JPH1012773A - 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置およびその製造方法Info
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- JPH1012773A JPH1012773A JP8162656A JP16265696A JPH1012773A JP H1012773 A JPH1012773 A JP H1012773A JP 8162656 A JP8162656 A JP 8162656A JP 16265696 A JP16265696 A JP 16265696A JP H1012773 A JPH1012773 A JP H1012773A
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ダイパッド部を有した樹脂封止型半導体装置
では、パッケージクラックが発生していた。 【解決手段】 半導体素子８の電極と金属ワイヤー９に
より電気的に接続された外部端子部１０と、半導体素子
８、金属ワイヤー９、外部端子部１０の外囲領域であっ
て、その一方の面のみを封止した封止樹脂１１とより構
成され、半導体素子８を搭載するためのダイパッド部自
体を削除しているので、ダイパッド部の熱膨張による応
力の発生はなくなり、パッケージクラックの発生を防止
することができる。また外部端子部１０は、フラット形
状をなしているので、表面実装タイプの半導体装置とし
て、優れた端子形状を有しているとともに、半導体素子
８はその裏面が外部に露出しているので、放熱性も向上
するものである。
では、パッケージクラックが発生していた。 【解決手段】 半導体素子８の電極と金属ワイヤー９に
より電気的に接続された外部端子部１０と、半導体素子
８、金属ワイヤー９、外部端子部１０の外囲領域であっ
て、その一方の面のみを封止した封止樹脂１１とより構
成され、半導体素子８を搭載するためのダイパッド部自
体を削除しているので、ダイパッド部の熱膨張による応
力の発生はなくなり、パッケージクラックの発生を防止
することができる。また外部端子部１０は、フラット形
状をなしているので、表面実装タイプの半導体装置とし
て、優れた端子形状を有しているとともに、半導体素子
８はその裏面が外部に露出しているので、放熱性も向上
するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂封止型半導体
装置に関するもので、特に小型化、薄型化に好適の構造
を有し、高信頼性を持った樹脂封止型半導体装置および
その製造方法に関するものである。
装置に関するもので、特に小型化、薄型化に好適の構造
を有し、高信頼性を持った樹脂封止型半導体装置および
その製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、樹脂封止型半導体装置は高密度化
にともない、小型化、薄型化の方向に進んでいる。
にともない、小型化、薄型化の方向に進んでいる。
【０００３】従来の樹脂封止型半導体装置について、図
面を参照しながら説明する。図３は、従来の樹脂封止型
半導体装置を示す断面図である。
面を参照しながら説明する。図３は、従来の樹脂封止型
半導体装置を示す断面図である。
【０００４】図３に示すように、従来の樹脂封止型半導
体装置は、リードフレーム１のダイパッド部２上に銀ペ
ースト等の接着剤により、半導体素子３が接合され、そ
の半導体素子３の電極（図示せず）と、リードフレーム
１のインナーリード部４とが金属ワイヤー５により、電
気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導
体素子３、金属ワイヤー５、インナーリード部４の外囲
は、エポキシ樹脂等の封止樹脂６により封止され、その
封止樹脂６から、外部との接続用のアウターリード部７
が突出した構造を有している。
体装置は、リードフレーム１のダイパッド部２上に銀ペ
ースト等の接着剤により、半導体素子３が接合され、そ
の半導体素子３の電極（図示せず）と、リードフレーム
１のインナーリード部４とが金属ワイヤー５により、電
気的に接続されている。そしてダイパッド部２上の半導
体素子３、金属ワイヤー５、インナーリード部４の外囲
は、エポキシ樹脂等の封止樹脂６により封止され、その
封止樹脂６から、外部との接続用のアウターリード部７
が突出した構造を有している。
【０００５】次に図３に示した従来の樹脂封止型半導体
装置の製造方法について説明する。まずダイボンド工程
として、リードフレームのダイパッド部に半導体素子を
接着剤により接合する。そしてワイヤーボンド工程とし
て、接合した半導体素子上の電極と、リードフレームの
インナーリード部とを金属ワイヤーにより接続する。次
に封止工程として、半導体素子を接合したリードフレー
ムを封止金型に入れ、半導体素子、金属ワイヤー、イン
ナーリード部の外囲領域を封止樹脂により封止する。最
