JPH10163394A

JPH10163394A - 半導体リード成型装置

Info

Publication number: JPH10163394A
Application number: JP8317532A
Authority: JP
Inventors: Masayoshi Komatsu; 正義小松; Koichi Oikawa; 孝一及川
Original assignee: Toshiba Corp; Iwate Toshiba Electronics Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp; Japan Semiconductor Corp
Priority date: 1996-11-28
Filing date: 1996-11-28
Publication date: 1998-06-19

Abstract

(57)【要約】【課題】不良品の発生を可及的に減少させるととも
に、生産性を向上させることができる半導体リード成型
装置を提供する。【解決手段】半田が外装されたリード９が引き出され
ている半導体装置７を固定する成型台１と、前記リード
９を前記成型台１へ押し付けて所定形状に成型する成型
台パンチ３とを備えた半導体リード成型装置において、
成型時に前記リード９が接触移動する前記成型台１上の
領域に溝５を設け、リード９の先端が成型台１上を接触
移動した際に、剥がれた半田が溝５の部分で引きずられ
ないようにすることにより、剥がれた半田が成型台１上
のとくにリード９の曲り部分近辺に堆積しないようにし
た。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置から引
き出されているリードを、用途に応じた形状に成型する
半導体リード成型装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、パッケージされた半導体装置を
基板に実装可能にするためには、半導体装置から引き出
され、半田が外装されているリードを用途に応じた形状
に成型（フォーミング）する必要がある。このフォーミ
ング工程によって成型される形状には、図１０に示すよ
うに幾つかのタイプがあるが、その中の一つにリードを
ガルウィング（カモメの翼）状に成型するガルウィング
成型（図１０（Ｂ））がある。

【０００３】図１１（Ａ）〜（Ｃ）は、従来の半導体リ
ード成型装置によってガルウィング成型を行う場合の過
程を示す概略断面図である。

【０００４】図１１（Ａ）において、加工の対象となる
パッケージされた半導体装置７は成型台１１上に固定さ
れている。この半導体装置７からはリード９が引き出さ
れており、このリード９の全面には図示しない半田が外
装されている。また、図中リード９の上方には成型台１
１に対して昇降自在な成型パンチ３が備えられている。
なお、リード９は半導体装置７の周囲４辺からそれぞれ
引き出されているが、その構造は４辺同一であるため、
以下の説明では、そのうちの一つについて説明するもの
とする。

【０００５】まず、図１１（Ａ）の状態から同図（Ｂ）
に示すように成型パンチ３が成型台１１へ近付いてくる
と、リード９の根元付近が曲げられ、その先端が成型台
１１に接触する（図１１（Ｂ））。そして、さらに成型
パンチ３が成型台１１へ近付いてくると、成型パンチ３
によってリード９の中央から先端にかけての部分が略Ｌ
字形状に曲げられ、最終的にリード９が成型台１１に押
し付けられると、同図（Ｃ）に示すようにガルウィング
成型が完了することになる。

【０００６】ところで、ガルウィング成型の際、成型台
１１に接触したリード９の先端は、図１１（Ｂ）の位置
から図１１（Ｃ）に示す位置まで成型台１１の上を接触
したまま移動する。ここで、図１１（Ｃ）に示す接触移
動した成型台１１の領域ａの拡大図を図１２に示す。図
１２に示すように、リード９が成型台１１の上を接触移
動することにより、その表面に外装されていた半田の一
部が剥がれ落ち、その半田１３はリード９の移動ととも
に図中矢印方向に引きずられ、リードの曲り部分近辺に
堆積する。

【０００７】また、上記ガルウィング成型のほかには、
図１０（Ｃ）に示すようにリードをカール状に成型する
カーリング成型がある。

【０００８】図１３（Ａ）、（Ｂ）は、従来の半導体リ
ード成型装置においてカーリング成型を行う場合の過程
を示す概略断面図である。

【０００９】図１３はカーリング成型の最終工程を示し
ており、この前段の工程では図示しない他の成型台によ
りリード１９の根元と先端がそれぞれ９０度に曲げられ
ている。図１３（Ａ）では、半導体装置１７が成型台２
１ａと成型台２１ｂとにより上下から挟まれた状態で固
定されている。成型台２１ｂはリード１９の根元部分を
押さえることにより、成型時のリード１９の上方への移
動を規制している。

