JPH10144208A - 電極の形成方法 - Google Patents
電極の形成方法Info
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- JPH10144208A JPH10144208A JP28777896A JP28777896A JPH10144208A JP H10144208 A JPH10144208 A JP H10144208A JP 28777896 A JP28777896 A JP 28777896A JP 28777896 A JP28777896 A JP 28777896A JP H10144208 A JPH10144208 A JP H10144208A
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Abstract
焼成工程でAgがガラス基板中に拡散しないようにす
る。 【解決手段】 ガラス基板1の少なくとも電極を形成す
る面を研磨する第1工程と、Agを含有する導体材料で
電極31を形成する第2工程とを含む手順で電極を作製
する。さらには、ガラス基板1とAgを含有する導体材
料で形成した電極31との間に、インジウム酸化物或い
はスズ酸化物を主成分とする透明導電性膜4を形成す
る。第1工程でガラス基板1の表面を研磨することによ
り、本材料の焼成時に発生するガラス中のコロイド形成
が抑制されガラス基板1の変色がなくなり、さらに電極
間の絶縁性が向上する。
Description
レイパネル(PDP)、フィールドエミッションディス
プレイ(FED)、液晶表示装置(LCD)、蛍光表示
装置、混成集積回路等における電極に係り、詳しくはこ
れらの構成部品であるガラス基板の上に電極を形成する
方法に関するものである。
表示装置や集積回路においては、その電極や配線に安価
で生産性に優れたAgを使用することが検討されてい
る。しかしながら、Agの使用に関してはそれ特有の問
題があり、この点について代表的な表示装置であるPD
Pを例に挙げて以下に説明する。
板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その
間にNe,Xe等の不活性ガスを主体とするガスを封入
した構造になっている。そして、これらの電極間に電圧
を印加し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させる
ことにより、各セルを発光させて表示を行うようにして
いる。情報表示をするためには、規則的に並んだセルを
選択的に放電発光させるものである。このPDPには、
電極が放電空間に露出している直流型(DC型)と絶縁
層で覆われている交流型(AC型)の2タイプがあり、
さらに表示機能や駆動方法の違いによって双方ともリフ
レッシュ駆動方式とメモリー駆動方式とに分類される。
る。この図は前面板と背面板を離した状態で示したもの
で、図示のように2枚のガラス基板1,2が互いに平行
に且つ対向して配設されており、両者は背面板となるガ
ラス基板2上に互いに平行に設けられたセル障壁3によ
り一定の間隔に保持されるようになっている。前面板と
なるガラス基板1の背面側には透明電極である維持電極
4と金属電極であるバス電極5とで構成される複合電極
6が互いに平行に形成され、これを覆って誘電体層7が
形成されており、さらにその上に保護層8(MgO層)
が形成されている。一方、背面板となるガラス基板2の
前面側には複合電極6と直交するようにセル障壁3の間
に位置してアドレス電極9が互いに平行に形成されてお
り、さらにセル障壁3の壁面とセル底面を覆うようにし
て蛍光体10が設けられている。このAC型PDPは面
放電型であって、前面板上の複合電極間に交流電圧を印
加し、空間に漏れた電界で放電させる構造である。この
場合,交流をかけているために電界の向きは周波数に対
応して変化する。そしてこの放電により生じる紫外線に
より蛍光体10を発光させ、前面板を透過する光を観察
者が視認するようになっている。
極6は、維持電極4のみでは抵抗値が高く電極として使
えないので、抵抗値を低くするために維持電極4上にバ
ス電極5を形成したものである。維持電極4の材料とし