後に、リードフレームのアウターリード部を成形して樹
脂封止型半導体装置が完成するものである。
装置の製造方法について説明する。まずダイボンド工程
として、リードフレームのダイパッド部に半導体素子を
接着剤により接合する。そしてワイヤーボンド工程とし
て、接合した半導体素子上の電極と、リードフレームの
インナーリード部とを金属ワイヤーにより接続する。次
に封止工程として、半導体素子を接合したリードフレー
ムを封止金型に入れ、半導体素子、金属ワイヤー、イン
ナーリード部の外囲領域を封止樹脂により封止する。最
後に、リードフレームのアウターリード部を成形して樹
脂封止型半導体装置が完成するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の樹
脂封止型半導体装置の場合、封止樹脂より突出したアウ
ターリード部に対して、図３に示したように、成形によ
り曲げ加工を施さなければならず、工程の低減に支障を
きたしていた。また、樹脂封止型半導体装置の検査工程
や搬送中等においては、成形したアウターリード部が変
形を起こしやすく、リード変形により、樹脂封止型半導
体装置を基板に実装する際には、著しく信頼性を低下す
るという課題があった。また、アウターリード部が封止
樹脂よりも突出しており、そのアウターリード部は曲げ
囲う部分を有しているので、樹脂封止型半導体装置とし
て、実装面積が増加するという表面実装上の課題もあっ
た。その他、アウターリード部を封止樹脂から突出さ
せ、面導出をはかる場合においては、導出部分に樹脂バ
リが発生し、樹脂封止型半導体装置を基板に実装する際
には、著しく信頼性を低下するという課題や、半導体素
子はリードフレームのダイパッド部に接合されているの
で、ダイパッド部と封止樹脂との熱膨張差が発生し、パ
ッケージクラックが発生するという課題があった。
脂封止型半導体装置の場合、封止樹脂より突出したアウ
ターリード部に対して、図３に示したように、成形によ
り曲げ加工を施さなければならず、工程の低減に支障を
きたしていた。また、樹脂封止型半導体装置の検査工程
や搬送中等においては、成形したアウターリード部が変
形を起こしやすく、リード変形により、樹脂封止型半導
体装置を基板に実装する際には、著しく信頼性を低下す
るという課題があった。また、アウターリード部が封止
樹脂よりも突出しており、そのアウターリード部は曲げ
囲う部分を有しているので、樹脂封止型半導体装置とし
て、実装面積が増加するという表面実装上の課題もあっ
た。その他、アウターリード部を封止樹脂から突出さ
せ、面導出をはかる場合においては、導出部分に樹脂バ
リが発生し、樹脂封止型半導体装置を基板に実装する際
には、著しく信頼性を低下するという課題や、半導体素
子はリードフレームのダイパッド部に接合されているの
で、ダイパッド部と封止樹脂との熱膨張差が発生し、パ
ッケージクラックが発生するという課題があった。
【０００７】本発明は前記従来の課題を解決するもので
あり、アウターリード部を成形する必要がなく、またダ
イパッド部を有しない樹脂封止型半導体装置であり、高
信頼性を有したものであって、小型化、薄型化に着目し
た樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
あり、アウターリード部を成形する必要がなく、またダ
イパッド部を有しない樹脂封止型半導体装置であり、高
信頼性を有したものであって、小型化、薄型化に着目し
た樹脂封止型半導体装置およびその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記従来の課題を解決す
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子と、その半導体素子の近傍に配置された端子部と、半
導体素子と端子部とを接続したワイヤーと、そのワイヤ
ーを含む半導体素子および端子部の表面領域を封止した
樹脂とよりなり、半導体素子および端子部の裏面が樹脂
より露出させた構造を有するものである。
るために、本発明の樹脂封止型半導体装置は、半導体素
子と、その半導体素子の近傍に配置された端子部と、半
導体素子と端子部とを接続したワイヤーと、そのワイヤ
ーを含む半導体素子および端子部の表面領域を封止した
樹脂とよりなり、半導体素子および端子部の裏面が樹脂
より露出させた構造を有するものである。
【０００９】またその製造方法においては、開口部を有
したリードフレームと絶縁シートとを接着剤により接着
し、リードフレーム構成体を形成する第１工程と、その
リードフレーム構成体に対して、絶縁シート上のリード
フレームの開口部に半導体素子を接着する第２工程と、
半導体素子とその半導体素子の近傍に配置しているリー
ドフレームの先端部とをワイヤーにより接続する第３工
程と、絶縁シートの半導体素子が接着された面側に対し
てのみ、封止樹脂を形成する第４工程と、リードフレー
ムの封止樹脂が形成されていない絶縁シート側に対し
