JPH10172862A - フィルムコンデンサ - Google Patents
フィルムコンデンサInfo
- Publication number
- JPH10172862A JPH10172862A JP8333359A JP33335996A JPH10172862A JP H10172862 A JPH10172862 A JP H10172862A JP 8333359 A JP8333359 A JP 8333359A JP 33335996 A JP33335996 A JP 33335996A JP H10172862 A JPH10172862 A JP H10172862A
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- Japan
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- film
- water
- metal thin
- metallized film
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 金属薄膜層の酸化層の厚い片面もしくは両面
蒸着メタライズドフィルムを用いることで、金属薄膜層
の腐食が抑制され、耐湿特性に優れたフィルムコンデン
サを得る。 【解決手段】 真空蒸着法や、イオンプレーティング法
等により得られる、片面もしくは両面蒸着フィルムを水
に浸した後乾燥させることにより、高分子フィルムに形
成されているアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属
薄膜層１４の表面と、特に高分子フィルム１７との界面
付近のアルミニウム（Ａｌ）の酸化層１８を厚くするこ
とで、金属薄膜層の腐食を抑制し、フィルムコンデンサ
の耐湿特性を向上させる。
蒸着メタライズドフィルムを用いることで、金属薄膜層
の腐食が抑制され、耐湿特性に優れたフィルムコンデン
サを得る。 【解決手段】 真空蒸着法や、イオンプレーティング法
等により得られる、片面もしくは両面蒸着フィルムを水
に浸した後乾燥させることにより、高分子フィルムに形
成されているアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属
薄膜層１４の表面と、特に高分子フィルム１７との界面
付近のアルミニウム（Ａｌ）の酸化層１８を厚くするこ
とで、金属薄膜層の腐食を抑制し、フィルムコンデンサ
の耐湿特性を向上させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子部品の１つであ
るフィルムコンデンサに関するものである。
るフィルムコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、フィルムコンデンサに用いられる
メタライズドフィルムは一例として特開平３−２４１８
０８に開示されている。従来より用いられているメタラ
イズドフィルムを図３に示しており、図３に示すように
高分子フィルム１７の両面に真空蒸着法や、イオンプレ
−ティング法等によりアルミニウム（Ａｌ）を主成分と
する金属薄膜層１４と金属薄膜層のない部分であるマ−
ジン１５及び１６を形成したメタライズドフィルム２を
用いている。この従来から用いられている前記メタライ
ズドフィルム２に形成されているアルミニウム（Ａｌ）
を主成分とする金属薄膜層１４はその表面に大気中での
自然酸化による金属酸化層１９のみの酸化層を有してい
た。
メタライズドフィルムは一例として特開平３−２４１８
０８に開示されている。従来より用いられているメタラ
イズドフィルムを図３に示しており、図３に示すように
高分子フィルム１７の両面に真空蒸着法や、イオンプレ
−ティング法等によりアルミニウム（Ａｌ）を主成分と
する金属薄膜層１４と金属薄膜層のない部分であるマ−
ジン１５及び１６を形成したメタライズドフィルム２を
用いている。この従来から用いられている前記メタライ
ズドフィルム２に形成されているアルミニウム（Ａｌ）
を主成分とする金属薄膜層１４はその表面に大気中での
自然酸化による金属酸化層１９のみの酸化層を有してい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、フィルムコン
デンサの使用条件が厳しくなるとともに信頼性向上の要
望が強くなってきた。従来から提案されているアルミニ
ウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄膜層を形成したメタ
ライズドフィルムは、金属薄膜層に形成される自然酸化
による金属酸化層の厚さでは、メタライズドフィルムを
用いたフィルムコンデンサの耐湿性の高性能化には不十
