JPH101400A - Ｓｉ振動子の製造方法 - Google Patents
Ｓｉ振動子の製造方法Info
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- JPH101400A JPH101400A JP8175751A JP17575196A JPH101400A JP H101400 A JPH101400 A JP H101400A JP 8175751 A JP8175751 A JP 8175751A JP 17575196 A JP17575196 A JP 17575196A JP H101400 A JPH101400 A JP H101400A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 振動子と下地基板との密着性が良く、素子特
性の高いＳｉ振動子を歩留り良く製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 図の（ａ）に示すｎ型Ｓｉ基板１の片面
にｐ型Ｓｉ層２を形成し（ｂ）、ｐ型Ｓｉ層２にガラス
基板６を陽極接合によって接合し（ｃ）、ｎ型Ｓｉ基板
１の研磨および、反応性イオンエッチングによりｎ型Ｓ
ｉ基板１を振動子形状に加工する（ｄ）〜（ｆ）。この
振動子形状の振動部分11領域のｐ型Ｓｉ層２をエッチン
グ除去し、振動部分11をガラス基板６からｐ型Ｓｉ層２
の厚み分だけ浮かせた状態で振動子13をガラス基板６に
より支持するＳｉ振動子を製造する（ｇ）。
性の高いＳｉ振動子を歩留り良く製造する方法を提供す
る。 【解決手段】 図の（ａ）に示すｎ型Ｓｉ基板１の片面
にｐ型Ｓｉ層２を形成し（ｂ）、ｐ型Ｓｉ層２にガラス
基板６を陽極接合によって接合し（ｃ）、ｎ型Ｓｉ基板
１の研磨および、反応性イオンエッチングによりｎ型Ｓ
ｉ基板１を振動子形状に加工する（ｄ）〜（ｆ）。この
振動子形状の振動部分11領域のｐ型Ｓｉ層２をエッチン
グ除去し、振動部分11をガラス基板６からｐ型Ｓｉ層２
の厚み分だけ浮かせた状態で振動子13をガラス基板６に
より支持するＳｉ振動子を製造する（ｇ）。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、加速度センサ、振
動ジャイロ等に用いられるＳｉ振動子の製造方法に関す
るものである。
動ジャイロ等に用いられるＳｉ振動子の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば加速度センサや振動ジャイロ等に
はＳｉ振動子が用いられている。図２に示すように、振
動子13は、振動部分11を有する基板３により形成され、
振動部分11を支持する支持部12は接合層４を介して下地
基板（支持基板）５に固定されている。振動部分11は、
接合層４の厚み分だけ下地基板５と間隔を介しており、
例えば同図の矢印のように振動する。
はＳｉ振動子が用いられている。図２に示すように、振
動子13は、振動部分11を有する基板３により形成され、
振動部分11を支持する支持部12は接合層４を介して下地
基板（支持基板）５に固定されている。振動部分11は、
接合層４の厚み分だけ下地基板５と間隔を介しており、
例えば同図の矢印のように振動する。
【０００３】このような振動子のうち、Ｓｉ単結晶振動
子の製造方法として、「TECHNICALDIGEST OF THE 13TH
SENSOR SYMPOSIUM,1995.PP.161-164,A CAPACITIVE ACCE
LEROMETER USING SDB-SOI STRUCTURE」に示すものが知
られている。この文献に記載されているＳｉ振動子の作
製方法は、以下のような方法である。
子の製造方法として、「TECHNICALDIGEST OF THE 13TH
SENSOR SYMPOSIUM,1995.PP.161-164,A CAPACITIVE ACCE
LEROMETER USING SDB-SOI STRUCTURE」に示すものが知
られている。この文献に記載されているＳｉ振動子の作
製方法は、以下のような方法である。
【０００４】まず、約１μｍの熱酸化膜を持つＳｉ単結
晶の基板の熱酸化膜に、別のＳｉ単結晶基板を直接接合