て、絶縁シートのみを剥がす第５工程と、第４工程にお
いて形成した封止樹脂の領域外に突出したリードフレー
ム部分の切断を行ない、外部端子部を形成する第６工程
とよりなるものである。
したリードフレームと絶縁シートとを接着剤により接着
し、リードフレーム構成体を形成する第１工程と、その
リードフレーム構成体に対して、絶縁シート上のリード
フレームの開口部に半導体素子を接着する第２工程と、
半導体素子とその半導体素子の近傍に配置しているリー
ドフレームの先端部とをワイヤーにより接続する第３工
程と、絶縁シートの半導体素子が接着された面側に対し
てのみ、封止樹脂を形成する第４工程と、リードフレー
ムの封止樹脂が形成されていない絶縁シート側に対し
て、絶縁シートのみを剥がす第５工程と、第４工程にお
いて形成した封止樹脂の領域外に突出したリードフレー
ム部分の切断を行ない、外部端子部を形成する第６工程
とよりなるものである。
【００１０】
【発明の実施形態】前記構成の通り、外部との接続用で
ある端子部は、その表面と側面とが封止樹脂により固定
され、封止樹脂よりも突出していないので、搬送時の変
形を防止することができるとともに樹脂封止型半導体装
置の小型化が実現できる。また半導体素子、端子部の片
面のみに封止樹脂を形成しているので、樹脂封止型半導
体装置としての薄型化を実現できる。さらに半導体素子
を搭載するためのダイパッド部に相当する構成を有して
いないので、薄型化とともに、ダイパッド部の熱膨張に
よる応力で封止樹脂にクラックが発生する、いわゆるパ
ッケージクラックの発生を防止することができる。また
半導体素子の裏面が露出して構造であるため、放熱性を
高めることができる。
ある端子部は、その表面と側面とが封止樹脂により固定
され、封止樹脂よりも突出していないので、搬送時の変
形を防止することができるとともに樹脂封止型半導体装
置の小型化が実現できる。また半導体素子、端子部の片
面のみに封止樹脂を形成しているので、樹脂封止型半導
体装置としての薄型化を実現できる。さらに半導体素子
を搭載するためのダイパッド部に相当する構成を有して
いないので、薄型化とともに、ダイパッド部の熱膨張に
よる応力で封止樹脂にクラックが発生する、いわゆるパ
ッケージクラックの発生を防止することができる。また
半導体素子の裏面が露出して構造であるため、放熱性を
高めることができる。
【００１１】製造方法においては、はじめは絶縁シート
をリードフレームに対して付与しておき、樹脂封止後
に、その絶縁シートを剥離除去することにより、半導体
素子の裏面を露出させ、ダイパッドレスの構造を実現す
る片面樹脂封止を達成できる。また半導体素子の絶縁シ
ート上への搭載は、絶縁シートに形成した接着剤をその
まま利用することで達成できる。また剥離容易な接着剤
でリードフレームと絶縁シートとを接着しているので、
絶縁シートの剥離（ピールオフ）も簡易に行なうことが
できる。さらに、片面封止により、端子部の基板接合
面、すなわち端子部の裏面に樹脂バリが付着することを
防止できる。
をリードフレームに対して付与しておき、樹脂封止後
に、その絶縁シートを剥離除去することにより、半導体
素子の裏面を露出させ、ダイパッドレスの構造を実現す
る片面樹脂封止を達成できる。また半導体素子の絶縁シ
ート上への搭載は、絶縁シートに形成した接着剤をその
まま利用することで達成できる。また剥離容易な接着剤
でリードフレームと絶縁シートとを接着しているので、
絶縁シートの剥離（ピールオフ）も簡易に行なうことが
できる。さらに、片面封止により、端子部の基板接合
面、すなわち端子部の裏面に樹脂バリが付着することを
防止できる。
【００１２】以下、本発明の一実施形態について図面を
参照しながら説明する。図１は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の構造を示すものであり、図１（ａ）は、外
形を示す表面の斜視図、図１（ｂ）は外形を示す裏面の
斜視図、図１（ｃ）は内部構造を示す断面図である。
参照しながら説明する。図１は本実施形態の樹脂封止型
半導体装置の構造を示すものであり、図１（ａ）は、外
形を示す表面の斜視図、図１（ｂ）は外形を示す裏面の
斜視図、図１（ｃ）は内部構造を示す断面図である。
【００１３】図１に示すように、本実施形態の樹脂封止
型半導体装置は、半導体素子８と、半導体素子８の電極
（図示せず）と金属ワイヤー９により電気的に接続され
た外部端子部１０と、半導体素子８、金属ワイヤー９、
外部端子部１０の外囲領域であって、その一方の面のみ
を封止した封止樹脂１１よりなるものである。すなわ
ち、金属ワイヤー９を含む半導体素子８と外部端子部１
０の表面と側面領域のみが封止樹脂１１により封止さ
れ、半導体素子８と外部端子部１０の裏面は露出してい
る構造を有するものである。そして外部端子部１０は、
フラット形状をなしているので、表面実装タイプの半導
体装置として、優れた端子形状を有している。また、こ