分であり、金属薄膜層を形成しているアルミニウム（Ａ
ｌ）は、水和物（Ａｌ2 Ｏ3 ・６Ｈ2 Ｏ）のように水を
取り込みアルミニウム（Ａｌ）の腐食を早め、金属薄膜
層の消失を引き起こし、静電容量低下等の特性が損なわ
れる課題があった。
デンサの使用条件が厳しくなるとともに信頼性向上の要
望が強くなってきた。従来から提案されているアルミニ
ウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄膜層を形成したメタ
ライズドフィルムは、金属薄膜層に形成される自然酸化
による金属酸化層の厚さでは、メタライズドフィルムを
用いたフィルムコンデンサの耐湿性の高性能化には不十
分であり、金属薄膜層を形成しているアルミニウム（Ａ
ｌ）は、水和物（Ａｌ2 Ｏ3 ・６Ｈ2 Ｏ）のように水を
取り込みアルミニウム（Ａｌ）の腐食を早め、金属薄膜
層の消失を引き起こし、静電容量低下等の特性が損なわ
れる課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明はアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄
膜層を形成したメタライズドフィルムを水に浸した後、
乾燥して、金属薄膜層の表面や、高分子フィルムとの界
面部分のアルミニウム（Ａｌ）の酸化層を従来のメタラ
イズドフィルムに比べて厚くした水処理メタライズドフ
ィルムをフィルムコンデンサに用いたものである。
に本発明はアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄
膜層を形成したメタライズドフィルムを水に浸した後、
乾燥して、金属薄膜層の表面や、高分子フィルムとの界
面部分のアルミニウム（Ａｌ）の酸化層を従来のメタラ
イズドフィルムに比べて厚くした水処理メタライズドフ
ィルムをフィルムコンデンサに用いたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、高分子フィルムの少なくとも一つの面に真空蒸着法
や、イオンプレ−ティング法等によりアルミニウム（Ａ
ｌ）を主成分とする金属薄膜層を形成した後に、前記メ
タライズドフィルムを水に浸した後乾燥して、金属薄膜
層を形成しているアルミニウム（Ａｌ）の表面や高分子
フィルムとの界面部分の酸化層を厚くした水処理メタラ
イズドフィルムを用いることにより、耐湿特性を向上さ
せたフィルムコンデンサである。
は、高分子フィルムの少なくとも一つの面に真空蒸着法
や、イオンプレ−ティング法等によりアルミニウム（Ａ
ｌ）を主成分とする金属薄膜層を形成した後に、前記メ
タライズドフィルムを水に浸した後乾燥して、金属薄膜
層を形成しているアルミニウム（Ａｌ）の表面や高分子
フィルムとの界面部分の酸化層を厚くした水処理メタラ
イズドフィルムを用いることにより、耐湿特性を向上さ
せたフィルムコンデンサである。
【０００６】請求項２に記載の発明は、高分子フィルム
がポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレ−
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥＮ）、
ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）であることを特
徴としたものであり、これらの高分子フィルムを用いる
ことによりコンデンサの諸特性を満足し、かつ耐湿性の
優れたフィルムコンデンサを得ることができるものであ
る。
がポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレンテレフタレ−
ト（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレ−ト（ＰＥＮ）、
ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）であることを特
徴としたものであり、これらの高分子フィルムを用いる
ことによりコンデンサの諸特性を満足し、かつ耐湿性の
優れたフィルムコンデンサを得ることができるものであ
る。
【０００７】以下本発明の実施の形態について、図１か
ら図４を用いて説明する。図３は真空蒸着法により製作
されたメタライズドフィルムの断面図を示し、図３にお
いてメタライズドフィルム２は、ポリエチレンテレフタ
レ−ト（以降ＰＥＴ）からなる高分子フィルム１７の両
面にそれぞれアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする、自
然酸化で形成された酸化層１９で覆われたアルミニウム
（Ａｌ）の金属薄膜層１４と金属薄膜層１４のない部分
であるマ−ジン１５及び１６から構成されている。
