JPH1139720A

JPH1139720A - 光磁気ディスク

Info

Publication number: JPH1139720A
Application number: JP9188595A
Authority: JP
Inventors: Yuuichi Satobi; 裕一佐飛
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1997-07-14
Filing date: 1997-07-14
Publication date: 1999-02-12

Abstract

(57)【要約】【課題】グルーブ部とランド部間の境界領域である傾
斜面からのノイズを抑え、Ｓ／Ｎ特性を向上して再生特
性を向上するとともに高記録密度化を可能とする。【解決手段】同心円状又は渦巻き状の案内溝が形成さ
れ、底面がグルーブ部とされるとともに、案内溝間の領
域がランド部とされており、上記グルーブ部とランド部
の境界領域となる案内溝の側壁が傾斜面とされる基板上
に、光磁気記録膜、誘電体膜、反射膜を順次形成する、
或いは反射膜、誘電体膜、光磁気記録膜を順次形成し、
情報が記録されるグルーブ部及び／又はランド部の幅を
情報の記録及び／又は再生に使用されるスポット光のビ
ーム径の５５（％）以下の大きさとし、誘電体膜の厚さ
を４０（ｎｍ）以上とする。なお、上記光磁気記録膜の
厚さは２０（ｎｍ）以下であることが好ましい。また、
上記誘電体膜が窒化アルミニウムよりなることが好まし
い。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気ディスクに
関する。詳しくは、反射膜と光磁気記録膜に挟まれた誘
電体膜を改善することにより、再生特性が良好とされた
光磁気ディスクに係わるものである。

【０００２】

【従来の技術】オーディオ用或いはビデオ用、その他の
各種情報を記録する光記録媒体としては、その記録及び
／又は再生を光を照射することにより行う、光ディス
ク、光カード、光磁気ディスク、相変化型の光記録媒体
等といった、いわゆる再生専用型、書き換え可能型、追
記型の光記録媒体が挙げられる。

【０００３】この中でも、書き換え可能型の光磁気ディ
スクは、以下に示すような構成を有する。すなわち、図
６に示すように、基板２１の一主面２１ａにトラッキン
グ信号の検出或いは再生信号のクロストーク抑制のため
の図示しない案内溝が同心円状或いは渦巻き状に形成さ
れ、この案内溝形成面である一主面２１ａ上に真空蒸着
或いはスパッタ等の手法により窒化珪素，窒化アルミニ
ウム，酸化珪素，ＺｎＳ等の第１の誘電体膜２２が形成
されている。そして、真空蒸着或いはスパッタ等の手法
によりＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣｏ，Ｔ
ｂＦｅＣｏＣｒ等のアモルファス希土類遷移金属磁性膜
或いはＰｔＣｏ等の垂直磁化膜といった光磁気記録膜２
３が形成され、さらに上記第１の誘電体膜２２と同様の
第２の誘電体膜２４が形成されている。さらには、真空
蒸着或いはスパッタ等の手法によりＡｌ，ＡｌＴｉ，Ａ
ｌＣｒ等のアルミニウムを主とする金属反射膜２５が形
成され、さらにスピンコート法により紫外線硬化型樹脂
よりなる図示しない保護膜が形成されてなる。

【０００４】そして、このような光磁気ディスクにおい
ては、案内溝の底面（以下、グルーブ部と称する。）に
情報信号を記録するグルーブ記録、隣り合う案内溝間の
領域（以下、ランド部と称する。）に情報信号を記録す
るランド部記録、或いはグルーブ部とランド部の両者に
情報信号を記録するランド部グルーブ記録の３つの方式
のうちいずれかの方式で情報信号の記録が行われてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上述のような光磁気デ
ィスクにおける記録密度は、再生のためのスポット光の
大きさ及び形状によって決定される。

【０００６】例えば、光源の光波長をλ、集光レンズの
開口数をＮＡとした場合においては、遮断周波数はλ／
２ＮＡであるので、上記光磁気ディスクへの記録周波数
は、λ／ＮＡ程度とされ、このことから記録密度の周方
向の上限は自ずと決定される。

