JPH10139651A - 油中水型乳化化粧料 - Google Patents
油中水型乳化化粧料Info
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- JPH10139651A JPH10139651A JP8303101A JP30310196A JPH10139651A JP H10139651 A JPH10139651 A JP H10139651A JP 8303101 A JP8303101 A JP 8303101A JP 30310196 A JP30310196 A JP 30310196A JP H10139651 A JPH10139651 A JP H10139651A
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Abstract
物、及び(B)HLB8未満の非イオン性界面活性剤を
含有する油中水型乳化化粧料。 【効果】 安定性に優れるとともに、角質層の水分保持
機能を高め、肌荒れ改善効果に優れる。
Description
機能を高めることができ、肌荒れ改善効果に優れた油中
水型乳化化粧料に関する。
ルは、角質層の水分量が低下することが原因と考えられ
ている。これらのトラブルを改善するためには、アミド
結合を有する化合物、例えば細胞間脂質、特にスフィン
ゴ脂質が有効であることが知られており、これらの化合
物を化粧料等に配合して、角質層の水分保持機能を高
め、肌荒れを改善又は予防することが図られている。
は、油中水型乳化化粧料等の化粧料に安定に配合するこ
とが困難であり、十分な肌荒れ改善効果を得ることはで
きなかった。
は、角質層の水分保持機能を高めることができ、肌荒れ
改善効果に優れた化粧料を提供することにある。
発明者らは鋭意研究を行った結果、特定のアミド化合物
とHLB8以下の非イオン性界面活性剤を組合せて用い
れば、アミド化合物が安定に配合され、角質層の水分保
持機能を高め、肌荒れを改善する効果に優れた油中水型
乳化化粧料が得られることを見出し、本発明を完成し
た。
(B): (A)融点が0〜50℃のアミド化合物、(B)HLB
8未満の非イオン性界面活性剤を含有することを特徴と
する油中水型乳化化粧料を提供するものである。
アミド化合物は、融点が0〜50℃、好ましくは10〜
40℃のものである。この範囲外のものでは、組成物中
に安定に配合することができない。なお、本発明におい
て、融点は、JIS−K7121−1987−9−9.
1(2)に従って測定した補外融点開始温度で示した。
イソステアリン酸アミド、イソパルミチン酸アミド、イ
ソミリスチン酸アミド等の酸アミドや、次の一般式
(1)〜(3)
炭素数1〜40のヒドロキシル化されていてもよい炭化
水素基を示し、R3 は炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐
鎖のアルキレン基又は単結合を示し、R4 は水素原子、
炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又
は2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただ
し、R3 が単結合のときはR4 は水素原子である。)
示し、R3aは炭素数3〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアル
キレン基を示し、R4aは炭素数1〜12の直鎖又は分岐
鎖のアルコキシ基を示す。)
意味を示し、R4bは水素原子、炭素数1〜12の直鎖若
しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−エポキシプロ
ピルオキシ基を示す。ただし、R3 が単結合のときR4b
は水素原子である。)で表わされるアミド誘導体などが
挙げられる。
て、R1 及びR2 は同一又は異なって炭素数1〜40の
直鎖又は分岐鎖の飽和又は不飽和のヒドロキシル化され
ていてもよい炭化水素基を示す。R1 及びR2 として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデ
シル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデ
シル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノ
ナデシル、ヘンエイコシル、ドコシル、ノナコシル、ト
リアコンチル、イソステアリル、イソヘプタデシル、2
−エチルヘキシル、1−エチルヘプチル、8−ヘプタデ
シル、8−ヘプタデセニル、8,11−ヘプタデカジエ
ニル、2−ヘプチルウンデシル、9−オクタデセニル、
1−ヒドロキシノニル、1−ヒドロキシペンタデシル、
2−ヒドロキシペンタデシル、15−ヒドロキシペンタ
デシル、11−ヒドロキシヘプタデシル及び11−ヒド
ロキシ−8−ヘプタデセニル等が挙げられる。
岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばオ
クチル、デシル、ドデシル、テトラデシル、ヘキサデシ
ル、オクタデシル、ドコシル、トリアコンチル、イソス
テアリル、2−エチルヘキシル、2−ヘプチルウンデシ
ル及び9−オクタデセニル等が挙げられる。R1 として
特に好ましい炭化水素基は炭素数12〜22の直鎖又は
分岐鎖のアルキル基であり、例えばドデシル、テトラデ
シル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコシル及びメチ
ル分岐イソステアリル基等が挙げられる。
岐鎖のアルキル又はアルケニル基が好ましく、例えばノ
ニル、ウンデシル、トリデシル、ペンタデシル、ヘプタ
デシル、ヘンエイコシル、ノナコシル、イソヘプタデシ
ル、1−エチルヘプチル、8−ヘプタデシル、8−ヘプ
タデセニル、8,11−ヘプタデカジエニル、1−ヒド
ロキシノニル、1−ヒドロキシペンタデシル、2−ヒド
ロキシペンタデシル、15−ヒドロキシペンタデシル、
11−ヒドロキシヘプタデシル及び11−ヒドロキシ−
8−ヘプタデセニル等が挙げられる。R2 として特に好
ましい炭化水素基は炭素数11〜21の直鎖又は分岐鎖
のアルキル基であり、例えばウンデシル、トリデシル、
ペンタデシル、ヘプタデシル、ヘンエイコシル及びメチ
ル分岐イソヘプタデシル基等が挙げられる。
のアルキレン基又は単結合を示し、アルキレン基として
は例えばメチレン、エチレン、トリメチレン、テトラメ
チレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、1−メチル
エチレン、1−メチルトリメチレン、2−メチルトリメ
チレン、1,1−ジメチルエチレン、1−エチルエチレ
ン、1−メチルテトラメチレン、2−エチルトリメチレ
ン等が挙げられる。R 3 としては炭素数1〜6の直鎖の
アルキレン基が好ましく、このうちメチレン、エチレン