ら図４を用いて説明する。図３は真空蒸着法により製作
されたメタライズドフィルムの断面図を示し、図３にお
いてメタライズドフィルム２は、ポリエチレンテレフタ
レ−ト（以降ＰＥＴ）からなる高分子フィルム１７の両
面にそれぞれアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする、自
然酸化で形成された酸化層１９で覆われたアルミニウム
（Ａｌ）の金属薄膜層１４と金属薄膜層１４のない部分
であるマ−ジン１５及び１６から構成されている。
【０００８】図１は本発明のフィルムコンデンサを製作
するための水処理メタライズドフィルム１２を得るため
の水処理方法を示す。図３に示す真空蒸着法により製作
されたメタライズドフィルム２は巻き出し軸１より巻き
出され、フリ−ロ−ル３を経て槽６に設けられているフ
リーロール４及び５の間で槽６に蓄えられている水７に
浸される。この後水に浸されたメタライズドフィルム８
は、フリ−ロ−ル９を経て乾燥炉１１に入り、８０℃に
昇温された空気１０によりメタライズドフィルム表面上
の水分を乾燥除去して、従来メタライズドフィルムの金
属酸化層よりも厚い酸化層を有する水処理メタライズド
フィルム１２を得て、巻き取り軸１３に巻き取る。図中
に示されている矢印はメタライズドフィルムの走行方向
を示す。
するための水処理メタライズドフィルム１２を得るため
の水処理方法を示す。図３に示す真空蒸着法により製作
されたメタライズドフィルム２は巻き出し軸１より巻き
出され、フリ−ロ−ル３を経て槽６に設けられているフ
リーロール４及び５の間で槽６に蓄えられている水７に
浸される。この後水に浸されたメタライズドフィルム８
は、フリ−ロ−ル９を経て乾燥炉１１に入り、８０℃に
昇温された空気１０によりメタライズドフィルム表面上
の水分を乾燥除去して、従来メタライズドフィルムの金
属酸化層よりも厚い酸化層を有する水処理メタライズド
フィルム１２を得て、巻き取り軸１３に巻き取る。図中
に示されている矢印はメタライズドフィルムの走行方向
を示す。
【０００９】図２に図１の水処理により得られた水処理
メタライズドフィルム１２の断面図を示す。前記水処理
メタライズドフィルム１２はＰＥＴフィルムの両面にア
ルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄膜層１４とマ
−ジン１５、１６から構成されている。この水処理メタ
ライズドフィルム１２における金属薄膜層１４の水処理
効果により従来のアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする
金属薄膜層に比べて厚い金属酸化層１８を有している。
メタライズドフィルム１２の断面図を示す。前記水処理
メタライズドフィルム１２はＰＥＴフィルムの両面にア
ルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄膜層１４とマ
−ジン１５、１６から構成されている。この水処理メタ
ライズドフィルム１２における金属薄膜層１４の水処理
効果により従来のアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする
金属薄膜層に比べて厚い金属酸化層１８を有している。
【００１０】図５及び図６に従来からのメタライズドフ
ィルムと、本発明フィルムコンデンサに用いる水処理メ
タライズドフィルムのＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）
によるデプスプロファイルを比較して示す。Ｘ線光電子
分光分析（ＥＳＣＡ）は試料の深さ方向の元素別に原子
濃度が測定できるものであり、プロファイル中炭素
（Ｃ）濃度が一定の濃度以上となる深さが高分子フィル
ム部分である。図５の従来メタライズドフィルムでは表
面からの深さ０〜８（ｎｍ）と、４０〜５５（ｎｍ）で
酸素がが多く検出されていることが分かる。また、アル
ミニウム（Ａｌ）金属は深さ８（ｎｍ）〜４０（ｎｍ）
間で原子濃度が高く倹出されている。一方、図６に示す
水処理メタライズドフィルムでは、表面からの深さが０
〜９（ｎｍ）、３８〜５７（ｎｍ）に酸素が多く検出さ
れ、アルミニウム（Ａｌ）金属は深さが９（ｎｍ）〜３
８（ｎｍ）間で原子濃度が高く倹出されていることがわ
かる。さらに、酸素濃度については図５の従来メタライ
ズドフィルムに比べて図６の水処理メタライズドフィル
ムの方がピーク値が高く従来メタライズドフィルムに比
べてより多く酸素が検出されることが分かる。これらの
ことより水処理メタライズドフィルムのアルミニウム
（Ａｌ）金属薄膜層の表面や高分子フィルムとの界面の
金属酸化層が厚くなっていることが認められる。図５、
図６で縦軸は原子濃度（％）、横軸は金属薄膜層表面か
