JPH0935628A - Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 - Google Patents
Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法Info
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- JPH0935628A JPH0935628A JP18023095A JP18023095A JPH0935628A JP H0935628 A JPH0935628 A JP H0935628A JP 18023095 A JP18023095 A JP 18023095A JP 18023095 A JP18023095 A JP 18023095A JP H0935628 A JPH0935628 A JP H0935628A
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- Japan
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- film
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- ito
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 層構成等を変えることなく、安定した複合電
極を簡便に形成する。 【解決手段】 前面板１上に複合電極を形成するに際し
て、前面板１上にＩＴＯ膜を形成した後で当該前面板を
アニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣｒの第１層膜、
Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からなる金属積層膜を
形成し、東海金属積層膜の各膜をそれぞれエッチングに
よりパターニングしてＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第
２層電極５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造からな
るバス電極５を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチングに
よりパターニングして維持電極４を形成する。アニール
処理時の熱でＩＴＯが変質してエッチング速度が抑制さ
れ、バス電極４のパターニング時にＩＴＯ膜がエッチン
グされない。ＩＴＯの維持電極４とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
バス電極５の組合せを変えることなく、安定した複合電
極を形成できる。
極を簡便に形成する。 【解決手段】 前面板１上に複合電極を形成するに際し
て、前面板１上にＩＴＯ膜を形成した後で当該前面板を
アニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣｒの第１層膜、
Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からなる金属積層膜を
形成し、東海金属積層膜の各膜をそれぞれエッチングに
よりパターニングしてＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第
２層電極５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造からな
るバス電極５を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチングに
よりパターニングして維持電極４を形成する。アニール
処理時の熱でＩＴＯが変質してエッチング速度が抑制さ
れ、バス電極４のパターニング時にＩＴＯ膜がエッチン
グされない。ＩＴＯの維持電極４とＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
バス電極５の組合せを変えることなく、安定した複合電
極を形成できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、気体放電を用いた
自発光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の電極形成
方法に関するものである。
自発光形式の平板ディスプレイであるＡＣ型のプラズマ
ディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと記す）の電極形成
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１はＡＣ型ＰＤＰの一構成例を示した
ものである。同図に示されるように、ガラスからなる前
面板１と背面板２とが互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、背面板２の前面側にはこれに立設するバリヤ
ーリブ３が固着され、このバリヤーリブ３により前面板
１と背面板２とが一定間隔で保持されている。そして、
前面板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属
電極であるバス電極５とからなる複合電極が互いに平行
に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上にＭｇＯ層７が形成されている。ま
た、背面板２の前面側には前記複合電極と直交するよう
にバリヤーリブ３の間に位置してアドレス電極８が互い
に平行に形成され、必要に応じてその上に誘電体層９が
形成されており、さらにバリヤーリブ３の壁面とセルの
