JPH05254887A - 透明な積層基板、その使用方法および積層方法、基材への積層方法および装置、ならびに酸化窒化ハフニウム - Google Patents
透明な積層基板、その使用方法および積層方法、基材への積層方法および装置、ならびに酸化窒化ハフニウムInfo
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- JPH05254887A JPH05254887A JP4332794A JP33279492A JPH05254887A JP H05254887 A JPH05254887 A JP H05254887A JP 4332794 A JP4332794 A JP 4332794A JP 33279492 A JP33279492 A JP 33279492A JP H05254887 A JPH05254887 A JP H05254887A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透視可能な部材の反射および消光定数を減少
させる。 【構成】 基材２０の少なくとも１つの側の上に、透明
な多層からなる層系２３，２４を有し、その少なくとも
１層をハフニウム、ジルコニウム、タンタルまたはチタ
ンの酸化窒化物の層とする。この層を形成する反応性蒸
着法に使用する混合ガスは予め十分に混合しておく。ハ
フニウム酸化窒化物は屈折率が２．６〜２．８、消光定
数Ｋが０．０２以下である。
させる。 【構成】 基材２０の少なくとも１つの側の上に、透明
な多層からなる層系２３，２４を有し、その少なくとも
１層をハフニウム、ジルコニウム、タンタルまたはチタ
ンの酸化窒化物の層とする。この層を形成する反応性蒸
着法に使用する混合ガスは予め十分に混合しておく。ハ
フニウム酸化窒化物は屈折率が２．６〜２．８、消光定
数Ｋが０．０２以下である。
Description
【０００１】本発明は、請求項１の透明な積層基板、請
求項２７のその使用方法、さらに請求項２８の上位概念
による少なくとも１つの層の積層方法、請求項３０の上
位概念による基材への少なくとも２つの層の積層方法、
さらに請求項３２の上位概念によるこの方法を実施する
装置、特に請求項３５によるハフニウム酸化窒化物に関
する。
求項２７のその使用方法、さらに請求項２８の上位概念
による少なくとも１つの層の積層方法、請求項３０の上
位概念による基材への少なくとも２つの層の積層方法、
さらに請求項３２の上位概念によるこの方法を実施する
装置、特に請求項３５によるハフニウム酸化窒化物に関
する。
【０００２】まず使用する数種の量を定義する。可視光の範囲 ：３８０〜７８０nmのスペクトル範囲太陽光 ：２００〜２５００nmのスペクトル範囲近赤外光 ：７８０〜１２００nmのスペクトル範囲反射係数 Ｒvis ：反射光と入射光との間の加重比の人
間の眼のスペクトル光感度で：
間の眼のスペクトル光感度で：
【０００３】
【数１】
【０００４】式中、Ｒ（λ）：特定波長λにおける反射
の値 Ｖ（λ）：人間の眼のスペクトル明るさ感度の値 Ｓ（λ）：標準光Ｄ６５（色温度６５００Ｋ）のスペク
トル放射配分透過係数 Ｔvis ：透過光と入射光との間の加重比の人
間の眼のスペクトル光感度で：
の値 Ｖ（λ）：人間の眼のスペクトル明るさ感度の値 Ｓ（λ）：標準光Ｄ６５（色温度６５００Ｋ）のスペク
トル放射配分透過係数 Ｔvis ：透過光と入射光との間の加重比の人
間の眼のスペクトル光感度で：
【０００５】
【数２】
【０００６】式中、Ｔ（λ）：特定の波長λにおける透
過の値透過係数 ＴSONNE ：透過光と入射光との間の加重比の
太陽のスペクトル放射配分で：
過の値透過係数 ＴSONNE ：透過光と入射光との間の加重比の
太陽のスペクトル放射配分で：
【０００７】
【数３】
【０００８】式中、ＳS （λ）：太陽放射のスペクトル
配分反射係数 ＲSONN：反射光と入射光との間の加重比の太
陽のスペクトル放射配分で
配分反射係数 ＲSONN：反射光と入射光との間の加重比の太
陽のスペクトル放射配分で
【０００９】
【数４】
【００１０】吸収 ＡSONNE ：
【００１１】
【数５】
【００１２】式中、Ａ（λ）：特定波長λにおける吸収
の値消光定数 Ｋ： 波長λおよび強度Ｉ0 の光が厚みｄの物
質を透過したときの出口側の強度
の値消光定数 Ｋ： 波長λおよび強度Ｉ0 の光が厚みｄの物
質を透過したときの出口側の強度
【００１３】
【数６】
【００１４】純粋の金属層、たとえば銀層、または金属
窒化物層、たとえばＴｉＮを使用し、特に高い屈折率を
有する２つの金属酸化物層の間に挿入して、耐熱層を実
現することが提案されている。また銀層は化学的耐性が
ないこと、たとえば第２の酸化物層ができる間に酸化
し、これによってその良好な光学的性質を失うか、また
は個々の島状の銀を形成する傾向が知られている。また
多くの場合銀層と酸化物層との間の接着を確実にするこ
とが困難であり、これによってこの層系は摩耗を受け易
い欠点がある。
窒化物層、たとえばＴｉＮを使用し、特に高い屈折率を
有する２つの金属酸化物層の間に挿入して、耐熱層を実
現することが提案されている。また銀層は化学的耐性が
ないこと、たとえば第２の酸化物層ができる間に酸化
し、これによってその良好な光学的性質を失うか、また
は個々の島状の銀を形成する傾向が知られている。また
多くの場合銀層と酸化物層との間の接着を確実にするこ
とが困難であり、これによってこの層系は摩耗を受け易
い欠点がある。
【００１５】ドイツ特許Ａ−３３０７６６１によると、
銀層に直接薄い金属層をつけて、前記島状の形成を抑制
することが知られている。ドイツ特許Ａ−３３２９５０
４によると、酸化物層（ＴｉＯ2)と銀層とを徐々に移行
させると、この層系の接着性および寿命を良好にできる
ことが知られている。しかし、耐摩耗性を十分に改良す
ることはできない、かつ反射または透過挙動は比較的狭
いバンドで行なわれ、さらに透過挙動は可視領域におい
て比較的劣ることを述べている。
銀層に直接薄い金属層をつけて、前記島状の形成を抑制
することが知られている。ドイツ特許Ａ−３３２９５０
４によると、酸化物層（ＴｉＯ2)と銀層とを徐々に移行
させると、この層系の接着性および寿命を良好にできる
ことが知られている。しかし、耐摩耗性を十分に改良す
ることはできない、かつ反射または透過挙動は比較的狭
いバンドで行なわれ、さらに透過挙動は可視領域におい
て比較的劣ることを述べている。
【００１６】チタン、窒化チタンおよび酸化チタンの三
層構造の問題、何よりもこの系の高い反射性、接着性お
よび耐摩耗性について、 Silikattechnik Vol.38 (198
7), No.8, p 281〜283 に記載されている。またSilikat
technik Vol.39 (1988) No.9,p 296〜300 には二酸化チ
タン層に包まれた窒化チタンおよび銀の層の欠点を議論
している。
層構造の問題、何よりもこの系の高い反射性、接着性お
よび耐摩耗性について、 Silikattechnik Vol.38 (198
7), No.8, p 281〜283 に記載されている。またSilikat
technik Vol.39 (1988) No.9,p 296〜300 には二酸化チ
タン層に包まれた窒化チタンおよび銀の層の欠点を議論
している。
【００１７】欧州特許Ａ−０３３４９９１は、ＳｎＯ2
／ＳｎＮｉ／ＳｎＯ2 層系に低酸化物のＳｎＮｉ層を耐
熱層系として提案している。このとき比較的伝熱値を高
くすることができるが、可視光の範囲における６０％を
超える良好な伝熱は焼入れによってのみ達成される。さ
らに欧州特許Ａ−０３０３５８７は、銀層をベースとす
る層系について参照する。
／ＳｎＮｉ／ＳｎＯ2 層系に低酸化物のＳｎＮｉ層を耐
熱層系として提案している。このとき比較的伝熱値を高
くすることができるが、可視光の範囲における６０％を
超える良好な伝熱は焼入れによってのみ達成される。さ
らに欧州特許Ａ−０３０３５８７は、銀層をベースとす
る層系について参照する。
【００１８】誘電層系については、さらに米国特許Ａ−
４４６１５３２を参照することができる。さらにドイツ
特許Ａ−４０２４３０８および欧州特許Ａ−０４０２０
７５は特に透明な積層基板について述べている。日本特
許抄録Vol.９， No.２１８（Ｃ−３０１）（１９４１）
１９８５年９月５日および特開昭６０−０８１０４８
（豊田自動車）１９８５年５月９日によれば、酸素雰囲
気中でガラス基板に酸化チタン層を沈着させ、酸素の導
入を中止して、窒素を導入し窒化チタン層を沈着させ
た。このとき積層透明基板に装飾の目的で不透明な多数
層系を設けた。この層系は実質的に酸化チタンおよび窒
化チタンの層から構成されていた。
４４６１５３２を参照することができる。さらにドイツ
特許Ａ−４０２４３０８および欧州特許Ａ−０４０２０
７５は特に透明な積層基板について述べている。日本特
許抄録Vol.９， No.２１８（Ｃ−３０１）（１９４１）
１９８５年９月５日および特開昭６０−０８１０４８
（豊田自動車）１９８５年５月９日によれば、酸素雰囲
気中でガラス基板に酸化チタン層を沈着させ、酸素の導
入を中止して、窒素を導入し窒化チタン層を沈着させ
た。このとき積層透明基板に装飾の目的で不透明な多数
層系を設けた。この層系は実質的に酸化チタンおよび窒
化チタンの層から構成されていた。
【００１９】米国特許Ａ−４９４７０８１によると、エ
レクトロルミネセンス部材に、酸素の拡散防止としてタ
ンタル酸化窒化物層を設ける。さらに、日本特許抄録Vo
l.１５， No.１１９（Ｐ−１１８３）（４６４７）１９
９１年４月２２日および日本特許３００８１３７（日本
電気）、１９９１年１月１６日によれば、遮光部材に、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＡｌまたはＴａの酸化窒化物
