JPH02260333A - マイクロメカニカルスイッチの製造方法 - Google Patents
マイクロメカニカルスイッチの製造方法Info
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- JPH02260333A JPH02260333A JP8176189A JP8176189A JPH02260333A JP H02260333 A JPH02260333 A JP H02260333A JP 8176189 A JP8176189 A JP 8176189A JP 8176189 A JP8176189 A JP 8176189A JP H02260333 A JPH02260333 A JP H02260333A
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- Japan
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- layer
- film
- epitaxial layer
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
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- Micromachines (AREA)
- Weting (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はシリコン半導体のマイクロマシニング技術の応
用技術であって、超小型の加速度センナ及び加速度スイ
ッチ等の製造に好適のマイクロメカニカルスイッチの製
造方法に関する。
用技術であって、超小型の加速度センナ及び加速度スイ
ッチ等の製造に好適のマイクロメカニカルスイッチの製
造方法に関する。
［従来の技術］
近時、シリコン半導体基板に対するマイクロマシニング
技術によって、加速度スイッチ等のマイクロメカニカル
スイッチを使用した各種センサが開発されており、例え
ば長さが約２００μｍ１幅が２０μｍという超小型の加
速度スイッチが製作されている（“５ｉｌｉｃｏｎ ａ
ｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｌｃａｌ Ｍａｔｅｒｌａｌ”Ｐ
ＲＯＣＥＥＤＩＮＧ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＥＥ ＶＯＬ
、７０ Ｎｏ５ ＭＡＹ １９８２）。
技術によって、加速度スイッチ等のマイクロメカニカル
スイッチを使用した各種センサが開発されており、例え
ば長さが約２００μｍ１幅が２０μｍという超小型の加
速度スイッチが製作されている（“５ｉｌｉｃｏｎ ａ
ｓ ａ Ｍｅｃｈａｎｌｃａｌ Ｍａｔｅｒｌａｌ”Ｐ
ＲＯＣＥＥＤＩＮＧ ＯＦ ＴＨＥ ＩＥＥＥ ＶＯＬ
、７０ Ｎｏ５ ＭＡＹ １９８２）。
この加速度スイッチは一端部がシリコン基板に支持され
た揺動可能なＳｉＯ□膜からなる可動部（以下、片持ば
゛りという）と、この片持ばりに被着されたＡｕ電極及
びシリコン基板上に形成されたＡｕ電極とにより構成さ
れている。そして、この加速度スイッチに加速度が加え
られると、シリコン基板に一端を支持された片持ばりが
揺動して変位し、片持ばりのＡｕ電極と基板上のＡｕ電
極とが接触するようになっている。これにより、加速度
をオン又はオフの電気信号として検知することができる
。
た揺動可能なＳｉＯ□膜からなる可動部（以下、片持ば
゛りという）と、この片持ばりに被着されたＡｕ電極及
びシリコン基板上に形成されたＡｕ電極とにより構成さ
れている。そして、この加速度スイッチに加速度が加え
られると、シリコン基板に一端を支持された片持ばりが
揺動して変位し、片持ばりのＡｕ電極と基板上のＡｕ電
極とが接触するようになっている。これにより、加速度
をオン又はオフの電気信号として検知することができる
。
第３図（ａ）乃至（ｄ）はこの加速度スイッチの従来の
製造方法を工程順に示す断面図、第４図は第３図（ｄ）
のＩＶ−ＩＶ線の位置における断面図である。