及びトリメチレンが特に好ましい。
しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−ジヒドロキシ
プロピルオキシ基を示し、アルコキシ基としては例えば
メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシ、ヘキシル
オキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、1−メチルエ
トキシ及び2−エチルヘキシルオキシ等が挙げられる。
R4 としては水素原子、炭素数1〜8のアルコキシ基及
び2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基が好ましく、
このうち水素原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、
ブトキシ、1−メチルエトキシ、2−エチルヘキシルオ
キシ及び2,3−ジヒドロキシプロピルオキシ基が特に
好ましい。
中のR1 、R2 、R3 及びR4 がそれぞれ上述の特に好
ましい範囲の基である場合を組合わせた化合物が好まし
い。
及びR2 は上記と同様の意味を示し、同様の基が好まし
い。また、R3aとしてはアミド誘導体(1)のR3 にお
いて例示したアルキレン基からメチレン及びエチレンを
除いた基が挙げられる。R3aとしては炭素数3〜6の直
鎖のアルキレン基が好ましく、このうちトリメチレンが
特に好ましい。R4aのアルコキシ基としては、アミド誘
導体(1)のR4 と同様の基が挙げられ、同様の基が好
ましい。
R1 、R2 及びR3 は上記と同様の意味を示し、R4bは
水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアル
コキシ基又は2,3−エポキシプロピルオキシ基を示
す。R1 、R2 及びR3 として具体的には、アミド誘導
体(1)と同様の基が挙げられ、同様の基が好ましい。
R4bの炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキ
シ基としては、アミド誘導体(1)のR4 と同様の基が
挙げられ、水素原子、R4 と同様のアルコキシ基及び
2,3−エポキシプロピルオキシ基が好ましい。
ち、特に、一般式(1)で表わされるものが好ましい。
1又は製造法2によって得ることができる。
の意味を示し、R4fは水素原子又は炭素数1〜12の直
鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基を示す。ただし、R3
が単結合のときはR4fは水素原子である。R6 、R8 、
R10及びR11は炭素数1〜8の直鎖又は分岐鎖の飽和若
しくは不飽和の炭化水素基を示すが、好ましくは炭素数
1〜5の直鎖又は分岐鎖のアルキル基で、特に好ましく
はメチル基である。R9は水素原子、アルカリ金属原子
又はCOR8基を示し、R7 及びR12はハロゲン原子、メシ
レート基、トシレート基等の脱離基を示す。R7 として
は、入手の容易さ等の点から塩素原子及び臭素原子、特
に塩素原子が好ましく、R12としては、入手の容易さ等
の点からメシレート基及びトシレート基が好ましい。)
同様の意味を示し、R3gは炭素数1〜6の直鎖又は分岐
鎖のアルキレン基を示す。)
は次のとおりである。
ン(8F)又は(8G)を、無溶媒で、あるいは水又は
メタノール、エタノール、イソプロパノール等の低級ア
ルコール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレン
グリコールジメチルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキ
サン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶
媒、あるいはこれらの任意の混合溶媒中等において、室
温〜150℃で反応させることにより、アミノアルコー
ル誘導体(4F)又は(4G)を製造することができ
る。
又は(4G)に、脂肪酸エステル(9)好ましくは脂肪
酸メチルエステル、脂肪酸エチルエステル等の脂肪酸低
級アルキルエステルを、水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸化カルシウム等の
アルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ
金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸
塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カ
リウム−tert−ブトキシド等のアルカリ金属アルコ
ラート等の塩基性触媒の存在下、常圧〜0.01mmHgの
減圧下に室温〜150℃で反応させることにより、アミ
ド誘導体(2F)又は(2G)を製造することができ
る。この際、塩基性触媒の使用量はアミノアルコール誘
導体(4F)又は(4G)に対して0.01〜0.2当
量が好ましく、また反応により生じるアルコールを系外
に除去しながら行うと、反応が速く進行するので好まし
い。
G)はまた、アミノアルコール誘導体(4F)又は(4
G)に脂肪酸クロライド(10)を、無溶媒であるいは
クロロホルム、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン
等のハロゲン化炭化水素系溶媒、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、エチレングリコールジメチルエーテル等の
エーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシ
レン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任意の混合
溶媒中等において、ピリジン、トリエチルアミン等の第
三級アミン等の塩基の存在下又は無存在下、室温〜10
0℃で反応させてアミド−エステル誘導体(11F)又
は(11G)に変換後、
ム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸
化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリ
ウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアル
カリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウ
ムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のア
ルカリ金属アルコラート等の塩基性条件下等で、選択的
に加水分解することによっても製造することができる。
G)に1〜20当量のエポキシド(12)、好ましくは
