JPH10148520A - 測距装置 - Google Patents
測距装置Info
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- JPH10148520A JPH10148520A JP31856596A JP31856596A JPH10148520A JP H10148520 A JPH10148520 A JP H10148520A JP 31856596 A JP31856596 A JP 31856596A JP 31856596 A JP31856596 A JP 31856596A JP H10148520 A JPH10148520 A JP H10148520A
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- JP
- Japan
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- operational amplifier
- light
- comparing
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 測距情報の算出に用いられる演算増幅器の出
力の飽和を防止しつつ、測距精度を向上させる。 【解決手段】 外光成分を含んだ出力レベルが輝度判別
用の基準電圧よりも低いことが判別され、かつ、演算増
幅手段の出力レベルが基準電圧よりも低く、最大のゲイ
ンコントロールを行うことが必要であることが判別され
ている場合に、電流−電圧変換手段内の演算増幅器の帰
還抵抗の抵抗値を切り換える切換手段（＃１０２→＃１
０４→＃１０５→＃１０６）を設けている。
力の飽和を防止しつつ、測距精度を向上させる。 【解決手段】 外光成分を含んだ出力レベルが輝度判別
用の基準電圧よりも低いことが判別され、かつ、演算増
幅手段の出力レベルが基準電圧よりも低く、最大のゲイ
ンコントロールを行うことが必要であることが判別され
ている場合に、電流−電圧変換手段内の演算増幅器の帰
還抵抗の抵抗値を切り換える切換手段（＃１０２→＃１
０４→＃１０５→＃１０６）を設けている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被写体へ向けて光
を投射し、その反射光を受光手段にて受光し、得られる
受光出力に基づいて測距情報を算出する、カメラに適用
されるアクティブ方式の測距装置の改良に関するもので
ある。
を投射し、その反射光を受光手段にて受光し、得られる
受光出力に基づいて測距情報を算出する、カメラに適用
されるアクティブ方式の測距装置の改良に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】従来、カメラにおけるアクティブ方式の
測距装置では、投光素子と受光素子を基線長方向に隔て
て配置し、投光素子の投射光の被写体での反射光をＰＳ
Ｄ（半導体位置検出装置）等の受光素子で受光し、その
受光出力から被写体までの距離を算出している。
測距装置では、投光素子と受光素子を基線長方向に隔て
て配置し、投光素子の投射光の被写体での反射光をＰＳ
Ｄ（半導体位置検出装置）等の受光素子で受光し、その
受光出力から被写体までの距離を算出している。
【０００３】また、上記ＰＳＤ等の受光出力から被写体
距離を算出する方法は、通常はＰＳＤからの二つの出力
電流を電流−電圧変換回路により電圧信号に変換し、こ
の二つの電圧信号をＶａ，Ｖｂとすると、例えば「Ｖａ
／（Ｖａ＋Ｖｂ）」を演算することにより得ている。
距離を算出する方法は、通常はＰＳＤからの二つの出力
電流を電流−電圧変換回路により電圧信号に変換し、こ
の二つの電圧信号をＶａ，Ｖｂとすると、例えば「Ｖａ
／（Ｖａ＋Ｖｂ）」を演算することにより得ている。
【０００４】前記電流−電圧変換回路は、演算増幅器
（以下、オペアンプとも記す）とその負帰還路に配置さ
れる帰還抵抗（以下、フィードバック抵抗とも記す）に
より構成されるが、電流−電圧変換回路自体のＳ／Ｎ比
を良くする為には、このフィードバック抵抗の抵抗値は
高い方が望ましい。その理由は、フィードバック抵抗の
抵抗値が高いと、この抵抗から発生する熱雑音を低く抑
