JPH10160853A - Ｘ線検出器 - Google Patents
Ｘ線検出器Info
- Publication number
- JPH10160853A JPH10160853A JP31969996A JP31969996A JPH10160853A JP H10160853 A JPH10160853 A JP H10160853A JP 31969996 A JP31969996 A JP 31969996A JP 31969996 A JP31969996 A JP 31969996A JP H10160853 A JPH10160853 A JP H10160853A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- ray detector
- ray
- amorphous semiconductor
- layer
- Prior art date
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 採光野の変更可能なＸ線検出器を得る。
【解決手段】 アルミニウムを蒸着した基板１上に非晶
質半導体層２、透明電極３、液晶マスク４、蛍光体層５
を積層形成した。
質半導体層２、透明電極３、液晶マスク４、蛍光体層５
を積層形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｘ線自動露出制御
装置に用いるＸ線検出器に関する。
装置に用いるＸ線検出器に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線自動露出制御装置、所謂ホトタイマ
に用いるＸ線検出器は、通常Ｘ線フィルムの背面に配置
される。この種ホトタイマ用のＸ線検出器は図４に示す
ようにＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより大
きいサイズを有する蛍光層21、遮光層または遮光シート
22、光伝導体としてのアクリル板23の３者が遮光層22を
中央に積層され、これら積層構成体が、少なくとも蛍光
層21側がＸ線に対して透明なケース24内に収容されてお
り、ケース24の端部にはアクリル板23に接してそれでも
って伝導された光を受光し、電気信号に変換する光電変
換手段としてのホトマル25が取り付けられている。
に用いるＸ線検出器は、通常Ｘ線フィルムの背面に配置
される。この種ホトタイマ用のＸ線検出器は図４に示す
ようにＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより大
きいサイズを有する蛍光層21、遮光層または遮光シート
22、光伝導体としてのアクリル板23の３者が遮光層22を
中央に積層され、これら積層構成体が、少なくとも蛍光
層21側がＸ線に対して透明なケース24内に収容されてお
り、ケース24の端部にはアクリル板23に接してそれでも
って伝導された光を受光し、電気信号に変換する光電変
換手段としてのホトマル25が取り付けられている。
【０００３】遮光層22には検出範囲（採光野）を規定す
る窓Ｗが形成されており、窓すなわち採光野は、診断部
位に応じて、胸部撮影用の検出器では、図５(a) に示す
ように胸部正面撮影のための左右２つの矩形採光野Ｗ1
とＷ2 、ならびに、胸部側面撮影のための中央上部に１
つの矩形採光野Ｗ3 とが形成されており、また、腹部撮
影用の検出器では同図(b) に示すように中央に円形の採
光野Ｗ0 が形成されている。
る窓Ｗが形成されており、窓すなわち採光野は、診断部
位に応じて、胸部撮影用の検出器では、図５(a) に示す
ように胸部正面撮影のための左右２つの矩形採光野Ｗ1
とＷ2 、ならびに、胸部側面撮影のための中央上部に１
つの矩形採光野Ｗ3 とが形成されており、また、腹部撮
影用の検出器では同図(b) に示すように中央に円形の採
光野Ｗ0 が形成されている。
【０００４】なお、このように構成されたＸ線検出器
は、蛍光層21の前面側よりＸ線が入射するように使用さ
れる。入射したＸ線は蛍光層21により可視光に変換さ
れ、この可視光は遮光層22の採光野Ｗのみを通過し、ア
クリル板23で導光されてホトマル25で検出され、この検
出信号がホトタイマ制御部に供給されて所望の濃度の写
真が得られるようにＸ線曝射時間が自動的に制御され
る。
は、蛍光層21の前面側よりＸ線が入射するように使用さ
れる。入射したＸ線は蛍光層21により可視光に変換さ
れ、この可視光は遮光層22の採光野Ｗのみを通過し、ア
クリル板23で導光されてホトマル25で検出され、この検
出信号がホトタイマ制御部に供給されて所望の濃度の写
真が得られるようにＸ線曝射時間が自動的に制御され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線検出器で
は、次の問題がある。すなわち、ホトタイマ撮影におい
てＸ線検出器の採光野が、特定の臓器等の診断部位に対
応している必要があり、そのために採光野が診断部位に
対応した位置となるように設定されて製作されている。
しかしながら、診断部位が、例えば、胸部あるいは腹部
等の一部位に特定されておればよいが、診断部位が胸部
と腹部両方のホトタイマ撮影を対象とする場合には、採
光野の重なり等の問題で１つの検出器を両部位のホトタ
イマ撮影に兼用することが難しかった。
は、次の問題がある。すなわち、ホトタイマ撮影におい
てＸ線検出器の採光野が、特定の臓器等の診断部位に対
応している必要があり、そのために採光野が診断部位に
対応した位置となるように設定されて製作されている。
しかしながら、診断部位が、例えば、胸部あるいは腹部