こで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図１（ｂ）
に示すように、半導体素子８の裏面が封止樹脂１１より
露出した構造を有し、また外部端子部１０もその裏面が
封止樹脂１１より露出した構造を有している。
型半導体装置は、半導体素子８と、半導体素子８の電極
（図示せず）と金属ワイヤー９により電気的に接続され
た外部端子部１０と、半導体素子８、金属ワイヤー９、
外部端子部１０の外囲領域であって、その一方の面のみ
を封止した封止樹脂１１よりなるものである。すなわ
ち、金属ワイヤー９を含む半導体素子８と外部端子部１
０の表面と側面領域のみが封止樹脂１１により封止さ
れ、半導体素子８と外部端子部１０の裏面は露出してい
る構造を有するものである。そして外部端子部１０は、
フラット形状をなしているので、表面実装タイプの半導
体装置として、優れた端子形状を有している。また、こ
こで本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、図１（ｂ）
に示すように、半導体素子８の裏面が封止樹脂１１より
露出した構造を有し、また外部端子部１０もその裏面が
封止樹脂１１より露出した構造を有している。
【００１４】本実施形態の樹脂封止型半導体装置は、従
来のようにアウターリード部に対して曲げ加工を施すこ
となく、表面実装に適した端子構造有するものであり、
基板への実装のための実装面積を低下させることができ
る。また一方の面が封止樹脂１１により封止された構造
の外部端子部１０を有しているので、外部端子部１０自
体が封止樹脂１１により固定され、樹脂封止型半導体装
置の検査、搬送時に外部端子部１０が変形し、実装時の
信頼性を低下するという課題も解消することができる。
また半導体素子８を搭載するためのダイパッド部自体を
削除しているので、封止樹脂内でのダイパッド部の熱膨
張による応力の発生はなくなり、パッケージクラックの
発生を防止することができる。また半導体素子８はその
裏面が外部に露出しているので、放熱性も向上する。
来のようにアウターリード部に対して曲げ加工を施すこ
となく、表面実装に適した端子構造有するものであり、
基板への実装のための実装面積を低下させることができ
る。また一方の面が封止樹脂１１により封止された構造
の外部端子部１０を有しているので、外部端子部１０自
体が封止樹脂１１により固定され、樹脂封止型半導体装
置の検査、搬送時に外部端子部１０が変形し、実装時の
信頼性を低下するという課題も解消することができる。
また半導体素子８を搭載するためのダイパッド部自体を
削除しているので、封止樹脂内でのダイパッド部の熱膨
張による応力の発生はなくなり、パッケージクラックの
発生を防止することができる。また半導体素子８はその
裏面が外部に露出しているので、放熱性も向上する。
【００１５】次に本実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法について図面を参照しながら説明する。
製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１６】図２は本実施形態の樹脂封止型半導体装置
の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
の製造方法を示す工程ごとの断面図である。
【００１７】まず図２（ａ）に示すように、第１工程と
して、リードフレーム１２と、絶縁物より構成された絶
縁シート１３とを接着剤により接着し、構成体１４を形
成する。リードフレーム１２は、次工程で半導体素子を
搭載する領域が開口部１５を有した薄膜状のものであ
る。また絶縁シート１３はポリイミドテープ、ポリイミ
ドフイルムなどの絶縁物質より構成されたものを用い
る。なお、ここではリードフレーム１２と絶縁シート１
３とを接着剤により接着させているが、予め絶縁シート
１３の片面に接着剤が塗布された接着性絶縁シートを用
いてもよい。
して、リードフレーム１２と、絶縁物より構成された絶
縁シート１３とを接着剤により接着し、構成体１４を形
成する。リードフレーム１２は、次工程で半導体素子を
搭載する領域が開口部１５を有した薄膜状のものであ
る。また絶縁シート１３はポリイミドテープ、ポリイミ
ドフイルムなどの絶縁物質より構成されたものを用い
る。なお、ここではリードフレーム１２と絶縁シート１
３とを接着剤により接着させているが、予め絶縁シート
１３の片面に接着剤が塗布された接着性絶縁シートを用
いてもよい。
【００１８】次に図２（ｂ）に示すように、第２工程と
して、第１工程で形成したリードフレーム１２／絶縁シ
ート１３の構成体１４に対して、その絶縁シート１３上
のリードフレーム１２の開口部１５に半導体素子８を搭
載する。半導体素子８の絶縁シート１３上への搭載は、
リードフレーム１２と絶縁シート１３とを接着した接着
剤をそのまま利用して接着して行なうことができる。
して、第１工程で形成したリードフレーム１２／絶縁シ
