JPH10144815A - ボールグリッドアレイパッケージによるｒｆモジュール形成方法 - Google Patents
ボールグリッドアレイパッケージによるｒｆモジュール形成方法Info
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- JPH10144815A JPH10144815A JP8296552A JP29655296A JPH10144815A JP H10144815 A JPH10144815 A JP H10144815A JP 8296552 A JP8296552 A JP 8296552A JP 29655296 A JP29655296 A JP 29655296A JP H10144815 A JPH10144815 A JP H10144815A
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- forming
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1216—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by screen printing or stencil printing
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
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- H05K3/3465—Application of solder
- H05K3/3485—Application of solder paste, slurry or powder
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＲＦモジュール制作上の原価節減と不良の発生
を減少し得るボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法を提供する。 【解決手段】基板に実装されるチップの端子位置の上下
面を貫通するスルーホールを基板に穿孔する工程２１，
２２と、基板の上下面を連結する伝導線をスルーホール
に形成する工程２３又は２５と、基板上面にエマルジョ
ンメッシュを用いて伝導線上のボールグリッドアレイパ
ッド以外の部分を絶縁体層でコーティングする工程２４
又は２６と、メタルメッシュを用いてボールグリッドア
レイパッド上面に所定大きさの開口を有するステンシル
マスクを形成し、このステンシルマスクを使用してボー
ルグリッドアレイパッド上にはんだペーストを印刷する
工程２７と、印刷されたはんだペーストを窒素雰囲気下
においてリフローソルダリングしてボールグリッドアレ
イソルダボールを形成する工程２８を含む。
を減少し得るボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法を提供する。 【解決手段】基板に実装されるチップの端子位置の上下
面を貫通するスルーホールを基板に穿孔する工程２１，
２２と、基板の上下面を連結する伝導線をスルーホール
に形成する工程２３又は２５と、基板上面にエマルジョ
ンメッシュを用いて伝導線上のボールグリッドアレイパ
ッド以外の部分を絶縁体層でコーティングする工程２４
又は２６と、メタルメッシュを用いてボールグリッドア
レイパッド上面に所定大きさの開口を有するステンシル
マスクを形成し、このステンシルマスクを使用してボー
ルグリッドアレイパッド上にはんだペーストを印刷する
工程２７と、印刷されたはんだペーストを窒素雰囲気下
においてリフローソルダリングしてボールグリッドアレ
イソルダボールを形成する工程２８を含む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はボールグリッドアレイ
（BGA:Ball Grid Array）パッケージによるＲＦモジュ
ール形成方法に関し、特に軽量・薄形が要求されるＲＦ
モジュールに適合するボールグリッドアレイパッケージ
によるＲＦ（Radio Frequency）モジュール形成方法に
関する。
（BGA:Ball Grid Array）パッケージによるＲＦモジュ
ール形成方法に関し、特に軽量・薄形が要求されるＲＦ
モジュールに適合するボールグリッドアレイパッケージ
によるＲＦ（Radio Frequency）モジュール形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、図１（Ａ）に示すように、ＲＦ素
子１２と、前記ＲＦ素子１２を保護するパッケージ１３
と、前記ＲＦ素子１２の端子を前記パッケージ１３外部
に延長するリード１１より成る多数のSMD（Surface Mou
nting Device）形のＲＦチップを別途のセラミックパッ
ケージ上に付着させてモジュール化したり、図１（Ｂ）
に示すようにＳＭＤ形のＲＦ素子１５のＩ／Ｏ（Input/
Output）パッド１６の側面にリードを付着してモジュー
ル化している。
子１２と、前記ＲＦ素子１２を保護するパッケージ１３
と、前記ＲＦ素子１２の端子を前記パッケージ１３外部