【０００７】また、例えばランド部といった記録領域が
形成される周期、すなわちトラックピッチによって光磁
気ディスクの径方向の記録密度は決定される。しかしな
がら、このトラックピッチがあまり小さいと、所定のト
ラックにスポット光を照射した場合に、隣接するトラッ
クにもスポット光が照射されてしまい、クロストークが
発生してしまう。すなわち、光ディスクの径方向の記録
密度の上限もスポット光の大きさ及び形状により決定さ
れる。

【０００８】ところで、上記のような光磁気ディスクに
おいては、高記録容量化のために高記録密度化が要求さ
れている。そこで、上記のような光磁気ディスクにおい
ては、トラックピッチをある程度狭めて所定の大きさと
し、例えばランド部といった記録領域の幅を狭めて上記
のようなクロストークを抑えて再生特性を確保しつつ高
記録密度化を達成しようとしている。

【０００９】ところが、上記のようにして高記録密度化
した光磁気ディスクにおいては、他の要因により再生特
性の低下が発生している。このような光磁気ディスクに
おいては、一般的に、隣り合う例えばランド部といった
記録領域間にはグルーブ部が形成され、このランド部と
グルーブ部の境界領域は案内溝の側壁にあたり傾斜面と
されている。上述のように高記録密度化のためにトラッ
クピッチを狭くし、クロストークを抑えるべく例えばラ
ンド部といった記録領域の幅を狭めると、所定のトラッ
クにスポット光が照射された場合に当該トラックの両側
の傾斜面にもスポット光が照射されてしまい、所定のト
ラックからの信号だけでなく両側の傾斜面からのノイズ
も信号として得ることとなってしまい、再生特性を低下
させる要因となっている。すなわち、前述のようにして
高記録密度化しても、良好な再生特性を得ることは難し
く、高記録密度化は困難である。

【００１０】また、このような傾斜面からのノイズによ
り、当然のことながらＳ／Ｎ特性が低下してしまうた
め、線記録密度をさほど高めることができず、このこと
からも高記録密度化は困難である。

【００１１】すなわち、上記のような光磁気記録媒体を
高記録密度化するにあたっては、クロストークを抑える
ことは可能であり、上記のランド部とグルーブ部の境界
領域である傾斜面からのノイズを抑えることが重要な課
題となる。

【００１２】そこで、本発明は、上述の実情に鑑みて提
案されるものであって、グルーブ部とランド部間の境界
領域である傾斜面からのノイズを抑え、Ｓ／Ｎ特性を向
上して再生特性が向上されるとともに高記録密度化を可
能とする光磁気ディスクを提供しようとするものであ
る。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明者等が鋭意検討した結果、ランド部とグルー
ブ部の境界領域である傾斜面からのノイズを無視できる
程度に抑えれば、たとえ再生出力が低下しても、上記ノ
イズ以外のノイズ成分も同様に低下し、結果的にＳ／Ｎ
特性が向上し、再生特性が向上することを見出した。

【００１４】そして更に鋭意検討を重ねた結果、グルー
ブ部とランド部を有する基板上に光磁気記録膜、誘電体
膜、反射膜が順次形成されてなる、或いは反射膜、誘電
体膜、光磁気記録膜が順次形成されてなる光磁気ディス
クにおいて、上記誘電体膜の厚さを厚くすれば、グルー
ブ部とランド部の境界領域である傾斜面からのノイズが
抑えられることを見出した。このことは、上記誘電体膜
を形成する際、上記境界領域において誘電体膜の形状に
変化があり、光磁気記録膜と反射膜の距離が大きく設定
されるため、当該境界領域からの出力がより小さくなる
ためであると思われる。