らの深さ（ｎｍ）である。
ィルムと、本発明フィルムコンデンサに用いる水処理メ
タライズドフィルムのＸ線光電子分光分析（ＥＳＣＡ）
によるデプスプロファイルを比較して示す。Ｘ線光電子
分光分析（ＥＳＣＡ）は試料の深さ方向の元素別に原子
濃度が測定できるものであり、プロファイル中炭素
（Ｃ）濃度が一定の濃度以上となる深さが高分子フィル
ム部分である。図５の従来メタライズドフィルムでは表
面からの深さ０〜８（ｎｍ）と、４０〜５５（ｎｍ）で
酸素がが多く検出されていることが分かる。また、アル
ミニウム（Ａｌ）金属は深さ８（ｎｍ）〜４０（ｎｍ）
間で原子濃度が高く倹出されている。一方、図６に示す
水処理メタライズドフィルムでは、表面からの深さが０
〜９（ｎｍ）、３８〜５７（ｎｍ）に酸素が多く検出さ
れ、アルミニウム（Ａｌ）金属は深さが９（ｎｍ）〜３
８（ｎｍ）間で原子濃度が高く倹出されていることがわ
かる。さらに、酸素濃度については図５の従来メタライ
ズドフィルムに比べて図６の水処理メタライズドフィル
ムの方がピーク値が高く従来メタライズドフィルムに比
べてより多く酸素が検出されることが分かる。これらの
ことより水処理メタライズドフィルムのアルミニウム
（Ａｌ）金属薄膜層の表面や高分子フィルムとの界面の
金属酸化層が厚くなっていることが認められる。図５、
図６で縦軸は原子濃度（％）、横軸は金属薄膜層表面か
らの深さ（ｎｍ）である。
【００１１】図４（ａ），（ｂ）に水処理メタライズド
フィルムを用いて製作されてフィルムコンデンサの１概
要例を示す。金属薄膜層を形成していない高分子フィル
ムを合わせフィルム２６として、水処理メタライズドフ
ィルムと交互に積層し積層フィルムコンデンサ積層体を
得る。前記素子体の両端部に外部引き出し電極となるメ
タリコン２０、２１を溶射形成した後リ−ド線２２、２
３を設けて積層フィルムコンデンサ素子を得た後、必要
な外装加工をしてフィルムコンデンサを製作した。図４
（ａ）は積層フィルムコンデンサ素子の構造断面図、図
４（ｂ）は積層体の模式図である。
フィルムを用いて製作されてフィルムコンデンサの１概
要例を示す。金属薄膜層を形成していない高分子フィル
ムを合わせフィルム２６として、水処理メタライズドフ
ィルムと交互に積層し積層フィルムコンデンサ積層体を
得る。前記素子体の両端部に外部引き出し電極となるメ
タリコン２０、２１を溶射形成した後リ−ド線２２、２
３を設けて積層フィルムコンデンサ素子を得た後、必要
な外装加工をしてフィルムコンデンサを製作した。図４
（ａ）は積層フィルムコンデンサ素子の構造断面図、図
４（ｂ）は積層体の模式図である。
【００１２】このようにして水処理メタライズドフィル
ムを用いて作製された本発明フィルムコンデンサと、従
来メタライズドフィルムを用いて作製されたフィルムコ
ンデンサを、温度６０℃、湿度９５％、印加電圧がフィ
ルム１（μｍ）当たり４９（ｖ）の条件下で耐湿負荷寿
命試験を行った結果を図７に示してある。
ムを用いて作製された本発明フィルムコンデンサと、従
来メタライズドフィルムを用いて作製されたフィルムコ
ンデンサを、温度６０℃、湿度９５％、印加電圧がフィ
ルム１（μｍ）当たり４９（ｖ）の条件下で耐湿負荷寿
命試験を行った結果を図７に示してある。
【００１３】図７においてａは両面蒸着、水処理メタラ
イズドフィルムを用いて作製された本発明フィルムコン
デンサ例、ｂは両面蒸着、水処理メタライズドフィルム
を用いいて作製された本発明フィルムコンデンサ例、ｃ
は従来メタライズドフィルムを用いて作製されたフィル
ムコンデンサ例である。
イズドフィルムを用いて作製された本発明フィルムコン
デンサ例、ｂは両面蒸着、水処理メタライズドフィルム
を用いいて作製された本発明フィルムコンデンサ例、ｃ
は従来メタライズドフィルムを用いて作製されたフィル
ムコンデンサ例である。
【００１４】図７から明らかなように、水処理メタライ
ズドフィルムを用いて製作された本発明フィルムコンデ
ンサの容量変化は、従来メタライズドフィルムを用いた
フィルムコンデンサに比べて長い経過時間でも少なく、
耐湿性が向上していることが認められる。
ズドフィルムを用いて製作された本発明フィルムコンデ
ンサの容量変化は、従来メタライズドフィルムを用いた
フィルムコンデンサに比べて長い経過時間でも少なく、
耐湿性が向上していることが認められる。
【００１５】
【発明の効果】以上のように蒸着メタライズドフィルム
を水に浸し、乾燥して金属薄膜層の酸化層を厚くした水
処理メタライズドフィルムを用いた本発明フィルムコン
デンサは、金属薄膜層の腐食が抑制され、耐湿特性に優
れたコンデンサを得ることができる。また、本発明は簡
単な方法により製造ができるため工業的価値が大きく安
価に高耐湿フィルムコンデンサが提供できるものであ
る。
を水に浸し、乾燥して金属薄膜層の酸化層を厚くした水