法で接合し、Ｓｉ単結晶基板のいずれか一方側を振動子
13の高さになるまで研磨する。そして、研磨した側のＳ
ｉ単結晶基板を基板３とし、研磨していない側のＳｉ単
結晶基板を下地基板５として、基板３のＳｉ単結晶上に
振動子13の形状のフォトレジストパターンを形成し、そ
の後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてＳｉ
単結晶を垂直加工する。そして、最後に、振動子形状の
振動部分領域の熱酸化膜をＢＨＦ（緩衝フッ酸）を用い
て除去、水洗、乾燥することにより、振動部分11を下地
基板５としてのＳｉ単結晶基板に対して、熱酸化膜の厚
み（約１μｍ）の分だけ浮かせた状態に加工する。
晶の基板の熱酸化膜に、別のＳｉ単結晶基板を直接接合
法で接合し、Ｓｉ単結晶基板のいずれか一方側を振動子
13の高さになるまで研磨する。そして、研磨した側のＳ
ｉ単結晶基板を基板３とし、研磨していない側のＳｉ単
結晶基板を下地基板５として、基板３のＳｉ単結晶上に
振動子13の形状のフォトレジストパターンを形成し、そ
の後、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を用いてＳｉ
単結晶を垂直加工する。そして、最後に、振動子形状の
振動部分領域の熱酸化膜をＢＨＦ（緩衝フッ酸）を用い
て除去、水洗、乾燥することにより、振動部分11を下地
基板５としてのＳｉ単結晶基板に対して、熱酸化膜の厚
み（約１μｍ）の分だけ浮かせた状態に加工する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記方
法においては、接合層（犠牲層）４をＳｉ単結晶基板の
熱酸化膜（シリコン酸化膜）により形成しており、その
厚みは約１μｍであるために、振動部分11と下地基板５
との間隔が狭く、前記ＲＩＥ後の乾燥段階において振動
部分11のスティッキング（振動部分11と下地基板５とが
接触する現象）が起こり、Ｓｉ振動子の歩留りが低下す
るといった問題があった。
法においては、接合層（犠牲層）４をＳｉ単結晶基板の
熱酸化膜（シリコン酸化膜）により形成しており、その
厚みは約１μｍであるために、振動部分11と下地基板５
との間隔が狭く、前記ＲＩＥ後の乾燥段階において振動
部分11のスティッキング（振動部分11と下地基板５とが
接触する現象）が起こり、Ｓｉ振動子の歩留りが低下す
るといった問題があった。
【０００６】すなわち、上記方法のように、接合層４を
シリコン酸化膜によって形成する方法においては、熱酸
化法によって形成されるシリコン酸化膜の膜厚に限界が
あるために、振動部分11と下地基板５との間隔を広くす
ることが困難であり、上記のような問題が生じる。な
お、この間隔をできるだけ大きくするために、熱酸化膜
を持つＳｉ単結晶基板を２枚用意し、これらのＳｉ単結
晶基板の熱酸化膜側を直接接合し、以下上記と同様の方
法によりＳｉ振動子を製造することも可能であるが、こ
のようにしても、振動部分11と下地基板５との間隔をせ
いぜい２倍にすることができるだけであり、上記問題を
解決することは困難である。また、このように、熱酸化
膜同士を直接接合した場合には、接合面の密着性が悪い
ために、ＲＩＥ時に振動子13を形成する基板３が下地基
板５から剥離するという問題が生じてしまう。
シリコン酸化膜によって形成する方法においては、熱酸
化法によって形成されるシリコン酸化膜の膜厚に限界が
あるために、振動部分11と下地基板５との間隔を広くす
ることが困難であり、上記のような問題が生じる。な
お、この間隔をできるだけ大きくするために、熱酸化膜
を持つＳｉ単結晶基板を２枚用意し、これらのＳｉ単結
晶基板の熱酸化膜側を直接接合し、以下上記と同様の方
法によりＳｉ振動子を製造することも可能であるが、こ
のようにしても、振動部分11と下地基板５との間隔をせ
いぜい２倍にすることができるだけであり、上記問題を
解決することは困難である。また、このように、熱酸化
膜同士を直接接合した場合には、接合面の密着性が悪い
ために、ＲＩＥ時に振動子13を形成する基板３が下地基
板５から剥離するという問題が生じてしまう。
【０００７】また、これらの方法においては、基板３と
下地基板５とを共にＳｉ単結晶基板により形成している