【００１５】上述の課題を解決するため、本発明に係る
光磁気ディスクは、同心円状又は渦巻き状の案内溝が形
成され、その底面がグルーブ部とされるとともに、これ
ら案内溝間の領域がランド部とされており、上記グルー
ブ部とランド部の境界領域となる案内溝の側壁が傾斜面
とされる基板上に、光磁気記録膜、誘電体膜、反射膜が
順次形成される、或いは反射膜、誘電体膜、光磁気記録
膜が順次形成されてなるものであり、上記グルーブ部及
び／又はランド部にスポット光が照射されるとともに磁
界が印加されて情報の記録が行われ、情報が記録された
部分にスポット光が照射されて情報の再生が行われるも
のであって、上記情報が記録されるグルーブ部及び／又
はランド部の幅が、スポット光のビーム径の５５（％）
以下の大きさとされており、誘電体膜の厚さが４０（ｎ
ｍ）以上とされていることを特徴とするものである。な
お、上記スポット光のビーム径とは、光強度がビーム中
心の１／ｅ² 以上になるスポットの直径を示す。

【００１６】また、本発明のような光磁気ディスクにお
いては、光磁気記録膜の厚さを記録特性が低下しない範
囲で薄くし、入射光が十分透過するようにする必要があ
る。従って、光磁気記録膜を光の透過率が高い材料によ
り形成している場合には、光磁気記録膜の厚さを特に規
制する必要はないが、光磁気記録膜を光の透過率が低い
材料により形成している場合には、光磁気記録膜の厚さ
を十分薄くすることが好ましい。

【００１７】そこで、上記本発明の光磁気ディスクにお
いては、上記光磁気記録膜の厚さが２０（ｎｍ）以下で
あることが好ましい。

【００１８】ところで、光磁気ディスクにおいては、光
磁気記録膜に対して部分的に光を照射して昇温させると
ともに所定の向きの磁化を印加して情報の記録を行って
いる。このため、光磁気記録膜と反射膜の間隔が広くな
ることで、記録特性が劣化してしまう場合がある。すな
わち、光磁気記録膜における熱記録特性は光磁気記録膜
と反射膜との膜構成から得られる熱分布、冷却速度によ
って決定されるが、光磁気記録膜と反射膜間に介在する
誘電体膜として一般的に使用されているＳｉＮは熱伝導
率が低く、このＳｉＮよりなる誘電体膜の厚さを４０
（ｎｍ）以上とすると、熱特性が大きく変化してしま
う。そこで、本発明の光磁気ディスクにおいては、誘電
体膜を形成する材料として、熱伝導率が高い材料を使用
することが好ましく、０．１５（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）以上と
されることが好ましい。このような熱伝導率を有し、且
つ光学的にＳｉＮと同等の屈折率や消光係数を有する材
料としては窒化アルミニウムが挙げられる。

【００１９】すなわち、上記本発明の光磁気ディスクに
おいては、上記誘電体膜が窒化アルミニウムよりなるこ
とが好ましい。

【００２０】本発明の光磁気ディスクにおいては、同心
円状又は渦巻き状の案内溝の底面であるグルーブ部及び
案内溝間のランド部を有し、上記グルーブ部とランド部
の境界領域となる案内溝の側壁が傾斜面とされる基板上
に、光磁気記録膜、誘電体膜、反射膜が順次形成され
る、或いは反射膜、誘電体膜、光磁気記録膜が順次形成
されてなるものであり、情報が記録されるグルーブ部及
び／又はランド部の幅が、情報の記録及び／又は再生時
に照射されるスポット光のビーム径の５５（％）以下の
大きさとされているため、トラックピッチを狭めてもク
ロストークの発生が抑えられる。また、上記誘電体膜の
厚さが４０（ｎｍ）以上とされているため、上記グルー
ブ部とランド部の境界領域となる案内溝の側壁である傾
斜面からのノイズが抑えられ、Ｓ／Ｎ特性が向上する。

【００２１】なお、上記本発明の光磁気ディスクにおい
て、光磁気記録膜として消光係数が１．５以上である通
常の金属或いは合金よりなる膜を使用している場合に、
上記光磁気記録膜の厚さを２０（ｎｍ）以下とすれば、
Ｓ／Ｎ特性がより一層向上する。

【００２２】さらに、上記本発明の光磁気ディスクにお
いて、上記誘電体膜を窒化アルミニウムにより形成すれ
ば、当該窒化アルミニウムの熱伝導率が良好であるた
め、良好な記録特性が確保される。

