JPH10160158A - 燃焼装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は燃焼装置に関するものであり、フレ
ームロッド表面にシリコン酸化物が形成されても、燃焼
状態を検知できる手段を提供する。 【解決手段】 本発明の燃焼装置は、燃料を燃焼させる
バーナヘッド２と、火炎７により生成した荷電粒子と接
触するフレームロッド１と、バーナヘッド２とフレーム
ロッド１の間に電圧を印加する電圧印加手段１１と、そ
れらの間を流れる電流を検出する電流検出手段１９と、
前記荷電粒子の電位を検出する第１電位検出手段２０と
および第２電位検出手段２１を備え、前記第１電位検出
手段２０と第２電位検出手段２１は、荷電粒子の異なる
電位を検出し、電流と電位間の一定の相関関係を利用し
て、燃焼状態を検知するので、シリコン酸化物付着の影
響を受けずに動作できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は燃料を燃焼させる燃
焼装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来この種の燃焼装置は、特開平６−１
０１８３４号公報および特開平６−２１３４３２号公報
などに記載されているようなものが一般的であった。こ
れらの装置は図１８に示されているようにフレームロッ
ド１とバーナヘッド２を用いていた。また、フレームロ
ッド１は図１９（ａ）に示されているように電極の表面
にミゾ１ａが形成されていたり、同図（ｂ）に示されて
いるように電極の先端に補助ロッド１ｂが溶接されてい
るなどの加工が施されていた。燃料は気化筒３において
ヒータ４により気化され、ノズル５から噴出されると同
時に空気と混合され、バーナーヘッド２の内部を通過
し、複数の炎孔６を通過するときに着火し、火炎７を形
成する。フレームロッド１はセラミックからなる絶縁体
８を介し、取り付け金具９により固定台１０に取り付け
られ、先端は火炎７に接触するように配置されていた。
さらにフレームロッド１とバーナヘッド２の間には電圧
供給手段１１として直流電圧電源および電流検出手段１
２として電流計が接続されていた。また、点火は点火手
段１３により行われ、例えば点火ロッド１４をセラミッ
クからなる絶縁体１５を介し、取り付け金具１６により
固定台１０に取り付け、交流電圧電源１７で高電圧を印
加することにより点火ロッド１４の先端とバーナヘッド
２の間に火花放電を発生させ点火するものが一般的であ
った。

【０００３】上記構成により、フレームロッド１とバー
ナヘッド２の間に一定の直流電圧を供給したときに流れ
る直流電流を検出し、その電流値から燃焼状態を判断
し、燃焼制御手段１８により燃焼を制御できるようにな
っていた。一般に燃焼火炎７中には熱電離により生じた
イオンや電子が多く存在しており、フレームロッド１と
バーナヘッド２の間に電圧を供給したときに電流が流れ
れば着火、流れなければ失火といった火炎７の有無を検
知することができる。また電流は燃焼空気中の酸素濃度
などの燃焼条件に大きく依存し、酸素濃度の低下により
不完全燃焼になると電流は小さくなり、電流が予め設定
したしきい値より小さければ燃焼制御手段１８により不
完全燃焼と判断し、安全対策として換気を促すブザーや
ランプといった警報を発したり強制的に燃焼を停止させ
るなどの燃焼制御を行っていた。

【０００４】ところで燃焼空気中に整髪料などに含まれ
る有機シリコーンが存在すると、フレームロッド１やバ
ーナヘッド２の表面に絶縁性のシリコン酸化物被膜が形
成され、フレームロッド１とバーナヘッド２の間に流れ
る電流が見掛け上小さくなるため正常燃焼であるにも関
らず異常燃焼と検知する可能性があるが、この燃焼装置
によればフレームロッド１にミゾ１ａが形成されていた
り、補助ロッド１ｂが溶接されていたりなどの加工が施
してあるため有機シリコーンの影響を受けることなく燃
焼状態を検出することができるとしている。図１９
（ａ）のように表面にミゾ１ａを設けた場合、ミゾ１ａ
の内側には飛散しているシリコンが入り込まないのでシ
リコン酸化物被膜が形成されず、電流が減少しないとし
ており、また図１９（ｂ）のように先端に補助ロッド１
ｂが溶接された場合、シリコン酸化物が形成されても、
２種類の金属の熱膨張率が異なるため温度変化によりそ
の表面に亀裂や孔食が生じ、その部分が新たな導通部と
なり、電流は減少しないので安定して燃焼状態を検出す
ることができるとしている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
燃焼装置は、電流を用いて燃焼状態を検出しており、フ
レームロッド１に加工を施し、耐シリコーン性を向上す
るとしているが、シリコン酸化物被膜の形成による電流
の低下はフレームロッド１ではなく相対的に表面積が大
きいバーナヘッド２に大きく依存しているので、フレー
ムロッド１に加工を施してもシリコン酸化物被膜の形成
により徐々に電流は低下し、シリコン酸化物被膜の付着
量が増加すると正常燃焼であるにもかかわらず、異常燃
焼であるという検知不良を起こし燃焼を強制的に停止さ
せるなどの燃焼制御が誤った動作をしてしまうという課
題を有していた。

【０００６】さらに、シリコン酸化物被膜の形成された
フレームロッド１やバーナヘッド２はその都度交換する
必要がありまた経済的でないという課題を有していた。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、燃料を燃焼させるバーナヘッドと、火炎に
より生成した荷電粒子と接触するフレームロッドと、前
記バーナヘッドと前記フレームロッドの間に電圧を印加
する電圧印加手段と、前記バーナヘッドと前記フレーム
ロッドの間に流れる電流を検出する電流検出手段と、前
記荷電粒子の電位を検出する第１電位検出手段とおよび
第２電位検出手段を備え、前記第１電位検出手段と第２
電位検出手段は、前記荷電粒子の異なる電位を検出する
燃焼装置である。フレームロッド表面にシリコン酸化物
の付着の有無にかかわらず、すなわち、電流の大小にか
かわらず、フレームロッドとバーナヘッド間の荷電粒子
の電位分布は正常燃焼であれば電流との間で一定の相関
関係が保たれる。本発明は、従来のように電流のみを用
いるのではなくて、前記の相関関係を用いている。すな
わち、電流以外にも、第１電位検出手段と第２電位検出
手段により、荷電粒子の電位を検出できるので、シリコ
ン酸化物付着の影響を受けることなく着火や失火など燃
焼状態を検知できる。

【０００８】

【発明の実施の形態】本発明は、燃料を燃焼させるバー
ナヘッドと、火炎により生成した荷電粒子と接触するフ
レームロッドと、前記バーナヘッドと前記フレームロッ
ドの間に電圧を印加する電圧印加手段と、前記バーナヘ
ッドと前記フレームロッドの間に流れる電流を検出する
電流検出手段と、前記荷電粒子の電位を検出する第１電
位検出手段とおよび第２電位検出手段を備え、前記第１
電位検出手段と第２電位検出手段は、前記荷電粒子の異
なる電位を検出するものである。

【０００９】フレームロッド表面へのシリコン酸化物の
付着の有無にかかわらず、すなわち、電流の大小にかか
わらず、フレームロッドとバーナヘッド間の荷電粒子の
電位分布は正常燃焼であれば、電流との間で一定の相関
関係が保たれる。本構成は、第１電位検出手段と第２電
位検出手段により荷電粒子の電位を検出できるので、シ
リコン酸化物付着の影響を受けることなく着火状態や失
火状態などの燃焼状態を検知できる。

【００１０】また、内炎と接触するフレームロッドと、
前記内炎と接触して荷電粒子の電位を検出する第１電位
検出手段と、前記内炎と異なる内炎と接触して荷電粒子
の電位を検出する第２電位検出手段を備えたものであ
る。

【００１１】形状の小さい内炎が複数形成される燃焼の
場合、内炎形状が小さいので、フレームロッド、第１お
よび第２電位検出手段とも同じ内炎に接触させることが
困難である。このような燃焼の場合でも、複数の小内炎
は電気的に互いに導通しているので、フレームロッドと
第１電位検出手段を同じ内炎に接触させ、異なる内炎に
第２電位検出手段を接触させることにより、小内炎中の
荷電粒子の電位を検出できる。内炎には多くの荷電粒子
が含まれ、そして、フレームロッドは内炎に接触してい
るので、電流を多く流すこともできる。

【００１２】また、内炎と接触するフレームロッドと、
前記内炎と接触して荷電粒子の電位を検出する第１電位
検出手段と、前記内炎と接触して荷電粒子の電位を検出
する第２電位検出手段を備えたものである。

【００１３】形状の大きな内炎が複数形成される燃焼の
場合、内炎形状が大きいので、フレームロッド、第１お
よび第２電位検出手段とも同じ内炎に接触させることが
容易である。従って、内炎中の荷電粒子の電位をより容
易に検出できる。