からなる耐食層を設ける。
レクトロルミネセンス部材に、酸素の拡散防止としてタ
ンタル酸化窒化物層を設ける。さらに、日本特許抄録Vo
l.１５， No.１１９（Ｐ−１１８３）（４６４７）１９
９１年４月２２日および日本特許３００８１３７（日本
電気）、１９９１年１月１６日によれば、遮光部材に、
Ｓｉ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＡｌまたはＴａの酸化窒化物
からなる耐食層を設ける。
【００２０】米国特許Ａ−５０８５９２６に対応するド
イツ特許Ａ−４００６０２９によれば、６層を積層した
透明なガラス基板を開示する。この積層基板は、たとえ
ば自動車の窓ガラスとして使用される。６層の積層は、
ガラス基板から数えて、第２および第４の層は、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｉ／Ｃｒ合金またはステンレス鋼
から選ぶ１つの金属の窒化物または酸化窒化物で形成
し、これらの層は厚みが３〜２０nmであり、薄い方が有
利であって、隣接する第１および第３層、または第３お
よび第５層との間の接着性が良好である。第６層は３０
nmより厚い耐摩耗層であって、Ｓｉ／Ａｌ，Ｓｉ／Ｔ
ｉ、およびＳｉ／Ｎｉ合金から選ぶ１つの合金の酸化物
もしくは酸化窒化物、またはアルミニウムの窒化物また
は酸化窒化物からなる。このとき第６層は耐摩耗層とし
て厚みを４０〜２００nmとすることが有利である。
イツ特許Ａ−４００６０２９によれば、６層を積層した
透明なガラス基板を開示する。この積層基板は、たとえ
ば自動車の窓ガラスとして使用される。６層の積層は、
ガラス基板から数えて、第２および第４の層は、Ｔｉ，
Ｚｒ，Ｔａ，Ｃｒ，Ｎｉ／Ｃｒ合金またはステンレス鋼
から選ぶ１つの金属の窒化物または酸化窒化物で形成
し、これらの層は厚みが３〜２０nmであり、薄い方が有
利であって、隣接する第１および第３層、または第３お
よび第５層との間の接着性が良好である。第６層は３０
nmより厚い耐摩耗層であって、Ｓｉ／Ａｌ，Ｓｉ／Ｔ
ｉ、およびＳｉ／Ｎｉ合金から選ぶ１つの合金の酸化物
もしくは酸化窒化物、またはアルミニウムの窒化物また
は酸化窒化物からなる。このとき第６層は耐摩耗層とし
て厚みを４０〜２００nmとすることが有利である。
【００２１】本発明の第１の課題は、深い太陽エネルギ
ー透過係数ＴSONNE を示し、可視スペクトル領域におい
て反射が減少し、従って深い反射係数Ｒvis を示しかつ
耐摩耗性を有する透明な積層基板を提供することであ
る。この課題は、請求項１の記載による透明な積層基板
によって達成される。
ー透過係数ＴSONNE を示し、可視スペクトル領域におい
て反射が減少し、従って深い反射係数Ｒvis を示しかつ
耐摩耗性を有する透明な積層基板を提供することであ
る。この課題は、請求項１の記載による透明な積層基板
によって達成される。
【００２２】前記ハフニウム、ジルコニウム、タンタル
またはチタン、特にハフニウムの酸化窒化物が、可視お
よび近赤外領域において高い屈折率を示し、同時に可視
および近赤外領域において極めて深いＫ値を示すことを
見出した。これは最適な少数の層の層系、特にＨｆＯ
Ｎ，ＴａＯＮおよびＺｒＯＮは顕著な耐摩耗性を示し、
前記課題を低コストで、しかも光学的に最適に解決する
層系を実現することができる。特に耐摩耗性を確実にす
ることは、請求項２に記載された本発明の基板によって
解決される。
またはチタン、特にハフニウムの酸化窒化物が、可視お
よび近赤外領域において高い屈折率を示し、同時に可視
および近赤外領域において極めて深いＫ値を示すことを
見出した。これは最適な少数の層の層系、特にＨｆＯ
Ｎ，ＴａＯＮおよびＺｒＯＮは顕著な耐摩耗性を示し、
前記課題を低コストで、しかも光学的に最適に解決する
層系を実現することができる。特に耐摩耗性を確実にす
ることは、請求項２に記載された本発明の基板によって
解決される。
【００２３】請求項３の記載による改良は、基板の両側
の問題を適切にするために、両側に層系を設ける必要が
あるとの認識に基づく。基板の一方の側に、断熱系およ
び反射減少系として作用する層系を設け、基板の他の側
に設けた層系は最初に述べた断熱性を増強しかつこの側
で反射減少系として作用する。
の問題を適切にするために、両側に層系を設ける必要が
あるとの認識に基づく。基板の一方の側に、断熱系およ
び反射減少系として作用する層系を設け、基板の他の側
に設けた層系は最初に述べた断熱性を増強しかつこの側
で反射減少系として作用する。
【００２４】前述の層系を両側に設けるときに、請求項
１，２または３によって、ハフニウム、ジルコニウム、
タンタルまたはチタンの酸化窒化物、特にハフニウム酸
化窒化物は物質特性が良好であるので、全系の断熱性を
単一系の断熱性より実質的に向上させる。
１，２または３によって、ハフニウム、ジルコニウム、
タンタルまたはチタンの酸化窒化物、特にハフニウム酸
化窒化物は物質特性が良好であるので、全系の断熱性を
単一系の断熱性より実質的に向上させる。
【００２５】１方または両方の層系を、純粋な誘導体系
として設けることにより、すなわち前述の酸化窒化物の
層を、屈折率および誘電率の低い物質、好ましくはＳｉ
Ｏ2の層に挿入して、近赤外領域における反射挙動を著
しく改良し、優れた断熱性を達成することができる。可
視領域における反射挙動が良好なので、顕著な反射減少
能力を生ずる。酸化窒化物の作用によって、可視光から
近（深）赤外に至る移行領域において、全系の反射挙動
が急激に上昇する。ハフニウム酸化窒化物の挿入によっ
て、特に顕著となる。
として設けることにより、すなわち前述の酸化窒化物の
層を、屈折率および誘電率の低い物質、好ましくはＳｉ
Ｏ2の層に挿入して、近赤外領域における反射挙動を著
しく改良し、優れた断熱性を達成することができる。可
視領域における反射挙動が良好なので、顕著な反射減少
能力を生ずる。酸化窒化物の作用によって、可視光から
近（深）赤外に至る移行領域において、全系の反射挙動
が急激に上昇する。ハフニウム酸化窒化物の挿入によっ
て、特に顕著となる。
【００２６】好ましくは、基板の一方の側に、請求項４
に記載の層系を、また他方の側に誘電体層系を、すなわ
ち窒化物層またはインジウム−すず酸化物層（ＩＴＯ）
なしに請求項１に記載の酸化窒化物層を有する層系を設
けると、窒化物層またはＩＴＯ層を有する系によって、
反射は１２００nmから赤外領域の高い波長に作用し、こ
れに加えて酸化窒化物系によって７８０〜１２００nmの
深赤外領域において作用する。
に記載の層系を、また他方の側に誘電体層系を、すなわ
ち窒化物層またはインジウム−すず酸化物層（ＩＴＯ）
なしに請求項１に記載の酸化窒化物層を有する層系を設
けると、窒化物層またはＩＴＯ層を有する系によって、
反射は１２００nmから赤外領域の高い波長に作用し、こ
れに加えて酸化窒化物系によって７８０〜１２００nmの
深赤外領域において作用する。
【００２７】さらに、特に両側に設けた酸化窒化物層、
なかでもハフニウム酸化窒化物層は、これによっておき
る可視領域／近赤外領域の移行領域における急傾斜の反
射角は、熱放射の高い反射および可視スペクトル領域に
おける深い反射をおこす。前述の酸化窒化物層、好まし
くはハフニウム酸化窒化物層は、良好な断熱性および反
射減少性の基礎となり、最適な少数の層を設けることに
よって達成される。
なかでもハフニウム酸化窒化物層は、これによっておき
る可視領域／近赤外領域の移行領域における急傾斜の反
射角は、熱放射の高い反射および可視スペクトル領域に
おける深い反射をおこす。前述の酸化窒化物層、好まし
くはハフニウム酸化窒化物層は、良好な断熱性および反
射減少性の基礎となり、最適な少数の層を設けることに
よって達成される。
【００２８】請求項５の記載によって、請求項４に記載
の層系に、酸化窒化物層と同一の金属成分を有する窒化
物層を酸化窒化物層の次に設けると、課題の要求に関し
て優れた性質を達成するのみならず、最高の経済的製造
を達成することができ、これによって全系のコストを低
下させる。これは、請求項３０または３１に記載の製法
によって可能になることが明かになる。
の層系に、酸化窒化物層と同一の金属成分を有する窒化
物層を酸化窒化物層の次に設けると、課題の要求に関し
て優れた性質を達成するのみならず、最高の経済的製造
を達成することができ、これによって全系のコストを低
下させる。これは、請求項３０または３１に記載の製法
によって可能になることが明かになる。
【００２９】この方法は、窒化物層と酸化窒化物層との
間に低屈折率の物質たとえばＳｉＯ 2 の層を設けるとき
に、たとえばハフニウムるつぼの操作からシリコンるつ
ぼの操作に、再びハフニウムるつぼの操作に変え、この
ときガスの導入も変えることによって行うことができ
る。これによって、工程を中断することなく、層形成を
連続して行うことができる。
間に低屈折率の物質たとえばＳｉＯ 2 の層を設けるとき
に、たとえばハフニウムるつぼの操作からシリコンるつ
ぼの操作に、再びハフニウムるつぼの操作に変え、この
ときガスの導入も変えることによって行うことができ
る。これによって、工程を中断することなく、層形成を
連続して行うことができる。
【００３０】さらに、請求項７に記載の層系の第２のも
っとも外側の層として酸化窒化物層を設けることによ
り、そのときの系の耐摩耗性はガラスよりも高まること
が示されている。当業者は、前述の酸化窒化物、特にハ
フニウムの酸化窒化物が、その予期しない光学的特性の
他に、他の光学的層、たとえば窒化物層また通常の基板
物質、たとえばガラスと比べて、より優れた耐摩耗性を
示す。
っとも外側の層として酸化窒化物層を設けることによ
り、そのときの系の耐摩耗性はガラスよりも高まること
が示されている。当業者は、前述の酸化窒化物、特にハ
フニウムの酸化窒化物が、その予期しない光学的特性の