ために、振動子13と下地基板５との間に寄生容量が生
じ、振動子13の特性を低下させてしまうといった問題も
生じた。
下地基板５とを共にＳｉ単結晶基板により形成している
ために、振動子13と下地基板５との間に寄生容量が生
じ、振動子13の特性を低下させてしまうといった問題も
生じた。
【０００８】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的は、振動子を形成する基板と振
動子を支持する基板との密着性が良く、かつ、寄生容量
が殆どないＳｉ振動子を歩留り良く製造することができ
るＳｉ振動子の製造方法を提供することにある。
たものであり、その目的は、振動子を形成する基板と振
動子を支持する基板との密着性が良く、かつ、寄生容量
が殆どないＳｉ振動子を歩留り良く製造することができ
るＳｉ振動子の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は次のような構成により課題を解決するため
の手段としている。すなわち、本発明は、ｎ型Ｓｉ基板
の片面にｐ型Ｓｉ層を形成し、然る後に該ｐ型Ｓｉ層に
下地基板を接合し、然る後に前記ｎ型Ｓｉ基板を振動子
形状に加工した後、該振動子形状の振動部分領域のｐ型
Ｓｉ層をエッチング除去することを特徴として構成され
ている。
に、本発明は次のような構成により課題を解決するため
の手段としている。すなわち、本発明は、ｎ型Ｓｉ基板
の片面にｐ型Ｓｉ層を形成し、然る後に該ｐ型Ｓｉ層に
下地基板を接合し、然る後に前記ｎ型Ｓｉ基板を振動子
形状に加工した後、該振動子形状の振動部分領域のｐ型
Ｓｉ層をエッチング除去することを特徴として構成され
ている。
【００１０】また、前記下地基板をガラス基板としてｐ
型Ｓｉ層とガラス基板を陽極接合によって接合したこと
も本発明の特徴的な構成とされている。
型Ｓｉ層とガラス基板を陽極接合によって接合したこと
も本発明の特徴的な構成とされている。
【００１１】上記構成の本発明において、ｎ型Ｓｉ基板
が振動子形状に加工され、この振動子形状の振動部分領
域の片面に形成されているｐ型Ｓｉ層がエッチング除去
されて、Ｓｉ振動子が製造されるために、振動部分と下
地基板との間隔はｐ型Ｓｉ層の厚みとほぼ等しくなる。
このｐ型Ｓｉ層は、その厚みを所望の厚みに形成するこ
とが可能であるために、ｐ型Ｓｉ層の厚みを大きくする
ことにより、振動子形状の振動部分と下地基板との間隔
を大きくすることもでき、それにより、振動部分と下地
基板との間のスティッキングが減少され、Ｓｉ振動子の
製造の歩留りが向上する。
が振動子形状に加工され、この振動子形状の振動部分領
域の片面に形成されているｐ型Ｓｉ層がエッチング除去
されて、Ｓｉ振動子が製造されるために、振動部分と下
地基板との間隔はｐ型Ｓｉ層の厚みとほぼ等しくなる。
このｐ型Ｓｉ層は、その厚みを所望の厚みに形成するこ
とが可能であるために、ｐ型Ｓｉ層の厚みを大きくする
ことにより、振動子形状の振動部分と下地基板との間隔
を大きくすることもでき、それにより、振動部分と下地
基板との間のスティッキングが減少され、Ｓｉ振動子の
製造の歩留りが向上する。
【００１２】また、下地基板をガラス基板とすることに
より、振動子と下地基板の両方をＳｉ単結晶基板により
形成した場合と異なり、寄生容量を最小限に抑えること
が可能となり、さらに、ｐ型Ｓｉ層とガラス基板を陽極
接合によって接合することにより、ｐ型Ｓｉ層とガラス
基板との密着性が向上し、それにより、振動子と下地基
板との密着性が向上し、上記課題が解決される。
より、振動子と下地基板の両方をＳｉ単結晶基板により
形成した場合と異なり、寄生容量を最小限に抑えること
が可能となり、さらに、ｐ型Ｓｉ層とガラス基板を陽極
接合によって接合することにより、ｐ型Ｓｉ層とガラス
基板との密着性が向上し、それにより、振動子と下地基
板との密着性が向上し、上記課題が解決される。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１には、本発明に係るＳｉ振動子
の製造方法の一実施形態例が示されており、以下、同図
に基づいて本実施形態例のＳｉ振動子の製造方法につい
て説明する。まず、同図の（ａ）に示すように、基板３
となるｎ型Ｓｉ基板１を用意する。このｎ型Ｓｉ基板１