底面を覆うようにして蛍光層１０が設けられている。
ものである。同図に示されるように、ガラスからなる前
面板１と背面板２とが互いに平行に且つ対向して配設さ
れており、背面板２の前面側にはこれに立設するバリヤ
ーリブ３が固着され、このバリヤーリブ３により前面板
１と背面板２とが一定間隔で保持されている。そして、
前面板１の背面側には透明電極である維持電極４と金属
電極であるバス電極５とからなる複合電極が互いに平行
に形成され、これを覆って誘電体層６が形成されてお
り、さらにその上にＭｇＯ層７が形成されている。ま
た、背面板２の前面側には前記複合電極と直交するよう
にバリヤーリブ３の間に位置してアドレス電極８が互い
に平行に形成され、必要に応じてその上に誘電体層９が
形成されており、さらにバリヤーリブ３の壁面とセルの
底面を覆うようにして蛍光層１０が設けられている。
【０００３】このＡＣ型ＰＤＰでは、前面板１上の複合
電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成
することにより、前面板１と背面板２とバリヤーリブ３
とで区画される表示要素としての各セル１１内で放電が
行われる。そして、この放電により生じる紫外線により
蛍光層１０が発光させられ、前面板１を透過してくるこ
の光を観察者が視認するようになっている。
電極間に交流電源から所定の電圧を印加して電場を形成
することにより、前面板１と背面板２とバリヤーリブ３
とで区画される表示要素としての各セル１１内で放電が
行われる。そして、この放電により生じる紫外線により
蛍光層１０が発光させられ、前面板１を透過してくるこ
の光を観察者が視認するようになっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のＡＣ型ＰＤＰに
おける前面板１の複合電極のうち、維持電極４の材料と
してはＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成
膜やパターニングの容易性を考慮してＩＴＯを使用する
ことが多い。一方、バス電極５はＩＴＯとの密着性及び
抵抗値を考慮して、一般的には積層した金属で構成され
る。しかしパターニング時における各々のエッチング選
択性を考慮すると、用いる金属の組合せを決定するのは
中々難しい。例えば、バス電極５をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
積層構造にすることが望ましいが、パターニング時にＣ
ｒのエッチャントがＣｕ又はＩＴＯをエッチングしてし
まうので、複合電極としての機能を果たすことが困難に
なる。これを避けるためにバス電極５にもう一層加えた
り、維持電極４をレジストで保護したりすることも考え
られるが、工程的には複雑になる。また、バス電極５と
して他の層構成（Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｒ等）を
考えた場合、エッチング選択性のみならず、後工程での
熱による酸化の影響等の問題が発生する。
おける前面板１の複合電極のうち、維持電極４の材料と
してはＩＴＯ、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等が考えられるが、成
膜やパターニングの容易性を考慮してＩＴＯを使用する
ことが多い。一方、バス電極５はＩＴＯとの密着性及び
抵抗値を考慮して、一般的には積層した金属で構成され
る。しかしパターニング時における各々のエッチング選
択性を考慮すると、用いる金属の組合せを決定するのは
中々難しい。例えば、バス電極５をＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの
積層構造にすることが望ましいが、パターニング時にＣ
ｒのエッチャントがＣｕ又はＩＴＯをエッチングしてし
まうので、複合電極としての機能を果たすことが困難に
なる。これを避けるためにバス電極５にもう一層加えた
り、維持電極４をレジストで保護したりすることも考え
られるが、工程的には複雑になる。また、バス電極５と
して他の層構成（Ｃｒ／Ａｌ／Ｃｒ、Ａｌ／Ｃｒ等）を
考えた場合、エッチング選択性のみならず、後工程での
熱による酸化の影響等の問題が発生する。
【０００５】本発明は、上記のような問題点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、層構成等
を変えることなく、安定した複合電極を簡便に形成する
ことのできるＡＣ型ＰＤＰの電極形成方法を提供するこ
とにある。
されたものであり、その目的とするところは、層構成等
を変えることなく、安定した複合電極を簡便に形成する
ことのできるＡＣ型ＰＤＰの電極形成方法を提供するこ
とにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、前面板上に維持電極とバス電極とからな
る複合電極を備えたＡＣ型ＰＤＰにおける前記複合電極
の形成方法であって、前面板上にＩＴＯ膜を形成した後
で当該前面板をアニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣ
ｒの第１層膜、Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からな
る金属積層膜を形成し、当該金属積層膜の各膜をそれぞ
れエッチングによりパターニングしてＣｒの第１層電
極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造か
らなるバス電極を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチング
によりパターニングして維持電極を形成するようにした
ことを特徴としている。