てはITO、SnO2 、ZnO等が考えられるが、成膜
やパターニングの容易さから通常はITOが用いられて
いる。一方、バス電極5は金属材料で形成されるが、こ
れを金属薄膜単層で構成する場合には、バス電極5に求
められる抵抗値から低抵抗率の材料、例えばCuやAl
の使用が考えられる。しかし、Cuを使用した場合、バ
ス電極5の下地層であるITOとの密着性が悪い上に、
後工程である誘電体層7形成時の焼成処理の結果、材料
の熱酸化により抵抗値が上昇するという問題がある。ま
た、Alを使用した場合でも、後工程の焼成処理によっ
て材料の熱酸化や表面の粗面化(ヒロック)が起きると
いう問題がある。したがって、バス電極5は金属薄膜単
層ではなく、Cr/Cu/CrやCr/Al/Crのよ
うに異なる金属材料の組合せにより構成するのが一般的
である。この場合、下層のCrは下地層である維持電極
4との密着層として機能し、上層のCrはCuやAlの
酸化防止層として機能する。また、上記のようなAC型
PDPに限らずDC型PDPの電極でも、同様の理由で
前記バス電極と同様の積層構造及び材料が用いられてい
る。しかしこのような積層構造を採ると、金属単層のよ
うな問題は起きないものの、バス電極を形成するために
スパッタや蒸着などの薄膜形成技術とエッチング加工を
3回も必要とし、工程が複雑になり、従って時間がかか
り、処理能力に欠けるという問題がある。
えば特願平8−11468号に開示されているように、
スクリーン印刷法やフォトリソ法で厚膜印刷ペーストを
電極形状にパターニングする方法が有力である。そし
て、バス電極に要求される導電性、耐熱性及びコストを
考慮すると、厚膜印刷ペーストとしてはAgを含有する
導体ペーストが適している。しかし、Agを含有する導
体ペーストを使用した場合、この導体ペーストを500
℃以上で焼成するとAgが維持電極を通過してガラス中
に拡散し、ガラス基板がいわゆるアンバー色を呈するた
め、特に観察者に面している前面板には使用できないと
いう問題がある。また、背面板であっても電極間に導電
性のAg粒子が存在するために、電極間の絶縁性が低下
するという問題があった。ガラス基板呈色の原因は、ガ
ラス基板表面に存在するSnが還元剤として作用し、ガ
ラス基板中にAgのコロイド粒子が形成されるためと説
明されている。その場合の反応式は次の通りである。 2Ag+ +Sn2+ → 2Ag+Sn4+
用する場合の問題点について説明したが、他の表示装置
や集積回路などにおいても電極や配線にAgを用いよう
とすると同様な問題が起こり得る。
されたものであり、その目的とするところは、煩雑でな
い工程で作製することができ、且つ焼成工程でAgがガ
ラス基板中に拡散しない電極の形成方法を提供すること
にある。
め、本発明に係る電極の形成方法は、ガラス基板の少な
くとも電極を形成する面を研磨する第1工程と、Agを
含有する導体材料で電極を形成する第2工程とを含むこ
とを特徴とする。さらには、ガラス基板とAgを含有す
る導体材料で形成した電極との間に、インジウム酸化物
或いはスズ酸化物を主成分とする透明導電性膜を形成す
ることを特徴とする。
ガラス基板上に電極を形成する必要のある表示装置や集
積回路などに適用できるものであるが、ここでは図1に
示すAC型PDP背面板のアドレス電極と前面板の複合
電極について実施例を述べることにより実施形態を説明
する。
はフロート法で形成したソーダライムガラスを使用し
た。フロート法では液状のSnの上でガラス平板を形成
するために、ガラス中に不純物としてSnが注入され
る。一般に、Snに接した側のガラス面をボトム面、反
対側の面をトップ面と呼ぶが、ボトム面の方がSnの含
有量が大きい。まず、図2(a)に示すように、研磨機
Gを使用して背面板となるガラス基板2の表面を研磨し
た。研磨の厚みは、トップ面であってもガラス表面から
少なくとも数μmのオーダーでSnが注入されているの
で、これ以上の厚みであることが望ましい。実質的には
5〜10μm研磨すれば、Snは殆ど検出されないレベ
ルに達する。
を行ってもよい。ちなみに、下記組成のエッチング液を
使用してガラス基板をエッチングしたところ、本溶液中
でのガラスのエッチング速度は、室温で約0.5μm/
