JPH1018026A - 酸化物膜の作製方法 - Google Patents
酸化物膜の作製方法Info
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- JPH1018026A JPH1018026A JP17503496A JP17503496A JPH1018026A JP H1018026 A JPH1018026 A JP H1018026A JP 17503496 A JP17503496 A JP 17503496A JP 17503496 A JP17503496 A JP 17503496A JP H1018026 A JPH1018026 A JP H1018026A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空蒸着法において、スプラッシュの発生が
抑制された又は発生なしに酸化物膜の高速成膜を可能に
すること。 【解決手段】 酸化物蒸発材料を用いて真空蒸着により
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として３
ｍｍ以上の粒径を有する酸化物を使用して蒸発を行い、
酸化物膜を蒸着せしめる。
抑制された又は発生なしに酸化物膜の高速成膜を可能に
すること。 【解決手段】 酸化物蒸発材料を用いて真空蒸着により
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として３
ｍｍ以上の粒径を有する酸化物を使用して蒸発を行い、
酸化物膜を蒸着せしめる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、真空蒸着により酸
化物膜を作製する方法に関し、詳細には、所定の寸法を
有する酸化物蒸発材料を用いて、真空蒸着により、スプ
ラッシュの発生が抑制された又は発生なしに誘電体保護
酸化物膜を作製する方法に関する。
化物膜を作製する方法に関し、詳細には、所定の寸法を
有する酸化物蒸発材料を用いて、真空蒸着により、スプ
ラッシュの発生が抑制された又は発生なしに誘電体保護
酸化物膜を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＭｇＯ膜は長寿命であり且つ放電特性に
優れていることから、ＡＣ−型プラズマディスプレイ
（以下、「ＰＤＰ」と称する）用の誘電体保護膜として
用いられ、かかるＭｇＯ膜は、真空蒸着法によって作製
されるのが一般的である。
優れていることから、ＡＣ−型プラズマディスプレイ
（以下、「ＰＤＰ」と称する）用の誘電体保護膜として
用いられ、かかるＭｇＯ膜は、真空蒸着法によって作製
されるのが一般的である。
【０００３】近年、ＰＤＰメーカーでは、優れた放電特
性を示すＭｇＯ膜を得るために、ＭｇＯ膜の作製法とし
て、真空蒸着法を採用し、その量産体制を検討してい
る。かかるＭｇＯ膜を作製するための蒸発原料として、
１ｍｍ以上且つ３ｍｍ未満程度の粒径に破砕したＭｇＯ
結晶粒、又は、ＭｇＯ粉を焼き固めて作製した焼結品等
の蒸発材料を使用することは知られている。
性を示すＭｇＯ膜を得るために、ＭｇＯ膜の作製法とし
て、真空蒸着法を採用し、その量産体制を検討してい
る。かかるＭｇＯ膜を作製するための蒸発原料として、
１ｍｍ以上且つ３ｍｍ未満程度の粒径に破砕したＭｇＯ
結晶粒、又は、ＭｇＯ粉を焼き固めて作製した焼結品等
の蒸発材料を使用することは知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たような従来の蒸発材料を電子ビーム蒸発源を使用して
電子銃によって加熱し、ＭｇＯの真空蒸着を行う場合
に、電子銃の加熱電力を大きくして、析出速度を大きく
しようとすると、蒸発の過程で、蒸発材料からのスプラ
ッシュが生じ、得られた膜に粒子が付着し、不良品が発
生するため、析出速度を大きくすることができないとい
う欠点があり、その解決が望まれていた。
たような従来の蒸発材料を電子ビーム蒸発源を使用して
電子銃によって加熱し、ＭｇＯの真空蒸着を行う場合
に、電子銃の加熱電力を大きくして、析出速度を大きく
しようとすると、蒸発の過程で、蒸発材料からのスプラ
ッシュが生じ、得られた膜に粒子が付着し、不良品が発
生するため、析出速度を大きくすることができないとい
う欠点があり、その解決が望まれていた。
【０００５】上記したスプラッシュとは、ここでは以下
のような現象を意味する。通常、電子ビーム加熱により
真空中で金属又は酸化物等を蒸発させる際、蒸発原料
は、その融点を超える程度の温度になると蒸気となり、
均一な原子のオーダー（数Å）で蒸発が始まる。スプラ
ッシュとは、このような蒸発の過程の際に、加熱中の何
らかの原因（例えば、熱衝撃、静電荷チャージアップ等
による材料中に含まれる気泡の爆発）によって、蒸発原
料から、均一な蒸気流に混じって、数μｍ〜１００μｍ