える事ができるからである。
（以下、オペアンプとも記す）とその負帰還路に配置さ
れる帰還抵抗（以下、フィードバック抵抗とも記す）に
より構成されるが、電流−電圧変換回路自体のＳ／Ｎ比
を良くする為には、このフィードバック抵抗の抵抗値は
高い方が望ましい。その理由は、フィードバック抵抗の
抵抗値が高いと、この抵抗から発生する熱雑音を低く抑
える事ができるからである。
【０００５】つまり、Ｓ／Ｎ比を向上させ、被写体の測
距精度を上げる観点からは、フィードバック抵抗の抵抗
値を高くしたいところであるが、一方それは逆に以下の
不都合をもたらす事になる。ＰＳＤ等の受光素子には、
投光素子よりの投射光の被写体での反射光（信号光）の
みでなく、外光（太陽光，室内光等）の反射光も入射す
る。通常、室外ではこの外光成分の方が信号光成分より
非常に大きいので、フィードバック抵抗値を高くする
と、前記オペアンプが簡単に飽和するという問題が発生
する。
距精度を上げる観点からは、フィードバック抵抗の抵抗
値を高くしたいところであるが、一方それは逆に以下の
不都合をもたらす事になる。ＰＳＤ等の受光素子には、
投光素子よりの投射光の被写体での反射光（信号光）の
みでなく、外光（太陽光，室内光等）の反射光も入射す
る。通常、室外ではこの外光成分の方が信号光成分より
非常に大きいので、フィードバック抵抗値を高くする
と、前記オペアンプが簡単に飽和するという問題が発生
する。
【０００６】この点に鑑み、特開平２−１２２１５号の
提案によれば、カメラの露出制御に用いる測光素子の出
力により、外光状態を検出し、外光レベルが高い場合に
は、前記フィードバック抵抗の抵抗値を低い値に切り換
え、前記オペアンプの飽和を防ぐ様にしている。
提案によれば、カメラの露出制御に用いる測光素子の出
力により、外光状態を検出し、外光レベルが高い場合に
は、前記フィードバック抵抗の抵抗値を低い値に切り換
え、前記オペアンプの飽和を防ぐ様にしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、以下のような欠点があった。
来例においては、以下のような欠点があった。
【０００８】通常、カメラにおいては測距用の受光素子
と露出制御用の測光素子とでは、撮影画面に対して見て
いる範囲が異なり、通常、測光素子の方が測距用の受光
素子に比べて見ている範囲がかなり広いために、前記測
光素子の出力レベルが高い時に必ずしも前記測距用受光
素子の出力レベルが高いとは限らず、又逆の場合も考え
られる。
と露出制御用の測光素子とでは、撮影画面に対して見て
いる範囲が異なり、通常、測光素子の方が測距用の受光
素子に比べて見ている範囲がかなり広いために、前記測
光素子の出力レベルが高い時に必ずしも前記測距用受光
素子の出力レベルが高いとは限らず、又逆の場合も考え
られる。
【０００９】また、アクティブ方式の測距装置では、通
常赤外発光ダイオード（ＩＲＥＤ）を用いるので、測距
用受光素子はこの赤外領域にも感度を持つ様に構成され
ている。一方、露出制御用の測光素子は写真の要求から
して、可視光領域のみに感度を持つ様に構成されてい
る。よって、この分光感度の違いによっても、両者の検
出レベルに違いが生じてくる。
常赤外発光ダイオード（ＩＲＥＤ）を用いるので、測距
用受光素子はこの赤外領域にも感度を持つ様に構成され
ている。一方、露出制御用の測光素子は写真の要求から
して、可視光領域のみに感度を持つ様に構成されてい
る。よって、この分光感度の違いによっても、両者の検
出レベルに違いが生じてくる。
【００１０】上記の様に前述の特開平２−１２２１５号
に開示されているカメラにおいては、その目的を達成す
るのには不完全であり、十分満足できる結果を得られな
いものであった。
に開示されているカメラにおいては、その目的を達成す
るのには不完全であり、十分満足できる結果を得られな
いものであった。
【００１１】また、従来例においては、前記オペアンプ
の飽和を防止する事だけを目的としており、測距精度の
向上には結びついていない。つまり、外光輝度によって
のみ、フィードバック抵抗の抵抗値を切り換えるため
に、信号光の値の大小には、無関係にＳ／Ｎ比が変更さ
れるという不具合も発生する事になる。
の飽和を防止する事だけを目的としており、測距精度の