製造方法を工程順に示す断面図、第４図は第３図（ｄ）
のＩＶ−ＩＶ線の位置における断面図である。
先ず、第３図（ａ）に示すように、シリコン基板１１上
にボロン等のＰ型不純物を高濃度で導入してＰ”層１２
を形成する。そして、全面にエピタキシャル層１３を形
成した後、このエピタキシャル層１３上に５ｉｎｓ膜１
４を形成する。次いで、この５ｉＯｚ膜１４上に第１の
Ｃｒ−Ａｕ層１５を形成し、その後、第１のＣｒ−Ａｕ
層１５及び５ｉＯ９膜１４の所定の領域をエツチングに
より除去してｃａＯ部ｆ５ａを設ける。この第１のＣｒ
−Ａｕ層１５は下層のＣｒ層と上層のＡｕ層との積層体
からなり、ｎ型領域との接着性を向上させるためにＣｒ
を蒸着した後、このＣｒ層上にＡｕを蒸着して形成され
る。
にボロン等のＰ型不純物を高濃度で導入してＰ”層１２
を形成する。そして、全面にエピタキシャル層１３を形
成した後、このエピタキシャル層１３上に５ｉｎｓ膜１
４を形成する。次いで、この５ｉＯｚ膜１４上に第１の
Ｃｒ−Ａｕ層１５を形成し、その後、第１のＣｒ−Ａｕ
層１５及び５ｉＯ９膜１４の所定の領域をエツチングに
より除去してｃａＯ部ｆ５ａを設ける。この第１のＣｒ
−Ａｕ層１５は下層のＣｒ層と上層のＡｕ層との積層体
からなり、ｎ型領域との接着性を向上させるためにＣｒ
を蒸着した後、このＣｒ層上にＡｕを蒸着して形成され
る。
次に、第３図（ｂ）に示すように、この開口部１５ａを
埋込むようにして、第１のＣｒ−Ａｕ層１５上に第１の
フォトレジスト１６を所定のパターンで形成する。その
後、蒸着法により全面に第２のＣｒ−Ａｕ層１７を形成
する。
埋込むようにして、第１のＣｒ−Ａｕ層１５上に第１の
フォトレジスト１６を所定のパターンで形成する。その
後、蒸着法により全面に第２のＣｒ−Ａｕ層１７を形成
する。
次に、第３図（Ｃ）に示すように、第２のＣｒ−Ａｕ層
１７上に第２のフォトレジスト１８を被着した後、この
第２のフォトレジスト１８に所定のパターンの開口部を
設ける。そして、この開口部に選択的にＡｕをめっきし
てＡｕめっき層１９を形成する。
１７上に第２のフォトレジスト１８を被着した後、この
第２のフォトレジスト１８に所定のパターンの開口部を
設ける。そして、この開口部に選択的にＡｕをめっきし
てＡｕめっき層１９を形成する。
次いで、第３図（ｄ）に示すように、第２のフォトレジ
スト１８を除去した後、Ａｕめっき層１９が被着されて
いない露出領域において第２のＣｒ−Ａｕ層１７を除去
する。その後、第１のフォトレジスト１６を除去し、Ｆ
ＤＰ （エチレンジアミン、ピロカテコール及び水の混
合液）によりエツチングを行う。この場合に、所定領域
のＳｉ０２ Ｍ １４下のエピタキシャル層１３が局部
的にサイドエツチングされて除去される。これにより、
ＳｉＯ３膜１４による片持ばりを有する加速度スイッチ
が完成する。
スト１８を除去した後、Ａｕめっき層１９が被着されて
いない露出領域において第２のＣｒ−Ａｕ層１７を除去
する。その後、第１のフォトレジスト１６を除去し、Ｆ
ＤＰ （エチレンジアミン、ピロカテコール及び水の混
合液）によりエツチングを行う。この場合に、所定領域
のＳｉ０２ Ｍ １４下のエピタキシャル層１３が局部
的にサイドエツチングされて除去される。これにより、
ＳｉＯ３膜１４による片持ばりを有する加速度スイッチ
が完成する。
このように、従来、高濃度（１０２０原子／ｃＩｉｌ）
に不純物が導入されたＰ＋層はＦＤＰによりエツチング
されないという性質を利用して、ＳｉＯ２膜１４の所定
領域の下方のエピタキシャル層１３をエツチング除去す
ることにより、５ｉｏ２膜１４により構成された片持ば
りを有するマイクロメカニカルスイッチを形成している
。
に不純物が導入されたＰ＋層はＦＤＰによりエツチング
されないという性質を利用して、ＳｉＯ２膜１４の所定
領域の下方のエピタキシャル層１３をエツチング除去す
ることにより、５ｉｏ２膜１４により構成された片持ば
りを有するマイクロメカニカルスイッチを形成している
。
［発明が解決しようとする課題］
しかしながら、Ｐ＋層１２は極めて高濃度で不純物を含
有しているため、このＰ＋層１２上に結晶欠陥がない単
