JPH10182222A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH10182222A JPH10182222A JP8341702A JP34170296A JPH10182222A JP H10182222 A JPH10182222 A JP H10182222A JP 8341702 A JP8341702 A JP 8341702A JP 34170296 A JP34170296 A JP 34170296A JP H10182222 A JPH10182222 A JP H10182222A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高周波領域における損失が小さく、温度変化に
よる特性変化が極めて小さい誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉを含
有し、これらのモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ
2 と表した時、前記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する
誘電体磁器組成物であって、上記主成分１００重量部に
対して、ＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５．０重量部のＭ
ｇを含有する。
よる特性変化が極めて小さい誘電体磁器組成物を得る。 【解決手段】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉを含
有し、これらのモル比による組成式をＢａＯ−ｘＴｉＯ
2 と表した時、前記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する
誘電体磁器組成物であって、上記主成分１００重量部に
対して、ＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５．０重量部のＭ
ｇを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロ波，ミリ
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波領域において使用される種々の共振器
用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料
や積層型セラミックコンデンサ等に用いることができる
誘電体磁器組成物に関する。
波等の高周波領域において、高いＱ値を有する誘電体磁
器組成物に関するものであり、例えば、マイクロ波やミ
リ波などの高周波領域において使用される種々の共振器
用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導波路用材料
や積層型セラミックコンデンサ等に用いることができる
誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】誘電体磁器は、マイクロ波やミリ波等の
高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基
板や導波路等に広く利用されている。
高周波領域において、誘電体共振器、ＭＩＣ用誘電体基
板や導波路等に広く利用されている。
【０００３】従来より、この種の誘電体磁器としては、
例えば、特開昭５７−６９６０７号公報に開示されるよ
うなものが知られている。この公報に開示される誘電体
磁器は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 において３．９≦ｘ≦４．
１の組成物１００重量部に対して、１〜２６重量部のＺ
ｎＯを添加してなるものである。
例えば、特開昭５７−６９６０７号公報に開示されるよ
うなものが知られている。この公報に開示される誘電体
磁器は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 において３．９≦ｘ≦４．
１の組成物１００重量部に対して、１〜２６重量部のＺ
ｎＯを添加してなるものである。
【０００４】このような誘電体磁器では、比誘電率が３
０〜４０で、測定周波数ｆ＝３．５ＧＨｚにおけるＱ値
が４５００程度となり、さらに共振周波数の温度係数τ
ｆを−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲で制御することが
できる。
０〜４０で、測定周波数ｆ＝３．５ＧＨｚにおけるＱ値
が４５００程度となり、さらに共振周波数の温度係数τ
ｆを−２５〜＋２５ｐｐｍ／℃の範囲で制御することが
できる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、すま
す使用周波数が高周波となり、しかも温度変化に対して
も高精度の制御が必要になっている。これに対し、上記
特開昭５７−６９６０７号公報に開示される誘電体磁器
ではＱｆ値が１５７５０ＧＨｚ程度と未だ低く、また、
共振周波数の温度係数τｆの曲がり、即ち温度ドリフト