【００１４】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手
段を備えたものである。

【００１５】電位は、厳密には、無限遠方からその位置
に荷電粒子を運ぶに必要な仕事として定義され、その測
定は難しいが、本構成では、第１電位検出手段と第２電
位検出手段の間の第１電位差(V₁₂)を検出するので、通
常の電圧計を用いて容易に測定できる。この第１電位差
(V₁₂)も、電位と同様、電流の大小にかかわらず、正常
燃焼であれば、電流との間で一定の相関関係が保たれ
る。従って、この第１電位差(V₁₂)を検出することによ
りシリコン酸化物付着の影響を受けることなく容易に着
火状態や失火状態などの燃焼状態を検知できる。

【００１６】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピー
ダンス(R₁₂)を演算する第１演算手段と、前記火炎イン
ピーダンス(R₁₂)により燃焼を制御する第１制御手段を
備えたものである。

【００１７】この火炎インピーダンス(R₁₂)は、第１電
位検出手段に接触する等電位面と第２電位検出手段に接
触する等電位面の間の火炎インピーダンスで、第１演算
手段により求められる。この火炎インピーダンスは、燃
焼により生成した荷電粒子の密度や易動度に大きく依存
し、電流の大小に依存しないので、燃焼状態を示す本質
的な量であり、この点で、電位差を用いるよりも好まし
い。この火炎インピーダンス(R₁₂)は、上述のように、
電流の大小に依存しないので、シリコン酸化物付着の影
響を受けることなく燃焼状態を検知でき、その火炎イン
ピーダンス(R₁₂)に従って燃焼を制御する第１制御手段
により燃焼停止など適切に燃焼を制御できる。

【００１８】また、バーナヘッドと第２電位検出手段の
間の第２電位差(V_2b)を検出する第２電位差検出手段を
備えたものである。

【００１９】本構成でも、バーナヘッド電位と第２電位
検出手段電位の間の第２電位差(V_2b)を検出するので、
通常の電圧計を用いて容易に測定できる。この第２電位
差(V_{2 b})はバーナヘッドの電位と第２電位検出手段に接
触する等電位面の電位の間の電位差であるので、バーナ
ヘッドにシリコン酸化物が付着したとき、そのシリコン
酸化物部での大きな電位降下も含まれる。従って、この
第２電位差(V_2b)を検出することによりバーナヘッドへ
のシリコン酸化物付着を検出できる。

【００２０】また、バーナヘッドと第２電位検出手段の
間の第２電位差(V_2b)と電流を用いてバーナヘッドと第
２電位検出手段の間の見掛けの火炎インピーダンス
(R_2b)を演算する第２演算手段と、前記見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_2b)により燃焼を制御する第２制御手段
を備えたものである。

【００２１】この見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)
は、バーナヘッドと第２電位検出手段に接触する等電位
面間のインピーダンスで、第２演算手段により求められ
る。この見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)は、バーナ
ヘッドにシリコン酸化物が付着したとき、そのシリコン
酸化物部のインピーダンスも含むので、シリコン酸化物
付着を検出できる。従って、その見掛けの火炎インピー
ダンス(R_2b)に従って燃焼を制御する第２制御手段によ
り、例えば、一定値以上に見掛けの火炎インピーダンス
(R_2b)が大きくなったときに燃焼を停止するなど、適切
に燃焼を制御できる。

【００２２】また、フレームロッドと第１電位検出手段
の間の第３電位差(V_f1)を検出する第３電位差検出手段
を備えたものである。

【００２３】燃焼器の構成や燃焼量など燃焼条件によっ
ては、フレームロッド表面へのシリコン酸化物の形成量
とバーナヘッド表面へのシリコン酸化物の形成量が異な
る場合がある。シリコン酸化物の形成量が異なると、電
位差への影響も異なる。本構成では、フレームロッドと
第１電位検出手段の間の第３電位差(V_f1)を検出する第
３電位差検出手段を備えている。第３電位差(V_f1)は、
フレームロッド表面でのシリコン酸化物部の電位降下も
含むので、フレームロッド表面へのシリコン酸化物の形
成量が大きいとき、シリコン酸化物付着を容易に検出で
きる。

【００２４】また、フレームロッドと第１電位検出手段
の間の第３電位差(V_f1)と電流を用いて見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_f1)を演算する第３演算手段と、前記見
掛けの火炎インピーダンス(R_f1)により燃焼を制御する
第３制御手段を備えたものである。

【００２５】この見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)
は、フレームロッドと第１電位検出手段に接触する等電
位面間のインピーダンスで、第３演算手段により求めら
れる。この見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)は、フレ
ームロッドにシリコン酸化物が付着したとき、そのシリ
コン酸化物部のインピーダンスも含むので、シリコン酸
化物付着を検出できる。従って、その見掛けの火炎イン
ピーダンス(R_f1)に従って燃焼を制御する第３制御手段
により、例えば、一定値以上に見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_f1)が大きくなったときに燃焼を停止するなど、
適切に燃焼を制御できる。

【００２６】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手
段と、バーナヘッドと第２電位検出手段の間の第２電位
差(V _2b)を検出する第２電位差検出手段を備えたもので
ある。

【００２７】第１電位差(V₁₂)は、電流の大小にかかわ
らず、正常燃焼であれば、電流との間で一定の相関関係
が保たれる。従って、この第１電位差(V₁₂)を検出する
ことによりシリコン酸化物付着の影響を受けることなく
容易に着火状態や失火状態などの燃焼状態を検知でき
る。また、第２電位差(V_2b)はバーナヘッドと第２電位
検出手段電位の間の第２電位差(V_2b)であるので、バー
ナヘッドにシリコン酸化物が付着したとき、そのシリコ
ン酸化物部での大きな電位降下も含まれる。従って、こ
の第２電位差(V_2b)を検出することによりバーナヘッド
へのシリコン酸化物付着を検出できる。本構成では、第
１電位差(V₁₂)と第２電位差(V_2b)の両者を同時に検出で
きるので、第１電位差(V₁₂)によりシリコン酸化物付着
の影響を受けることなく燃焼状態を検知すると同時に、
他方で、第２電位差(V_2b)によりバーナヘッドへのシリ
コン酸化物付着を監視することができる。

【００２８】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピー
ダンス(R₁₂)を演算する第１演算手段と、前記火炎イン
ピーダンス(R₁₂)により燃焼を制御する第１制御手段
と、バーナヘッドと第２電位検出手段の間の第２電位差
(V_2b)と電流を用いてバーナヘッドと第２電位検出手段
の間の見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)演算する第２
演算手段と、前記見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)に
より燃焼を制御する第２制御手段を備えたものである。

【００２９】第１演算手段により求められた火炎インピ
ーダンス(R₁₂)は、電流の大小に依存しないので、シリ
コン酸化物付着の影響を受けることなく燃焼状態を検知
でき、その火炎インピーダンス(R₁₂)に従って燃焼を制
御する第１制御手段により燃焼停止など適切に燃焼を制
御できる。また、第２演算手段により求められた見掛け
の火炎インピーダンス(R_2b)は、バーナヘッドにシリコ
ン酸化物が付着したとき、シリコン酸化物付着を検出で
き、その見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)に従って燃
焼を制御する第２制御手段により燃焼停止など適切に燃
焼を制御できる。本構成では、火炎インピーダンス
(R₁₂)と見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)の両者を同時
に検出できるので、火炎インピーダンス(R₁₂)によりシ
リコン酸化物付着の影響を受けることなく、第１制御手
段を用いて燃焼を制御すると同時に、他方で、見掛けの
火炎インピーダンス(R_2b)によりバーナヘッドへのシリ
コン酸化物付着を監視つつ、燃焼を制御できる。

【００３０】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手
段と、フレームロッドと第１電位検出手段の間の第３電
位差(V_f1)を検出する第３電位差検出手段を備えたもの
である。

【００３１】第１電位差(V₁₂)は、電流の大小にかかわ
らず、正常燃焼であれば、電流との間で一定の相関関係
が保たれる。従って、この第１電位差(V₁₂)を検出する
ことによりシリコン酸化物付着の影響を受けることなく
容易に着火状態や失火状態などの燃焼状態を検知でき
る。また、第３電位差(V_f1)はフレームロッドと第１電
位検出手段電位の間の第３電位差(V_f1)であるので、フ
レームロッドにシリコン酸化物が付着したとき、そのシ
リコン酸化物部での大きな電位降下も含まれる。従っ
て、この第３電位差(V_f1)を検出することによりフレー
ムロッドへのシリコン酸化物付着を検出できる。本構成
では、第１電位差(V₁₂)と第３電位差(V_f1)の両者を同時
に検出できるので、第１電位差(V₁₂)によりシリコン酸
化物付着の影響を受けることなく燃焼状態を検知すると
同時に、他方で、第３電位差(V_f1)によりフレームロッ
ドへのシリコン酸化物付着を監視することができる。