は、本実施形態例では、リンドープｎ型Ｓｉ基板を用い
ており、抵抗率は１〜10Ωcm（オームcm）であり、ＣＭ
ＯＳ回路作製用として一般的に用いられる基板とする。
に基づいて説明する。なお、本実施形態例の説明におい
て、従来例と同一名称部分には同一符号を付し、その重
複説明は省略する。図１には、本発明に係るＳｉ振動子
の製造方法の一実施形態例が示されており、以下、同図
に基づいて本実施形態例のＳｉ振動子の製造方法につい
て説明する。まず、同図の（ａ）に示すように、基板３
となるｎ型Ｓｉ基板１を用意する。このｎ型Ｓｉ基板１
は、本実施形態例では、リンドープｎ型Ｓｉ基板を用い
ており、抵抗率は１〜10Ωcm（オームcm）であり、ＣＭ
ＯＳ回路作製用として一般的に用いられる基板とする。
【００１４】次に、同図の（ｂ）に示すように、ｎ型Ｓ
ｉ基板１の片面に、エピタキシャル成長法を用いてボロ
ンドープのｐ型Ｓｉ層２を堆積形成する。なお、このｐ
型Ｓｉ層２の厚みは、１〜10μｍの間の適宜の厚み（接
合層４を形成するのに適した厚み）に形成する。次に同
図の（ｃ）に示すように、ｐ型Ｓｉ層２に下地基板５と
してのパイレックスガラス（パイレックスは商標）のガ
ラス基板６を陽極接合法（ｐ型Ｓｉ層２を形成したｎ型
Ｓｉ基板１を300 〜500 ℃に加熱後、約＋1000Ｖの電圧
を印加して接合する方法）を用いて接合する。
ｉ基板１の片面に、エピタキシャル成長法を用いてボロ
ンドープのｐ型Ｓｉ層２を堆積形成する。なお、このｐ
型Ｓｉ層２の厚みは、１〜10μｍの間の適宜の厚み（接
合層４を形成するのに適した厚み）に形成する。次に同
図の（ｃ）に示すように、ｐ型Ｓｉ層２に下地基板５と
してのパイレックスガラス（パイレックスは商標）のガ
ラス基板６を陽極接合法（ｐ型Ｓｉ層２を形成したｎ型
Ｓｉ基板１を300 〜500 ℃に加熱後、約＋1000Ｖの電圧
を印加して接合する方法）を用いて接合する。
【００１５】次に、同図の（ｄ）に示すように、ｎ型Ｓ
ｉ基板１を振動子13の高さになるように研磨し、その
後、同図の（ｅ）に示すように、ｎ型Ｓｉ基板１上に、
通常のフォトリソグラフィー工程を用いてレジスト７の
パターンを作製する。なお、このパターンは、振動子13
の形状とする。次に、同図の（ｆ）に示すように、レジ
スト７をマスクとしてＲＩＥ法でｎ型Ｓｉ基板１を垂直
加工することにより、ｎ型Ｓｉ基板１を振動子形状に加
工し、その後、レジスト７を除去する。
ｉ基板１を振動子13の高さになるように研磨し、その
後、同図の（ｅ）に示すように、ｎ型Ｓｉ基板１上に、
通常のフォトリソグラフィー工程を用いてレジスト７の
パターンを作製する。なお、このパターンは、振動子13
の形状とする。次に、同図の（ｆ）に示すように、レジ
スト７をマスクとしてＲＩＥ法でｎ型Ｓｉ基板１を垂直
加工することにより、ｎ型Ｓｉ基板１を振動子形状に加
工し、その後、レジスト７を除去する。
【００１６】次に、この状態で、Ｓｉ振動子形成部材
を、図３に示すように、ＫＯＨをエッチャントとしたエ
ッチング槽14に投入し、ｎ型Ｓｉ基板１には正の電位を
与える。なお、同図において、８は電源としてのポテン
ショスタットを示し、９は参照電極、10を対向電極をそ
れぞれ示している。そして、このようにすることで、図
１の（ｇ）に示すように、振動子形状の振動部分11領域
のｐ型Ｓｉ層２のみをエッチング除去し、エッチングが
終了した時点でこの部材をエッチング層14から取り出
し、純水を用いて洗浄後、乾燥することによりＳｉ振動
子を完成する。
を、図３に示すように、ＫＯＨをエッチャントとしたエ
ッチング槽14に投入し、ｎ型Ｓｉ基板１には正の電位を
与える。なお、同図において、８は電源としてのポテン
ショスタットを示し、９は参照電極、10を対向電極をそ
れぞれ示している。そして、このようにすることで、図
１の（ｇ）に示すように、振動子形状の振動部分11領域
のｐ型Ｓｉ層２のみをエッチング除去し、エッチングが
終了した時点でこの部材をエッチング層14から取り出
し、純水を用いて洗浄後、乾燥することによりＳｉ振動
子を完成する。
【００１７】本実施形態例によれば、上記のように、接
合層（犠牲層）４をｐ型Ｓｉ層２により形成しており、
このｐ型Ｓｉ層２は、従来のＳｉ振動子製造方法に用い