め、本発明は、前面板上に維持電極とバス電極とからな
る複合電極を備えたＡＣ型ＰＤＰにおける前記複合電極
の形成方法であって、前面板上にＩＴＯ膜を形成した後
で当該前面板をアニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣ
ｒの第１層膜、Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からな
る金属積層膜を形成し、当該金属積層膜の各膜をそれぞ
れエッチングによりパターニングしてＣｒの第１層電
極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造か
らなるバス電極を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチング
によりパターニングして維持電極を形成するようにした
ことを特徴としている。
【０００７】上記のようにＩＴＯ膜を形成した前面板を
アニール（焼きなまし）処理することにより、ＩＴＯが
変質させられ、金属積層膜パターニング時のＩＴＯ膜エ
ッチング速度が抑制される。すなわち、Ｃｒのエッチャ
ントは通常ＩＴＯを溶解するが、前面板のアニール処理
時にＩＴＯが熱により変質し、成膜しただけのＩＴＯと
比較してエッチング時間が増加する。したがって、Ｃｒ
のパターニングを行っている間にＩＴＯがエッチングさ
れることがない。
アニール（焼きなまし）処理することにより、ＩＴＯが
変質させられ、金属積層膜パターニング時のＩＴＯ膜エ
ッチング速度が抑制される。すなわち、Ｃｒのエッチャ
ントは通常ＩＴＯを溶解するが、前面板のアニール処理
時にＩＴＯが熱により変質し、成膜しただけのＩＴＯと
比較してエッチング時間が増加する。したがって、Ｃｒ
のパターニングを行っている間にＩＴＯがエッチングさ
れることがない。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
【０００９】本実施形態の対象となるＡＣ型ＰＤＰの構
造は図１に示すのと同様であり、図２の拡大図に示すよ
うに前面板１の複合電極のうちのバス電極５が維持電極
４側から順にＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第２層電極
５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造になっている。
以下、前面板１の背面側にこの複合電極を形成する本発
明の実施形態について説明する。なお、それ以外の製造
手順は従来と同様であるので省略する。
造は図１に示すのと同様であり、図２の拡大図に示すよ
うに前面板１の複合電極のうちのバス電極５が維持電極
４側から順にＣｒの第１層電極５ａ、Ｃｕの第２層電極
５ｂ、Ｃｒの第３層電極５ｃの三層構造になっている。
以下、前面板１の背面側にこの複合電極を形成する本発
明の実施形態について説明する。なお、それ以外の製造
手順は従来と同様であるので省略する。
【００１０】まず、図３（ａ）に示すように、前面板１
となるガラス基板上にスパッタ法或いは真空蒸着法でＩ
ＴＯ膜２０を形成する。その膜厚は１５００〜２０００
Å程度であり、シート抵抗は２０Ω／□、透過率は８０
％以上である。
となるガラス基板上にスパッタ法或いは真空蒸着法でＩ
ＴＯ膜２０を形成する。その膜厚は１５００〜２０００
Å程度であり、シート抵抗は２０Ω／□、透過率は８０
％以上である。
【００１１】次いで、このＩＴＯ膜２０を形成した前面
板１のアニール（焼きなまし）処理を行う。前面板１に
ソーダライムガラスを用いた場合、アニール温度は最高
で約５８０℃であり、実際的には４００〜５００℃に加
熱して徐冷するのが好ましい。このようにアニール処理
を施すことで、ＩＴＯが熱により変質してそのエッチン
グ速度が遅くなる。また、後述の焼成工程でのガラスの
反りによる電極の断線が防止され、またパネル化時のア
ライメントのズレが防止される。
板１のアニール（焼きなまし）処理を行う。前面板１に
ソーダライムガラスを用いた場合、アニール温度は最高
で約５８０℃であり、実際的には４００〜５００℃に加
熱して徐冷するのが好ましい。このようにアニール処理
を施すことで、ＩＴＯが熱により変質してそのエッチン
グ速度が遅くなる。また、後述の焼成工程でのガラスの
反りによる電極の断線が防止され、またパネル化時のア
ライメントのズレが防止される。
【００１２】前面板１をアニール処理した後、図３
（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜２０の上にＣｒの第１層
膜２１（厚み５００Å）、Ｃｕの第２層膜２２（厚み１
００００Å）、Ｃｒの第３層膜２３（厚み２０００Å）
からなる金属積層膜を順次形成する。それらの成膜方法
はスパッタ法或いは真空蒸着法である。
（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜２０の上にＣｒの第１層
膜２１（厚み５００Å）、Ｃｕの第２層膜２２（厚み１
００００Å）、Ｃｒの第３層膜２３（厚み２０００Å）
からなる金属積層膜を順次形成する。それらの成膜方法
はスパッタ法或いは真空蒸着法である。
【００１３】次に、金属積層膜の上にフォトレジストを
塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経て、図
２（ｃ）に示すようにフォトレジストＲのパターニング
を行う。本実施形態ではフォトレジストＲに東京応化工
業製「ＯＦＰＲ−８００」（５ｃｐ）を用い、これを金
属積層膜上に約６０００Åの膜厚で塗布し、８５℃で３
０分間のプリベークを経てから、マスクを介して約３秒
間程度の露光を行った後、東京応化工業製「ＮＭＤ−
３」に約６０秒間浸漬してフォトレジストＲのパターニ