向上には結びついていない。つまり、外光輝度によって
のみ、フィードバック抵抗の抵抗値を切り換えるため
に、信号光の値の大小には、無関係にＳ／Ｎ比が変更さ
れるという不具合も発生する事になる。
【００１２】（発明の目的）本発明の目的は、測距情報
の算出に用いられる演算増幅器の出力の飽和を防止しつ
つ、測距精度を向上させることのできる測距装置を提供
することにある。
の算出に用いられる演算増幅器の出力の飽和を防止しつ
つ、測距精度を向上させることのできる測距装置を提供
することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、被写体へ向けて光を投射する投光手段
と、該投光手段の投射光の前記被写体での反射光を受光
する受光手段と、該受光手段の出力が入力される演算増
幅器及び該演算増幅器の負帰還路に配置される帰還抵抗
により構成される電流−電圧変換手段と、該電流−電圧
変換手段の出力より外光成分を除去された信号を増幅す
る演算増幅手段と、該演算増幅手段の出力レベルと基準
電圧とを比較する第１の比較手段と、該第１の比較手段
の出力に基づいて前記演算増幅手段のゲインコントロー
ルを行うと共に、前記演算増幅手段の出力に基づいて測
距情報を算出する演算手段とを備えた測距装置におい
て、前記電流−電圧変換手段の外光成分を含んだ出力レ
ベルと輝度判別用の基準電圧とを比較する第２の比較手
段と、前記第１及び第２の比較手段の出力に応じて、前
記帰還抵抗の抵抗値を切り換える切換手段とを設けた構
成にしている。
に、本発明は、被写体へ向けて光を投射する投光手段
と、該投光手段の投射光の前記被写体での反射光を受光
する受光手段と、該受光手段の出力が入力される演算増
幅器及び該演算増幅器の負帰還路に配置される帰還抵抗
により構成される電流−電圧変換手段と、該電流−電圧
変換手段の出力より外光成分を除去された信号を増幅す
る演算増幅手段と、該演算増幅手段の出力レベルと基準
電圧とを比較する第１の比較手段と、該第１の比較手段
の出力に基づいて前記演算増幅手段のゲインコントロー
ルを行うと共に、前記演算増幅手段の出力に基づいて測
距情報を算出する演算手段とを備えた測距装置におい
て、前記電流−電圧変換手段の外光成分を含んだ出力レ
ベルと輝度判別用の基準電圧とを比較する第２の比較手
段と、前記第１及び第２の比較手段の出力に応じて、前
記帰還抵抗の抵抗値を切り換える切換手段とを設けた構
成にしている。
【００１４】具体的には、前記切換手段は、前記第２の
比較手段にて前記電流−電圧変換手段の外光成分を含ん
だ出力レベルが輝度判別用の基準電圧よりも低いことが
判別され、かつ、前記第１の比較手段にて前記演算増幅
手段の出力レベルが基準電圧よりも低く、最大のゲイン
コントロールを行うことが必要であることが判別されて
いる場合に、前記帰還抵抗の抵抗値を大きな値に切り換
え、Ｓ／Ｎ比を向上させるようにしている。
比較手段にて前記電流−電圧変換手段の外光成分を含ん
だ出力レベルが輝度判別用の基準電圧よりも低いことが
判別され、かつ、前記第１の比較手段にて前記演算増幅
手段の出力レベルが基準電圧よりも低く、最大のゲイン
コントロールを行うことが必要であることが判別されて
いる場合に、前記帰還抵抗の抵抗値を大きな値に切り換
え、Ｓ／Ｎ比を向上させるようにしている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の実施の一形態に係る測距装
置の電気的構成を示すブロック図であり、同図におい
て、１は被写体等の測距対象から反射されてきた光を受
光する受光素子であるところのＰＳＤ、２，３は前記Ｐ
ＳＤ１からの出力電流を電圧（Ｖａ，Ｖｂ）に変換する
初段のオペアンプである。４，５は前記オペアンプ２に
付随するフィードバック抵抗であり、アナログスイッチ
６により、フィードバック抵抗４のみ、または、フィー
ドバック抵抗４と５の合成抵抗値に切換えられる。７，
８は前記オペアンプ３に付随するフィードバック抵抗で
あり、アナログスイッチ９により、フィードバック抵抗
７のみ、または、フィードバック抵抗７と８の合成抵抗
値に切換えられる。
置の電気的構成を示すブロック図であり、同図におい
て、１は被写体等の測距対象から反射されてきた光を受