に延長するリード１１より成る多数のSMD（Surface Mou
nting Device）形のＲＦチップを別途のセラミックパッ
ケージ上に付着させてモジュール化したり、図１（Ｂ）
に示すようにＳＭＤ形のＲＦ素子１５のＩ／Ｏ（Input/
Output）パッド１６の側面にリードを付着してモジュー
ル化している。
【０００３】前記のようにＳＭＤ形のＲＦモジュールを
印刷回路基板に実装するためには前記ＲＦモジュールの
端子パターンに合うステンシル（Stencil）を前記印刷
基板に付着させてソルダプリンティング（Solder Print
ing）した後、チップマウンター（Chip mounter）を用
いて前記ＲＦモジュールをソルダプリンティングされた
印刷回路基板に実装してリフローソルダリング（reflow
soldering）工程を通じてＲＦモジュールを印刷回路基
板に付着させている。
印刷回路基板に実装するためには前記ＲＦモジュールの
端子パターンに合うステンシル（Stencil）を前記印刷
基板に付着させてソルダプリンティング（Solder Print
ing）した後、チップマウンター（Chip mounter）を用
いて前記ＲＦモジュールをソルダプリンティングされた
印刷回路基板に実装してリフローソルダリング（reflow
soldering）工程を通じてＲＦモジュールを印刷回路基
板に付着させている。
【０００４】従って、このような従来の技術によるＳＭ
Ｄ形ＲＦモジュール形成方法にあっては該当するＲＦモ
ジュールの端子パターンに対応するパターンのステンシ
ルを用いたソルダプリンティング工程が必要であり、微
細なパターンの場合はそのようなソルダプリンティング
工程でソルダブリッジ（solder bridge）不良が招来さ
れる。そして、ソルダプリンティング工程が存在するた
めに製造原価が上昇するという問題点があった。このよ
うなＲＦモジュールの形成方法の典型的な例は、１９９
５年John H, Lau Ball Grid Array Technologyに紹介さ
れている。
Ｄ形ＲＦモジュール形成方法にあっては該当するＲＦモ
ジュールの端子パターンに対応するパターンのステンシ
ルを用いたソルダプリンティング工程が必要であり、微
細なパターンの場合はそのようなソルダプリンティング
工程でソルダブリッジ（solder bridge）不良が招来さ
れる。そして、ソルダプリンティング工程が存在するた
めに製造原価が上昇するという問題点があった。このよ
うなＲＦモジュールの形成方法の典型的な例は、１９９
５年John H, Lau Ball Grid Array Technologyに紹介さ
れている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的はセラミ
ック基板の裏面にボールグリッドアレイを形成し、ＳＭ
Ｄ形の既存ＲＦモジュールパッケージと前記ボールグリ
ッドアレイとをスルーホールを通じて連結させるので、
全体高さを低くすることによりインダクタンスを低下さ
せることができ、また、不良発生率が高く、高費用が要
求されるソルダプリンティング工程を省略して、製造原
価を節減することのできるボールグリッドアレイパッケ
ージによるＲＦモジュール形成方法を提供することにあ
る。
ック基板の裏面にボールグリッドアレイを形成し、ＳＭ
Ｄ形の既存ＲＦモジュールパッケージと前記ボールグリ
ッドアレイとをスルーホールを通じて連結させるので、
全体高さを低くすることによりインダクタンスを低下さ
せることができ、また、不良発生率が高く、高費用が要
求されるソルダプリンティング工程を省略して、製造原
価を節減することのできるボールグリッドアレイパッケ
ージによるＲＦモジュール形成方法を提供することにあ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法は、アルミナセラミツク等の材質
から成る基板３に実装されるチップの端子位置の上下面
を貫通するスルーホールを前記基板３に穿孔する工程
と、前記基板３の上下面を連結する伝導線４を電気めっ
きによる薄膜パターン生成、導電性ペーストを用いる厚
膜パターン生成等の方法により前記スルーホールに形成
する工程と、前記基板３上面にエマルジョンメッシュを
用いて前記伝導線４上のボールグリッドアレイパッド７
以外の部分を絶縁体層２でコーティングする工程と、メ
タルメッシュを用いて前記ボールグリッドアレイパッド
７上面に所定大きさの開口を有するステンシルマスク１
を形成してこのステンシルマスク１を使用して前記ボー
ルグリッドアレイパッド７上にはんだペーストを印刷す
る工程と、前記印刷されたはんだペーストを窒素雰囲気
下においてリフローソルダリングしてボールグリッドア
レイソルダボール６を形成する工程を含むことを特徴と
する。
に、本発明のボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法は、アルミナセラミツク等の材質
から成る基板３に実装されるチップの端子位置の上下面
を貫通するスルーホールを前記基板３に穿孔する工程
と、前記基板３の上下面を連結する伝導線４を電気めっ
きによる薄膜パターン生成、導電性ペーストを用いる厚