等の一部位に特定されておればよいが、診断部位が胸部
と腹部両方のホトタイマ撮影を対象とする場合には、採
光野の重なり等の問題で１つの検出器を両部位のホトタ
イマ撮影に兼用することが難しかった。
【０００６】したがって、各診断部位に適合した採光野
を有するＸ線検出器を用意しておき、診断部位に応じた
Ｘ線検出器を選択使用するようにしている。このよう
に、診断部位に適したＸ線検出器を選択使用することは
操作が煩らわしく、また、各診断部位毎のＸ線検出器を
整えておく必要があることからコスト高となり、且つ、
それらの格納スペースをも用意しておく必要があるとい
う問題がある。また、１つの診断部位、例えば、胸部で
あっても、大人と小人、大人であっても体格の個人差に
より、図５(a) に示す検出器の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が左右
の肺の位置に適合しない場合がある。
を有するＸ線検出器を用意しておき、診断部位に応じた
Ｘ線検出器を選択使用するようにしている。このよう
に、診断部位に適したＸ線検出器を選択使用することは
操作が煩らわしく、また、各診断部位毎のＸ線検出器を
整えておく必要があることからコスト高となり、且つ、
それらの格納スペースをも用意しておく必要があるとい
う問題がある。また、１つの診断部位、例えば、胸部で
あっても、大人と小人、大人であっても体格の個人差に
より、図５(a) に示す検出器の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が左右
の肺の位置に適合しない場合がある。
【０００７】例えば、肺の小さな被検体の場合には検出
器の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が肺野（空気層）以外の部分にか
かり、ホトマルの出力が少なくなり、その結果、診断部
位のフィルム濃度が上がり、適正濃度の写真が得られな
いという問題がある。種々の被検体に適合させるには、
採光野Ｗ1 、Ｗ2 の位置の異なるＸ線検出器を準備して
おけばよいが、コスト的、取扱い操作上で種々の問題を
生ずる。
器の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が肺野（空気層）以外の部分にか
かり、ホトマルの出力が少なくなり、その結果、診断部
位のフィルム濃度が上がり、適正濃度の写真が得られな
いという問題がある。種々の被検体に適合させるには、
採光野Ｗ1 、Ｗ2 の位置の異なるＸ線検出器を準備して
おけばよいが、コスト的、取扱い操作上で種々の問題を
生ずる。
【０００８】本発明は、上記の事情に鑑み、採光野の位
置等を任意に変更できるＸ線検出器を提供することを目
的とする。
置等を任意に変更できるＸ線検出器を提供することを目
的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明のＸ線検出器においては、外部よりの電気
信号で遮光領域が変更可能な採光野を規定する平板状の
遮光手段の一方の面に蛍光層を、他方の面に光電変換手
段を設けたことを特徴としており、上記の遮光手段とし
ては液晶マスクが、また、光電変換手段としては、両面
に電極を有する非晶質半導体層よりなる半導体光検出器
が適している。
めに、本発明のＸ線検出器においては、外部よりの電気
信号で遮光領域が変更可能な採光野を規定する平板状の
遮光手段の一方の面に蛍光層を、他方の面に光電変換手
段を設けたことを特徴としており、上記の遮光手段とし
ては液晶マスクが、また、光電変換手段としては、両面
に電極を有する非晶質半導体層よりなる半導体光検出器
が適している。
【００１０】このような構成によれば、遮光手段（液
晶）マスクに制御信号を供給し遮光領域を制御すること
により、採光野の位置、その領域（大きさ）を診断部位
ならびに被検体に適合するように設定できる。
晶）マスクに制御信号を供給し遮光領域を制御すること
により、採光野の位置、その領域（大きさ）を診断部位
ならびに被検体に適合するように設定できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。図１は、本発明に係る一実施例の構
成を示す図で(a) は正面図、(b) は断面図である。基板
１はＸ線吸収の少ない均一な薄いシート状物、たとえば
ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムよりなり、その
大きさはＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより
大きいものである。この基板１の表面に電極をなすアル
ミニウム等の蒸着層（図示せず）が設けられており、さ
らにその上に全面にわたって非晶質半導体層（アモルフ
ァス半導体層）２が数十〜数百μｍの厚さに一様に形成
されている。
実施例を説明する。図１は、本発明に係る一実施例の構
成を示す図で(a) は正面図、(b) は断面図である。基板
１はＸ線吸収の少ない均一な薄いシート状物、たとえば
ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムよりなり、その
大きさはＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより
大きいものである。この基板１の表面に電極をなすアル
ミニウム等の蒸着層（図示せず）が設けられており、さ
らにその上に全面にわたって非晶質半導体層（アモルフ
ァス半導体層）２が数十〜数百μｍの厚さに一様に形成
されている。
