JPH10172110A - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、薄膜磁気ヘッドの下部磁極層、ギ
ャップ層および上部磁極層の製造方法に関し、薄膜磁気
ヘッドの下部磁極層と上部磁極層との間のギャップ層の
寸法を一定にし、しかも上部磁極層の位置ズレによる下
部磁極層とのコアショートを防止して安定したギャップ
寸法の薄膜磁気ヘッドを製造することを目的とする。 【解決手段】 基板上の保護膜にレジストを塗布して露
光・現像した後にエッチングにより下部磁極層を形成す
る穴を堀り、当該穴の上部から下部磁極層となる磁性材
料を成膜した後、平面化を行って所望の下部磁極層を形
成し、平面化した上にギャップ層を成膜し、ギャップ層
およびギャップ層上にコイルと絶縁層とを必要層数形成
した後、上部磁極層を成膜したことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの
下部磁極層、ギャップ層および上部磁極層の製造方法に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、薄膜磁気ヘッドは、図４の（ａ）
に示すように、平面の基板上に下部磁極層を形成し、そ
の上にギャップ層を形成し、絶縁層とコイル層を必要層
数形成した後、上部磁極層を形成するという工程であっ
た。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上述した図４の（ａ）
に示すように、下部磁極層上にギャップ層を形成する
と、それ以降の各工程におけるイオンミルなどによって
図４の（ｂ）に示すように、下部磁極層のエッジ部のギ
ャップ層が削られてしまい、図４の（ｃ）に示すよう
に、当該エッジ部のギャップ層がなくなって上部磁極層
のズレのマージンがなく、上部磁極層と下部磁極層とが
ショートしたり、コア落ちが発生したりしてしまうとい
う問題があった。

【０００４】本発明は、これらの問題を解決するため、
薄膜磁気ヘッドの下部磁極層と上部磁極層との間のギャ
ップ層の寸法を一定にし、しかも上部磁極層の位置ズレ
による下部磁極層とのコアショートを防止して安定した
ギャップ寸法の薄膜磁気ヘッドを製造することを目的と
している。

【０００５】

【課題を解決するための手段】図１および図２を参照し
て課題を解決するための手段を説明する。図１および図
２において、基板１は、薄膜磁気ヘッドを成膜する基板
である。

【０００６】レジスト３は、基板１上などに塗布して露
光・現像して穴を開け、膜を成膜したり、エッチングし
たりなどするためのものである。下部磁極層４は、薄膜
磁気ヘッドを構成する下部磁極層である。

【０００７】ギャップ層５は、下部磁極層４と上部磁極
層６との間に設けるギャップ層である。上部磁極層６
は、薄膜磁気ヘッドを構成する上部磁極層である。

【０００８】次に、製造方法を説明する。基板１上の保
護膜にレジスト３を塗布して露光・現像した後にエッチ
ングにより下部磁極層４を形成する穴を堀り、当該穴の
上部から下部磁極層４となる磁性材料を成膜した後、平
面化を行って所望の下部磁極層４を形成し、平面化した
上にギャップ層５を成膜し、当該ギャップ層５およびギ
ャップ層５上にコイルと絶縁層とを必要層数形成した両
者の上に上部磁極層６を成膜するようにしている。

【０００９】この際、基板１上の保護膜にレジスト３を
塗布して露光・現像した後にエッチングにより下部磁極
層４を形成する穴を掘る際に、下部磁極層４に段差を設
けて太らすようにしている。

【００１０】また、下部磁極層４のポール部とギャップ
層５に対向する上部磁極層６のポール部との幅をいずれ
かを広く他方を狭くし、狭い方を広い方に対向させて位
置ズレの影響を無くすようにしている。

【００１１】従って、薄膜磁気ヘッドの下部磁極層４と
上部磁極層６との間のギャップ層５の寸法を一定にし、
しかも上部磁極層６の位置ズレによる下部磁極層４との
コアショートを防止して安定したギャップ寸法の薄膜磁
気ヘッドを製造することが可能となる。

【００１２】

【発明の実施の形態】次に、図１から図３を用いて本発
明の実施の形態および動作を順次詳細に説明する。

【００１３】図１は、本発明の製造方法フローチャート
を示す。図１において、Ｓ１は、基板１上にレジスト３
を塗布する。これは、後述する図２の（ａ）に示すレジ
スト３を基板１上に形成した基板保護膜２の上に全面に
塗布する。