結晶シリコンからなるエピタキシャル層１３を形成する
ことは極めて困難である。
有しているため、このＰ＋層１２上に結晶欠陥がない単
結晶シリコンからなるエピタキシャル層１３を形成する
ことは極めて困難である。
また、仮に、結晶欠陥がないエピタキシャル層１３を形
成できたとしても、ＳｉＯ２膜１４を形成する工程でＳ
ｉを熱酸化（約１１００℃）させる際に、Ｐ”居１２中
の不純物（ボロン）がＰ＋層１２の上方のエピタキシャ
ル層１３及び下方のシリコン基板１１中に拡散するため
、Ｐ”層１２の不純物濃度及び厚さが変化してしまう。
成できたとしても、ＳｉＯ２膜１４を形成する工程でＳ
ｉを熱酸化（約１１００℃）させる際に、Ｐ”居１２中
の不純物（ボロン）がＰ＋層１２の上方のエピタキシャ
ル層１３及び下方のシリコン基板１１中に拡散するため
、Ｐ”層１２の不純物濃度及び厚さが変化してしまう。
このため、従来、半導体基板にマイクロメカニカルスイ
ッチと共に、抵抗、ダイオード又はトランジスタ等の素
子を形成すると、これらの素子の電気的特性が変化して
しまうという問題点がある。
ッチと共に、抵抗、ダイオード又はトランジスタ等の素
子を形成すると、これらの素子の電気的特性が変化して
しまうという問題点がある。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであって、
他の素子の電気的特性を変化させることがなく、他の素
子と同一の半導体基板に形成することができ、高集積化
が可能なマイクロメカニカルスイッチを製造することが
できるマイクロメカニカルスイッチの製造方法を提供す
ることを目的とする。
他の素子の電気的特性を変化させることがなく、他の素
子と同一の半導体基板に形成することができ、高集積化
が可能なマイクロメカニカルスイッチを製造することが
できるマイクロメカニカルスイッチの製造方法を提供す
ることを目的とする。
［課題を解決するための手段］
本発明に係るマイクロメカニカルスイッチの製造方法は
、第１導電型シリコン半導体基板上に第２導電型エピタ
キシャル層を形成する工程と、このエピタキシャル層上
にＳｉＯ２膜を形成する工程と、所定領域の前記５ｉｎ
２膜を局部的に除去して開口部を形成する工程と、前記
開口部を介して前記５ｉＯ９膜の下方の前記エピタキシ
ャル層をエレクトロケミカルエツチングにより局部的に
除去する工程とを有することを特徴とする。
、第１導電型シリコン半導体基板上に第２導電型エピタ
キシャル層を形成する工程と、このエピタキシャル層上
にＳｉＯ２膜を形成する工程と、所定領域の前記５ｉｎ
２膜を局部的に除去して開口部を形成する工程と、前記
開口部を介して前記５ｉＯ９膜の下方の前記エピタキシ
ャル層をエレクトロケミカルエツチングにより局部的に
除去する工程とを有することを特徴とする。
［作用コ
本発明においては、エレクトロケミカルエツチングによ
りＳｉＯ３膜の下方のエピタキシャル層を局部的に除去
する。この場合に、例えば第１導電型半導体基板がＮ型
である場合は、この基板を電源の陽極に接続し、エッチ
ャントを陰極側にすることにより、Ｎ型半導体基板はエ
ッチャントには溶解せず、エツチングされない。そして
、上述の極性及び電圧を付加することにより、ＳｉＯ２
膜の下方のＰ型エピタキシャル層のみがエツチング除去
される。これにより、Ｓｉｏ２膜の下方に空間が形成さ
れ、ＳｉＯ□膜がその一端側が自由端、他端側か固定端
となってエビキシャル層に支持されＮ５ｉｏ２膜の片持
ばりが形成される。
りＳｉＯ３膜の下方のエピタキシャル層を局部的に除去
する。この場合に、例えば第１導電型半導体基板がＮ型
である場合は、この基板を電源の陽極に接続し、エッチ
ャントを陰極側にすることにより、Ｎ型半導体基板はエ
ッチャントには溶解せず、エツチングされない。そして
、上述の極性及び電圧を付加することにより、ＳｉＯ２
膜の下方のＰ型エピタキシャル層のみがエツチング除去
される。これにより、Ｓｉｏ２膜の下方に空間が形成さ
れ、ＳｉＯ□膜がその一端側が自由端、他端側か固定端
となってエビキシャル層に支持されＮ５ｉｏ２膜の片持
ばりが形成される。
本発明方法によれば、マイクロメカニカルスイッチの製