処理メタライズドフィルムを用いた本発明フィルムコン
デンサは、金属薄膜層の腐食が抑制され、耐湿特性に優
れたコンデンサを得ることができる。また、本発明は簡
単な方法により製造ができるため工業的価値が大きく安
価に高耐湿フィルムコンデンサが提供できるものであ
る。
【００１６】なお、本発明の実施の形態を説明するに当
たり、水処理について水に浸すとしたがこれらに限定さ
れるものではなく、噴霧、高湿雰囲気により水が付着す
ると同様の効果が得られることは明らかであり、水温が
高くなると反応速度が早まり効率のよい生産ができる。
また具体的な材料、数値を記述したがこれは本発明の詳
細を説明するためのものであり、本発明はこれに限るも
のではない。
たり、水処理について水に浸すとしたがこれらに限定さ
れるものではなく、噴霧、高湿雰囲気により水が付着す
ると同様の効果が得られることは明らかであり、水温が
高くなると反応速度が早まり効率のよい生産ができる。
また具体的な材料、数値を記述したがこれは本発明の詳
細を説明するためのものであり、本発明はこれに限るも
のではない。
【図１】本発明に用いた水処理メタライズドフィルムを
得る工程を示す図
得る工程を示す図
【図２】水処理メタライズドフィルムの断面図
【図３】従来メタライズドフィルムの断面図
【図４】（ａ）本発明積層フィルムコンデンサ素子の構
造断面図 （ｂ）積層体の模式図
造断面図 （ｂ）積層体の模式図
【図５】従来メタライズドフィルムのＸ線光電子分光分
析によるデプスプロファイルを示す図
析によるデプスプロファイルを示す図
【図６】水処理メタライズドフィルムのＸ線光電子分光
分析によるデプスプロファイルを示す図
分析によるデプスプロファイルを示す図
【図７】本発明フィルムコンデンサ及び、従来例フィル
ムコンデンサの耐湿寿命試験結果を示す図
ムコンデンサの耐湿寿命試験結果を示す図
１ 巻き出し軸 ２ 従来メタライズドフィルム ３，４，５，９ フリーロール ６ 槽 ７ 水 ８ メタライズドフィルム １０ 空気 １１ 乾燥炉 １２ 水処理メタライズドフィルム １３ 巻き取り軸 １４ 金属薄膜層 １５，１６ マージン １７ 高分子フィルム １８ 金属酸化層 １９ 金属酸化層 ２０，２１ メタリコン ２２，２３ リード線 ２４，２５ 補強層 ２６ 金属薄膜層を形成しない高分子フィルム（合わせ
フィルム）
フィルム）
Claims (2)
- 【請求項１】 高分子フィルムを誘電体としたフィルム
コンデンサで、高分子フィルムの片面、もしくは両面に
真空蒸着法や、イオンプレーティング法等により内部電
極となるアルミニウム（Ａｌ）を主成分とする金属薄膜
層を形成したメタライズドフィルムを用いたフィルムコ
ンデンサにおいて、前記メタライズドフィルムを水に浸
した後、乾燥した水処理メタライズドフィルムを用いた
ことを特徴とするフィルムコンデンサ。 - 【請求項２】 高分子フィルムがポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）、ポリエチレンテレフタレ−ト（ＰＥＴ）、ポリエ
チレンナフタレ−ト（ＰＥＮ）、ポリフェニレンスルフ
ァイド（ＰＰＳ）であることを特徴とする請求項１記載
のフィルムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333359A JPH10172862A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | フィルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8333359A JPH10172862A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | フィルムコンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10172862A true JPH10172862A (ja) | 1998-06-26 |
Family
ID=18265237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8333359A Pending JPH10172862A (ja) | 1996-12-13 | 1996-12-13 | フィルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10172862A (ja) |
-
1996
- 1996-12-13 JP JP8333359A patent/JPH10172862A/ja active Pending
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