エピクロルヒドリンを、無溶媒であるいは水又はテトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチ
ルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれ
らの任意の混合溶媒中等において、1〜10当量の水酸
化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化
物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、
炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム
等のアルカリ土類金属炭酸塩の存在下、室温〜150℃
で反応させることによりアミド誘導体(3F)又は(3
G)を製造することができる。この際、テトラブチルア
ンモニウムブロマイド、テトラブチルアンモニウムクロ
ライド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムクロライ
ド、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロマイド、
ステアリルトリメチルアンモニウムクロライド、ビステ
トラオキシエチレンステアリルメチルアンモニウムクロ
ライド等の第四級アンモニウム塩やラウリルジメチルカ
ルボキシアンモニウムベタイン等のベタイン等の相間移
動触媒の存在下で反応を行うことが収率の面等で好まし
い。
G)を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカ
リ金属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金
属水酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭
酸カルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩等の塩基性条
件下又は硫酸、塩酸等の鉱酸、三フッ化ホウ素、四塩化
スズ等のルイス酸、酢酸、テトラデカン酸、ヘキサデカ
ン酸等のカルボン酸、p−トルエンスルホン酸等のスル
ホン酸等の酸性条件下、あるいは塩基−酸混合条件下
で、室温〜300℃で水和することにより、アミド誘導
体(1F)又は(1G)を製造することができる。
G)はまた、アミド誘導体(3F)又は(3G)にカル
ボン酸誘導体(13)、好ましくは酢酸等の低級脂肪
酸、酢酸ナトリウム等の低級脂肪酸アルカリ金属塩、無
水酢酸等の低級脂肪酸無水物を単独あるいは組合わせ
て、トリエチルアミン等の第三級アミン等の塩基性触媒
の存在下又は無存在下で、反応させて、エステル−アミ
ド誘導体(14F)又は(14G)に変換後、
ム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金属水酸化物、水酸
化カルシウム等のアルカリ土類金属水酸化物、炭酸カリ
ウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カルシウム等のアル
カリ土類金属炭酸塩、ナトリウムメトキシド、ナトリウ
ムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド等のア
ルカリ金属アルコラート等の塩基性条件下等で、選択的
に加水分解することによっても製造することができる。
G)はまた、アミド誘導体(3F)又は(3G)にカル
ボニル化合物(15)、好ましくはアセトン、メチルエ
チルケトン等の低級脂肪族ケトンを、硫酸、塩酸、リン
酸等の鉱酸、酢酸等のカルボン酸、三フッ化ホウ素、四
塩化スズ等のルイス酸等の酸触媒の存在下に反応させ
て、1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16F)又
は(16G)に変換後、
酢酸等のカルボン酸、p−トルエンスルホン酸等のスル
ホン酸等の酸性条件下等で脱ケタール化することによっ
ても製造することができる。
誘導体(16F)又は(16G)はまた、アミド誘導体
(2F)又は(2G)にグリセロール誘導体(17)
を、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム等のアルカリ金
属水酸化物、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属水
酸化物、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩、炭酸カ
ルシウム等のアルカリ土類金属炭酸塩、水素化ナトリウ
ム等のアルカリ金属水素化物等の塩基の存在下で、無溶
媒であるいはN,N−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド等の非プロトン性極性溶媒、テトラヒドロ
フラン、ジオキサン、エチレングリコールジメチルエー
テル等のエーテル系溶媒、ヘキサン、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の炭化水素系溶媒、あるいはこれらの任
意の混合溶媒中等において、反応させることによっても
製造することができる。
(1)は、公知の方法により精製することができる。本
発明においては、アミド誘導体(1)を純度100%に
精製した精製物でも、特に精製を行わずに中間体や反応
副生成物を含んだ純度70〜100%の混合物でも、効
果、性能に優れ、かつ安全性にも問題がなく使用するこ
とができる。また、アミド誘導体(1)には水和物に代
表される溶媒和物も含まれる。
(1)としては、例えば次のものが挙げられる。
(1)としては、例えば次のものが挙げられる。
総炭素数30以上のN−置換アミド化合物が好ましい。
また、アミド化合物は、結合水を1重量%以上、特に5
重量%以上保持できるものがより好ましい。ここで結合
水の含有率は、まず、室温で試料に水を添加し、均一相
を維持できる最大添加量を測定して結合水量とし、次に
試料の総重量に対する結合水の総重量を百分率で示した
値とし、次式に従って求めることができる。
種以上を組合せて用いることができ、全組成中に0.0
2〜20重量%配合するのが好ましく、特に0.02〜
10重量%、更に0.02〜5重量%配合すると、安定
性の点でより好ましい。
性界面活性剤は、HLB8未満、好ましくはHLB5以
下のものである。HLB8以上のものでは、優れた乳化
安定性が得られない。なお、HLBとは親水性−親油性
のバランス(Hydrophile−Lypophil
e Balance)を示す指標であり、本発明におい
ては小田・寺村らによる次式を用いて算出した値を用い
ている。
は、例えばポリオキシエチレンヒマシ油、ポリオキシエ
チレン硬化ヒマシ油等のポリオキシエチレンヒマシ油又
は硬化ヒマシ油誘導体;ポリオキシエチレンソルビタン
モノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタンテト
ラオレエート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル;ポリオキシエチレングリセリルモノイソステ
アレート、ポリオキシエチレングリセリルトリイソステ
アレート等のポリオキシエチレングリコールの脂肪酸エ
ステル;ポリオキシエチレンオクチルドデシルエーテ
ル、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシ
エチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテ
ル等のポリオキシエチレンアルキルエーテルなどのポリ
オキシエチレン付加型界面活性剤の他、ポリグリセリン
アルキルエーテル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、シ
ョ糖脂肪酸エステルなどが挙げられる。
にポリオキシエチレン硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレ
ンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンソルビタンが
好ましい。
以上を組合せて用いることができ、全組成中に0.00
02〜10重量%配合するのが好ましく、特に0.00
02〜5重量%、更に0.0002〜3重量%配合する
と、安全性の点からも好ましい。
は、(A):(B)=1:0.01〜1:10、特に
1:0.4〜1:5であるのが、安定性の点でより好ま
しい。
分のほか、通常の化粧料に用いられる成分、例えばエタ
ノール、グリセリン、ソルビトール、プロピレングリコ
ール、ジプロピレングリコール、1,3−ブタンジオー
ル等の水溶性アルコール類、水溶性高分子、酸、塩基、
塩類、香料、色素、酸化防止剤、紫外線吸収剤、美白
剤、血行促進剤、ビタミン、金属キレート剤、皮脂抑制
剤、粉体、収斂剤、皮膚柔軟剤、前記以外の界面活性
剤、油剤などを、本発明の効果を損なわない範囲で適宜
選択して用いることができる。
法に従って製造することができ、種々の形態、例えばク
リーム、化粧乳液、ファンデーション、皮膚洗浄剤等の
皮膚化粧料などとすることができる。
及び配合安定性が良好なアミド化合物が安定に配合され
ており、乳化安定性に優れるとともに、角質層の水分保
持機能を高めることができ、肌荒れを改善・予防する効
果に優れたものである。
発明はこれらの実施例に限定されるものではない。な
お、製造例1〜10においては、アミド誘導体(1)を
前記製造法1に従って製造した。
た2リットル5口フラスコに、3−メトキシプロピルア
ミン743.2g(8.34mol)及びエタノール15
0mlを仕込み、窒素雰囲気下で80℃に加熱攪拌しつ
つ、これにヘキサデシルグリシジルエーテル165.9
g(0.56mol)を3時間かけて滴下した。滴下終了
後、更に80℃で12時間攪拌した後、エタノール及び
過剰の3−メトキシプロピルアミンを減圧下に加熱留去
し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製
することにより、アミノアルコール誘導体(4a)19
6.5g(収率91%対ヘキサデシルグリシジルエーテ
ル)を得た(工程1)。
の物性は次のとおりである。
5,1470,1310,1120,1065,95
5,900,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,26
H),1.45〜1.85(m,6H),2.57〜
2.76(m,4H),3.32(s,3H),3.3
8〜3.48(m,6H),3.77〜3.89(m,
1H).
留装置を備えた1リットル5口フラスコに、溶融した上
記(工程1)で得た化合物(4a)61.3g(15
8.1mmol)及びナトリウムメトキシド28%メタノー
ル溶液1.53g(7.91mmol)を仕込み、窒素雰囲
気下60℃で30分間攪拌した。次に、同条件下でこれ
にテトラデカン酸メチル38.3g(158.1mmol)
を1時間かけて滴下した。滴下終了後、更に減圧下(8
0〜10Torr)60℃で5時間攪拌し、反応を完結させ
た。反応混合物を冷却後、シリカゲルカラムクロマトグ
ラフィーで精製することにより、アミド誘導体(2a)
88.7g(収率94%)を得た(工程2)。
のとおりである。
0,1650,1625,1470,1225,121
0,1110,950,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.3Hz,6H),1.15〜1.95(m,5
3H),2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.
29〜3.55(m,10H),3.33(s,3
H),3.85〜3.95(m,1H).
た1リットル5口フラスコに、上記(工程2)で得た化
合物(2a)94.5g(158.0mmol)、テトラブ
チルアンモニウムブロマイド1.53g(4.74mmo
l)、エピクロルヒドリン32.2g(347.6mmo
l)、水酸化ナトリウム12.6g(315.0mmol)
及びトルエン66mlを仕込み、窒素雰囲気下45℃で1
0時間攪拌した。得られた反応混合物を70℃にて水で
3回洗浄後、トルエン及び過剰のエピクロルヒドリンを
減圧下に加熱留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製することにより、アミド誘導体(3
a)94.9g(収率92%)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1425,1380,1210,112
0,905,840,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.0Hz,6H),1.10〜1.45(m,4
6H),1.45〜1.90(m,6H),2.25〜
2.48(m,2H),2.50〜2.68(m,1
H),2.70〜2.85(m,1H),3.02〜
3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13
H),3.32(s,3H).
トクレーブに、上記(工程5)で得た化合物(3a)7
1.3g(109.0mmol)、水11.78g(65
4.1mmol)、水酸化ナトリウム0.087g(2.1
8mmol)及びテトラデカン酸0.87g(4.36mmo
l)を仕込み、密閉系にて160℃で6時間攪拌した。
反応混合物を冷却後、80℃にて2%食塩水で2回洗浄
した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製す
ることにより、目的とするアミド誘導体(1a)68.