他に、他の光学的層、たとえば窒化物層また通常の基板
物質、たとえばガラスと比べて、より優れた耐摩耗性を
示す。
【００３１】請求項８の記載によって、好ましくは本発
明によって両側に積層した基板は、可視領域の少なくと
も実質的なスペクトル領域において、この請求項におい
て行われた値を示す。
明によって両側に積層した基板は、可視領域の少なくと
も実質的なスペクトル領域において、この請求項におい
て行われた値を示す。
【００３２】さらに請求項９の記載によって、好ましく
は反射は、可視スペクトル領域の少なくとも実質的な部
分において、６０゜以上、好ましくは６５゜以上の入射
角において、積層されていない基板の反射より少ない。
は反射は、可視スペクトル領域の少なくとも実質的な部
分において、６０゜以上、好ましくは６５゜以上の入射
角において、積層されていない基板の反射より少ない。
【００３３】請求項１０によれば、本発明によって、少
なくとも１つの側に積層された透明基板は、スペクトル
領域５２０〜６２０nmにおいて、反射が１８％以下、好
ましくは１５％以下であり、これには、入射角が６０゜
以上、好ましくは６５゜以上が有利である。
なくとも１つの側に積層された透明基板は、スペクトル
領域５２０〜６２０nmにおいて、反射が１８％以下、好
ましくは１５％以下であり、これには、入射角が６０゜
以上、好ましくは６５゜以上が有利である。
【００３４】請求項１１によれば、好ましくは両側に積
層された基板は、少なくともスペクトル領域４５０〜６
００nmにおいて、透過率が７０％以上、好ましくは７５
％以上である。
層された基板は、少なくともスペクトル領域４５０〜６
００nmにおいて、透過率が７０％以上、好ましくは７５
％以上である。
【００３５】請求項１２によれば、少なくとも１つの酸
化窒化物層の酸化窒化物の屈折率が４００nmの光に対し
て２．５〜３、好ましくは２．６〜２．８であり、同時
に消光係数Ｋが０．０２以下、好ましくは０．０１以下
である。
化窒化物層の酸化窒化物の屈折率が４００nmの光に対し
て２．５〜３、好ましくは２．６〜２．８であり、同時
に消光係数Ｋが０．０２以下、好ましくは０．０１以下
である。
【００３６】請求項１４には、少なくとも１つの層系の
現在好ましい構成を特定する。さらに本発明による基板
に設けられた層系の現在好ましい構成は、請求項１５に
特定されている。ここでは好ましくは前述の他の層が、
請求項１で特定するように、請求項１６によって層系を
構成する。
現在好ましい構成を特定する。さらに本発明による基板
に設けられた層系の現在好ましい構成は、請求項１５に
特定されている。ここでは好ましくは前述の他の層が、
請求項１で特定するように、請求項１６によって層系を
構成する。
【００３７】本発明のさらに他の実施態様において、請
求項１７によって本発明による基板に設けられた少なく
とも１つの層系を構成し、このときこの請求項による他
の層は、好ましくは請求項１８により、請求項１で特定
した層系によって再び構成する。
求項１７によって本発明による基板に設けられた少なく
とも１つの層系を構成し、このときこの請求項による他
の層は、好ましくは請求項１８により、請求項１で特定
した層系によって再び構成する。
【００３８】本発明の基板のさらに別の実施態様におい
て、少なくとも１つの層系を、請求項１９によって、さ
らに請求項２０によって構成する。請求項２１によっ
て、本発明によって構成された基板は、１つの実施態様
において、基板の両側に同一の層系を設ける。既に繰り
返し述べたように、現在に至るまで請求項２２によっ
て、ハフニウム酸化窒化物を挿入することが好ましい。
て、少なくとも１つの層系を、請求項１９によって、さ
らに請求項２０によって構成する。請求項２１によっ
て、本発明によって構成された基板は、１つの実施態様
において、基板の両側に同一の層系を設ける。既に繰り
返し述べたように、現在に至るまで請求項２２によっ
て、ハフニウム酸化窒化物を挿入することが好ましい。
【００３９】請求項２３によって、ハフニウム酸化窒化
物の屈折率は、４００nmの光において２．５〜２．８で
ある。本発明によって好ましく挿入したハフニウム酸化
窒化物層は、さらに請求項２４によって、屈折率が２．
５〜２．８であり、消光定数Ｋが０．０２以下、好まし
くは０．０１以下である。
物の屈折率は、４００nmの光において２．５〜２．８で
ある。本発明によって好ましく挿入したハフニウム酸化
窒化物層は、さらに請求項２４によって、屈折率が２．
５〜２．８であり、消光定数Ｋが０．０２以下、好まし
くは０．０１以下である。
【００４０】請求項２６によって、本発明の基板は、少
なくとも酸化窒化物層、好ましくはすべての層を反応性
蒸着法、好ましくは反応性イオンプレーティングまたは
反応性スパッタリングによって形成する。
なくとも酸化窒化物層、好ましくはすべての層を反応性
蒸着法、好ましくは反応性イオンプレーティングまたは
反応性スパッタリングによって形成する。
【００４１】断熱性、同時に適当な反射減少性、および
耐摩耗性、またこれによって耐表面損傷性が優れている
ので、本発明の基板はガラス板、特に一般に自動車用ガ
ラス板、特に耐摩耗性および反射減少性に関して最高度
に要求される自動車の風防ガラス板として優れている。
耐摩耗性、またこれによって耐表面損傷性が優れている
ので、本発明の基板はガラス板、特に一般に自動車用ガ
ラス板、特に耐摩耗性および反射減少性に関して最高度
に要求される自動車の風防ガラス板として優れている。
【００４２】本発明の基板の開発において、この発明の
出発点として、反応性蒸着法（ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ
または反応性スパッタリング）によって層を形成する
が、このとき反応ガスとして混合ガスを導入する。この
工程に導入する混合ガスの制御は、混合比がもっとも重
要であることを認識した。このために、従来知られた対
処方法、すなわち各混合成分の容器を反応室に接続し、
反応工程に導入する成分ガスが弁を通る流量を測定し、
混合比を弁によって調節する方法は、使用できないこと
が分った。
出発点として、反応性蒸着法（ＣＶＤまたはＰＥＣＶＤ
または反応性スパッタリング）によって層を形成する
が、このとき反応ガスとして混合ガスを導入する。この
工程に導入する混合ガスの制御は、混合比がもっとも重
要であることを認識した。このために、従来知られた対
処方法、すなわち各混合成分の容器を反応室に接続し、
反応工程に導入する成分ガスが弁を通る流量を測定し、
混合比を弁によって調節する方法は、使用できないこと
が分った。
【００４３】本発明のさらに１つの面として、正確に予
測でき、かつ時間的に一定な混合比を実現するために、
反応工程に挿入する前に、１つの成分によって規定され
る時間の間に、所定の比に混合しなければならない。こ
の時間は、ガス混合槽内で、この槽の全体について均一
な混合比となるように予め設定する必要がある。これは
混合ガス成分の分子量が似ていれば似ている程、一層必
要である。
測でき、かつ時間的に一定な混合比を実現するために、
反応工程に挿入する前に、１つの成分によって規定され
る時間の間に、所定の比に混合しなければならない。こ
の時間は、ガス混合槽内で、この槽の全体について均一
な混合比となるように予め設定する必要がある。これは
混合ガス成分の分子量が似ていれば似ている程、一層必
要である。
【００４４】この認識は、請求項２８によって、素材の
上に少なくとも１つの層を形成する方法において効果が
ある。
上に少なくとも１つの層を形成する方法において効果が
ある。
【００４５】現在好ましいハフニウム酸化窒化物層の製
造は、イオンプレーティング装置、たとえば Firma Bal
zers AG の Typs BAP 800 による。 Proceedings Repri
nt,SPIE-The International Society for Optical Engi
neering, Reprinted from Optical Thin Film III: New
Developments, 9-11, July 1990, San Diego, Califor
nia, Vol.1323, 19, 20, または Zeitschrift Metall O
berflaeche の別刷、Zeitschrift fuer Oberflaechenbe
arbeitung metallischer und nichtmetallischer Werks
toffe, 42. Jahrgang, 1988/10, Carl Hanser Verlag,
Muenchen, R.Buhl, H.K.Pulker, Balzers/Liechtenstei
n, "Reaktives Ion-Plating zur Herstellung von Nitr
id-und Oxid-Schichten" はイオンプレーティング装置
に関するものであり、本発明の構成を完全にするために
説明し、これを請求項２９によって改良する。
造は、イオンプレーティング装置、たとえば Firma Bal
zers AG の Typs BAP 800 による。 Proceedings Repri
nt,SPIE-The International Society for Optical Engi
neering, Reprinted from Optical Thin Film III: New
Developments, 9-11, July 1990, San Diego, Califor
nia, Vol.1323, 19, 20, または Zeitschrift Metall O
berflaeche の別刷、Zeitschrift fuer Oberflaechenbe