【００３２】また、第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピー
ダンス(R₁₂)を演算する第１演算手段と、前記火炎イン
ピーダンス(R₁₂)により燃焼を制御する第１制御手段
と、フレームロッドと第１電位検出手段の間の第３電位
差(V_f1)と電流を用いてフレームロッドと第１電位検出
手段の間の見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)演算する
第３演算手段と、前記見掛けの火炎インピーダンス
(R_f1)により燃焼を制御する第３制御手段を備えたもの
である。

【００３３】第１演算手段により求められた火炎インピ
ーダンス(R₁₂)は、電流の大小に依存しないので、シリ
コン酸化物付着の影響を受けることなく燃焼状態を検知
でき、その火炎インピーダンス(R₁₂)に従って燃焼を制
御する第１制御手段により燃焼停止など適切に燃焼を制
御できる。また、第３演算手段により求められた見掛け
の火炎インピーダンス(R_f1)は、フレームロッドにシリ
コン酸化物が付着したとき、シリコン酸化物付着を検出
でき、その見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)に従って
燃焼を制御する第３制御手段により燃焼停止など適切に
燃焼を制御できる。本構成では、火炎インピーダンス(R
₁₂)と見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)の両者を同時に
検出できるので、火炎インピーダンス(R₁₂)によりシリ
コン酸化物付着の影響を受けることなく、第１制御手段
を用いて燃焼を制御すると同時に、他方で、見掛けの火
炎インピーダンス(R_f1)によりフレームロッドへのシリ
コン酸化物付着を監視つつ、燃焼を制御できる。

【００３４】以下、本発明の実施例を図面に従い説明す
る。なお、従来例と同一部分には同一符号をつけ説明は
省略する。また、気化筒３など本発明の必須要件でない
部分は、図面で省略している。

【００３５】（実施例１）図１は、本発明の実施例１の
燃焼装置の構成を示す断面図である。一般的にガス状燃
料に予め理論燃焼空気量以下の二次空気を混合した混合
ガスを複数の炎孔６より噴出させて燃焼させるが、炎孔
６のごく近傍に可燃ガスと予混合された１次空気との燃
焼反応による内炎７ａが形成され、さらにこの内炎の外
側に周囲からの２次空気との燃焼反応による外炎７ｂが
形成される。前記内炎７ａは目視で明るく輝いて見え、
外炎７ｂは透明に近い燃焼炎となり全体の火炎７を形成
している。フレームロッド１の一方の端部は、火炎７に
より生成した荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１
１を介してバーナヘッド２に接続されている。ここで内
炎７ａは、目視で明るく輝いて見え、多くの荷電粒子
（イオンと電子）が含まれているが、内炎７ａの近傍お
よび外炎７ｂにも少ない密度であるにしても荷電粒子は
存在する。荷電粒子が無視できる程度に少ない場合、例
えば、火炎７が存在しないとき、すなわち、燃焼が停止
した状態では、電圧印加手段１１により、１０〜３０Ｖ
の電圧をフレームロッド９とバーナヘッド２に印加して
も、殆ど電流は流れない。しかし、正常燃焼状態でフレ
ームロッド１を内炎７ａから数ｍｍ離れた位置に配置し
ても、上記電圧を印加したとき、数μＡ以上の電流が流
れる。このことは、内炎７ａの近傍にも荷電粒子が存在
することを示す。フレームロッド１とバーナヘッド２間
に流れる電流は、例えば、一定の抵抗値を有する抵抗体
の両端の電圧から求める電流検出手段１９により検出さ
れる。もちろん、電流検出手段１９は抵抗体の代わりに
電流計を用いてもよい。

【００３６】第１電位検出手段２０は、フレームロッド
１に近い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒子と
接触している。第１電位検出手段２０は、フレームロッ
ド１と同様、絶縁体８を介して固定されている。第２電
位検出手段２１は、フレームロッド１から遠い位置に配
置され、その一方の端部は荷電粒子と接触している。第
２電位検出手段２１も、同様にして、絶縁体８を介して
固定されている。フレームロッド１とバーナヘッド２の
間に電流が流れているとき、両者の間には電位勾配が存
在し、電流は空間的に広がりをもって流れるので、荷電
粒子の等電位面が、電流の流れ方向に対して直交して存
在する。第１電位検出手段２０の位置にも、第２電位検
出手段２１の位置にも、それぞれに接触する等電位面が
存在する。第１電位検出手段２０は、フレームロッド１
に近い位置に配置されているので、電位的にはバーナヘ
ッド２から遠い位置の等電位面に接触する。他方、第２
電位検出手段２１は、フレームロッド１から遠い位置に
配置されているので、電位的にはバーナヘッド２に近い
位置の等電位面に接触する。このように第１電位検出手
段２０と第２電位検出手段２１は、荷電粒子の異なる電
位を検出する。なお、フレームロッド１、第１電位検出
手段２０および第２電位検出手段２１は、直径１〜２ｍ
ｍの高耐熱性金属線が多用される。

【００３７】荷電粒子と接触するフレームロッド１の一
方の端部表面にのみシリコン酸化物が形成された場合、
このシリコン酸化物は絶縁性であるので、たとえ正常燃
焼状態であっても、電流は明らかに減少する。しかし、
電流は減少しても正常燃焼であれば、フレームロッド１
とバーナヘッド２の間には、その電流値に対応した一定
の電位勾配が存在し、また、等電位面も存在することは
明らかである。すなわち、バーナヘッド２と第１電位検
出手段２０に接触する等電位面の間の火炎インピーダン
スをＲ_b1、シリコン酸化物の形成されないときの電流を
Ｉi、形成されたときの電流をＩ_siとすると、正常燃焼
であれば、火炎インピーダンス(Ｒ_b1)は同じである。従
って、シリコン酸化物の形成されないときの第１電位検
出手段２０の電位は（バーナヘッド２の電位＋Ｒ_b1＊Ｉ
_i）であり、形成されたときの同電位は（バーナヘッド
２の電位＋Ｒ_b1＊Ｉ_si）である。火炎インピーダンス
(Ｒ_{b 1})は正常時の電位と電流Ｉ_iから求められるので、
シリコン酸化物形成時の電流Ｉ_siの値に応じた電位（バ
ーナヘッド２の電位＋Ｒ_b1＊Ｉ_si）が検出されれば、燃
焼状態は正常であることが検出でき、検出された電位が
（バーナヘッド２の電位＋Ｒ_b1＊Ｉ_si）と異なる場合、
正常燃焼でないことが検出できる。従って、シリコン酸
化物形成により小さな電流Ｉ_siが流れるときでも燃焼状
態を検出できることは明らかである。

【００３８】第２電位検出手段２１の電位についても、
バーナヘッド２と第２電位検出手段２１に接触する等電
位面の間の火炎インピーダンスをＲ_b2とする点を除き、
第１電位検出手段２０の電位の場合と全く同じである。
例えば、シリコン酸化物の形成されたときの第２電位検
出手段２１の電位は（バーナヘッド２の電位＋Ｒ_b2＊Ｉ
_si）である。

【００３９】シリコン酸化物がバーナヘッド２の表面に
のみ形成された場合もこの状況は、フレームロッド１の
電位を基準にする以外全く同じである。

【００４０】シリコン酸化物がフレームロッド１の表面
にもバーナヘッド２の表面にも形成された場合、表面に
形成されたシリコン酸化物に起因する電位降下が生じる
ので、前述した効果は期待できない。しかし、第１電位
検出手段２０の電位と第２電位検出手段２１の電位の電
位差は、シリコン酸化物の形成されたとき、バーナヘッ
ド２の電位を基準にすると、{(バーナヘッド２の電位＋
Ｒ_b1＊Ｉ_si)−(バーナヘッド２の電位＋Ｒ_b2＊Ｉ_si)＝
(Ｒ_b1−Ｒ_b2)＊Ｉ_si}であるので、同電位差はバーナヘ
ッド２の電位と無関係である。従って、同電位差は、バ
ーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物の形成に無関係
に決まる。他方、Ｒ_b1およびＲ_b2は、正常燃焼状態であ
らかじめ求められるので、同電位差がＩ_siに応じた同電
位であるか、否かにより、燃焼状態を検知できることは
明らかである。このことは、フレームロッド１の電位を
基準にしても全く同じであるので、シリコン酸化物がフ
レームロッド１の表面およびバーナヘッド２の表面にも
形成された場合にも、同電位差を監視することにより、
燃焼状態を検知できる。