3g(収率93%)を得た(工程6)。
のとおりである。
0,1630,1470,1420,1380,130
5,1210,1120,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.15〜1.44(m,4
6H),1.44〜1.95(m,8H),2.25〜
2.45(m,2H),3.20〜3.90(m,16
H),3.33(s,3H).
た500ミリリットル4口フラスコに、上記(工程5)
で得た化合物(3a)31.0g(47.4mmol)、水
11.9g(663.7mmol)、酢酸ナトリウム13.
6g(165.9mmol)及び酢酸104.9g(174
6.8mmol)を仕込み、窒素雰囲気下70℃で19時間
攪拌した。過剰の酢酸を減圧下加熱留去し、エステル−
アミド誘導体(14a−1)、(14a−2)及び(1
4a−3)を含む混合物を得た(工程7)。
含む混合物をフラスコから取り出すことなく、これに4
8%水酸化ナトリウム水溶液59.3g(711.2mm
ol)、水18g及びブタノール200mlを加え、80℃
で3時間攪拌した。ブタノールを減圧下に加熱留去し、
残渣をトルエン250mlに希釈後、70℃にて水で2回
洗浄した。トルエンを減圧下に加熱留去し、残渣をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィーで精製することによ
り、目的とするアミド誘導体(1a)22.3g(収率
70%)を得た(工程8)。
た10リットル5口フラスコに、3−メトキシプロピル
アミン4680g(52.5mol)及びエタノール90
0gを仕込み、窒素雰囲気下で80℃に加熱攪拌しつ
つ、これにヘキサデシルグリシジルエーテル1045g
(3.50mol)を3時間かけて滴下した。滴下終了
後、更に80℃で1時間攪拌した後、エタノール及び過
剰の3−メトキシプロピルアミンを減圧下に加熱留去
し、アミノアルコール誘導体(4a)を主成分とする生
成物を得た(工程1)。
フラスコ中の化合物(2a)を主成分とする生成物に、
水酸化カリウム9.82g(0.175mol)を加え、
窒素吹き込み下、減圧下(60〜10Torr)80℃で生
成してくる水を留去しながら3時間攪拌した。次に、同
条件下で攪拌しながら、これにテトラデカン酸メチル8
82.3g(3.64mol)を3時間かけて滴下した。
この際、生成してくるメタノールを留去した。滴下終了
後、更に窒素吹き込み下、減圧下(60〜10Torr)6
0〜45℃で生成してくるメタノールを留去しながら1
0時間攪拌して反応を完結させ、アミド誘導体(2a)
を主成分とする生成物を得た(工程2)。
フラスコ中の化合物(2a)を主成分とする生成物に、
テトラブチルアンモニウムブロマイド33.9g(0.
105mol)、エピクロルヒドリン712.5g(7.
70mol)及びトルエン2100gを加え、窒素吹き込
み下、減圧下(150〜50Torr)45℃で攪拌しなが
ら48%水酸化ナトリウム水溶液1750.0g(2
1.0mol)を2時間かけて滴下した。滴下終了後、更
に同条件下で10時間攪拌して反応を完結させた。反応
混合物を、70℃にて水で4回洗浄後、トルエン及び過
剰のエピクロルヒドリンを減圧下に加熱留去し、アミド
誘導体(3a)を主成分とする生成物を得た(工程
5)。
フラスコ中の化合物(3a)を主成分とする生成物に、
水378.2g(21.0mol)、48%水酸化ナトリ
ウム水溶液5.83g(0.070mol)及びテトラデ
カン酸32.0g(0.14mol)を加え窒素雰囲気
下、100℃で2.5日間攪拌した。反応混合物を80
℃にて2%食塩水で3回洗浄した後、減圧下に加熱脱水
し、目的とする化合物(1a)を主成分とする生成物2
261.5gを得た(工程6)。この生成物は、化合物
(1a)を70%含有しており、他に下記式で示す中間
体及び反応副生成物等が含有されていた。
わりにヘキサデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1
の工程1及び2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2
b)を得た(工程1及び2)。
のとおりである。
5,1620,1470,1205,1110,95
0,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.26〜1.89(m,5
7H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.
29〜3.52(m,10H),3.33(s,3
H),3.88〜3.95(m,1H).
a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2b)を
用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、
アミド誘導体(3b)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1425,1380,1210,112
0,910,845,755,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,5
0H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜
1.90(m,2H),2.25〜2.48(m,2
H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜
2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1
H),3.18〜4.00(m,13H),3.32
(s,3H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3b)
を、更にテトラデカン酸の代わりにヘキサデカン酸を用
いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、目
的とするアミド誘導体(1b)を得た(工程6)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1420,138
0,1305,1210,1120,1080.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,5
0H),1.45〜1.95(m,7H),2.25〜
2.55(m,3H),3.20〜3.92(m,16
H),3.33(s,3H).
リリットル4口フラスコに、上記(工程5)で得た化合
物(3b)34.1g(50.0mmol)、無水酢酸2
5.5g(250.0mmol)及びトリエチルアミン2
5.3g(250.0mmol)を仕込み、窒素雰囲気下1
00℃で10時間攪拌した。反応混合物を加熱下、減圧
濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製することにより、エステル−アミド誘導体
(14b)34.9g(収率89%)を得た(工程
7)。
b)の物性は次のとおりである。
J=6.4Hz,6H),1.26〜1.83(m,5
6H),2.03〜2.20(m,6H),2.33
(t,J=7.1Hz,2H),3.12〜4.35
(m,15H),3.32(s,3H),5.04〜
5.43(m,1H).