【００１２】この非晶質半導体層２は、たとえば、Si、
AsGa、Geに必要なドープ剤を混入したもの、または、こ
れらの混合物あるいは化合物を用いたＰＩＮ（Ｐ層−絶
縁層−Ｎ層）構造とする。さらに、この非晶質半導体層
２の全上面には透明電極３が設けられてこれらでもって
半導体光検出器を構成している。半導体光検出器の透明
電極３側に、液晶マスク４が設けられている。液晶マス
ク４はＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより大
きいものである。さらに液晶マスク４の上面には蛍光体
層５が設けられている。蛍光体層５のサイズもＸ線フィ
ルムのサイズと同等若しくはそれより大きいものであ
る。さらに、半導体光検出器、液晶マスク、蛍光体層、
全体を覆うカバー（図示せず）によりＸ線検出器が構成
される。
AsGa、Geに必要なドープ剤を混入したもの、または、こ
れらの混合物あるいは化合物を用いたＰＩＮ（Ｐ層−絶
縁層−Ｎ層）構造とする。さらに、この非晶質半導体層
２の全上面には透明電極３が設けられてこれらでもって
半導体光検出器を構成している。半導体光検出器の透明
電極３側に、液晶マスク４が設けられている。液晶マス
ク４はＸ線フィルムのサイズと同等若しくはそれより大
きいものである。さらに液晶マスク４の上面には蛍光体
層５が設けられている。蛍光体層５のサイズもＸ線フィ
ルムのサイズと同等若しくはそれより大きいものであ
る。さらに、半導体光検出器、液晶マスク、蛍光体層、
全体を覆うカバー（図示せず）によりＸ線検出器が構成
される。
【００１３】このように構成されたＸ線検出器は、通常
Ｘ線フィルムの背面に蛍光体層５が対向するように配置
される。そして、被検体を透過したＸ線は蛍光体層５で
光に変換される。この光は液晶マスク４のマスクされて
いない部分（採光野）を透過し半導体光検出器に入射す
る。半導体光検出器は入射した光を電気信号に変換して
Ｘ線自動露出制御器へ送る。Ｘ線自動露出制御器ではＸ
線検出器からの電気信号を積分し、あらかじめ設定され
ているフィルム濃度設定手段の基準電圧に積分電圧が達
したときＸ線高電圧装置にＸ線遮断信号を送る。この結
果Ｘ線が遮断され自動露出制御が行われる。
Ｘ線フィルムの背面に蛍光体層５が対向するように配置
される。そして、被検体を透過したＸ線は蛍光体層５で
光に変換される。この光は液晶マスク４のマスクされて
いない部分（採光野）を透過し半導体光検出器に入射す
る。半導体光検出器は入射した光を電気信号に変換して
Ｘ線自動露出制御器へ送る。Ｘ線自動露出制御器ではＸ
線検出器からの電気信号を積分し、あらかじめ設定され
ているフィルム濃度設定手段の基準電圧に積分電圧が達
したときＸ線高電圧装置にＸ線遮断信号を送る。この結
果Ｘ線が遮断され自動露出制御が行われる。
【００１４】図２は、液晶マスクの遮光範囲を制御し採
光野を変更／設定する手段の構成を示すブロック図であ
る。図において、６は採光野の設定のために、診断部位
（例えば、胸部、腹部、頸椎等）、被検体のサイズ（例
えば、体格の大、中、小）に応じて切換えられる切換え
スイッチ、７は胸部撮影では被検体のサイズ小、中、大
に応じた図３(a) 〜(c) に示す間隔の異なる採光野
Ｗ1 、Ｗ2 が、腹部では同図(d) に示す採光野Ｗ0 が得
られるように液晶マスクを制御するパターン信号を発生
するパターン信号発生器、Ｄは図１のＸ線検出器であ
る。
光野を変更／設定する手段の構成を示すブロック図であ
る。図において、６は採光野の設定のために、診断部位
（例えば、胸部、腹部、頸椎等）、被検体のサイズ（例
えば、体格の大、中、小）に応じて切換えられる切換え
スイッチ、７は胸部撮影では被検体のサイズ小、中、大
に応じた図３(a) 〜(c) に示す間隔の異なる採光野
Ｗ1 、Ｗ2 が、腹部では同図(d) に示す採光野Ｗ0 が得
られるように液晶マスクを制御するパターン信号を発生
するパターン信号発生器、Ｄは図１のＸ線検出器であ
る。
【００１５】したがって、切換えスイッチ６で、例え
ば、胸部／小を選択すると、パターン信号発生器７がパ
ターン信号を発生し、図３(a) の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が得
られるようにＸ線検出器Ｄの液晶マスク４を制御する。
なお、実施例では光電変換手段として半導体光検出器を
用いたが、図４に示すアクリル板とホトマルからなる検
出器を用いてもよい。しかしながら、実施例のように半
導体光検出器を用いれば、Ｘ線検出器を薄く小型に形成
することができる。
ば、胸部／小を選択すると、パターン信号発生器７がパ
ターン信号を発生し、図３(a) の採光野Ｗ1 、Ｗ2 が得
られるようにＸ線検出器Ｄの液晶マスク４を制御する。
なお、実施例では光電変換手段として半導体光検出器を
用いたが、図４に示すアクリル板とホトマルからなる検
出器を用いてもよい。しかしながら、実施例のように半
導体光検出器を用いれば、Ｘ線検出器を薄く小型に形成
することができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明のＸ線検出器によれば、採光野の
位置等を可変できるので、診断ないし撮影部位、ならび
に被検体に適合した採光野が設定できる。その結果、本
発明のＸ線検出器を使用することにより診断部位、被検
体に適切なホトタイマ撮影が行な得る。
位置等を可変できるので、診断ないし撮影部位、ならび
に被検体に適合した採光野が設定できる。その結果、本
発明のＸ線検出器を使用することにより診断部位、被検
