JPH10136560A - Ｐｔｃ素子を用いた限流装置 - Google Patents
Ｐｔｃ素子を用いた限流装置Info
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- JPH10136560A JPH10136560A JP28694796A JP28694796A JPH10136560A JP H10136560 A JPH10136560 A JP H10136560A JP 28694796 A JP28694796 A JP 28694796A JP 28694796 A JP28694796 A JP 28694796A JP H10136560 A JPH10136560 A JP H10136560A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 即応性と安定性の両方に優れた限流装置を得
る。 【解決手段】 限流装置１０は交流電源と負荷からなる
電路の交流電源と負荷との間に遮断器を介して直列に接
続している。限流装置１０は、温度が上昇することによ
り抵抗値が増大するＰＴＣ素子からなる熱容量が小さい
第１ＰＴＣ素子１０ａと第１ＰＴＣ素子１０ａより熱容
量が大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂと、第１ＰＴＣ素子１
０ａの一端部に配設した電極板１１と、第２ＰＴＣ素子
１０ｂの一端部に配設した電極板１２とから構成され
る。この電路に短絡事故が発生すると、まず、熱容量が
小さい第１ＰＴＣ素子１０ａが温度上昇して即応的に限
流動作を行う。ついで、熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子
１０ｂが温度上昇して安定的に限流動作をする。
る。 【解決手段】 限流装置１０は交流電源と負荷からなる
電路の交流電源と負荷との間に遮断器を介して直列に接
続している。限流装置１０は、温度が上昇することによ
り抵抗値が増大するＰＴＣ素子からなる熱容量が小さい
第１ＰＴＣ素子１０ａと第１ＰＴＣ素子１０ａより熱容
量が大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂと、第１ＰＴＣ素子１
０ａの一端部に配設した電極板１１と、第２ＰＴＣ素子
１０ｂの一端部に配設した電極板１２とから構成され
る。この電路に短絡事故が発生すると、まず、熱容量が
小さい第１ＰＴＣ素子１０ａが温度上昇して即応的に限
流動作を行う。ついで、熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子
１０ｂが温度上昇して安定的に限流動作をする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、送配電系統等の電
路に流れる短絡電流あるいは過負荷電流等の過電流から
送配電系統あるいは送配電系統等の電路に配設した電力
機器を保護するための限流装置に係わり、特にＰＴＣ素
子を用いた限流装置に関する。
路に流れる短絡電流あるいは過負荷電流等の過電流から
送配電系統あるいは送配電系統等の電路に配設した電力
機器を保護するための限流装置に係わり、特にＰＴＣ素
子を用いた限流装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、送配電系統に流れる短絡電流ある
いは過負荷電流等の過電流から送配電系統あるいは送配
電系統等の電路に配設した電力機器を保護するために、
温度が上昇することにより抵抗値が増大する正の抵抗温
度係数を有する素子（ＰＴＣ（Positive Temperature C
oefficient）サーミスタ、以下ＰＴＣ素子という）を送
配電系統の電路に用いることが提案されるようになっ
た。
いは過負荷電流等の過電流から送配電系統あるいは送配
電系統等の電路に配設した電力機器を保護するために、
温度が上昇することにより抵抗値が増大する正の抵抗温
度係数を有する素子（ＰＴＣ（Positive Temperature C
oefficient）サーミスタ、以下ＰＴＣ素子という）を送
配電系統の電路に用いることが提案されるようになっ
た。
【０００３】このＰＴＣ素子を送配電系統の電路に遮断
器と併設して用いた場合、例えば、この電路に定格電流
以上の過電流が流れると、ＰＴＣ素子内にジュール熱が
発生してＰＴＣ素子の温度が上昇する。すると、このＰ
ＴＣ素子は正の抵抗温度係数を有するため、ＰＴＣ素子
の温度が所定の相転移温度以上になると、その抵抗値が
急激に増大してこの電路に流れる過電流を抑制（限流）
するようになる。その後、遮断器が動作して回路が遮断
される。一方、事故が回復した後、ＰＴＣ素子の温度が
常温に戻ると、その抵抗値は元の低抵抗値になるためＰ
ＴＣ素子は自動復帰し、遮断器が再投入されるとこの電
路には通常の所定の電流が流れるようになる。
器と併設して用いた場合、例えば、この電路に定格電流
以上の過電流が流れると、ＰＴＣ素子内にジュール熱が
発生してＰＴＣ素子の温度が上昇する。すると、このＰ
ＴＣ素子は正の抵抗温度係数を有するため、ＰＴＣ素子
の温度が所定の相転移温度以上になると、その抵抗値が
急激に増大してこの電路に流れる過電流を抑制（限流）
するようになる。その後、遮断器が動作して回路が遮断
される。一方、事故が回復した後、ＰＴＣ素子の温度が
常温に戻ると、その抵抗値は元の低抵抗値になるためＰ
ＴＣ素子は自動復帰し、遮断器が再投入されるとこの電
路には通常の所定の電流が流れるようになる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たＰＴＣ素子として熱容量の大きなＰＴＣ素子を単独で
用いると、この熱容量が大きなＰＴＣ素子に過電流が流
れても、ＰＴＣ素子が温度上昇して相転移温度に達する
までにある程度の時間がかかる。そのため、熱容量が大
きなＰＴＣ素子に過電流が流れても直ちにその抵抗値が
上昇しなく、限流動作の即応性が悪いという問題を生じ
る。
たＰＴＣ素子として熱容量の大きなＰＴＣ素子を単独で
用いると、この熱容量が大きなＰＴＣ素子に過電流が流
れても、ＰＴＣ素子が温度上昇して相転移温度に達する
までにある程度の時間がかかる。そのため、熱容量が大
きなＰＴＣ素子に過電流が流れても直ちにその抵抗値が
上昇しなく、限流動作の即応性が悪いという問題を生じ
る。
【０００５】一方、上記したＰＴＣ素子として熱容量の
小さなＰＴＣ素子を単独で用いると、この熱容量が小さ
なＰＴＣ素子に過電流が流れると、直ちにＰＴＣ素子の
温度が上昇して相転移温度に達するとともに、熱容量が
小さいため、その温度が異常に上昇してＰＴＣ素子が破
壊に到る恐れが生じるという問題があった。
小さなＰＴＣ素子を単独で用いると、この熱容量が小さ
なＰＴＣ素子に過電流が流れると、直ちにＰＴＣ素子の
温度が上昇して相転移温度に達するとともに、熱容量が
小さいため、その温度が異常に上昇してＰＴＣ素子が破