【００２３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら説明する。

【００２４】本発明に係る光磁気ディスクは、図１に示
すような構造を有する。基板１の一主面１ａにトラッキ
ング信号の検出或いは再生信号のクロストーク抑制のた
めの図示しない案内溝が同心円状或いは渦巻き状に形成
されている。なお、上記基板１はポリカーボネートやガ
ラス等よりなり、この種の光磁気ディスクにおいて一般
的に使用されているものであれば何れも使用可能であ
る。

【００２５】そして、この案内溝形成面である一主面１
ａ上に真空蒸着或いはスパッタ等の手法により窒化珪
素，窒化アルミニウム，酸化珪素，ＺｎＳ等の第１の誘
電体膜２が形成され、さらに真空蒸着或いはスパッタ等
の手法によりＴｂＦｅＣｏ，ＧｄＦｅＣｏ，ＤｙＦｅＣ
ｏ，ＴｂＦｅＣｏＣｒ等のアモルファス希土類遷移金属
磁性膜或いはＰｔＣｏ等の垂直磁化膜といった光磁気記
録膜３が形成され、さらにまた上記第１の誘電体膜２と
同様の材料よりなる第２の誘電体膜４が形成されてい
る。なお、第２の誘電体膜４は窒化アルミニウムにより
形成されることが好ましい。

【００２６】さらには、真空蒸着或いはスパッタ等の手
法によりＡｌ，ＡｌＴｉ，ＡｌＣｒ等のアルミニウムを
主とする消光係数１．５以上の材料よりなる金属反射膜
５が形成され、さらにスピンコート法により紫外線硬化
型樹脂よりなる図示しない保護膜が形成されてなる。

【００２７】また、上記本発明に係わる光磁気ディスク
においては、上記案内溝の底面がグルーブ部とされると
ともに、これら案内溝間の領域がランド部とされてお
り、上記グルーブ部とランド部の境界領域となる案内溝
の側壁が傾斜面とされている。

【００２８】上記本発明に係わる光磁気ディスクにおい
ては、上記グルーブ部及び／又はランド部に上記基板１
側から光学系によりスポット光が照射されるとともに、
磁界印加手段により所定の向きの磁界が印加されて情報
の記録が行われ、情報が記録された部分にスポット光が
照射されて情報の再生が行われる。

【００２９】そして、上記本発明に係わる光磁気ディス
クにおいては、上記情報が記録されるグルーブ部及び／
又はランド部の幅が、光学系から照射されるスポット光
のビーム径の５５（％）以下の大きさとされており、第
２の誘電体膜４の厚さが４０（ｎｍ）以上とされてい
る。

【００３０】すなわち、上記本発明に係わる光磁気ディ
スクにおいては、上記のように情報が記録されるグルー
ブ部及び／又はランド部の幅が、情報の記録及び／又は
再生時に照射されるスポット光のビーム径の５５（％）
以下の大きさとされているため、トラックピッチを狭め
てもクロストークの発生が抑えられ、高記録密度化に対
応可能であるとともに、Ｓ／Ｎ特性が向上して再生特性
が向上する。

【００３１】また、上記本発明に係わる光磁気ディスク
においては、第２の誘電体膜４の厚さが４０（ｎｍ）以
上とされているため、上記グルーブ部とランド部の境界
領域となる案内溝の側壁である傾斜面からのノイズが抑
えられ、Ｓ／Ｎ特性がさらに向上し、再生特性がさらに
向上する。

【００３２】さらに、上記本発明に係わる光磁気ディス
クにおいては、光磁気記録膜３として金属膜を使用し、
その厚さが２０（ｎｍ）以下とされており、Ｓ／Ｎ特性
がより一層向上し、再生特性がさらに向上する。

【００３３】さらにまた、上記本発明に係わる光磁気デ
ィスクにおいて、第２の誘電体膜４を窒化アルミニウム
により形成すれば、当該窒化アルミニウムの熱伝導率が
良好であるため、良好な記録特性が確保され、結果的に
再生特性も向上する。

【００３４】

【実施例】以下、本発明の効果を確認するべく、以下に
示すような実験を行った。

【００３５】実験例１本実験例においては、光磁気ディスクのトラックピッチ
或いは記録領域をランド部とした場合のランド部の幅の
スポット光のビーム径に対する割合がノイズに及ぼす影
響について調査した。