られていた熱酸化膜と異なり、その厚みを所望の厚みに
形成することができるために、振動子13と下地基板５と
の間隔を適切な間隔に形成することが可能となり、それ
により、振動子13と下地基板５とのスティッキングを減
少させて、Ｓｉ振動子製造の歩留りを向上させることが
できる。
合層（犠牲層）４をｐ型Ｓｉ層２により形成しており、
このｐ型Ｓｉ層２は、従来のＳｉ振動子製造方法に用い
られていた熱酸化膜と異なり、その厚みを所望の厚みに
形成することができるために、振動子13と下地基板５と
の間隔を適切な間隔に形成することが可能となり、それ
により、振動子13と下地基板５とのスティッキングを減
少させて、Ｓｉ振動子製造の歩留りを向上させることが
できる。
【００１８】また、本実施形態例によれば、下地基板５
としてガラス基板６を用いているために、従来のよう
に、振動子13を形成する基板３と下地基板５とを共にＳ
ｉ単結晶基板により形成した従来のＳｉ振動子と異な
り、基板３と下地基板５との間の寄生容量を最小限に抑
えることが可能となり、素子特性を向上させることがで
きる。
としてガラス基板６を用いているために、従来のよう
に、振動子13を形成する基板３と下地基板５とを共にＳ
ｉ単結晶基板により形成した従来のＳｉ振動子と異な
り、基板３と下地基板５との間の寄生容量を最小限に抑
えることが可能となり、素子特性を向上させることがで
きる。
【００１９】さらに、このガラス基板６とｐ型Ｓｉ層２
と陽極接合により接合し、振動子13と下地基板５とを陽
極接合で接合しているために、振動子13と下地基板５と
の密着性を向上させることが可能となり、振動子13の下
地基板５からの剥離を抑制することができる。
と陽極接合により接合し、振動子13と下地基板５とを陽
極接合で接合しているために、振動子13と下地基板５と
の密着性を向上させることが可能となり、振動子13の下
地基板５からの剥離を抑制することができる。
【００２０】なお、本発明は上記実施形態例に限定され
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記実施形態例では、ｐ型Ｓｉ層２をエピタキシャル成
長法を用いて堆積形成したが、ｐ型Ｓｉ層２の形成方法
は特に限定されるものではなく、適宜設定されるもので
あり、例えば拡散法やイオン注入法、ボロンドープポリ
ＳｉのＣＶＤ（化学蒸着）法による堆積形成によって作
製することもできる。
ることはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、
上記実施形態例では、ｐ型Ｓｉ層２をエピタキシャル成
長法を用いて堆積形成したが、ｐ型Ｓｉ層２の形成方法
は特に限定されるものではなく、適宜設定されるもので
あり、例えば拡散法やイオン注入法、ボロンドープポリ
ＳｉのＣＶＤ（化学蒸着）法による堆積形成によって作
製することもできる。
【００２１】また、上記実施形態例では、ｎ型Ｓｉ基板
１を振動子形状に加工する際に、フォトレジスト７をエ
ッチングマスクとしてＲＩＥによって加工しているが、
真空蒸着法やスパッタ法で形成したメタルマスクや熱酸
化膜をマスクとして、ＲＩＥ加工することもできる。
１を振動子形状に加工する際に、フォトレジスト７をエ
ッチングマスクとしてＲＩＥによって加工しているが、
真空蒸着法やスパッタ法で形成したメタルマスクや熱酸
化膜をマスクとして、ＲＩＥ加工することもできる。
【００２２】さらに、上記実施形態例では、ｎ型Ｓｉ基
板１をリンドープｎ型Ｓｉ基板とし、ｐ型Ｓｉ層２をボ
ロンドープｐ型Ｓｉ層としたが、ｎ型Ｓｉ基板１やｐ型
Ｓｉ層２の粗成は特に限定されるものではなく、適宜設
定されるものである。
板１をリンドープｎ型Ｓｉ基板とし、ｐ型Ｓｉ層２をボ
ロンドープｐ型Ｓｉ層としたが、ｎ型Ｓｉ基板１やｐ型
Ｓｉ層２の粗成は特に限定されるものではなく、適宜設
定されるものである。
【００２３】さらに、上記実施形態例では、下地基板５
を形成するガラス基板６をパイレックスガラスとした
が、ガラス基板はパイレックスガラス以外の基板として
もよい。また、下地基板５はガラス基板以外の基板とし
てもよい。なお、下地基板５をガラス基板６等の絶縁体
の基板により形成すると、振動子13との寄生容量を小さ
くすることができるために、下地基板はガラス基板６等