ングを行った。
塗布して乾燥させてから、露光及び現像工程を経て、図
２（ｃ）に示すようにフォトレジストＲのパターニング
を行う。本実施形態ではフォトレジストＲに東京応化工
業製「ＯＦＰＲ−８００」（５ｃｐ）を用い、これを金
属積層膜上に約６０００Åの膜厚で塗布し、８５℃で３
０分間のプリベークを経てから、マスクを介して約３秒
間程度の露光を行った後、東京応化工業製「ＮＭＤ−
３」に約６０秒間浸漬してフォトレジストＲのパターニ
ングを行った。
【００１４】その後、３０分間のポストベークを行って
から、パターニングされたフォトレジストＲをマスクと
して、図３（ｄ）に示すように金属積層膜の各膜２１〜
２３をそれぞれエッチングによりパターニングする。こ
こで、Ｃｒのエッチャントとしては「ＡｌＣｌ3 ・６Ｈ
2 Ｏ：ＺｎＣｌ2 ：Ｈ3 ＰＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝４５４ｇ：１
３５ｇ：３０ｍｌ：４００ｍｌ」を使用し、Ｃｕのエッ
チャントとしては過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2 Ｓ
2 Ｏ8 ）の水溶液（８０ｇ／ｌ）を使用した。このＣｒ
のエッチャントには通常ＩＴＯを溶解するが、前面板１
のアニール時にＩＴＯが熱により変質してそのエッチン
グ速度が遅くなっているため、Ｃｒのパターニングを行
っている間にＩＴＯは通常のアニール処理を行っていな
い場合と比較するとエッチングされにくくなる。このよ
うに金属積層膜の各膜２１〜２３をそれぞれエッチング
してパターニングした後、フォトレジストＲを剥離し、
水洗して乾燥させることにより図４（ａ）に示すように
三層構造のバス電極５を形成する。
から、パターニングされたフォトレジストＲをマスクと
して、図３（ｄ）に示すように金属積層膜の各膜２１〜
２３をそれぞれエッチングによりパターニングする。こ
こで、Ｃｒのエッチャントとしては「ＡｌＣｌ3 ・６Ｈ
2 Ｏ：ＺｎＣｌ2 ：Ｈ3 ＰＯ4 ：Ｈ2 Ｏ＝４５４ｇ：１
３５ｇ：３０ｍｌ：４００ｍｌ」を使用し、Ｃｕのエッ
チャントとしては過硫酸アンモニウム（（ＮＨ4 ）2 Ｓ
2 Ｏ8 ）の水溶液（８０ｇ／ｌ）を使用した。このＣｒ
のエッチャントには通常ＩＴＯを溶解するが、前面板１
のアニール時にＩＴＯが熱により変質してそのエッチン
グ速度が遅くなっているため、Ｃｒのパターニングを行
っている間にＩＴＯは通常のアニール処理を行っていな
い場合と比較するとエッチングされにくくなる。このよ
うに金属積層膜の各膜２１〜２３をそれぞれエッチング
してパターニングした後、フォトレジストＲを剥離し、
水洗して乾燥させることにより図４（ａ）に示すように
三層構造のバス電極５を形成する。
【００１５】次いで、再度フォトレジストを塗布して乾
燥させてから、露光及び現像工程を経て、図４（ｂ）に
示すようにフォトレジストＲのパターニングを行う。こ
の場合、フォトレジストＲのパターン幅は維持電極４の
線幅に対応させる。そして、図４（ｃ）に示すように、
パターニングされたフォトレジストＲをマスクとしてＩ
ＴＯ膜２０をエッチング加工して所定パターンにパター
ニングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾
燥させることにより、図４（ｄ）に示すように維持電極
４を形成して複合電極を完成させる。このＩＴＯ膜２０
のエッチャントとしては、水、塩酸、硝酸を１：１：
０．０８の割合で混合した水溶液を使用した。なお、エ
ッチング時間は、通常のＩＴＯの場合では約２分である
のに対してここでは約１０分を要した。
燥させてから、露光及び現像工程を経て、図４（ｂ）に
示すようにフォトレジストＲのパターニングを行う。こ
の場合、フォトレジストＲのパターン幅は維持電極４の
線幅に対応させる。そして、図４（ｃ）に示すように、
パターニングされたフォトレジストＲをマスクとしてＩ
ＴＯ膜２０をエッチング加工して所定パターンにパター
ニングした後、フォトレジストＲを剥離し、水洗して乾
燥させることにより、図４（ｄ）に示すように維持電極
４を形成して複合電極を完成させる。このＩＴＯ膜２０
のエッチャントとしては、水、塩酸、硝酸を１：１：
０．０８の割合で混合した水溶液を使用した。なお、エ
ッチング時間は、通常のＩＴＯの場合では約２分である
のに対してここでは約１０分を要した。
【００１６】上記の工程で形成した複合電極は、その維
持電極４であるＩＴＯの膜厚及び線幅が均一に保たれて
いるため、面内での電極の抵抗値が一定になっており、
パネル点灯時に断線や局所的な温度上昇を抑えることが
できた。
持電極４であるＩＴＯの膜厚及び線幅が均一に保たれて
いるため、面内での電極の抵抗値が一定になっており、
パネル点灯時に断線や局所的な温度上昇を抑えることが
できた。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＡＣ
型ＰＤＰの電極形成方法は、前面板上に複合電極を形成
するに際して、前面板上にＩＴＯ膜を形成した後で当該
前面板をアニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣｒの第
１層膜、Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からなる金属
積層膜を形成し、当該金属積層膜の各膜をそれぞれエッ
チングによりパターニングしてＣｒの第１層電極、Ｃｕ
の第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造からなるバ
ス電極を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチングによりパ
ターニングして維持電極を形成するようにしたことによ