程度の目に見える大きさの塊状のものが突沸して、飛び
出す現象をいい、微細なデバイスを作る上での問題とな
っている。かかる現象は、通常、酸化物の蒸着中に多く
発生しやすく、ＭｇＯ等の高融点の酸化物の場合、蒸発
材料中の吸蔵ガス、特に熱伝導が悪いこと、及び電荷の
チャージアップ（静電気）が発生すること等が原因では
ないかと考えられる。
のような現象を意味する。通常、電子ビーム加熱により
真空中で金属又は酸化物等を蒸発させる際、蒸発原料
は、その融点を超える程度の温度になると蒸気となり、
均一な原子のオーダー（数Å）で蒸発が始まる。スプラ
ッシュとは、このような蒸発の過程の際に、加熱中の何
らかの原因（例えば、熱衝撃、静電荷チャージアップ等
による材料中に含まれる気泡の爆発）によって、蒸発原
料から、均一な蒸気流に混じって、数μｍ〜１００μｍ
程度の目に見える大きさの塊状のものが突沸して、飛び
出す現象をいい、微細なデバイスを作る上での問題とな
っている。かかる現象は、通常、酸化物の蒸着中に多く
発生しやすく、ＭｇＯ等の高融点の酸化物の場合、蒸発
材料中の吸蔵ガス、特に熱伝導が悪いこと、及び電荷の
チャージアップ（静電気）が発生すること等が原因では
ないかと考えられる。
【０００６】そこで、本発明の目的は、かかる従来技術
の欠点を改善して、スプラッシュの発生が抑制された又
は発生なしに酸化物膜の高速成膜を可能にする方法を提
供することにある。
の欠点を改善して、スプラッシュの発生が抑制された又
は発生なしに酸化物膜の高速成膜を可能にする方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、酸化物
蒸発材料を用いて真空蒸着により酸化物膜を作製する方
法において、該蒸発材料として一般に３ｍｍ以上の粒径
を有する酸化物を使用して蒸発を行い、酸化物膜を蒸着
せしめる。
蒸発材料を用いて真空蒸着により酸化物膜を作製する方
法において、該蒸発材料として一般に３ｍｍ以上の粒径
を有する酸化物を使用して蒸発を行い、酸化物膜を蒸着
せしめる。
【０００８】前記蒸発材料は、好ましくは４ｍｍ以上、
さらに好ましくは７ｍｍ以上の粒径を有する酸化物であ
る。上限値は、特に制限されないが、蒸発源において蒸
発材料を収容する容器、例えば、通常の電子ビーム蒸発
源で用いるハース内に供給され、収納されうる最大寸法
以下のものであればよい。
さらに好ましくは７ｍｍ以上の粒径を有する酸化物であ
る。上限値は、特に制限されないが、蒸発源において蒸
発材料を収容する容器、例えば、通常の電子ビーム蒸発
源で用いるハース内に供給され、収納されうる最大寸法
以下のものであればよい。
【０００９】前記粒子は、例えば、電融して、結晶成長
させた一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）
から、ユンボー等によって不揃いの形状に破砕して得ら
れたものであって、通常表面の凹凸が激しいものであ
る。
させた一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）
から、ユンボー等によって不揃いの形状に破砕して得ら
れたものであって、通常表面の凹凸が激しいものであ
る。
【００１０】また、酸化物蒸発材料は、ブロック材、例
えば一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）か
ら、ダイヤモンドカッター等によって所定の大きさに切
り出したブロック材であって、その表面が比較的平滑な
ものであってもよい。その寸法は特に制限されないが、
蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に収納されう
る最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロック材であれ
ばよく、１つでも又は２つ以上を組合せて用いてもよ
い。例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース内
に供給され、収納されうる最大寸法以下の寸法として、
例えば、２０×２０×２０ｍｍ〜５０×４０×４０ｍｍ
程度の範囲内の酸化物ブロック材が使用されうる。
えば一つの塊状の酸化物結晶（例えば、ＭｇＯ結晶）か
ら、ダイヤモンドカッター等によって所定の大きさに切
り出したブロック材であって、その表面が比較的平滑な
ものであってもよい。その寸法は特に制限されないが、
蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に収納されう
る最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロック材であれ
ばよく、１つでも又は２つ以上を組合せて用いてもよ
い。例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース内