の絶縁体によって形成することが望ましい。
を形成するガラス基板６をパイレックスガラスとした
が、ガラス基板はパイレックスガラス以外の基板として
もよい。また、下地基板５はガラス基板以外の基板とし
てもよい。なお、下地基板５をガラス基板６等の絶縁体
の基板により形成すると、振動子13との寄生容量を小さ
くすることができるために、下地基板はガラス基板６等
の絶縁体によって形成することが望ましい。
【００２４】さらに、上記実施形態例では、ｐ型Ｓｉ層
２のエッチング除去を、図３に示したような装置を用い
て行ったが、エッチング除去に用いられる装置は必ずし
も図３に示した装置とするとは限らず、エッチング除去
は適宜の装置を用いて行われるものである。
２のエッチング除去を、図３に示したような装置を用い
て行ったが、エッチング除去に用いられる装置は必ずし
も図３に示した装置とするとは限らず、エッチング除去
は適宜の装置を用いて行われるものである。
【００２５】さらに、本発明のＳｉ振動子の製造方法に
よって製造されるＳｉ振動子の振動子形状は特に限定さ
れるものではなく、図２に示したような形状でもよく、
それ以外の形状としてもよい。
よって製造されるＳｉ振動子の振動子形状は特に限定さ
れるものではなく、図２に示したような形状でもよく、
それ以外の形状としてもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、Ｓｉ振動子を形成する
ｎ型Ｓｉ基板の片面にｐ型Ｓｉ層を形成し、このｐ型１
Ｓｉ層に下地基板を接合し、ｎ型Ｓｉ基板の振動子形状
の振動部分領域のｐ型Ｓｉ層をエッチング除去してＳｉ
振動子を製造するものであるから、ｐ型Ｓｉ層を所望の
厚みに形成し、振動子形状の振動部分領域のｐ型Ｓｉ層
をエッチング除去して振動部分と下地基板との間隔を所
望の間隔にすることができる。そのため、ｐ型Ｓｉ層の
厚みを適切な厚みにすることにより、振動子の振動部分
と下地基板との間のスティッキングを抑制することが可
能となり、製造上の歩留りを向上させることができる。
ｎ型Ｓｉ基板の片面にｐ型Ｓｉ層を形成し、このｐ型１
Ｓｉ層に下地基板を接合し、ｎ型Ｓｉ基板の振動子形状
の振動部分領域のｐ型Ｓｉ層をエッチング除去してＳｉ
振動子を製造するものであるから、ｐ型Ｓｉ層を所望の
厚みに形成し、振動子形状の振動部分領域のｐ型Ｓｉ層
をエッチング除去して振動部分と下地基板との間隔を所
望の間隔にすることができる。そのため、ｐ型Ｓｉ層の
厚みを適切な厚みにすることにより、振動子の振動部分
と下地基板との間のスティッキングを抑制することが可
能となり、製造上の歩留りを向上させることができる。
【００２７】また、前記下地基板をガラス基板としてｐ
型Ｓｉ層とガラス基板を陽極接合によって接合した本発
明によれば、下地基板を絶縁体であるガラス基板とする
ことにより、ｎ型Ｓｉ基板の振動子と下地基板との寄生
容量を最小限に抑えることが可能となり、素子特性を向
上させることができるし、ｐ型Ｓｉ層とガラス基板を陽
極接合によって接合することにより、その密着性を向上
させ、振動子と下地基板との密着性を向上させることが
できるために、振動子の下地基板からの剥離を抑えるこ
ともできる。
型Ｓｉ層とガラス基板を陽極接合によって接合した本発
明によれば、下地基板を絶縁体であるガラス基板とする
ことにより、ｎ型Ｓｉ基板の振動子と下地基板との寄生
容量を最小限に抑えることが可能となり、素子特性を向
上させることができるし、ｐ型Ｓｉ層とガラス基板を陽
極接合によって接合することにより、その密着性を向上
させ、振動子と下地基板との密着性を向上させることが
できるために、振動子の下地基板からの剥離を抑えるこ
ともできる。
【図１】本発明に係るＳｉ振動子の製造方法の一実施形
態例を示す説明図である。
態例を示す説明図である。
【図２】Ｓｉ振動子の一例を示す説明図である。
【図３】上記実施形態例におけるｐ型Ｓｉ層のエッチン
グ除去装置の一例を示す説明図である。
グ除去装置の一例を示す説明図である。
１ ｎ型Ｓｉ基板 ２ ｐ型Ｓｉ層 ３ 基板 ４ 接合層 ５ 下地基板 ６ ガラス基板 11 振動部分 13 振動子
Claims (2)
- 【請求項１】 ｎ型Ｓｉ基板の片面にｐ型Ｓｉ層を形成
し、然る後に該ｐ型Ｓｉ層に下地基板を接合し、然る後