リリットル4口フラスコに、上記(工程7)で得た化合
物(14b)33.9g(43.2mmol)、ナトリウム
メトキシド28%メタノール溶液0.42g(2.16
mmol)及びメタノール200mlを仕込み、窒素雰囲気
下、室温で3.5時間攪拌した。反応混合物を加熱下、
減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲルカラムクロマト
グラフィーで精製することにより、目的とするアミド誘
導体(1b)16.0g(収率53%)を得た(工程
8)。
ル4口フラスコに、上記(工程2)で得た化合物(2
b)45.2g(72.0mmol)、水素化ナトリウム
2.86g(119.2mmol)及びトルエン800mlを
仕込み、窒素雰囲気下55℃で30分間攪拌した。次
に、これに1,2−イソプロピリデンジオキシ−3−ト
シルオキシプロパン34.8g(121.5mmol)を加
え、100℃で18時間攪拌した。反応混合物を、氷冷
下、2−プロパノール20mlを加えて未反応の水素化ナ
トリウムを不活性化した後、加熱下、減圧濃縮した。得
られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精
製することにより、1,3−ジオキソラン−アミド誘導
体(16b)51.0g(収率96%)を得た(工程1
1)。
導体(16b)の物性は次のとおりである。
J=6.4Hz,6H),1.20〜1.90(m,6
2H),2.36(t,J=7.0Hz,2H),3.
30〜4.25(m,19H).
ル4口フラスコに、上記(工程11)で得た化合物(1
6b)51.0g(68.9mmol)、トシル酸−一水和
物0.50g(2.63mmol)及びメタノール500ml
を仕込み、窒素雰囲気下室温で12時間攪拌した。反応
混合物を加熱下、減圧濃縮し、得られた残渣をシリカゲ
ルカラムクロマトグラフィーで精製することにより、目
的とするアミド誘導体(1b)41.0g(収率85
%)を得た(工程10)。
わりにドデカン酸メチルを用いた以外は、製造例1の工
程1及び工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2
c)を得た(工程1及び2)。
のとおりである。
5,1620,1470,1220,1110,72
0.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.20〜1.90(m,4
9H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.
25〜3.52(m,10H),3.33(s,3
H),3.88〜3.95(m,1H).
a)の代わりに、上記(工程2)で得た化合物(2c)
を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行
い、アミド誘導体(3c)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1650,1470,1380,1210,112
0,910,845.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,4
2H),1.45〜1.75(m,4H),1.75〜
1.90(m,2H),2.25〜2.50(m,2
H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜
2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1
H),3.18〜4.00(m,13H),3.32
(s,3H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3c)を
用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を
行い、目的とするアミド誘導体(1c)を得た(工程7
及び8)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1380,126
0,1210,1115,1080,795,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,4
2H),1.45〜1.97(m,8H),2.25〜
2.45(m,2H),3.15〜3.92(m,16
H),3.33(s,3H).
わりに花王(株)製ルナックP−70(テトラデカン
酸、ヘキサデカン酸、オクタデカン酸の重量比3:7
0:27の混合物)を加熱還流下、硫酸触媒の存在下に
メタノールと反応させることにより製造したルナックP
−70のメチルエステルを用いた以外は、製造例1の工
程1及び工程2と同様に反応を行い、アミド誘導体(2
d)を得た(工程1及び2)。
のとおりである。
0,1620,1470,1205,1110,95
0,720.
b)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2d)を
用いて反応を行い、得られた1,3−ジオキソラン−ア
ミド誘導体(16d)を精製することなく次の工程10
の反応を行った以外は、製造例3の工程11及び10と
同様に反応を行い、目的とするアミド誘導体(1d)を
得た(工程11及び10)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1380,121
0,1120,1080,720.
ーテルの代わりにオクタデシルグリシジルエーテルを用
いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、ア
ミノアルコール誘導体(4e)を得た(工程1)。
の物性は次のとおりである。
5,1470,1120,960,900,840,7
20.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,30
H),1.45〜1.85(m,6H),2.55〜
2.75(m,4H),3.32(s,3H),3.3
5〜3.50(m,6H),3.77〜3.89(m,
1H).
a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4e)を
用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、
アミド誘導体(2e)を得た(工程2)。
のとおりである。
0,1650,1625,1470,1225,121
0,1110,950,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.3Hz,6H),1.15〜1.95(m,5
7H),2.36(t,J=7.5Hz,2H),3.
30〜3.55(m,10H),3.33(s,3
H),3.85〜3.95(m,1H).
a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2e)を
用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、
アミド誘導体(3e)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1425,1380,1260,1210,112
0,910,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.0Hz,6H),1.10〜1.45(m,5
0H),1.45〜1.90(m,6H),2.25〜
2.50(m,2H),2.50〜2.68(m,1
H),2.70〜2.85(m,1H),3.01〜
3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13
H),3.32(s,3H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3e)を
用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を
行い、目的とするアミド誘導体(1e)を得た(工程7
及び8)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1380,122
0,1210,1120,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.17〜1.45(m,4
9H),1.45〜1.92(m,8H),2.22〜
2.45(m,2H),3.20〜3.90(m,17
H),3.33(s,3H).
