JPH10124948A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH10124948A JPH10124948A JP8276294A JP27629496A JPH10124948A JP H10124948 A JPH10124948 A JP H10124948A JP 8276294 A JP8276294 A JP 8276294A JP 27629496 A JP27629496 A JP 27629496A JP H10124948 A JPH10124948 A JP H10124948A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10584—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the form, e.g. comprising mechanical protection elements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/007—Arrangement of the information on the record carrier, e.g. form of tracks, actual track shape, e.g. wobbled, or cross-section, e.g. v-shaped; Sequential information structures, e.g. sectoring or header formats within a track
Abstract
(57)【要約】
【課題】 厚い磁性層を有していても良好なＬ＆Ｇ記録
再生が可能な光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明な基板上に凹凸溝を有し、該凹凸溝
の凹部及び凸部がいずれも実質的に平坦な領域を有し、
かつその両方に記録を行う媒体であって、該基板上に少
なくとも誘電体よりなる干渉層及び希土類金属と遷移金
属のアモルファス合金磁性体よりなる厚さ５０ｎｍ以上
の磁性層がこの順に設けられ、基板の屈折率、干渉層の
屈折率、干渉層の膜厚が特定の関係を満足する光磁気記
録媒体。
再生が可能な光磁気記録媒体を提供する。 【解決手段】 透明な基板上に凹凸溝を有し、該凹凸溝
の凹部及び凸部がいずれも実質的に平坦な領域を有し、
かつその両方に記録を行う媒体であって、該基板上に少
なくとも誘電体よりなる干渉層及び希土類金属と遷移金
属のアモルファス合金磁性体よりなる厚さ５０ｎｍ以上
の磁性層がこの順に設けられ、基板の屈折率、干渉層の
屈折率、干渉層の膜厚が特定の関係を満足する光磁気記
録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は情報記録に利用する
光磁気記録媒体に関する。
光磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は、高密度、低コストの
書き換え可能な情報記録媒体として実用化されている。
特に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の磁性層
を用いた媒体は非常に優れた特性を示している。光磁気
ディスクは非常に大容量の記録媒体であるが、社会の情
報量の増大に伴いさらなる大容量化が望まれている。
書き換え可能な情報記録媒体として実用化されている。
特に希土類金属と遷移金属のアモルファス合金の磁性層
を用いた媒体は非常に優れた特性を示している。光磁気
ディスクは非常に大容量の記録媒体であるが、社会の情
報量の増大に伴いさらなる大容量化が望まれている。
【０００３】光磁気記録媒体は通常螺旋状、あるいは同
心円状に凹凸溝が設けられており、記録再生を行う光ピ
ックアップはこの溝からの回折光によりサーボ信号を得
る。この結果、光ピックアップは溝の凹部（グルーブ）
あるいは凸部（ランド）のいずれかの上を追従して走査
し、溝に沿って記録再生が行われる。この記録再生が行
われるグルーブあるいはランドを記録トラックと呼ぶ。
心円状に凹凸溝が設けられており、記録再生を行う光ピ
ックアップはこの溝からの回折光によりサーボ信号を得
る。この結果、光ピックアップは溝の凹部（グルーブ）
あるいは凸部（ランド）のいずれかの上を追従して走査
し、溝に沿って記録再生が行われる。この記録再生が行
われるグルーブあるいはランドを記録トラックと呼ぶ。
【０００４】従来情報の記録はランドあるいはグルーブ
のいずれか片方に行われてきた。この理由は、ランドと
グルーブの両方に記録すると、相互の記録マークが近す
ぎて、例えばランド再生時にグルーブの信号の漏れ込み
（クロストーク）が強くなり正確な再生が不可能であっ
たからである。
のいずれか片方に行われてきた。この理由は、ランドと
グルーブの両方に記録すると、相互の記録マークが近す
ぎて、例えばランド再生時にグルーブの信号の漏れ込み
（クロストーク）が強くなり正確な再生が不可能であっ
たからである。
【０００５】ところが近年、溝の深さを適当な値（ほぼ
λ／６、λは再生光波長）とすることで、光の干渉によ
りクロストークが劇的に減少しランドとグルーブの両方
に記録再生することが可能であることが見いだされた。
この手法では従来のトラックピッチを用いて記録容量を
２倍に増加できるため、大容量化の有力な手法として注
目されている。この方式を以下Ｌ＆Ｇ記録と呼ぶ。
λ／６、λは再生光波長）とすることで、光の干渉によ
りクロストークが劇的に減少しランドとグルーブの両方
に記録再生することが可能であることが見いだされた。
この手法では従来のトラックピッチを用いて記録容量を
２倍に増加できるため、大容量化の有力な手法として注
目されている。この方式を以下Ｌ＆Ｇ記録と呼ぶ。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記Ｌ＆Ｇ記録での光
干渉によるクロストーク低減効果が充分機能する条件は
かなり厳しく、基板の複屈折や磁性層のカー回転に伴う
楕円化が発生すると簡単に条件が崩れる。例えばグルー
ブ再生時のランドからのクロストークを低減する溝深さ
とランド再生時にグルーブからのクロストークを低減す
る溝深さがずれてしまい、両者を満たす溝深さが存在し
なくなってしまう。
干渉によるクロストーク低減効果が充分機能する条件は
かなり厳しく、基板の複屈折や磁性層のカー回転に伴う
楕円化が発生すると簡単に条件が崩れる。例えばグルー
ブ再生時のランドからのクロストークを低減する溝深さ
とランド再生時にグルーブからのクロストークを低減す
る溝深さがずれてしまい、両者を満たす溝深さが存在し
なくなってしまう。