壊に到る恐れが生じるという問題があった。
【０００６】そこで、本発明は上記した問題点を解決す
るために、熱容量が小さなＰＴＣ素子と熱容量が大きな
ＰＴＣ素子を組み合わせて用いれば、熱容量が小さなＰ
ＴＣ素子により即応性が向上し、熱容量が大きなＰＴＣ
素子により安定性が向上するという知見に基づいてなさ
れたものであって、即応性と安定性の両方に優れた限流
装置を得ることにある。
るために、熱容量が小さなＰＴＣ素子と熱容量が大きな
ＰＴＣ素子を組み合わせて用いれば、熱容量が小さなＰ
ＴＣ素子により即応性が向上し、熱容量が大きなＰＴＣ
素子により安定性が向上するという知見に基づいてなさ
れたものであって、即応性と安定性の両方に優れた限流
装置を得ることにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、所定の温度に
なると急激にその抵抗値が増大する正の抵抗温度係数を
有するＰＴＣ素子を電路に備えて同電路に流れる過電流
を抑制するＰＴＣ素子を用いた限流装置であって、上記
課題を解決するために、請求項１に記載の発明において
は、熱容量が小さい第１ＰＴＣ素子と第１ＰＴＣ素子よ
り熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子とを直接接続して電路
に直列に挿入し、電路に過電流が流れると熱容量が小さ
い第１ＰＴＣ素子の抵抗値が増大して即応的な限流動作
をさせ、ついで第１ＰＴＣ素子より熱容量が大きい第２
ＰＴＣ素子の抵抗値が増大して限流動作を安定させるよ
うにしている。
なると急激にその抵抗値が増大する正の抵抗温度係数を
有するＰＴＣ素子を電路に備えて同電路に流れる過電流
を抑制するＰＴＣ素子を用いた限流装置であって、上記
課題を解決するために、請求項１に記載の発明において
は、熱容量が小さい第１ＰＴＣ素子と第１ＰＴＣ素子よ
り熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子とを直接接続して電路
に直列に挿入し、電路に過電流が流れると熱容量が小さ
い第１ＰＴＣ素子の抵抗値が増大して即応的な限流動作
をさせ、ついで第１ＰＴＣ素子より熱容量が大きい第２
ＰＴＣ素子の抵抗値が増大して限流動作を安定させるよ
うにしている。
【０００８】このように構成することにより、定常時に
おいては、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の常温
での抵抗値は小さいため、電路に給電される電流は第１
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子を通して流れる。
おいては、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の常温
での抵抗値は小さいため、電路に給電される電流は第１
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子を通して流れる。
【０００９】一方、短絡等の事故により定格電流以上の
過電流が第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子に流れる
異常時には、まず、過電流が流れたときに生じるジュー
ル熱により熱容量が小さい第１ＰＴＣ素子の温度が上昇
し、第１ＰＴＣ素子の温度が所定の温度になるとこの第
１ＰＴＣ素子の抵抗値が急激に増大して、電路に流れる
過電流の即応的な抑制（限流）動作を開始する。その
後、第２ＰＴＣ素子の温度が所定の温度になると、今度
は、第２ＰＴＣ素子の抵抗値が急激に増大して、電路に
流れる過電流を更に抑制（限流）して安定的な抑制（限
流）動作を行う。この場合、第２ＰＴＣ素子は熱容量が
大きいため、第２ＰＴＣ素子が異常に温度上昇すること
はない。また、第２ＰＴＣ素子の抑制（限流）作用によ
り、第１ＰＴＣ素子のジュール発熱が緩和されて第１Ｐ
ＴＣ素子の熱暴走も抑制される。
過電流が第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子に流れる
異常時には、まず、過電流が流れたときに生じるジュー
ル熱により熱容量が小さい第１ＰＴＣ素子の温度が上昇
し、第１ＰＴＣ素子の温度が所定の温度になるとこの第
１ＰＴＣ素子の抵抗値が急激に増大して、電路に流れる
過電流の即応的な抑制（限流）動作を開始する。その
後、第２ＰＴＣ素子の温度が所定の温度になると、今度
は、第２ＰＴＣ素子の抵抗値が急激に増大して、電路に
流れる過電流を更に抑制（限流）して安定的な抑制（限
流）動作を行う。この場合、第２ＰＴＣ素子は熱容量が
大きいため、第２ＰＴＣ素子が異常に温度上昇すること
はない。また、第２ＰＴＣ素子の抑制（限流）作用によ
り、第１ＰＴＣ素子のジュール発熱が緩和されて第１Ｐ
ＴＣ素子の熱暴走も抑制される。
【００１０】そして、事故が解消して電路への給電が再
開されるようになると、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴ
Ｃ素子を通して電流が流れるようになるとともに、第１
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の温度が徐々に低下
し、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の温度が常温
になると通常の負荷電流が電路に流れるようになる。
開されるようになると、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴ
Ｃ素子を通して電流が流れるようになるとともに、第１
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の温度が徐々に低下
し、第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の温度が常温
になると通常の負荷電流が電路に流れるようになる。
【００１１】請求項２に記載の発明においては、上述の
第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子をハニカム構造に
形成し、このハニカム構造の貫通孔を冷却媒体の流通孔
としている。このように、ハニカム構造の貫通孔を冷却
媒体の流通孔とすると、ハニカム構造は表面積が大きい
ので放熱効果が大きい。そのため、第１ＰＴＣ素子およ
び第２ＰＴＣ素子内の熱はこの貫通孔を通して放熱され
るようになるので、温度上昇した第１ＰＴＣ素子および
第２ＰＴＣ素子は直ちに常温まで低下するようになる。
第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子をハニカム構造に
形成し、このハニカム構造の貫通孔を冷却媒体の流通孔
としている。このように、ハニカム構造の貫通孔を冷却
媒体の流通孔とすると、ハニカム構造は表面積が大きい