【００３６】先ず、図１に示すような構成の光磁気ディ
スクをトラックピッチを変更しながら以下に示すような
条件で形成した。すなわち、一主面１ａ側に所定のトラ
ックピッチでランド部が形成される基板１の上記一主面
１ａ上に第１の誘電体膜２として厚さ１１０（ｎｍ）の
ＳｉＮ膜を形成し、その上に光磁気記録膜３として厚さ
１５（ｎｍ）のＴｂＦｅＣｏ膜を形成し、さらに第２の
誘電体膜４として厚さ４５（ｎｍ）のＳｉＮ膜を形成
し、さらにまた反射膜５として厚さ５０（ｎｍ）のＡｌ
膜を形成して第２の誘電体膜４の厚さが４０（ｎｍ）以
上の光磁気ディスクを得た。

【００３７】また、比較のために、一主面側に所定のト
ラックピッチでランド部が形成される基板の上記一主面
上に第１の誘電体膜として厚さ８０（ｎｍ）のＳｉＮ膜
を形成し、その上に光磁気記録膜として厚さ２５（ｎ
ｍ）のＴｂＦｅＣｏ膜を形成し、さらに第２の誘電体膜
として厚さ３０（ｎｍ）のＳｉＮ膜を形成し、さらにま
た反射膜として厚さ５０（ｎｍ）のＡｌ膜を形成して従
来の光磁気ディスクを得た。

【００３８】先に述べた光磁気ディスクと上記光磁気デ
ィスクを比較すると、第１の誘電体膜の厚さが薄くなっ
ているが、これは両者の反射率を合わせるためであり、
本発明の効果には関与しない。

【００３９】そして、これら光磁気ディスクに対し、光
波長を６９０（ｎｍ）とし、開口数０．５５の光学系を
使用して線速度４．５（ｍ／ｓ）で光源を走査させたと
きの１（ＭＨｚ）での消去ノイズレベルを測定した。ノ
イズレベルは反射率の関数であるので、異なるトラック
ピッチ間での比較を行うためには反射率で規格化しなけ
ればならない。そこで、トラックの無い平坦な面で観測
したノイズレベルと反射率を基準とし、これからのずれ
を相対ノイズと呼ぶことにする。そして、測定した消去
ノイズレベルを相対ノイズに換算し、この相対ノイズと
トラックピッチの関係を図２に示す。図２中横軸はトラ
ックピッチを示し、図２中縦軸は相対ノイズを示す。そ
して、図２中◎は第２の誘電体膜４の厚さが４０（ｎ
ｍ）以上とされた光磁気ディスクの結果を示し、図２中
○は従来の光磁気ディスクの結果を示す。

【００４０】図２の結果から、どちらの光磁気ディスク
においても、トラックピッチが狭まるほど相対ノイズレ
ベルが上昇しているが、トラックピッチ１．２（μｍ）
以下において上昇の度合いに大きな差が発生しているこ
とがわかる。

【００４１】すなわち、本発明を適用した光磁気ディス
クのように第２の誘電体膜４の厚さを４０（ｎｍ）以上
とすれば、トラックピッチを狭めてもノイズが抑えられ
ていることがわかる。また、上記のように第２の誘電体
膜４の厚さを４０（ｎｍ）以上とすることで、再生出力
が低下することはないため、ノイズの差の分だけ従来の
光磁気ディスクよりもＳ／Ｎが良好となり、トラックピ
ッチが小さいほどその傾向が顕著であることが確認され
た。

【００４２】なお、この光学系においては、トラックピ
ッチ１．２μｍの場合、スポット光のビーム径の約８０
（％）を占め、ランド部幅はスポット光のビーム径の約
５５（％）を占めることとなるが、異なる光学系を用い
る場合にはスポット光のビーム径に比例してこの効果が
顕著となるランド部幅が変化することは明らかである。