分であった。したがって、化学研磨法で5〜10μmけ
ずり取るには10〜20分間処理すればよい。 過酸化水素 10wt% 1水素2弗化アンモニウム 4wt% 水 86wt%
含有する導体材料で金属電極を形成するが、例えば、図
2(b)に示すように、スクリーン印刷法で導体材料2
1(Ag印刷ペースト、ESL社製「D590」)をア
ドレス電極9の形状にパターン塗布した。図中22はス
クリーン版、23はスキージである。次いで、170℃
で30分間導体材料21を乾燥し、さらに580℃で1
0分間焼成することで図2(c)に示すように、金属電
極24を形成した。本実施例では金属電極の線幅は80
μmであった。
印刷法でなくてもよい。例えば、表面研磨を終えた基板
上の全面に導体材料(Ag印刷ペースト、ESL社製
「D590」)の膜を形成した後、その導体材料の膜上
にフォトレジスト(東京応化工業社製「OFPR80
0」)でアドレス電極9の形状を有するマスク層を形成
し、30wt%HNO3 中で不要部分をエッチングする
方法でも金属電極24を形成可能であった。或いは、表
面研磨を終えた基板上の全面にフォトレジスト(東京応
化工業社製「OFPR800」)を塗布し、アドレス電
極9の形状でUV露光を行い、アドレス電極9の形状に
フォトレジストを除去してフォトレジストの膜に凹部を
形成した後、この凹部中に導体材料(Ag印刷ペース
ト、ESL社製「D590」)を充填し、150℃で3
0分間導体材料を乾燥した後、1wt%NaOH水溶液
でフォトレジストを剥離し、さらに580℃で10分間
導体材料の焼成を行い、金属電極24を形成することが
できた。さらには、導体材料として、a)Ag粉末、
b)側鎖にカルボキシル基とエチレン性不飽和基を有す
るアクリル系共重合体、c)光反応性化合物、d)光重
合開始剤からなる感光性を有するAgペーストを使用し
ても金属電極24を形成することができた。この場合、
表面研磨を終えた基板上の全面に感光性を有するAgペ
ーストを塗布して100℃で20分間乾燥させ、UV露
光を経てから0.2wt%NaCO3 水溶液をスプレー
することにより現像を行ってアドレス電極9の形状にパ
ターニングした後、580℃で10分間ペーストの焼成
を行い、金属電極24を形成した。
した場合でも、ガラス表面にSnが存在しないため前記
のSnとAgとの反応が抑制され、焼成処理後もガラス
基板は変色することがなく、したがって、電極間の絶縁
性も良好であり、電極作動の信頼性が向上した。
アドレス電極9を形成した後、スクリーン印刷法により
絶縁体ペースト(ノリタケカンパニーリミテッド製「N
P−7948」)を8回積層した後580℃で10分間
焼成し、幅70μm、高さ140μmの障壁リブ3を形
成した。障壁リブ3を形成した後、障壁リブ3の間にR
GB各色の蛍光体を充填し背面板を完成した。実際にパ
ネル点灯試験を行ったところ、ガラス基板表面を研磨し
ない従来のパネルと比較して同様の駆動電圧及びパネル
輝度が得られたが、Agコロイド形成によるガラス基板
の変色がなく、したがってアドレス電極間の絶縁性が向
上した。
ーダライムガラスを前面板に使用した。そしてまず、実
施例1と同様、図3(a)に示すように、研磨機を使用
して前面板となるガラス基板1の表面を研磨した。研磨
によりガラス基板に存在するSnを除去することは実施
例1と同様である。
磨を終えたガラス基板1上に所定の形状を有する透明導
電性膜で維持電極4を形成した。詳しくは、ガラス基板
上に透明導電性膜として膜厚0.15μmのITOをス
パッタ法により膜形成し、次いでITO膜上にフォトレ
ジスト(東京応化工業製「OFPR800」)でエッチ
ングマスクを形成した後、水、塩酸、硝酸を1:1:
0.08の割合で混合した液中でITO膜をエッチング
し、フォトレジストを剥離してから基板水洗を行って乾
燥させることで、線幅188μmの維持電極4を形成し
た。
もSnO2 (スズネサ)膜等も可能である。SnO
2 (スズネサ)膜を使用した場合、まずガラス基板1上
に維持電極4の逆パターンでマスク層を形成した後、C
VD法により膜形成を行い、続いてマスク層を剥離する
ことによりパターニングした。透明導電性膜の膜厚はI
TO、SnO2 (スズネサ)膜等ともに0.05〜0.