ート１３の構成体１４に対して、その絶縁シート１３上
のリードフレーム１２の開口部１５に半導体素子８を搭
載する。半導体素子８の絶縁シート１３上への搭載は、
リードフレーム１２と絶縁シート１３とを接着した接着
剤をそのまま利用して接着して行なうことができる。
【００１９】次に図２（ｃ）に示すように、第３工程と
して、半導体素子８の電極と、その半導体素子８の近傍
に延在するリードフレーム１２の先端部とを金属ワイヤ
ー９により電気的に接続する。
して、半導体素子８の電極と、その半導体素子８の近傍
に延在するリードフレーム１２の先端部とを金属ワイヤ
ー９により電気的に接続する。
【００２０】次に図２（ｄ）に示すように、第４工程と
して、絶縁シート１３の半導体素子８が接着された面側
に対してのみ、封止樹脂１１を形成する。これは半導体
素子８が接着され、金属ワイヤー９で接続されたリード
フレーム１２／絶縁シート１３の構成体１４を金型に入
れ、エポキシ樹脂等の封止樹脂を注入するトランスファ
ーモールドによって、片面封止を行なうものである。
して、絶縁シート１３の半導体素子８が接着された面側
に対してのみ、封止樹脂１１を形成する。これは半導体
素子８が接着され、金属ワイヤー９で接続されたリード
フレーム１２／絶縁シート１３の構成体１４を金型に入
れ、エポキシ樹脂等の封止樹脂を注入するトランスファ
ーモールドによって、片面封止を行なうものである。
【００２１】次に図２（ｅ）に示すように、第５工程と
して、リードフレーム１２の封止樹脂１１が形成されて
いない絶縁シート１３（破線で示す）側に対して、絶縁
シート１３のピールオフを行なう。リードフレーム１２
と絶縁シート１３とは、接着剤により接着しているだけ
なので、容易に絶縁シート１３のみを剥がすことができ
る。また、封止樹脂１１と絶縁シート１３との密着性に
ついては、絶縁シート１３上には、接着剤が形成されて
いるので、封止樹脂１１と絶縁シート１３との界面には
接着剤が存在することになり、密着性は低下することに
なる。したがって、容易に絶縁シート１３のみを剥がす
ことができる。
して、リードフレーム１２の封止樹脂１１が形成されて
いない絶縁シート１３（破線で示す）側に対して、絶縁
シート１３のピールオフを行なう。リードフレーム１２
と絶縁シート１３とは、接着剤により接着しているだけ
なので、容易に絶縁シート１３のみを剥がすことができ
る。また、封止樹脂１１と絶縁シート１３との密着性に
ついては、絶縁シート１３上には、接着剤が形成されて
いるので、封止樹脂１１と絶縁シート１３との界面には
接着剤が存在することになり、密着性は低下することに
なる。したがって、容易に絶縁シート１３のみを剥がす
ことができる。
【００２２】最後に図２（ｆ）に示すように、第６工程
として、リードフレーム１２の封止樹脂１１が形成され
ていない部分（破線で示す）、すなわち、封止樹脂１１
の領域外に突出した部分の切断を行ない、外部端子部１
０を形成する。外部端子部１０の変形防止、基板実装時
の接合の信頼性向上のため、外部端子部１０の封止樹脂
１１からの突出量は極力抑えるようにする。
として、リードフレーム１２の封止樹脂１１が形成され
ていない部分（破線で示す）、すなわち、封止樹脂１１
の領域外に突出した部分の切断を行ない、外部端子部１
０を形成する。外部端子部１０の変形防止、基板実装時
の接合の信頼性向上のため、外部端子部１０の封止樹脂
１１からの突出量は極力抑えるようにする。
【００２３】以上のように、ピールオフ可能なように、
リードフレーム１２と絶縁シート１３とを接着して構成
体１４を形成することにより、リードフレーム１２面を
封止樹脂１１で封止した後、絶縁シート１３を剥がすこ
とができ、片面封止を実現して薄型化、小型化に対応し
た樹脂封止型半導体装置を形成することができる。また
リードフレーム１２と半導体素子８を絶縁シート１３に
より固定してから、樹脂封止し、絶縁シート１３の除去
を行なうという工法により、半導体素子８の固定ととも
に、外部端子部１０の面導出部分、すなわち基板実装時
の外部端子部１０の接合面（下面部分）への樹脂バリが
付着することはなくなるので、基板実装時の接合信頼性
を向上させることができる。
リードフレーム１２と絶縁シート１３とを接着して構成
体１４を形成することにより、リードフレーム１２面を
封止樹脂１１で封止した後、絶縁シート１３を剥がすこ
とができ、片面封止を実現して薄型化、小型化に対応し
た樹脂封止型半導体装置を形成することができる。また
リードフレーム１２と半導体素子８を絶縁シート１３に
より固定してから、樹脂封止し、絶縁シート１３の除去
を行なうという工法により、半導体素子８の固定ととも
に、外部端子部１０の面導出部分、すなわち基板実装時
の外部端子部１０の接合面（下面部分）への樹脂バリが
付着することはなくなるので、基板実装時の接合信頼性
を向上させることができる。
【００２４】なお、リードフレーム１２において、外部
端子部１０となる箇所の外部端子部１０の各ピッチを異