【００４３】そこで、前述したような本発明を適用した
光磁気ディスクのように第２の誘電体膜４の厚さを４０
（ｎｍ）以上とした光磁気ディスクと従来の光磁気ディ
スクにおいて、光学系のスポット光のビーム径とランド
部幅の比を変化させながら、各光磁気ディスクにおける
相対ノイズを調査した。このとき、ランド部幅をトラッ
クピッチの０．７０倍とし、ビーム径を１．２２λ／Ｎ
Ａ（λは光源の光波長を示し、ＮＡは光学系の開口数を
示す。）とした。結果を図３に示す。図３中横軸は、ラ
ンド部幅とスポット光のビーム径の比、すなわちランド
部幅／ビーム径（％）を示し、図３中縦軸は、相対ノイ
ズを示す。

【００４４】図３の結果から、どちらの光磁気ディスク
においても、ビーム径に対するランド部幅の割合が小さ
くなるほど、相対ノイズレベルが上昇しているが、ラン
ド部幅／ビーム径（ｍｍ）が５５（％）以下において上
昇の度合いに大きな差が発生していることがわかる。

【００４５】すなわち、第２の誘電体膜の厚さが４０
（ｎｍ）以上とされ、且つランド部幅が、スポット光の
ビーム径の５５（％）以下の大きさとされている本発明
を適用した光磁気ディスクにおいては、ノイズが抑えら
れていることがわかる。また、本発明の光磁気ディスク
においては、再生出力が低下することはないので、ノイ
ズの差の分だけ従来の光磁気ディスクよりもＳ／Ｎが良
好となり、トラックピッチが狭いほど、ランド部の幅の
ビーム径に対する割合が小さいほどその傾向が顕著であ
ることが確認された。

【００４６】実験例２本実験例においては、第２の誘電体膜の厚さがノイズに
及ぼす影響について調査した。

【００４７】先ず、実験例１と同様にして、図１に示す
ような構成の光磁気ディスクを第２の誘電体膜４の厚さ
を変更しながら以下に示すような条件で形成した。すな
わち、一主面側に０．９５（μｍ）のトラックピッチで
記録領域とされるランド部が形成される基板１の上記一
主面１ａ上に第１の誘電体膜２として厚さ１１０（ｎ
ｍ）のＳｉＮ膜を形成し、その上に光磁気記録膜３とし
て厚さ１５（ｎｍ）のＴｂＦｅＣｏ膜を形成し、さらに
第２の誘電体膜４として所定の厚さのＳｉＮ膜を形成
し、さらにまた反射膜５として厚さ５０（ｎｍ）のＡｌ
膜を形成して第２の誘電体膜４の厚さが異なる各光磁気
ディスクを得た。

【００４８】次に、上記各光磁気ディスクの消去ノイズ
レベルを実験例１と同様にして測定し、相対ノイズに換
算した。結果を図４に示す。図４中横軸は第２の誘電体
膜の厚さを示し、縦軸は相対ノイズを示す。

【００４９】図４の結果から第２の誘電体膜４の厚さが
厚いほど、相対ノイズが低下し、高いＳ／Ｎが得られる
ことがわかる。

【００５０】すなわち、本発明の光磁気ディスクにおい
て、光磁気記録膜と反射膜に挟まれる第２の誘電体膜の
厚さが４０（ｎｍ）以上とされていれば、高いＳ／Ｎが
得られることが確認された。

【００５１】実験例３本実験例においては、光磁気記録膜の厚さがノイズに及
ぼす影響について調査した。

【００５２】先ず、実験例１と同様にして、図１に示す
ような構成の光磁気ディスクを光磁気記録膜の厚さを変
更しながら以下に示すような条件で形成した。すなわ
ち、一主面側に０．９５（μｍ）のトラックピッチで記
録領域とされるランド部が形成される基板１の上記一主
面１ａ上に第１の誘電体膜２として厚さ１１０（ｎｍ）
のＳｉＮ膜を形成し、その上に光磁気記録膜３として所
定の厚さのＴｂＦｅＣｏ膜を形成し、さらに第２の誘電
体膜４として厚さ４５（ｎｍ）のＳｉＮ膜を形成し、さ
らにまた反射膜５として厚さ５０（ｎｍ）のＡｌ膜を形
成して光磁気記録膜の厚さが異なる各光磁気ディスクを
得た。