arbeitung metallischer und nichtmetallischer Werks
toffe, 42. Jahrgang, 1988/10, Carl Hanser Verlag,
Muenchen, R.Buhl, H.K.Pulker, Balzers/Liechtenstei
n, "Reaktives Ion-Plating zur Herstellung von Nitr
id-und Oxid-Schichten" はイオンプレーティング装置
に関するものであり、本発明の構成を完全にするために
説明し、これを請求項２９によって改良する。
【００４６】既に本発明の基板に関して述べたように、
対応する金属成分、場合によってはその低次窒化物か
ら、酸化窒化物および窒化物の層を、少なくとも工程に
導入する反応ガスを層に応じて変化させ、工程を中断す
ることなく順次形成することが、請求項３０によって行
われる。これは、固体成分から出発して反応性積層工程
により異なる物質の少なくとも２層を素材に積層する。
固体物質を蒸発源、たとえば蒸発るつぼ、電子線蒸発
源、またはスパッタターゲットを蒸発させ、少なくとも
工程に導入する反応ガス、またはその混合物を変えるこ
とによって２層を形成する。
対応する金属成分、場合によってはその低次窒化物か
ら、酸化窒化物および窒化物の層を、少なくとも工程に
導入する反応ガスを層に応じて変化させ、工程を中断す
ることなく順次形成することが、請求項３０によって行
われる。これは、固体成分から出発して反応性積層工程
により異なる物質の少なくとも２層を素材に積層する。
固体物質を蒸発源、たとえば蒸発るつぼ、電子線蒸発
源、またはスパッタターゲットを蒸発させ、少なくとも
工程に導入する反応ガス、またはその混合物を変えるこ
とによって２層を形成する。
【００４７】この製造方法の現在好ましい実施形態は、
請求項２１によって対処する。この方法を実施するため
の装置は、請求項３２〜３４によって特定される。さら
に、この開発過程において、１つのハフニウム−酸化窒
化物が請求項３５によって見出された。これは屈折率が
２．６〜２．８であり、同時に消光係数Ｋが、４００n
m、好ましくは４００〜１０００nmの光において０．０
２以下、好ましくは０．０１以下である。
請求項２１によって対処する。この方法を実施するため
の装置は、請求項３２〜３４によって特定される。さら
に、この開発過程において、１つのハフニウム−酸化窒
化物が請求項３５によって見出された。これは屈折率が
２．６〜２．８であり、同時に消光係数Ｋが、４００n
m、好ましくは４００〜１０００nmの光において０．０
２以下、好ましくは０．０１以下である。
【００４８】この本発明によるハフニウム酸化窒化物
は、請求項２８〜３０の少なくとも１つの製法によって
製造することが好ましく、かつＨｆＯX ＮY のＸ／Ｙ比
は、請求項３７によって特定する値とすることが好まし
い。
は、請求項２８〜３０の少なくとも１つの製法によって
製造することが好ましく、かつＨｆＯX ＮY のＸ／Ｙ比
は、請求項３７によって特定する値とすることが好まし
い。
【００４９】本発明に基づく課題は、まずハフニウム、
ジルコニウム、タンタルまたはチタンの酸化窒化物の少
なくとも１層を適用することによって得られる。最良の
結果はハフニウム酸化窒化物の適用によって得られ、ジ
ルコン酸化窒化物またはタンタル酸化窒化物はやや劣
る。特に耐摩耗性に関してはチタン酸化窒化物が最も劣
る。多層系の光学的および機械的の特性が最良であるハ
フニウム酸化窒化物は、たとえば次の特性を有する。
ジルコニウム、タンタルまたはチタンの酸化窒化物の少
なくとも１層を適用することによって得られる。最良の
結果はハフニウム酸化窒化物の適用によって得られ、ジ
ルコン酸化窒化物またはタンタル酸化窒化物はやや劣
る。特に耐摩耗性に関してはチタン酸化窒化物が最も劣
る。多層系の光学的および機械的の特性が最良であるハ
フニウム酸化窒化物は、たとえば次の特性を有する。
【００５０】４００nmにおいて、屈折率２．７、消光定
数Ｋ ０．０１以下、８００nmにおいて、屈折率２．５
５、消光定数Ｋ ０．００５以下、１０００nmにおい
て、屈折率２．５３、消光定数Ｋ ０．００１以下。
数Ｋ ０．０１以下、８００nmにおいて、屈折率２．５
５、消光定数Ｋ ０．００５以下、１０００nmにおい
て、屈折率２．５３、消光定数Ｋ ０．００１以下。
【００５１】これらの数値は現在まで最適と認められて
いた値と全く相違して、たとえば４００nmにおいて屈折
率は２．５〜３．０、好ましくは２．６〜２．８であ
り、消光定数Ｋは０．０２以下、好ましくは０．０１で
あり、本発明の積層基板によって置換えられた。
いた値と全く相違して、たとえば４００nmにおいて屈折
率は２．５〜３．０、好ましくは２．６〜２．８であ
り、消光定数Ｋは０．０２以下、好ましくは０．０１で
あり、本発明の積層基板によって置換えられた。
【００５２】本発明によって適用する酸化窒化物層、特
に優れたハフニウム酸化窒化物は反応性蒸着法によって
製造する。これは対応する金属を加熱るつぼ、電子線照
射によって蒸発させるか、またはこの金属をターゲット
として反応性スパッタリングを行う。
に優れたハフニウム酸化窒化物は反応性蒸着法によって
製造する。これは対応する金属を加熱るつぼ、電子線照
射によって蒸発させるか、またはこの金属をターゲット
として反応性スパッタリングを行う。
【００５３】次に本発明を例示のために図面および実施
例によって説明する。図１は現在、好ましく使用する装
置を示す。これは Firma Balzer AGのイオンプレーティ
ング装置ＢＡＰ ８００に関する。しかし本発明の酸化
窒化物は、他の装置、一般に反応性蒸着法、ＣＶＤ（化
学気相成長法）またはＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成
長法）、および基板にバイアスを印加する場合も、しな
い場合も含むＤＣもしくはＡＣ、反応性スパッタリン
グ、または加熱るつぼによって行うことができる。
例によって説明する。図１は現在、好ましく使用する装
置を示す。これは Firma Balzer AGのイオンプレーティ
ング装置ＢＡＰ ８００に関する。しかし本発明の酸化
窒化物は、他の装置、一般に反応性蒸着法、ＣＶＤ（化
学気相成長法）またはＰＥＣＶＤ（プラズマ化学気相成
長法）、および基板にバイアスを印加する場合も、しな
い場合も含むＤＣもしくはＡＣ、反応性スパッタリン
グ、または加熱るつぼによって行うことができる。
【００５４】現在好ましい金属成分、すなわちハフニウ
ム、ジルコニウム、タンタルまたはチタンを蒸発させ、
Ｏ2 ／Ｎ2 混合ガスと反応させる。このとき固体として
これらの金属の低次酸化物または低次窒化物を蒸発させ
ることもできる。図１に示す装置は、Balzers ＢＡＰ
８００に対応し、真空室１は、ポンプに連通する導管３
の他に、回転可能な担体キャロットの形の基板担体４を
電気的に絶縁して設ける。電子線源５は、ガスたとえば
アルゴン導入管７を有し、さらに熱電子放出体、たとえ
ば加熱コイル９を電子室１１のなかに設ける。この電子
室は、図示しない電子線集束または加速装置を有する。
ム、ジルコニウム、タンタルまたはチタンを蒸発させ、
Ｏ2 ／Ｎ2 混合ガスと反応させる。このとき固体として
これらの金属の低次酸化物または低次窒化物を蒸発させ
ることもできる。図１に示す装置は、Balzers ＢＡＰ
８００に対応し、真空室１は、ポンプに連通する導管３
の他に、回転可能な担体キャロットの形の基板担体４を
電気的に絶縁して設ける。電子線源５は、ガスたとえば
アルゴン導入管７を有し、さらに熱電子放出体、たとえ
ば加熱コイル９を電子室１１のなかに設ける。この電子
室は、図示しない電子線集束または加速装置を有する。
【００５５】さらに、真空室１に関して、電子線蒸発装
置１３があり、これには電子蒸発線１５が約２７０゜曲
がるように、るつぼ１７を設ける。電子放出体９は、る
つぼ１７に関して負となるように電源１９に接続し、電
子線源５から放出された電子はるつぼ１７に向けて加速
される。
置１３があり、これには電子蒸発線１５が約２７０゜曲
がるように、るつぼ１７を設ける。電子放出体９は、る
つぼ１７に関して負となるように電源１９に接続し、電
子線源５から放出された電子はるつぼ１７に向けて加速
される。
【００５６】真空室１の容器および基板担体キャロット
４は、Ｓ1 またはＳ2 に図示するように、物質電位に、
参照電位に、または浮動して駆動される。本発明の酸化
窒化物層は、図に示す装置で製造する、このときハフニ
ウム酸化窒化物が重要である。
４は、Ｓ1 またはＳ2 に図示するように、物質電位に、
参照電位に、または浮動して駆動される。本発明の酸化
窒化物層は、図に示す装置で製造する、このときハフニ
ウム酸化窒化物が重要である。
【００５７】基板およびこれに対応して担体キャロット
４は浮遊して駆動され、真空室の壁１が物質電位とな
る。るつぼ１７のなかで金属は電子線によって蒸発す
る。このとき次の量に調節した。 アルゴンの分圧：３・１０-4mbar、 Ｏ2 ／Ｎ2 混合物の分圧：５・１０-4mbar、 Ｏ2 ／Ｎ2 混合比：Ｏ2 ２２重量％、Ｎ2 ７８重量％、 放電電流 Ｉ：６０Ａ、 積層速度：０．３nm／sec 。
４は浮遊して駆動され、真空室の壁１が物質電位とな
る。るつぼ１７のなかで金属は電子線によって蒸発す
る。このとき次の量に調節した。 アルゴンの分圧：３・１０-4mbar、 Ｏ2 ／Ｎ2 混合物の分圧：５・１０-4mbar、 Ｏ2 ／Ｎ2 混合比：Ｏ2 ２２重量％、Ｎ2 ７８重量％、 放電電流 Ｉ：６０Ａ、 積層速度：０．３nm／sec 。
【００５８】決定的に重要なことは前述した本発明の酸
化窒化物のすべての反応性蒸着法において、反応混合物
をそのときの処理室に導入する型である。現在使用され
ている前述の装置に基づいて、ガス容器２１たとえばガ