【０００７】これを防ぐには基板の複屈折をなるべく低
減し、かつカー楕円率を零に近づけることが好ましい。
垂直磁気記録媒体に直線偏光を入射した際、カー効果に
より反射光には入射光に直交する偏光成分が発生する。
入射光に平行な成分と直交する成分の位相が一致すれば
反射光は直線偏光となりカー楕円率は零となる。両成分
の位相差が大きければカー楕円率は大きくなる。
減し、かつカー楕円率を零に近づけることが好ましい。
垂直磁気記録媒体に直線偏光を入射した際、カー効果に
より反射光には入射光に直交する偏光成分が発生する。
入射光に平行な成分と直交する成分の位相が一致すれば
反射光は直線偏光となりカー楕円率は零となる。両成分
の位相差が大きければカー楕円率は大きくなる。
【０００８】本明細書中では以下この位相差Δφをもっ
てカー楕円率を表す。基板の複屈折については、成形条
件によっては非常に小さくすることが可能である。問題
はカー楕円率であるが、通常用いられる記録媒体は、基
板上に第１干渉層、磁性層、第２干渉層、反射層が設け
られており、磁性層が３０ｎｍ以下程度の薄い膜である
ので、膜厚の組み合わせを適当に調整すれば、内部での
光の多重干渉を利用して位相差Δφをほぼ零とすること
が可能である。
てカー楕円率を表す。基板の複屈折については、成形条
件によっては非常に小さくすることが可能である。問題
はカー楕円率であるが、通常用いられる記録媒体は、基
板上に第１干渉層、磁性層、第２干渉層、反射層が設け
られており、磁性層が３０ｎｍ以下程度の薄い膜である
ので、膜厚の組み合わせを適当に調整すれば、内部での
光の多重干渉を利用して位相差Δφをほぼ零とすること
が可能である。
【０００９】例えば再生光波長λが７８０ｎｍであると
き、第１干渉層を膜厚９０ｎｍで屈折率２．０（例えば
窒化Ｓｉ）、磁性層を膜厚２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ、第
２干渉層を膜厚３０ｎｍで屈折率２．０（例えば窒化Ｓ
ｉ）、反射層を５０ｎｍのＡｌとすれば、カー楕円率は
概ね零となる。従って通常の反射膜を用いる媒体に関し
てはＬ＆Ｇ記録への適用について原理的に問題は無い。
き、第１干渉層を膜厚９０ｎｍで屈折率２．０（例えば
窒化Ｓｉ）、磁性層を膜厚２５ｎｍのＴｂＦｅＣｏ、第
２干渉層を膜厚３０ｎｍで屈折率２．０（例えば窒化Ｓ
ｉ）、反射層を５０ｎｍのＡｌとすれば、カー楕円率は
概ね零となる。従って通常の反射膜を用いる媒体に関し
てはＬ＆Ｇ記録への適用について原理的に問題は無い。
【００１０】本発明者等はさらに進んで近年実用化され
つつある光変調オーバーライト（ＬＩＭＤＯＷ）可能な
光磁気記録媒体、あるいは磁気誘導超解像（ＭＳＲ）媒
体と、このＬ＆Ｇ記録の組み合わせを試みた。こういっ
た組み合わせが可能であれば、Ｌ＆Ｇ記録にオーバーラ
イト機能、あるいはＭＳＲによるさらなる大容量化とい
った付加価値を与えることが可能となる。
つつある光変調オーバーライト（ＬＩＭＤＯＷ）可能な
光磁気記録媒体、あるいは磁気誘導超解像（ＭＳＲ）媒
体と、このＬ＆Ｇ記録の組み合わせを試みた。こういっ
た組み合わせが可能であれば、Ｌ＆Ｇ記録にオーバーラ
イト機能、あるいはＭＳＲによるさらなる大容量化とい
った付加価値を与えることが可能となる。
【００１１】ところが、ＬＩＭＤＯＷあるいはＭＳＲ等
の媒体は交換結合した多層膜を用いるため、磁性層の膜
厚は通常５０ｎｍを越すような厚いものとなる。この場
合、光が磁性層を殆ど透過しないので、たとえ反射層を
設けても上記の様な干渉効果によるカー楕円率低減は殆
ど期待できない。こういった磁性層の厚い媒体において
磁性層と基板の間に干渉層を設ける場合、干渉層の膜厚
は反射率が極小になるように選ばれていた。反射率を極
小とすることで記録光の利用効率が上がり記録感度が向
上する上、ノイズが下がり再生信号のＳＮ比が向上でき
る。
の媒体は交換結合した多層膜を用いるため、磁性層の膜
厚は通常５０ｎｍを越すような厚いものとなる。この場
合、光が磁性層を殆ど透過しないので、たとえ反射層を
設けても上記の様な干渉効果によるカー楕円率低減は殆
ど期待できない。こういった磁性層の厚い媒体において
磁性層と基板の間に干渉層を設ける場合、干渉層の膜厚
は反射率が極小になるように選ばれていた。反射率を極
小とすることで記録光の利用効率が上がり記録感度が向
上する上、ノイズが下がり再生信号のＳＮ比が向上でき
る。
【００１２】従来のランドあるいはグルーブのみに記録
を行う記録方式では多少のカー楕円化があっても問題無
い。すなわちカー楕円化はキャリアの低下を伴うが、２
０度(deg.)以下の位相差ではキャリアの低下は特性にさ
ほど影響しないレベルである。しかしながら、Ｌ＆Ｇへ
の適用を考えると、１０度を超える位相差はクロストー
クの増加という点から致命的である。しかし、従来の手
法では位相差の低減ができず、このままではＬ＆Ｇ記録
への適用は不可能であった。
を行う記録方式では多少のカー楕円化があっても問題無
い。すなわちカー楕円化はキャリアの低下を伴うが、２
０度(deg.)以下の位相差ではキャリアの低下は特性にさ
ほど影響しないレベルである。しかしながら、Ｌ＆Ｇへ
の適用を考えると、１０度を超える位相差はクロストー
クの増加という点から致命的である。しかし、従来の手
法では位相差の低減ができず、このままではＬ＆Ｇ記録
への適用は不可能であった。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板と磁性層
の間の干渉層を最適化することによりカー楕円率を低減
してＬ＆Ｇ記録への適用を可能にするものである。本発
明の要旨は、透明な基板上にサーボ用の凹凸溝を有し、
該凹凸溝の凹部及び凸部がいずれも実質的に平坦な領域
を有し、かつその両方に記録を行う光磁気記録媒体であ
って、該基板上に少なくとも誘電体よりなる干渉層及び
希土類金属と遷移金属のアモルファス合金磁性体よりな
る厚さ５０ｎｍ以上の磁性層がこの順に設けられてお
り、基板の屈折率をＮsub、干渉層の屈折率をＮ、干渉
層の膜厚をｄ（ｎｍ）、再生光の空気中での波長をλ
（ｎｍ）とすると、 ０．５≦Ｎ−Ｎsub≦１．０ ０．５≦ｄ×（Ｎ2／λ） ｄ×Ｎ／λ≦０．３２ なる関係を満足することを特徴とする光磁気記録媒体に
存する。
の間の干渉層を最適化することによりカー楕円率を低減
してＬ＆Ｇ記録への適用を可能にするものである。本発
明の要旨は、透明な基板上にサーボ用の凹凸溝を有し、
該凹凸溝の凹部及び凸部がいずれも実質的に平坦な領域
を有し、かつその両方に記録を行う光磁気記録媒体であ
って、該基板上に少なくとも誘電体よりなる干渉層及び
希土類金属と遷移金属のアモルファス合金磁性体よりな
る厚さ５０ｎｍ以上の磁性層がこの順に設けられてお