【００１０】図１３（Ａ）の状態から、同図（Ｂ）に示
すような形状をもつ成型パンチ２３が横方向から成型台
２１ａへ近付いてくると、リード１９の先端と成型パン
チ２３の成型部２３ａとが接触し、さらに成型パンチ２
３が成型台２１ａへ近付くと、リード１９の先端が略Ｊ
字形状に曲げられる。そして、最終的にリード１９が半
導体装置１７の下面に押し付けられると、図示のように
カーリング成型が完了することになる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のガルウィング成型を行う半導体リード成型装置では、
成型が完了するまでリードの先端が成型台上を接触移動
するため、リードに外装されていた半田の一部が剥がれ
落ち、成型台上のとくにリードの曲り部分近辺に堆積し
てしまう。そして、この堆積した半田は、新たに成型し
たリードにひげ状に付着し、そのリードを不良品にして
しまうという問題があった。ちなみに、ガルウィングタ
イプのリードは最終的に先端部をカットして使用するた
め、先端部に半田が付着しても問題にならないが、曲り
部分近辺に付着した半田はそのまま残ることになる。

【００１２】同様に、カーリング成型においても、成型
パンチ２３の成型部２３ａと接触したリード１９の先端
は、前記成型部２３ａの上部を接触移動するため、その
表面に外装されていた半田の一部が剥がれ落ち、前述し
たガルウィング成型の場合と同様に半田が成型部２３ａ
の上部に堆積する。とくに、図１３の構成ではリード１
９と成型部２３ａとの擦れ量が大きく、また成型部２３
ａの上部が凹形状であるために、半田が堆積しやすいも
のとなっていた。

【００１３】また、いずれの成型装置においても、この
様な不良品を防ぐために成型システムを一旦停止し、成
型台あるいは成型パンチ上に堆積した半田を除去する作
業が必要となるため、これが生産性を低下させる原因と
なっていた。

【００１４】本発明は以上のような問題に鑑みて成され
たものであり、その目的は成型台あるいは成型パンチの
上に半田が堆積しにくい構造とすることにより、不良品
の発生を可及的に減少させるとともに、生産性を向上さ
せることができる半導体リード成型装置を提供すること
にある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、半田が外
装されたリードが引き出されている半導体装置を固定す
る第１の成型台と、前記リードを前記成型台へ押し付け
て所定形状に成型する第２の成型台とを備えた半導体リ
ード成型装置において、成型時に前記リードが接触移動
する前記第１の成型台上の領域に溝を設けたことを特徴
とする。

【００１６】上記第１の発明においては、リードの先端
が成型台上を接触移動した際に、剥がれた半田がリード
の移動とともに引きずられても、溝の部分では引きずら
れることがないため、剥がれた半田が成型台上のとくに
リードの曲り部分近辺に堆積することがない。

【００１７】第２の発明は、前記第１の発明において、
前記リードの接触移動時に該リードと接触する溝の角の
少なくとも一部を曲面としたことを特徴とする。

【００１８】上記第２の発明においては、前記リードが
溝の角と接触しても、リード表面には溝の角が鋭角的に
当たることがないので、リード表面に加わる力は溝の角
が直角である場合に比べて弱くなる。

【００１９】第３の発明は、半田が外装されたリードが
引き出されている半導体装置を固定する第１の成型台
と、前記リードを所定位置に押し付けて所定形状に成型
する第２の成型台とを備えた半導体リード成型装置にお
いて、成型時に前記リードが接触移動する前記第２の成
型台上の領域に複数のガイド部材を設けたことを特徴と
する。