造工程にて、高濃度不純物層の形成は不要となる。従っ
て、同一半導体基板にマイクロメカニカルスイッチと他
の素子とを混在して形成しても、マイクロメカニカルス
イッチが他の素子の電気的特性に影響を与えることはな
い。
造工程にて、高濃度不純物層の形成は不要となる。従っ
て、同一半導体基板にマイクロメカニカルスイッチと他
の素子とを混在して形成しても、マイクロメカニカルス
イッチが他の素子の電気的特性に影響を与えることはな
い。
［実施例コ
次に、本発明の実施例について添付の図面を参照して説
明する。
明する。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例方法を工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
先ず、第１図（ａ）に示すように、Ｎ型シリコン基板１
上にＰ型エピタキシャル層２を２μｍ以上の厚さ、好ま
しくは３乃至４μｍの厚さに形成し、このエピタキシャ
ル層２の表面及びシリコン基板１の下面を熱酸化させて
５ｉｎ２膜３及び４を形成する。なお、このＳｉＯ□膜
３及び４はＣＶＤ（化学的気相成長）法により形成する
こともできる。
上にＰ型エピタキシャル層２を２μｍ以上の厚さ、好ま
しくは３乃至４μｍの厚さに形成し、このエピタキシャ
ル層２の表面及びシリコン基板１の下面を熱酸化させて
５ｉｎ２膜３及び４を形成する。なお、このＳｉＯ□膜
３及び４はＣＶＤ（化学的気相成長）法により形成する
こともできる。
次に、第１図（ｂ）に示すように、ＳｉＯ２膜３の所定
領域を開口し、この開口部からＮ型不純物をｌ０２０原
子／ｄの濃度で拡散させて、シリコン基板１と接続され
たＮ′″領域５を形成する。なお、このＮ＋領域５はシ
リコン基板１の下面側に形成することもできる。この場
合は、基板１の下面に形成したＳｉＯ２膜４を開口し、
この開口部からＮ型不純物をシリコン基板１に拡散させ
てＮ＋領領域形成する。このＮ＋領域５は後述するエレ
クトロケミカルエツチングの際に電極となってＮ型シリ
コン基板１と電気的コンタクトをとるために形成するも
のであり、エレクトロケミカルエツチングにおける通電
効率を考慮すると、Ｎ“領域５はエツチングされるＰ型
エピタキシャル層２と同一面側のシリコン基板１の上面
に形成することが好ましい。
領域を開口し、この開口部からＮ型不純物をｌ０２０原
子／ｄの濃度で拡散させて、シリコン基板１と接続され
たＮ′″領域５を形成する。なお、このＮ＋領域５はシ
リコン基板１の下面側に形成することもできる。この場
合は、基板１の下面に形成したＳｉＯ２膜４を開口し、
この開口部からＮ型不純物をシリコン基板１に拡散させ
てＮ＋領領域形成する。このＮ＋領域５は後述するエレ
クトロケミカルエツチングの際に電極となってＮ型シリ
コン基板１と電気的コンタクトをとるために形成するも
のであり、エレクトロケミカルエツチングにおける通電
効率を考慮すると、Ｎ“領域５はエツチングされるＰ型
エピタキシャル層２と同一面側のシリコン基板１の上面
に形成することが好ましい。
次いで、第１図（Ｃ）に示すよう゛に、ＳｉＯ□膜３上
に第１のＣｒ−Ａｕ層１５を形成した後、Ｓｉｎ、膜３
を所定のパターンで開口する。第２図は、このＳｉＯ２
膜３に形成された開口部６のパターンを示す平面図であ
る。この第２図に示すように、開口部６の形状はコの字
形をなす。その後、第１のフォトレジスト１６（第３図
参照）と同様にフォトレジスト（図示せず）をパターン
形成し、更に第２のＣｒ−Ａｕ層１７を形成し、フォト
リングラフィ技術により、第２のＣｒ−Ａｕ層１７上に
Ａｕめっき層１９を所定のパターンで形成する。そして
、Ａｕめっき層１９の下方のフォトレジストを除去する
。
に第１のＣｒ−Ａｕ層１５を形成した後、Ｓｉｎ、膜３
を所定のパターンで開口する。第２図は、このＳｉＯ２
膜３に形成された開口部６のパターンを示す平面図であ
る。この第２図に示すように、開口部６の形状はコの字
形をなす。その後、第１のフォトレジスト１６（第３図
参照）と同様にフォトレジスト（図示せず）をパターン
形成し、更に第２のＣｒ−Ａｕ層１７を形成し、フォト
リングラフィ技術により、第２のＣｒ−Ａｕ層１７上に