【００１４】Ｓ２は、露光・現像する。これは、Ｓ１で
図２の（ａ）のレジスト３を基板保護膜２の上に全面に
塗布した後、下部磁極層４を形成するパターンのマスク
で露光・現像し、図２の（ａ）に示すように、レジスト
３に下部磁極層４を形成する部分のみに穴を開ける。

【００１５】Ｓ３は、ウェットエッチングする。Ｓ２の
状態でウェットエッチングを行い、図２の（ａ）に示す
ように、穴（下部磁極層４を形成する穴）を形成する。
Ｓ４は、レジストを除去する。

【００１６】Ｓ５は、導体下地膜を形成する。これは、
図２の（ａ）の状態で上から全面に薄く蒸着法などで電
気メッキするときの導体下地膜（例えばＮｉＦｅ膜）を
形成する。

【００１７】Ｓ６は、湿式メッキする。これは、導体下
地膜との間に電流を流して湿式メッキ（電気メッキ）に
より所望の厚さの下部磁極層（ＮｉＦｅ膜の下部磁極
層）を図２の（ｂ）に示すように形成する。

【００１８】Ｓ７は、平面化を行う。これは、後述する
図２の（ｃ）に示すように、平面研削により平面化を行
い、所望の厚さの下部磁極層４を穴の中に形成する。Ｓ
８は、ギャップ層を形成する。これは、Ｓ７で平面化し
た上にギャップ層を全面に図２の（ｄ）に示すように形
成する。

【００１９】Ｓ９は、絶縁層及びコイル層を必要層数を
形成する。これは、図２の（ｆ）に示すように、ギャッ
プ層５の上にコイル層、第１絶縁層などを順次必要層数
だけ積層する。

【００２０】Ｓ１０は、絶縁層を形成する。Ｓ９で必要
なコイル層と絶縁層を完了した後、上から絶縁層を形成
する。Ｓ１１は、上部磁極層を形成する。これは、図２
の（ｅ）に示すように、ギャップ層５の上、およびコイ
ル層と絶縁層を積層した上に上部磁極層６を形成する。

【００２１】以上によって、後述する図２の（ａ）ない
し（ｆ）に示すように、基板１上の基板保護膜２に穴を
堀り、この中に磁性材料を成膜して所定の厚さとなるよ
うに平面化を行い下部磁極層４を形成する。そして、平
面化された下部磁極層４の上にギャップ層５、必要層数
のコイル層と絶縁層を形成し、その上から上部磁極層６
を形成し、薄膜磁気ヘッドを製造する。これにより、下
部磁極層４が基板保護膜２の穴の中に形成して表面を平
面化してその上にギャップ層５、上部磁極層６を形成
し、薄膜磁気ヘッドの下部磁極層４と上部磁極層６との
間のギャップ層５の寸法を一定にし、しかも上部磁極層
６の位置ズレによる下部磁極層４とのコアショートを防
止することが可能となる。

【００２２】図２は、本発明の製造例（その１）を示
す。図２の（ａ）は、基板保護膜２に穴を開けた状態を
示す。これは、既述した図１のＳ３の状態であって、基
板１上に形成した基板保護膜２の上にレジスト２を塗
布、露光、現像、更にウェットエッチングして下部磁極
層５を形成する穴を開けた状態である。

【００２３】図２の（ｂ）は、下部磁極層４を成膜した
状態を示す。これは、既述した図１のＳ６の状態であっ
て、下部磁極層４を電気メッキ（湿式メッキ）で成膜し
た状態である。

【００２４】図２の（ｃ）は、下部磁極層４を所定の厚
さに平面化した状態を示す。これは、図２の（ｂ）の状
態で平面研削して少し厚めの下部磁極層４とその周囲を
平面研削して平らにしたものであって、下部磁極層４が
所望の厚さに仕上がるまで平面化を行う（ポリッシン
グ）。この時に、凹部の深さは所望のポール長寸法より
も少し深めの寸法とし必ず周囲の基板保護膜も一緒に平
面化されるようにする。これは、既述した図１のＳ７の
状態である。