に供給され、収納されうる最大寸法以下の寸法として、
例えば、２０×２０×２０ｍｍ〜５０×４０×４０ｍｍ
程度の範囲内の酸化物ブロック材が使用されうる。
【００１１】前記酸化物は、例えば、ＭｇＯ、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3等のような酸化物
である。
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3等のような酸化物
である。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。
する。
【００１３】図１に、本発明の方法で使用するための一
例としての電子ビーム蒸発源装置を示す。図１におい
て、１は電子銃、２は電子銃１からの電子ビームの通
路、３は水冷式銅製ハース、４は膜厚モニター、５はシ
ャッター、６は真空糟、７は集束コイル、８は揺動コイ
ル、９は偏向コイル、１０は蒸発材料、１１はのぞき窓
を示す。蒸発材料１０を収納するためのハース３、膜厚
モニター４、シャッター５及び偏向コイル９は、真空糟
６内の所定の位置に配設され、シャッター５及び膜厚モ
ニター４は蒸発材料の収納されたハース３と対向した位
置に設けられている。電子銃１からの出力電子ビーム２
は、真空糟６と電子銃１との間の連結路の周囲に設けら
れた集束コイル７及び揺動コイル８の作用により、湾曲
されてハース３内へその上側から導かれ、かくしてハー
ス内に収容された蒸発材料１０の加熱蒸発が行われて、
所定の基板への蒸着が行われるようになっている。
例としての電子ビーム蒸発源装置を示す。図１におい
て、１は電子銃、２は電子銃１からの電子ビームの通
路、３は水冷式銅製ハース、４は膜厚モニター、５はシ
ャッター、６は真空糟、７は集束コイル、８は揺動コイ
ル、９は偏向コイル、１０は蒸発材料、１１はのぞき窓
を示す。蒸発材料１０を収納するためのハース３、膜厚
モニター４、シャッター５及び偏向コイル９は、真空糟
６内の所定の位置に配設され、シャッター５及び膜厚モ
ニター４は蒸発材料の収納されたハース３と対向した位
置に設けられている。電子銃１からの出力電子ビーム２
は、真空糟６と電子銃１との間の連結路の周囲に設けら
れた集束コイル７及び揺動コイル８の作用により、湾曲
されてハース３内へその上側から導かれ、かくしてハー
ス内に収容された蒸発材料１０の加熱蒸発が行われて、
所定の基板への蒸着が行われるようになっている。
【００１４】（実施例１）図１に示された電子ビーム蒸
発源装置を使用して、以下記載するように、ＭｇＯ膜を
真空蒸着した。
発源装置を使用して、以下記載するように、ＭｇＯ膜を
真空蒸着した。
【００１５】３〜４ｍｍの粒径を有するＭｇＯ蒸発原料
１０（供給量：約８０ｃｍ3(５×４×４ｃｍ）、この原
料の密度を３．５１ｇ／ｃｍ3、カサ密度を０．４とし
て約１１２ｇになる）を水冷式銅製ハース３（容量：８
０ｃｍ3（５×４×４ｃｍ））内へ供給し、真空糟６内
を真空排気系を介して所定の圧力（加熱時圧力：１．３
×１０-2Ｐａ）に設定し、次いで電子ビームによってＭ
ｇＯ蒸発材料の所定の面積部分（３８ｃｍ2）を加熱し
（加熱条件：蒸発面積３８ｃｍ2の時、約４．０ｋＷ
（析出速度４．０ｎｍ／ｓ）と約１６．０ｋＷ（析出速
度３０．０ｎｍ／ｓ）との間で、析出速度が０．５ｎｍ
／ｓ間隔になるように加熱した。この電力と析出速度と
の関係は比例関係にある。）、ＭｇＯの蒸発を行い、所
定の基板に蒸着せしめた。この実験の結果、スプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、
５．０ｎｍ／ｓであった。
１０（供給量：約８０ｃｍ3(５×４×４ｃｍ）、この原
料の密度を３．５１ｇ／ｃｍ3、カサ密度を０．４とし
て約１１２ｇになる）を水冷式銅製ハース３（容量：８
０ｃｍ3（５×４×４ｃｍ））内へ供給し、真空糟６内
を真空排気系を介して所定の圧力（加熱時圧力：１．３
×１０-2Ｐａ）に設定し、次いで電子ビームによってＭ
ｇＯ蒸発材料の所定の面積部分（３８ｃｍ2）を加熱し
（加熱条件：蒸発面積３８ｃｍ2の時、約４．０ｋＷ
（析出速度４．０ｎｍ／ｓ）と約１６．０ｋＷ（析出速
度３０．０ｎｍ／ｓ）との間で、析出速度が０．５ｎｍ
／ｓ間隔になるように加熱した。この電力と析出速度と
の関係は比例関係にある。）、ＭｇＯの蒸発を行い、所
定の基板に蒸着せしめた。この実験の結果、スプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、
５．０ｎｍ／ｓであった。
【００１６】（実施例２）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、４〜５ｍ
ｍ、７〜８ｍｍ、１０〜１２ｍｍ又は１４〜１５ｍｍの
粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いたこと以外は、実施