ので放熱効果が大きい。そのため、第１ＰＴＣ素子およ
び第２ＰＴＣ素子内の熱はこの貫通孔を通して放熱され
るようになるので、温度上昇した第１ＰＴＣ素子および
第２ＰＴＣ素子は直ちに常温まで低下するようになる。
【００１２】請求項３に記載の発明においては、上述の
第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子として常温抵抗率
が小さくかつ常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁で
あるＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスを用いるようにして
いる。このＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスは常温抵抗率
が小さいため、正常時には電路に給電される電流は電力
損失を伴うことなく第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素
子を通して流れるようになる。また、Ｖ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3
セラミックスは常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁
であるので、この素子に定格電流以上の過電流が流れる
異常時には、急激にその抵抗値が増大するようになるた
め、この電路に流れる過電流を確実に限流することがで
きるようになる。
第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子として常温抵抗率
が小さくかつ常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁で
あるＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスを用いるようにして
いる。このＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスは常温抵抗率
が小さいため、正常時には電路に給電される電流は電力
損失を伴うことなく第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素
子を通して流れるようになる。また、Ｖ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3
セラミックスは常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁
であるので、この素子に定格電流以上の過電流が流れる
異常時には、急激にその抵抗値が増大するようになるた
め、この電路に流れる過電流を確実に限流することがで
きるようになる。
【００１３】
【発明の効果】請求項１に記載の発明においては、第１
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の常温での抵抗値は小
さいため、この素子を電路に直接接続しても抵抗損失は
小さく、定常時の電力損失を最小限にすることができ、
電力損失を伴うことなく電力系統を保護することができ
るようになる。また、過電流状態が解消すると流通路を
通して冷却媒体が流れてＰＴＣ素子の温度は短時間で常
温まで低下するので、この種の限流装置の信頼性が向上
する。
ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の常温での抵抗値は小
さいため、この素子を電路に直接接続しても抵抗損失は
小さく、定常時の電力損失を最小限にすることができ、
電力損失を伴うことなく電力系統を保護することができ
るようになる。また、過電流状態が解消すると流通路を
通して冷却媒体が流れてＰＴＣ素子の温度は短時間で常
温まで低下するので、この種の限流装置の信頼性が向上
する。
【００１４】請求項２に記載の発明においては、第１Ｐ
ＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子をハニカム構造に形成し
ているので、ハニカム構造に基づく放熱性により、短時
間での第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の冷却が可
能となり、温度上昇した第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴ
Ｃ素子は直ちに常温まで低下する。その結果、復帰動作
が速くなり、この種の限流装置の復帰性が向上する。
ＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子をハニカム構造に形成し
ているので、ハニカム構造に基づく放熱性により、短時
間での第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴＣ素子の冷却が可
能となり、温度上昇した第１ＰＴＣ素子および第２ＰＴ
Ｃ素子は直ちに常温まで低下する。その結果、復帰動作
が速くなり、この種の限流装置の復帰性が向上する。
【００１５】請求項３に記載の発明においては、常温抵
抗率が小さくかつ常温抵抗率に対する抵抗上昇率が２〜
３桁であるＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスを用いると、
抵抗損失は小さく、定常時の電力損失を最小限にするこ
とができ、電力損失を伴うことなく電力系統を保護する
ことができるようになる。また、ＢａＴｉＯ3系セラミ
ックスと比較して抵抗が小さいため、断面積を小さくす
ることが可能となり、小型のＰＴＣ素子を使用すること
ができて、この種の限流装置の小型化が可能となる。さ
らに、この素子に定格電流以上の過電流が流れても、温
度上昇に基づく素子の破壊を防止することができるよう
になる。また、過電流が流れると確実にその抵抗値が増
大するので、限流動作の応答性が向上し、この種の限流
装置の応答性が向上する。
抗率が小さくかつ常温抵抗率に対する抵抗上昇率が２〜
３桁であるＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスを用いると、
抵抗損失は小さく、定常時の電力損失を最小限にするこ
とができ、電力損失を伴うことなく電力系統を保護する
ことができるようになる。また、ＢａＴｉＯ3系セラミ
ックスと比較して抵抗が小さいため、断面積を小さくす
ることが可能となり、小型のＰＴＣ素子を使用すること
ができて、この種の限流装置の小型化が可能となる。さ
らに、この素子に定格電流以上の過電流が流れても、温
度上昇に基づく素子の破壊を防止することができるよう
になる。また、過電流が流れると確実にその抵抗値が増
大するので、限流動作の応答性が向上し、この種の限流
装置の応答性が向上する。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下に、図に基づいて本発明のＰ