【００５３】次に、上記各光磁気ディスクの消去ノイズ
レベルを実験例１と同様にして測定し、相対ノイズに換
算した。結果を図５に示す。図５中横軸は光磁気記録膜
の厚さを示し、縦軸は相対ノイズを示す。

【００５４】図５の結果から光磁気記録膜の厚さが２０
（ｎｍ）以下であれば、相対ノイズが低下し、高いＳ／
Ｎが得られることがわかる。

【００５５】すなわち、本発明の光磁気ディスクにおい
て、光磁気記録膜の厚さが２０（ｎｍ）以下とされてい
れば、高いＳ／Ｎが得られることが確認された。

【００５６】実験例４本実験例においては、第２の誘電体膜の材料がノイズに
及ぼす影響について調査した。

【００５７】先ず、図１に示すような構成の光磁気ディ
スクを第２の誘電体膜の種類を変更しながら、以下に示
すような条件で作成した。

【００５８】すなわち、一主面側に０．８５（μｍ）の
トラックピッチで記録領域とされるランド部が形成され
る基板１の上記一主面１ａ上に第１の誘電体膜２として
厚さ１１０（ｎｍ）のＳｉＮ膜を形成し、その上に光磁
気記録膜３として厚さ１５（ｎｍ）のＴｂＦｅＣｏ膜を
形成し、さらに第２の誘電体膜４として厚さ４８（ｎ
ｍ）のＡｌＮ膜或いはＳｉＮ膜を形成し、さらにまた反
射膜５として厚さ５０（ｎｍ）のＡｌ膜を形成して第２
の誘電体膜４の種類が異なる各光磁気ディスクを得た。

【００５９】そして、実験例１で使用した光学系を用い
てマーク長０．５２（μｍ）の単一搬送波記録を行った
場合のこれらのＣ／Ｎを測定した。なお、上記ＡｌＮの
熱伝導率は０．２５（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）であり、ＳｉＮの
熱伝導率は０．１（Ｗ／ｃｍ・Ｋ）である。

【００６０】これら光磁気ディスクにおいては、相対ノ
イズに大きな差が無く、異なるのは熱特性であり、記録
特性に差が出てくる。第２の誘電体膜４の厚さを同一と
した場合には性能指数は同一であるが、熱分布が異なる
ことにより生じる記録マークの形状の違いが原因とな
り、Ｓ／Ｎの違いが観測される。そこで、上述のように
Ｃ／Ｎを測定することとした。

【００６１】第２の誘電体膜４がＡｌＮよりなる光磁気
ディスクのＣ／Ｎは４９．１（ｄＢ）であり、第２の誘
電体膜４がＳｉＮよりなる光磁気ディスクのＣ／Ｎは４
８．４（ｄＢ）であった。この結果から、第２の誘電体
膜４を反射膜による熱の広がりが少ないＳｉＮにより形
成した光磁気ディスクの方がＣ／Ｎが低いことがわか
る。すなわち、第２の誘電体膜４の厚さがある程度厚い
場合には、ＳｉＮよりも熱伝導率の低いＡｌＮを使用し
た方が良好な特性が得られることが確認された。

【００６２】これまで述べた実験例においては、記録領
域がランド部とされ、基板側から光が照射されるタイプ
の光磁気ディスクを使用した例について述べたが、記録
領域がグルーブ部或いはランド部とグルーブ部とされる
光磁気ディスク、基板とは反対側、すなわち基板上に反
射膜、誘電体膜、光磁気記録膜を順次形成し、その上に
光透過層を形成し、光透過層側から光が照射される光磁
気ディスクにおいても同様の結果が得られることは言う
までもない。

【００６３】

【発明の効果】上述のように、本発明に係る光磁気ディ
スクにおいては、同心円状又は渦巻き状の案内溝の底面
であるグルーブ部及び案内溝間のランド部を有し、上記
グルーブ部とランド部の境界領域となる案内溝の側壁が
傾斜面とされる基板上に、光磁気記録膜、誘電体膜、反
射膜が順次形成される、或いは反射膜、誘電体膜、光磁
気記録膜が順次形成されてなるものであり、情報が記録
されるグルーブ部及び／又はランド部の幅が、情報の記
録及び／又は再生時に照射されるスポット光のビーム径
の５５（％）以下の大きさとされているため、トラック
ピッチを狭めてもクロストークの発生が抑えられ、高記
録密度化を可能とするとともに、良好な再生特性が得ら
れる。