光する受光素子であるところのＰＳＤ、２，３は前記Ｐ
ＳＤ１からの出力電流を電圧（Ｖａ，Ｖｂ）に変換する
初段のオペアンプである。４，５は前記オペアンプ２に
付随するフィードバック抵抗であり、アナログスイッチ
６により、フィードバック抵抗４のみ、または、フィー
ドバック抵抗４と５の合成抵抗値に切換えられる。７，
８は前記オペアンプ３に付随するフィードバック抵抗で
あり、アナログスイッチ９により、フィードバック抵抗
７のみ、または、フィードバック抵抗７と８の合成抵抗
値に切換えられる。
【００１７】１１は直流信号成分をカットするコンデン
サ、１２は予め定められた輝度判定レベルＬ１と前記オ
ペアンプ２と３の和出力（Ｖａ＋Ｖｂ）とを比較してそ
の結果を後述のＣＰＵ２２に伝達するコンパレータ、１
３はオペアンプ、１９は外光成分を除去された信号成分
を増幅するオペアンプであり、後述のＣＰＵ２２により
アナログスイッチ１７，１８のＯＮ，ＯＦＦ制御が為さ
れることにより抵抗１４，１５，１６の接続状態が切り
換わり、その出力が飽和しないようにゲインコントロー
ルが為される。２０は予め定められた飽和防止の為のゲ
インコントロール用のレベルＬ２と前記オペアンプ１９
の出力とを比較してその結果を後述のＣＰＵ２２に伝達
するコンパレータである。２１は公知の２重積分回路で
あり、前記オペアンプ１９からの出力信号に対し電気的
に演算を行う。
サ、１２は予め定められた輝度判定レベルＬ１と前記オ
ペアンプ２と３の和出力（Ｖａ＋Ｖｂ）とを比較してそ
の結果を後述のＣＰＵ２２に伝達するコンパレータ、１
３はオペアンプ、１９は外光成分を除去された信号成分
を増幅するオペアンプであり、後述のＣＰＵ２２により
アナログスイッチ１７，１８のＯＮ，ＯＦＦ制御が為さ
れることにより抵抗１４，１５，１６の接続状態が切り
換わり、その出力が飽和しないようにゲインコントロー
ルが為される。２０は予め定められた飽和防止の為のゲ
インコントロール用のレベルＬ２と前記オペアンプ１９
の出力とを比較してその結果を後述のＣＰＵ２２に伝達
するコンパレータである。２１は公知の２重積分回路で
あり、前記オペアンプ１９からの出力信号に対し電気的
に演算を行う。
【００１８】２２はＣＰＵであり、前記２重積分回路２
１の結果に基づいて測距情報の算出や、前記コンパレー
タ２０の出力に基づいて前記オペアンプ１９のゲインコ
ントロールを行う。更に、前記コンパレータ１２と前記
コンパレータ２０の各出力に基づいて、後述する様に前
記オペアンプ２及び３のフィードバック抵抗の抵抗値の
切換えを行う。
１の結果に基づいて測距情報の算出や、前記コンパレー
タ２０の出力に基づいて前記オペアンプ１９のゲインコ
ントロールを行う。更に、前記コンパレータ１２と前記
コンパレータ２０の各出力に基づいて、後述する様に前
記オペアンプ２及び３のフィードバック抵抗の抵抗値の
切換えを行う。
【００１９】１０はトランジスタであり、前記ＣＰＵ２
２の指令により、前記ＰＳＤ１の出力信号の切り換えを
行う。具体的には、該トランジスタ１０がＯＮの場合は
オペアンプ２の出力信号（Ｖａ）のみが発生し、該トラ
ンジスタ１０がＯＦＦの場合はオペアンプ２，３の両方
の出力信号（Ｖａ＋Ｖｂ）が発生することになる。２３
は前記ＰＳＤと基線長方向に隔てて配置される投光素子
であるところのＩＲＥＤ、２４は前記ＩＲＥＤ２３を駆
動する駆動回路、２５はスイッチングトランジスタであ
る。
２の指令により、前記ＰＳＤ１の出力信号の切り換えを
行う。具体的には、該トランジスタ１０がＯＮの場合は
オペアンプ２の出力信号（Ｖａ）のみが発生し、該トラ
ンジスタ１０がＯＦＦの場合はオペアンプ２，３の両方
の出力信号（Ｖａ＋Ｖｂ）が発生することになる。２３
は前記ＰＳＤと基線長方向に隔てて配置される投光素子
であるところのＩＲＥＤ、２４は前記ＩＲＥＤ２３を駆
動する駆動回路、２５はスイッチングトランジスタであ
る。
【００２０】上記構成の測距装置の動作について、図２
のフローチャートを用いて以下に説明する。
のフローチャートを用いて以下に説明する。
【００２１】ステップ＃１００でスタート信号を受け付
けると、ＣＰＵ２２はステップ＃１０１において、アナ
ログスイッチ６，９を共にＯＮにし、初段のオペアンプ