【００２０】上記第３の発明においては、リードが第２
の成型台により所定位置へ押し付けられる際、リードの
先端はガイド部材に案内されながら曲げられ、所定形状
に成型される。このとき、リードは複数のガイド部材の
表面を点接触により移動するため、リードとガイド部材
の表面とが接触移動する距離は従来に比べて短くなる。

【００２１】第４の発明は、前記第３の発明において、
前記ガイド部材の下方に溝を設けたことを特徴とする。

【００２２】上記第４の発明においては、剥がれ落ちた
半田は成型台上ではなく溝内に落下し、リードが接触移
動する前記第２の成型台上の領域に堆積することがな
い。

【００２３】第５の発明は、前記第３または第４の発明
において、前記ガイド部材がローラであることを特徴と
する。

【００２４】上記第５の発明においては、リードがガイ
ド部材の表面を接触移動した際に、ガイド部材としての
ローラが回動するため、ガイド部材の表面が固定的であ
る場合に比べて、接触時の衝撃が緩和される。

【００２５】第６の発明は、半田が外装されたリードが
引き出されている半導体装置を固定する第１の成型台
と、前記リードを所定位置に押し付けて所定形状に成型
する第２の成型台とを備えた半導体リード成型装置にお
いて、成型時に前記リードが接触移動する前記第２の成
型台上の領域に溝を設けたことを特徴とする。

【００２６】上記第６の発明においては、リードが成型
台上を接触移動した際、剥がれ落ちた半田は成型台上で
はなく溝内に落下し、リードが接触移動する前記第２の
成型台上の領域に堆積することがない。

【００２７】第７の発明は、前記第１ないし第６の発明
において、前記溝の一部に吸引手段を設けたことを特徴
とする。

【００２８】上記第７の発明においては、溝内に入り込
んだ半田は吸引手段により吸い取られるため、溝内は常
にクリーンな状態に保たれる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる半導体リー
ド成型装置の一実施形態を図面に基づいて説明する。

【００３０】図１（Ａ）〜（Ｃ）は、この実施形態に係
わる半導体リード成型装置によってガルウィング成型を
行う過程を示す概略断面図である。

【００３１】この半導体リード成型装置は、半導体装置
７を固定する成型台１と、この成型台１に対して昇降自
在な成型パンチ３とから構成されており、成型台１には
後述する位置に溝５が設けられている。その他の構成お
よび動作は図１１と同じであり、図１１と同等部分を同
一符号で示している。

【００３２】図２（Ａ）は上記成型台１の概略平面図、
同図（Ｂ）はその側面図である。成型台１には、図示し
ない半導体装置の周囲４辺から引き出されているリード
に対応して、各辺ごとに溝５が設けられている。また、
溝５の長手方向の中央部には図示しない孔部が設けられ
ており、後述する集塵機と接続されている。

【００３３】このような半導体リード成型装置を用いて
ガルウィング成型するには、まず図１（Ａ）のように、
成型台１上にパッケージされた半導体装置７を固定す
る。次に、図１（Ｂ）のように、成型パンチ３を下方に
移動させて成型台１へ近付けてゆく。するとリード９の
根元付近が成型パンチ３により曲げられ、その先端が溝
５の近くの成型台１に接触する。さらに図１（Ｃ）のよ
うに、成型パンチ３が成型台１へ近付いてゆくと、リー
ド９の先端近くが略Ｌ字形状に曲げられ、最終的にリー
ド９が成型台１に押し付けられてガルウィング成型が完
了する。

【００３４】ここで、図１（Ｂ）から同図（Ｃ）に至る
過程において、成型台１上に接触したリード９の先端が
接触移動し始めると、リード９の先端で剥がれた半田は
リード９の移動とともに成型台１上を引きずられるが、
溝５の部分で下方へ落下するので、剥がれた半田が成型
台１上のとくにリードの曲り部分近辺に堆積することが
ない。

【００３５】上述したように、この実施形態に係わる半
導体リード成型装置においては、剥がれた半田が成型台
１上のとくにリード９の曲り部分近辺に堆積することが
ほとんどないので、成型台１上に堆積した半田による不
良品の発生を可及的に減少させることができる。また、
成型台１上の半田を除去するために、成型システムを停
止する回数を減らすことができるため、生産性を大幅に
向上させることができる。