Ａｕめっき層１９を所定のパターンで形成する。そして
、Ａｕめっき層１９の下方のフォトレジストを除去する
。
次いで、第１図（ｄ）に示すように、エッチャントとし
てＦＤＰ又はヒドラジンの５０容量％水溶液を使用し、
エレクトロケミカルエツチングを行う。これにより、Ｓ
ｉＯ２膜３の下方のエピタキシャル層２が局部的に除去
される。このとき、Ｎ＋領域５を電極として電源の陽極
に接続し、エッチャントを陰極側にする。このエレクト
ロケミカルエツチングにおいては、Ｎ型シリコン基板１
はＮ＋領域５を介して陽極側に接続されるためエツチン
グされず、電圧で保護されていることになる。一方、５
ｔｏａ膜３の下方のＰ型エピタキシャル層２は開口部６
を介してエッチャントに接触する部分がエツチングされ
ていき、所定時間経過後には、ＳｉＯ２膜３の下方の所
定領域のエピタキシャル層２がエツチング除去される。
てＦＤＰ又はヒドラジンの５０容量％水溶液を使用し、
エレクトロケミカルエツチングを行う。これにより、Ｓ
ｉＯ２膜３の下方のエピタキシャル層２が局部的に除去
される。このとき、Ｎ＋領域５を電極として電源の陽極
に接続し、エッチャントを陰極側にする。このエレクト
ロケミカルエツチングにおいては、Ｎ型シリコン基板１
はＮ＋領域５を介して陽極側に接続されるためエツチン
グされず、電圧で保護されていることになる。一方、５
ｔｏａ膜３の下方のＰ型エピタキシャル層２は開口部６
を介してエッチャントに接触する部分がエツチングされ
ていき、所定時間経過後には、ＳｉＯ２膜３の下方の所
定領域のエピタキシャル層２がエツチング除去される。
これにより、５ｉＯａ膜３からなる片持ばり３ａが形成
される。
される。
上述の如くして本実施例により、片持ばり３ａ及びシリ
コン基板１上にＡｕめっき層１９からなるＡｕ電極が形
成された加速度スイッチが得られ、この加速度スイッチ
は、基本的には第３図（ｄ）及び第４図に示す従来の加
速度スイッチと同様の構造を存する。
コン基板１上にＡｕめっき層１９からなるＡｕ電極が形
成された加速度スイッチが得られ、この加速度スイッチ
は、基本的には第３図（ｄ）及び第４図に示す従来の加
速度スイッチと同様の構造を存する。
而して、本実施例においては、従来方法と異なり、加速
度スイッチの製造工程にてＰ＋層を形成しないため、同
一のシリコン基板に他の種々の素子を形成することがで
きる。従って、高集積化が可能である。
度スイッチの製造工程にてＰ＋層を形成しないため、同
一のシリコン基板に他の種々の素子を形成することがで
きる。従って、高集積化が可能である。
［発明の効果］
以上説明したように本発明によれば、エレクトロケミカ
ルエツチングによりＳｉＯ２膜の下方のエピタキシャル
層を除去することによりマイクロメカニカルスイッチの
可動部を形成するから、マイクロメカニカルスイッチを
トランジスタ等の他の素子と同一の半導体基板に形成し
ても、他の素子の電気的特性を変化させることはない。
ルエツチングによりＳｉＯ２膜の下方のエピタキシャル
層を除去することによりマイクロメカニカルスイッチの
可動部を形成するから、マイクロメカニカルスイッチを
トランジスタ等の他の素子と同一の半導体基板に形成し
ても、他の素子の電気的特性を変化させることはない。
これにより、マイクロメカニカルスイッチを有する半導
体装置の高集積化が可能となり、本発明は極めて有益で
ある。また、エピタキシャル層の厚さを適正に設定して
おけば、その厚さの変動はないので、マイクロメカニカ
ルスイッチの可動部の下方に所定の大きさの空隙を形成
することができ、可動部の揺動範囲を適正に規制するこ
とが可能である。
体装置の高集積化が可能となり、本発明は極めて有益で
ある。また、エピタキシャル層の厚さを適正に設定して
おけば、その厚さの変動はないので、マイクロメカニカ
ルスイッチの可動部の下方に所定の大きさの空隙を形成
することができ、可動部の揺動範囲を適正に規制するこ
とが可能である。
これにより、マイクロメカニカルスイッチの使用時にお
ける可動部の折れを防止できる。
ける可動部の折れを防止できる。
第１図（ａ）乃至（ｄ）は本発明の実施例方法を工程順
に示す断面図、第２図は同じくその製造途中のシリコン