２，３のフィードバック抵抗（図２ではＦＢＲ略記）の
抵抗値を小にした状態に設定する。続くステップ＃１０
２においては、高輝度か否かの判定を行う。これは、図
１のコンパレータ１２で外光成分を含んだ信号成分（Ｖ
ａ＋Ｖｂ）と予め設定されているレベルＬ１との比較が
行われており、ＣＰＵ２２はこの出力状態によって判定
する。この判定の結果、高輝度であった場合はステップ
＃１０３へ進み、２重積分回路２１が飽和しない様にア
ナログスイッチ１７，１８を制御（具体的には、アナロ
グスイッチ１７ＯＦＦにし、アナログスイッチ１８をＯ
Ｎ）することによってゲインコントロール（図２ではＡ
ＧＣと略記）し、ステップ＃１０８へと進む。
けると、ＣＰＵ２２はステップ＃１０１において、アナ
ログスイッチ６，９を共にＯＮにし、初段のオペアンプ
２，３のフィードバック抵抗（図２ではＦＢＲ略記）の
抵抗値を小にした状態に設定する。続くステップ＃１０
２においては、高輝度か否かの判定を行う。これは、図
１のコンパレータ１２で外光成分を含んだ信号成分（Ｖ
ａ＋Ｖｂ）と予め設定されているレベルＬ１との比較が
行われており、ＣＰＵ２２はこの出力状態によって判定
する。この判定の結果、高輝度であった場合はステップ
＃１０３へ進み、２重積分回路２１が飽和しない様にア
ナログスイッチ１７，１８を制御（具体的には、アナロ
グスイッチ１７ＯＦＦにし、アナログスイッチ１８をＯ
Ｎ）することによってゲインコントロール（図２ではＡ
ＧＣと略記）し、ステップ＃１０８へと進む。
【００２２】また、上記ステップ＃１０２にて低輝度と
判定した場合はステップ＃１０４へ進み、前述の様にア
ナログスイッチ１７，１８を制御することによってゲイ
ンコントロールを行う。具体的には、この場合は低輝度
時であるので、アナログスイッチ１７をＯＮにし、アナ
ログスイッチ１８をＯＦＦにして、ゲインをアップさせ
る。次に、上記ステップ＃１０５でゲインコントロール
をした結果が最大ゲインであるか否かの判定を行い、最
大ゲインでなかった場合はステップ＃１０８へと進む。
判定した場合はステップ＃１０４へ進み、前述の様にア
ナログスイッチ１７，１８を制御することによってゲイ
ンコントロールを行う。具体的には、この場合は低輝度
時であるので、アナログスイッチ１７をＯＮにし、アナ
ログスイッチ１８をＯＦＦにして、ゲインをアップさせ
る。次に、上記ステップ＃１０５でゲインコントロール
をした結果が最大ゲインであるか否かの判定を行い、最
大ゲインでなかった場合はステップ＃１０８へと進む。
【００２３】一方、前記ステップ＃１０５での結果が最
大ゲインの場合はステップ＃１０６へ進み、図１のアナ
ログスイッチ６，９を共にＯＦＦにして初段アンプ２，
３のフィードバック抵抗の抵抗値を大に設定する。その
後ステップ＃１０７へ進み、上記の様にフィードバック
抵抗の値を切り換えたので、これに合う様にもう一度ゲ
インコントロールを行い、ステップ＃１０８へ進む。
大ゲインの場合はステップ＃１０６へ進み、図１のアナ
ログスイッチ６，９を共にＯＦＦにして初段アンプ２，
３のフィードバック抵抗の抵抗値を大に設定する。その
後ステップ＃１０７へ進み、上記の様にフィードバック
抵抗の値を切り換えたので、これに合う様にもう一度ゲ
インコントロールを行い、ステップ＃１０８へ進む。
【００２４】ステップ＃１０８においては、トランジス
タ１０がＯＮ時に得られる出力信号Ｖａとトランジスタ
１０がＯＦＦ時に得られる出力信号（Ｖａ＋Ｖｂ）との
比、つまり「Ｖａ／（Ｖａ＋Ｖｂ）」なる演算を行い、
測距情報を算出する。
タ１０がＯＮ時に得られる出力信号Ｖａとトランジスタ
１０がＯＦＦ時に得られる出力信号（Ｖａ＋Ｖｂ）との
比、つまり「Ｖａ／（Ｖａ＋Ｖｂ）」なる演算を行い、
測距情報を算出する。
【００２５】上記の実施の形態によれば、外光輝度が低
く（ステップ＃１０２のＮＯ）、かつ、信号光が小さい
場合（ステップ＃１０５のＮＯ）にのみ、初段のフィド
バック抵抗の抵抗値を切り換え（ステップ＃１０６）、
Ｓ／Ｎ比を向上させるようにしている為、オペアンプ
２，３の飽和を防止しつつ、測距精度を向上させる事が
可能となる。
く（ステップ＃１０２のＮＯ）、かつ、信号光が小さい
場合（ステップ＃１０５のＮＯ）にのみ、初段のフィド