ＴＣ素子を用いた限流装置の一実施の形態を説明する。
図１は本発明のＰＴＣ素子を用いた限流装置を送配電系
統の電路に直列に接続して、この電路に流れる過電流を
制限（限流）する場合の一例を示す図である。図１に示
すように、この限流装置１０は交流電源２０と負荷３０
からなる電路Ｌの交流電源２０と負荷３０との間に遮断
器４０を介して直列に接続している。
ＴＣ素子を用いた限流装置の一実施の形態を説明する。
図１は本発明のＰＴＣ素子を用いた限流装置を送配電系
統の電路に直列に接続して、この電路に流れる過電流を
制限（限流）する場合の一例を示す図である。図１に示
すように、この限流装置１０は交流電源２０と負荷３０
からなる電路Ｌの交流電源２０と負荷３０との間に遮断
器４０を介して直列に接続している。
【００１７】限流装置１０は温度が上昇することにより
抵抗値が増大する正の抵抗温度係数を有する素子（ＰＴ
Ｃ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ、
以下、ＰＴＣ素子という）からなる熱容量が小さい第１
ＰＴＣ素子１０ａと第１ＰＴＣ素子１０ａより熱容量が
大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂと、第１ＰＴＣ素子１０ａ
の一端部に配設した電極板１１と、第２ＰＴＣ素子１０
ｂの一端部に配設した電極板１２とから構成される。な
お、電極板１１および電極板１２より外方にそれぞれ延
出して図示しない端子が配設されており、これらの各端
子と電路Ｌとが接続されるようになされている。
抵抗値が増大する正の抵抗温度係数を有する素子（ＰＴ
Ｃ（Positive Temperature Coefficient）サーミスタ、
以下、ＰＴＣ素子という）からなる熱容量が小さい第１
ＰＴＣ素子１０ａと第１ＰＴＣ素子１０ａより熱容量が
大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂと、第１ＰＴＣ素子１０ａ
の一端部に配設した電極板１１と、第２ＰＴＣ素子１０
ｂの一端部に配設した電極板１２とから構成される。な
お、電極板１１および電極板１２より外方にそれぞれ延
出して図示しない端子が配設されており、これらの各端
子と電路Ｌとが接続されるようになされている。
【００１８】ここで、第１ＰＴＣ素子１０ａの熱容量と
第２ＰＴＣ素子１０ｂの熱容量の比は１：４〜８となる
ものが好ましい。また、同一材料、同一形状であれば、
第１ＰＴＣ素子１０ａの質量と第２ＰＴＣ素子１０ｂの
質量の比は１：４〜８となるものが好ましい。さらに、
第１ＰＴＣ素子１０ａの常温における抵抗値と第２ＰＴ
Ｃ素子１０ｂの常温における抵抗値の比は１：１〜５と
なるものが適応可能であるが、１：１〜２となるものが
好ましい。
第２ＰＴＣ素子１０ｂの熱容量の比は１：４〜８となる
ものが好ましい。また、同一材料、同一形状であれば、
第１ＰＴＣ素子１０ａの質量と第２ＰＴＣ素子１０ｂの
質量の比は１：４〜８となるものが好ましい。さらに、
第１ＰＴＣ素子１０ａの常温における抵抗値と第２ＰＴ
Ｃ素子１０ｂの常温における抵抗値の比は１：１〜５と
なるものが適応可能であるが、１：１〜２となるものが
好ましい。
【００１９】第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素
子１０ｂとしては、その比抵抗が急激に増大する温度
（一般的には相転移温度という）が５０℃〜２８０℃程
度のもので、常温での抵抗値が小さくかつ相転移温度に
なると急激に抵抗値が増大するものを用いることが好ま
しい。
子１０ｂとしては、その比抵抗が急激に増大する温度
（一般的には相転移温度という）が５０℃〜２８０℃程
度のもので、常温での抵抗値が小さくかつ相転移温度に
なると急激に抵抗値が増大するものを用いることが好ま
しい。
【００２０】そこで、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２
ＰＴＣ素子１０ｂとしては、一般的には、チタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ3）系セラミックスを用いることが知
られているが、表１に示すように、Ｖ2Ｏ3系セラミック
スはＢａＴｉＯ3系セラミックスより、常温抵抗率、電
圧依存性、機械的強度等の点でＰＴＣ素子として優れた
特性を有することが明らかとなったので、本発明におい
ては第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
として、Ｖ2Ｏ3系セラミックス、特にＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3
セラミックスを用いる。
ＰＴＣ素子１０ｂとしては、一般的には、チタン酸バリ
ウム（ＢａＴｉＯ3）系セラミックスを用いることが知
られているが、表１に示すように、Ｖ2Ｏ3系セラミック
スはＢａＴｉＯ3系セラミックスより、常温抵抗率、電
圧依存性、機械的強度等の点でＰＴＣ素子として優れた
特性を有することが明らかとなったので、本発明におい
ては第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
として、Ｖ2Ｏ3系セラミックス、特にＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3
セラミックスを用いる。
【００２１】
【表１】
【００２２】このＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3系セラミックスから
なる第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
は、その内部に蜂の巣のように多くの貫通孔を有するハ
ニカム構造に形成したものを使用する。このようにハニ
カム構造に形成したＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスから
なる第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
は、図２の温度−比抵抗特性に示すように、１３０℃程
度で相転移するＰＴＣ素子が得られる。
なる第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
は、その内部に蜂の巣のように多くの貫通孔を有するハ
ニカム構造に形成したものを使用する。このようにハニ
カム構造に形成したＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスから
なる第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
は、図２の温度−比抵抗特性に示すように、１３０℃程
度で相転移するＰＴＣ素子が得られる。