基板の平面図、第３図（ａ）乃至（ｄ）は従来の加速度
スイッチの製造方法を工程順に示す断面図、第４図は第
３図（ｄ）のＩＶ−ＩＶ線の位置における断面図である
。
に示す断面図、第２図は同じくその製造途中のシリコン
基板の平面図、第３図（ａ）乃至（ｄ）は従来の加速度
スイッチの製造方法を工程順に示す断面図、第４図は第
３図（ｄ）のＩＶ−ＩＶ線の位置における断面図である
。
Claims (1)
- （１）第１導電型シリコン半導体基板上に第２導電型エ
ピタキシャル層を形成する工程と、このエピタキシャル
層上にＳｉＯ＿２膜を形成する工程と、所定領域の前記
ＳｉＯ＿２膜を局部的に除去して開口部を形成する工程
と、前記開口部を介して前記ＳｉＯ＿２膜の下方の前記
エピタキシャル層をエレクトロケミカルエッチングによ
り局部的に除去する工程とを有することを特徴とするマ
イクロメカニカルスイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176189A JPH02260333A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8176189A JPH02260333A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02260333A true JPH02260333A (ja) | 1990-10-23 |
Family
ID=13755437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8176189A Pending JPH02260333A (ja) | 1989-03-31 | 1989-03-31 | マイクロメカニカルスイッチの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02260333A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04306520A (ja) * | 1990-11-01 | 1992-10-29 | Hughes Aircraft Co | マイクロ機械加工スイッチおよびその製造方法 |
| US5905241A (en) * | 1997-05-30 | 1999-05-18 | Hyundai Motor Company | Threshold microswitch and a manufacturing method thereof |
| US6199430B1 (en) | 1997-06-17 | 2001-03-13 | Denso Corporation | Acceleration sensor with ring-shaped movable electrode |
| US6388300B1 (en) | 1999-01-25 | 2002-05-14 | Denso Corporation | Semiconductor physical quantity sensor and method of manufacturing the same |
| US6875936B1 (en) | 1998-12-22 | 2005-04-05 | Nec Corporation | Micromachine switch and its production method |
| JP2011148084A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-08-04 | Commissariat A L'energie Atomique & Aux Energies Alternatives | 構造の平面外変位のための停止部を有する可動部を備える微小機械構造およびその製造プロセス |
-
1989
- 1989-03-31 JP JP8176189A patent/JPH02260333A/ja active Pending
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