なるように形成することにより、異なるピッチにおける
基板実装を可能とするものである。
端子部１０となる箇所の外部端子部１０の各ピッチを異
なるように形成することにより、異なるピッチにおける
基板実装を可能とするものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明の樹脂封止型半導体装置は、リー
ドフレームの片面封止と、外部端子部の構造により、薄
型化、小型化が実現した樹脂封止型半導体装置である。
また、従来のようにアウターリード部に対して曲げ加工
を施すことなく、表面実装に適した端子構造を有するも
のであり、基板への実装のための実装面積を低下させる
ことができる。また一方の面が封止樹脂により封止され
た構造の外部端子部を有しているので、外部端子部自体
が封止樹脂により固定され、樹脂封止型半導体装置の検
査、搬送時に外部端子部が変形し、実装時の信頼性を低
下するという課題も解消することができる。また半導体
素子を搭載するためのダイパッド部自体を削除している
ので、封止樹脂内でのダイパッド部の熱膨張による応力
の発生はなくなり、パッケージクラックの発生を防止す
ることができる。また半導体素子はその裏面が外部に露
出しているので、放熱性が向上するものである。
ドフレームの片面封止と、外部端子部の構造により、薄
型化、小型化が実現した樹脂封止型半導体装置である。
また、従来のようにアウターリード部に対して曲げ加工
を施すことなく、表面実装に適した端子構造を有するも
のであり、基板への実装のための実装面積を低下させる
ことができる。また一方の面が封止樹脂により封止され
た構造の外部端子部を有しているので、外部端子部自体
が封止樹脂により固定され、樹脂封止型半導体装置の検
査、搬送時に外部端子部が変形し、実装時の信頼性を低
下するという課題も解消することができる。また半導体
素子を搭載するためのダイパッド部自体を削除している
ので、封止樹脂内でのダイパッド部の熱膨張による応力
の発生はなくなり、パッケージクラックの発生を防止す
ることができる。また半導体素子はその裏面が外部に露
出しているので、放熱性が向上するものである。
【００２６】製造方法においては、ピールオフ可能なよ
うに、リードフレームと絶縁シートとを接着して構成体
を形成しているので、リードフレーム面を封止樹脂で封
止した後、絶縁シートを剥がすことができ、片面封止を
実現して薄型化、小型化に対応した樹脂封止型半導体装
置を形成することができる。またリードフレームと半導
体素子を絶縁シートにより固定してから、樹脂封止し、
絶縁シートの除去を行なうという工法により、半導体素
子の固定とともに、外部端子部の面導出部分、すなわち
基板実装時の外部端子部の接合面（下面部分）への樹脂
バリが付着することを防止できるものである。
うに、リードフレームと絶縁シートとを接着して構成体
を形成しているので、リードフレーム面を封止樹脂で封
止した後、絶縁シートを剥がすことができ、片面封止を
実現して薄型化、小型化に対応した樹脂封止型半導体装
置を形成することができる。またリードフレームと半導
体素子を絶縁シートにより固定してから、樹脂封止し、
絶縁シートの除去を行なうという工法により、半導体素
子の固定とともに、外部端子部の面導出部分、すなわち
基板実装時の外部端子部の接合面（下面部分）への樹脂
バリが付着することを防止できるものである。
【図１】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置を
示す図
示す図
【図２】本発明の一実施形態の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を示す断面図
製造方法を示す断面図
【図３】従来の樹脂封止型半導体装置を示す断面図
１ リードフレーム ２ ダイパッド部 ３ 半導体素子 ４ インナーリード部 ５ 金属ワイヤー ６ 封止樹脂 ７ アウターリード部 ８ 半導体素子 ９ 金属ワイヤー １０ 外部端子部 １１ 封止樹脂 １２ リードフレーム １３ 絶縁シート １４ 構成体 １５ 開口部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 坂口 茂樹 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 山田 雄一郎 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子と、前記半導体素子の近傍に
配置された端子部と、前記半導体素子と前記端子部とを
接続したワイヤーと、前記ワイヤーを含む前記半導体素
子および前記端子部の表面領域を封止した樹脂とよりな
り、前記半導体素子および前記端子部の裏面が前記樹脂
より露出してなることを特徴とする樹脂封止型半導体装
置。 - 【請求項２】 半導体素子と、前記半導体素子の近傍に
配置された端子部と、前記半導体素子と前記端子部とを