【００２５】図２の（ｄ）は、図２の（ｃ）の上に全面
にアルミナなどのギャップ層を形成した状態を示す。こ
れは、図１のＳ８の状態である。図２の（ｅ）は、上部
磁極層６を形成した状態を示す。これは、図２の（ｄ）
のギャップ層５の上にコイル層と絶縁層を必要な層数形
成した後、最上部に上部磁極層６を形成した状態であ
る。図１のＳ１１の状態である。

【００２６】図２の（ｆ）は、上部磁極層６を形成した
横断面図を示す。図示のように、下部磁極層４が保護基
板膜２の穴の中に形成され、平面を平らにしている様子
が判明する。

【００２７】以上のように、基板保護膜２に穴を開けて
その中に下部磁極層４を形成して表面を平面研削し、そ
の上にギャップ層５、コイル層と絶縁層の必要な層数、
および上部磁極層６を成膜し、薄膜磁気ヘッドの下部磁
極層４と上部磁極層６との間のギャップ層５の寸法を一
定にし、しかも上部磁極層６の位置ズレによる下部磁極
層４とのコアショートを防止することが可能となる。

【００２８】図３は、本発明の製造例（その２）を示
す。これは、下部磁極層４を２段掘込した様子を示す。
図３の（ａ）は上面図を示し、図３の（ｂ）はＢ−Ｂ’
断面図を示し、図３の（ｃ）はＣ−Ｃ’断面図を示す。

【００２９】これら各図から判明するように、コイルを
積層した部分について１段掘込、更に２段掘込を行いい
わゆる磁路の太らしを行っている。この際の製造方法
は、（ｃ）に示したように、例えば１段掘込はウェット
（電界研磨）による掘り込みを行い、２段掘込はイオン
ミルによって堀り込みを行う。これらの際、それぞれレ
ジストを塗布、露光・現像した後にそれぞれ掘り込みを
行う。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板１上の保護膜にレジストを塗布して露光・現像した
後にエッチングにより下部磁極層４を形成する穴を堀
り、当該穴の上部から下部磁極層４となる磁性材料を成
膜した後、平面化を行って所望の下部磁極層４を形成
し、平面化した上にギャップ層５を成膜し、ギャップ層
５およびギャップ層５上にコイルと絶縁層とを必要層数
形成した両者の上に上部磁極層６を成膜する構成を採用
しているため、薄膜磁気ヘッドの下部磁極層４と上部磁
極層６との間のギャップ層５の寸法を一定にし、しかも
上部磁極層６の位置ズレによる下部磁極層４とのコアシ
ョートを防止して安定したギャップ寸法の薄膜磁気ヘッ
ドを製造できる。これらにより、（１） 下部磁極層と
上部磁極層との間のギャップ層の寸法を一定にでき、し
かも位置ずれなどによる両磁極層間のショートがなく、
歩留り良く磁性薄膜ヘッドを製造することが可能とな
る。

【００３１】（２） 下部磁極層を堀り込んで埋め込み
平面化したため、素子の全体の高さが低くなり露光など
が行い易くなるため、磁極層のコア幅を極力小さくする
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法フローチャートである。

【図２】本発明の製造方法（その１）である。

【図３】本発明の製造方法（その２）である。

【図４】従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１：基板 ２：基板保護膜 ３：レジスト ４：下部磁極層 ５：ギャップ ６：上部磁極層

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】薄膜磁気ヘッドの下部磁極層、ギャップ層
   および上部磁極層の製造方法において、 基板上の保護膜にレジストを塗布して露光・現像した後
   にエッチングにより下部磁極層を形成する穴を堀り、当
   該穴の上部から下部磁極層となる磁性材料を成膜した
   後、平面化を行って所望の下部磁極層を形成し、当該平
   面化した上にギャップ層を成膜し、当該ギャップ層上に
   コイルと絶縁層とを必要層数形成した後、上部磁極層を
   成膜したことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
2. 【請求項２】上記基板上の保護膜にレジストを塗布して
   露光・現像した後にエッチングにより下部磁極層を形成
   する穴を掘る際に、当該下部磁極層に段差を設けて太ら
   したことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドの
   製造方法。
3. 【請求項３】上記下部磁極層のポール部と上記ギャップ
   層に対向する上記上部磁極層のポール部との幅をいずれ
   かを広く他方を狭くし、狭い方を広い方に対向させて位
   置ズレの影響を無くしたことを特徴とする請求項１ある
   いは請求項２記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。