【００２３】なお、Ｖ2Ｏ3系セラミックスとして上記の
Ｖ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスの他、Ａｌ2Ｏ3を固溶し
たＶ2Ｏ3系セラミックスを用いてもよい。また、チタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）セラミックス、チタン酸ビスマス
（ＢｉＴｉＯ3）セラミックスあるいはこれらの固溶体
を用いてもよい。
Ｖ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスの他、Ａｌ2Ｏ3を固溶し
たＶ2Ｏ3系セラミックスを用いてもよい。また、チタン
酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）セラミックス、チタン酸ビスマス
（ＢｉＴｉＯ3）セラミックスあるいはこれらの固溶体
を用いてもよい。
【００２４】また、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２Ｐ
ＴＣ素子１０ｂとしては、ポリエチレン−カーボン系複
合材料あるいはポリオレフィン−カーボン系複合材料等
からなる合成樹脂により形成することも可能である。ま
た、クリストバライト−カーボン系等複合セラミックス
材料等から形成することも可能である。
ＴＣ素子１０ｂとしては、ポリエチレン−カーボン系複
合材料あるいはポリオレフィン−カーボン系複合材料等
からなる合成樹脂により形成することも可能である。ま
た、クリストバライト−カーボン系等複合セラミックス
材料等から形成することも可能である。
【００２５】電極板１１，１２は銅、アルミニウム、ス
テンレス等の金属をハニカム構造に形成している。そし
て、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
に形成したハニカム構造の貫通孔と各電極板１１，１２
に形成したハニカム構造の貫通孔とが一致するように形
成する。また、これらの各貫通孔がそれぞれ一致するよ
うに第１ＰＴＣ素子１０ａの貫通孔を有する一端面に電
極板１１を、第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫通孔を有する一
端面に電極板１２を配置して、錫・鉛ハンダ、銀ロウ、
導電性接着剤等により固着して一体化する。あるいは、
第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫
通孔を有する両端面にメタリコンを形成し、このメタリ
コン上に各電極板１１，１２をそれぞれ押圧接しても同
等の効果が得られる。
テンレス等の金属をハニカム構造に形成している。そし
て、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
に形成したハニカム構造の貫通孔と各電極板１１，１２
に形成したハニカム構造の貫通孔とが一致するように形
成する。また、これらの各貫通孔がそれぞれ一致するよ
うに第１ＰＴＣ素子１０ａの貫通孔を有する一端面に電
極板１１を、第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫通孔を有する一
端面に電極板１２を配置して、錫・鉛ハンダ、銀ロウ、
導電性接着剤等により固着して一体化する。あるいは、
第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫
通孔を有する両端面にメタリコンを形成し、このメタリ
コン上に各電極板１１，１２をそれぞれ押圧接しても同
等の効果が得られる。
【００２６】ついで、上述のように構成したＰＴＣ素子
を用いた限流装置の動作を説明する。まず、正常時の動
作について説明すると、遮断器４０が閉じた状態（運転
状態）において交流電源２０より電路Ｌに正常時の負荷
電流Ｉが供給されている場合、負荷３０には第１ＰＴＣ
素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを通して負荷電
流Ｉが流れる。このとき、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび
第２ＰＴＣ素子１０ｂの抵抗値は小さいため、第１ＰＴ
Ｃ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを電路Ｌに設
けても電力損失は小さい。
を用いた限流装置の動作を説明する。まず、正常時の動
作について説明すると、遮断器４０が閉じた状態（運転
状態）において交流電源２０より電路Ｌに正常時の負荷
電流Ｉが供給されている場合、負荷３０には第１ＰＴＣ
素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを通して負荷電
流Ｉが流れる。このとき、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび
第２ＰＴＣ素子１０ｂの抵抗値は小さいため、第１ＰＴ
Ｃ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを電路Ｌに設
けても電力損失は小さい。
【００２７】ここで、何らかの理由により、限流装置１
０の下流側の電路ＬのＸ地点に配設された負荷が短絡す
る事故が生じると、定格電流以上の過電流ＩSが電路Ｌ
に流れるようになる。第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２
ＰＴＣ素子１０ｂに定格電流以上の過電流ＩSが流れる
ようになると、第１ＰＴＣ素子１０ａの熱容量は小さい
ため、まず第１ＰＴＣ素子１０ｂはジュール熱により発
熱して温度が上昇して、その温度が１３０℃を超すと、
第１ＰＴＣ素子１０ａは上述の表１に示すように、常温
抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁であるので、急激に
その比抵抗が増大し、その抵抗値が急激に増大して即応
的に限流動作を行う。
０の下流側の電路ＬのＸ地点に配設された負荷が短絡す
る事故が生じると、定格電流以上の過電流ＩSが電路Ｌ
に流れるようになる。第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２
ＰＴＣ素子１０ｂに定格電流以上の過電流ＩSが流れる
ようになると、第１ＰＴＣ素子１０ａの熱容量は小さい
ため、まず第１ＰＴＣ素子１０ｂはジュール熱により発
熱して温度が上昇して、その温度が１３０℃を超すと、
第１ＰＴＣ素子１０ａは上述の表１に示すように、常温
抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁であるので、急激に
その比抵抗が増大し、その抵抗値が急激に増大して即応
的に限流動作を行う。
【００２８】ついで、熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子１
