルで十分洗浄した
後、減圧下50度で乾燥を行うことにより、白色固体と
して7−ベンジルグアニン2塩酸塩17.4g(55.
5mmol、88.5%)を得た。
【0045】1HNMR(DMSO−d6):8.90
(s,1H,H−8)、7.45−7.29(m,5
H,Ph)、5.52(s,2H,PhCH2 ) MS(ESI、MH+):242
【0046】(実施例1)7−ベンジルグアニン2塩酸
塩4.37g(13.9mmol)の酢酸(9ml)溶液中
に無水酢酸4.44ml(45.1mmol)とパラトルエ
ンスルホン酸1水和物132.8mg(0.698mmo
l)を加え、105℃で3時間反応し、その後放冷し
た。その反応溶液に、水180mlを差し、5%重曹水
150mlと1N水酸化ナトリウム水溶液100mlを
加えてpH5.3に調製し、結晶をろ過し、水50ml
で洗浄した後、その結晶を減圧下55℃で5時間乾燥す
ることにより、白色固体としてN2−アセチル−7−ベ
ンジルグアニン3.77g(13.3mmol、95.7
%)を得た。
【0047】1HNMR(DMSO−d6):12.10
(brs,1H)、11.57(s,1H)、8.35
(s,1H,H−8)、7.41−7.25(m,5
H,Ph)、5.51(s,2H,PhCH2 )、2.
16(s,3H,NHCOCH3 )
【0048】
【実施例1】N2−アセチル−7−ベンジルグアニン4
73.3mg(1.42mmol、純度91.2wt
%)のDMF(2.2ml)溶液を60度Cに加熱し、
ここに2,2−ジメチル−1,3−ジオキサスピロ
[5.2]オクタン−4,6−ジオン483.0mg
(2.84mmol)を12時間かけて滴下し、更に6
0度Cで12時間加熱攪拌した。反応開始直後均一であ
った反応液から反応の進行とともに固体が析出した。室
温まで放冷した後、反応液に酢酸エチル9.0mlを加
えて析出した固体を懸濁させ、濾取した。その固体を5
0℃で2時間減圧乾燥し、5−(2−(2−アセチルア
ミノ−7−ベンジルグアニオ−9−イル)エチル)−
2,2−ジメチル−1,3−ジオキサシクロヘキサン−
4,6−ジオニド562mg(収率90%)を淡黄色固
体として得た。1 HNMR(DMSO−d6):9.62(s,1H),
7.51−7.32(m,5H),5.64(s,2
H),4.20(t,J=6.0Hz,2H),2.6
4(t,J=6.0Hz,2H),2.21(s,3
H),1.35(s,6H) MASS(ESI MH+):454
【0049】
【実施例2】5−(2−(2−アセチルアミノ−7−ベ
ンジルグアニオ−9−イル)エチル)−2,2−ジメチ
ル−1,3−ジオキサシクロヘキサン−4,6−ジオニ
ド100mg(0.22mmol)をメタノール/水の
混合液 (混合比率4/1(v/v))4.0mlに懸
濁し、これに5%Pd−C触媒50.0mg(水分5
3.5%、0.011mmol)を加え、ゴム風船によ
る常圧水素雰囲気下、60℃で一晩加熱攪拌した。室温
まで放冷した後、触媒をセライト濾過し、メタノール/
水の混合液で洗浄した。この濾液を濃縮して得られた白
色結晶を2N水酸化ナトリウム水溶液1.0mlに溶解
し、40℃で1.5時間攪拌した。室温に戻した後、2
N塩酸でpH4付近まで中和したところ、結晶が析出
し、これを濾取した(1次晶)。濾液を濃縮して得られ
た残渣に、更に2N水酸化ナトリウム水溶液と1N塩酸
を加えて、pH4付近に調製し、析出した結晶を濾取し
た(2次晶)。これらの結晶を50℃で一晩減圧乾燥し
て9−(3,3−ジカルボキシプロパ−1−イル)グア
ニンの白色結晶を1次晶、2次晶合わせて56.9mg
(収率92%)得た。1 HNMR(DMSO−d6):10.51(br s,
1H),7.63(s,1H),6.44(br s,
2H),4.00(t,J=7.6Hz,2H),3.
07−2.96(m,1H),2.24−2.11
(m,2H)13 CNMR(DMSO−d6):170.26,15
6.76,153.48,151.14,137.3
1,116.54,49.04,40.94,28.5
5 MASS(ESI MH+):282
【0050】
【実施例3】N2−アセチル−7−ベンジルグアニン7
10.0mg(2.13mmol、純度91.2wt
%)のDMF(10ml)溶液を60度Cに加熱し、こ
こに2,2−ジメチル−1,3−ジオキサスピロ[5.
2]オクタン−4,6−ジオン724.5mg(4.2
6mmol)を12時間かけて滴下し、更に60度Cで
12時間加熱攪拌した。反応開始直後均一であった反応
液から反応の進行とともに固体が析出した。室温まで放
冷した後メタノール/水の混合液 (混合比率4/1
(v/v))50mlを加え、これに5%Pd−C触媒
75.0mg(水分53.5%、0.017mmol)
を加え、ゴム風船による常圧水素雰囲気下、60℃で一
晩加熱攪拌した。室温まで放冷した後、触媒をセライト
濾過し、メタノール/水の混合液で洗浄した。この濾液
を濃縮して得られた白色結晶を2N水酸化ナトリウム水
溶液に溶解し、50℃で2時間攪拌した。室温に戻した
後、2N塩酸でpH4付近まで中和し析出した結晶を濾
取し50℃で一晩減圧乾燥して9−(3,3−ジカルボ
キシプロパ−1−イル)グアニンの白色結晶を500m
g(収率86%)得た。1 HNMR(DMSO−d6):10.51(br s,
1H),7.63(s,1H),6.44(br s,
2H),4.00(t,J=7.6Hz,2H),3.