製造例6の工程1で得た化合物(4e)を、更にテトラ
デカン酸メチルの代わりにヘキサデカン酸メチルを用い
た以外は、製造例1の工程2と同様に反応を行い、アミ
ド誘導体(2f)を得た(工程1及び2)。
のとおりである。
5,1620,1470,1220,1205,111
0,950,885,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.25〜1.95(m,6
1H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.
29〜3.52(m,10H),3.33(s,3
H),3.88〜3.95(m,1H).
a)の代わりに化合物(2f)を用いた以外は、製造例
1の工程5と同様に反応を行い、アミド誘導体(3f)
を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1425,1380,1210,112
0,910,845,755,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,5
4H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜
1.90(m,2H),2.25〜2.48(m,2
H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜
2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1
H),3.18〜4.00(m,13H),3.32
(s,3H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3f)を
用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応を
行い、目的とするアミド誘導体(1f)を得た(工程7
及び8)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1420,138
0,1305,1210,1120,1080.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,5
4H),1.45〜1.95(m,7H),2.25〜
2.55(m,3H),3.20〜3.95(m,16
H),3.33(s,3H).
ーテルの代わりにテトラデシルグリシジルエーテルを用
いた以外は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、ア
ミノアルコール誘導体(4g)を得た(工程1)。
の物性は次のとおりである。
5,1470,1310,1120,1065,99
5,900,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.3Hz,3H),1.25〜1.45(m,26
H),1.45〜1.85(m,6H),2.57〜
2.75(m,4H),3.32(s,3H),3.3
8〜3.48(m,6H),3.75〜3.88(m,
1H).
a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4g)
を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン
酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反
応を行い、アミド誘導体(2g)を得た(工程2)。
のとおりである。
5,1620,1470,1205,1110,95
0,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.26〜1.89(m,5
2H),2.36(t,J=7.6Hz,2H),3.
29〜3.52(m,11H),3.33(s,3
H),3.88〜3.95(m,1H).
a)の代わりに、上記(工程2)で得た化合物(2g)
を用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行
い、アミド誘導体(3g)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1425,1380,1210,112
0,910,845,755,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.7Hz,6H),1.15〜1.45(m,4
6H),1.45〜1.73(m,4H),1.73〜
1.90(m,2H),2.25〜2.50(m,2
H),2.50〜2.68(m,1H),2.70〜
2.85(m,1H),3.00〜3.18(m,1
H),3.18〜4.00(m,13H),3.32
(s,3H).
a)の代わりに、上記(工程5)で得た化合物(3g)
を用いた以外は、製造例1の工程7及び8と同様に反応
を行い、目的とするアミド誘導体(1g)を得た(工程
7及び8)。
のとおりである。
0,1650,1630,1470,1420,138
0,1305,1210,1120,1080,72
0.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.15〜1.45(m,4
5H),1.45〜1.93(m,7H),2.20〜
2.60(m,3H),3.20〜3.90(m,17
H),3.33(s,3H).
ンの代わりに2−メトキシエチルアミンを用いた以外
は、製造例1の工程1と同様に反応を行い、アミノアル
コール誘導体(4h)を得た(工程1)。
の物性は次のとおりである。
5,1470,1120,1065,900,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.3Hz,3H),1.25〜1.70(m,30
H),2.57〜2.76(m,4H),3.32
(s,3H),3.38〜3.48(m,6H),3.
77〜3.89(m,1H).
a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4h)
を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン
酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反
応を行い、アミド誘導体(2h)を得た(工程2)。
のとおりである。
5,1620,1470,1110,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.87(t,J=
6.4Hz,6H),1.15〜1.70(m,55
H),2.25〜2.50(m,2H),3.20〜
4.00(m,11H),3.34(s,3H).
a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2h)を
用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、
アミド誘導体(3h)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1420,1380,1310,125
0,1190,1120,910,850,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.13〜1.45(m,5
0H),1.45〜1.70(m,4H),2.30〜
2.50(m,2H),2.50〜2.70(m,1
H),2.70〜2.85(m,1H),3.00〜
3.20(m,1H),3.20〜4.00(m,13
H),3.32(s,3H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3h)を
用いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、
目的とするアミド誘導体(1h)を得た(工程6)。
のとおりである。
0,1630,1470,1380,1300,119
0,1160,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.4Hz,6H),1.15〜1.75(m,54
H),2.20〜2.45(m,3H),3.20〜
3.90(m,17H),3.33(s,3H).
b)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2h)を
用いた以外は、製造例3の工程11と同様に反応を行
い、1,3−ジオキソラン−アミド誘導体(16h)を
得た(工程11)。
導体(16h)の物性は次のとおりである。
6.4Hz,6H),1.15〜1.70(m,54
H),1.34(s,3H),1.40(s,3H),
2.36(t,J=7.0Hz,2H),3.25〜
4.30(m,19H).