０ｂの温度が上昇して、その温度が１３０℃を超すと、
第２ＰＴＣ素子１０ｂの抵抗値が急激に増大して、第１
ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ内を流れ
ていた過電流ＩSは安定的に限流される。このように、
まず、第１ＰＴＣ素子１０ａにて即応的に限流動作を行
い、ついで、第２ＰＴＣ素子１０ｂにて安定的に限流動
作を行うことにより、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２
ＰＴＣ素子１０ｂは負の抵抗温度係数（ＮＴＣ（Negati
ve Temperature Coefficient））領域に至るまでに温度
上昇することがなくなり、定格電流以上の過電流ＩSに
より第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
が破壊されることがなくなる。
０ｂの温度が上昇して、その温度が１３０℃を超すと、
第２ＰＴＣ素子１０ｂの抵抗値が急激に増大して、第１
ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ内を流れ
ていた過電流ＩSは安定的に限流される。このように、
まず、第１ＰＴＣ素子１０ａにて即応的に限流動作を行
い、ついで、第２ＰＴＣ素子１０ｂにて安定的に限流動
作を行うことにより、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２
ＰＴＣ素子１０ｂは負の抵抗温度係数（ＮＴＣ（Negati
ve Temperature Coefficient））領域に至るまでに温度
上昇することがなくなり、定格電流以上の過電流ＩSに
より第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
が破壊されることがなくなる。
【００２９】定格電流以上の過電流ＩSが電路Ｌに流れ
るようになると、図示しないセンサがこの過電流ＩSを
検出して遮断器４０を遮断させる。これにより、第１Ｐ
ＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂに電流が流
れなくなる。
るようになると、図示しないセンサがこの過電流ＩSを
検出して遮断器４０を遮断させる。これにより、第１Ｐ
ＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂに電流が流
れなくなる。
【００３０】一方、短絡事故が回復して遮断器４０が復
帰すると、電路Ｌには正常な負荷電流Ｉが交流電源２０
より供給される。この場合、第１ＰＴＣ素子１０ａおよ
び第２ＰＴＣ素子１０ｂの温度は常温まで低下していな
いと、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０
ｂの抵抗値は高い値となっているが、第１ＰＴＣ素子１
０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂはハニカム構造に形成
されているため、冷却媒体となる空気が第１ＰＴＣ素子
１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂのハニカム構造の貫
通孔に流入し、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ
素子１０ｂの温度は逐次低下するようになる。
帰すると、電路Ｌには正常な負荷電流Ｉが交流電源２０
より供給される。この場合、第１ＰＴＣ素子１０ａおよ
び第２ＰＴＣ素子１０ｂの温度は常温まで低下していな
いと、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０
ｂの抵抗値は高い値となっているが、第１ＰＴＣ素子１
０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂはハニカム構造に形成
されているため、冷却媒体となる空気が第１ＰＴＣ素子
１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂのハニカム構造の貫
通孔に流入し、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ
素子１０ｂの温度は逐次低下するようになる。
【００３１】実験結果 上述のように構成した限流装置を定格電圧４００Ｖ、定
格電流１００Ａの系統に配置して短絡実験を行うと、図
３に示すような実験結果が得られた。ここで、熱容量が
小さい第１ＰＴＣ素子１０ａとして、断面積が５ｃ
ｍ2、長さが６ｃｍ、熱容量が９８（ジュール／ケルビ
ン）、常温抵抗が１．２×１０-3Ωの表１に示すＶ2Ｏ3
−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスからなるＰＴＣ素子を用い、熱
容量が大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂとして、断面積が１
０ｃｍ2、長さが１２ｃｍ、熱容量が３９２（ジュール
／ケルビン）、常温抵抗が１．２×１０-3Ωの表１に示
すＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスからなるＰＴＣ素子を
用いた。
格電流１００Ａの系統に配置して短絡実験を行うと、図
３に示すような実験結果が得られた。ここで、熱容量が
小さい第１ＰＴＣ素子１０ａとして、断面積が５ｃ
ｍ2、長さが６ｃｍ、熱容量が９８（ジュール／ケルビ
ン）、常温抵抗が１．２×１０-3Ωの表１に示すＶ2Ｏ3
−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスからなるＰＴＣ素子を用い、熱
容量が大きい第２ＰＴＣ素子１０ｂとして、断面積が１
０ｃｍ2、長さが１２ｃｍ、熱容量が３９２（ジュール
／ケルビン）、常温抵抗が１．２×１０-3Ωの表１に示
すＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックスからなるＰＴＣ素子を
用いた。
【００３２】なお、図３（ａ）は短絡した時点からの時
間に対するＰＴＣ素子に流れる電流の関係を示す図であ
り、実線の曲線αは第１ＰＴＣ素子１０ａと第２ＰＴＣ
素子１０ｂと組み合わせて用いた場合を示し、点線の曲
線β1は第１ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合を示
し、点線の曲線β2は第２ＰＴＣ素子１０ｂのみを用い
た場合を示す。
間に対するＰＴＣ素子に流れる電流の関係を示す図であ
り、実線の曲線αは第１ＰＴＣ素子１０ａと第２ＰＴＣ
素子１０ｂと組み合わせて用いた場合を示し、点線の曲
線β1は第１ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合を示