に前記ｎ型Ｓｉ基板を振動子形状に加工した後、該振動
子形状の振動部分領域のｐ型Ｓｉ層をエッチング除去す
ることを特徴とするＳｉ振動子の製造方法。 - 【請求項２】 下地基板をガラス基板としてｐ型Ｓｉ層
とガラス基板を陽極接合によって接合したことを特徴と
する請求項１記載のＳｉ振動子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175751A JPH101400A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｓｉ振動子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8175751A JPH101400A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｓｉ振動子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH101400A true JPH101400A (ja) | 1998-01-06 |
Family
ID=16001624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8175751A Pending JPH101400A (ja) | 1996-06-14 | 1996-06-14 | Ｓｉ振動子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH101400A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000205862A (ja) * | 1999-01-15 | 2000-07-28 | Samsung Electro Mech Co Ltd | マイクロ慣性センサ―の製造方法及びマイクロ慣性センサ― |
| JP2004333502A (ja) * | 1999-04-19 | 2004-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 外力検知センサの製造方法 |
| US7049165B2 (en) | 1999-04-19 | 2006-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an external force detection sensor |
-
1996
- 1996-06-14 JP JP8175751A patent/JPH101400A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000205862A (ja) * | 1999-01-15 | 2000-07-28 | Samsung Electro Mech Co Ltd | マイクロ慣性センサ―の製造方法及びマイクロ慣性センサ― |
| JP2004333502A (ja) * | 1999-04-19 | 2004-11-25 | Murata Mfg Co Ltd | 外力検知センサの製造方法 |
| US7049165B2 (en) | 1999-04-19 | 2006-05-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an external force detection sensor |
| US7067344B1 (en) | 1999-04-19 | 2006-06-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing an external force detection sensor |
| US7393714B2 (en) | 1999-04-19 | 2008-07-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method of manufacturing external force detection sensor |
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