接続したワイヤーと、前記ワイヤーを含む前記半導体素
子および前記端子部の表面と側面とを封止した樹脂とよ
りなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項３】 端子部は平坦であることを特徴とする請
求項１または請求項２記載の樹脂封止型半導体装置。 - 【請求項４】 開口部を有したリードフレームと絶縁シ
ートとを接着剤により接着し、リードフレーム構成体を
形成する第１工程と、前記リードフレーム構成体に対し
て、前記絶縁シート上のリードフレームの前記開口部に
半導体素子を接着する第２工程と、前記半導体素子と前
記半導体素子の近傍に配置している前記リードフレーム
の先端部とをワイヤーにより接続する第３工程と、前記
絶縁シートの前記半導体素子が接着された面側に対して
のみ、封止樹脂を形成する第４工程と、前記リードフレ
ームの前記封止樹脂が形成されていない絶縁シート側に
対して、前記絶縁シートのみを剥がす第５工程と、前記
第４工程において形成した封止樹脂の領域外に突出した
リードフレーム部分の切断を行ない、外部端子部を形成
する第６工程とよりなることを特徴とする樹脂封止型半
導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 開口部を有したリードフレームと絶縁シ
ートとを接着剤により接着し、リードフレーム構成体を
形成する第１工程と、前記リードフレーム構成体に対し
て、前記絶縁シート上のリードフレームの前記開口部に
半導体素子を前記リードフレームと絶縁シートとの接着
時に前記絶縁シート上に形成した接着剤により接着する
第２工程と、前記半導体素子と前記半導体素子の近傍に
配置している前記リードフレームの先端部とをワイヤー
により接続する第３工程と、前記絶縁シートの前記半導
体素子が接着された面側に対してのみ、封止樹脂を形成
する第４工程と、前記リードフレームの前記封止樹脂が
形成されていない面に接着している絶縁シートを剥離さ
せ、リードフレームおよび半導体素子の裏面側を露出さ
せる第５工程と、前記第４工程において形成した封止樹
脂の領域外に突出したリードフレーム部分の切断を行な
い、外部端子部を形成する第６工程とよりなることを特
徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 封止樹脂の領域外に突出したリードフレ
ーム部分の切断を行ない、外部端子部を形成する第６工
程は、前記封止樹脂と同一面でリードフレームを切断す
る工程であることを特徴とする請求項４または請求項５
記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8162656A JPH1012773A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8162656A JPH1012773A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1012773A true JPH1012773A (ja) | 1998-01-16 |
Family
ID=15758783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8162656A Pending JPH1012773A (ja) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1012773A (ja) |
Cited By (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001094019A (ja) * | 1999-09-24 | 2001-04-06 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| WO2001035460A1 (fr) * | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Film adhesif pour semi-conducteur, grille de connexion et dispositif semi-conducteur comportant une telle grille et procede de fabrication dudit dispositif semi-conducteur |
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| WO2003085726A1 (fr) * | 2002-04-10 | 2003-10-16 | Renesas Technology Corp. | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication associe |