例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッシュの発
生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、それぞ
れ、９．０ｎｍ／ｓ、１２．０ｎｍ／ｓ、１３．５ｎｍ
／ｓ及び１５．０ｎｍ／ｓであった。
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、４〜５ｍ
ｍ、７〜８ｍｍ、１０〜１２ｍｍ又は１４〜１５ｍｍの
粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いたこと以外は、実施
例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッシュの発
生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は、それぞ
れ、９．０ｎｍ／ｓ、１２．０ｎｍ／ｓ、１３．５ｎｍ
／ｓ及び１５．０ｎｍ／ｓであった。
【００１７】（比較例１）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、１〜３ｍｍ
又は２〜３ｍｍの粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いた
こと以外は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、
スプラッシュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出
速度は、両方とも、４．２ｎｍ／ｓに過ぎなかった。
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、１〜３ｍｍ
又は２〜３ｍｍの粒径を有するＭｇＯ蒸発原料を用いた
こと以外は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、
スプラッシュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出
速度は、両方とも、４．２ｎｍ／ｓに過ぎなかった。
【００１８】（実施例３）実施例１における３〜４ｍｍ
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、破砕されて
いない５０×４０×４０ｍｍのブロック状ＭｇＯ蒸発原
料を用い、実験にあわせて析出速度を増したこと以外
は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッ
シュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は３
５．０ｎｍ／ｓであった。
の粒径を有するＭｇＯ蒸発原料の代わりに、破砕されて
いない５０×４０×４０ｍｍのブロック状ＭｇＯ蒸発原
料を用い、実験にあわせて析出速度を増したこと以外
は、実施例１の方法を繰り返した。その結果、スプラッ
シュの発生なしにＭｇＯを成膜できた最大析出速度は３
５．０ｎｍ／ｓであった。
【００１９】上記実施例及び比較例で得られた結果を図
２にまとめて示す。図２において、横軸は使用したＭｇ
Ｏの粒径範囲を示し、縦軸は真空蒸着の際にスプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度を示す。これらの結果から明らかなように、ＭｇＯ析
出速度を従来の場合に比べて高速にするためには、約３
ｍｍ以上の粒径を有するＭｇＯ粒子を使用すればよく、
従来の場合のほぼ２倍以上にするためには、約４ｍｍ以
上の粒径を有するＭｇＯを使用すればよく、また、ほぼ
３倍以上にするためには、約７ｍｍ以上の粒径を有する
蒸発原料を使用すればよい。かくして、ＭｇＯ膜の高速
成膜による量産ラインを考えた場合、できる限り粒径の
大きなＭｇＯ粒を揃えた蒸発材料を使用することによっ
て、スプラッシュの発生頻度を抑え又は発生をなくすこ
とができる。
２にまとめて示す。図２において、横軸は使用したＭｇ
Ｏの粒径範囲を示し、縦軸は真空蒸着の際にスプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度を示す。これらの結果から明らかなように、ＭｇＯ析
出速度を従来の場合に比べて高速にするためには、約３
ｍｍ以上の粒径を有するＭｇＯ粒子を使用すればよく、
従来の場合のほぼ２倍以上にするためには、約４ｍｍ以
上の粒径を有するＭｇＯを使用すればよく、また、ほぼ
３倍以上にするためには、約７ｍｍ以上の粒径を有する
蒸発原料を使用すればよい。かくして、ＭｇＯ膜の高速
成膜による量産ラインを考えた場合、できる限り粒径の
大きなＭｇＯ粒を揃えた蒸発材料を使用することによっ