り、基板の屈折率をＮsub、干渉層の屈折率をＮ、干渉
層の膜厚をｄ（ｎｍ）、再生光の空気中での波長をλ
（ｎｍ）とすると、 ０．５≦Ｎ−Ｎsub≦１．０ ０．５≦ｄ×（Ｎ2／λ） ｄ×Ｎ／λ≦０．３２ なる関係を満足することを特徴とする光磁気記録媒体に
存する。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明について詳細に説明
する。前述したように、Ｌ＆Ｇ記録においてクロストー
クを十分に低減するためには、位相差Δφの絶対値が１
０度以下である必要がある。すなわち、 ｜Δφ｜≦１０ (度) ・・・（第１式） である。より好ましくはΔφの絶対値が７度以下であ
る。
する。前述したように、Ｌ＆Ｇ記録においてクロストー
クを十分に低減するためには、位相差Δφの絶対値が１
０度以下である必要がある。すなわち、 ｜Δφ｜≦１０ (度) ・・・（第１式） である。より好ましくはΔφの絶対値が７度以下であ
る。
【００１５】先に述べた様にＬＩＭＤＯＷ媒体やＭＳＲ
媒体等では反射層を用いた干渉効果によってカー楕円率
を低減することが不可能なほど磁性層が厚くなってしま
う。発明者はこの場合の位相差の低減法を鋭意検討した
結果、基板と干渉層の屈折率差を適当な値に設定し、か
つ従来用いられていた反射率極小となる干渉層膜厚と異
なる適当な膜厚を用いることで第１式を満足することが
できることを見いだした。
媒体等では反射層を用いた干渉効果によってカー楕円率
を低減することが不可能なほど磁性層が厚くなってしま
う。発明者はこの場合の位相差の低減法を鋭意検討した
結果、基板と干渉層の屈折率差を適当な値に設定し、か
つ従来用いられていた反射率極小となる干渉層膜厚と異
なる適当な膜厚を用いることで第１式を満足することが
できることを見いだした。
【００１６】定性的に述べると、基板と干渉層、干渉層
と磁性層の屈折率差により、この３層の間の多重干渉を
適切に生じさせ、磁性層で発生する位相差をキャンセル
するものである。図１は、干渉層の屈折率Ｎと膜厚ｄに
対する位相差(Phase difference)Δφの変化の一例を示
した図である。ただし、再生光波長は６８０ｎｍであ
り、Ｎsubは一定である。
と磁性層の屈折率差により、この３層の間の多重干渉を
適切に生じさせ、磁性層で発生する位相差をキャンセル
するものである。図１は、干渉層の屈折率Ｎと膜厚ｄに
対する位相差(Phase difference)Δφの変化の一例を示
した図である。ただし、再生光波長は６８０ｎｍであ
り、Ｎsubは一定である。
【００１７】干渉層の膜厚ｄを増やすに従ってΔφは減
少し、ある膜厚で極小値を取った後増加に転じる。干渉
層の屈折率Ｎを大きくするに従ってΔφの極小値は小さ
くなる。すなわち、基板の屈折率Ｎsubと干渉層の屈折
率Ｎの差（Ｎ−Ｎsub）が大きくなるに従ってΔφの極
小値は小さくなる。
少し、ある膜厚で極小値を取った後増加に転じる。干渉
層の屈折率Ｎを大きくするに従ってΔφの極小値は小さ
くなる。すなわち、基板の屈折率Ｎsubと干渉層の屈折
率Ｎの差（Ｎ−Ｎsub）が大きくなるに従ってΔφの極
小値は小さくなる。
【００１８】図１からも分かるとおり、Ｎ−Ｎsubが小
さすぎる場合Δφの極小値が１０度以下にならず第１式
を満たすことがないため、Ｌ＆Ｇ記録に使用できない。
一方、Ｎ−Ｎsubが大きすぎる場合、Δφの極小値が負
の方向で大きくなり過ぎ、｜Δφ｜は逆に大きくなって
しまう。この場合膜厚を適当に選べばΔφの極小値が１
０度以下となり第１式を満足できるが、膜厚のマージン
が殆ど無く実際に製造するのは不可能である。
さすぎる場合Δφの極小値が１０度以下にならず第１式
を満たすことがないため、Ｌ＆Ｇ記録に使用できない。
一方、Ｎ−Ｎsubが大きすぎる場合、Δφの極小値が負
の方向で大きくなり過ぎ、｜Δφ｜は逆に大きくなって
しまう。この場合膜厚を適当に選べばΔφの極小値が１
０度以下となり第１式を満足できるが、膜厚のマージン
が殆ど無く実際に製造するのは不可能である。
【００１９】従ってΔφの極小値が第１式を満たすよう
Ｎ−Ｎsubを設定する必要がある。この条件は、 ０．５≦Ｎ−Ｎsub≦１．０ である。より好ましくは、 ０．６≦Ｎ−Ｎsub≦０．９ であり、さらに好ましくは、 ０．７≦Ｎ−Ｎsub≦０．９ である。
Ｎ−Ｎsubを設定する必要がある。この条件は、 ０．５≦Ｎ−Ｎsub≦１．０ である。より好ましくは、 ０．６≦Ｎ−Ｎsub≦０．９ であり、さらに好ましくは、 ０．７≦Ｎ−Ｎsub≦０．９ である。
【００２０】図１より分かるように、干渉層の好ましい
膜厚は位相差極小の付近で第１式を満たす範囲である。
検討の結果、干渉層膜厚の下限は位相差で制限され、Ｎ
2の関数で近似的に表せることが分かった。位相差の動
きは干渉層の光学的な膜厚であるｄ×（Ｎ／λ）で決ま
るが、位相差の極小値は１／Ｎのほぼ１次の関数として
変化するからである。
膜厚は位相差極小の付近で第１式を満たす範囲である。
検討の結果、干渉層膜厚の下限は位相差で制限され、Ｎ
2の関数で近似的に表せることが分かった。位相差の動
きは干渉層の光学的な膜厚であるｄ×（Ｎ／λ）で決ま
るが、位相差の極小値は１／Ｎのほぼ１次の関数として
変化するからである。
【００２１】つまり、図１に示すように、位相差が１０
度を横切るあたりの位相差の変化は近似的に膜厚の一次
関数とみなせ、Ｊ、Ｋを定数とすると、 Δφ＝ＪＮｄ／λ−Ｋ（１／Ｎ） と表せる。Δφ＝１０度とすると、 ＪＮｄ／λ＝１０＋Ｋ（１／Ｎ） となる。従って、 ｄ×（Ｎ2／λ）＝（１／Ｊ）（１０Ｎ＋Ｋ） であるが、１０ＮよりもＫがかなり大きいため右辺は近
似的にはＮによらない値であると考えて良い。従って、
最適膜厚はｄ×（Ｎ2／λ）によって表現できる。
度を横切るあたりの位相差の変化は近似的に膜厚の一次
関数とみなせ、Ｊ、Ｋを定数とすると、 Δφ＝ＪＮｄ／λ−Ｋ（１／Ｎ） と表せる。Δφ＝１０度とすると、 ＪＮｄ／λ＝１０＋Ｋ（１／Ｎ） となる。従って、 ｄ×（Ｎ2／λ）＝（１／Ｊ）（１０Ｎ＋Ｋ） であるが、１０ＮよりもＫがかなり大きいため右辺は近
似的にはＮによらない値であると考えて良い。従って、
最適膜厚はｄ×（Ｎ2／λ）によって表現できる。
【００２２】すなわち、 ０．５≦ｄ×（Ｎ2／λ） ・・・（第２式） を満足する膜厚ｄである。より好ましい範囲は、 ０．５５≦ｄ×（Ｎ2／λ） であり、さらに好ましい範囲は、 ０．６≦ｄ×（Ｎ2／λ） である。
【００２３】一方、干渉層膜厚の上限値は、反射率によ
り制限されることが分かった。反射率が上がり過ぎると
記録感度あるいはＳＮ比の低下を招いてしまうのであ
る。従って反射率は３５％以下である必要がある（この
値は膜面からの反射率であり、基板の光入射面からの反