【００４１】（実施例２）図２は、本発明の実施例２の
構成を示す断面図である。

【００４２】フレームロッド１の一方の端部は、内炎７
ａに接触し、他端は電圧印加手段１１を介してバーナヘ
ッド２に接続されている。第１電位検出手段２０の一方
の端部は、フレームロッド１と接触している同じ内炎７
ａと接触する位置に配置されている。第２電位検出手段
２１は、フレームロッド１と接触している内炎７ａと異
なる内炎７ａと接触する位置に配置されている。前述し
たように、内炎７ａは、目視で明るく輝いて見え、多く
の荷電粒子（イオンと電子）を含む。従って、電圧印加
手段１１により同じ電圧をフレームロッド１とバーナヘ
ッド２間に印加しても、図１構成に比べ図２構成はより
多くの電流を流すことができる。

【００４３】各々の内炎７ａの大きさや高さは、燃焼量
や炎孔の形状に依存して大きく変わるが、家庭用燃焼器
の場合、直径が３ｍｍ以下、高さが１ｍｍ以下になると
きもある。このように、内炎７ａが小さいために、フレ
ームロッド１、第１電位検出手段２０および第２電位検
出手段２１の３者とも同じ内炎７ａに接触して配置でき
ない場合、図２に示すように、フレームロッド１と第１
電位検出手段２０を同じ内炎７ａに接触させ、第２電位
検出手段２１を異なる内炎７ａに接触させる構成が好ま
しい。

【００４４】電流はフレームロッド１と接触する内炎７
ａを通過して主として流れるが、第２電位検出手段２１
と接触する他の内炎７ａを通過して流れる電流も微小で
はあるが存在する。内炎７ａにも外炎７ｂにも荷電粒子
は存在し、内炎７ａと外炎７ｂとは電気的に導通してい
るからである。このことは、内炎７ａ中で第２電位検出
手段２１により検出される電位と同じ電位の等電位面
が、他の内炎７ａにも存在することを示す。従って、第
２電位検出手段２１により検出される等電位面の電位と
電流の関係は、シリコン酸化物形成の有無にかかわらず
図１構成と同じ相互関係が保たれ、内炎７ａが小さい場
合でも同等の効果が得られる。

【００４５】（実施例３）図３は、本発明の実施例３の
構成を示す断面図である。

【００４６】フレームロッド１の一方の端部は、内炎７
ａに接触し、他端は電圧印加手段１１を介してバーナヘ
ッド２に接続されている。第１電位検出手段２０の一方
の端部および第２電位検出手段２１の一方の端部は、フ
レームロッド１と接触している同じ内炎７ａと接触する
位置に配置されている。

【００４７】内炎７ａが大きな場合、図３の構成が好ま
しい。フレームロッド１、第１電位検出手段２０および
第２電位検出手段２１が、燃焼の流れ、荷電粒子の数な
どが均一な場に互いに近い位置で配置されているからで
ある。第１電位検出手段２０および第２電位検出手段２
１により検出される等電位面の電位と電流の関係は、シ
リコン酸化物形成の有無にかかわらず図１構成と同じ相
互関係が保たれる。また、フレームロッド１とバーナヘ
ッド２の間に多くの電流が流れるので、荷電粒子の電位
検出は容易になる。また、電流が多くなるほど、フレー
ムロッド１、第１電位検出手段２０および第２電位検出
手段２１の電気絶縁性も低くてよいという利点もある。

【００４８】（実施例４）図４は、本発明の実施例４の
構成を示す断面図である。

【００４９】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定されている。第２電位検出手段２１は、フレームロッ
ド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒
子と接触している。第２電位検出手段２１も、同様にし
て、絶縁体８を介して固定されている。第１電位検出手
段２０の他端と第２電位検出手段２１の他端は第１電位
差検出手段２２に接続され、第１電位検出手段２０に接
触する等電位面と第２電位検出手段２１に接触する等電
位面の間の第１電位差(V₁₂)が検出される。第１電位差
検出手段２２として、例えば、電圧計が用いられる。

【００５０】これまでは、第１電位検出手段２０と第２
電位検出手段２１により検出される電位を用いてきた
が、同図に示すように、第１電位差(V₁₂)を第１電位差
検出手段２２により検出することが好ましい。この第１
電位差(V₁₂)は、第１電位検出手段２０に接触する等電
位面と第２電位検出手段２１に接触する等電位面の間の
インピーダンス(R₁₂=R_b1-R_b2)と電流(I)の積に等しい(V
₁₂=R₁₂*I)。従って、正常燃焼であればインピーダンス
(R₁₂)は一定であるので、電流(I)から正常燃焼状態の電
位差が容易に求められるからである。シリコン酸化物
は、フレームロッド１の表面にも、バーナヘッド２の表
面にも形成されるが、どちらにより多く形成されるか
は、燃焼器の構成や燃焼量などより大きく異なる。しか
し、本構成における第１電位差(V₁₂)(=R₁₂*I)は、バー
ナヘッド２の電位やフレームロッド１の電位に無関係で
あるので、シリコン酸化物がバーナヘッド２の表面に形
成されても、フレームロッド１の表面に形成されても、
そのときに流れる電流(I_si)に対応した第１電位差(V₁₂)
(=R₁₂*I_si)が観測される。

【００５１】（実施例５）図５は、本発明の実施例５の
構成を示す断面図である。

【００５２】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定されている。第２電位検出手段２１は、フレームロッ
ド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒
子と接触している。第２電位検出手段２１も、同様にし
て、絶縁体８を介して固定されている。第１電位検出手
段２０の他端と第２電位検出手段２１の他端は第１電位
差検出手段２２に接続され、第１電位検出手段２０に接
触する等電位面と第２電位検出手段２１に接触する等電
位面の間の第１電位差(V₁₂)が検出される。第１電位差
(V₁₂)と電流(I)は第１演算手段２３に入力され、第１電
位検出手段２０に接触する等電位面と第２電位検出手段
２１に接触する等電位面の間の火炎インピーダンス
(R₁₂)が演算される。この火炎インピーダンス(R₁₂)に基
づき第１制御手段２４が燃焼の停止など燃焼を制御す
る。

【００５３】これまでは、第１電位検出手段２０と第２
電位検出手段２１により検出される電位や第１電位差(V
₁₂)をを用いてきたが、同図に示すように、第１演算手
段２３により火炎インピーダンス(R₁₂)を演算により用
いることが好ましい。この火炎インピーダンス(R₁₂)
は、前述したように、第１電位検出手段２０に接触する
等電位面と第２電位検出手段２１に接触する等電位面の
間の火炎インピーダンスである。正常燃焼であれば火炎
インピーダンス(R₁₂)は一定で、荷電粒子の密度や易動
度により決められる本質的な量であるので、電流(I)に
依存しない。火炎インピーダンス(R₁₂)が一定値以上に
大きくなったとき、第１制御手段２４により燃焼停止な
ど燃焼を制御できる。本構成における火炎インピーダン
ス(R₁₂)は、バーナヘッド２の電位やフレームロッド１
の電位に無関係であるので、シリコン酸化物がバーナヘ
ッド２の表面に形成されても、フレームロッド１の表面
に形成されても、そのときの燃焼に対応した火炎インピ
ーダンス(R₁₂)が観測される。

【００５４】家庭用石油ファンヒータを用いて、正常灯
油中にシリコーン油を約２００ｐｐｍ（重量濃度）添加
した灯油を燃焼させたときの電流(I)および第１電位差
(V₁₂)の経時変化を図６に示す。

【００５５】最初に正常灯油を約５分間燃焼させ、その
後上記シリコーン油を添加した灯油を約６時間連続して
燃焼させ、電流(I)および第１電位差(V₁₂)が時間経過と
共にどのような変化するかを測定した。電圧印加手段１
１として、直流電源（２４Ｖ）を用いた。

【００５６】電流は、初期の正常灯油燃焼中では約８０
μＡであったが、シリコーン油を添加した灯油燃焼中で
は時間経過と共に急速に減少し、最終的には約３０μＡ
(初期電流値の約４０％)にまで減少した。正常灯油燃焼
もシリコーン油を添加した灯油燃焼も、燃焼自身は光学
的にも、電気的にも殆ど正常燃焼であることが別途確認
されている。また、この測定後フレームロッド１の表面
にもバーナヘッド２の表面にもＳｉと酸素から成る白い
付着物の形成が確認された。これらのことから電流は、
正常燃焼であるにもかかわらず、シリコン酸化物の形成
により減少することは明らかである。

【００５７】他方、第１電位差(V₁₂)は、初期の正常灯
油燃焼中では約０.１９Ｖであったが、シリコーン油を
添加した灯油燃焼中では時間経過と共に減少し、最終的
には約０.１１Ｖ(初期電位差値の約５８％)にまで減少
した。火炎インピーダンス(R₁₂=V₁₂/I)は、約２.５kΩ
であるから、電流(I)が３０μAに減少したときの第１電
位差(V₁₂)は、０.０７５Vを示すことが期待される。実
測の最終第１電位差(V₁₂)は、約０.１１Vであり、期待
値の約１.４７倍であった。この原因の詳細は不明であ
るが、電流(I)−第１電位差(V₁₂)特性における非直線性
などに起因すると考えられる。しかし、電流が約１/２.
７にまで減少していることを考慮すると、第１電位差(V
₁₂)を用いた燃焼状態検知は、従来の電流を用いた検知
に比べ、シリコン酸化物形成に対して明らかに安定であ
る。