4μm程度である。
て使えないため、図3(c)に示すように、抵抗値を低
くするために透明電極上にバス電極となる金属電極31
を形成し、複合電極6を形成した。Agを含有する導体
材料で金属電極31を形成するが、実施例1と同様に、
スクリーン印刷法であっても他の方法であっても可能で
あった。金属電極31の線幅は64μmであった。
4のパターニングを終えてから第2層である金属電極3
1を形成したが、第2層を形成後に第1層である維持電
極4のパターニングを行うことも可能であった。すなわ
ち、この場合、ガラス基板1の片面上に透明導電性膜を
成膜した後、上述の方法と同様の方法で第2層を形成
し、フォトレジスト(東京応化工業社製「OFPR80
0」)で維持電極4の形状でエッチングマスク層を形成
後、透明導電性膜の不要部分をエッチングした。本例で
も、上記の実施例と同様の構成を有する複合電極6を形
成できた。
複合電極6を形成した後、スクリーン印刷法により誘電
体ペースト(日本電気硝子社製「PLS−3232」)
を塗布し、560℃で10分間焼成して誘電体層6を形
成した。この焼成処理でもガラス基板へのAg拡散は抑
制された。次いで、誘電体層6上に真空蒸着法でMgO
層を形成し、前面板を完成させた。さらに、常法により
形成した背面板と合わせてガス封入することでパネルを
完成させた。実際にパネル点灯試験を行ったところ、バ
ス電極がCr/Cu/Crで構成される従来のパネルと
比較して、同様の駆動電圧及びパネル輝度が得られた。
さらに、表面研磨をしないガラス基板上にAgを含有す
る導体材料で金属電極を形成する場合と比較して、ガラ
ス基板の変色がなく、画像表示は良好であった。
を例に採ったが、対向型AC型PDPあるいはDC型P
DPといった各種のPDPの電極を形成した場合でも、
さらには他の表示装置や集積回路等における電極や配線
を形成した場合でも本実施例と同様の効果が得られる。
板上に電極を形成する際、安価でかつ生産性に優れた材
料であるところのAgを含有する導体材料を使用する
が、第1工程でガラス基板表面を研磨することにより、
本材料の焼成時に発生するガラス中のAgコロイド形成
を抑制してガラス基板の変色をなくし、さらに電極間の
絶縁性を向上させることができる。
をその前面板と背面板を離間した状態で示す構造図であ
る。
ための工程図である。
るための工程図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ガラス基板の少なくとも電極を形成する
面を研磨する第1工程と、Agを含有する導体材料で電
極を形成する第2工程とを含むことを特徴とする電極の
形成方法。 - 【請求項2】 ガラス基板の少なくとも電極を形成する
面を研磨する第1工程と、インジウム酸化物或いはスズ
酸化物を主成分とする透明導電性膜を形成する第2工程
と、Agを含有する導体材料で電極を形成する第3工程
とを含むことを特徴とする電極の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28777896A JP3636255B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-10-30 | 電極の形成方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23914896 | 1996-09-10 | ||
| JP8-239148 | 1996-09-10 | ||
| JP28777896A JP3636255B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-10-30 | 電極の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144208A true JPH10144208A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3636255B2 JP3636255B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=26534102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28777896A Expired - Fee Related JP3636255B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-10-30 | 電極の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3636255B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1086931A1 (en) | 1999-09-27 | 2001-03-28 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Method of manufacturing a glass substrate for displays and a glass substrate for displays manufactured by same |
| WO2004051607A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像表示装置およびその製造方法 |
| WO2004051606A1 (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 画像表示装置およびそれに用いるガラス基板の評価方法 |
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-
1996
- 1996-10-30 JP JP28777896A patent/JP3636255B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7495393B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-02-24 | Panasonic Corporation | Image display device and method for manufacturing same |
| US7545561B2 (en) | 2002-11-29 | 2009-06-09 | Panasonic Corporation | Image display and method for evaluating glass substrate to be used in same |
| US7744439B2 (en) | 2002-11-29 | 2010-06-29 | Panasonic Corporation | Image display device and manufacturing method of the same |
| US7276325B2 (en) | 2003-02-14 | 2007-10-02 | E.I. Dupont De Nemours And Company | Electrode-forming composition for field emission type of display device, and method using such a composition |
| US7303854B2 (en) | 2003-02-14 | 2007-12-04 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electrode-forming composition for field emission type of display device, and method using such a composition |
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|---|---|
| JP3636255B2 (ja) | 2005-04-06 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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