膜パターン生成等の方法により前記スルーホールに形成
する工程と、前記基板３上面にエマルジョンメッシュを
用いて前記伝導線４上のボールグリッドアレイパッド７
以外の部分を絶縁体層２でコーティングする工程と、メ
タルメッシュを用いて前記ボールグリッドアレイパッド
７上面に所定大きさの開口を有するステンシルマスク１
を形成してこのステンシルマスク１を使用して前記ボー
ルグリッドアレイパッド７上にはんだペーストを印刷す
る工程と、前記印刷されたはんだペーストを窒素雰囲気
下においてリフローソルダリングしてボールグリッドア
レイソルダボール６を形成する工程を含むことを特徴と
する。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に例示される本発
明の好適な実施形態を説明する。
明の好適な実施形態を説明する。
【０００８】図２は本発明のボールグリッドアレイパッ
ケージによるＲＦモジュール形成方法の工程を示すフロ
ー、図３は本発明のボールグリッドアレイパッケージに
よるＲＦモジュール形成方法の実施形態の一を適用した
製作工程中における状態を示す図であり、図３（Ａ）は
ソルダプリンティング工程までの状態を示す断面図、図
３（Ｂ）は、リフローソルダリング工程までの状態を示
す断面図である。
ケージによるＲＦモジュール形成方法の工程を示すフロ
ー、図３は本発明のボールグリッドアレイパッケージに
よるＲＦモジュール形成方法の実施形態の一を適用した
製作工程中における状態を示す図であり、図３（Ａ）は
ソルダプリンティング工程までの状態を示す断面図、図
３（Ｂ）は、リフローソルダリング工程までの状態を示
す断面図である。
【０００９】本発明の方法に従えば、まず、アルミナセ
ラミックスより成る基板３に実装されるチップの端子位
置の上下面を貫通するスルーホールを例えば二酸化炭素
（CO2）レーザーを用いて穿孔する（図２中の２１、２
２の工程）。前記アルミナセラミック基板３の組成は、
望ましくは酸化アルミニウム（Al2O3）、二酸化珪素（S
iO2）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化マグネシウム（MgO）か
らなる。
ラミックスより成る基板３に実装されるチップの端子位
置の上下面を貫通するスルーホールを例えば二酸化炭素
（CO2）レーザーを用いて穿孔する（図２中の２１、２
２の工程）。前記アルミナセラミック基板３の組成は、
望ましくは酸化アルミニウム（Al2O3）、二酸化珪素（S
iO2）、酸化亜鉛（ZnO）、酸化マグネシウム（MgO）か
らなる。
【００１０】次に、前記スルーホールを通じて薄膜、又
は厚膜パターン生成法で基板３上下面を連結する伝導材
料より成る伝導線４を形成する（図２中の２３，２５の
工程）。
は厚膜パターン生成法で基板３上下面を連結する伝導材
料より成る伝導線４を形成する（図２中の２３，２５の
工程）。
【００１１】前記薄膜、または厚膜パターン生成につい
て、より詳しく説明すると、薄膜パターン生成（thin f
ilm pattern generation）方法は前記スルーホールの内
壁を電気めっき処理して伝導線４を形成する方法であり
（図２中の２３の工程）、厚膜パターン生成（thick fi
lm pattern generation）方法は、伝導性ペーストを前
記スルーホール内部に押し込んで伝導線４を形成する方
法である（図２中の２５の工程）。
て、より詳しく説明すると、薄膜パターン生成（thin f
ilm pattern generation）方法は前記スルーホールの内
壁を電気めっき処理して伝導線４を形成する方法であり
（図２中の２３の工程）、厚膜パターン生成（thick fi
lm pattern generation）方法は、伝導性ペーストを前
記スルーホール内部に押し込んで伝導線４を形成する方
法である（図２中の２５の工程）。
【００１２】前記薄膜パターン生成法を用いて伝導線４
を形成する場合には、伝導線４を形成した後、前記基板
３上面にエマルジョンメッシュ（emulsion mesh）を用
いてポリマー（polymer）をスクリーン印刷（screen pr
inting）法によりＢＧＡパッド７の上面以外をコーティ
ングして前記伝導線４が形成された部分に適当な直径、
例えば、約２８ＭＩＬ程度の大きさの開口の設けられた
絶縁体層２を形成する（図２中２４の工程）。
を形成する場合には、伝導線４を形成した後、前記基板
３上面にエマルジョンメッシュ（emulsion mesh）を用
いてポリマー（polymer）をスクリーン印刷（screen pr
inting）法によりＢＧＡパッド７の上面以外をコーティ
ングして前記伝導線４が形成された部分に適当な直径、
例えば、約２８ＭＩＬ程度の大きさの開口の設けられた
絶縁体層２を形成する（図２中２４の工程）。
【００１３】一方、厚膜パターン生成方法で伝導線４を
形成する場合には伝導線４を形成後、前記図２中の２４
の工程と同様に前記基板３上面にエマルジョンメッシュ
（emulsion mesh）を用いてオーバーグレース（over gl
aze）でスクリーン印刷によりＢＧＡパッド７の上面以
外をコーティングして、前記伝導線４が形成された部分
に適当な直径の開口の設けられた絶縁体層２を形成する