の直線性が低いという問題があった。
す使用周波数が高周波となり、しかも温度変化に対して
も高精度の制御が必要になっている。これに対し、上記
特開昭５７−６９６０７号公報に開示される誘電体磁器
ではＱｆ値が１５７５０ＧＨｚ程度と未だ低く、また、
共振周波数の温度係数τｆの曲がり、即ち温度ドリフト
の直線性が低いという問題があった。
【０００６】そのため、この誘電体磁器を用いた共振器
や誘電体基板等では、高周波での損失が大きく、また温
度ドリフトの直線性が低いため温度変化に伴う特性変化
を高精度に制御することが困難であるという不都合があ
った。
や誘電体基板等では、高周波での損失が大きく、また温
度ドリフトの直線性が低いため温度変化に伴う特性変化
を高精度に制御することが困難であるという不都合があ
った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記問題
点を解決すべく、鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘電
体磁器組成物において、Ｍｇおよび必要に応じてＺｎを
所定量添加含有することにより、比誘電率が３４〜４１
で、Ｑｆ値が２５０００ＧＨｚ以上であり、共振周波数
の温度係数τｆを−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲で、か
つ、共振周波数の温度係数τｆの曲がり（温度ドリフ
ト）を−２〜２ｐｐｍ／℃の範囲（−４０〜８５℃）で
制御できることを見出し、本発明に至った。
点を解決すべく、鋭意検討した結果、Ｂａ−Ｔｉ系誘電
体磁器組成物において、Ｍｇおよび必要に応じてＺｎを
所定量添加含有することにより、比誘電率が３４〜４１
で、Ｑｆ値が２５０００ＧＨｚ以上であり、共振周波数
の温度係数τｆを−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲で、か
つ、共振周波数の温度係数τｆの曲がり（温度ドリフ
ト）を−２〜２ｐｐｍ／℃の範囲（−４０〜８５℃）で
制御できることを見出し、本発明に至った。
【０００８】即ち、本発明の誘電体磁器組成物は、金属
元素として少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらのモ
ル比による組成式を、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 と表した時、
前記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１００重
量部に対して、ＭｇをＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５重
量部含有し、さらに必要に応じてＺｎをＺｎＯ換算で２
０重量部以下含有するものである。
元素として少なくともＢａ、Ｔｉを含有し、これらのモ
ル比による組成式を、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 と表した時、
前記ｘが３．９≦ｘ≦４．１を満足する主成分１００重
量部に対して、ＭｇをＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５重
量部含有し、さらに必要に応じてＺｎをＺｎＯ換算で２
０重量部以下含有するものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、組成式ＢａＯ−ｘＴｉＯ2
で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物にＭｇを添加
することにより、Ｑｆ値を２５０００ＧＨｚ以上と向上
することができる。
で表されるＢａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物にＭｇを添加
することにより、Ｑｆ値を２５０００ＧＨｚ以上と向上
することができる。
【００１０】また、Ｍｇを添加することにより、誘電率
を大きくし、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜１５
ｐｐｍ／℃の範囲で、かつ共振周波数の温度係数τｆの
曲がり（温度ドリフト：Δτｆ）を−２〜２ｐｐｍ／℃
の範囲に制御することが可能となる。
を大きくし、共振周波数の温度係数τｆを−１５〜１５
ｐｐｍ／℃の範囲で、かつ共振周波数の温度係数τｆの
曲がり（温度ドリフト：Δτｆ）を−２〜２ｐｐｍ／℃
の範囲に制御することが可能となる。
【００１１】さらに、主成分にＺｎを添加することによ
って共振周波数の温度係数τｆをプラスからマイナス側
に移行させ、制御することができる。
って共振周波数の温度係数τｆをプラスからマイナス側
に移行させ、制御することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物は、Ｂ
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｍｇおよび必要
に応じてＺｎを所定量添加含有するものである。