6b)の代わりに上記(工程11)で得た化合物(16
h)を用いた以外は、製造例3の工程11と同様に反応
を行い、目的とするアミド誘導体(1h)を得た(工程
10)。
ンの代わりにエチルアミンを用いた以外は、製造例1の
工程1と同様に反応を行い、アミノアルコール誘導体
(4i)を得た(工程1)。
の物性は次のとおりである。
5,1470,1310,1110,955,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.4Hz,3H),1.11(t,J=7.2Hz,
3H),1.15〜1.70(m,30H),2.55
〜2.80(m,4H),3.35〜3.53(m,4
H),3.79〜3.93(m,1H).
a)の代わりに上記(工程1)で得た化合物(4i)
を、更にテトラデカン酸メチルの代わりにヘキサデカン
酸メチルを用いた以外は、製造例1の工程2と同様に反
応を行い、アミド誘導体(2i)を得た(工程2)。
のとおりである。
0,1625,1470,1380,1305,124
5,1210,1110,950,855,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(t,J=
6.4Hz,6H),1.15〜1.75(m,57
H),2.34(t,J=7.6Hz,2H),3.3
0〜3.55(m,9H),3.85〜4.00(m,
1H).
a)の代わりに上記(工程2)で得た化合物(2i)を
用いた以外は、製造例1の工程5と同様に反応を行い、
アミド誘導体(3i)を得た(工程5)。
のとおりである。
0,1470,1425,1380,1210,112
0,905,840,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.10〜1.75(m,5
7H),2.25〜2.50(m,2H),2.50〜
2.70(m,1H),2.70〜2.85(m,1
H),3.00〜4.00(m,12H).
a)の代わりに上記(工程5)で得た化合物(3i)を
用いた以外は、製造例1の工程6と同様に反応を行い、
目的とするアミド誘導体(1i)を得た(工程6)。
のとおりである。
0,1630,1470,1420,1380,130
5,1210,1120,720.1 H−NMR(CDCl3,δ);0.88(br t,
J=6.4Hz,6H),1.13〜1.75(m,5
7H),2.31(t,J=7.5Hz,2H),3.
20〜3.90(m,16H).
荒れ改善効果について評価した。結果を表1〜表5に示
す。なお、表中に示した融点は、セイコー電子工業株式
会社製の示差走査熱量計(DSC)を用い、試料の約1
mgをDSCセル(5μl )に入れ、走査温度−10〜2
00℃、昇温速度2℃/分で測定し、JIS−K712
1−1987−9−9.1(2)の補外融点開始温度を
融点として示した。
し、これに同温度に加温した成分22〜29を滴下し、
室温まで冷却して化粧料を得た。
存した後の状態を目視で観察した。製造直後と比べて外
観、性状の変化がみられないものは良好とし、明らかな
変化が見られたものは不良と判断した。
れを起こしている20〜50歳の女性10名を被験者と
し、左右の頬に異なる化粧料を2週間塗布する。2週間
の塗布が終了した翌日に皮膚コンダクタンスを測定し
た。すなわち、37℃の温水にて洗顔後、温度20℃、
湿度40%の部屋で20分間安静にした後、角質層の水
分含有量を皮膚コンダクタンスメータ(IBS社製)に
て測定した。コンダクタンス値が20未満では皮膚は肌
荒れしており、効果が低く、また、値20以上では効果
が高いとして評価した。
発明の化粧料はいずれも、安定性及び肌荒れ改善効果と
もに優れたものであった。
Claims (6)
- 【請求項1】 次の成分(A)及び(B): (A)融点が0〜50℃のアミド化合物、 (B)HLB8未満の非イオン性界面活性剤 を含有することを特徴とする油中水型乳化化粧料。
- 【請求項2】 成分(A)が、総炭素数30以上のN−
置換アミド化合物である請求項1記載の油中水型乳化化
粧料。 - 【請求項3】 成分(A)が、次の一般式(1)〜
(3) 【化1】 (式中、R1 及びR2 は同一又は異なって炭素数1〜4
0のヒドロキシル化されていてもよい炭化水素基を示
し、R3 は炭素数1〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキ
レン基又は単結合を示し、R4 は水素原子、炭素数1〜
12の直鎖若しくは分岐鎖のアルコキシ基又は2,3−
ジヒドロキシプロピルオキシ基を示す。ただし、R3 が
単結合のときはR4 は水素原子である。) 【化2】 (式中、R1 及びR2 は前記と同じ意味を示し、R3aは
炭素数3〜6の直鎖若しくは分岐鎖のアルキレン基を示
し、R4aは炭素数1〜12の直鎖又は分岐鎖のアルコキ
シ基を示す。) 【化3】 (式中、R1 、R2 及びR3 は前記と同じ意味を示し、
R4bは水素原子、炭素数1〜12の直鎖若しくは分岐鎖
のアルコキシ基又は2,3−エポキシプロピルオキシ基
を示す。ただし、R3 が単結合のときR4bは水素原子で
ある。)で表わされるアミド誘導体から選ばれるもので
ある請求項1又は2記載の油中水型乳化化粧料。 - 【請求項4】 成分(A)が、結合水を1重量%以上保
持できるアミド化合物である請求項1〜3のいずれか1
項記載の油中水型乳化化粧料。 - 【請求項5】 成分(A)を0.02〜20重量%含有
する請求項1〜4のいずれか1項記載の油中水型乳化化
粧料。 - 【請求項6】 成分(A)及び(B)の重量比が、
(A):(B)=1:0.01〜1:10である請求項
1〜5のいずれか1項記載の油中水型乳化化粧料。
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