し、点線の曲線β2は第２ＰＴＣ素子１０ｂのみを用い
た場合を示す。
【００３３】また、図３（ｂ）は短絡した時点からの時
間に対するＰＴＣ素子の温度の関係を示す図であり、実
線の曲線α1は第１ＰＴＣ素子１０ａと第２ＰＴＣ素子
１０ｂと組み合わせて用いた場合の第１ＰＴＣ素子１０
ａの温度を示し、実線の曲線α2は第１ＰＴＣ素子１０
ａと第２ＰＴＣ素子１０ｂと組み合わせて用いた場合の
第２ＰＴＣ素子１０ｂの温度を示し、点線の曲線β1は
第１ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合の第１ＰＴＣ素
子１０ａの温度を示し、点線の曲線β2は第２ＰＴＣ素
子１０ｂのみを用いた場合の第２ＰＴＣ素子１０ｂの温
度を示す。
間に対するＰＴＣ素子の温度の関係を示す図であり、実
線の曲線α1は第１ＰＴＣ素子１０ａと第２ＰＴＣ素子
１０ｂと組み合わせて用いた場合の第１ＰＴＣ素子１０
ａの温度を示し、実線の曲線α2は第１ＰＴＣ素子１０
ａと第２ＰＴＣ素子１０ｂと組み合わせて用いた場合の
第２ＰＴＣ素子１０ｂの温度を示し、点線の曲線β1は
第１ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合の第１ＰＴＣ素
子１０ａの温度を示し、点線の曲線β2は第２ＰＴＣ素
子１０ｂのみを用いた場合の第２ＰＴＣ素子１０ｂの温
度を示す。
【００３４】図３の実験結果より明らかなように、第１
ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合（図３（ａ）（ｂ）
の曲線β1参照）は、５ｍｓｅｃで限流動作を開始する
が、温度上昇が速いためすぐにＮＴＣ領域に入り、限流
することが不能となる。また、１０ｍｓｅｃで温度が４
００℃を超えてしまい、素子が破壊される恐れがある。
第２ＰＴＣ素子１０ｂのみを用いた場合（図３（ａ）
（ｂ）の曲線β2参照）は、１０ｍｓｅｃで限流動作を
開始するが電流ピーク値が８５ｋＡも流れてしまう。こ
のように、第１ＰＴＣ素子１０ａあるいは第２ＰＴＣ素
子１０ｂのみを単独で用いると限流装置として充分機能
しないことが明らかとなった。
ＰＴＣ素子１０ａのみを用いた場合（図３（ａ）（ｂ）
の曲線β1参照）は、５ｍｓｅｃで限流動作を開始する
が、温度上昇が速いためすぐにＮＴＣ領域に入り、限流
することが不能となる。また、１０ｍｓｅｃで温度が４
００℃を超えてしまい、素子が破壊される恐れがある。
第２ＰＴＣ素子１０ｂのみを用いた場合（図３（ａ）
（ｂ）の曲線β2参照）は、１０ｍｓｅｃで限流動作を
開始するが電流ピーク値が８５ｋＡも流れてしまう。こ
のように、第１ＰＴＣ素子１０ａあるいは第２ＰＴＣ素
子１０ｂのみを単独で用いると限流装置として充分機能
しないことが明らかとなった。
【００３５】一方、第１ＰＴＣ素子１０ａと第２ＰＴＣ
素子１０ｂと組み合わせて用いた場合（図３（ａ）の曲
線αおよび図３（ｂ）の曲線α1，α2参照）は、５ｍｓ
ｅｃで限流動作を開始し、４０ｋＡ以内に電流を限流す
ることが可能となり、限流装置として充分に機能するこ
とが明らかとなった。
素子１０ｂと組み合わせて用いた場合（図３（ａ）の曲
線αおよび図３（ｂ）の曲線α1，α2参照）は、５ｍｓ
ｅｃで限流動作を開始し、４０ｋＡ以内に電流を限流す
ることが可能となり、限流装置として充分に機能するこ
とが明らかとなった。
【００３６】上述のように構成した本実施形態において
は、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
として常温での抵抗値が小さいＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミ
ックスを用いているため、これらの第１ＰＴＣ素子１０
ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを電路Ｌに直接接続して
も抵抗損失は小さくなる。そのため、定常時の電力損失
を最小限にすることができ、電力損失を伴うことなく過
電流を防止することができるようになる。
は、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂ
として常温での抵抗値が小さいＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミ
ックスを用いているため、これらの第１ＰＴＣ素子１０
ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを電路Ｌに直接接続して
も抵抗損失は小さくなる。そのため、定常時の電力損失
を最小限にすることができ、電力損失を伴うことなく過
電流を防止することができるようになる。
【００３７】また、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２Ｐ
ＴＣ素子１０ｂは多数の貫通孔を有するハニカム構造に
形成しているので、冷却効率が向上し、短絡事故等が発
生しても早期に冷却されて常温に復帰し、この種の限流
装置の復帰性が向上するとともに、短時間で自動復帰で
きるようになり、電力系統の保守が容易になって保守性
が向上する。
ＴＣ素子１０ｂは多数の貫通孔を有するハニカム構造に
形成しているので、冷却効率が向上し、短絡事故等が発
生しても早期に冷却されて常温に復帰し、この種の限流
装置の復帰性が向上するとともに、短時間で自動復帰で
きるようになり、電力系統の保守が容易になって保守性
が向上する。
【００３８】さらに、Ｖ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミックス
は、ＢａＴｉＯ3系セラミックスと比較して抵抗が小さ
いため、断面積を小さくすることが可能となり、小型の
第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを使
用することができて、この種限流装置の小型化が可能と
なる。また、常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁で
あるので、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子
１０ｂに定格電流以上の過電流が流れても、ＮＴＣ領域
に至るまでに温度上昇をすることがないため、温度上昇
に基づく第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１
０ｂの破壊を防止することができるようになる。また、
過電流が流れると確実にその抵抗値が増大するので、限
流動作の応答性が向上し、この種限流装置の応答性が向
上する。
は、ＢａＴｉＯ3系セラミックスと比較して抵抗が小さ
いため、断面積を小さくすることが可能となり、小型の
第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを使