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物において、Ｍｇおよび必要
に応じてＺｎを所定量添加含有するものである。
【００１３】モル比による組成式を、ＢａＯ−ｘＴｉＯ
2 と表した時、ｘが３．９≦ｘ≦４．１の範囲内とした
のは、Ｑｆ値を向上することができるからである。ｘの
値が３．９より小さい場合は、Ｑｆ値向上の効果が小さ
く、ｘが４．１よりも大きくなると、Ｑｆ値が低下する
からである。さらに、Ｑｆの値を低下させないためには
ｘの値は３．９２〜４．０８以下が望ましい。
2 と表した時、ｘが３．９≦ｘ≦４．１の範囲内とした
のは、Ｑｆ値を向上することができるからである。ｘの
値が３．９より小さい場合は、Ｑｆ値向上の効果が小さ
く、ｘが４．１よりも大きくなると、Ｑｆ値が低下する
からである。さらに、Ｑｆの値を低下させないためには
ｘの値は３．９２〜４．０８以下が望ましい。
【００１４】また、主成分１００重量部に対してＭｇを
ＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５重量部含有させたのは、
Ｍｇが０．０１重量部より少ない場合や、５重量部より
も多い場合には共振周波数の温度係数τｆの曲がりを表
すΔτｆが−２〜２ｐｐｍ／℃の範囲外となり、また、
５重量部より多い場合にはＱｆの値が低下し、τｆが１
５ｐｐｍ／℃よりも大きくなり、いずれの場合も実用的
でないからである。
ＭｇＣＯ3 換算で０．０１〜５重量部含有させたのは、
Ｍｇが０．０１重量部より少ない場合や、５重量部より
も多い場合には共振周波数の温度係数τｆの曲がりを表
すΔτｆが−２〜２ｐｐｍ／℃の範囲外となり、また、
５重量部より多い場合にはＱｆの値が低下し、τｆが１
５ｐｐｍ／℃よりも大きくなり、いずれの場合も実用的
でないからである。
【００１５】さらに、τｆを−１５〜１５ｐｐｍ／℃に
制御し、かつΔτｆをより０に近くし、またＱｆ値を向
上させるという観点から、Ｍｇの含有量は主成分１００
重量部に対してＭｇＣＯ3 換算で０．２〜３重量部の範
囲とすることが望ましい。
制御し、かつΔτｆをより０に近くし、またＱｆ値を向
上させるという観点から、Ｍｇの含有量は主成分１００
重量部に対してＭｇＣＯ3 換算で０．２〜３重量部の範
囲とすることが望ましい。
【００１６】また、主成分１００重量部に対して、Ｚｎ
の含有量をＺｎＯ換算で２０重量部以下としたのは、Ｚ
ｎがＺｎＯ換算で２０重量部よりも多い場合には、Ｑｆ
値が低下したり、共振周波数の温度係数τｆが−１５ｐ
ｐｍ／℃より小さくなり、実用的でないからである。な
お、温度係数τｆを０付近にするという観点からは、Ｚ
ｎはＺｎＯ換算で主成分１００重量部に対して１〜１５
重量部の範囲で含有することが望ましい。
の含有量をＺｎＯ換算で２０重量部以下としたのは、Ｚ
ｎがＺｎＯ換算で２０重量部よりも多い場合には、Ｑｆ
値が低下したり、共振周波数の温度係数τｆが−１５ｐ
ｐｍ／℃より小さくなり、実用的でないからである。な
お、温度係数τｆを０付近にするという観点からは、Ｚ
ｎはＺｎＯ換算で主成分１００重量部に対して１〜１５
重量部の範囲で含有することが望ましい。
【００１７】以上のように、本発明の誘電体磁器組成物
における最適な範囲は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 の組成式に
おいて、３．９２≦ｘ≦４．０８であり、この主成分１
００重量部に対して、ＭｇをＭｇＣＯ3 換算で０．１〜
３重量部、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜１５重量部含有させ
ることが望ましい。
における最適な範囲は、ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 の組成式に
おいて、３．９２≦ｘ≦４．０８であり、この主成分１
００重量部に対して、ＭｇをＭｇＣＯ3 換算で０．１〜
３重量部、ＺｎをＺｎＯ換算で１〜１５重量部含有させ
ることが望ましい。
【００１８】この場合には、Ｑｆ値が３００００ＧＨｚ
以上、共振周波数の温度係数τｆが−１２〜１２ｐｐｍ
／℃の範囲、共振周波数の温度係数τｆの曲がり（温度
ドリフト：Δτｆ）を−１．２〜１．２ｐｐｍ／℃の範
囲内に制御することができる。
以上、共振周波数の温度係数τｆが−１２〜１２ｐｐｍ
／℃の範囲、共振周波数の温度係数τｆの曲がり（温度
ドリフト：Δτｆ）を−１．２〜１．２ｐｐｍ／℃の範
囲内に制御することができる。
【００１９】また、本発明の誘電体磁器組成物には、Ｂ
ａＴｉ4 Ｏ9 結晶相が主結晶相として存在し、Ｚｎを添
加した場合には磁器中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相
が均一に分散することが好ましく、その他の結晶が少々
析出していても良い。本発明ではＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相
を主結晶相とすることによって高いＱｆ値を得ることが
でき、しかもＺｎの添加によってＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ
34結晶相を析出させることにより、さらにＱｆ値を向上
するとともに、温度係数τｆをプラス側からマイナス側
に制御することができる。
ａＴｉ4 Ｏ9 結晶相が主結晶相として存在し、Ｚｎを添
加した場合には磁器中にＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相
が均一に分散することが好ましく、その他の結晶が少々
析出していても良い。本発明ではＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相
を主結晶相とすることによって高いＱｆ値を得ることが
でき、しかもＺｎの添加によってＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ
34結晶相を析出させることにより、さらにＱｆ値を向上
するとともに、温度係数τｆをプラス側からマイナス側
に制御することができる。
【００２０】なお、これらの結晶相は磁器をＸ線回折で
分析することによって確認することができる。そして、
ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相を主結晶相とするとは、Ｘ線回折
による最大ピークがＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶からなることを
意味し、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34結晶相が均一に分散す
るとは、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶のピークが存在す
ることを意味する。
分析することによって確認することができる。そして、
ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相を主結晶相とするとは、Ｘ線回折
による最大ピークがＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶からなることを
意味し、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7Ｏ34結晶相が均一に分散す
るとは、Ｂａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶のピークが存在す
ることを意味する。
【００２１】実際に、本発明の誘電体磁器組成物をＸ線
回折で分析した際のチャート図を図１に示すように、Ｂ
ａＴｉ4 Ｏ9 結晶のピークＡが最大ピークとなり、しか
もＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶のピークＢが存在するこ
とがわかる。
回折で分析した際のチャート図を図１に示すように、Ｂ
ａＴｉ4 Ｏ9 結晶のピークＡが最大ピークとなり、しか
もＢａ3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶のピークＢが存在するこ
とがわかる。
【００２２】次に、本発明の誘電体磁器組成物の製造方
法を説明する。
法を説明する。
【００２３】本発明の誘電体磁器組成物は、原料粉末と
して、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 粉末
を準備し、これらを上記した組成比となるように秤量
し、ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、この混合粉末を
仮焼した後、再度ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、こ
の仮焼粉末を公知の方法により所定形状に成形し、大気
中または酸素雰囲気中において１１５０〜１３００℃で
０．１〜１０時間焼成することにより得られる。
して、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 粉末
を準備し、これらを上記した組成比となるように秤量
し、ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、この混合粉末を
仮焼した後、再度ＺｒＯ2 ボールにより粉砕混合し、こ
の仮焼粉末を公知の方法により所定形状に成形し、大気
中または酸素雰囲気中において１１５０〜１３００℃で
０．１〜１０時間焼成することにより得られる。
【００２４】上記原料粉末は、焼成により酸化物を生成
する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良
く、またＭｇＣＯ3 は仮焼後に添加しても良い。さら
に、本発明の誘電体磁器中には、製造工程における不可
避不純物として、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｈ
ｆ，Ｓｎ等が各元素当たり０．５重量％以下含まれるこ
ともある。
する水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等の金属塩を用いても良