【００５８】このシリコン酸化物形成にたいする安定性
は、次に示すように、火炎インピーダンス(R₁₂)で評価
すると一層明確である。フレームロッド１とバーナヘッ
ド２間の全インピーダンス(R)は、電流値と直流電源(24
V)から求められ、初期的には約３００ｋΩで、経過時間
の増加と共に増加し、最終的には約８００kΩ(初期値の
約２.７倍)になった。しかし、火炎インピーダンス(R₁₂
=V₁₂/I)は、初期的に約２.５kΩであったが、最終的に
も約３.７kΩ(初期値の約１.４７倍)に増加しただけで
あった。両者の経過時間に対する変化を図７に示す。経
過時間に対するインピーダンスの増加率(k)をk=(1/R_i)
(△R/△t)で定義する。ただし、R_i:初期抵抗値、△R：
時間△t(約６時間)の間に変化した抵抗値である。同図
から明らかなように、経過時間に対する火炎インピーダ
ンス(R₁₂)の増加率は約６.７%/時間、全インピーダンス
(R)の増加率は約２８%/時間であった。このことから第
１電位差(V₁₂)や火炎インピーダンス(R₁₂)を用いた燃焼
状態検知は、従来の電流(I)を用いた検知に比べ、シリ
コン酸化物形成に対して４倍以上安定である。

【００５９】（実施例６）図８は、本発明の実施例６の
構成を示す断面図である。

【００６０】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定されている。第２電位検出手段２１は、フレームロッ
ド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒
子と接触している。第２電位検出手段２１も、同様にし
て、絶縁体８を介して固定されている。第２電位検出手
段２１の他端とバーナヘッド２は第２電位差検出手段２
５に接続され、第２電位検出手段２１の電位とバーナヘ
ッド２の電位の第２電位差(V_2b)が検出される。

【００６１】この第２電位差(V_2b)は、第２電位検出手
段２１に接触する等電位面とバーナヘッド２の間の電位
差であるので、シリコン酸化物がバーナヘッド２に形成
されたとき、第２電位差(V_2b)はシリコン酸化物部での
大きな電位降下も含まれる。このシリコン酸化物部での
電位降下は、同酸化物の付着量が多くなれば、より大き
くなるので、第２電位差(V_2b)の検出により、シリコン
酸化物の付着量を検知できる点で本構成は優れている。

【００６２】（実施例７）図９は、本発明の実施例７の
構成を示す断面図である。

【００６３】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定されている。第２電位検出手段２１は、フレームロッ
ド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒
子と接触している。第２電位検出手段２１も、同様にし
て、絶縁体８を介して固定台１０に取り付けられる。第
２電位検出手段２１の他端とバーナヘッド２は第２電位
差検出手段２５に接続され、第２電位検出手段２１の電
位とバーナヘッド２の電位の第２電位差(V_2b)が検出さ
れる。

【００６４】第２電位差(V_2b)と電流(I)は第２演算手段
２６に入力され、、第２電位検出手段２１に接触する等
電位面とバーナヘッド２の間の見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_2b)が演算される。この見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_2b)に基づき第２制御手段２７が燃焼の停止など
燃焼を制御する。この見掛けの火炎インピーダンス
(R_2b)は、前述したように、第２電位検出手段２１に接
触する等電位面とバーナヘッド２の間の火炎インピーダ
ンスである。従って、シリコン酸化物がバーナヘッド２
に形成されたとき、見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)
はシリコン酸化物部に起因するインピーダンスも含まれ
る。このシリコン酸化物部でのインピーダンスは、同酸
化物の付着量が多くなれば、より大きくなるので、見掛
けの火炎インピーダンス(R_2b)の検出により、シリコン
酸化物の付着量を直接的に検知できる点で本構成は優れ
ている。

【００６５】図６および図７で測定したときと同じ条件
で、家庭用石油ファンヒータを用いて、正常灯油中にシ
リコーン油を約２００ｐｐｍ（重量濃度）添加した灯油
を燃焼させたときの電流(I)および第２電位差(V_2b)の経
時変化を図１０に示す。

【００６６】最初に正常灯油を約５分間燃焼させ、その
後上記シリコーン油を添加した灯油を約６時間連続して
燃焼させ、電流(I)および第２電位差(V_2b)が時間経過と
共にどのような変化するかを測定した。電圧印加手段１
１として、直流電源（２４Ｖ）を用いた。

【００６７】電流は、初期の正常灯油燃焼中では約８０
μＡであったが、シリコーン油を添加した灯油燃焼中で
は時間経過と共に急速に減少し、最終的には約３０μＡ
(初期電流値の約３７％)にまで減少した。この電流(I)
の減少は、シリコン酸化物の形成により減少することは
明らかである。

【００６８】他方、第２電位差(V_2b)は、初期の正常灯
油燃焼中では約６Ｖであったが、シリコーン油を添加し
た灯油燃焼中では時間経過と共に増加し、最終的には約
１１Ｖ(初期電位差値の約１.８倍)にまで増加した。見
掛けの火炎インピーダンス(R_{2 b}=V_2b/I)の初期値は、約
７５kΩであるから、シリコン酸化物がバーナヘッド２
に付着しなければ、電流(I)が３０μAに減少したときの
第２電位差(V_2b)は、約２.２Vを示すことが期待され
る。しかし、実測の最終第２電位差(V_2b)は、約１１Vで
あり、期待値よりも約５倍も高かった。この原因の詳細
は不明であるが、バーナヘッド２の表面にシリコン酸化
物が形成され、このシリコン酸化物部での電位降下も第
２電位差(V_2b)に含まれることに起因すると考えられ
る。電流が約１/２.７以下にまで減少を示したのに対し
て、第２電位差(V_2b)は期待値に対して約５倍も増加し
たことから、第２電位差(V_2b)を用いた燃焼状態検知
は、従来の電流を用いた検知に比べ、シリコン酸化物形
成に対して敏感である。

【００６９】このシリコン酸化物形成にたいする感度
は、下記に示すように、火炎インピーダンス(R_2b)で評
価すると一層明確である。フレームロッド１とバーナヘ
ッド２間の全インピーダンス(R)は、電流値と直流電源
(24V)から求められ、初期的には約３００ｋΩで、経過
時間の増加と共に増加し、最終的には約８００kΩ(初期
値の約２.７倍)になった。しかし、見掛けの火炎インピ
ーダンス(R_2b=V_2b/I)は、初期的に約７５kΩであった
が、最終的に約３５０kΩ(初期値の約４.７倍)にも増加
した。両者の経過時間に対する変化を図１１に示す。経
過時間に対するインピーダンスの増加率(k)を、図７と
同様にして定義する。同図から明らかなように、経過時
間に対する見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)の増加率
(k)は約６０%/時間、全インピーダンス(R)の増加率(k)
は、約２８%/時間であり、前者はシリコン酸化物付着に
対して後者よりも２倍以上高感度であった。このことか
ら第２電位差(V_2b)や見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)
を用いた燃焼状態検知は、従来の電流(I)を用いた検知
に比べ、シリコン酸化物形成に対して約２倍以上高感度
である。

【００７０】（実施例８）図１２は、本発明の実施例８
の構成を示す断面図である。

【００７１】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定台１０されている。第２電位検出手段２１は、フレー
ムロッド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は
荷電粒子と接触している。第２電位検出手段２１も、同
様にして、絶縁体８を介して固定されている。第１電位
検出手段２０の他端とバーナヘッド２は第３電位差検出
手段２８に接続され、第１電位検出手段２０の電位とフ
レームロッド１の電位の第３電位差(V_f1)が検出され
る。

【００７２】この第３電位差(V_f1)は第１電位検出手段
２０に接触する等電位面とフレームロッド１の間の電位
差であるので、シリコン酸化物がフレームロッド１に形
成されたとき、第３電位差(V_f1)はシリコン酸化物部で
の大きな電位降下も含まれる。このシリコン酸化物部で
の電位降下は、同酸化物の付着量が多くなれば、より大
きくなるので、第３電位差(V_f1)の検出により、フレー
ムロッド１表面へのシリコン酸化物の付着量を検知でき
る点で本構成は優れている。

【００７３】（実施例９）図１３は、本発明の実施例９
の構成を示す断面図である。

【００７４】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１を介して
バーナヘッド２に接続されている。第１電位検出手段２
０は、フレームロッド１に近い位置に配置され、その一
方の端部は荷電粒子と接触している。第１電位検出手段
２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８を介して固
定されている。第２電位検出手段２１は、フレームロッ
ド１から遠い位置に配置され、その一方の端部は荷電粒
子と接触している。第２電位検出手段２１も、同様にし
て、絶縁体８を介して固定されている。第１電位検出手
段２０の他端とフレームロッド１は第３電位差検出段２
８に接続され、第１電位検出手段２０の電位とフレーム
ロッド１の電位の第３電位差(V_f1)が検出される。