射は含まない）。この条件を満たす干渉層膜厚は、光学
的な膜厚であるｄ×（Ｎ／λ）で表現すると、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．３２ ・・・（第３式） である。
り制限されることが分かった。反射率が上がり過ぎると
記録感度あるいはＳＮ比の低下を招いてしまうのであ
る。従って反射率は３５％以下である必要がある（この
値は膜面からの反射率であり、基板の光入射面からの反
射は含まない）。この条件を満たす干渉層膜厚は、光学
的な膜厚であるｄ×（Ｎ／λ）で表現すると、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．３２ ・・・（第３式） である。
【００２４】より好ましくは反射率が３０％以下であ
り、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．２８ である。さらに好ましくは、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．２６ である。
り、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．２８ である。さらに好ましくは、 ｄ×（Ｎ／λ）≦０．２６ である。
【００２５】本発明は特に、５０ｎｍ以上の厚い磁性層
を有する媒体において、低いクロストークを得るという
効果を有する。しかしながら位相差Δφは、磁性層の膜
厚ｄ’（ｎｍ）にも多少影響される。Δφを小さくする
ためには磁性層の膜厚ｄ’は、 ０．０７５≦ｄ’／λ≦０．１５ ・・・（第４式） であることが好ましい。さらに好ましくは、 ０．０８≦ｄ’／λ≦０．１３ 特に好ましくは、 ０．０９≦ｄ’／λ≦０．１２ である。
を有する媒体において、低いクロストークを得るという
効果を有する。しかしながら位相差Δφは、磁性層の膜
厚ｄ’（ｎｍ）にも多少影響される。Δφを小さくする
ためには磁性層の膜厚ｄ’は、 ０．０７５≦ｄ’／λ≦０．１５ ・・・（第４式） であることが好ましい。さらに好ましくは、 ０．０８≦ｄ’／λ≦０．１３ 特に好ましくは、 ０．０９≦ｄ’／λ≦０．１２ である。
【００２６】なお、磁性層膜厚の好ましい範囲が磁性層
の屈折率を考慮していないのは、希土類金属と遷移金属
の合金を用いる限り磁性層の屈折率は大きく変化しない
からである。干渉層を屈折率の異なる２層以上の層で形
成する事も考えられる。この場合、屈折率Ｎは、各々の
層の屈折率をＮ１、Ｎ２、・・・、膜厚をｄ１、ｄ２、
・・・として、 Ｎ＝（Ｎ１ｄ１＋Ｎ２ｄ２＋・・・）／（ｄ１＋ｄ２＋
・・・） で表される平均的な屈折率で定義する。また、膜厚ｄ
は、 ｄ＝ｄ１＋ｄ２＋・・・ のように、全ての干渉層の合計膜厚で定義する。
の屈折率を考慮していないのは、希土類金属と遷移金属
の合金を用いる限り磁性層の屈折率は大きく変化しない
からである。干渉層を屈折率の異なる２層以上の層で形
成する事も考えられる。この場合、屈折率Ｎは、各々の
層の屈折率をＮ１、Ｎ２、・・・、膜厚をｄ１、ｄ２、
・・・として、 Ｎ＝（Ｎ１ｄ１＋Ｎ２ｄ２＋・・・）／（ｄ１＋ｄ２＋
・・・） で表される平均的な屈折率で定義する。また、膜厚ｄ
は、 ｄ＝ｄ１＋ｄ２＋・・・ のように、全ての干渉層の合計膜厚で定義する。
【００２７】また、本発明に用いられる再生光波長λは
６３０〜８００ｎｍ程度であるのが好ましく、一般的に
は例えば７８０ｎｍ、６８０ｎｍ、６３０ｎｍなどの波
長が使用される。以下、本発明の内容をさらに詳細に説
明する。本発明に好ましく用いられる基板はポリカーボ
ネート、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン系のプラスチック、
ガラス等の記録再生光に対し概ね透明なものである。基
板上には前記サーボ用の凹凸溝が設けられており、凹凸
溝の凹部（グルーブ）及び凸部（ランド）がいずれも平
坦な領域を有している。
６３０〜８００ｎｍ程度であるのが好ましく、一般的に
は例えば７８０ｎｍ、６８０ｎｍ、６３０ｎｍなどの波
長が使用される。以下、本発明の内容をさらに詳細に説
明する。本発明に好ましく用いられる基板はポリカーボ
ネート、ＰＭＭＡ、ポリオレフィン系のプラスチック、
ガラス等の記録再生光に対し概ね透明なものである。基
板上には前記サーボ用の凹凸溝が設けられており、凹凸
溝の凹部（グルーブ）及び凸部（ランド）がいずれも平
坦な領域を有している。
【００２８】ランドとグルーブでの再生信号をほぼ等し
くするために、平坦領域の幅はほぼ等しいことが好まし
い。クロストークを効率的に減少させるためにはランド
とグルーブの境界の壁は平坦部に対し概ね垂直であるこ
とが好ましい。溝深さは基板の屈折率Ｎsubと再生光波
長λを用いて λ／（６×Ｎsub） 近傍が好ましい。このとき、ランドからグルーブへのク
ロストークと、グルーブからランドへのクロストークを
両方低減することができ、Ｌ＆Ｇ記録が可能となる。具
体的にはλ／（６×Ｎsub）に対し±１０％以下の溝深
さが好ましい。
くするために、平坦領域の幅はほぼ等しいことが好まし
い。クロストークを効率的に減少させるためにはランド
とグルーブの境界の壁は平坦部に対し概ね垂直であるこ
とが好ましい。溝深さは基板の屈折率Ｎsubと再生光波
長λを用いて λ／（６×Ｎsub） 近傍が好ましい。このとき、ランドからグルーブへのク
ロストークと、グルーブからランドへのクロストークを
両方低減することができ、Ｌ＆Ｇ記録が可能となる。具
体的にはλ／（６×Ｎsub）に対し±１０％以下の溝深
さが好ましい。
【００２９】ランド中心と隣接するランド中心の間隔
（あるいはグルーブ中心と隣接するグルーブ中心の間
隔）は狭いほど高密度化できて好ましいが、クロストー
クあるいは再生信号レベルの問題から再生光波長λの
１．７倍以上であることが好ましく、さらに好ましく
は、１．８倍以上である。基板の垂直複屈折は４５０×
１０-6以下が好ましく、さらに好ましくは４００×１０
-6以下である。基板の面内複屈折は２０×１０-6以下が
好ましく、さらに好ましくは１０×１０-6以下である。
（あるいはグルーブ中心と隣接するグルーブ中心の間
隔）は狭いほど高密度化できて好ましいが、クロストー
クあるいは再生信号レベルの問題から再生光波長λの
１．７倍以上であることが好ましく、さらに好ましく
は、１．８倍以上である。基板の垂直複屈折は４５０×
１０-6以下が好ましく、さらに好ましくは４００×１０
-6以下である。基板の面内複屈折は２０×１０-6以下が
好ましく、さらに好ましくは１０×１０-6以下である。
【００３０】また、面内複屈折の主軸の方向が入射光の
偏光面に対しなす角度が１０度以下であることが好まし