【００３６】次に、成型台１に設ける溝５の位置につい
て説明する。図３は、ガルウィング成型が完了したリー
ド９と成型台１との概略断面図である。

【００３７】同図において、θ₁及びθ₂は先端近くで
曲げられたリード９のそれぞれの中心軸、Ｒ₁はこれら
θ₁とθ₂との交点における曲線部のＲ（曲線部を構成
する円の半径）、Ｌ₁は前記曲線部のリード先端側の終
点をそれぞれ示している。溝５の一方の端の位置Ｌ
₂は、前記Ｌ₁の位置からＲ₁の長さを加えた位置に設
定されており、他方の端の位置Ｌ₃は図１（Ｂ）におけ
るリード９の先端が成型台１に接触した位置から曲線部
側へ１ｍｍ近い位置に設定されている。なお、リード先
端の斜線部は成型後にカットされる部分を示している。

【００３８】上記溝５の位置Ｌ₁およびＬ₂は、ガルウ
ィング成型終了後のリード９の状態を考慮して理論的に
求められたもので、このＬ₁およびＬ₂の位置を半導体
装置のリードの長さ、曲げ寸法などから求めることによ
り、それぞれの製品に応じた溝５を設けることができ
る。

【００３９】また、図３において、Ｒ₂は溝５の一方の
角に設けられた曲面のＲである。このＲは、リード９の
接触移動時に溝５の角でリード９の表面が擦られるのを
防ぐために設けられている。この曲面Ｒを設けると、リ
ード９が溝５の角と接触してもリード９の表面には溝５
の角が鋭角的に当たることがないため、リード表面に外
装されている半田は剥がれ落ちにくくなる。

【００４０】図４は、この実施形態に係わる半導体リー
ド成型装置に設けられた集塵システムの概略構成図であ
る。溝５の底面には長手方向の両端から中央部に向かっ
てそれぞれ傾斜がつけられており、中央部には溝５内に
落下した半田を回収するための孔部１５が形成されてい
る。この孔部１５の下流には集塵機１７が接続されてい
る。この集塵機１７は溝５内の空気を吸引して外部に排
出するための装置であり、空気の排出部分には吸引した
半田を捕獲する図示しないフィルタが設けられている。
この集塵システムによると、成型時に溝５内に落下した
半田は底面に設けられた傾斜に沿って中央部まで移動
し、ここでさらに集塵機１７により孔部１５から吸引さ
れ、装置外部に排出される。なお、この集塵機１７によ
る吸引は常時行われており、図１の成型パンチ３が下死
点まで下降して真空状態となったときに溝内の半田が集
塵される。このように集塵システムを設けることによっ
て、成型システムを頻繁に停止させることなしに、溝内
を常にクリーンな状態に保つことができる。

【００４１】なお、上記集塵システムではリードから剥
がれ落ちたほとんどの半田を集塵することができるが、
溝内である程度の塊となって付着している半田は集塵が
困難であるため、所定の成型回数に達した時点で成型シ
ステムを停止し、溝内に溜まった半田を除去するように
している。

【００４２】次に、半導体リード形成装置の他の実施形
態について説明する。

【００４３】図５は、この実施形態に係わる半導体リー
ド成型装置によってカーリング成型を行う過程を示す概
略断面図であり、図１３（Ｂ）と同等部分を同一符号で
示している。

【００４４】図５はカーリング成型の最終工程を示して
おり、その基本的な構成および動作は先に説明した図１
３（Ｂ）に対応している。すなわち、この半導体リード
成型装置においても、前段の工程では図示しない他の成
型台によりリード１９の根元と先端がそれぞれ９０度に
曲げられている。また、半導体装置１７は成型台２１ａ
と成型台２１ｂとにより上下から挟まれた状態で固定さ
れており、成型台２１ｂにより成型時のリード１９の上
方への移動が規制されている。そして、成型パンチ２５
が横方向から成型台２１ａへ近付いてくると、リード１
９の先端が略Ｊ字形状に曲げられ、最終的にリード１９
が半導体装置１７の下面に押し付けられると、図示のよ
うにカーリング成型が完了する。