【００７５】第３電位差(V_f1)と電流(I)は第３演算手段
２９に入力され、第１電位検出手段２０に接触する等電
位面とフレームロッド１の間の見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_f1)が演算される。この見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_f1)に基づき第３制御手段３０が燃焼の停止など
燃焼を制御する。この見掛けの火炎インピーダンス
(R_f1)は、前述したように、第１電位検出手段２０に接
触する等電位面とフレームロッド１の間の火炎インピー
ダンスである。従って、シリコン酸化物がフレームロッ
ド１に形成されたとき、見掛けの火炎インピーダンス(R
_f1)はシリコン酸化物部に起因する抵抗も含まれる。こ
のシリコン酸化物部でのインピーダンスは、同酸化物の
付着量が多くなれば、より大きくなるので、見掛けの火
炎インピーダンス(R_f1)の検出により、フレームロッド
１表面へのシリコン酸化物の付着量を直接的に検知でき
る点で本構成は優れている。

【００７６】図６および図７で測定したときと同じ条件
で、家庭用石油ファンヒータを用いて、正常灯油中にシ
リコーン油を約２００ｐｐｍ（重量濃度）添加した灯油
を燃焼させたときの電流(I)および第３電位差(V_f1)の経
時変化を測定し、図１０や図１１に示した結果と同様の
結果が得られれた。

【００７７】（実施例１０）図１４は、本発明の実施例
１０の構成を示す断面図である。

【００７８】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の生成した荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１
を介してバーナヘッド２に接続されている。第１電位検
出手段２０は、フレームロッド１に近い位置に配置さ
れ、その一方の端部は荷電粒子と接触している。第１電
位検出手段２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８
を介して固定されている。第２電位検出手段２１は、フ
レームロッド１から遠い位置に配置され、その一方の端
部は荷電粒子と接触している。第２電位検出手段２１
も、同様にして、絶縁体８を介して固定されている。第
１電位検出手段２０の他端と第２電位検出手段２１の他
端は第１電位差検出手段２２に接続され、第１電位検出
手段２０の電位と第２電位検出手段２１の電位の第１電
位差(V₁₂)が検出される。第２電位検出手段２１の他端
とバーナヘッド２は第２電位差検出手段２５に接続さ
れ、第２電位検出手段２１の電位とバーナヘッド２の第
２電位差(V_2b)が検出される。

【００７９】本構成では、第１電位差検出手段２２によ
り検出される第１電位差(V₁₂)および第２電位差検出手
段２５により検出される第２電位差(V_2b)の2個の電位差
が同時に検出される。第１電位差(V₁₂)は、第１電位検
出手段２０に接触する等電位面と第２電位検出手段２１
に接触する等電位面の間の電位差であるので、バーナヘ
ッド２の表面やフレームロッド１の表面にシリコン酸化
物が形成されても、そのときに流れる電流(I)に応じた
電位差が検出される。他方、第２電位差(V_2b)は、第２
電位検出手段２１に接触する等電位面とバーナヘッド２
の間の電位差であるので、シリコン酸化物がバーナヘッ
ド２の表面に形成されたとき、第２電位差(V_2b)はシリ
コン酸化物部での大きな電位降下も含まれる。このシリ
コン酸化物部での電位降下は、同酸化物の付着量が多く
なれば、より大きくなるので、第２電位差(V_2b)の検出
により、バーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物の付
着量を検知できる。

【００８０】このように、本構成では、第２電位差
(V_2b)によりバーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物
の付着量を監視しつつ、一方で、第１電位差(V₁₂)によ
り燃焼状態を監視できる点で優れている。シリコン酸化
物の付着量が極端に増加して、それに応じて電流(I)が
数μA以下にまで減少すると、電流(I)の検出そのものが
困難になる。このような場合、第１電位差(V₁₂)により
正常燃焼状態と判定されても、第２電位差(V_2b)により
検出されたバーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物付
着量が一定量以上になれば、燃焼停止など適切な燃焼制
御ができる。

【００８１】（実施例１１）図１５は、本発明の実施例
１１の構成を示す断面図である。

【００８２】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
の生成した荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１１
を介してバーナヘッド２に接続されている。第１電位検
出手段２０は、フレームロッド１に近い位置に配置さ
れ、その一方の端部は荷電粒子と接触している。第１電
位検出手段２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８
を介して固定されている。第２電位検出手段２１は、フ
レームロッド１から遠い位置に配置され、その一方の端
部は荷電粒子と接触している。第２電位検出手段２１
も、同様にして、絶縁体８を介して固定されている。

【００８３】第１電位検出手段２０の他端と第２電位検
出手段２１の他端は第１電位差検出手段２２に接続さ
れ、第１電位検出手段２０の電位と第２電位検出手段２
１の電位の第１電位差(V₁₂)が検出される。第１電位差
(V₁₂)と電流(I)は第１演算手段２３に入力され、第１電
位検出手段２０に接触する等電位面と第２電位検出手段
２１に接触する等電位面の間の火炎インピーダンス
(R₁₂)が演算される。この火炎インピーダンス(R₁₂)に基
づき第１制御手段２４が燃焼の停止など燃焼を制御す
る。

【００８４】第２電位検出手段２１の他端とバーナヘッ
ド２は第２電位差検出手段２５に接続され、第２電位検
出手段２１の電位とバーナヘッド２の第２電位差(V_2b)
が検出される。第２電位差(V_2b)と電流(I)は第２演算手
段２６に入力され、第２電位検出手段２１に接触する等
電位面とバーナヘッド２の間の見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_2b)が演算される。この見掛けの火炎インピーダ
ンス(R_2b)に基づき第２制御手段２７が燃焼の停止など
燃焼を制御する。

【００８５】本構成では、第１演算手段２３により演算
される火炎インピーダンス(R₁₂)および第２演算手段２
６により演算される見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)
の2個の火炎インピーダンスが同時に検出される。火炎
インピーダンス(R₁₂)は、第１電位検出手段２０に接触
する等電位面と第２電位検出手段２１に接触する等電位
面の間の火炎インピーダンスであるので、バーナヘッド
２の表面やフレームロッド１の表面にシリコン酸化物が
形成されても、正常燃焼であれば一定の値を示す。他
方、見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)は、第２電位検
出手段２１に接触する等電位面とバーナヘッド２の間の
火炎インピーダンスであるので、シリコン酸化物がバー
ナヘッド２の表面に形成されたとき、見掛けの火炎イン
ピーダンス(R _2b)はシリコン酸化物部での大きなインピ
ーダンスも含まれる。このシリコン酸化物部でのインピ
ーダンスは、同酸化物の付着量が多くなれば、より大き
くなるので、見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)の検出
により、バーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物の付
着量を検知できる。

【００８６】このように、本構成では、見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_2b)によりバーナヘッド２の表面へのシ
リコン酸化物の付着量を監視しつつ、一方で、火炎イン
ピーダンス(R₁₂)により燃焼状態を直接的に監視できる
点で優れている。シリコン酸化物の付着量が極端に増加
して、それに応じて電流(I)が数μA以下にまで減少する
と、電流(I)の検出そのものが困難になる。このような
場合、火炎インピーダンス(R₁₂)により正常燃焼状態と
判定されても、見掛けの火炎インピーダンス(R_{2 b})によ
り検出されたバーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物
付着量が一定量以上になれば、燃焼停止な適切な燃焼制
ができる。

【００８７】（実施例１２）図１６は、本発明の実施例
１２の構成を示す断面図である。

【００８８】フレームロッド１の一方の端部は、火炎に
より生成した荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段１
１を介してバーナヘッド２に接続されている。第１電位
検出手段２０は、フレームロッド１に近い位置に配置さ
れ、その一方の端部は荷電粒子と接触している。第１電
位検出手段２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体８
を介して固定されている。第２電位検出手段２１は、フ
レームロッド１から遠い位置に配置され、その一方の端
部は荷電粒子と接触している。第２電位検出手段２１
も、同様にして、絶縁体８を介して固定されている。第
１電位検出手段２０の他端と第２電位検出手段２１の他
端は第１電位差検出手段２２に接続され、第１電位検出
手段２０の電位と第２電位検出手段２１の電位の第１電
位差(V₁₂)が検出される。第１電位検出手段２０の他端
とフレームロッド１は第３電位差検出段２８に接続さ
れ、第１電位検出手段２０の電位とフレームロッド１の
第３電位差(V_f1)が検出される。