い。基板の面内複屈折により生じる位相差Δφsubは、
記録膜により生じる位相差Δφと打ち消し合う方向であ
ることが好ましい。例えば、基板を光ディスクに代表的
に用いられる屈折率１．５８のポリカーボネートとした
場合、干渉層の屈折率Ｎの範囲は第１式より、２．０８
以上、２．５８以下となる。
偏光面に対しなす角度が１０度以下であることが好まし
い。基板の面内複屈折により生じる位相差Δφsubは、
記録膜により生じる位相差Δφと打ち消し合う方向であ
ることが好ましい。例えば、基板を光ディスクに代表的
に用いられる屈折率１．５８のポリカーボネートとした
場合、干渉層の屈折率Ｎの範囲は第１式より、２．０８
以上、２．５８以下となる。
【００３１】これを満足する材料としては、例えば窒化
Ｓｉ、窒化Ａｌ、酸化Ｓｉ、炭化Ｓｉ、酸化Ｔａ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ等の単体あるいはこれらの混合物が好まし
く用いられる。中でも、窒化Ｓｉ、酸化Ｓｉ、酸化Ｔ
ａ、ＺｎＳが好ましい。窒素の含有量が化学量論的組成
比（Ｓｉ3Ｎ4）よりも少ない窒化Ｓｉを用いることが高
い屈折率を得られることから特に好ましい。すなわち、
窒素の含有量はＳｉを１とすると原子比で０．６以上
１．０以下であることが好ましい。
Ｓｉ、窒化Ａｌ、酸化Ｓｉ、炭化Ｓｉ、酸化Ｔａ、Ｚｎ
Ｓ、ＺｎＳｅ等の単体あるいはこれらの混合物が好まし
く用いられる。中でも、窒化Ｓｉ、酸化Ｓｉ、酸化Ｔ
ａ、ＺｎＳが好ましい。窒素の含有量が化学量論的組成
比（Ｓｉ3Ｎ4）よりも少ない窒化Ｓｉを用いることが高
い屈折率を得られることから特に好ましい。すなわち、
窒素の含有量はＳｉを１とすると原子比で０．６以上
１．０以下であることが好ましい。
【００３２】こういった窒化Ｓｉを作製するには、Ｓｉ
ターゲットを不活性ガスと窒素の混合ガスで反応性スパ
ッタリングを行い、基板上に窒化Ｓｉを形成するのが好
ましい。窒素の含有量は不活性ガス（通常はＡｒ）に対
する窒素の混合比やスパッタリング時の圧力で調整する
ことが可能である。干渉層の好ましい膜厚は第２式及び
第３式で与えられる。
ターゲットを不活性ガスと窒素の混合ガスで反応性スパ
ッタリングを行い、基板上に窒化Ｓｉを形成するのが好
ましい。窒素の含有量は不活性ガス（通常はＡｒ）に対
する窒素の混合比やスパッタリング時の圧力で調整する
ことが可能である。干渉層の好ましい膜厚は第２式及び
第３式で与えられる。
【００３３】例えば再生波長λ＝６８０ｎｍ、干渉層屈
折率Ｎ＝２．４であるとき干渉層膜厚ｄは５９．０ｎｍ
以上、９４．４ｎｍ以下である。磁性層は希土類金属と
遷移金属の合金からなる。再生光が磁性層を透過し、多
重干渉を起こすような条件では本発明の最適条件は成り
立たないので、磁性層の膜厚は５０ｎｍ以上であること
が必要である。ただし、記録感度あるいは製造コスト面
から、膜厚は３００ｎｍ以下であることが好ましい。
折率Ｎ＝２．４であるとき干渉層膜厚ｄは５９．０ｎｍ
以上、９４．４ｎｍ以下である。磁性層は希土類金属と
遷移金属の合金からなる。再生光が磁性層を透過し、多
重干渉を起こすような条件では本発明の最適条件は成り
立たないので、磁性層の膜厚は５０ｎｍ以上であること
が必要である。ただし、記録感度あるいは製造コスト面
から、膜厚は３００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３４】磁性層は媒体にＬ＆Ｇ記録以外の機能を付
与できるような複数の層を有することが望ましい。具体
的には光変調オーバーライト（ＬＩＭＤＯＷ）あるいは
磁気誘導超解像（ＭＳＲ）等の機能を有する磁性層であ
ることが好ましい。ＬＩＭＤＯＷの場合、例えば 再生層／メモリー層／制御層／記録層／切断層／初期化
層 の６層からなる磁性層を有している。
与できるような複数の層を有することが望ましい。具体
的には光変調オーバーライト（ＬＩＭＤＯＷ）あるいは
磁気誘導超解像（ＭＳＲ）等の機能を有する磁性層であ
ることが好ましい。ＬＩＭＤＯＷの場合、例えば 再生層／メモリー層／制御層／記録層／切断層／初期化
層 の６層からなる磁性層を有している。
【００３５】ＭＳＲの場合、例えば 再生層／切断層／記録層 の３層からなる磁性層を有している。磁性層全体の膜厚
は第４式を満たすことが好ましい。例えば波長６８０ｎ
ｍの場合、４４．２ｎｍ以上、１０２．０ｎｍ以下であ
る。ただし、先に述べた様に磁性層全体の膜厚は５０ｎ
ｍ以上である必要がある。
は第４式を満たすことが好ましい。例えば波長６８０ｎ
ｍの場合、４４．２ｎｍ以上、１０２．０ｎｍ以下であ
る。ただし、先に述べた様に磁性層全体の膜厚は５０ｎ
ｍ以上である必要がある。
【００３６】磁性層の酸化を防止するため、磁性層上に
誘電体からなる保護層を設けることが好ましい。保護層
としては窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、酸化Ｔａ、炭化Ｓｉ等の
誘電体あるいはＴａ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔ等の金属が好ましく用いられる。保護層の膜厚は厚
過ぎれば生産性が悪化する上、記録感度が低下するので
２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましい。さらに好ましく
は３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。
誘電体からなる保護層を設けることが好ましい。保護層
としては窒化Ｓｉ、窒化Ａｌ、酸化Ｔａ、炭化Ｓｉ等の
誘電体あるいはＴａ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、
Ｐｔ等の金属が好ましく用いられる。保護層の膜厚は厚
過ぎれば生産性が悪化する上、記録感度が低下するので
２０ｎｍ以上８０ｎｍ以下が好ましい。さらに好ましく
は３０ｎｍ以上７０ｎｍ以下である。
【００３７】誘電体層を介して金属層を設ける、あるい
はその逆を用いることもできる。金属層を設けることは
放熱層の役割を兼ね、これによって記録パワーマージン
の向上等の効果を得ることもできる。保護層の上にスピ
ンコート等を用いて有機物保護層を数μｍの厚さ設ける
のは好ましい形態である。基板の記録膜が無い面に機械
的な傷を防止するための透明で硬いコーティングをほど
こしても良い。
はその逆を用いることもできる。金属層を設けることは
放熱層の役割を兼ね、これによって記録パワーマージン
の向上等の効果を得ることもできる。保護層の上にスピ
ンコート等を用いて有機物保護層を数μｍの厚さ設ける
のは好ましい形態である。基板の記録膜が無い面に機械
的な傷を防止するための透明で硬いコーティングをほど