| US6875630B2 (en) | 2001-10-26 | 2005-04-05 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Lead frame, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a semiconductor device using the same |
| US6917118B2 (en) | 2002-10-21 | 2005-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2006019363A (ja) * | 2004-06-30 | 2006-01-19 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
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| CN109037084A (zh) * | 2018-07-27 | 2018-12-18 | 星科金朋半导体（江阴）有限公司 | 一种qfn指纹识别芯片的封装方法 |
| WO2019021766A1 (ja) * | 2017-07-24 | 2019-01-31 | 株式会社デンソー | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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| KR20190002363U (ko) | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 릴체, 포장체 및 곤포물 |
| KR20210035775A (ko) | 2019-09-17 | 2021-04-01 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 임시 보호 필름, 릴체, 포장체, 곤포체, 임시 보호체, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 |
| KR20220022113A (ko) | 2019-06-19 | 2022-02-24 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉 성형용 임시 보호 필름, 임시 보호 필름 부착 리드 프레임, 임시 보호 필름 부착 밀봉 성형체, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 |
| KR20220160008A (ko) | 2020-04-06 | 2022-12-05 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉 성형용 임시 보호 필름 및 그 제조 방법, 임시 보호 필름 부착 리드 프레임, 임시 보호된 밀봉 성형체, 및 반도체 패키지를 제조하는 방법 |
| KR20220164720A (ko) | 2020-04-06 | 2022-12-13 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉 성형용 임시 보호 필름, 임시 보호 필름 부착 리드 프레임, 밀봉 성형체, 및 반도체 패키지를 제조하는 방법 |
| US12398298B2 (en) | 2018-11-09 | 2025-08-26 | Resonac Corporation | Temporary protective film for producing semiconductor device, reel body, and method for producing semiconductor device |
-
1996
- 1996-06-24 JP JP8162656A patent/JPH1012773A/ja active Pending
Cited By (35)
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| KR20190002363U (ko) | 2018-03-13 | 2019-09-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 릴체, 포장체 및 곤포물 |
| KR20220039835A (ko) | 2018-03-13 | 2022-03-29 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 반도체 밀봉 성형용 가보호 필름, 가보호 필름 구비 리드 프레임, 가보호 필름 구비 밀봉 성형체, 및 반도체 장치를 제조하는 방법 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040817 |