【００８９】本構成では、第１電位差検出手段２２によ
り検出される第１電位差(V₁₂)および第３電位差検出段
２８により検出される第３電位差(V_f1)の2個の電位差が
同時に検出される。第１電位差(V₁₂)は、第１電位検出
手段２０に接触する等電位面と第２電位検出手段２１に
接触する等電位面の間の電位差であるので、バーナヘッ
ド２の表面やフレームロッド１の表面にシリコン酸化物
が形成されても、そのときに流れる電流(I)に応じた電
位差が検出される。他方、第３電位差(V_f1)は、第１電
位検出手段２０に接触する等電位面とフレームロッド１
の間の電位差であるので、シリコン酸化物がフレームロ
ッド１の表面に形成されたとき、第３電位差(V_f1)はシ
リコン酸化物部での大きな電位降下も含まれる。このシ
リコン酸化物部での電位降下は、同酸化物の付着量が多
くなれば、より大きくなるので、第３電位差(V_f1)の検
出により、フレームロッド１の表面へのシリコン酸化物
の付着量を検知できる。

【００９０】このように、本構成では、第３電位差
(V_f1)によりフレームロッド１の表面へのシリコン酸化
物の付着量を監視しつつ、一方で、第１電位差(V₁₂)に
より燃焼状態を監視できる点で優れている。シリコン酸
化物の付着量が極端に増加して、それに応じて電流(I)
が数μA以下にまで減少すると、電流(I)の検出そのもの
が困難になる。このような場合、第１電位差(V₁₂)によ
り正常燃焼状態と判定されても、第３電位差(V_f1)によ
り検出されたバーナヘッド２の表面へのシリコン酸化物
付着量が一定量以上になれば、燃焼停止など適切な燃焼
制御ができる。

【００９１】（実施例１３）図１７は、本発明の実施例
１３の構成を示す断面図である。

【００９２】フレームロッド１の一方の端部は、火炎７
により生成した荷電粒子と接触し、他端は電圧印加手段
１１を介してバーナヘッド２に接続されている。第１電
位検出手段２０は、フレームロッド１に近い位置に配置
され、その一方の端部は荷電粒子と接触している。第１
電位検出手段２０は、フレームロッド１と同様、絶縁体
８を介して固定されている。第２電位検出手段２１は、
フレームロッド１から遠い位置に配置され、その一方の
端部は荷電粒子と接触している。第２電位検出手段２１
も、同様にして、絶縁体８を介して固定されている。

【００９３】第１電位検出手段２０の他端と第２電位検
出手段２１の他端は第１電位差検出手段２２に接続さ
れ、第１電位検出手段２０の電位と第２電位検出手段２
１の電位の第１電位差(V₁₂)が検出される。第１電位差
(V₁₂)と電流(I)は第１演算手段２３に入力され、第１電
位検出手段２０に接触する等電位面と第２電位検出手段
２１に接触する等電位面の間の火炎インピーダンス
(R₁₂)が演算される。この火炎インピーダンス(R₁₂)に基
づき第１制御手段２４が燃焼の停止など燃焼を制御す
る。

【００９４】第１電位検出手段２０の他端とフレームロ
ッド１は第３電位差検出段２８に接続され、第１電位検
出手段２０の電位とフレームロッド１の第３電位差
(V_f1)が検出される。第３電位差(V_f1)と電流(I)は第３
演算段２９に入力され、第１電位検出手段２０に接触す
る等電位面とフレームロッド１の間の見掛けの火炎イン
ピーダンス(R_f1)が演算される。この見掛けの火炎イン
ピーダンス(R_f1)に基づき第３制御手段３０が燃焼の停
止など燃焼を制御する。

【００９５】本構成では、第１演算手段２３により演算
される火炎インピーダンス(R₁₂)および第３演算段２９
により演算される見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)の2
個の火炎インピーダンスが同時に検出される。火炎イン
ピーダンス(R₁₂)は、第１電位検出手段２０に接触する
等電位面と第２電位検出手段２１に接触する等電位面の
間の火炎インピーダンスであるので、バーナヘッド２の
表面やフレームロッド１の表面にシリコン酸化物が形成
されても、正常燃焼であれば一定の値を示す。他方、見
掛けの火炎インピーダンス(R_f1)は、第１電位検出手段
２０に接触する等電位面とフレームロッド１の間の火炎
インピーダンスであるので、シリコン酸化物がフレーム
ロッド１の表面に形成されたとき、見掛けの火炎インピ
ーダンス(R_f1)はシリコン酸化物部での大きなインピー
ダンスも含まれる。このシリコン酸化物部でのインピー
ダンスは、同酸化物の付着量が多くなれば、より大きく
なるので、見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)の検出に
より、フレームロッド１の表面へのシリコン酸化物の付
着量を検知できる。

【００９６】このように、本構成では、見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_f1)によりフレームロッド１の表面への
シリコン酸化物の付着量を監視しつつ、一方で、火炎イ
ンピーダンス(R₁₂)により燃焼状態を直接的に監視でき
る点で優れている。シリコン酸化物の付着量が極端に増
加して、それに応じて電流(I)が数μA以下にまで減少す
ると、電流(I)の検出そのものが困難になる。このよう
な場合、火炎インピーダンス(R₁₂)により正常燃焼状態
と判定されても、見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)に
より検出されたバーナヘッド２の表面へのシリコン酸化
物付着量が一定量以上になれば、燃焼停止など適切な燃
焼制ができる。

【００９７】

【発明の効果】以上のように本発明の燃焼装置によれば
次の効果が得られる。

【００９８】（１）フレームロッド表面へのシリコン酸
化物の付着の有無にかかわらず、すなわち、電流の大小
にかかわらず、フレームロッドとバーナヘッド間の荷電
粒子の電位分布は正常燃焼であれば、電流との間で一定
の相関関係が保たれる。第１電位検出手段と第２電位検
出手段により荷電粒子の電位を検出できるので、シリコ
ン酸化物付着の影響を受けることなく着火状態や失火状
態などの燃焼状態を検知できる。

【００９９】（２）形状の小さい内炎が複数形成される
燃焼の場合、内炎形状が小さいので、フレームロッド、
第１および第２電位検出手段とも同じ内炎に接触させる
ことが困難である。このような燃焼の場合でも、複数の
小内炎は電気的に互いに導通しているので、フレームロ
ッドと第１電位検出手段を同じ内炎に接触させ、異なる
内炎に第２電位検出手段を接触させることにより、小内
炎中の荷電粒子の電位を検出できる。火炎には多くの荷
電粒子が含まれ、そして、フレームロッドは内炎に接触
しているので、電流を多く流すこともできる。

【０１００】（３）形状の大きな内炎が複数形成される
燃焼の場合、内炎形状が大きいので、フレームロッド、
第１および第２電位検出手段とも同じ内炎に接触させる
ことにより、内炎中の荷電粒子の電位をより容易に検出
できる。

【０１０１】（４）第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂）も、電位と同様、電流の大小
にかかわらず、正常燃焼であれば、電流との間で一定の
相関関係が保たれる。従って、この第１電位差(V₁₂)を
検出することによりシリコン酸化物付着の影響を受ける
ことなく容易に着火状態や失火状態などの燃焼状態を検
知できる。

【０１０２】（５）第１電位検出手段と第２電位検出手
段の間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて演算した火炎
インピーダンス(R₁₂)は、燃焼により生成した荷電粒子
の密度や易動度に大きく依存し、電流の大小に依存しな
い。従って、この火炎インピーダンス(R₁₂)は、シリコ
ン酸化物付着の影響を受けることなく燃焼状態を検知で
き、その火炎インピーダンス(R₁₂)に従って燃焼を制御
する制御手段により燃焼停止など適切に燃焼を制御でき
る。

【０１０３】（６）また、バーナヘッドと第２電位検出
手段の間の第２電位差(V_2b)は、バーナヘッドの電位と
第２電位検出手段に接触する等電位面の電位の間の電位
差であるので、バーナヘッドにシリコン酸化物が付着し
たとき、そのシリコン酸化物部での大きな電位降下も含
まれる。従って、この第２電位差(V_2b)を検出すること
によりバーナヘッドへのシリコン酸化物付着を検出でき
る。

【０１０４】（７）バーナヘッドと第２電位検出手段の
間の第２電位差(V_2b)と電流を用いてバーナヘッドと第
２電位検出手段の間の見掛けの火炎インピーダンス
(R_2b)が演算される。この見掛けの火炎インピーダンス
(R_2b)は、バーナヘッドにシリコン酸化物が付着したと
き、そのシリコン酸化物部のインピーダンスも含むの
で、シリコン酸化物付着を検出し、その見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_2b)に従って燃焼を制御する制御手段に
より、例えば、一定値以上に見掛けの火炎インピーダン
ス(R_2b)が大きくなったときに燃焼を停止するなど、適
切に燃焼を制御できる。

【０１０５】（８）フレームロッドと第１電位検出手段
の間の第３電位差(V_f1) フレームロッド表面でのシリコ
ン酸化物部の電位降下も含むので、シリコン酸化物付着
を容易に検出できる。