こしても良い。
【００３８】これらの層を設けたディスクを単板である
いは２枚を貼合わせた状態で使用するが、ディスクの反
りは最大３mrad以下であることが好ましい。さらに好ま
しくは２．５mrad以下である。反りを低減するためには
２枚を貼合わせ状態で使用するのが好ましい。また、プ
ラスチック基板の場合、干渉層、記録層、保護層等の応
力を打ち消す様にあらかじめ基板に反りをもたせておい
ても良い。
いは２枚を貼合わせた状態で使用するが、ディスクの反
りは最大３mrad以下であることが好ましい。さらに好ま
しくは２．５mrad以下である。反りを低減するためには
２枚を貼合わせ状態で使用するのが好ましい。また、プ
ラスチック基板の場合、干渉層、記録層、保護層等の応
力を打ち消す様にあらかじめ基板に反りをもたせておい
ても良い。
【００３９】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 基板厚１．２ｍｍ、１．４μｍのトラックピッチを持
ち、ランドとグルーブが共に０．７μｍ幅の実質的に平
坦な面からなり、グルーブ深さは７２ｎｍの基板を用い
た。基板材質はポリカーボネートであり屈折率は１．５
８、垂直複屈折は３９５×１０-6、面内複屈折は６×１
０-6、面内複屈折の主軸と偏光面のなす角は４度であっ
た。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。 実施例１ 基板厚１．２ｍｍ、１．４μｍのトラックピッチを持
ち、ランドとグルーブが共に０．７μｍ幅の実質的に平
坦な面からなり、グルーブ深さは７２ｎｍの基板を用い
た。基板材質はポリカーボネートであり屈折率は１．５
８、垂直複屈折は３９５×１０-6、面内複屈折は６×１
０-6、面内複屈折の主軸と偏光面のなす角は４度であっ
た。
【００４０】スパッタリング装置にこの基板を導入し、
５×１０-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この
後、干渉層として基板上にＳｉターゲットをＡｒと窒素
の混合ガスによる反応性スパッタリングを用い窒化Ｓｉ
を形成した。干渉層の屈折率Ｎを２．０、２．１、２．
２、２．４、２．５、２．６、膜厚ｄを５０ｎｍから１
３０ｎｍまでそれぞれ変化させたものを作製した。Ｎの
調整はスパッタリング時の窒素の混合率を変化させて行
った。次に磁性層として、Ｇｄ23（Ｆｅ80Ｃｏ20）77よ
りなる２５ｎｍの再生層、Ｔｂ23（Ｆｅ95Ｃｏ5）77よ
りなる１０ｎｍの切断層、Ｔｂ23（Ｆｅ75Ｃｏ25）77よ
りなる３０ｎｍの記録層を設けた。
５×１０-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この
後、干渉層として基板上にＳｉターゲットをＡｒと窒素
の混合ガスによる反応性スパッタリングを用い窒化Ｓｉ
を形成した。干渉層の屈折率Ｎを２．０、２．１、２．
２、２．４、２．５、２．６、膜厚ｄを５０ｎｍから１
３０ｎｍまでそれぞれ変化させたものを作製した。Ｎの
調整はスパッタリング時の窒素の混合率を変化させて行
った。次に磁性層として、Ｇｄ23（Ｆｅ80Ｃｏ20）77よ
りなる２５ｎｍの再生層、Ｔｂ23（Ｆｅ95Ｃｏ5）77よ
りなる１０ｎｍの切断層、Ｔｂ23（Ｆｅ75Ｃｏ25）77よ
りなる３０ｎｍの記録層を設けた。
【００４１】最後に窒化Ｓｉよりなる５０ｎｍの保護層
を設け、ディスクを作製した。これらディスクについ
て、位相差および反射率を測定し、図にまとめた。図１
は干渉層の屈折率Ｎおよび膜厚ｄに対する位相差(Phase
difference)Δφの変化を示した図である。また、図２
はこれをＮ2ｄ／λに対する位相差(Phasedifference)Δ
φの変化として示した図である。
を設け、ディスクを作製した。これらディスクについ
て、位相差および反射率を測定し、図にまとめた。図１
は干渉層の屈折率Ｎおよび膜厚ｄに対する位相差(Phase
difference)Δφの変化を示した図である。また、図２
はこれをＮ2ｄ／λに対する位相差(Phasedifference)Δ
φの変化として示した図である。
【００４２】図３は干渉層の屈折率Ｎおよび膜厚ｄに対
する反射率(Reflectivity)の変化を示した図である。ま
た、図４はこれをＮｄ／λに対する反射率(Reflectivit
y)の変化として示した図である。このようにして作製し
たディスクを波長６８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機
を用いて光変調記録によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音
比）の評価を行った。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数
９ＭＨｚ、記録パワー９ｍＷ、記録デューティ３０％で
ある。再生磁界Ｈｒは３００Ｏｅとした。再生パワーは
２．４ｍＷとした。
する反射率(Reflectivity)の変化を示した図である。ま
た、図４はこれをＮｄ／λに対する反射率(Reflectivit
y)の変化として示した図である。このようにして作製し
たディスクを波長６８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機
を用いて光変調記録によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音
比）の評価を行った。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数
９ＭＨｚ、記録パワー９ｍＷ、記録デューティ３０％で
ある。再生磁界Ｈｒは３００Ｏｅとした。再生パワーは
２．４ｍＷとした。
【００４３】この再生パワーにおいては全てのディスク
で再生スポットの高温部分にマスクが形成され超解像再
生が行われた。また周波数２ＭＨｚで記録を行ったとき
のクロストークを測定した。図５に結果を示す。Ｎ2ｄ
／λに対するクロストーク(Cross talk)の変化として示
した。クロストークはランドに記録した際の隣接するグ
ルーブでの値と、グルーブに記録した際の隣接するラン
ドの値の大きい方を採用した。
で再生スポットの高温部分にマスクが形成され超解像再
生が行われた。また周波数２ＭＨｚで記録を行ったとき
のクロストークを測定した。図５に結果を示す。Ｎ2ｄ
／λに対するクロストーク(Cross talk)の変化として示
した。クロストークはランドに記録した際の隣接するグ
ルーブでの値と、グルーブに記録した際の隣接するラン
ドの値の大きい方を採用した。
【００４４】実施例２ 干渉層の屈折率Ｎを２．４、膜厚ｄを８０ｎｍとし、記