用することができて、この種限流装置の小型化が可能と
なる。また、常温抵抗率に対する抵抗上昇が２〜３桁で
あるので、第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子
１０ｂに定格電流以上の過電流が流れても、ＮＴＣ領域
に至るまでに温度上昇をすることがないため、温度上昇
に基づく第１ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１
０ｂの破壊を防止することができるようになる。また、
過電流が流れると確実にその抵抗値が増大するので、限
流動作の応答性が向上し、この種限流装置の応答性が向
上する。
【００３９】なお、上述の実施の形態においては、第１
ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを自然冷
却する例について説明したが、空気、ガス、液体等の冷
却媒体をファン、ポンプ等を駆動して、これらの冷却媒
体をハニカム構造に形成した第１ＰＴＣ素子１０ａおよ
び第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫通孔に流入、流出させるよ
うにすれば冷却効率が向上して、温度上昇した第１ＰＴ
Ｃ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを直ちに常温
まで低下させることが可能となる。
ＰＴＣ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを自然冷
却する例について説明したが、空気、ガス、液体等の冷
却媒体をファン、ポンプ等を駆動して、これらの冷却媒
体をハニカム構造に形成した第１ＰＴＣ素子１０ａおよ
び第２ＰＴＣ素子１０ｂの貫通孔に流入、流出させるよ
うにすれば冷却効率が向上して、温度上昇した第１ＰＴ
Ｃ素子１０ａおよび第２ＰＴＣ素子１０ｂを直ちに常温
まで低下させることが可能となる。
【００４０】また、上述の実施の形態においては、ハニ
カム構造の貫通孔を電流の通電方向に設ける例について
説明したが、ハニカム構造の貫通孔は電流の通電方向に
直角方向に設けるようにしてもよい。この場合、各電極
板にハニカム構造の貫通孔を設ける必要がなくなるた
め、この種の限流装置をさらに安価に製造できるように
なる。
カム構造の貫通孔を電流の通電方向に設ける例について
説明したが、ハニカム構造の貫通孔は電流の通電方向に
直角方向に設けるようにしてもよい。この場合、各電極
板にハニカム構造の貫通孔を設ける必要がなくなるた
め、この種の限流装置をさらに安価に製造できるように
なる。
【００４１】また、本発明の限流装置１０は上述の実施
の形態に限定されものではなく、例えば、低圧配線用遮
断器、高圧および特別高圧以上の遮断器に内蔵あるいは
別個に直列に配置して用いることができるもできる。ま
た、サイリスタ装置の保護用として用いることができる
もできるし、あるいは低圧ネットワーク配電用の限流ヒ
ューズの代わりに用いることができる。
の形態に限定されものではなく、例えば、低圧配線用遮
断器、高圧および特別高圧以上の遮断器に内蔵あるいは
別個に直列に配置して用いることができるもできる。ま
た、サイリスタ装置の保護用として用いることができる
もできるし、あるいは低圧ネットワーク配電用の限流ヒ
ューズの代わりに用いることができる。
【図１】 本発明の限流装置を送配電系統の電路に直接
接続する一例を示す図である。
接続する一例を示す図である。
【図２】 本発明のＰＴＣ素子の温度−比抵抗特性を示
す図である。
す図である。
【図３】 本発明の限流装置を送配電系統の電路に直接
接続して短絡試験を行った実験結果を示す図である。
接続して短絡試験を行った実験結果を示す図である。
１０…限流装置、１０ａ…熱容量が小さい第１ＰＴＣ素
子（正の抵抗温度係数を有する素子）、１０ｂ…熱容量
が大きい第２ＰＴＣ素子（正の抵抗温度係数を有する素
子）、２０…交流電源、３０…負荷、４０…遮断器
子（正の抵抗温度係数を有する素子）、１０ｂ…熱容量
が大きい第２ＰＴＣ素子（正の抵抗温度係数を有する素
子）、２０…交流電源、３０…負荷、４０…遮断器
Claims (3)
- 【請求項１】 所定の温度になると急激にその抵抗値が
増大する正の抵抗温度係数を有するＰＴＣ素子を電路に
備えて同電路に流れる過電流を抑制するＰＴＣ素子を用
いた限流装置であって、 熱容量が小さい第１ＰＴＣ素子と前記第１ＰＴＣ素子よ
り熱容量が大きい第２ＰＴＣ素子とを直接接続して前記
電路に直列に挿入し、 前記電路に過電流が流れると前記熱容量が小さい第１Ｐ
ＴＣ素子の抵抗値が増大して即応的な限流動作をさせ、
ついで前記第１ＰＴＣ素子より熱容量が大きい第２ＰＴ
Ｃ素子の抵抗値が増大して限流動作を安定させるように
したことを特徴とするＰＴＣ素子を用いた限流装置。 - 【請求項２】 前記第１ＰＴＣ素子および前記第２ＰＴ
Ｃ素子をハニカム構造に形成し、該ハニカム構造に形成
した貫通孔を冷却媒体の流通路としたことを特徴とする
請求項１に記載のＰＴＣ素子を用いた限流装置。 - 【請求項３】 前記第１ＰＴＣ素子および前記第２ＰＴ
Ｃ素子は常温抵抗率が小さくかつ常温抵抗率に対する抵
抗上昇率が２〜３桁であるＶ2Ｏ3−Ｃｒ2Ｏ3セラミック
スであることを特徴とする請求項１または請求項２に記
載のＰＴＣ素子を用いた限流装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28694796A JPH10136560A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Ｐｔｃ素子を用いた限流装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28694796A JPH10136560A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Ｐｔｃ素子を用いた限流装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10136560A true JPH10136560A (ja) | 1998-05-22 |
Family
ID=17711019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28694796A Pending JPH10136560A (ja) | 1996-10-29 | 1996-10-29 | Ｐｔｃ素子を用いた限流装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10136560A (ja) |
-
1996
- 1996-10-29 JP JP28694796A patent/JPH10136560A/ja active Pending
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