て、スプラッシュの発生頻度を抑え又は発生をなくすこ
とができる。
【００２０】また、さらに大きい析出速度を必要とする
場合には、蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に
収納されうる最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロッ
ク材、例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース
内に供給され、収納されうる５０×４０×４０ｍｍの酸
化物ブロック材に、直接電子ビームを照射しＭｇＯを蒸
発させて、スプラッシュの発生なしにＭｇＯ膜の高速成
膜をすることが可能である。尚、ここで挙げたＭｇＯブ
ロック材の大きさは、上記実施例で使用した水冷式銅製
ハース内に収納することのできる寸法の例として示した
ものであるが、さらに大きな寸法のＭｇＯブロック材、
及び、大容量の電子銃電源を使って電源容量を大きくす
ることで、さらに析出速度の高速化が容易にできる。ま
た、該ハースの容積に応じて、例示した寸法より小さい
寸法のブロック材を使用することもあるし、また、ハー
ス容積よりも小さい寸法のブロック材を使用してもよい
が、その場合２つ以上のブロック材を組み合わせて使用
することができる。
場合には、蒸発源において蒸発材料を収容する容器内に
収納されうる最大寸法以下の寸法を有する酸化物ブロッ
ク材、例えば、通常の電子ビーム蒸発源で用いるハース
内に供給され、収納されうる５０×４０×４０ｍｍの酸
化物ブロック材に、直接電子ビームを照射しＭｇＯを蒸
発させて、スプラッシュの発生なしにＭｇＯ膜の高速成
膜をすることが可能である。尚、ここで挙げたＭｇＯブ
ロック材の大きさは、上記実施例で使用した水冷式銅製
ハース内に収納することのできる寸法の例として示した
ものであるが、さらに大きな寸法のＭｇＯブロック材、
及び、大容量の電子銃電源を使って電源容量を大きくす
ることで、さらに析出速度の高速化が容易にできる。ま
た、該ハースの容積に応じて、例示した寸法より小さい
寸法のブロック材を使用することもあるし、また、ハー
ス容積よりも小さい寸法のブロック材を使用してもよい
が、その場合２つ以上のブロック材を組み合わせて使用
することができる。
【００２１】さらに、ＭｇＯ蒸発材料の代わりに、Ｓｉ
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3のような酸化物を
用いて、上記実施例１〜３記載の方法を繰り返した場合
も、これら実施例の場合と同じように、スプラッシュの
発生が抑制された又は発生なしに、それぞれの酸化物膜
が高速で析出・蒸着された。
Ｏ2、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3のような酸化物を
用いて、上記実施例１〜３記載の方法を繰り返した場合
も、これら実施例の場合と同じように、スプラッシュの
発生が抑制された又は発生なしに、それぞれの酸化物膜
が高速で析出・蒸着された。
【００２２】さらにまた、上記実施例では、電子銃を用
いた真空蒸着法について示したが、この他に、プラズマ
銃を用いた真空蒸着法や、これらの銃を用いた反応性蒸
着、イオンプレーティング等でも、これらの実施例の場
合と同じように、スプラッシュの発生なしに上記酸化物
膜を高速で蒸着・作製することができた。
いた真空蒸着法について示したが、この他に、プラズマ
銃を用いた真空蒸着法や、これらの銃を用いた反応性蒸
着、イオンプレーティング等でも、これらの実施例の場
合と同じように、スプラッシュの発生なしに上記酸化物
膜を高速で蒸着・作製することができた。
【００２３】
【発明の効果】本発明の酸化物膜の作製方法によれば、
蒸発材料として、３ｍｍ以上の粒径を有する酸化物又は
ブロック状の酸化物を使用するので、スプラッシュの発
生なしに酸化物膜の高速成膜が可能になり、量産ライン
で必要とする酸化物析出速度に応じて蒸発材料の大きさ
を選び、この材料を蒸発させることができるので、スプ
ラッシュの発生に起因する不良品の発生頻度をなくすこ
とが可能となる。
蒸発材料として、３ｍｍ以上の粒径を有する酸化物又は
ブロック状の酸化物を使用するので、スプラッシュの発
生なしに酸化物膜の高速成膜が可能になり、量産ライン
で必要とする酸化物析出速度に応じて蒸発材料の大きさ
を選び、この材料を蒸発させることができるので、スプ
ラッシュの発生に起因する不良品の発生頻度をなくすこ
とが可能となる。
【図１】 本発明の方法で用いる電子ビーム蒸発源装置
の概略截断面図
の概略截断面図
【図２】 ＭｇＯの粒径と、真空蒸着の際にスプラッシ
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度との関係を示す線図
ュの発生なしにＭｇＯ膜を得ることができる最大析出速
度との関係を示す線図