（図２中の２６の工程）。
形成する場合には伝導線４を形成後、前記図２中の２４
の工程と同様に前記基板３上面にエマルジョンメッシュ
（emulsion mesh）を用いてオーバーグレース（over gl
aze）でスクリーン印刷によりＢＧＡパッド７の上面以
外をコーティングして、前記伝導線４が形成された部分
に適当な直径の開口の設けられた絶縁体層２を形成する
（図２中の２６の工程）。
【００１４】その後、メタルメッシュ（metal mesh）を
用いて前記ＢＧＡパッド７部分の上面に０．２mm厚さ、
直径約３０ＭＩＬ程度の大きさで開口を有するようにス
テンシルマスク１（stencil mask）を形成した後、この
ステンシルマスク１を用いてボールグリッドアレイのソ
ルダボール６を形成するためのはんだペースト５を印刷
してセラミック基板３上に転写する（図２中の２７の工
程）。
用いて前記ＢＧＡパッド７部分の上面に０．２mm厚さ、
直径約３０ＭＩＬ程度の大きさで開口を有するようにス
テンシルマスク１（stencil mask）を形成した後、この
ステンシルマスク１を用いてボールグリッドアレイのソ
ルダボール６を形成するためのはんだペースト５を印刷
してセラミック基板３上に転写する（図２中の２７の工
程）。
【００１５】前記工程（図２中の２７）により印刷され
たはんだペースト５を窒素（N2）雰囲気下においてリフ
ローソルダリング（reflow soldering）し、直径約２５
ＭＩＬの大きさのソルダボール６に変形させる（図２中
の２８の工程）。このように形成されるソルダボール６
は１６〜１８ＭＩＬの厚さを有する。
たはんだペースト５を窒素（N2）雰囲気下においてリフ
ローソルダリング（reflow soldering）し、直径約２５
ＭＩＬの大きさのソルダボール６に変形させる（図２中
の２８の工程）。このように形成されるソルダボール６
は１６〜１８ＭＩＬの厚さを有する。
【００１６】そして、前記工程（図２中の２７、２８）
に用いたフラックスをクリーニングする（図２中の２９
の工程）。終わりに、前記のように形成されたボールグ
リッドアレイパッケージの品質を検査する（図２中の３
０の工程）。
に用いたフラックスをクリーニングする（図２中の２９
の工程）。終わりに、前記のように形成されたボールグ
リッドアレイパッケージの品質を検査する（図２中の３
０の工程）。
【００１７】
【発明の効果】前記の方法によるソルダボールの間には
約５％程度の共平面度（coplanarity）が表れる。従っ
て、約３０ＭＩＬのソルダボールをセラミック基板上に
実装する方法の共平面度（約３．５％）に比べて落ちる
が、Ｉ／Ｏ数が少ないＲＦモジュールを実装する際には
問題は殆ど発生しない。
約５％程度の共平面度（coplanarity）が表れる。従っ
て、約３０ＭＩＬのソルダボールをセラミック基板上に
実装する方法の共平面度（約３．５％）に比べて落ちる
が、Ｉ／Ｏ数が少ないＲＦモジュールを実装する際には
問題は殆ど発生しない。
【００１８】従って、本発明は一般的に４０ピン（Pi
n）以下の端子であるＲＦモジュールパッケージ制作に
適当であり、印刷回路基板に本発明に従って制作される
ＲＦモジュールを実装する時、従来のようなソルダプリ
ンティング工程を必要としないので、製造原価の減少と
ソルダブリッジ不良を防止する効果を提供し、特に本発
明によるＢＧＡパッケージで制作されるＲＦモジュール
は印刷回路基板に実装してリフローソルダリングを経て
組立てる場合、印刷回路基板とＢＧＡパッケージの高さ
は約１２〜１４ＭＩＬ程度の低い高さになるので、高周
波信号によるインダクタンスの増加を抑制するために薄
形パッケージが要求されるＲＦモジュールのＳＭＤ素子
パッケージにとても有効である。
n）以下の端子であるＲＦモジュールパッケージ制作に
適当であり、印刷回路基板に本発明に従って制作される
ＲＦモジュールを実装する時、従来のようなソルダプリ
ンティング工程を必要としないので、製造原価の減少と
ソルダブリッジ不良を防止する効果を提供し、特に本発
明によるＢＧＡパッケージで制作されるＲＦモジュール
は印刷回路基板に実装してリフローソルダリングを経て
組立てる場合、印刷回路基板とＢＧＡパッケージの高さ
は約１２〜１４ＭＩＬ程度の低い高さになるので、高周
波信号によるインダクタンスの増加を抑制するために薄
形パッケージが要求されるＲＦモジュールのＳＭＤ素子
パッケージにとても有効である。
【００１９】ここでは本発明をある特定の実施形態を通
じて図示説明したが、本発明の範囲はそのような特定の
実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の技術
範囲内において様々な修正、変更が可能である。
じて図示説明したが、本発明の範囲はそのような特定の
実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の技術
範囲内において様々な修正、変更が可能である。
【図１】従来のＲＦモジュールパッケージを示す図で
（Ａ）は別途のセラミックパッケージを用いてモジュー
ル化した場合、（Ｂ）はＩ／Ｏに電極を形成してモジュ
ール化する場合。
（Ａ）は別途のセラミックパッケージを用いてモジュー