【００４５】この実施形態の半導体リード成型装置にお
いては、成型パンチ２５の成型部２５ａにガイド部材と
して３本のローラ２７が設けられている。このローラ２
７は直径１．２mmの超硬質の金属ローラからなり、その
長手方向の両端は成型部２５ａに回動自在に支承されて
いる。また、ローラ２７は図５の部分断面図で示す図６
のように４５°間隔で配置されている。ただし、ローラ
２７の配置は実際の成型パターンに応じて決定される。

【００４６】また、ローラ２７の下方には溝２９が形成
されている。この溝２９は、成型パンチ２５の概略平面
図である図７に示すように、それぞれのローラ間に開口
しており、成型時にリード１９から剥がれた半田が回収
されるように構成されている。この実施形態において
も、溝２９の底面には図示しない孔部が形成されてお
り、図４に示した集塵システムが接続されている。な
お、図７において符号３１はローラ２７を中間部で支承
しているリブである。

【００４７】このような半導体リード成型装置を用いて
カーリング成型するには、まず成型台２１ａ上にパッケ
ージされた半導体装置１７を固定し（図１３（Ａ）参
照）、次に、上述した図５に示すような形状をもつ成型
パンチ２５を横方向から成型台２１ａへ近付けてゆく。
するとリード１９の先端と成型パンチ２５の成型部２５
ａとが接触し、さらに成型パンチ２５が成型台２１ａへ
近付くと、リード１９の先端が略Ｊ字形状に曲げられ
る。

【００４８】ここで、リード１９は成型パンチ２５に設
けられたローラ２７と接触するが、リード１９は各ロー
ラ２７の表面を点接触により移動するため、リード１９
とローラ２７の表面が接触移動する距離は、従来のよう
にリードと成型部とが面接触しながら移動する場合に比
べて短くなる。また、接触時にはそれぞれのローラ２７
が回動するため、ガイド部材の表面が固定的である場合
に比べて、接触時の衝撃が緩和される。これにより、成
型時にリード１９に外装されている半田の剥がれ落ちる
量は、図１３に示す従来例に比べて大幅に少なくなる。

【００４９】さらに、リード１９から剥がれ落ちた半田
のほとんどはローラ２７の下方に設けられた溝２９内に
落下して、成型部２５ａ上に堆積することがほとんどな
いため（ローラ２７表面にはごく僅かの半田が付着す
る）、成型パンチ上に堆積した半田を除去するために、
成型システムを停止する回数が少なくなり、生産性を大
幅に向上させることができる。

【００５０】上述したように、この実施形態に係わる半
導体リード成型装置においては、成型時にリード１９表
面から半田を剥がれ落ちにくくすることができるので、
成型部２５ａに堆積した半田による不良品の発生を可及
的に減少させることができる。また、この実施形態にお
いても、図示しない集塵システムにより半田を集塵する
ことによって、成型システムを頻繁に停止させることな
しに、溝内を常にクリーンな状態に保つことができる。

【００５１】なお、上記集塵システムではリード１９か
ら剥がれ落ちたほとんどの半田を集塵することができる
が、ローラ２７の表面に付着した半田や溝内にある程度
の塊となって付着している半田は集塵が困難であるた
め、所定の成型回数に達した時点で成型システムを停止
し、溝内に溜まった半田を除去するようにしている。

【００５２】さらに、この実施形態においては、ガイド
部材として回動自在なローラを用いた例について説明し
たが、ガイド部材としては回動しない部材を用いること
もできるし、同等に機能し得るものであれば、その形
状、構造、寸法、配置などは適宜変更することができ
る。