バック抵抗の抵抗値を切り換え（ステップ＃１０６）、
Ｓ／Ｎ比を向上させるようにしている為、オペアンプ
２，３の飽和を防止しつつ、測距精度を向上させる事が
可能となる。
【００２６】（発明と実施の形態の対応）上記実施の各
形態において、ＩＲＥＤ２３が本発明の投光手段に、Ｐ
ＳＤ１が本発明の受光手段に、オペアンプ（演算増幅
器）２及びフィードバック抵抗（帰還抵抗）４，５とオ
ペアンプ（演算増幅器）３及びフィードバック抵抗７，
８（帰還抵抗）が本発明の電流−電圧変換手段に、オペ
アンプ１９が本発明の演算増幅手段に、２重積分回路２
１，ＣＰＵ２２，抵抗１４〜１６及びアナログスイッチ
１７，１８が本発明の演算手段に、コンパレータ２０が
本発明の第１の比較手段に、コンパレータ１２が本発明
の第２の比較手段に、ＣＰＵ２２及びアナログスイッチ
６，９が本発明の切換手段に、それぞれ相当する。
形態において、ＩＲＥＤ２３が本発明の投光手段に、Ｐ
ＳＤ１が本発明の受光手段に、オペアンプ（演算増幅
器）２及びフィードバック抵抗（帰還抵抗）４，５とオ
ペアンプ（演算増幅器）３及びフィードバック抵抗７，
８（帰還抵抗）が本発明の電流−電圧変換手段に、オペ
アンプ１９が本発明の演算増幅手段に、２重積分回路２
１，ＣＰＵ２２，抵抗１４〜１６及びアナログスイッチ
１７，１８が本発明の演算手段に、コンパレータ２０が
本発明の第１の比較手段に、コンパレータ１２が本発明
の第２の比較手段に、ＣＰＵ２２及びアナログスイッチ
６，９が本発明の切換手段に、それぞれ相当する。
【００２７】以上が実施の形態の各構成と本発明の各構
成の対応関係であるが、本発明は、これら実施の形態の
構成に限定されるものではなく、請求項で示した機能、
又は実施の形態がもつ機能が達成できる構成であればど
のようなものであってもよいことは言うまでもない。
成の対応関係であるが、本発明は、これら実施の形態の
構成に限定されるものではなく、請求項で示した機能、
又は実施の形態がもつ機能が達成できる構成であればど
のようなものであってもよいことは言うまでもない。
【００２８】（変形例）上記の実施の形態では、測距装
置に適用した場合を例にしているが、オートフォーカス
装置への適用も効果的である。
置に適用した場合を例にしているが、オートフォーカス
装置への適用も効果的である。
【００２９】また、測距算出の為に、「Ｖａ／（Ｖａ＋
Ｖｂ）」なる演算を行っているが、「（Ｖａ−Ｖｂ）／
（Ｖａ＋Ｖｂ）」なる演算を行うものであってもよい。
Ｖｂ）」なる演算を行っているが、「（Ｖａ−Ｖｂ）／
（Ｖａ＋Ｖｂ）」なる演算を行うものであってもよい。
【００３０】又、受光素子としてＰＳＤを用いた例を述
べているが、ＳＰＣ（シリコンフォトセンサ）であって
もよい。
べているが、ＳＰＣ（シリコンフォトセンサ）であって
もよい。
【００３１】本発明は、レンズシャッタカメラや一眼レ
フカメラのみならず、ビデオカメラや電子スチルカメラ
であっても適用することができるものである。
フカメラのみならず、ビデオカメラや電子スチルカメラ
であっても適用することができるものである。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
外光成分を含んだ出力レベルが輝度判別用の基準電圧よ
りも低いことが判別され、かつ、演算増幅手段の出力レ
ベルが基準電圧よりも低く、最大のゲインコントロール
を行うことが必要であることが判別されている場合に、
電流−電圧変換手段内の演算増幅器の帰還抵抗の抵抗値
を大きな値に切り換え、Ｓ／Ｎ比を向上させるようにし
ている為、測距情報の算出に用いられる演算増幅器の出
力の飽和を防止しつつ、測距精度の向上を図ることがで
きる。
外光成分を含んだ出力レベルが輝度判別用の基準電圧よ
りも低いことが判別され、かつ、演算増幅手段の出力レ
ベルが基準電圧よりも低く、最大のゲインコントロール
を行うことが必要であることが判別されている場合に、
電流−電圧変換手段内の演算増幅器の帰還抵抗の抵抗値
を大きな値に切り換え、Ｓ／Ｎ比を向上させるようにし
ている為、測距情報の算出に用いられる演算増幅器の出
力の飽和を防止しつつ、測距精度の向上を図ることがで
きる。
【図１】本発明の実施の一形態に係る測距装置の電気的