スボンベは、調節弁１８を介して処理室に接続し、ガス
容器２１のなかでは、そのガス成分が所要の比になるよ
うにすでに混合されている。
化窒化物のすべての反応性蒸着法において、反応混合物
をそのときの処理室に導入する型である。現在使用され
ている前述の装置に基づいて、ガス容器２１たとえばガ
スボンベは、調節弁１８を介して処理室に接続し、ガス
容器２１のなかでは、そのガス成分が所要の比になるよ
うにすでに混合されている。
【００５９】ガス成分の所要の量は、導入開始より遙か
に前にガス容器２１のなかで用意してあるので、容器２
１のなかの混合物は均一に混合されている。酸化窒化物
層の製造が要求される場合に、ガス容器２１のなかの混
合物が均一になるのは、もっとも早くても２４時間後で
あり、大量の場合は好ましくはこれより長い時間容器２
１のなかに置くことを見出した。
に前にガス容器２１のなかで用意してあるので、容器２
１のなかの混合物は均一に混合されている。酸化窒化物
層の製造が要求される場合に、ガス容器２１のなかの混
合物が均一になるのは、もっとも早くても２４時間後で
あり、大量の場合は好ましくはこれより長い時間容器２
１のなかに置くことを見出した。
【００６０】こうして、ハフニウム酸化窒化物層は基板
の上に透明または幾らか着色したガラスとして沈着し、
ハフニウム酸化窒化物層は次の顕著な光学的値を示し
た。 屈折率 消光定数Ｋ ４００nm ２．７ Ｋ≦０．０１ ８００nm ２．５５ ≦０．００５ １０００nm ２．５３ ≦０．００１
の上に透明または幾らか着色したガラスとして沈着し、
ハフニウム酸化窒化物層は次の顕著な光学的値を示し
た。 屈折率 消光定数Ｋ ４００nm ２．７ Ｋ≦０．０１ ８００nm ２．５５ ≦０．００５ １０００nm ２．５３ ≦０．００１
【００６１】ハフニウム酸化窒化物層の場合と同様に、
ジルコン酸化窒化物、タンタル酸化窒化物およびチタン
酸化窒化物の光学的値の屈折率および消光定数Ｋは、前
述の波長において２．５〜３．０、およびＫ≦０．０２
の領域で幾分変化する。前述のように製造されたＨｆＯ
X ＮY は、Ｘ／Ｙの比がＲＢＳ法(Rotherford backscat
tering) により、下記の値を示した。
ジルコン酸化窒化物、タンタル酸化窒化物およびチタン
酸化窒化物の光学的値の屈折率および消光定数Ｋは、前
述の波長において２．５〜３．０、およびＫ≦０．０２
の領域で幾分変化する。前述のように製造されたＨｆＯ
X ＮY は、Ｘ／Ｙの比がＲＢＳ法(Rotherford backscat
tering) により、下記の値を示した。
【００６２】１．５≦Ｘ／Ｙ≦３、 なお、１．５≦Ｘ／Ｙ≦２、 特に １．６≦Ｘ／Ｙ≦１．７ のときに、前述の優れた特性が表れる。さらに、優れた
結果は、１．６≦Ｘ／Ｙ≦１．７、 なかでもＸ／Ｙ＝約１．７ において表れ、このＸ／Ｙの範囲において本発明による
新規な特性を規定する良好な結果をＨｆＯＮに与える。
結果は、１．６≦Ｘ／Ｙ≦１．７、 なかでもＸ／Ｙ＝約１．７ において表れ、このＸ／Ｙの範囲において本発明による
新規な特性を規定する良好な結果をＨｆＯＮに与える。
【００６３】本発明の酸化窒化物を決定的な成分として
積層した基板は、最初に設定した課題を解決する。この
とき酸化窒化物層は、前述の方法のいずれかによって形
成され、どの場合も本発明によって予め混合して均一に
した反応ガス混合物を含む。図２に示す、積層されてい
ない基板２０は、好ましくはガラス、たとえば緑色ガラ
ス、透明ガラスまたは他の着色ガラスである。基板の一
方の側２０Ａの上に、好ましくはなお書込むべき層系２
３を設け、他方の側２０Ｂの上に、図２により正確に示
した第２の層系２４を設ける。
積層した基板は、最初に設定した課題を解決する。この
とき酸化窒化物層は、前述の方法のいずれかによって形
成され、どの場合も本発明によって予め混合して均一に
した反応ガス混合物を含む。図２に示す、積層されてい
ない基板２０は、好ましくはガラス、たとえば緑色ガラ
ス、透明ガラスまたは他の着色ガラスである。基板の一
方の側２０Ａの上に、好ましくはなお書込むべき層系２
３を設け、他方の側２０Ｂの上に、図２により正確に示
した第２の層系２４を設ける。
【００６４】基板の一方の側に、または両方の側に層系
を設けるどの場合でも、層系は少なくとも本発明の酸化
窒化物の１つからなる層、好ましくは前述の新規なハフ
ニウム酸化窒化物の層を含む。特にハフニウム酸化窒化
物、ジルコン酸化窒化物およびタンタル酸化窒化物は優
れた耐摩耗性を示すので、層系の片側または両側に、少
なくとも前述の耐摩耗性を有する酸化窒化物からなる層
を第２のもっとも外側の層として設けることが好まし
い。
を設けるどの場合でも、層系は少なくとも本発明の酸化
窒化物の１つからなる層、好ましくは前述の新規なハフ
ニウム酸化窒化物の層を含む。特にハフニウム酸化窒化
物、ジルコン酸化窒化物およびタンタル酸化窒化物は優
れた耐摩耗性を示すので、層系の片側または両側に、少
なくとも前述の耐摩耗性を有する酸化窒化物からなる層
を第２のもっとも外側の層として設けることが好まし
い。
【００６５】さらに詳述すれば、両方の層系２３，２４
は全く同様に形成することができる。最少の構成とし
て、系２４は、高屈折率の物質の層２５と、低屈折率の
物質の層２７とからなる。この構成において、高屈折率
の物質の層２５は、本発明の酸化窒化物から形成し、低
屈折率の層２７はけい素酸化物から形成することが好ま
しい。図２に示すように、系２４は高−低屈折率の物質
の層を順次形成し、前述のように、少なくとも第２の最
も外側の層は本発明の酸化窒化物、好ましくはハフニウ
ム酸化窒化物から形成する。また低屈折率の物質として
けい素酸化物を固着することが好ましい。
は全く同様に形成することができる。最少の構成とし
て、系２４は、高屈折率の物質の層２５と、低屈折率の
物質の層２７とからなる。この構成において、高屈折率
の物質の層２５は、本発明の酸化窒化物から形成し、低
屈折率の層２７はけい素酸化物から形成することが好ま
しい。図２に示すように、系２４は高−低屈折率の物質
の層を順次形成し、前述のように、少なくとも第２の最
も外側の層は本発明の酸化窒化物、好ましくはハフニウ
ム酸化窒化物から形成する。また低屈折率の物質として
けい素酸化物を固着することが好ましい。
【００６６】同様に系２４の片側または両側に設ける高
屈折率の物質の全ての層は、本発明の酸化窒化物の１
つ、好ましくはすべてハフニウム酸化窒化物から形成す
ることが有利である。低屈折率の物質、好ましくはけい
素酸化物の層を形成することも、反応性蒸着法によって
形成することができる。この方法は、反応性イオンプレ
ーティング、反応性電子線蒸着、反応性るつぼ蒸着（加
熱るつぼ）または反応性スパッタリングによって行う。
本発明の酸化窒化物からなる高屈折率の層物質の光学的
特性値、屈折率および消光定数は、波長３８０〜１００
０nmにおいて前述の範囲、屈折率２．５〜３、消光定数
Ｋ≦０．０２である。
屈折率の物質の全ての層は、本発明の酸化窒化物の１
つ、好ましくはすべてハフニウム酸化窒化物から形成す
ることが有利である。低屈折率の物質、好ましくはけい
素酸化物の層を形成することも、反応性蒸着法によって
形成することができる。この方法は、反応性イオンプレ
ーティング、反応性電子線蒸着、反応性るつぼ蒸着（加
熱るつぼ）または反応性スパッタリングによって行う。
本発明の酸化窒化物からなる高屈折率の層物質の光学的
特性値、屈折率および消光定数は、波長３８０〜１００
０nmにおいて前述の範囲、屈折率２．５〜３、消光定数
Ｋ≦０．０２である。
【００６７】本発明の酸化窒化物層の優れた光学的特
性、特に本発明のハフニウム酸化窒化物の優れた特性に
基づいて、可視光の範囲において高い入射角まで、反射
を著しく減少させ、同時に近赤外領域において吸収を低
下させ、反射を多くすることができる。当業者は、可視
光と、太陽放射が高いエネルギーを示す近赤外との間の
有利な領域において、反射能は急に変化する、この急な
変化は、可視光と近赤外線との間の移行領域および約８
００nmにおいて現れる。これによって、広いバンドで作
用する可視領域での反射率の減少は、層の数を最少に
し、かつ断熱性を最適にしながら実現することができ
る。
性、特に本発明のハフニウム酸化窒化物の優れた特性に
基づいて、可視光の範囲において高い入射角まで、反射
を著しく減少させ、同時に近赤外領域において吸収を低
下させ、反射を多くすることができる。当業者は、可視
光と、太陽放射が高いエネルギーを示す近赤外との間の
有利な領域において、反射能は急に変化する、この急な
変化は、可視光と近赤外線との間の移行領域および約８
００nmにおいて現れる。これによって、広いバンドで作
用する可視領域での反射率の減少は、層の数を最少に
し、かつ断熱性を最適にしながら実現することができ
る。
【００６８】可視領域における深い反射の前述の広いバ
ンド幅は、本発明の層系の反射率減少の色感度を明かに
減少させる。両側に２つの層系を設けることは、なお説
明しなければならないが、全系の光学的作用を、図に示
す系２４のような個々の層系の作用により実質的に高め
る。
ンド幅は、本発明の層系の反射率減少の色感度を明かに
減少させる。両側に２つの層系を設けることは、なお説
明しなければならないが、全系の光学的作用を、図に示
す系２４のような個々の層系の作用により実質的に高め
る。
【００６９】両側に層系を設けた基板２０は、図３に示
すように、一方の側に図２に示す層系２４を有し、他方
の側に層系２３を有する。窓ガラス、特に自動車の窓ガ
ラス、なかでも自動車の風防ガラスとして層系２３を室
内側に向けて使用するとき、光学的および機械的特性に
関する高度の要求を満足しなければならない。層系２３
は系の部分２６を断熱系として形成し、図４に示すよう
に、本発明の酸化窒化物の１つからなる第１の側２８、