録層膜厚を変えることにより、磁性層の合計膜厚ｄ’を
変化させた。それ以外は実施例１と同条件にしてディス
クを作製した。これらディスクについて、位相差および
反射率を測定し、図にまとめた。
録層膜厚を変えることにより、磁性層の合計膜厚ｄ’を
変化させた。それ以外は実施例１と同条件にしてディス
クを作製した。これらディスクについて、位相差および
反射率を測定し、図にまとめた。
【００４５】図６はｄ’／λに対する位相差(Phase dif
ference)Δφの変化を示した図であり、図７はｄ’／λ
に対する反射率(Reflectivity)の変化を示した図であ
る。また周波数２ＭＨｚで記録を行ったときのクロスト
ークを測定した。測定条件は実施例１と同条件である。
図８に結果を示す。ｄ’／λに対するクロストーク(Cro
ss talk)の変化として示した。
ference)Δφの変化を示した図であり、図７はｄ’／λ
に対する反射率(Reflectivity)の変化を示した図であ
る。また周波数２ＭＨｚで記録を行ったときのクロスト
ークを測定した。測定条件は実施例１と同条件である。
図８に結果を示す。ｄ’／λに対するクロストーク(Cro
ss talk)の変化として示した。
【００４６】実施例３ 基板厚１．２ｍｍ、１．４μｍのトラックピッチを持
ち、ランドとグルーブが共に０．７μｍ幅の平坦な面か
らなり、グルーブ深さは７２ｎｍの基板を用いた。基板
材質はポリカーボネートであり屈折率は１．５８、垂直
複屈折は３９５×１０-6、面内複屈折は６×１０-6、面
内複屈折の主軸と偏光面のなす角は４度であった。
ち、ランドとグルーブが共に０．７μｍ幅の平坦な面か
らなり、グルーブ深さは７２ｎｍの基板を用いた。基板
材質はポリカーボネートであり屈折率は１．５８、垂直
複屈折は３９５×１０-6、面内複屈折は６×１０-6、面
内複屈折の主軸と偏光面のなす角は４度であった。
【００４７】スパッタリング装置にこの基板を導入し、
５×１０-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この
後、干渉層として基板上にＳｉターゲットをＡｒと窒素
の混合ガスによる反応性スパッタリングを用い窒化Ｓｉ
を形成した。干渉層の屈折率Ｎは２．４、膜厚ｄは８０
ｎｍとした。
５×１０-5Ｐａ以下の真空度まで排気を行った。この
後、干渉層として基板上にＳｉターゲットをＡｒと窒素
の混合ガスによる反応性スパッタリングを用い窒化Ｓｉ
を形成した。干渉層の屈折率Ｎは２．４、膜厚ｄは８０
ｎｍとした。
【００４８】次にＧｄ23（Ｆｅ90Ｃｏ10）77よりなる１
０ｎｍの再生層、Ｔｂ23（Ｆｅ95Ｃｏ5）77よりなる２
０ｎｍのメモリー層、Ｇｄ30（Ｆｅ92Ｃｏ8）70よりな
る１０ｎｍの制御層、Ｄｙ26（Ｆｅ70Ｃｏ30）74よりな
る３０ｎｍの記録層、Ｔｂ20（Ｆｅ97Ｃｏ3）80からな
る１０ｎｍの切断層、Ｔｂ26（Ｆｅ30Ｃｏ70）74からな
る２０ｎｍの初期化層を設けた。
０ｎｍの再生層、Ｔｂ23（Ｆｅ95Ｃｏ5）77よりなる２
０ｎｍのメモリー層、Ｇｄ30（Ｆｅ92Ｃｏ8）70よりな
る１０ｎｍの制御層、Ｄｙ26（Ｆｅ70Ｃｏ30）74よりな
る３０ｎｍの記録層、Ｔｂ20（Ｆｅ97Ｃｏ3）80からな
る１０ｎｍの切断層、Ｔｂ26（Ｆｅ30Ｃｏ70）74からな
る２０ｎｍの初期化層を設けた。
【００４９】次に窒化Ｓｉよりなる３０ｎｍの保護層を
設け、最後にＡｌよりなる３０ｎｍの放熱層を設け、デ
ィスクを作製した。このように作製したディスクを波長
６８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記
録によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音比）の評価を行っ
た。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数５ＭＨｚ、記録パ
ワー高パワー９ｍＷ、低パワー３．５ｍＷ、記録デュー
ティ３０％である。再生パワーは１．２ｍＷとした。光
変調オーバーライトの動作が確認された。このディスク
における位相差は＋４度、反射率は２６％、クロストー
クは−３４ｄＢであった。
設け、最後にＡｌよりなる３０ｎｍの放熱層を設け、デ
ィスクを作製した。このように作製したディスクを波長
６８０ｎｍ、開口数０．５５の評価機を用いて光変調記
録によりＣＮＲ（狭帯域の信号対雑音比）の評価を行っ
た。記録条件は線速７ｍ／ｓ、周波数５ＭＨｚ、記録パ
ワー高パワー９ｍＷ、低パワー３．５ｍＷ、記録デュー
ティ３０％である。再生パワーは１．２ｍＷとした。光
変調オーバーライトの動作が確認された。このディスク
における位相差は＋４度、反射率は２６％、クロストー
クは−３４ｄＢであった。
【００５０】
【発明の効果】本発明の光磁気記録媒体を用いることに
より、磁気誘導超解像あるいは光変調オーバーライト媒
体等の厚い磁性層が必須となる媒体においても良好なＬ
＆Ｇ記録再生が可能となる。
より、磁気誘導超解像あるいは光変調オーバーライト媒
体等の厚い磁性層が必須となる媒体においても良好なＬ
＆Ｇ記録再生が可能となる。
【図１】実施例１における干渉層の屈折率Ｎ及び膜厚ｄ
に対する位相差(Phase difference)Δφの変化を示す図
に対する位相差(Phase difference)Δφの変化を示す図
【図２】実施例１における干渉層の屈折率Ｎ及びＮ2ｄ
／λに対する位相差(Phase difference)Δφの変化を示
す図
／λに対する位相差(Phase difference)Δφの変化を示
す図
【図３】実施例１における干渉層の屈折率Ｎ及び膜厚ｄ
に対する反射率(Reflectivity)の変化を示す図
に対する反射率(Reflectivity)の変化を示す図
【図４】実施例１における干渉層の屈折率Ｎ及びＮｄ／
λに対する反射率(Reflectivity)の変化を示す図
λに対する反射率(Reflectivity)の変化を示す図
【図５】実施例１における干渉層の屈折率Ｎ及びＮ2ｄ
／λに対するクロストーク(Cross talk)の変化を示す図
／λに対するクロストーク(Cross talk)の変化を示す図
【図６】実施例２におけるｄ’／λに対する位相差(Pha
se difference)Δφの変化を示す図
se difference)Δφの変化を示す図
【図７】実施例２におけるｄ’／λに対する反射率(Ref
lectivity)の変化を示す図
lectivity)の変化を示す図
【図８】実施例２におけるｄ’／λに対するクロストー
ク(Cross talk)の変化を示す図
ク(Cross talk)の変化を示す図
Claims (2)
- 【請求項１】 透明な基板上に凹凸溝を有し、該凹凸溝