【００６４】また、上記誘電体膜の厚さが４０（ｎｍ）
以上とされているため、上記グルーブ部とランド部の境
界領域となる案内溝の側壁である傾斜面からのノイズが
抑えられ、Ｓ／Ｎ特性が向上し、再生特性が向上する。

【００６５】なお、上記本発明の光磁気ディスクにおい
て、光磁気記録膜として消光係数が１．５以上である通
常の金属或いは合金よりなる膜を使用している場合に、
上記光磁気記録膜の厚さを２０（ｎｍ）以下とすれば、
Ｓ／Ｎ特性がより一層向上し、再生特性がより一層向上
する。

【００６６】さらに、上記本発明の光磁気ディスクにお
いて、上記誘電体膜を窒化アルミニウムにより形成すれ
ば、当該窒化アルミニウムの熱伝導率が良好であるた
め、良好な記録特性が確保される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る光磁気ディスクの構成を示す断面
図である。

【図２】トラックピッチと相対ノイズの関係を示す特性
図である。

【図３】ランド部幅／ビーム径と相対ノイズの関係を示
す特性図である。

【図４】第２の誘電体膜の厚さと相対ノイズの関係を示
す特性図である。

【図５】光磁気記録膜の厚さと相対ノイズの関係を示す
特性図である。

【図６】従来の光磁気ディスクの構成を示す断面図であ
る。

【符号の説明】

１基板、１ａ一主面、２第１の誘電体膜、３光
磁気記録膜、４第２の誘電体膜、５反射膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】同心円状又は渦巻き状の案内溝が形成さ
れ、その底面がグルーブ部とされるとともに、これら案
内溝間の領域がランド部とされており、上記グルーブ部
とランド部の境界領域となる案内溝の側壁が傾斜面とさ
れる基板上に、光磁気記録膜、誘電体膜、反射膜が順次
形成されてなり、上記グルーブ部及び／又はランド部にスポット光が照射
されるとともに磁界が印加されて情報の記録が行われ、
上記グルーブ部及び／又はランド部にスポット光が照射
されて情報の再生が行われる光磁気ディスクにおいて、上記グルーブ部及び／又はランド部の幅が、スポット光
のビーム径の５５（％）以下の大きさとされており、誘電体膜の厚さが４０（ｎｍ）以上となされていること
を特徴とする光磁気ディスク。
【請求項２】上記光磁気記録膜の厚さが２０（ｎｍ）
以下であることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディ
スク。
【請求項３】上記誘電体膜が窒化アルミニウムよりな
ることを特徴とする請求項１記載の光磁気ディスク。
【請求項４】同心円状又は渦巻き状の案内溝が形成さ
れ、その底面がグルーブ部とされるとともに、これら案
内溝間の領域がランド部とされており、上記グルーブ部
とランド部の境界領域となる案内溝の側壁が傾斜面とさ
れる基板上に、反射膜、誘電体膜、光磁気記録膜が順次
形成されてなり、上記グルーブ部及び／又はランド部にスポット光が照射
されるとともに磁界が印加されて情報の記録が行われ、
上記グルーブ部及び／又はランド部にスポット光が照射
されて情報の再生が行われる光磁気ディスクにおいて、上記グルーブ部及び／又はランド部の幅が、スポット光
のビーム径の５５（％）以下の大きさとされており、誘電体膜の厚さが４０（ｎｍ）以上となされていること
を特徴とする光磁気ディスク。
【請求項５】上記光磁気記録膜の厚さが２０（ｎｍ）
以下であることを特徴とする請求項４記載の光磁気ディ
スク。
【請求項６】上記誘電体膜が窒化アルミニウムよりな
ることを特徴とする請求項４記載の光磁気ディスク。