体に適切なホトタイマ撮影が行な得る。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】液晶マスクの採光野説明用図である。
【図３】液晶マスクの採光野設定手段の構成を示すブロ
ック図である。
ック図である。
【図４】従来のＸ線検出器の構成を示す図である。
【図５】採光野の説明用図である。
１：基板 ２：非晶質半導体層 ３：
透明電極 ４：液晶マスク ５：蛍光体層 ６：
切換えスイッチ ７：パターン信号発生器 Ｄ：
Ｘ線検出器
透明電極 ４：液晶マスク ５：蛍光体層 ６：
切換えスイッチ ７：パターン信号発生器 Ｄ：
Ｘ線検出器
Claims (4)
- 【請求項１】 外部よりの電気信号で遮光領域が変更可
能な採光野を規定する平板状の遮光手段を有し、この遮
光手段の一方の面に蛍光層を設けると共に、他方の面に
光電変換手段を設けたことを特徴とするＸ線検出器。 - 【請求項２】 遮光手段が液晶マスクであることを特徴
とする請求項１に記載のＸ線検出器。 - 【請求項３】 光電変換手段が両面に電極を有する非晶
質半導体層であることを特徴とする請求項１または請求
項２に記載のＸ線検出器。 - 【請求項４】 Ｘ線吸収の少ない均一な基板と、その基
板上の全面に形成された第一の導電層と、その導電層上
の全面に形成された非晶質半導体層と、その非晶質半導
体層上の全面に形成された透明の第２の導電層を有する
非晶質半導体光検出器と、非晶質半導体光検出器の第２
の透明導電層側に形成された非晶質半導体光検出器全面
を遮光する遮光手段と、遮光手段上の全面に形成された
蛍光層を有してなるＸ線検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31969996A JPH10160853A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Ｘ線検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31969996A JPH10160853A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Ｘ線検出器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10160853A true JPH10160853A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18113203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31969996A Pending JPH10160853A (ja) | 1996-11-29 | 1996-11-29 | Ｘ線検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10160853A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061458A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Detecteur de faisceau electronique, microscope electronique de type a balayage, spectrometre de masse et detecteur d'ions |
| KR100877216B1 (ko) | 2007-01-22 | 2009-01-09 | 세심광전자기술(주) | 엑스선 감지 액정소자 및 그 제조 방법 |
-
1996
- 1996-11-29 JP JP31969996A patent/JPH10160853A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002061458A1 (fr) * | 2001-01-31 | 2002-08-08 | Hamamatsu Photonics K. K. | Detecteur de faisceau electronique, microscope electronique de type a balayage, spectrometre de masse et detecteur d'ions |
| US6861650B2 (en) | 2001-01-31 | 2005-03-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Electron beam detector, scanning type electron microscope, mass spectrometer, and ion detector |
| CN1307432C (zh) * | 2001-01-31 | 2007-03-28 | 滨松光子学株式会社 | 电子束检测器、扫描型电子显微镜、质量分析装置及离子检测器 |
| EP1365260A4 (en) * | 2001-01-31 | 2013-01-23 | Hamamatsu Photonics Kk | ELECTRON BEAM DETECTOR, RASTER ELECTRONIC MICROSCOPE, MASS SPECTROMETER AND ION DETECTOR |
| KR100877216B1 (ko) | 2007-01-22 | 2009-01-09 | 세심광전자기술(주) | 엑스선 감지 액정소자 및 그 제조 방법 |
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