07−2.96(m,1H),2.24−2.11
(m,2H)13 CNMR(DMSO−d6):170.26,15
6.76,153.48,151.14,137.3
1,116.54,49.04,40.94,28.5
5 MASS(ESI MH+):282
【発明の効果】医薬として極めて有用な9位に置換基を
有するプリン誘導体を選択的に合成することが可能とな
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井澤 邦輔 神奈川県川崎市川崎区鈴木町1−1 味の 素株式会社中央研究所内

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記一般式(I)で表される7−ベンジ
    ルプリン誘導体と、 【化1】 (式中、R1は水素、水酸基、C1〜C8の飽和もしく
    は不飽和の低級アルコキシ基、C1〜C8の飽和もしく
    は不飽和の低級アシロキシ基、シロキシ基、フルオロ
    基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、アミノ基、モノも
    しくはジのC1〜C8のアシルアミノ基、C1〜C8の
    アルコキシカルボニルアミノ基、アリロキシカルボニル
    アミノ基、またはC1〜C8の飽和もしくは不飽和の低
    級アルキル基のいずれかを表し、R2は水素、水酸基、
    C1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級アルコキシ基、
    C1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級アシロキシ基、
    シロキシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード
    基、アミノ基、モノもしくはジのC1〜C8のアシルア
    ミノ基、C1〜C8のアルコキシカルボニルアミノ基、
    アリロキシカルボニルアミノ基、またはC1〜C8の飽
    和もしくは不飽和の低級アルキル基のいずれかを表し、
    R3は水素、C1〜C6の低級アルキル基、C1〜C6
    の低級アルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、ス
    ルホン酸基、カルボキシル基、C1〜C6のアルコキシ
    カルボニル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、また
    はヨード基のいずれかを表す。) 下記一般式(II)で表されるシクロプロパンカルボン
    酸型化合物とを反応させる、 【化2】 (式中、R4、R5は各々同種の置換基でも異なっていて
    もよく、水素、C1〜C20の直鎖もしくは分岐した、
    飽和または不飽和のアルキル基、C1〜C20のアルコ
    キシ基、C1〜C10のアシル基、C1〜C10のアシ
    ロキシ基、カルボキシル基、C1〜C10のアルコキシ
    カルボニル基を表し、またR4〜R5間で3〜8員環の環
    を形成していても良い。) 下記一般式(III)で表される化合物の製造方法。 【化3】 (式中のR1、R2、R3、R4、R5は上記の定義と同じ
    である。)
  2. 【請求項2】 請求項1記載の製造方法で得られた下記
    一般式(III)で表される化合物を脱ベンジル化反応
    に付す、 【化4】 (式中のR1、R2、R3、R4、R5は上記の定義と同じ
    である。) 下記一般式(IV)で表される9−置換プリン誘導体の
    製造方法。 【化5】 (式中のR1、R2、R4は上記のそれと同じである。)
  3. 【請求項3】 下記一般式(III)で表される化合
    物。 【化6】 (式中R1は水素、水酸基、C1〜C8の飽和もしくは
    不飽和の低級アルコキシ基、C1〜C8の飽和もしくは
    不飽和の低級アシロキシ基、シロキシ基、フルオロ基、
    クロロ基、ブロモ基、ヨード基、アミノ基、モノもしく
    はジのC1〜C8のアシルアミノ基、C1〜C8のアル
    コキシカルボニルアミノ基、アリロキシカルボニルアミ
    ノ基、またはC1〜C8の飽和もしくは不飽和の低級ア
    ルキル基のいずれかを表し、R2は水素、水酸基、C1
    〜C8の飽和もしくは不飽和の低級アルコキシ基、C1
    〜C8の飽和もしくは不飽和の低級アシロキシ基、シロ
    キシ基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、ヨード基、
    アミノ基、モノもしくはジのC1〜C8のアシルアミノ
    基、C1〜C8のアルコキシカルボニルアミノ基、アリ
    ロキシカルボニルアミノ基、またはC1〜C8の飽和も
    しくは不飽和の低級アルキル基のいずれかを表し、R3
    は水素、C1〜C6の低級アルキル基、C1〜C6の低
    級アルコキシ基、水酸基、ニトロ基、アミノ基、スルホ
    ン酸基、カルボキシル基、C1〜C6のアルコキシカル
    ボニル基、フルオロ基、クロロ基、ブロモ基、またはヨ
    ード基のいずれかを表し、R4、R5は各々同種の置換基
    でも異なっていてもよく、水素、C1〜C20の直鎖も
    しくは分岐した、飽和または不飽和のアルキル基、C1
    〜C20のアルコキシ基、C1〜C10のアシル基、C
    1〜C10のアシロキシ基、カルボキシル基、C1〜C
    10のアルコキシカルボニル基を表し、またR4〜R5間
    で3〜8員環の環を形成していても良い)
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2008128428A1 (en) 2007-04-20 2008-10-30 Zhe Jiang Medicine Co., Ltd Xinchang Pharmaceutical Factory 2, 6-dinitrogen-containing substituted purine derivatives, the preparation and uses thereof

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