の凹部及び凸部がいずれも実質的に平坦な領域を有し、
かつその両方に記録を行う光磁気記録媒体であって、該
基板上に少なくとも誘電体よりなる干渉層及び希土類金
属と遷移金属のアモルファス合金磁性体よりなる厚さ５
０ｎｍ以上の磁性層がこの順に設けられており、基板の
屈折率をＮsub、干渉層の屈折率をＮ、干渉層の膜厚を
ｄ（ｎｍ）、再生光の空気中での波長をλ（ｎｍ）とす
ると、 ０．５≦Ｎ−Ｎsub≦１．０ ０．５≦ｄ×（Ｎ2／λ） ｄ×Ｎ／λ≦０．３２ なる関係を満足することを特徴とする光磁気記録媒体。 - 【請求項２】 磁性層の膜厚ｄ’が ０．０７５≦ｄ’／λ≦０．１５ なる関係を満たすことを特徴とする請求項１記載の光磁
気記録媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276294A JPH10124948A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 光磁気記録媒体 |
| US08/935,918 US5850383A (en) | 1996-10-18 | 1997-09-23 | Magneto-optical recording medium with recordable lands and grooves |
| DE69726686T DE69726686T2 (de) | 1996-10-18 | 1997-10-16 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium |
| EP97117977A EP0837464B1 (en) | 1996-10-18 | 1997-10-16 | Magneto-optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8276294A JPH10124948A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10124948A true JPH10124948A (ja) | 1998-05-15 |
Family
ID=17567452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8276294A Pending JPH10124948A (ja) | 1996-10-18 | 1996-10-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5850383A (ja) |
| EP (1) | EP0837464B1 (ja) |
| JP (1) | JPH10124948A (ja) |
| DE (1) | DE69726686T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000017173A (ko) * | 1998-08-07 | 2000-03-25 | 이데이 노부유끼 | 광자기 기록 매체 |
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| JPH0438736A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH0438735A (ja) * | 1990-06-04 | 1992-02-07 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| JPH04268226A (ja) * | 1990-11-19 | 1992-09-24 | Komag Inc | 磁気光学的データ記憶媒体構造及びその製造方法 |
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| US6261707B1 (en) * | 1992-11-06 | 2001-07-17 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical recording medium and recording and reproducing method and optical head designed for the magneto-optical recording medium |
| US5602825A (en) * | 1994-01-19 | 1997-02-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Optical disk and optical disk apparatus |
| US5581539A (en) * | 1994-08-12 | 1996-12-03 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording medium |
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- 1996-10-18 JP JP8276294A patent/JPH10124948A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-23 US US08/935,918 patent/US5850383A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-10-16 DE DE69726686T patent/DE69726686T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-10-16 EP EP97117977A patent/EP0837464B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000017173A (ko) * | 1998-08-07 | 2000-03-25 | 이데이 노부유끼 | 광자기 기록 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69726686T2 (de) | 2004-10-07 |
| EP0837464B1 (en) | 2003-12-10 |
| EP0837464A2 (en) | 1998-04-22 |
| DE69726686D1 (de) | 2004-01-22 |
| EP0837464A3 (en) | 2000-10-11 |
| US5850383A (en) | 1998-12-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040302 |