好ましくはハフニウム酸化窒化物を含む。この上に、ハ
フニウム、ジルコン、タンタルまたはチタンの薄い金属
窒化物層３０を設けるが、ここでもハフニウム窒化物が
好ましい。
すように、一方の側に図２に示す層系２４を有し、他方
の側に層系２３を有する。窓ガラス、特に自動車の窓ガ
ラス、なかでも自動車の風防ガラスとして層系２３を室
内側に向けて使用するとき、光学的および機械的特性に
関する高度の要求を満足しなければならない。層系２３
は系の部分２６を断熱系として形成し、図４に示すよう
に、本発明の酸化窒化物の１つからなる第１の側２８、
好ましくはハフニウム酸化窒化物を含む。この上に、ハ
フニウム、ジルコン、タンタルまたはチタンの薄い金属
窒化物層３０を設けるが、ここでもハフニウム窒化物が
好ましい。
【００７０】この金属窒化物層の上に、再び酸化窒化物
層３２を設け、その上に図２で説明したように、層系２
４の最少の構成を設ける。好ましくは、同一金属の酸化
窒化物および窒化物の層を順次設け、なかでも金属ハフ
ニウムまたはハフニウムの低次窒化物から出発して、図
１に示して説明した本発明の製造装置によって、最も簡
単に酸化窒化物／窒化物層を順次形成することができ
る。これは形成された酸化窒化物または窒化物層の上
に、対応して窒化物または酸化窒化物層を形成するため
に、工程を中断することなく、少なくとも、この反応に
導入する反応ガスまたはその混合物を、Ｎ2 からＯ2 ／
Ｎ2 またはその逆に変えることによって行う。自明のよ
うに、他の反応パラメーターも必要に応じて変えること
ができる。
層３２を設け、その上に図２で説明したように、層系２
４の最少の構成を設ける。好ましくは、同一金属の酸化
窒化物および窒化物の層を順次設け、なかでも金属ハフ
ニウムまたはハフニウムの低次窒化物から出発して、図
１に示して説明した本発明の製造装置によって、最も簡
単に酸化窒化物／窒化物層を順次形成することができ
る。これは形成された酸化窒化物または窒化物層の上
に、対応して窒化物または酸化窒化物層を形成するため
に、工程を中断することなく、少なくとも、この反応に
導入する反応ガスまたはその混合物を、Ｎ2 からＯ2 ／
Ｎ2 またはその逆に変えることによって行う。自明のよ
うに、他の反応パラメーターも必要に応じて変えること
ができる。
【００７１】これによって、本発明による製造方法は、
基本的に同一の固体成分からなる異なる物質の層を、反
応ガスまたは混合ガスを変えることによって、操作を中
断することなく同一の固体物質を蒸発させるよう調節す
ることができる。図４には、図２の部分系として設けた
層系２４が、層系２３のなかに２４′として示されてい
る。図３または４の層系２３は、少なくとも１つの窒化
物層を金属誘電系として示し、他方層系２４は、専ら酸
化窒化物層および低屈折率の物質、好ましくはＳｉＯ2
から形成した誘電系である。
基本的に同一の固体成分からなる異なる物質の層を、反
応ガスまたは混合ガスを変えることによって、操作を中
断することなく同一の固体物質を蒸発させるよう調節す
ることができる。図４には、図２の部分系として設けた
層系２４が、層系２３のなかに２４′として示されてい
る。図３または４の層系２３は、少なくとも１つの窒化
物層を金属誘電系として示し、他方層系２４は、専ら酸
化窒化物層および低屈折率の物質、好ましくはＳｉＯ2
から形成した誘電系である。
【００７２】図５は、特に断熱効果の優れた部分２６を
有する層系２３の実施態様を示す。基板２０の上に、イ
ンジウム−すず酸化物（ＩＴＯ）からなる第１層３４が
あり、次に低屈折率の物質の層３６、好ましくはけい素
酸化物、さらに前述のインジウム−すず酸化物からなる
層３８が続く。さらにここでは部分系として、図２にお
いて説明した層系２４が少なくとも最少の構成として続
く。図５で説明した層系２３，２４は、特に可視光領域
における透過性が実質的に減少していない緑色ガラスを
積層した、図６は、両側に誘電層系２４，２４′を設け
た本発明の積層基板の他の実施態様を示す。
有する層系２３の実施態様を示す。基板２０の上に、イ
ンジウム−すず酸化物（ＩＴＯ）からなる第１層３４が
あり、次に低屈折率の物質の層３６、好ましくはけい素
酸化物、さらに前述のインジウム−すず酸化物からなる
層３８が続く。さらにここでは部分系として、図２にお
いて説明した層系２４が少なくとも最少の構成として続
く。図５で説明した層系２３，２４は、特に可視光領域
における透過性が実質的に減少していない緑色ガラスを
積層した、図６は、両側に誘電層系２４，２４′を設け
た本発明の積層基板の他の実施態様を示す。
【００７３】例１ 図７において、外側の窓ガラスとして使用するために基
本的に図４で説明したように、透明基板２０の室内側に
前述の誘電／金属（ｄ／ｍ）層系２３、外側に誘電層系
２４を設ける。ｄ／ｍ層系２３は表１．１に従って構成
した。
本的に図４で説明したように、透明基板２０の室内側に
前述の誘電／金属（ｄ／ｍ）層系２３、外側に誘電層系
２４を設ける。ｄ／ｍ層系２３は表１．１に従って構成
した。
【００７４】 表１．１ HfON HfN HfON SiO2 HfON SiO2 厚み 38 14 43 182 95 81 〔nm〕 光学的厚み .2H − .22H .54L .49H .24L 設計波長λd ：５００nm
【００７５】このとき、光学的厚みに関する報告は次の
ように求めた。Ｈは設計波長λd の光学的厚みを有する
高屈折率の物質の層を示す。光学的厚みは、設計波長に
おける屈折率と、測定した物理的厚みとの積から求め
る。同様にＬは、低屈折率の物質の設計波長の光学的厚
みの層を示す。誘電体の層系２４は、基板から出発して
表１．２に従って作成した。
ように求めた。Ｈは設計波長λd の光学的厚みを有する
高屈折率の物質の層を示す。光学的厚みは、設計波長に
おける屈折率と、測定した物理的厚みとの積から求め
る。同様にＬは、低屈折率の物質の設計波長の光学的厚
みの層を示す。誘電体の層系２４は、基板から出発して
表１．２に従って作成した。
【００７６】 表１．２ HfON SiO2 HfON SiO2 HfON SiO2 厚み 8 42 103 193 98 95 〔nm〕 光学的厚み .04H .125L .53H .57L .505H .28L
【００７７】設計波長λd ：５００nm 本発明の系の可視光領域における反射挙動を、図８に示
し、このとき入射角は６５゜，４５゜，３５゜および０
゜である。図９は、太陽放射３４０〜２０００nmについ
て全系の透過挙動を示す。図１０は外側から入射したと
きの対応する反射挙動を示す。図８の反射挙動は内側か
ら入射したときであり、図１０の反射挙動は外側から入
射したときである。図１１は可視スペクトル領域におけ
る多様な入射角での外側からの反射挙動を示す。
し、このとき入射角は６５゜，４５゜，３５゜および０
゜である。図９は、太陽放射３４０〜２０００nmについ
て全系の透過挙動を示す。図１０は外側から入射したと
きの対応する反射挙動を示す。図８の反射挙動は内側か
ら入射したときであり、図１０の反射挙動は外側から入
射したときである。図１１は可視スペクトル領域におけ
る多様な入射角での外側からの反射挙動を示す。
【００７８】図１２はＸおよびＹが色座標を示し、これ
は入射角の関数として、反射における色の変化の特性を
示す。ここでは記号Ｘ，ＹはＤＩＮ ５０３３の標準色
表による標準色価部分を示す。次に、得られた結果をま
とめて示す。表１．３は、入射角に関して、図７に示す
本発明の透明ガラスの系と、未積層の緑色ガラスおよび
未積層の透明ガラスとについて、入射角とＲvis 値を示
す。
は入射角の関数として、反射における色の変化の特性を
示す。ここでは記号Ｘ，ＹはＤＩＮ ５０３３の標準色
表による標準色価部分を示す。次に、得られた結果をま
とめて示す。表１．３は、入射角に関して、図７に示す
本発明の透明ガラスの系と、未積層の緑色ガラスおよび
未積層の透明ガラスとについて、入射角とＲvis 値を示
す。
【００７９】 表１．３：Ｒvis 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ０゜ ３．９％ ７．２％ ８．２％ ３０゜ ２．２％ ７．４％ ８．４％ ４５゜ ２．４％ ８．６％ ９．８％ ６５゜ １３．０％ １７．９％ ２０．３％
【００８０】表１．４は、図７に示す本発明の系と未積
層の緑色ガラスおよび透明ガラスとについて、太陽放射
のＴSONNE ，ＲSONNE およびＴvis を示す。
層の緑色ガラスおよび透明ガラスとについて、太陽放射
のＴSONNE ，ＲSONNE およびＴvis を示す。
【００８１】 表１．４ 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ＴSONNE ５１％ ５７％ ９２％ ＲSONNE ２８％ ６％ ８％ Ｔvis ７６％ ８０％ ９２％
【００８２】例２：図１３によって、基板２０とする緑
色ガラスの上に、図５に従って系２３を内側に設け、外
側に第２の層系２４として誘電体層を設けた。第１の層
系２３の構成は、表２．１にまとめて示す。ここで記号
Ｉは、ＨまたはＬに類似するＩＴＯに対する量を示す。
色ガラスの上に、図５に従って系２３を内側に設け、外
側に第２の層系２４として誘電体層を設けた。第１の層
系２３の構成は、表２．１にまとめて示す。ここで記号
Ｉは、ＨまたはＬに類似するＩＴＯに対する量を示す。
【００８３】 表２．１ ITO SiO2 ITO SiO2 HfON SiO2 厚み 13 40 137 199 97 98 〔nm〕 光学的厚み .05I .12L .55I .59L .5H .29L 設計波長λd ＝５００nm
【００８４】第２の系２４の構成は、表１．２の記載と
同様である。例１においてすでに記載した挙動に対応し
て、図１４、さらに図１５に示す。図１３の系の反射に