ル化した場合、（Ｂ）はＩ／Ｏに電極を形成してモジュ
ール化する場合。
【図２】本発明のボールグリッドアレイパッケージによ
るＲＦモジュール形成方法の工程を示すフロー。
るＲＦモジュール形成方法の工程を示すフロー。
【図３】本発明のボールグリッドアレイパッケージによ
るＲＦモジュール形成方法の一実施形態を適用した製作
工程中における状態を示す図であり、（Ａ）はソルダプ
リンティング工程までの状態を示す断面図、（Ｂ）はリ
フローソルダリング工程までの状態を示す断面図。
るＲＦモジュール形成方法の一実施形態を適用した製作
工程中における状態を示す図であり、（Ａ）はソルダプ
リンティング工程までの状態を示す断面図、（Ｂ）はリ
フローソルダリング工程までの状態を示す断面図。
１ メタルメッシュステンシルマスク ２ 絶縁体層 ３ アルミナセラミック基板 ４ 伝導線 ５ はんだペースト ６ ソルダボール ７ ボールグリッドアレイパッド １１ リード １２，１５ ＲＦ素子 １３ パッケージ １６ Ｉ／Ｏパッド
Claims (4)
- 【請求項１】 基板（３）に実装されるチップの端子位
置の上下面を貫通するスルーホールを前記基板（３）に
穿孔する工程（２１，２２）と、 前記基板（３）の上下面を連結する伝導線（４）を前記
スルーホールに形成する工程（２３，２５）と、 前記基板（３）上面にエマルジョンメッシュを用いて前
記伝導線（４）上のボールグリッドアレイパッド（７）
以外の部分を絶縁体層（２）でコーティングする工程
（２４，２６）と、 メタルメッシュを用いて前記ボールグリッドアレイパッ
ド（７）上面に所定大きさの開口を有するステンシルマ
スク（１）を形成し、このステンシルマスク（１）を使
用して前記ボールグリッドアレイパッド（７）上にはん
だペースト（５）を印刷する工程（２７）と、 前記印刷されたはんだペースト（５）を窒素雰囲気下に
おいてリフローソルダリングしてボールグリッドアレイ
ソルダボール（６）を形成する工程（２８）を含むこと
を特徴とするボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法。 - 【請求項２】 前記基板（３）はアルミナセラミックス
からなることを特徴とする請求項１に記載のボールグリ
ッドアレイパッケージによるＲＦモジュール形成方法。 - 【請求項３】 前記伝導線（４）は電気めっきによる薄
膜パターン生成により形成されることを特徴とする請求
項１に記載のボールグリッドアレイパッケージによるＲ
Ｆモジュール形成方法。 - 【請求項４】 前記伝導線（４）は伝導性ペーストを用
いる厚膜パターン生成により形成されることを特徴とす
る請求項１に記載のボールグリッドアレイパッケージに
よるＲＦモジュール形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8296552A JPH10144815A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | ボールグリッドアレイパッケージによるｒｆモジュール形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8296552A JPH10144815A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | ボールグリッドアレイパッケージによるｒｆモジュール形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10144815A true JPH10144815A (ja) | 1998-05-29 |
Family
ID=17835022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8296552A Pending JPH10144815A (ja) | 1996-11-08 | 1996-11-08 | ボールグリッドアレイパッケージによるｒｆモジュール形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10144815A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101371682B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-03-07 | 주식회사 케이이씨 | 파워모듈 패키지의 제조 방법 및 이에 따른 파워모듈 패키지 |
-
1996
- 1996-11-08 JP JP8296552A patent/JPH10144815A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101371682B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2014-03-07 | 주식회사 케이이씨 | 파워모듈 패키지의 제조 방법 및 이에 따른 파워모듈 패키지 |
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