【００５３】次に、この実施形態に係わる半導体リード
成型装置と従来の半導体リード成型装置との生産性につ
いて説明する。

【００５４】まず成型プロセスの共通条件として、シス
テムの１日の稼働時間を２１．７５時間、半導体装置１
個の製造に要する時間（Ｍ／Ｃインデックス）を３．５
秒、クリーニング一回当たりのシステム停止時間を０．
５Ｈ、月の稼働日数を２２日間とした。各装置における
計測結果は次のようになった。

【００５５】１．従来の半導体リード成型装置（クリーニング頻度は１回／２０００パンチ）１日当たりの生産数２２３７１個１日当たりのクリーニング回数１１．２回１日当たりのクリーニングによるロス個数５７６０個月当たりのクリーニングロス時間０．５×１１．２×２２＝１２３Ｈ月当たりのロス個数５７６０×２２＝１２６７２０個２．本実施形態の半導体リード成型装置（クリーニング頻度は１回／６０００パンチ）１日当たりの生産数２６２１３個１日当たりのクリーニング回数３．７３回１日当たりのクリーニングによるロス個数１９１８個月当たりのクリーニングロス時間０．５×３．７３×２２＝４１Ｈ月当たりのロス個数１９１８×２２＝４２２０２個なお、１日当たりのクリーニングによるロス個数とは、
クリーニングによる停止がなければ生産されたであろう
個数を示している。

【００５６】これらの結果に基づいて、従来装置と本装
置の月当たりのクリーニングロス時間を比較すると、図
８に示すように１２３Ｈ−４１Ｈ＝８２Ｈとなった。ま
た、これに基づいて両者の月当たりの生産数（ＫＰ／
月）を比較したことろ、図９に示すように５７６ＫＰ−
４９２ＫＰ＝８４ＫＰ／月となり、従来に比べて生産数
が約１７％向上することが確認された。

【００５７】

【発明の効果】第１の発明に係わる半導体リード成型装
置によれば、成型時にリードが接触移動する成型台上の
領域に溝を設けるようにしたので、リードの先端が成型
台上を接触移動した際に、剥がれた半田がリードの移動
とともに引きずられても、溝の部分では引きずられるこ
とがなくなる。したがって、剥がれた半田が成型台上の
とくにリードの曲り部分近辺へ堆積することがなくな
り、剥がれた半田がリードに付着することによる不良品
の発生を可及的に減少することができる。また、堆積し
た半田を頻繁に除去する必要がなくなるため、生産性を
大幅に向上させることができる。

【００５８】とくに第２の発明によれば、前記第１の発
明において、リードと接触する溝の角の少なくとも一部
を曲面としたので、前記リードが溝の角と接触してもリ
ード表面には溝の角が鋭角的に当たることがないため、
リード表面に外装されている半田を剥がれ落ちにくくす
ることができる。

【００５９】第３の発明によれば、成型時に前記リード
が接触移動する第２の成型台上の領域に複数のガイド部
材を設けるようにしたので、成型時にリードとガイド部
材の表面とが接触移動する距離は従来に比べて短くな
り、リード表面の半田は剥がれ落ちにくくなる。したが
って、剥がれた半田がリードに付着することによる不良
品の発生を可及的に減少することができる。また、堆積
した半田を頻繁に除去する必要がなくなるため、生産性
を大幅に向上させることができる。

【００６０】とくに第４の発明によれば、前記第３の発
明において、ガイド部材の下方に溝を設けるようにした
ので、剥がれ落ちた半田のほとんどは溝内に落下し、リ
ードが接触移動する第２の成型台上の領域に堆積するこ
とがない。したがって、剥がれ落ちた半田がリードに付
着する可能性をさらに少なくすることができる。

【００６１】また、とくに第５の発明によれば、前記第
３または第４の発明において、前記ガイド部材をローラ
により構成するようにしたので、リードがガイド部材の
表面を接触移動した際に、ガイド部材としてのローラが
回動し、ガイド部材の表面が固定的である場合に比べて
接触時の衝撃が緩和される。したがって、リード表面に
外装されている半田をさらに剥がれ落ちにくくすること
ができる。