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
【図２】図１の測距装置の概略動作を示すフローチャー
トである。
トである。
１ ＰＳＤ ２，３ オペアンプ ４，５ フィードバック抵抗 ６，９ アナログスイッチ ７，８ フィードバック抵抗 １２，２０ オペアンプ １４〜１６ 抵抗 １７，２８ アナログスイッチ １９ オペアンプ ２１ ２重積分回路 ２２ ＣＰＵ ２３ ＩＲＥＤ Ｌ２ 輝度判別用レベル
Claims (2)
- 【請求項１】 被写体へ向けて光を投射する投光手段
と、該投光手段の投射光の前記被写体での反射光を受光
する受光手段と、該受光手段の出力が入力される演算増
幅器及び該演算増幅器の負帰還路に配置される帰還抵抗
により構成される電流−電圧変換手段と、該電流−電圧
変換手段の出力より外光成分を除去された信号を増幅す
る演算増幅手段と、該演算増幅手段の出力レベルと基準
電圧とを比較する第１の比較手段と、該第１の比較手段
の出力に基づいて前記演算増幅手段のゲインコントロー
ルを行うと共に、前記演算増幅手段の出力に基づいて測
距情報を算出する演算手段とを備えた測距装置におい
て、 前記電流−電圧変換手段の外光成分を含んだ出力レベル
と輝度判別用の基準電圧とを比較する第２の比較手段
と、前記第１及び第２の比較手段の出力に応じて、前記
帰還抵抗の抵抗値を切り換える切換手段とを設けたこと
を特徴とする測距装置。 - 【請求項２】 前記切換手段は、前記第２の比較手段に
て前記電流−電圧変換手段の外光成分を含んだ出力レベ
ルが輝度判別用の基準電圧よりも低いことが判別され、
かつ、前記第１の比較手段にて前記演算増幅手段の出力
レベルが基準電圧よりも低いことが判別されている場合
に、前記帰還抵抗の抵抗値を大きな値に切り換えること
を特徴とする請求項１記載の測距装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31856596A JPH10148520A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 測距装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31856596A JPH10148520A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 測距装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10148520A true JPH10148520A (ja) | 1998-06-02 |
Family
ID=18100561
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31856596A Pending JPH10148520A (ja) | 1996-11-15 | 1996-11-15 | 測距装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10148520A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010216933A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 光学式測距センサおよび電子機器 |
-
1996
- 1996-11-15 JP JP31856596A patent/JPH10148520A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010216933A (ja) * | 2009-03-16 | 2010-09-30 | Sharp Corp | 光学式測距センサおよび電子機器 |
| US8373128B2 (en) | 2009-03-16 | 2013-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical ranging sensor and electronic device |
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