ついて、図１６は内側から、または図１７は外側からの
挙動を示す。図１８のグラフは、例１の図１２に対応す
る。次の表２．３、２．４は、得られた結果の値を示
す。
同様である。例１においてすでに記載した挙動に対応し
て、図１４、さらに図１５に示す。図１３の系の反射に
ついて、図１６は内側から、または図１７は外側からの
挙動を示す。図１８のグラフは、例１の図１２に対応す
る。次の表２．３、２．４は、得られた結果の値を示
す。
【００８５】 表２．３：Ｒvis 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ０゜ ５．２％ ７．２％ ８．２％ ３０゜ ２．７％ ７．４％ ８．４％ ４５゜ ２．０％ ８．６％ ９．８％ ６５゜ １０．９％ １７．９％ ２０．３％ 表２．４ 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ＴSONNE ４３％ ５７％ ９２％ ＲSONNE ２２％ ６％ ８％ Ｔvis ７８％ ８０％ ９２％
【００８６】例３ 図１９において、基板２０として緑色ガラスを使用し、
内側と外側に、図６によって層系２４を設けた。両側の
層系２４の構成は表１．２に対応する。図２０，２１，
２２および２３において、例１で規定した量を繰り返し
た。次に示す。
内側と外側に、図６によって層系２４を設けた。両側の
層系２４の構成は表１．２に対応する。図２０，２１，
２２および２３において、例１で規定した量を繰り返し
た。次に示す。
【００８７】 表３．３：Ｒvis 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ０゜ ４．１％ ７．２％ ８．２％ ３０゜ １．５％ ７．４％ ８．４％ ４５゜ １．５％ ８．６％ ９．８％ ６５゜ １１．８％ １７．９％ ２０．３％ 表３．４ 本発明 緑色ガラス 透明ガラス ＴSONNE ４５％ ５７％ ９２％ ＲSONNE ２２％ ６％ ８％ Ｔvis ７９％ ８０％ ９２％
【００８８】さらに本発明の２つの例を挙げる。これは
入射角０゜のときに最適なガラス、たとえば自動車の側
窓ガラス、またはたとえば芸術品用のようにむしろ安価
で反射減少性の断熱ガラス。例４ 図２４において、基板２０として緑色ガラスを用い、両
側に図６のように誘電層系を積層する。２つの層系の構
成は表４．１に示す。
入射角０゜のときに最適なガラス、たとえば自動車の側
窓ガラス、またはたとえば芸術品用のようにむしろ安価
で反射減少性の断熱ガラス。例４ 図２４において、基板２０として緑色ガラスを用い、両
側に図６のように誘電層系を積層する。２つの層系の構
成は表４．１に示す。
【００８９】 表４．１ HfON SiO2 HfON SiO2 HfON SiO2 厚み 10 37 103 172 99 86 〔nm〕 光学的厚み .05H .11L .53H .51L .51H .254L λd ＝５００nm．
【００９０】図２４の系は、入射角０゜のときに最適と
なる、表４．２にその値を示す。
なる、表４．２にその値を示す。
【００９１】 表４．２： 本発明 緑色ガラス 透明ガラス Ｒvis ，０゜ ＜０．７％ ７．２％ ８．２％ Ｔvis ，０゜ ８２％ ８０％ ９２％ ＴSONNE ，０゜ ４５％ ５７％ ９２％ ＲSONNE ，０゜ ２２％ ６％ ８％
【００９２】例５ 図２５において、透明ガラスの基板２０に、層系２４ま
たは２３、すなわち誘電層系２４と、金属／誘電層系２
３を積層した。誘電層系２４は例４と同様に構成し、金
属／誘電層系２３は表５．１のように構成した。
たは２３、すなわち誘電層系２４と、金属／誘電層系２
３を積層した。誘電層系２４は例４と同様に構成し、金
属／誘電層系２３は表５．１のように構成した。
【００９３】 表５．１ HfON HfN HfON SiO2 HfON SiO2 厚み 25 17 43 190 105 22 〔nm〕 光学的厚み .13H − .22H .56L .54H .26L
【００９４】表５．２に特性値を示す。 表５．２： 本発明 緑色ガラス 透明ガラス Ａより見て Ｒvis ，０゜ ４．５％ ７．２％ ８．２％ Ｂより見て Ｒvis ，０゜ ≦１％ ７．２％ ８．２％ Ｔvis ，０゜ ７５％ ８０％ ９２％ ＴSONNE ，０゜ ５０．５％ ５７％ ９２％ Ａより見て ＲSONNE ，０゜ ２８％ ６％ ８％ Ｂより見て ＲSONNE ，０゜ ２２％ ７５．５％ ９２％
【００９５】自明のように、ＩＴＯ系は入射角０゜にお
いて最適である。従って本発明の酸化窒化物を用いて、
０゜において反射減少性を有する極めて良好な断熱系を
得ることができる。自明のように目的に応じて、上記系
は、「内側」および「外側」を交換することができる。
誘電層系は、次の一般的構成に応じて４，６，８層など
とすることができる：
いて最適である。従って本発明の酸化窒化物を用いて、
０゜において反射減少性を有する極めて良好な断熱系を
得ることができる。自明のように目的に応じて、上記系
は、「内側」および「外側」を交換することができる。
誘電層系は、次の一般的構成に応じて４，６，８層など
とすることができる：
【００９６】基板〔０．１Ｈ ０．１Ｌ（０．５Ｈ
０．５Ｌ）X ０．５Ｈ ０．２５Ｌ〕式中、Ｘは（ ）
のなかに記載した層の繰り返しを示す係数０，１，２…
を表す。また金属／誘電層系は、次の型のように、６，
８…層とすることができる：基板〔０．１Ｈ Ｎ ０．
１Ｈ ０．５Ｌ（０．５Ｈ ０．５Ｌ）X ０．５Ｈ０．
２５Ｌ〕 式中、Ｘは繰り返しを示す係数０，１，２…を表す。
０．５Ｌ）X ０．５Ｈ ０．２５Ｌ〕式中、Ｘは（ ）
のなかに記載した層の繰り返しを示す係数０，１，２…
を表す。また金属／誘電層系は、次の型のように、６，
８…層とすることができる：基板〔０．１Ｈ Ｎ ０．
１Ｈ ０．５Ｌ（０．５Ｈ ０．５Ｌ）X ０．５Ｈ０．
２５Ｌ〕 式中、Ｘは繰り返しを示す係数０，１，２…を表す。
【００９７】４層の場合は、さらに次の型のＩＴＯ系を
構成することができる： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．２５Ｌ， ５層の場合は： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．５Ｈ ０．２５Ｌ また一般に： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．５Ｌ（０．５Ｈ
０．５Ｌ）X ０．５Ｈ０．２５Ｌ 式中、Ｘは繰り返しを示す係数１，２…を表す。自明の
ように、多層の場合は断熱性が向上し、反射減少作用が
低下し、かつコストが増加する。
構成することができる： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．２５Ｌ， ５層の場合は： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．５Ｈ ０．２５Ｌ また一般に： ０．１Ｉ ０．１Ｌ ０．５Ｉ ０．５Ｌ（０．５Ｈ
０．５Ｌ）X ０．５Ｈ０．２５Ｌ 式中、Ｘは繰り返しを示す係数１，２…を表す。自明の
ように、多層の場合は断熱性が向上し、反射減少作用が
低下し、かつコストが増加する。
【図１】本発明のガス導入反応によって積層するイオン
プレーティング装置の線図である。
プレーティング装置の線図である。
【図２】本発明による多層構造を有する積層基板の断面
図である。
図である。
【図３】本発明による多層構造を有する積層基板の断面
図である。
図である。
【図４】本発明による多層構造を有する積層基板の断面
図である。
図である。
【図５】本発明による多層構造を有する積層基板の断面
図である。
図である。
【図６】本発明による多層構造を有する積層基板の断面
図である。
図である。
【図７】例１の積層基板の断面図である。
【図８】例１の積層基板の特性図である。
【図９】例１の積層基板の特性図である。
【図１０】例１の積層基板の特性図である。
【図１１】例１の積層基板の特性図である。
【図１２】例１の積層基板の特性図である。
【図１３】例２の積層基板の断面図である。
【図１４】例２の積層基板の特性図である。
【図１５】例２の積層基板の特性図である。
【図１６】例２の積層基板の特性図である。
【図１７】例２の積層基板の特性図である。
【図１８】例２の積層基板の特性図である。
【図１９】例３の積層基板の断面図である。
【図２０】例３の積層基板の特性図である。
【図２１】例３の積層基板の特性図である。
【図２２】例３の積層基板の特性図である。
【図２３】例３の積層基板の特性図である。
【図２４】例４の積層基板の断面図である。
【図２５】例５の積層基板の断面図である。
１…真空室 ４…基板担体 ５…電子線源 ９…電子放出体 １１…電子室 １７…るつぼ ２０…基板 ２１…ガス容器 ２３，２４…層系 ２５…高屈折率の物質の層 ２７…低屈折率の物質の層
Claims (37)
- 【請求項１】 基板の少なくとも１つの側の上に透明な
多層からなる層系を有し、その少なくとも１層が、ハフ
ニウム、ジルコニウム、タンタルまたはチタンの酸化窒
化物の層であることを特徴とする 透視可能な部材を構成するための透明な積層基板。 - 【請求項２】 酸化窒化物の層は、厚みが３０nm以上、
好ましくは５０nm以上、さらに好ましくは７０nm以上、
最も好ましくは９０nm以上である 請求項１に記載の積層基板。 - 【請求項３】 基板の第２の側の上に多層からなる層系
を有し、その少なくとも１層が、ハフニウム、ジルコニ
ウム、タンタルまたはチタンの酸化窒化物の層である 請求項１または２に記載の積層基板。 - 【請求項４】 基板の少なくとも１つの側の上に多層か
らなる層系を有し、その層系が少なくとも１層のハフニ
ウム、ジルコニウム、タンタルまたはチタンの窒化物の