り、アニール処理時の熱でＩＴＯが変質してエッチング
速度が抑制されるので、バス電極のパターニング時にＩ
ＴＯ膜がエッチングされることがなく、したがって従来
はエッチング選択性をとることが困難であったＩＴＯと
Ｃｒを選択性のあるものにでき、ＩＴＯの維持電極とＣ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒのバス電極の組合せを変えることなく、
安定した複合電極を簡便に形成することができる。
型ＰＤＰの電極形成方法は、前面板上に複合電極を形成
するに際して、前面板上にＩＴＯ膜を形成した後で当該
前面板をアニール処理し、次いでＩＴＯ膜上にＣｒの第
１層膜、Ｃｕの第２層膜、Ｃｒの第３層膜からなる金属
積層膜を形成し、当該金属積層膜の各膜をそれぞれエッ
チングによりパターニングしてＣｒの第１層電極、Ｃｕ
の第２層電極、Ｃｒの第３層電極の三層構造からなるバ
ス電極を形成してから、ＩＴＯ膜をエッチングによりパ
ターニングして維持電極を形成するようにしたことによ
り、アニール処理時の熱でＩＴＯが変質してエッチング
速度が抑制されるので、バス電極のパターニング時にＩ
ＴＯ膜がエッチングされることがなく、したがって従来
はエッチング選択性をとることが困難であったＩＴＯと
Ｃｒを選択性のあるものにでき、ＩＴＯの維持電極とＣ
ｒ／Ｃｕ／Ｃｒのバス電極の組合せを変えることなく、
安定した複合電極を簡便に形成することができる。
【図１】ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの一構成例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】前面板の背面側に形成された複合電極を示す拡
大図である。
大図である。
【図３】本発明に係るＡＣ型プラズマディスプレイパネ
ルの電極形成方法を説明するための前半の工程図であ
る。
ルの電極形成方法を説明するための前半の工程図であ
る。
【図４】図３に続く後半の工程図である。
１ 前面板 ４ 維持電極 ５ バス電極 ５ａ 第１層電極 ５ｂ 第２層電極 ５ｃ 第３層電極 ２０ ＩＴＯ膜 ２１ 第１層膜 ２２ 第２層膜 ２３ 第３層膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 来間 泰則 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内 (72)発明者 福田 政典 東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号 大日本印刷株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 前面板上に維持電極とバス電極とからな
る複合電極を備えたＡＣ型プラズマディスプレイパネル
における前記複合電極の形成方法であって、前面板上に
ＩＴＯ膜を形成した後で当該前面板をアニール処理し、
次いでＩＴＯ膜上にＣｒの第１層膜、Ｃｕの第２層膜、
Ｃｒの第３層膜からなる金属積層膜を形成し、当該金属
積層膜の各膜をそれぞれエッチングによりパターニング
してＣｒの第１層電極、Ｃｕの第２層電極、Ｃｒの第３
層電極の三層構造からなるバス電極を形成してから、Ｉ
ＴＯ膜をエッチングによりパターニングして維持電極を
形成するようにしたことを特徴とするＡＣ型プラズマデ
ィスプレイパネルの電極形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18023095A JPH0935628A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18023095A JPH0935628A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0935628A true JPH0935628A (ja) | 1997-02-07 |
Family
ID=16079658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18023095A Pending JPH0935628A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | Ａｃ型プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0935628A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343967B1 (en) * | 1998-02-13 | 2002-02-05 | Hitachi, Ltd. | Method of making gas discharge display panel and gas discharge display device |
| KR100393040B1 (ko) * | 1997-05-22 | 2003-10-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마표시소자의제조방법 |
| KR100531151B1 (ko) * | 1998-03-04 | 2006-02-28 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시장치의 유지전극 형성방법 및 플라즈마 표시장치 |
-
1995
- 1995-07-17 JP JP18023095A patent/JPH0935628A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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