く、またＭｇＣＯ3 は仮焼後に添加しても良い。さら
に、本発明の誘電体磁器中には、製造工程における不可
避不純物として、Ａｌ，Ｓｉ，Ｃａ，Ｍｇ，Ｆｅ，Ｈ
ｆ，Ｓｎ等が各元素当たり０．５重量％以下含まれるこ
ともある。
【００２５】なお、本発明の誘電体磁器組成物において
Ｚｎを添加した場合、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相中にＢａ3
Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を均一に分散させるためには、
特に上記原料粉末を１０５０〜１２００℃の温度で０．
１時間以上仮焼することが必要である。その理由は、１
０５０℃よりも低温で０．１時間未満の仮焼では、Ｂａ
3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が形成され難いからである。
Ｚｎを添加した場合、ＢａＴｉ4 Ｏ9 結晶相中にＢａ3
Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相を均一に分散させるためには、
特に上記原料粉末を１０５０〜１２００℃の温度で０．
１時間以上仮焼することが必要である。その理由は、１
０５０℃よりも低温で０．１時間未満の仮焼では、Ｂａ
3 Ｔｉ12Ｚｎ7 Ｏ34結晶相が形成され難いからである。
【００２６】
【実施例】原料として純度９９％以上のＢａＣＯ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 の粉末を用いて、上記した
組成式のｘ、Ｍｇ含有量（ＭｇＣＯ3 換算）およびＺｎ
含有量（ＺｎＯ換算）が表１に示す割合となるように秤
量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ル
ミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥
（脱水）し、１１５０℃で２時間仮焼した。
ｉＯ2 、ＺｎＯ、ＭｇＣＯ3 の粉末を用いて、上記した
組成式のｘ、Ｍｇ含有量（ＭｇＣＯ3 換算）およびＺｎ
含有量（ＺｎＯ換算）が表１に示す割合となるように秤
量し、純水を媒体とし、ＺｒＯ2 ボールを用いたボ−ル
ミルにて２０時間湿式混合した。次にこの混合物を乾燥
（脱水）し、１１５０℃で２時間仮焼した。
【００２７】この仮焼物を粉砕し、バインダ−を混合し
た後、誘電特性評価用の試料として直径１２ｍｍ高さ
６．３ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス
成形し、これを酸化雰囲気中において１１５０〜１２７
０℃で２時間焼成し、直径およそ１０ｍｍ、高さ５．３
ｍｍの円柱状の試料を得た。
た後、誘電特性評価用の試料として直径１２ｍｍ高さ
６．３ｍｍの円柱状に１ｔｏｎ／ｃｍ2 の圧力でプレス
成形し、これを酸化雰囲気中において１１５０〜１２７
０℃で２時間焼成し、直径およそ１０ｍｍ、高さ５．３
ｍｍの円柱状の試料を得た。
【００２８】誘電特性の評価は、前記試料を用いて誘電
体円柱共振器法にて周波数６〜７ＧＨｚにおける比誘電
率とＱ値を測定し、Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表され
るＱｆ値を表１に記載した。
体円柱共振器法にて周波数６〜７ＧＨｚにおける比誘電
率とＱ値を測定し、Ｑ値と測定周波数ｆとの積で表され
るＱｆ値を表１に記載した。
【００２９】また、−４０〜８５℃の温度範囲における
共振周波数を測定し、２５℃での共振周波数を基準にし
て共振周波数の温度係数τｆを算出して、これらの結果
を表１に記載した。尚、表１におけるτｆ1 は−４０℃
における共振周波数の温度係数であり、τｆ2 は８５℃
における共振周波数の温度係数である。さらに、共振周
波数の温度係数の曲がりΔτｆをΔτｆ＝τｆ1 −τｆ
2 の式から求め、結果を表１に記載した。
共振周波数を測定し、２５℃での共振周波数を基準にし
て共振周波数の温度係数τｆを算出して、これらの結果
を表１に記載した。尚、表１におけるτｆ1 は−４０℃
における共振周波数の温度係数であり、τｆ2 は８５℃
における共振周波数の温度係数である。さらに、共振周
波数の温度係数の曲がりΔτｆをΔτｆ＝τｆ1 −τｆ
2 の式から求め、結果を表１に記載した。
【００３０】この表１から、主成分のモル比が本発明の
範囲外であるもの（Ｎｏ．１４、１５）はＱｆ値が低
く、またＭｇ含有量が本発明の範囲外であるもの（Ｎ
ｏ．１６）は共振周波数の温度係数τｆ及び温度係数の
曲がりΔτｆが大きいものであった。さらにＺｎ含有量
が２０重量部を超えるもの（Ｎｏ．１７）では共振周波
数の温度係数τｆが大きかった。
範囲外であるもの（Ｎｏ．１４、１５）はＱｆ値が低
く、またＭｇ含有量が本発明の範囲外であるもの（Ｎ
ｏ．１６）は共振周波数の温度係数τｆ及び温度係数の
曲がりΔτｆが大きいものであった。さらにＺｎ含有量
が２０重量部を超えるもの（Ｎｏ．１７）では共振周波
数の温度係数τｆが大きかった。
【００３１】これらに対し、本発明の誘電体磁器組成物