【０１０６】（９）フレームロッドと第１電位検出手段
の間の第３電位差(V_f1)と電流を用いて見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_f1)が演算される。この見掛けの火炎イ
ンピーダンス(R_f1)は、フレームロッドにシリコン酸化
物が付着したとき、そのシリコン酸化物部のインピーダ
ンスも含むので、シリコン酸化物付着を検出し、制御手
段により、例えば、一定値以上に見掛けの火炎インピー
ダンス(R_f1)が大きくなったときに燃焼を停止するな
ど、適切に燃焼を制御できる。

【０１０７】（１０）第１電位差(V₁₂)と第２電位差(V
_2b)の両者を同時に検出することにより、第１電位差(V
₁₂)によりシリコン酸化物付着の影響を受けることなく
燃焼状態を検知すると同時に、他方で、第２電位差
(V_2b)によりバーナヘッドへのシリコン酸化物付着を監
視することができる。

【０１０８】（１１）火炎インピーダンス(R₁₂)と見掛
けの火炎インピーダンス(R_2b)の両者を同時に検出する
ことにより、火炎インピーダンス(R₁₂)によりシリコン
酸化物付着の影響を受けることなく、制御手段を用いて
燃焼を制御すると同時に、他方で、見掛けの火炎インピ
ーダンス(R_2b)によりバーナヘッドへのシリコン酸化物
付着を監視つつ、燃焼を制御できる。

【０１０９】（１２）第１電位差(V₁₂)と第３電位差(V
_f1)の両者を同時に検出することにより、第１電位差(V
₁₂)によりシリコン酸化物付着の影響を受けることなく
燃焼状態を検知すると同時に、他方で、第３電位差
(V_f1)によりフレームロッドへのシリコン酸化物付着を
監視することができる。

【０１１０】（１３）火炎インピーダンス(R₁₂)と見掛
けの火炎インピーダンス(R_f1)の両者を同時に検出する
ことにより、火炎インピーダンス(R₁₂)によりシリコン
酸化物付着の影響を受けることなく、制御手段を用いて
燃焼を制御すると同時に、他方で、見掛けの火炎インピ
ーダンス(R_f1)によりフレームロッドへのシリコン酸化
物付着を監視つつ、燃焼を制御できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の燃焼装置の要部断面図

【図２】本発明の実施例２の燃焼装置の要部断面図

【図３】本発明の実施例３の燃焼装置の要部断面図

【図４】本発明の実施例４の燃焼装置の要部断面図

【図５】本発明の実施例５の燃焼装置の要部断面図

【図６】シリコーン油を添加した灯油燃焼火炎中におけ
る実施例５の特性図

【図７】シリコーン油を添加した灯油燃焼火炎中におけ
る実施例５の特性図

【図８】本発明の実施例６の燃焼装置の要部断面図

【図９】本発明の実施例７の燃焼装置の要部断面図

【図１０】シリコーン油を添加した灯油燃焼火炎中にお
ける実施例７の特性図

【図１１】シリコーン油を添加した灯油燃焼火炎中にお
ける実施例７の特性図

【図１２】本発明の実施例８の燃焼装置の要部断面図

【図１３】本発明の実施例９の燃焼装置の要部断面図

【図１４】本発明の実施例１０の燃焼装置の要部断面図

【図１５】本発明の実施例１１の燃焼装置の要部断面図

【図１６】本発明の実施例１２の燃焼装置の要部断面図

【図１７】本発明の実施例１３の燃焼装置の要部断面図

【図１８】従来の燃焼装置の全体構成を示す断面図

【図１９】（ａ）従来の燃焼装置の要部構成図 （ｂ）従来の燃焼装置の要部構成図

【符号の説明】

１ フレームロッド ２ バーナヘッド ７ 火炎 ７ａ 内炎 ７ｂ 外炎 １１ 電圧印加手段 １２ 電流検出手段 ２０ 第１電位検出手段 ２１ 第２電位検出手段 ２２ 第１電位差検出手段 ２３ 第１演算手段 ２４ 第１制御手段 ２５ 第２電位差検出手段 ２６ 第２演算手段 ２７ 第２制御手段 ２８ 第３電位差検出手段 ２９ 第３演算手段 ３０ 第３制御手段

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鶴田 邦弘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 荻野 俊郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】燃料を燃焼させるバーナヘッドと、火炎に
   より生成した荷電粒子と接触するフレームロッドと、前
   記バーナヘッドと前記フレームロッドの間に電圧を印加
   する電圧印加手段と、前記バーナヘッドと前記フレーム
   ロッドの間に流れる電流を検出する電流検出手段と、前
   記荷電粒子の電位を検出する第１電位検出手段および第
   ２電位検出手段を備え、前記第１電位検出手段と第２電
   位検出手段は、前記荷電粒子の異なる電位を検出する燃
   焼装置。
2. 【請求項２】内炎と接触するフレームロッドと、前記内
   炎と接触して荷電粒子の電位を検出する第１電位検出手
   段と、前記内炎と異なる内炎と接触して荷電粒子の電位
   を検出する第２電位検出手段を備えた請求項１記載の燃
   焼装置。
3. 【請求項３】内炎と接触するフレームロッドと、前記内
   炎と接触して荷電粒子の電位を検出する第１電位検出手
   段と、前記内炎と接触して荷電粒子の電位を検出する第
   ２電位検出手段を備えた請求項１記載の燃焼装置。
4. 【請求項４】第１電位検出手段と第２電位検出手段の間
   の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手段を備
   えた請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃焼装
   置。
5. 【請求項５】第１電位検出手段と第２電位検出手段の間
   の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピーダンスR
   ₁₂を演算する第１演算手段と、前記火炎インピーダンス
   R₁₂により燃焼を制御する第１制御手段を備えた請求項
   ４記載の燃焼装置。
6. 【請求項６】バーナヘッドと第２電位検出手段の間の第
   ２電位差(V_2b)を検出する第２電位差検出手段を備えた
   請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃焼装置。
7. 【請求項７】バーナヘッドと第２電位検出手段の間の第
   ２電位差(V_2b)と電流を用いてバーナヘッドと第２電位
   検出手段の間の見掛けの火炎インピーダンス(R _2b)を演
   算する第２演算手段と、前記見掛けの火炎インピーダン
   ス(R_2b)により燃焼を制御する第２制御手段を備えた請
   求項６記載の燃焼装置。
8. 【請求項８】フレームロッドと第１電位検出手段の間の
   第３電位差(V_f1)を検出する第３電位差検出手段を備え
   た請求項１ないし３のいずれか１項に記載の燃焼装置。
9. 【請求項９】フレームロッドと第１電位検出手段の間の
   第３電位差(V_f1)と電流を用いて見掛けの火炎インピー
   ダンス(R_f1)を演算する第３演算手段と、前記見掛けの
   火炎インピーダンス(R_f1)により燃焼を制御する第３制
   御手段を備えた請求項８記載の燃焼装置。
10. 【請求項１０】第１電位検出手段と第２電位検出手段の
    間の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手段
    と、バーナヘッドと第２電位検出手段の間の第２電位差
    (V_2b)を検出する第２電位差検出手段を備えた請求項１
    ないし３のいずれか１項に記載の燃焼装置。
11. 【請求項１１】第１電位検出手段と第２電位検出手段の
    間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピーダン
    スR₁₂を演算する第１演算手段と、前記火炎インピーダ
    ンスR₁₂により燃焼を制御する第１制御手段と、バーナ
    ヘッドと第２電位検出手段の間の第２電位差(V_2b)と電
    流を用いてバーナヘッドと第２電位検出手段の間の見掛
    けの火炎インピーダンス(R_2b)演算する第２演算手段
    と、前記見掛けの火炎インピーダンス(R_2b)により燃焼
    を制御する第２制御手段を備えた請求項１０記載の燃焼
    装置。
12. 【請求項１２】第１電位検出手段と第２電位検出手段の
    間の第１電位差(V₁₂)を検出する第１電位差検出手段
    と、フレームロッドと第１電位検出手段の間の第３電位
    差(V_f1)を検出する第３電位差検出手段を備えた請求項
    １ないし３のいずれか１項に記載の燃焼装置。
13. 【請求項１３】第１電位検出手段と第２電位検出手段の
    間の第１電位差(V₁₂)と電流を用いて火炎インピーダン
    スR₁₂を演算する第１演算手段と、前記火炎インピーダ
    ンスR₁₂により燃焼を制御する第１制御手段と、フレー
    ムロッドと第１電位検出手段の間の第３電位差(V_f1)と
    電流を用いてフレームロッドと第１電位検出手段の間の
    見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)演算する第３演算手
    段と、前記見掛けの火炎インピーダンス(R_f1)により燃
    焼を制御する第３制御手段を備えた請求項１２記載の燃
    焼装置。