１ 電子銃 ２ 電子ビームの通路 ３ 水冷式銅製ハース ４ 膜厚モニター ５ シャッター ６ 真空糟 ７ 集束コイル ８ 揺動コイル ９ 偏向コイル １０ 蒸発材料 １１ のぞき窓
Claims (7)
- 【請求項１】 酸化物蒸発材料を用いて真空蒸着により
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として３
ｍｍ以上の粒径を有する酸化物を使用して蒸発を行い、
酸化物膜を蒸着せしめることを特徴とする酸化物膜の作
製方法。 - 【請求項２】 前記蒸発材料が４ｍｍ以上の粒径を有す
る酸化物であることを特徴とする請求項１記載の作製方
法。 - 【請求項３】 前記蒸発材料が７ｍｍ以上の粒径を有す
る酸化物であることを特徴とする請求項１記載の作製方
法。 - 【請求項４】 前記酸化物が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする請
求項１〜３のいずれかに記載の作製方法。 - 【請求項５】 酸化物蒸発材料を用いて真空蒸着により
酸化物膜を作製する方法において、該蒸発材料として、
蒸発材料を収容する容器内に収納されうる最大寸法以下
の寸法を有する酸化物ブロック材を少なくとも１つ使用
して蒸発を行い、酸化物を蒸着せしめることを特徴とす
る酸化物膜の作製方法。 - 【請求項６】 前記蒸発原料が、２０×２０×２０ｍｍ
〜５０×４０×４０ｍｍの酸化物ブロック材であること
を特徴とする請求項５記載の作製方法。 - 【請求項７】 前記酸化物が、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ｔｉ
Ｏ2、ＺｒＯ2 又はＡｌ2Ｏ3であることを特徴とする請
求項５又は６記載の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17503496A JPH1018026A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 酸化物膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17503496A JPH1018026A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 酸化物膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1018026A true JPH1018026A (ja) | 1998-01-20 |
Family
ID=15989069
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17503496A Pending JPH1018026A (ja) | 1996-07-04 | 1996-07-04 | 酸化物膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1018026A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046249A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF |
| JP5078903B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-11-21 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 |
-
1996
- 1996-07-04 JP JP17503496A patent/JPH1018026A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003046249A1 (en) * | 2001-11-30 | 2003-06-05 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO VAPOR DEPOSITION MATERIAL AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF |
| US7138350B2 (en) | 2001-11-30 | 2006-11-21 | Mitsubishi Materials Corporation | MgO vapor deposition material and method for preparation thereof |
| JP5078903B2 (ja) * | 2006-10-27 | 2012-11-21 | 株式会社アルバック | プラズマディスプレイパネルの製造方法及び製造装置 |
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