層、または少なくとも１層のインジウム−すず酸化物の
層を有する 請求項１〜３のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項５】 窒化物が、酸化窒化物を形成する金属と
同一金属の窒化物である 請求項４に記載の積層基板。 - 【請求項６】 窒化物の層と酸化窒化物の層が直接連続
している 請求項５に記載の積層基板。 - 【請求項７】 酸化窒化物の層が第２の最も外側の層を
形成している 請求項１〜６のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項８】 可視光領域の少なくとも実質的な部分に
おいて、透過が７０％以上、好ましくは７５％以上であ
る 請求項１〜７のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項９】 可視光領域の少なくとも実質的な部分に
おいて、入射角が６０゜以上、好ましくは６５゜以上の
とき、反射が、積層されていない基板に比べて減少する 請求項１〜８のいずれか、特に少なくとも３に記載の積
層基板。 - 【請求項１０】 少なくとも５２０〜６２０nmのスペク
トル領域において、入射角が６０゜以上、好ましくは６
５゜以上のとき、少なくとも１つの側の反射が、１８％
以下、好ましくは１５％以下である 請求項１〜９のいずれか、特に少なくとも３に記載の積
層基板。 - 【請求項１１】 少なくとも４５０〜６００nmのスペク
トル領域において、透過が７０％以上、好ましくは７５
％以上である 請求項１〜１０のいずれか、特に少なくとも３に記載の
積層基板。 - 【請求項１２】 ４００nmの光に対して、酸化窒化物の
屈折率が、少なくとも２．５〜３、好ましくは２．６〜
２．８であり、かつ好ましくは消光定数Ｋが、０．０２
以下、好ましくは０．０１以下である 請求項１〜１１のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項１３】 基板がガラスである 請求項１〜１２のいずれかに記載の積層基板。
- 【請求項１４】 少なくとも１つの層系が、連続したハ
フニウム酸化窒化物およびシリコン酸化物からなり、好
ましくは基板から次の順： ８nm ＨｆＯＮ ４２nm ＳｉＯ2 １０３nm ＨｆＯＮ １９３nm ＳｉＯ2 ９８nm ＨｆＯＮ ９５nm ＳｉＯ2 で形成されている 請求項１〜１３のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項１５】 少なくとも１つの層系において、基板
から次の順： ハフニウム、ジルコニウム、タンタルまたはチタンの酸
化窒化物の層、 好ましくは同一金属の窒化物の層 好ましくは同一金属の酸化窒化物の層 その他の層 で形成されている 請求項１〜１４のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項１６】 その他の層が請求項１に記載の層系で
形成されている 請求項１５に記載の積層基板。 - 【請求項１７】 少なくとも１つの層系が、基板から次
の順： インジウム−すず酸化物の層 低屈折率の層、好ましくはけい素酸化物の層 インジウム−すず酸化物の層 その他の層 で形成されている 請求項１〜１６のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項１８】 その他の層が、請求項１に記載の層系
で形成されている 請求項１７に記載の積層基板。 - 【請求項１９】 少なくとも１つの層系が、基板から次
の順： ３８nm ＨｆＯＮ １４nm ＨｆＮ ４３nm ＨｆＯＮ １８２nm ＳｉＯ2 ９５nm ＨｆＯＮ ８１nm ＳｉＯ2 で形成されている 請求項１〜１８のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項２０】 少なくとも１つの層系が、基板から次
の順： １３nm インジウム−すず酸化物 ４０nm ＳｉＯ2 １３７nm インジウム−すず酸化物 １９９nm ＳｉＯ2 ９７nm ＨｆＯＮ ９８nm ＳｉＯ2 で形成されている 請求項１〜１９のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項２１】 基板の両側の上に同一の層系が設けら
れている 請求項１〜２０のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項２２】 酸化窒化物としてハフニウム酸化窒化
物、特にＨｆＯX Ｎ Y 、式中Ｘ／Ｙの比が ３／２≦Ｘ／Ｙ≦３ 好ましくは ３／２≦Ｘ／Ｙ≦２ 特に好ましくは Ｘ／Ｙ＝約１．７ である 請求項１〜２１のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項２３】 ４００nmの光に対して、ハフニウム酸
化窒化物の屈折率が２．５〜２．８である 請求項２２に記載の積層基板。 - 【請求項２４】 ハフニウム酸化窒化物の屈折率が２．
５〜２．８であり、かつ消光定数Ｋが０．０２以下、好
ましくは０．０１以下である 請求項２２に記載の積層基板。 - 【請求項２５】 さらに少なくとも１層のハフニウム窒
化物層が設けられている 請求項２２に記載の積層基板。 - 【請求項２６】 少なくとも酸化窒化物層が反応性蒸着
法、好ましくは反応性イオンプレーティングまたは反応
性スパッタリングによって形成されている 請求項１〜２５のいずれかに記載の積層基板。 - 【請求項２７】 板の透視領域、好ましくは自動車の窓
ガラス、特に自動車の風防ガラスに使用する 請求項１〜２６のいずれかに記載の積層基板の使用方
法。 - 【請求項２８】 反応性蒸着法によって、少なくとも２
つのガスを、所定の比で反応室に導入し、基材の上に反
応生成物の層を設ける方法であって、 ２つのガスを所定の比で容器に導入し、この容器は、１
つのガスによって規定される時間、好ましくは１２時間
以上放置した後に、始めて反応室と連結して、反応を行
わせることを特徴とする方法。 - 【請求項２９】 イオンプレーティング装置によってハ
フニウム酸化窒化物の層を製造する、請求項２８に記載
の方法であって、 装置内のアルゴン圧力を３・１０-4mbarに保持し、装置
内の酸素の分圧を５・１０-4mbarに調節し、 酸素−窒素の混合比を酸素２２重量％、窒素７８重量％
とし、かつ好ましくは積層速度を０．３nm／sec に調節
する 請求項２８に記載の方法。 - 【請求項３０】 反応性積層方法によって、同一の固体
成分からなる異なる物質の少なくとも２層を素材に積層
する方法であって、２つの層のために同一の固体物質を
１つの蒸発源から蒸発させ、工程を中断することなく、
この工程に導入する反応ガスを少なくとも変えることに
よって、第２の層を第１の層の上に形成することを特徴
とする基材への積層方法。 - 【請求項３１】 固体物質が金属、好ましくはハフニウ
ムであり、かつ層が金属酸化窒化物および金属窒化物か
らなる 請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】 反応室、ガス導入設備、反応ガス混合
物を導入するための少なくとも１つの反応ガス導入設
備、および反応室にエネルギーを供給するエネルギー導
入手段を有する、請求項２８〜３０のいずれかに記載の
方法を実施する装置であって、 反応ガス導入設備が、反応ガス混合物の容器と、容器の
なかの反応ガス混合物をその混合比を変えずに反応室に
導入する導入設備とを有することを特徴とする装置。 - 【請求項３３】 イオンプレーティング装置であって、
反応エネルギー導入手段が少なくとも１つの電子線蒸発
源と放電空間とを有する 請求項３２に記載の装置。 - 【請求項３４】 スパッタリング装置であって、蒸発装
置が放電空間にあるターゲット対象物によって形成され
ている 請求項３２に記載の装置。 - 【請求項３５】 ４００nm、好ましくは４００〜１００
０nmの全領域の光に対して、屈折率が２．６〜２．８で
あり、消光定数Ｋが０．０２以下、好ましくは０．０１
以下であることを特徴とするハフニウム酸化窒化物。 - 【請求項３６】 請求項２８〜３０の少なくとも１つの
方法によって製造された 請求項３５に記載のハフニウム酸化窒化物。 - 【請求項３７】 式ＨｆＯX ＮY で表され、式中、Ｘ／
Ｙの比が １．５≦Ｘ／Ｙ≦３ 好ましくは １．５≦Ｘ／Ｙ≦２ さらに好ましくは １．６≦Ｘ／Ｙ≦１．８ 特にＸ／Ｙ＝約１．７ である 請求項３５または３６に記載のハフニウム酸化窒化物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH370091 | 1991-12-13 | ||
| CH03700/91-2 | 1991-12-13 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05254887A true JPH05254887A (ja) | 1993-10-05 |
Family
ID=4261645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4332794A Ceased JPH05254887A (ja) | 1991-12-13 | 1992-12-14 | 透明な積層基板、その使用方法および積層方法、基材への積層方法および装置、ならびに酸化窒化ハフニウム |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5464683A (ja) |
| EP (1) | EP0564709B1 (ja) |
| JP (1) | JPH05254887A (ja) |
| DE (1) | DE59205177D1 (ja) |
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