【００６２】第６の発明によれば、成型時にリードが接
触移動する第２の成型台上の領域に溝を設けるようにし
たので、リードが成型台上を接触移動した際に剥がれ落
ちた半田のほとんどは溝内に落下し、リードが接触移動
する第２の成型台上の領域に堆積することがない。した
がって、剥がれた半田がリードに付着することによる不
良品の発生を可及的に減少することができる。また、堆
積した半田を頻繁に除去する必要がなくなるため、生産
性を大幅に向上させることができる。

【００６３】さらに第７の発明によれば、前記第１ない
し第６の発明において、前記溝の一部に吸引手段を設け
るようにしたので、溝内に入り込んだ半田はこの吸引手
段により吸い取られる。このため、溝内を常にクリーン
な状態に保つことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（Ａ）〜（Ｃ）は実施形態に係わる半導体リー
ド成型装置によってガルウィング成型を行う過程を示す
概略断面図。

【図２】（Ａ）は図１に示す成型台の概略平面図、
（Ｂ）はその側面図。

【図３】ガルウィング成型が完了したリードと成型台と
の概略断面図。

【図４】実施形態に係わる半導体リード成型装置に設け
られた集塵システムの概略構成図。

【図５】実施形態に係わる半導体リード成型装置によっ
てカーリング成型を行う過程を示す概略断面図。

【図６】図５に示すローラの部分断面図。

【図７】成型パンチの概略平面図。

【図８】従来装置と本実施形態装置の月当たりのクリー
ニングロス時間を示す説明図。

【図９】従来装置と本実施形態装置の月当たりの生産数
（ＫＰ／月）を示す説明図。

【図１０】（Ａ）〜（Ｃ）は従来からのフォーミング工
程により成型されるリードの形状を示す概略図。

【図１１】（Ａ）〜（Ｃ）は従来の半導体リード成型装
置によってガルウィング成型を行う場合の過程を示す概
略断面図。

【図１２】図１１（Ｃ）に示す領域ａの拡大図。

【図１３】（Ａ）、（Ｂ）は従来の半導体リード成型装
置においてカーリング成型を行う場合の過程を示す概略
断面図。

【符号の説明】

１、２１ａ、２１ｂ成型台３、２５成型パンチ５、２９溝７、１７半導体装置９、１９リード２５ａ成型部２７ローラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半田が外装されたリードが引き出されて
いる半導体装置を固定する第１の成型台と、前記リード
を前記成型台へ押し付けて所定形状に成型する第２の成
型台とを備えた半導体リード成型装置において、成型時に前記リードが接触移動する前記第１の成型台上
の領域に溝を設けたことを特徴とする半導体リード成型
装置。
【請求項２】前記リードの接触移動時に該リードと接
触する溝の角の少なくとも一部が曲面であることを特徴
とする請求項１記載の半導体リード成型装置。
【請求項３】半田が外装されたリードが引き出されて
いる半導体装置を固定する第１の成型台と、前記リード
を所定位置に押し付けて所定形状に成型する第２の成型
台とを備えた半導体リード成型装置において、成型時に前記リードが接触移動する前記第２の成型台上
の領域に複数のガイド部材を設けたことを特徴とする半
導体リード成型装置。
【請求項４】前記ガイド部材の下方に溝を設けたこと
を特徴とする請求項３記載の半導体リード成型装置。
【請求項５】前記ガイド部材がローラであることを特
徴とする請求項３または請求項４記載の半導体リード成
型装置。
【請求項６】半田が外装されたリードが引き出されて
いる半導体装置を固定する第１の成型台と、前記リード
を所定位置に押し付けて所定形状に成型する第２の成型
台とを備えた半導体リード成型装置において、成型時に前記リードが接触移動する前記第２の成型台上
の領域に溝を設けたことを特徴とする半導体リード成型
装置。
【請求項７】前記溝の一部に吸引手段を設けたことを
特徴とする請求項１乃至請求項６記載の半導体リード成
型装置。