（Ｎｏ．１〜１３）では、比誘電率が３４以上、Ｑｆ値
が２５０００ＧＨｚ以上、共振周波数の温度係数τｆが
−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲内で、かつ共振周波数の
温度係数τｆの曲がりΔτｆが−２〜２〔ｐｐｍ／℃〕
の優れた特性を有することが確認された。
（Ｎｏ．１〜１３）では、比誘電率が３４以上、Ｑｆ値
が２５０００ＧＨｚ以上、共振周波数の温度係数τｆが
−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲内で、かつ共振周波数の
温度係数τｆの曲がりΔτｆが−２〜２〔ｐｐｍ／℃〕
の優れた特性を有することが確認された。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【発明の効果】以上詳述した通り、本発明によれば、Ｂ
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物においてＭｇおよびＺｎを
所定量添加含有することにより、比誘電率が３４〜４１
で、Ｑｆが２５０００ＧＨｚ以上であり、共振周波数の
温度係数τｆを−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲内で、か
つ、共振周波数の温度係数τｆの曲がりを−２〜２ｐｐ
ｍ／℃の範囲内とすることができる。
ａ−Ｔｉ系誘電体磁器組成物においてＭｇおよびＺｎを
所定量添加含有することにより、比誘電率が３４〜４１
で、Ｑｆが２５０００ＧＨｚ以上であり、共振周波数の
温度係数τｆを−１５〜１５ｐｐｍ／℃の範囲内で、か
つ、共振周波数の温度係数τｆの曲がりを−２〜２ｐｐ
ｍ／℃の範囲内とすることができる。
【００３４】したがって、本発明の誘電体磁器組成物
は、高周波領域における損失が小さく、温度変化に伴う
よる特性の制御を極めて高精度に行うことができ、マイ
クロ波やミリ波などの周波数領域において使用される種
々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導
波路用材料として好適に使用することができる。
は、高周波領域における損失が小さく、温度変化に伴う
よる特性の制御を極めて高精度に行うことができ、マイ
クロ波やミリ波などの周波数領域において使用される種
々の共振器用材料やＭＩＣ用誘電体基板材料、誘電体導
波路用材料として好適に使用することができる。
【図１】本発明の誘電体磁器組成物のＸ線回折の結果を
示すチャート図である。
示すチャート図である。
Claims (2)
- 【請求項１】金属元素として少なくともＢａ，Ｔｉを含
有し、これらのモル比による組成式を、 ＢａＯ−ｘＴｉＯ2 と表した時、前記ｘが、 ３．９≦ｘ≦４．１ を満足する主成分１００重量部に対して、ＭｇＣＯ3 換
算で０．０１〜５．０重量部のＭｇを含有することを特
徴とする誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】上記主成分１００重量部に対して、さらに
ＺｎＯ換算で２０重量部以下のＺｎを含有することを特
徴とする請求項１記載の誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34170296A JP3754780B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 誘電体磁器組成物 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP34170296A JP3754780B2 (ja) | 1996-12-20 | 1996-12-20 | 誘電体磁器組成物 |
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| JP3754780B2 JP3754780B2 (ja) | 2006-03-15 |
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Family Applications (1)
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| JP (1) | JP3754780B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002137964A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 |
-
1996
- 1996-12-20 JP JP34170296A patent/JP3754780B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002137964A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-14 | Kyocera Corp | 誘電体磁器およびこれを用いた誘電体共振器 |
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